CN116679497A - 一种阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底基板、屏蔽信号线和至少一个第一转接部。衬底基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域；屏蔽信号线位于衬底基板的一侧，且位于周边区域内，围绕显示区域设置。屏蔽信号线面向显示区域的一侧包括至少一个避让槽。第一转接部与屏蔽信号线位于同一层，且位于避让槽中。第一转接部用于将位于屏蔽信号线背离显示区域一侧的栅极驱动电路与位于显示区域内的栅线电连接。本发明公开的阵列基板可以避免液晶显示面板边缘漏光或闪烁的问题。

Description

一种阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
液晶显示(Lequid Crystal Display，简称LCD)装置的阵列基板在制作时，通常在显示区域的四周设置环绕显示区域的屏蔽电极，用于屏蔽外界电场，避免外界电场的影响产生边缘漏光等画质问题。目前一些产品中，将用于向屏蔽电极提供屏蔽信号的屏蔽信号线设置设在栅极驱动电路和栅线之间，且与栅线位于同一膜层，栅极驱动电路需要通过与源漏金属层的线路连接以跨越屏蔽信号线，然后对屏蔽信号线与显示区域之间的膜层打孔以进行源漏金属层的线路与栅线的连接，从而完成栅极驱动电路与栅线的连接。采用该方案制作的产品在长时间使用后仍然存在边缘漏光或者闪烁的问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，用以解决液晶显示面板边缘漏光的问题。
本发明的第一方面，提供一种阵列基板，包括：
衬底基板；衬底基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域；
屏蔽信号线，位于衬底基板的一侧；屏蔽信号线位于周边区域内，且围绕显示区域设置；屏蔽信号线面向显示区域的一侧包括至少一个避让槽；
至少一个第一转接部，与屏蔽信号线位于同一层，且位于避让槽中；第一转接部用于将位于屏蔽信号线背离显示区域一侧的栅极驱动电路与位于显示区域内的栅线电连接。
在一些实施例中，屏蔽信号线包括多个避让槽，且相邻避让槽之间相距设定距离；其中一个避让槽与一个第一转接部相对应；各第一转接部位于对应的避让槽中。
在一些实施例中，阵列基板还包括：第二转接部，位于屏蔽信号线背离衬底基板的一侧；第二转接部的一端与第一转接部电连接，另一端与栅极驱动电路电连接。
在一些实施例中，第二转接部在衬底基板上的正投影与屏蔽信号线在衬底基板上的正投影至少部分交叠。
在一些实施例中，阵列基板还包括：第三转接部，位于第一转接部和第二转接部背离衬底基板的一侧；第三转接部用于电连接第一转接部和第二转接部。
在一些实施例中，阵列基板还包括：屏蔽电极，位于屏蔽信号线背离衬底基板的一侧；屏蔽电极在衬底基板上的正投影位于周边区域内，且屏蔽电极在衬底基板上的正投影的面积大于屏蔽信号线在衬底基板上的正投影的面积；屏蔽电极与屏蔽信号线电连接；
屏蔽电极与第三转接部位于同一层；屏蔽电极包括多个开口，第三转接部位于开口中，且第三转接部与屏蔽电极间隔设置。
在一些实施例中，阵列基板还包括：
第一导电层，位于衬底基板的一侧；第一导电层包括屏蔽信号线、第一转接部和栅线；
第一绝缘层，位于第一导电层背离衬底基板的一侧；
第二导电层，位于第一绝缘层背离第一导电层的一侧；第二导电层包括第二转接部；
第二绝缘层，位于第二导电层背离第一绝缘层的一侧；
第三导电层，位于第二绝缘层背离第二导电层的一侧；第三导电层包括第三转接部和屏蔽电极；第三转接部通过贯穿第二绝缘层和第一绝缘层的第一过孔与第一转接部电连接，以及通过贯穿第二绝缘层的第二过孔与第二转接部电连接；屏蔽电极通过贯穿第二绝缘层和第一绝缘层的第三过孔与屏蔽信号线电连接。
在一些实施例中，第二导电层还包括与栅线交叉设置的数据线；栅线和数据线均由显示区域延伸至周边区域；
屏蔽信号线包括平行于栅线的第一部分和平行于数据线的第二部分；避让槽设置在第二部分上。
本发明的第二方面，还提供一种显示面板，包括上述任一项的阵列基板，与阵列基板相对设置的对向基板以及位于阵列基板与对向基板之间的液晶层。
本发明的第三方面，还提供一种显示装置，包括上述任一项的显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底基板、屏蔽信号线和至少一个第一转接部。衬底基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域；屏蔽信号线位于衬底基板的一侧，且位于周边区域内，围绕显示区域设置。屏蔽信号线面向显示区域的一侧包括至少一个避让槽。第一转接部与屏蔽信号线位于同一层，且位于避让槽中。第一转接部用于将位于屏蔽信号线背离显示区域一侧的栅极驱动电路与位于显示区域内的栅线电连接。
