CN116682841A - 芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法 - Google Patents

芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116682841A
CN116682841A CN202310698788.7A CN202310698788A CN116682841A CN 116682841 A CN116682841 A CN 116682841A CN 202310698788 A CN202310698788 A CN 202310698788A CN 116682841 A CN116682841 A CN 116682841A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
chip
transfer
electrode
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310698788.7A
Other languages
English (en)
Inventor
黄安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma New Display Technology Research Institute Xiamen Co ltd
Original Assignee
Tianma New Display Technology Research Institute Xiamen Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma New Display Technology Research Institute Xiamen Co ltd filed Critical Tianma New Display Technology Research Institute Xiamen Co ltd
Priority to CN202310698788.7A priority Critical patent/CN116682841A/zh
Publication of CN116682841A publication Critical patent/CN116682841A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法，属于显示技术领域，芯片的芯片主体包括相对的第一侧和第二侧，芯片主体的第一侧包括第一电极和第二电极，芯片主体的第二侧包括多个凹槽，凹槽包括底部和顶部，底部位于顶部靠近第一侧的一侧，顶部的宽度小于底部的宽度。生长基板用于形成上述芯片。转移基板用于将上述生长基板上的芯片转移。显示面板包括显示基板和上述芯片；显示基板的显示单元包括第一键合电极和第二键合电极，第一电极与第一键合电极绑定，第二电极与第二键合电极绑定。显示面板的制作方法用于制作上述显示面板。本发明可以实现芯片巨量转移的同时，还可以提高转移效率，提升转移良率，保证显示品质。

Description

芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，微元件化的制作工艺成为显示面板的一种发展趋势，例如微型发光二极管(micro Light Emitting Diode，micro-LED)显示技术。micro-LED具有自发光显示特性，其优势包括全固态、长寿命、高亮度、高色彩饱和度、低功耗、体积较小、反应速度快、厚度薄、超高分辨率、可应用于高温或辐射等极端环境，相比其他显示技术有着明显优势。
micro-LED将LED结构薄膜化、微小化及阵列化，其尺寸缩小到1-10微米左右，micro-LED面板可实现更加细腻的显示效果。制程时需要通过批量转移到基板上再利用物理沉积的方式完成保护层和电极的制备，最后进行封装。但micro-LED尺寸小，芯片制程过程中转移的晶粒数量可达万级甚至几十万级，要实现巨量转移要求micro-LED的厚度尽量薄，且需要更加精细化的操作才能完成，且对其进行巨量转移要求非常高的效率、良品率和转移精度。目前巨量转移技术成为micro-LED面板制作过程中最大的技术难点。
现有的巨量转移方法主要有弹性印章转移法、激光辅助转移法、静电转移法、电磁转移法及流体自组装法等。业界两个主流的技术方案是印章转移和激光转移。但是弹性印章转移法的巨量转移面临着诸多技术挑战，比如转移时受印章头粘附力的差异导致有一些芯片无法被正常拾取，造成转移良率的降低，影响最终面板的显示效果等。
因此，如何可以实现芯片巨量转移的同时，还可以提高转移效率，提升转移良率，保证显示品质是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法，以解决现有技术中的微型发光二极管显示设备出光效率不理想，且在制程过程中技术困难较多，良率得不到有效保证的问题。
本发明公开了一种芯片，包括：芯片主体，芯片主体包括相对的第一侧和第二侧，芯片主体的第一侧包括第一电极和第二电极，芯片主体的第二侧包括多个凹槽，凹槽包括底部和顶部，底部位于顶部靠近第一侧的一侧；沿第一方向，顶部的宽度小于底部的宽度；其中，第一方向与第一侧指向第二侧的方向相交。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种生长基板，包括：第一衬底；第一金属层，第一金属层包括多个凸块，凸块包括第一表面和第二表面，第一表面位于第二表面朝向第一衬底的一侧，沿平行于第一衬底所在平面的方向，第一表面的宽度小于第二表面的宽度；生长基板还包括上述芯片，第一电极位于芯片主体远离第一衬底的一侧；芯片主体的凹槽与凸块嵌合，第二表面与凹槽的底部接触。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种转移基板，包括：第二衬底；缓冲胶层，缓冲胶层位于第二衬底的一侧；多个芯片，芯片包括芯片主体、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于芯片主体朝向第二衬底的一侧，且第一电极和第二电极均与缓冲胶层贴合；芯片主体远离第二衬底的一侧包括多个凹槽；凹槽包括底部和顶部，底部位于顶部朝向第二衬底的一侧；沿平行于第二衬底所在平面的方向，顶部的宽度小于底部的宽度。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示面板，包括显示基板和上述芯片；显示基板包括多个显示单元，显示单元包括第一键合电极和第二键合电极；第一电极与第一键合电极绑定，第二电极与第二键合电极绑定。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示面板的制作方法，制作方法包括：提供上述转移基板；提供转移头，转移头包括第三衬底和位于第三衬底一侧的多个转移印章，转移印章与芯片主体相对应，转移印章朝向芯片主体的凹槽；以第一温度加热转移印章，部分转移印章软化流平进入转移基板上的凹槽内；降温至第二温度，凹槽内的部分转移印章固化，芯片被转移头拾取，第一电极和第二电极均与缓冲胶层分离；提供显示基板，显示基板包括多个显示单元，显示单元包括第一键合电极和多个第二键合电极；转移头将拾取到的芯片转移至显示基板上；以第三温度加热显示基板，第一电极与第一键合电极绑定，第二电极与第二键合电极绑定；以第四温度加热转移印章，转移印章软化，转移头与芯片分离。
与现有技术相比，本发明提供的芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明的芯片包括芯片主体，芯片主体包括相对的第一侧和第二侧，芯片主体可以理解为芯片的发光主体，芯片主体的第二侧包括多个凹槽，即凹槽位于芯片主体背离第一电极和第二电极的一侧。凹槽的结构可以是上窄下宽、顶小底大的结构，从而可以使得芯片主体的第二侧不仅具有凹槽所在的凹部分，还具有凹槽范围之外的凸部分，使得芯片主体的第二侧具有粗糙表面，在芯片出光时，可以打破靠近芯片出光面的一侧表面的全反射现象，有利于提升芯片的光取出效率，即提高出光效率。并且本发明设置芯片主体的第二侧表面开设的凹槽是上窄下宽、顶小底大的结构，越靠近芯片主体的第二侧越窄越小，越靠近芯片主体的第一侧越宽越大，在后续显示面板制程过程中，巨量转移芯片时，可以采用状态可变的弹性印章转移头拾取芯片，状态可变的弹性印章转移头可以理解为一定温度下为软化状态，一定温度下为固化状态，巨量转移时，通过温度控制使得拾取前软化的弹性印章转移头材料填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽结构中，而拾取芯片时填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽结构中弹性印章转移头材料固化，使得凹槽底部与弹性印章转移头材料的粘附面积更大且粘附范围外扩，有利于提升转移头与凹槽的粘附力，进而能够提升转移头与芯片之间的固定拾取效果，尽可能保证芯片被正常拾取转移，有利于提高采用本发明的芯片制作显示面板时的转移良率和转移效率。并且在转移完成后还可以通过温度控制填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽结构中弹性印章转移头材料软化，实现芯片与转移头的分离。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的芯片的平面结构示意图；
图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图；
图3是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图4是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的生长基板的平面结构示意图；
图6是图5中B-B’向的剖面结构示意图；
图7是图5中B-B’向的另一种剖面结构示意图；
图8是本发明实施例提供的转移基板的平面结构示意图；
图9是图8中C-C’向的剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图；
图11是图10中D-D’向的剖面结构示意图；
图12是图10中D-D’向的另一种剖面结构示意图；
图13是本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程框图；
图14是本发明实施例提供的显示面板的制作方法所需的转移头的结构示意图；
图15是图13中转移基板上的芯片被拾取前的结构示意图；
图16是图13中转移基板上的芯片与转移头接触时的结构示意图；
图17是图13中转移基板上的部分芯片被拾取的结构示意图；
图18是图13中转移头将拾取到的芯片转移至显示基板前的结构示意图；
图19是图13中转移头将拾取到的芯片转移至显示基板后的结构示意图；
图20是图13中转移头与显示基板上的芯片分离后的结构示意图；
图21是本发明实施例提供的显示面板的另一种制作方法流程框图；
图22是图21中去除凹槽内的部分转移印章的材料后的结构示意图；
图23是图13中转移基板上的芯片被拾取前的另一种结构示意图；
图24是本发明实施例提供的显示面板的另一种制作方法流程框图；
图25是图24中第二衬底一侧制作完缓冲胶层的结构示意图；
图26是图24中缓冲胶层远离第二衬底放置完生长基板后的结构示意图；
图27是图24中芯片从生长基板的第一衬底上分离后与第二衬底上的缓冲胶层贴合后的结构示意图；
图28是图24中形成转移基板后的结构示意图；
图29是本发明实施例提供的显示面板的另一种制作方法流程框图；
图30是图29中在第一衬底一侧形成多个凸块的结构示意图；
图31是图29中在第一衬底一侧生长芯片膜层后的结构示意图；
图32是图29中在芯片膜层远离第一衬底的一侧形成多个第一电极和多个第二电极后的结构示意图；
图33是图29中形成生长基板后的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是，本发明实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请结合参考图1-图4，图1是本发明实施例提供的芯片的平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图，图3是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，图4是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图1中进行了透明度填充)，本实施例提供的一种芯片000，包括：芯片主体10，芯片主体10包括相对的第一侧10A和第二侧10B，芯片主体10的第一侧10A包括第一电极201和第二电极202；
芯片主体10的第二侧10B包括多个凹槽10K，凹槽10K包括底部10KA和顶部10KB，底部10KA位于顶部10KB靠近第一侧10A的一侧；
沿第一方向X，顶部10KB的宽度W1小于底部10KA的宽度W2；其中，第一方向X与第一侧10A指向第二侧10B的方向(如图中的第二方向Z)相交。
具体而言，本实施例提供的芯片000可以是微型发光芯片，如可以为微型发光二极管或者次毫米发光二极管等，本实施例对此不作限定。本实施例提供的芯片000后续可用于制作微型发光二极管显示面板，且显示面板的制程工艺可采用巨量转移技术将本实施例中的芯片000进行转移和键合，进而通过高转移效率、高转移良率的制程工艺形成具有高显示品质的显示面板，具体可参考后续实施例的说明进行理解，本实施例在此不作赘述。
本实施例的芯片000包括芯片主体10，芯片主体10包括相对的第一侧10A和第二侧10B，芯片主体10可以理解为芯片000的发光主体，可选的，沿芯片主体10第一侧10A指向芯片主体10的第二侧10B的方向(如图中的第二方向Z)，芯片主体10可以包括堆叠设置的p型半导体层101、量子阱层102、n型半导体层103，芯片主体10的第一侧10A包括第一电极201和第二电极202，本实施例的芯片000为水平型发光芯片结构即第一电极201和第二电极202位于芯片主体10的同一侧。第一电极201与芯片主体10的p型半导体层101连接，第二电极202与芯片主体10的n型半导体层103连接。第一电极201和第二电极202可以理解为后续芯片000转移至显示基板上后与显示基板上的绑定电极键合的芯片000的阴极(N电极)和阳极(P电极)。本实施例中芯片000的发光原理可以为，对第一电极201施加正电压，对第二电极202施加负电压(即对芯片000施加正向电压)后，由p型半导体层101注入到n型半导体层103的空穴在PN结附近与n型半导体层103的电子复合，由n型半导体层103注入到p型半导体层101的电子在PN结附近与p型半导体层101的空穴复合，产生自发辐射的光，进而实现芯片000的发光功能。可以理解的是，本实施例对于芯片000的发光原理不作赘述，具体可参考相关技术中发光二极管的发光原理进行理解。
本实施例设置芯片主体10的第二侧10B包括多个凹槽10K，即凹槽10K位于芯片主体10背离第一电极201和第二电极202的一侧。可选的，n型半导体层103背离第一电极201和第二电极202的一侧可以包括一个保护层104(图中未填充)，多个凹槽10K开设于该保护层104所在的厚度范围内，保护层104远离芯片主体10的第一侧10A的表面朝靠近芯片主体10的第一侧10A的方向凹陷形成凹槽10K，进而可以避免凹槽10K的开设影响n型半导体层103的功能。