本发明提供的阵列基板，在屏蔽信号线上设置避让槽，并将第一转接部设置在避让槽之内，相较于相关技术中的设置方式，在不改变显示区域和周边区域的面积，以及不改变屏蔽信号线的设置位置的条件下，可以将第一转接部与显示区域之间的距离由20μm～30μm提升至30μm～60μm，可以避免显示过程中负压过孔与显示区域之间的距离过近，而导致的边缘漏光或闪烁的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中阵列基板的俯视结构示意图；
图2为相关技术中阵列基板的俯视结构局部放大示意图；
图3为相关技术中阵列基板的剖视图示意图之一；
图4为相关技术中的阵列基板的剖视示意图之二；
图5为相关技术中的驱动信号时序图；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构局部放大示意图之一；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构局部放大示意图之二；
图8为本发明实施例提供的阵列基板的剖面示意图之一；
图9为本发明实施例提供的阵列基板的剖面示意图之二；
图10为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
图1为相关技术中阵列基板的俯视结构示意图；图2为相关技术中阵列基板的俯视结构局部放大示意图；图3为相关技术中阵列基板的剖视图示意图之一；图4为相关技术中的阵列基板的剖视示意图之二。
液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和对向基板，以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶层。相关技术中，如图1所示，阵列基板包括显示区域S1和围绕显示区域S1的周边区域S2，为避免外界电场对显示区域S1的信号产生影响，在周边区域S2内设置有围绕显示区域S1一圈的屏蔽电极12，屏蔽电极12通过屏蔽信号线11输入屏蔽信号，以起到屏蔽外界电场的作用。
图2为图1中A区域的放大示意图，图3为图2中沿剖面线B-B的剖视图，图4为图2中沿剖面线C-C的剖视图。如图2和图3所示，屏蔽电极12位于屏蔽信号线11背离衬底基板18的一侧，屏蔽电极12与屏蔽信号线11之间设置有绝缘层，屏蔽电极12与屏蔽信号线11通过贯穿绝缘层的过孔连接。
相关技术中，如图2所示，屏蔽信号线11设置在栅极驱动电路13与显示区域S1内的栅线17之间。其中栅极驱动电路13用于向栅线17输入栅极驱动信号，以驱动显示区域S1内各像素单元的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)导通或者关断，具体实施时，栅极驱动电路13可以为多个GOA(Gate On Array，简称GOA)单元构成的GOA电路，在此不做限定。具体实施时，由于屏蔽信号线11与栅线17通常设置在同一膜层，如图4所示，在进行栅极驱动电路与栅线之间的连接时，需要将栅极驱动电路连接至源漏金属层(通常包括薄膜晶体管的源极和漏极)的线路，利用源漏金属层的线路走线跨过屏蔽信号线11。由于源漏金属层与栅线位于不同的膜层中，栅线通常位于衬底基板18与第一绝缘层19之间，源漏金属层通常位于第一绝缘层19与第二绝缘层20之间，相关技术中通过开设贯穿第二绝缘层20和第一绝缘层19的第一过孔以暴露第一连接部14，其中第一连接部14与栅线位于同一膜层，且与栅线电连接，并开设贯穿第二绝缘层20的第二过孔以暴露第二连接部15，其中第二连接部15位于源漏金属层，且与栅极驱动电路电连接，然后通过覆盖第一过孔和第二过孔的第三连接部16进行第一连接部14和第二连接部15之间的连接，从而完成栅极驱动电路与栅线之间的连接。
图5为相关技术中的驱动信号时序图。