本实施例中的凹槽10K结构包括底部10KA和顶部10KB，底部10KA位于顶部10KB靠近第一侧10A的一侧，沿第一方向X，顶部10KB的宽度W1小于底部10KA的宽度W2，第一方向X可以理解为与第一侧10A指向第二侧10B的方向(如图中的第二方向Z)相交或者相互垂直的方向，图中以第一方向X和第二方向Z相互垂直为例进行示例说明。本实施例的第一方向X也可理解为平行于芯片主体10所在平面的方向。沿第一方向X，开设的凹槽10K的顶部10KB的宽度W1小于凹槽10K的底部10KA的宽度W2，即凹槽10K的结构可以是上窄下宽、顶小底大的结构(芯片主体10的第一侧10A理解为下方位和底方位，芯片主体10的第二侧10B理解为上方位和顶方位)，可选的，如图2和图3所示，凹槽10K的侧壁可以是平面状，凹槽10K可以是上窄下宽、顶小底大的梯台形状、上窄下宽、顶小底大的圆锥形状，或者还可以为其他形状，仅需满足沿第一方向X，开设的凹槽10K的顶部10KB的宽度W1小于凹槽10K的底部10KA的宽度W2即可。或者如图4所示，凹槽10K的侧壁还可以是内凹的弧面状，均可以满足第一方向X，开设的凹槽10K的顶部10KB的宽度W1小于凹槽10K的底部10KA的宽度W2。
可以理解的是，本实施例的图2-图4仅是举例说明凹槽10K可以开设的形状，具体实施时，凹槽10K的形状包括但不局限于此，还可以为其他形状，仅需满足沿第一方向X，开设的凹槽10K的顶部10KB的宽度W1小于凹槽10K的底部10KA的宽度W2即可。
本实施例设置芯片主体10的第二侧10B包括多个凹槽10K，从而可以使得芯片主体10的第二侧10B(可以理解为靠近芯片000出光面的一侧)不仅具有凹槽10K所在的凹部分，还具有凹槽10K范围之外的凸部分，使得芯片主体10的第二侧10B具有粗糙表面，在芯片000出光时，可以打破靠近芯片000出光面的一侧表面的全反射现象，有利于提升芯片000的光取出效率(即出光效率)。
可以理解的是，本实施例的图1中仅是以芯片主体10的第二侧10B包括12个凹槽10K为例进行示例说明，具体实施时，凹槽10K的数量可以根据凹槽10K本身的尺寸和芯片000的尺寸进行设计，凹槽10K的数量越多，出光效果越好，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
现有技术中一般采用弹性印章转移头拾取芯片000进行巨量转移。由于弹性印章转移头受弹性力的影响较大，且多次使用后良率会逐渐降低，每个弹性印章转移头在凸点位置(即拾取时与芯片000接触的位置)处的粘附力存在差异，而且还要求弹性印章转移头拾取芯片时的粘附力要大于芯片与其所在的转移基板之间的粘附力，因此大大增加了拾取难度。并且本实施例的芯片000表面凹槽10K的开设，虽然能提升出光效率，但是容易使得芯片主体10的第二侧10B表面不平坦，弹性印章转移头吸附芯片000时，只能接触凹槽10K与凹槽10K之间的平坦区域，导致接触面积大大降低，进而弹性印章转移头拾取芯片000时的吸附力也会大大降低，为巨量转移增加了一定的困难。
为了解决上述问题，本实施例设置芯片主体10的第二侧10B表面开设的凹槽10K是上窄下宽、顶小底大的结构，越靠近芯片主体10的第二侧10B越窄越小，越靠近芯片主体10的第一侧10A越宽越大，在后续显示面板制程过程中，巨量转移芯片000时，可以采用状态可变的弹性印章转移头拾取芯片000，状态可变的弹性印章转移头可以理解为一定温度下为软化状态，一定温度下为固化状态，巨量转移时，通过温度控制使得拾取前软化的弹性印章转移头材料填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中，而拾取芯片000时填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中弹性印章转移头材料固化，使得凹槽10K底部10KA与弹性印章转移头材料的粘附面积更大且粘附范围外扩，有利于提升转移头与凹槽10K的粘附力，进而能够提升转移头与芯片000之间的固定拾取效果，尽可能保证芯片000被正常拾取转移，有利于提高采用本实施例的芯片000制作显示面板时的转移良率和转移效率。并且在转移完成后还可以通过温度控制填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中弹性印章转移头材料软化，实现芯片000与转移头的分离。
可以理解的是，对于如何通过巨量转移工艺，采用本实施例中的芯片制作显示面板的过程，本实施例在此不作赘述，具体可参考后续实施例的详细说明进行理解。
可选的，如图1和图2所示，芯片主体10的第二侧10B开设的凹槽10K至少包括一个侧壁10KC，侧壁10KC可以理解为与凹槽10的底部10KA连接的一个面，侧壁10KC与底部10KA相交形成的夹角为α，其中，α＜90°。
本实施例设置芯片主体10的第二侧10B开设的凹槽10K的侧壁10KC为平面状，且侧壁10KC与底部10KA相交形成的夹角α小于90°，可以在后续转移印章进行拾取芯片000时，印章转移头固化后，增强夹角α处固化的印章转移头材料与凹槽10K侧壁10KC的外扩凝聚力，使得印章转移头拾取芯片000时受到的固化内聚力更大，避免芯片000不能被有效拾取，有利于提升印章转移头的拾取良率。
请结合参考图1和图2、图5和图6，图5是本发明实施例提供的生长基板的平面结构示意图，图6是图5中B-B’向的剖面结构示意图，本实施例提供了一种生长基板111，该生长基板111可以用于生长上述实施例中的芯片000，具体为生长基板111包括：
第一衬底301(图中未填充)；
第一金属层302，第一金属层302包括多个凸块3021，凸块3021包括第一表面3021A和第二表面3021B，第一表面3021A位于第二表面3021B朝向第一衬底301的一侧，沿平行于第一衬底301所在平面的方向(由于后续芯片000生长于该第一衬底301的一侧，因此可以理解为第一方向X)，第一表面3021A的宽度W3小于第二表面3021B的宽度W4；
生长基板111还包括上述实施例的芯片000，第一电极201位于芯片主体10远离第一衬底301的一侧；
芯片主体10的凹槽10K与凸块3021嵌合，第二表面3021B与凹槽10K的底部10KA接触。
本实施例解释说明了一种用于生长制作上述实施例中的芯片000的生长基板111的结构，生长基板111至少包括第一衬底301，第一衬底301可以为蓝宝石衬底，用于在其表面生长构成芯片000的各个膜层结构。第一衬底301一侧包括第一金属层302，第一金属层302可以刻蚀形成多个凸块3021，凸块3021的形状可以与后续芯片000的凹槽10K的形状相匹配，如凸块3021包括第一表面3021A和第二表面3021B，第一表面3021A位于第二表面3021B朝向第一衬底301的一侧，沿平行于第一衬底301所在平面的方向(由于后续芯片000生长于该第一衬底301的一侧，因此可以理解为第一方向X)，第一表面3021A的宽度W3小于第二表面3021B的宽度W4，第一表面3021A的宽度W3等于芯片000的凹槽10K的顶部10KB的宽度W1，第二表面3021B的宽度W4等于芯片000的凹槽10K的底部10KA的宽度W2，以使得后续在凸块3021上生长的芯片主体10的膜层可以覆盖第一金属层302的多个凸块3021，进而芯片主体10的凹槽10K与凸块3021嵌合，第二表面3021B与凹槽10K的底部10KA接触。芯片000的第一电极201和第二电极202均位于芯片主体10远离第一衬底301的一侧，可通过金属刻蚀工艺形成。
可以理解的是，本实施例的生长基板111制作时，可以在第一衬底301一侧形成第一金属层302，然后通过刻蚀工艺图案化第一金属层302，形成多个凸块3021，使得凸块3021的形状与后续所要制得的芯片000的凹槽10K的形状相匹配，然后在凸块3021远离第一衬底301的一侧依次生长芯片膜层(可采用MOCVD工艺，Metal-organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相淀积工艺，在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术)，如依次生长保护层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层等，使得这些芯片膜层朝向第一衬底301的一侧覆盖多个凸块3021，芯片膜层朝向第一衬底301的一侧自然形成与凸块3021形状匹配且嵌合于凸块3021的凹槽10K。然后在芯片膜层远离第一衬底301的一侧形成电极层，并通过图案化工艺形成多个第一电极201和多个第二电极202即可。此时依次生长芯片膜层仍然为一个整体，若需要在第一衬底301一侧形成多个独立的芯片000，还需要通过刻蚀工艺(如ISO工艺是指在蓝宝石衬底生长整面外延结构后，通过半导体刻蚀技术将外延刻蚀成阵列排布的一颗一颗的芯片)形成多个独立的芯片单元001，该芯片单元001包括芯片000本身以及卡嵌于凹槽10K内的凸块3021。