在环境信耐性测试(Reliability Test)过程中，采用上述方案制作的试验产品在长时间使用后仍然存在边缘漏光或者闪烁的问题。如图5所示，本发明研究人员进一步研究发现，以120Hz刷新率为例，一帧画面的显示时长T约为8.3ms，在一帧画面的显示周期中，栅极驱动信号(Gout)为高电压信号vgh(电压约14V)的时长t约为23μs，高电压信号vgh的保持时间仅占一帧画面时长的0.72％，栅极驱动信号(Gout)为低电压信号vgl(电压约-14V)的时间约占一帧画面时长的99.73％，屏蔽信号线的电压Vcom保持在-0.2V左右，因而在显示过程中，栅极驱动信号长期保持为低电压信号，第一过孔和第二过孔可视为负压过孔。由于显示过程中第一过孔和第二过孔长时间处于负压状态，容易导致显示面板周边胶框和液晶分子中的污染物向过孔所在的位置移动聚集，导致液晶取向膜的高电压保持率(VHR)和锚定能力发生变化，而由于显示装置的边框宽度限制，目前第一转接部和第二转接部距离显示区域S1的设计距离约为20μm～30μm，当污染物过度积累后，容易影响到显示面板边缘像素的正常显示，从而导致边缘漏光或者闪烁。
有鉴于此，本发明实例的第一方面，提供一种阵列基板，用于解决上述问题。
图6为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构局部放大示意图之一。
本发明实施例中，如图6所示，阵列基板包括衬底基板18、屏蔽信号线11和至少一个第一转接部14。
衬底基板18位于阵列基板的底部，具有支撑和承载的作用。衬底基板18的形状可以为矩形、方形等常规形状，应用于异形显示时，衬底基板18也可以为异形形状，在此不做限定。衬底基板18的材料可采用光学玻璃、光学树脂等透明材料，在此不做限定。如图1所示，衬底基板18的形状和尺寸与阵列基板的形状和尺寸相同，衬底基板18包括显示区域S1和围绕显示区域S1的周边区域S2。
屏蔽信号线11，位于衬底基板18的一侧。如图1所示，屏蔽信号线11位于周边区域S2内，且围绕显示区域S1设置。如图6所示，屏蔽信号线11面向显示区域S1的一侧包括至少一个避让槽H。
至少一个第一转接部14。第一转接部14与屏蔽信号线11位于同一层，且位于避让槽H中。第一转接部14用于将位于屏蔽信号线11背离显示区域S1一侧的栅极驱动电路与位于显示区域S1内的栅线17电连接。
在本发明实施例中，在屏蔽信号线11上设置避让槽H，并将第一转接部14设置在避让槽H之内，相较于相关技术中的设置方式，在不改变显示区域S1和周边区域S2的面积，以及不改变屏蔽信号线11的设置位置的条件下，可以将第一转接部14与显示区域S1之间的距离由20μm～30μm，提升至30μm～60μm，可以避免显示过程中负压过孔与显示区域之间的距离过近，而导致的边缘漏光或闪烁的问题。并且本发明实施例提供的阵列基板在制作时可以沿用现有工艺，制作屏蔽信号线11的同时可以通过刻蚀直接形成避让槽H，避免造成制作难度增加和成本提升的问题，确保工艺稳定性。
在一些实施例中，如图6所示，屏蔽信号线11包括多个避让槽H，且相邻两个避让槽H相距设定距离。其中，一个避让槽H与一个第一连接部14相对应，各第一连接部14位于对应的避让槽H中。由于各第一连接部14之间通常相距一定的距离，通过在屏蔽信号线11上开设多个相互间隔的避让槽H，各避让槽H的尺寸略大于第一连接部14以容置各第一连接部14，可以避免对屏蔽信号线11进行大面积的开槽，可以确保屏蔽信号线11的走线面积，降低屏蔽信号线11的内阻，确保信号传输效率。
在一些实施例中，屏蔽信号线11上的一个避让槽H的尺寸也可以远大于一个第一连接部14的尺寸，以使一个避让槽H内可以容置多个第一连接部14，从而减少避让槽H的数量，在此不做限定。
图7为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构局部放大示意图之二。
在一些实施例中，如图7所示，阵列基板还包括第二转接部15。第二转接部15位于屏蔽信号线11背离衬底基板18的一侧。其中，第二转接部15的一端与第一转接部14电连接，另一端与栅极驱动电路13电连接，从而实现栅线17与栅极驱动电路13之间的连接。如图7所示，一个第二连接部15与一个第一连接部14相对应，第二连接部15位于对应的第一连接部14背离显示区域S1的一侧，且与其对应的第一连接部14电连接。
在一些实施例中，如图7所示，阵列基板还包括：第三转接部16。第三转接部16位于第一转接部14和第二转接部15背离衬底基板18的一侧，其中，第一转接部14和第二转接部15通过第三转接部16电连接。具体实施时，如图7所示，一个第三转接部16与一个第一转接部14相对应，第一转接部14在衬底基板18上的正投影以及该第一转接部14对应的第二转接部15在衬底基板18上的正投影，均位于该第一转接部对应的第三转接部16在衬底基板18上的正投影之内。
在一些实施例中，如图7所示，第二转接部15在衬底基板18上的正投影与屏蔽信号线11在衬底基板18上的正投影至少部分重交叠，以减小第二转接部15与第一转接部14之前的间距，从而可以减小第三转接部16的尺寸。具体实施时，第二转接部15也可以位于屏蔽信号线11背离显示区域S1的一侧，从而使第二转接部15在衬底基板18上的正投影与屏蔽信号线11在衬底基板18上的正投影不交叠，在此不做限定。
在一些实施例中，如图7所示，阵列基板还包括屏蔽电极12。屏蔽电极12位于屏蔽信号线11背离衬底基板18的一侧。屏蔽电极12在衬底基板18上的正投影位于周边区域S2内，且屏蔽电极12在衬底基板18上的正投影的面积大于屏蔽信号线11在衬底基板18上的正投影的面积。屏蔽信号线11与屏蔽电极12电连接，从而通过屏蔽信号线11向屏蔽电极12输入屏蔽信号以屏蔽外界电场。本发明实施例中，屏蔽电极12在衬底基板18上的正投影的面积大于屏蔽信号线11在衬底基板18上的正投影的面积，屏蔽电极12的面积更大，相较于只设置屏蔽信号线11具有更好的电场屏蔽效果。具体实施时，屏蔽电极12在衬底基板18上的正投影可以覆盖整个周边区域S2，在此不做限定。
在一些实施例中，屏蔽电极12与第三转接部16位于同一层。屏蔽电极12包括多个开口K，第三转接部16位于开口K中，且第三转接部16与屏蔽电极12间隔设置。具体实施时，通过设置第二转接部15在衬底基板18上的正投影与屏蔽信号线11在衬底基板18上的正投影至少部分重交叠，以减小第二转接部15与第一转接部14之前的间距，从而可以减小第三转接部16的尺寸，进而小开口K的尺寸，确保屏蔽电极16的覆盖面积，提高电场屏蔽的效果。
图8为本发明实施例提供的阵列基板的剖面示意图之一；图9为本发明实施例提供的阵列基板的剖面示意图之二。
具体实施时，如图8所示，本发明实施例提供的阵列基板包括：第一导电层21、第一绝缘层19、第二导电层22、第二绝缘层20和第三导电层23。
第一导电层21位于衬底基板18的一侧。第一导电层21包括屏蔽信号线11、第一连接部14和栅线17。具体实施时，第一导电层21还可以包括位于显示区域S1内，且与栅线连接的薄膜晶体管的栅极，在此不做限定。第一导电层可以采用金属等导电材料进行制作，在此不做限定。
第一绝缘层19位于第一导电层31背离衬底基板18的一侧，用于对第一导电层21进行绝缘保护。第一绝缘层19可以采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及绝缘树脂等绝缘材料制作，在此不做限定。具体实施时，第一绝缘层19可以为单层结构，也可以为多个膜层的复合结构，在此不做限定。
第二导电层22位于第一绝缘层19背离第一导电层21的一侧。第二导电层包括第二转接部15。具体实施时，第二导电层22还可以包括用于连接第二转接部15和栅极驱动电路，并用于向第二转接部15输出栅极驱动信号的栅极驱动电路输出信号线24，以及位于显示区域S1内的薄膜晶体管的源电极和漏电极等，在此不做限定。第一导电层可以采用金属等导电材料进行制作，在此不做限定。
第二绝缘层20位于第二导电层22背离第一绝缘层19的一侧，用于对第二导电层22进行绝缘保护。第一绝缘层19可以采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及绝缘树脂等绝缘材料制作，在此不做限定。具体实施时，第一绝缘层19可以为单层结构，也可以为多个膜层的复合结构，在此不做限定。
第三导电层23，位于第二绝缘层20背离第二导电层22的一侧。第三导电层23包括第三连接部16和屏蔽电极12。如图8所示，第三连接部16通过贯穿第二绝缘层20和第一绝缘层19的第一过孔H1与第一连接部14电连接，以及通过贯穿第二绝缘层20的第二过孔H2与第二连接部15电连接。如图9所示，屏蔽电极12通过贯穿第二绝缘层20和第一绝缘层19的第三过孔H3与屏蔽信号线11电连接。其中，第一过孔H1在衬底基板1上的正投影、第二过孔H2在衬底基板1上的正投影与第三过孔H3在衬底基板1上的正投影之间均互不交叠。
在一些实施例中，阵列基板还包括与栅线17交叉设置的数据线25。具体实施时，栅线17与数据线25可以相互垂直，在此不做限定。其中数据线25与像素电路的薄膜晶体管中的源电极连接，用于向像素电路输入显示数据信号。如图6和图7所示，栅线17和数据线25均由显示区域S1延伸至周边区域S2，并分别连接至栅极驱动电路和显示驱动电路。
具体实施时，如图1、图6和图7所示，屏蔽信号线11包括平行于栅线17的第一部分(图中未示出)和平行于数据线25的第二部分112，避让槽H设置在屏蔽信号线11的第二部分112上。
图10为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
本发明实施例的第二方面，提供一种显示面板。
显示面板可以为液晶显示面板，显示面板包括上述任一实施例提供的阵列基板1，与阵列基板1相对设置的对向基板2以及位于阵列基板1和对向基板2之间的液晶层。具体实施时，显示面板也可以为其他类型的显示面板，在此不做限定。