可选的，本实施例中卡嵌于芯片000的凹槽10K中的凸块3021采用第一金属层302制作，第一金属层302的材料可以是金属铜或其他高熔点(熔点＞1000℃)的金属材料，从而在后续芯片000从生长基板111转移至转移基板上后，便于通过湿法刻蚀工艺去除芯片单元001的凹槽10K内的凸块3021，将芯片000的凹槽10K暴露出来。
可选的，如图5和图7所示，图7是图5中B-B’向的另一种剖面结构示意图，本实施例的生长基板111中，第一衬底301和第一金属层302之间还包括缓冲层303，缓冲层303可以降低第一衬底301和后续生长外延(生长的芯片000的芯片膜层)之间的应力差异，保证生长的各个芯片膜层的品质，进而有利于提高制作于第一衬底301上的芯片质量。
请结合参考图8和图9，图8是本发明实施例提供的转移基板的平面结构示意图，图9是图8中C-C’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图8进行了透明度填充)，本实施例提供了一种转移基板222，该转移基板222可以采用上述实施例中的生长基板111制作，具体为：转移基板222，包括：
第二衬底401(图中未填充)；
缓冲胶层402，缓冲胶层402位于第二衬底401的一侧；
多个芯片000，芯片000包括芯片主体10、第一电极201和第二电极202，第一电极201和第二电极202位于芯片主体10朝向第二衬底401的一侧，且第一电极201和第二电极202均与缓冲胶层402贴合；芯片主体10远离第二衬底401的一侧包括多个凹槽10K；
凹槽10K包括底部10KA和顶部10KB，底部10KA位于顶部10KB朝向第二衬底401的一侧；沿平行于第二衬底401所在平面的方向(由于后续生长基板111上生长的芯片000转移至该第二衬底401的一侧，因此可以理解为第一方向X)，顶部10KB的宽度W1小于底部10KA的宽度W2，即转移基板222上的芯片000即为生长基板111上的芯片000，具体可参考上述实施例的描述进行理解。
本实施例提供的转移基板222可采用上述实施例中的生长基板111，由于生长基板111上的第一电极201和第二电极202位于芯片主体10远离第一衬底301一侧，因此生长基板111上的芯片000结构需要转移至转移基板222上，进行翻转，即转移至转移基板222上的第二衬底401一侧，第一电极201和第二电极202翻转到朝向第二衬底401的一侧，使得第一电极201和第二电极202均与第二衬底401上的缓冲胶层402贴合，芯片主体10位于第一电极201和第二电极202的上方，如此后续通过印章转移转移基板222上的芯片000时，可以通过印章转移头拾取芯片主体10的第二侧10B，芯片主体10的第一侧10A的第一电极201和第二电极202可以直接与显示基板上的绑定电极键合固定。因此本实施例的转移基板222的作用可以理解为将生长基板111上的芯片000进行翻转的作用，便于后续制作显示面板时芯片000的巨量转移操作。
可以理解的是，本实施例的转移基板222制作时，可以采用图5和图7实施例中的生长基板111制作，可以先提供图5和图7所示的生长基板111，然后提供第二衬底401，第二衬底401用于后续将生长基板111上的芯片000转移至该第二衬底401上，在第二衬底401一侧制作缓冲胶层402；缓冲胶层402可以为PDMS材料(Polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷材料)，也可以是UV胶(光敏胶)，仅需满足具有一定的粘性，可以使得后续芯片000转移至该缓冲胶层402后第一电极201和第二电极202能与缓冲胶层402粘合。将生长基板111设置于缓冲胶层402远离第二衬底401的一侧，使得生长基板111的第一衬底301位于芯片主体10远离第二衬底401的一侧，即生长基板111上包括的第一电极201和第二电极202朝向缓冲胶层402，第一电极201和第二电极202与转移基板222的缓冲胶层402贴合固定，采用剥离工艺(如激光剥离技术，LLO，Laser Lift-off)剥离生长基板111的第一衬底301，使得生长基板111的芯片主体10与第一衬底301分离。分离后的芯片主体10的凹槽10K内还包括金属凸块3021，或者芯片主体10远离第二衬底401的一侧还包括缓冲层303，此时，可以通过刻蚀工艺刻蚀掉芯片主体10外的缓冲层303使凸块3021表面裸漏，然后可以通过去除工艺去除芯片主体10远离第二衬底401一侧的凸块3021，使得芯片主体10的凹槽10K暴露，进而完成转移基板222的制作。
请结合参考图1-图4、图10和图11，图10是本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图，图11是图10中D-D’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图10中进行了透明度填充)，本实施例提供的显示面板333，包括上述实施例中的芯片000，可选的，本实施例的显示面板333可以采用上述实施例中的生长基板111和转移基板222制作，具体可参考后续实施例的说明进行理解，本实施例在此对显示面板的制作方法不作赘述。
显示面板333包括显示基板50和上述实施例中的芯片000；
显示基板50包括多个显示单元50A，显示单元50A包括第一键合电极501和第二键合电极502；
第一电极201与第一键合电极501绑定，第二电极202与第二键合电极502绑定。
本实施例提供的显示面板333包括显示基板50和上述实施例中的芯片000，在制作时，可以采用上述实施例中的包括芯片000的生长基板111和转移基板222制作。显示基板50可以是显示背板(图10中未填充)，可选的，显示基板50可以包括玻璃衬底(或者其他刚性衬底或柔性衬底)以及依次设置在玻璃衬底上的薄膜晶体管阵列结构、平坦绝缘层和绑定电极层等，本实施例对此不作限定，具体实施时，可参考相关技术中micro LED显示面板或者mini LED(次毫米发光二极管)显示面板等膜层结构进行理解本实施例的显示基板50的结构。绑定电极层可以包括多个第一键合电极501和多个第二键合电极502，显示基板50的显示单元50A(可以理解为后续绑定一个芯片000的对应区域)包括至少一个第一键合电极501和至少一个第二键合电极502，芯片000从转移基板222上巨量转移至显示基板50上时，第一电极201与第一键合电极501绑定电连接，第二电极202与第二键合电极502绑定电连接，通过显示基板50中薄膜晶体管阵列提供的驱动电路可以实现对芯片000的发光驱动效果。
本实施例设计包括芯片000和显示基板50的显示面板333的结构具有上述实施例中芯片0000的有益效果，上述实施例的芯片000可以在显示面板333显示出光时，打破靠近显示面板333出光面即芯片000出光面的一侧表面的全反射现象，有利于提升显示面板333的整体光取出效率，即可以提高显示面板333的出光效率和显示品质。并且显示面板333包括的芯片000的结构，在芯片主体10的第二侧10B表面开设的凹槽10K是上窄下宽、顶小底大的结构，越靠近芯片主体10的第二侧10B越窄越小，越靠近芯片主体10的第一侧10A越宽越大，在显示面板333制程过程中，从转移基板222上巨量转移芯片000时，可以采用状态可变的弹性印章转移头从转移基板222上拾取芯片000，状态可变的弹性印章转移头可以理解为一定温度下为软化状态，一定温度下为固化状态，巨量转移时，通过温度控制使得拾取前软化的弹性印章转移头材料填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中，而拾取芯片000时填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中弹性印章转移头材料固化，使得凹槽10K底部10KA与弹性印章转移头材料的粘附面积更大且粘附范围外扩，有利于提升转移头与凹槽10K的粘附力，进而能够提升转移头与芯片000之间的固定拾取效果，尽可能保证芯片000被正常拾取转移，有利于提高采用本实施例的芯片000制作显示面板333时的转移良率和转移效率，即可以提高显示面板333的制程效率和产品良率。并且在转移完成后还可以通过温度控制填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中弹性印章转移头材料软化，实现芯片000与转移头的分离，有利于进一步降低制作难度，提高制作效率。
可以理解的是，本实施例的图中仅是举例说明显示面板333的结构，具体实施时，显示面板333的结构包括但不局限于此，还可以包括其他膜层结构，如薄膜晶体管阵列的膜层结构中可以包括阳极线、阴极线等，本实施例在此不作赘述，具体可参考相关技术中的显示面板的膜层结构进行理解。
可选的，如图10和图12所示，图12是图10中D-D’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，显示面板333还包括色彩转换部60，色彩转换部60位于芯片000远离显示基板50的一侧，至少部分色彩转换部60内嵌于芯片主体10的凹槽10K内。进一步可选的，显示基板50朝向芯片000的一侧还包括芯片封装材料70，芯片000的第一电极201与第一键合电极501绑定，第二电极202与第二键合电极502绑定后，可以在显示基板50朝向芯片000的一侧设置芯片封装材料70，以保证显示面板333出光面一侧的平整度，还可以稳固芯片000，将芯片000封装保护起来。
本实施例设置芯片000远离显示基板50的一侧包括色彩转换部60，色彩转换部60可以为量子点材料，芯片000可以采用蓝色发光芯片，结合结合量子点材料的色彩转换部60，可以形成白光。色彩转换部60在蓝光激发下会激发出纯正的绿光和红光。由于量子点(Quantum Dot，QD)材料是一种发光半导体晶体，其具有窄而可调的光致发光光谱、高光致发光量子效率、无机材料固有的热稳定性，可有效地将蓝色发光芯片的光转化为高饱和度的蓝色、绿色和红色，进而混合形成高质量的白光，从而在屏幕上显示最宽广色域的颜色，有利于提高显示面板333的显示品质。
本实施例的芯片000的芯片主体10包括凹槽10K，至少部分色彩转换部60内嵌于芯片主体10的凹槽10K内，色彩转换部60可以内嵌锚固在芯片主体10的第二侧10B的凹槽10K内，色彩转换部60固化后非常稳定，不易被湿法工艺剥离，进而可以保证后续制程工艺中湿法工艺的稳定进行，避免出现色彩转换部60在后续制程中容易脱落的问题，有利于提高制程效率和产品良率。
请结合参考图8、图9、图13、图14，图13是本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程框图，图14是本发明实施例提供的显示面板的制作方法所需的转移头的结构示意图，本实施例提供的显示面板的制作方法，用于制作上述实施例中的显示面板333，制作方法包括：
J10：提供上述图8和图9实施例所示的转移基板222；
J11：提供转移头444，如图14所示，转移头444包括第三衬底801和位于第三衬底801一侧的多个转移印章802，转移印章802与芯片主体10相对应，转移印章802朝向芯片主体10的凹槽10K；如图15所示，图15是图13中转移基板上的芯片被拾取前的结构示意图；可以理解的是，图15中以及后续附图中的箭头可以理解为制程工艺中需要下压或者上升的方向；
J12：以第一温度加热转移印章802，部分转移印章802软化流平进入转移基板222上的凹槽10K内；可选的，转移头444拾取转移基板222上的芯片000时，可以选取部分数量的芯片000进行拾取，即可以设置需要拾取的位置的转移印章802的温度比未拾取位置处的转移印章802的温度高，温度高的位置处的转移印章802软化流平进入芯片000的凹槽10K内；如图16所示，图16是图13中转移基板上的芯片与转移头接触时的结构示意图，其中部分数量的转移印章802加热至第一温度，其余不需拾取的位置不加热即可，第一温度可以理解为转移印章802材料软化的温度。可以理解的是，本实施例中的选取部分数量的转移印章802进行加热可以通过掩膜区域热传导的方式或者激光单点加热的方式实现选择性加热，本实施例对此不作限定，具体实施时，可根据实际需求选择。
J13：降温至第二温度，凹槽10K内的部分转移印章802固化，芯片000被转移头444拾取，第一电极201和第二电极202均与缓冲胶层402分离；如图17所示，图17是图13中转移基板上的部分芯片被拾取的结构示意图，需要拾取的芯片000中部分转移印章802软化流平进入转移基板222上的凹槽10K内后，降低转移头444的温度至第二温度，第二温度可以理解为转移印章802材料固化的温度。
J14：提供显示基板50，显示基板50包括多个显示单元50A，显示单元50A包括第一键合电极501和多个第二键合电极502；
J15：转移头444将拾取到的芯片000转移至显示基板50上；
J16：以第三温度加热显示基板50，第一电极201与第一键合电极501绑定，第二电极202与第二键合电极502绑定；如图18和图19所示，图18是图13中转移头将拾取到的芯片转移至显示基板前的结构示意图，图19是图13中转移头将拾取到的芯片转移至显示基板后的结构示意图，转移头444将拾取到的芯片000转移至显示基板50上各个显示单元50A的对应位置，使得一个芯片000的第一电极201与一个显示单元50A的第一键合电极501绑定，一个芯片000的第二电极202与一个显示单元50A的第二键合电极502绑定，并对显示基板50加热至第三温度，第三温度可以理解为第一键合电极501和第二键合电极502的软化温度，进而可以使得第一电极201与第一键合电极501电连接，第二电极202与第二键合电极502电连接。
J17：以第四温度加热转移印章802，转移印章802软化，转移头444与芯片000分离，如图20所示，图20是图13中转移头与显示基板上的芯片分离后的结构示意图，以第四温度加热转移印章802，第四温度可以是使得转移印章802软化但第一键合电极501和第二键合电极502仍然为固态的温度，进而可以使得嵌合于芯片000凹槽10K内的转移印章802材料软化，转移头444上升与芯片000轻松分离。
本实施例提供的显示面板333的制作方法，制得的显示面板333具有上述实施例中芯片0000的有益效果，制得的显示面板333在显示出光时，芯片000的凹槽10K设计可以打破靠近显示面板333出光面即芯片000出光面的一侧表面的全反射现象，有利于提升显示面板333的整体光取出效率，即可以提高显示面板333的出光效率和显示品质。并且显示面板333包括的芯片000的结构，在芯片主体10的第二侧10B表面开设的凹槽10K是上窄下宽、顶小底大的结构，越靠近芯片主体10的第二侧10B越窄越小，越靠近芯片主体10的第一侧10A越宽越大，在制作显示面板333时，从转移基板222上巨量转移芯片000时，可以采用状态可变的转移印章802从转移基板222上拾取芯片000，状态可变的转移印章802可以理解为一定温度下为软化状态，一定温度下为固化状态，巨量转移时，通过加热至第一温度使得拾取前软化的转移印章802材料填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中，而拾取芯片000时，降温至第二温度，填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中转移印章802材料固化，使得凹槽10K底部10KA与转移印章802的粘附面积更大且粘附范围外扩，有利于提升转移头444与凹槽10K的粘附力，进而能够提升转移头444与芯片000之间的固定拾取效果，尽可能保证芯片000被正常拾取转移，有利于提高采用本实施例制作显示面板333时的转移良率和转移效率，即可以提高显示面板333的制程效率和产品良率。并且在转移完成后还可以通过温度控制降低温度至第四温度，使得填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽10K结构中转移印章802材料软化，实现芯片000与转移头444的轻松分离，有利于进一步降低制作难度，提高制作效率。