本发明实施例提供的显示面板包括上述任一实施例提供的阵列基板，在具体实施时具有上述任一实施例的阵列基板相同的技术效果，在此不做赘述。
本发明实施例的第三方面，提供一种显示装置。本发明实施例提供的显示装置包括上述任一实施例提供的显示面板，在具体实施时具有上述任一实施例的显示面板相同的技术效果，在此不做赘述。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；
屏蔽信号线，位于所述衬底基板的一侧；所述屏蔽信号线位于所述周边区域内，且围绕所述显示区域设置；所述屏蔽信号线面向所述显示区域的一侧包括至少一个避让槽；
至少一个第一转接部，与所述屏蔽信号线位于同一层，且位于所述避让槽中；所述第一转接部用于将位于所述屏蔽信号线背离所述显示区域一侧的栅极驱动电路与位于所述显示区域内的栅线电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽信号线包括多个所述避让槽，且相邻所述避让槽之间相距设定距离；其中一个所述避让槽与一个所述第一转接部相对应；各所述第一转接部位于对应的所述避让槽中。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第二转接部，位于所述屏蔽信号线背离所述衬底基板的一侧；所述第二转接部的一端与所述第一转接部电连接，另一端与所述栅极驱动电路电连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二转接部在所述衬底基板上的正投影与所述屏蔽信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第三转接部，位于所述第一转接部和所述第二转接部背离所述衬底基板的一侧；所述第三转接部用于电连接所述第一转接部和所述第二转接部。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
屏蔽电极，位于所述屏蔽信号线背离所述衬底基板的一侧；所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域内，且所述屏蔽电极在所述衬底基板上的正投影的面积大于所述屏蔽信号线在所述衬底基板上的正投影的面积；所述屏蔽电极与所述屏蔽信号线电连接；
所述屏蔽电极与所述第三转接部位于同一层；所述屏蔽电极包括多个开口，所述第三转接部位于所述开口中，且所述第三转接部与所述屏蔽电极间隔设置。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第一导电层，位于所述衬底基板的一侧；所述第一导电层包括所述屏蔽信号线、所述第一转接部和所述栅线；
第一绝缘层，位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧；
第二导电层，位于所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧；所述第二导电层包括所述第二转接部；
第二绝缘层，位于所述第二导电层背离所述第一绝缘层的一侧；
第三导电层，位于所述第二绝缘层背离所述第二导电层的一侧；所述第三导电层包括所述第三转接部和所述屏蔽电极；所述第三转接部通过贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一转接部电连接，以及通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述第二转接部电连接；所述屏蔽电极通过贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第三过孔与所述屏蔽信号线电连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括与所述栅线交叉设置的数据线；所述栅线和所述数据线均由所述显示区域延伸至所述周边区域；
所述屏蔽信号线包括平行于所述栅线的第一部分和平行于所述数据线的第二部分；所述避让槽设置在所述第二部分上。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的对向基板以及位于所述阵列基板与所述对向基板之间的液晶层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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