可选的，如图8、图9、图14-图20、图21和图22，图21是本发明实施例提供的显示面板的另一种制作方法流程框图，图22是图21中去除凹槽内的部分转移印章的材料后的结构示意图，本实施例提供的制作方法，还可以包括J18：去除凹槽10K内的部分转移印章802的材料，使得凹槽10K暴露。在以第四温度加热转移印章802，使得转移印章802软化但第一键合电极501和第二键合电极502仍然为固态的温度，嵌合于芯片000凹槽10K内的转移印章802材料软化，转移头444上升与芯片000轻松分离后，还可以通过刻蚀工艺去除芯片000的凹槽10K中残留的转移印章802材料，使得凹槽10K暴露，进而可以避免凹槽10K内的转移印章802材料对出光效果产生影响，有利于进一步提高显示品质。
可选的，本实施例中转移印章802的制作材料包括高分子聚合物有机材料。进一步可选的，第三衬底801的材料可以与转移印章802的材料相同，进而可以同步同材料同工艺制作转移头444的第三衬底801和转移印章802。转移印章802的材料选用高分子聚合物有机材料，高分子聚合物有机材料常用于纳米压印工艺中，其在常温状态下是柔性的硬质膜材，硬度在常温下要大于转移基板222上缓冲胶层402的材料硬度，进而在温度降低至第二温度后，芯片000凹槽10K中的部分转移印章802固化，转移头444与芯片000的粘附力可以大于芯片000与缓冲胶层402的粘附力，进而能够提升转移头444与芯片000之间的固定拾取效果，芯片000也可较容易的脱离转移基板222上的缓冲胶层402。而当施加于转移印章802的温度升温至第一温度时，高分子聚合物有机材料的转移印章802会软化流动，进而可以软化填充至凹槽10K内，便于抓取芯片000。本实施例通过采用高分子聚合物有机材料的转移印章802，利用可软化流动的材料以及匹配的凹槽10K结构的芯片000，通过控制温度来实现部分转移印章802材料填充至芯片000的凹槽10K，待温度控制其硬化后即可实现芯片000的巨量转移，有利于增加高分子聚合物有机材料的转移印章802与芯片000之间的抓取作用力，提升转移良率。
可选的，第一温度大于或等于100℃，第二温度小于或等于80℃，第三温度范围为180℃-260℃，第四温度范围为100℃-180℃。本实施例解释说明了高分子聚合物有机材料的软化温度一般为大于或等于100℃，因此设置第一温度大于或等于100℃，可以使得转移头444在拾取芯片000时，可以使得转移印章802在升温至第一温度后，部分转移印章802材料软化流平至凹槽10K内，充满凹槽10K。高分子聚合物有机材料的硬化温度一般为小于或等于80℃，因此设置第二温度小于或等于80℃，可以在部分转移印章802材料软化流平至凹槽10K内，通过降温至第二温度，使得转移头444的转移印章802与芯片000之间产生牢固的粘附力。第一键合电极501和第二键合电极502一般采用导电材料(例如金属材料或半导体氧化物材料等)，采用共晶材料(如焊锡)使得第一电极201与第一键合电极501绑定，第二电极202与第二键合电极502绑定时，键合的温度一般在180℃-260℃之间，因此设置芯片000与显示基板50的键合电极绑定时，可以将显示基板50的键合电极加热至第三温度，第三温度范围为180℃-260℃，可以使得第一电极201与第一键合电极501绑定电连接，第二电极202与第二键合电极502绑定电连接，达到稳固的电连接效果。而在芯片000与转移头444脱离时，需要以第四温度加热转移印章802，转移印章802软化，转移头444与芯片000分离，第四温度范围为100℃-180℃，即第四温度大于100℃(大于转移印章802的软化温度)，小于180℃(小于最小键合温度)，此时芯片000与显示基板50上的键合电极已键合完全，键合力稳固，而高分子聚合物有机材料的转移印章802处于软化状态，分子间力低，易于分离，进而可以使得与显示基板50键合后的芯片000能够与转移头444轻松脱离，提高转移效率。
可选的，如图8-图9、图13-图14和图23，图23是图13中转移基板上的芯片被拾取前的另一种结构示意图，本实施例中，转移印章802的面积S1小于芯片主体10的面积S2。
本实施例解释说明了采用不同温度下状态可变的高分子聚合物有机材料制作转移头444的转移印章802时，可以将转移印章802的面积S1做小，即转移印章802的面积S1小于芯片主体10的面积S2，由于固化的高分子聚合物有机材料填充至凹槽10K内后，使得转移印章802与芯片000之间的作用力增强，因此即使转移印章802与芯片主体10的接触面积较小，如转移印章802的面积S1小于芯片主体10的面积S2，软化的高分子聚合物有机材料的转移印章802填充的凹槽10K数量较少，依然可以满足芯片000与转移印章802之间的粘附作用力大于芯片000与转移基板222上缓冲胶层402的粘附力，因此可以通过将转移印章802的面积S1做小，提高转移头444中转移印章802的排布密度，有利于节省制作成本。
在一些可选实施例中，请结合参考图5、图6、图8、图9、图13-图20、图24，图24是本发明实施例提供的显示面板的另一种制作方法流程框图，本实施例提供的显示面板333的制作方法中，J10：提供上述图8和图9实施例所示的转移基板222的方法，包括：
J101：提供生长基板111，如图5和图6所示，生长基板111包括第一衬底301和第一金属层302，第一金属层302包括多个凸块3021，凸块3021包括第一表面3021A和第二表面3021B，第一表面3021A位于第二表面3021B朝向第一衬底301的一侧，沿平行于第一衬底301所在平面的方向(如图中的第一方向X)，第一表面3021A的宽度W3小于第二表面3021B的宽度W4；生长基板111还包括上述实施例中的芯片000，第一电极201位于芯片主体10远离第一衬底301的一侧；芯片主体10的凹槽10K与凸块3021嵌合，第二表面3021B与凹槽10K的底部10KA接触；
J102：提供第二衬底401，在第二衬底401一侧制作缓冲胶层402；如图25所示，图25是图24中第二衬底一侧制作完缓冲胶层的结构示意图；
J103：将生长基板111设置于缓冲胶层402远离第二衬底401的一侧，且使得第一衬底301位于芯片主体10远离第二衬底401的一侧；如图26所示，图26是图24中缓冲胶层远离第二衬底放置完生长基板后的结构示意图；
J104：剥离第一衬底301，使得芯片主体10与第一衬底301分离，第一电极201和第二电极202与缓冲胶层402贴合固定；如图27所示，图27是图24中芯片从生长基板的第一衬底上分离后与第二衬底上的缓冲胶层贴合后的结构示意图；
J105：去除芯片主体10远离第二衬底401一侧的凸块3021，使得芯片主体10的凹槽10K暴露。如图28所示，图28是图24中形成转移基板后的结构示意图。
本实施例提供了转移基板222的制作方法，可以采用图5和图6实施例中的生长基板111制作，可以先提供图5和图7所示的生长基板111，然后提供第二衬底401，第二衬底401用于后续将生长基板111上的芯片000转移至该第二衬底401上，在第二衬底401一侧制作缓冲胶层402；缓冲胶层402可以为PDMS材料(Polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷材料)，也可以是UV胶(光敏胶)，仅需满足具有一定的粘性，可以使得后续芯片000转移至该缓冲胶层402后第一电极201和第二电极202能与缓冲胶层402粘合。将生长基板111设置于缓冲胶层402远离第二衬底401的一侧，使得生长基板111上包括的第一电极201和第二电极202朝向缓冲胶层402，第一电极201和第二电极202与转移基板222的缓冲胶层402贴合固定，然后采用剥离工艺(如激光剥离技术，LLO，Laser Lift-off)剥离生长基板111的第一衬底301，使得生长基板111的芯片主体10与第一衬底301分离。分离后的芯片主体10的凹槽10K内还包括金属凸块3021，此时，可以通过去除工艺去除芯片主体10远离第二衬底401一侧的凸块3021，使得芯片主体10的凹槽10K暴露，进而完成转移基板222的制作。
本实施例中制作完的转移基板222可以使得生长基板111上芯片000的第一电极201和第二电极202翻转到朝向第二衬底401的一侧，使得第一电极201和第二电极202均与第二衬底401上的缓冲胶层402贴合，芯片主体10位于第一电极201和第二电极202的上方，如此后续通过转移头转移该转移基板222上的芯片000时，可以使得第一电极201和第二电极202直接与显示基板50上的键合电极键合固定。
在一些可选实施例中，请结合参考图5、图6、图8、图9、图13-图20、图29，图29是本发明实施例提供的显示面板的另一种制作方法流程框图，本实施例提供的显示面板333的制作方法中，J101：提供图5和图6所示实施例的生长基板111的方法，包括：
J1011：提供第一衬底301；
J1012：在第一衬底301一侧形成第一金属层302，图案化第一金属层302，形成多个凸块3021，使得凸块3021包括第一表面3021A和第二表面3021B，第一表面3021A位于第二表面3021B靠近第一衬底301的一侧，沿平行于第一衬底301所在平面的方向，第一表面3021A的宽度W3小于第二表面3021B的宽度W4；如图30所示，图30是图29中在第一衬底一侧形成多个凸块的结构示意图；
J1013：在凸块3021远离第一衬底301的一侧依次生长芯片膜层，使得芯片膜层朝向第一衬底301的一侧覆盖多个凸块3021；如图31所示，图31是图29中在第一衬底一侧生长芯片膜层后的结构示意图；
J1014：在芯片膜层远离第一衬底301的一侧形成多个第一电极201和多个第二电极202；如图32所示，图32是图29中在芯片膜层远离第一衬底的一侧形成多个第一电极和多个第二电极后的结构示意图；
J1015：通过刻蚀工艺形成多个独立的芯片单元001，芯片单元001包括芯片主体10、第一电极201和第二电极202，芯片主体10朝向第一衬底301的一侧覆盖多个凸块3021；如图33所示，图33是图29中形成生长基板后的结构示意图。
本实施例提供了生长基板111的制作方法，该制作方法可以形成上述实施例中芯片000结构，可以先在第一衬底301一侧形成第一金属层302，然后通过刻蚀工艺图案化第一金属层302，形成多个凸块3021，使得凸块3021的形状与后续所要制得的芯片000的凹槽10K的形状相匹配，然后在凸块3021远离第一衬底301的一侧依次生长芯片膜层，如依次生长保护层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层等，使得这些芯片膜层朝向第一衬底301的一侧覆盖多个凸块3021，芯片膜层朝向第一衬底301的一侧自然形成与凸块3021形状匹配且嵌合于凸块3021的凹槽10K。然后在芯片膜层远离第一衬底301的一侧形成电极层，并通过图案化工艺形成多个第一电极201和多个第二电极202即可。此时依次生长芯片膜层仍然为一个整体，若需要在第一衬底301一侧形成多个独立的芯片000，还需要通过刻蚀工艺形成多个独立的芯片单元001，该芯片单元001包括芯片000本身以及卡嵌于凹槽10K内的凸块3021。
本实施例中生长基板111的制作方法制得的芯片000，通过金属凸块3021使得芯片000中芯片主体10的第二侧10B表面开设的凹槽10K是上窄下宽、顶小底大的结构，不仅可以提升光提取效率，还可以在后续通过转移头拾取芯片时，使得芯片与转移头的粘附面积更大且粘附范围外扩，有利于提升转移头与芯片的粘附力，进而能够提升转移头与芯片000之间的固定拾取效果，尽可能保证芯片000被正常拾取转移，有利于提高采用本实施例的生长基板111制作显示面板时的转移良率和转移效率。
通过上述实施例可知，本发明提供的芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明的芯片包括芯片主体，芯片主体包括相对的第一侧和第二侧，芯片主体可以理解为芯片的发光主体，芯片主体的第二侧包括多个凹槽，即凹槽位于芯片主体背离第一电极和第二电极的一侧。凹槽的结构可以是上窄下宽、顶小底大的结构，从而可以使得芯片主体的第二侧不仅具有凹槽所在的凹部分，还具有凹槽范围之外的凸部分，使得芯片主体的第二侧具有粗糙表面，在芯片出光时，可以打破靠近芯片出光面的一侧表面的全反射现象，有利于提升芯片的光取出效率，即提高出光效率。并且本发明设置芯片主体的第二侧表面开设的凹槽是上窄下宽、顶小底大的结构，越靠近芯片主体的第二侧越窄越小，越靠近芯片主体的第一侧越宽越大，在后续显示面板制程过程中，巨量转移芯片时，可以采用状态可变的弹性印章转移头拾取芯片，状态可变的弹性印章转移头可以理解为一定温度下为软化状态，一定温度下为固化状态，巨量转移时，通过温度控制使得拾取前软化的弹性印章转移头材料填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽结构中，而拾取芯片时填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽结构中弹性印章转移头材料固化，使得凹槽底部与弹性印章转移头材料的粘附面积更大且粘附范围外扩，有利于提升转移头与凹槽的粘附力，进而能够提升转移头与芯片之间的固定拾取效果，尽可能保证芯片被正常拾取转移，有利于提高采用本发明的芯片制作显示面板时的转移良率和转移效率。并且在转移完成后还可以通过温度控制填充在上窄下宽、顶小底大的凹槽结构中弹性印章转移头材料软化，实现芯片与转移头的分离。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (14)

1.一种芯片，其特征在于，包括：芯片主体，所述芯片主体包括相对的第一侧和第二侧，所述芯片主体的所述第一侧包括第一电极和第二电极；
所述芯片主体的所述第二侧包括多个凹槽，所述凹槽包括底部和顶部，所述底部位于所述顶部靠近所述第一侧的一侧；
沿第一方向，所述顶部的宽度小于所述底部的宽度；其中，所述第一方向与所述第一侧指向所述第二侧的方向相交。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述凹槽至少包括一个侧壁，所述侧壁与所述底部相交形成的夹角为α，其中，α＜90°。
3.一种生长基板，其特征在于，包括：
第一衬底；
第一金属层，所述第一金属层包括多个凸块，所述凸块包括第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述第二表面朝向所述第一衬底的一侧，沿平行于所述第一衬底所在平面的方向，所述第一表面的宽度小于所述第二表面的宽度；
所述生长基板还包括权利要求1-2任一项所述的芯片，所述第一电极位于所述芯片主体远离所述第一衬底的一侧；
所述芯片主体的所述凹槽与所述凸块嵌合，所述第二表面与所述凹槽的所述底部接触。
4.根据权利要求3所述的生长基板，其特征在于，所述第一衬底和所述第一金属层之间还包括缓冲层。
5.一种转移基板，其特征在于，包括：
第二衬底；
缓冲胶层，所述缓冲胶层位于所述第二衬底的一侧；
多个芯片，所述芯片包括芯片主体、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述芯片主体朝向所述第二衬底的一侧，且所述第一电极和所述第二电极均与所述缓冲胶层贴合；所述芯片主体远离所述第二衬底的一侧包括多个凹槽；
所述凹槽包括底部和顶部，所述底部位于所述顶部朝向所述第二衬底的一侧；沿平行于所述第二衬底所在平面的方向，所述顶部的宽度小于所述底部的宽度。
6.一种显示面板，其特征在于，包括显示基板和权利要求1-2任一项所述的芯片；
所述显示基板包括多个显示单元，所述显示单元包括第一键合电极和第二键合电极；
所述第一电极与所述第一键合电极绑定，所述第二电极与所述第二键合电极绑定。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括色彩转换部，所述色彩转换部位于所述芯片远离所述显示基板的一侧，至少部分所述色彩转换部内嵌于所述芯片主体的所述凹槽内。
8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供权利要求5所述的转移基板；
提供转移头，所述转移头包括第三衬底和位于所述第三衬底一侧的多个转移印章，所述转移印章与所述芯片主体相对应，所述转移印章朝向所述芯片主体的所述凹槽；
以第一温度加热所述转移印章，部分所述转移印章软化流平进入所述转移基板上的所述凹槽内；
降温至第二温度，所述凹槽内的部分所述转移印章固化，所述芯片被所述转移头拾取，所述第一电极和所述第二电极均与所述缓冲胶层分离；
提供显示基板，所述显示基板包括多个显示单元，所述显示单元包括第一键合电极和多个第二键合电极；
所述转移头将拾取到的所述芯片转移至所述显示基板上；
以第三温度加热所述显示基板，所述第一电极与所述第一键合电极绑定，所述第二电极与所述第二键合电极绑定；
以第四温度加热所述转移印章，所述转移印章软化，所述转移头与所述芯片分离。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述转移印章的制作材料包括高分子聚合物有机材料。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
提供所述转移基板的方法，包括：
提供生长基板，所述生长基板包括第一衬底和第一金属层，所述第一金属层包括多个凸块，所述凸块包括第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述第二表面朝向所述第一衬底的一侧，沿平行于所述第一衬底所在平面的方向，所述第一表面的宽度小于所述第二表面的宽度；所述生长基板还包括权利要求1-2任一项所述的芯片，所述第一电极位于所述芯片主体远离所述第一衬底的一侧；所述芯片主体的所述凹槽与所述凸块嵌合，所述第二表面与所述凹槽的所述底部接触；
提供第二衬底，在所述第二衬底一侧制作缓冲胶层；
将所述生长基板设置于所述缓冲胶层远离所述第二衬底的一侧，且使得所述第一衬底位于所述芯片主体远离所述第二衬底的一侧；
剥离所述第一衬底，使得所述芯片主体与所述第一衬底分离，所述第一电极和所述第二电极与所述缓冲胶层贴合固定；
去除所述芯片主体远离所述第二衬底一侧的所述凸块，使得所述芯片主体的所述凹槽暴露。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
提供所述生长基板的方法，包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底一侧形成第一金属层，图案化所述第一金属层，形成多个凸块，使得所述凸块包括第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述第二表面靠近所述第一衬底的一侧，沿平行于所述第一衬底所在平面的方向，所述第一表面的宽度小于所述第二表面的宽度；
在所述凸块远离所述第一衬底的一侧依次生长芯片膜层，使得所述芯片膜层朝向所述第一衬底的一侧覆盖多个所述凸块；
在所述芯片膜层远离所述第一衬底的一侧形成多个第一电极和多个第二电极；
通过刻蚀工艺形成多个独立的芯片单元，所述芯片单元包括芯片主体、第一电极和第二电极，所述芯片主体朝向所述第一衬底的一侧覆盖多个所述凸块。
12.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，
所述第一温度大于或等于100℃，所述第二温度小于或等于80℃，所述第三温度范围为180℃-260℃，所述第四温度范围为100℃-180℃。
13.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：去除所述凹槽内的部分所述转移印章的材料，使得所述凹槽暴露。
14.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述转移印章的面积小于所述芯片主体的面积。
CN202310698788.7A 2023-06-13 2023-06-13 芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法 Pending CN116682841A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310698788.7A CN116682841A (zh) 2023-06-13 2023-06-13 芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310698788.7A CN116682841A (zh) 2023-06-13 2023-06-13 芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116682841A true CN116682841A (zh) 2023-09-01

Family

ID=87790588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310698788.7A Pending CN116682841A (zh) 2023-06-13 2023-06-13 芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116682841A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9633982B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device array
CN102593316B (zh) 晶片级发光装置封装件及其制造方法
CN102804419B (zh) 用于发光器件的载体
CN102194985B (zh) 晶圆级封装之方法
KR101367545B1 (ko) 절연성 결합 매체를 이용하는 전기 전도적 결합
EP2168178B1 (en) Substrate removal during led formation
CN112967984B (zh) 微芯片的巨量转移方法及显示背板
CN110190014B (zh) 一种Micro-LED的转移方法
CN103190204A (zh) 具有无引线接合管芯的柔性led器件
CN105359283A (zh) 具有柱的微型发光二极管器件
CN115084337B (zh) 一种微型发光二极管芯片的巨量转移方法
US9917333B2 (en) Lithium ion battery, integrated circuit and method of manufacturing a lithium ion battery
CN112864287B (zh) 转移方法、微型器件阵列及其制备方法
CN114899204B (zh) 微型led器件制备方法、微型led器件以及显示装置
CN112768370B (zh) 微元件的转移方法及转移装置
CN112652617A (zh) 一种Micro-LED新型显示器件的制备方法
WO2012106224A1 (en) Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same
EP3491678B1 (en) Light emitting device package with reflective side coating
CN116632125A (zh) 用于微型发光二极管巨量转移的流体组装载体衬底系统
CN116682841A (zh) 芯片、生长基板、转移基板、显示面板及其制作方法
CN109461755B (zh) 软性基板及线路结构及其制造方法
WO2021098094A1 (zh) Micro-led显示器件的制作方法
US20230154903A1 (en) Light-emitting diode (led) chip assembly and prepraing method thereof, and preparing method of display panel
TWI804898B (zh) 發光陣列
US20230031398A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination