CN116657097A - 一种可见至中红外超宽带吸收体及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光学技术领域，更具体地，涉及一种可见至中红外超宽带吸收体及其制备方法，方法包括如下步骤：在聚酰亚胺衬底上将聚苯乙烯微球自组装形成单层六角密排结构衬底，然后通过离子刻蚀形成纳米锥阵列衬底；向镀膜室中放入铜基材并通入氩气，溅射制备得到反射层；在镀膜室中放入锆基材并通入氩、氧，溅射制备得到第一金属吸收膜层；继续通入氩、氧，溅射制备得到第二金属吸收膜层；再通入氩、氧，溅射制备得到第三金属吸收膜层；向镀膜室中放入氧化铝基材，后通入氩气，溅射制备得到介质增透层，形成吸收体。本发明在可见光和近红外区域均能够具有极高的吸收率，且具有良好的角度容差以及偏振不敏感性，还具有抗弯性和耐热性。
Description
技术领域
本发明涉及光学技术领域，更具体地，涉及一种可见至中红外超宽带吸收体及其制备方法，
背景技术
在可见光和红外波段内具有高效吸收性能的超材料吸收体越来越受到人们的关注，其在太阳能收集系统、热发射器、红外成像、传感器和光电探测器等方面均有广泛的应用。而吸收体的吸收率是其中的关键参数，如何设计结构并提高吸收体在所需波段的吸收率是研究的重点。传统的吸收薄膜根据吸收原理的不同分为四类，分别是多层光学干涉膜、金属陶瓷膜、多层渐变膜、半导体-金属串列膜，在垂直方向上普遍具有较高的吸收率，制备方法相对而言较简单、易产业化，但其中也存在一些问题：如吸收波段较窄、制备工艺重复性差、耐候性差，有些吸收体的吸收波段依赖于所用材料，难以再提升其性能。
近些年来，随着新的制备技术的出现，生产出一些微纳结构薄膜用于实现宽波段的光谱选择吸收，但是其制备方法多依赖于电子束曝光、聚焦离子束加工等技术，具有成本高昂、耗时长等困难使其难以推广到工业化生产，且现有的这些结构对入射光的倾斜角度非常敏感，对于入射光的条件较为苛刻，适用性较低。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种可见至中红外超宽带吸收体及其制备方法，在可见光和近红外区域均能够具有极高的吸收率，且具有良好的角度容差以及偏振不敏感性，同时还具有良好的抗弯性和耐热性，易于实现工业化生产。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
提供一种可见至中红外超宽带吸收体的制备方法，包括如下步骤：
S1.将聚酰亚胺衬底在乙醇溶液中进行超声清洗；
S2.在完成清洗的聚酰亚胺衬底上将聚苯乙烯微球自组装形成单层六角密排结构衬底，然后通过离子刻蚀在所述单层六角密排结构衬底上形成纳米锥阵列衬底；
S3.向镀膜室中放入铜基材，随后向所述镀膜室中通入氩气，溅射铜靶材进行制备得到反射层；
S4.在所述镀膜室中放入锆基材，随后向所述镀膜室中同时通入氩气和氧气，溅射锆靶材进行制备得到第一金属吸收膜层；
S5.继续向所述镀膜室同时通入氩气和氧气，溅射锆靶材进行制备得到第二金属吸收膜层；所述步骤S5中的溅射功率小于步骤S4中的溅射功率；所述步骤S5中的溅射时间大于步骤S4中的溅射时间；
S6.再向所述镀膜室同时通入氩气和氧气，溅射锆靶材进行制备得到第三金属吸收膜层；所述步骤S6中的溅射功率小于步骤S5中的溅射功率；所述步骤S6中的溅射时间小于步骤S4中的溅射时间；
S7.向所述镀膜室中放入氧化铝基材，随后向所述镀膜室通入氩气，溅射氧化铝靶材进行制备得到介质增透层，形成可见至中红外超宽带吸收体。
进一步地，所述步骤S2具体包括如下步骤：
S21.取等体积的聚苯乙烯微球水溶液与等体积的乙醇溶液进行混合，然后滴在十二烷基硫酸钠溶液的去离子水表面，形成单层六角密排结构；
S22.将所述单层六角密排结构转移至完成清洗的聚酰亚胺衬底上，待干燥后得到单层六角密排结构衬底；
S23.将所述单层六角密排结构衬底放入离子刻蚀机中，随后向离子刻蚀机通入氧气并进行刻蚀，得到所述纳米锥阵列衬底。
进一步地，所述第一金属吸收膜层的金属体积分数和厚度均大于所述第二金属吸收膜层的金属体积分数和厚度，所述第二金属吸收膜层的金属体积分数和厚度均大于所述第三金属吸收膜层的金属体积分数和厚度。
进一步地，还包括步骤S8：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行偏振不敏感性、抗弯性以及耐热性的检测；所述步骤S8包括如下步骤：
S81.偏振不敏感性检测：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行TM偏振光垂直入射，并计算归一化的吸光度；以及对所述可见至中红外超宽带吸收体进行TM偏振光倾斜入射，测量吸收谱；
S82.抗弯性检测：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行多次弯折，然后测量吸收谱；
S83.耐热性检测：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行热退火，然后测量吸收谱。
本发明还提供一种可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，包括由下至上依次设置的纳米锥阵列衬底、反射层、第一金属吸收膜层、第二金属吸收膜层、第三金属吸收膜层、介质增透层，所述第一金属吸收膜层的金属体积分数大于所述第二金属吸收膜层的金属体积分数，所述第二金属吸收膜层的金属体积分数大于所述第三金属吸收膜层的金属体积分数。
优选地，所述第一金属吸收膜层为第一金属陶瓷薄膜层，所述第二金属吸收膜层为第二金属陶瓷薄膜层，所述第三金属吸收膜层为第三金属陶瓷薄膜层。
优选地，所述第一金属陶瓷薄膜层、第二金属陶瓷薄膜层、第三金属陶瓷薄膜层均为Zr-ZrO2金属陶瓷薄膜。
优选地，所述第一金属吸收膜层的厚度大于所述第二金属吸收膜层的厚度，所述第二金属吸收膜层的厚度大于所述第三金属吸收膜层的厚度；其中，所述第一金属吸收膜层的厚度为90～110nm，所述第二金属吸收膜层的厚度为50～60nm，所述第三金属吸收膜层的厚度为36～44nm。
优选地，所述纳米锥阵列衬底为聚酰亚胺纳米锥阵列衬底，所述聚酰亚胺纳米锥阵列衬底的周期为500～1500nm，高度为600～1200nm，底部直径为600～1000nm。
优选地，所述反射层为金属反射层，所述金属反射层的厚度大于等于100nm；所述介质增透层为氧化铝介质增透层，所述氧化铝介质增透层的厚度为63～77nm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供一种可见至中红外超宽带吸收体及其制备方法，自下而上依次设置的纳米锥阵列衬底、反射层、第一金属吸收膜层、第二金属吸收膜层、第三金属吸收膜层、介质增透层，使得该可见至中红外超宽带吸收体在可见光和近红外区域具有极高的吸收率，且具有良好的角度容差以及偏振不敏感性，同时，还具有良好的抗弯性和耐热性。
附图说明
图1为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体的制备方法的流程图；
图2为本发明的制备方法在执行步骤S81的垂直入射时通过仿真计算的归一化吸光度曲线示意图；
图3为本发明的制备方法在执行步骤S81的垂直入射时通过仿真计算的归一化吸收谱曲线示意图；
图4为本发明的制备方法在执行步骤S82的倾斜入射时通过仿真计算的归一化吸收谱曲线示意图；
图5为本发明的制备方法在执行步骤S81的垂直入射时实验测量与仿真计算的吸收谱的比较示意图；
图6为本发明的制备方法在执行步骤S81的倾斜入射时的实验测量吸收谱曲线示意图；
图7为本发明的制备方法在执行步骤S82前后所测吸收谱的比较示意图；
图8为本发明的制备方法在执行步骤S83前后所测吸收谱的比较示意图；
图9为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体的结构示意图；
图10为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体的尺寸示意图；
图11为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体在不同锥形底部直径L下的吸收谱的比较示意图；
图12为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体在不同锥形高度h1下的吸收谱的比较示意图。
图示标记说明如下：
1-纳米锥阵列衬底，2-反射层，3-第一金属吸收膜层，4-第二金属吸收膜层，5-第三金属吸收膜层，6-介质增透层。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
实施例1
如图1至图8所示为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体的制备方法的第一实施例，包括如下步骤：
S1.将聚酰亚胺衬底在乙醇溶液中进行超声清洗；本实施例中，在乙醇溶液中清洗聚酰亚胺衬底15～25min以增强其亲水性。
S2.在完成清洗的聚酰亚胺衬底上将聚苯乙烯微球自组装形成单层六角密排结构衬底，然后通过离子刻蚀在单层六角密排结构衬底上形成纳米锥阵列衬底1；本实施例中步骤S2具体包括如下步骤：
S21.取等体积的聚苯乙烯微球水溶液与等体积的乙醇溶液进行混合，然后滴在十二烷基硫酸钠(SDS)溶液的去离子水表面，微球在空气和溶液的交界面通过自组装形成单层六角密排结构；具体地，十二烷基硫酸钠溶液为固体含量2.5％w/v的十二烷基硫酸钠溶液；
S22.将该单层六角密排结构转移至完成清洗的聚酰亚胺衬底上，待干燥后得到单层六角密排结构衬底；具体地，干燥可通过自然风干、低温烘干等方式进行；
S23.该单层六角密排结构衬底放入离子刻蚀机中，并向离子刻蚀机通入20SCCM流量的氧气进行刻蚀，得到纳米锥阵列衬底1；需要说明的是，在整个刻蚀过程中，维持2Pa工作气压的条件下刻蚀1500s，得到周期为500≤P≤1500nm、高度为600≤h1≤1200nm、底部直径为600≤L≤1000nm的纳米锥阵列衬底1；作为优选，P＝1000nm，L＝800nm，h1＝1000nm。
S3.向镀膜室中放入铜基材，随后向镀膜室中通入100SCCM流量的氩气，溅射铜靶材进行制备得到反射层2；具体地，在步骤S3的溅射过程中，溅射功率为DC150W，时间为100s，制备厚度h2≥100nm，作为优选，制备厚度h2＝100nm，得到铜金属反射层；
S4.在镀膜室中放入锆基材，随后向镀膜室中同时通入100SCCM流量的氩气和9SCCM流量的氧气，溅射锆靶材进行制备得到第一金属吸收膜层3；具体地，在步骤S4的溅射过程中，溅射功率为RF610W，时间为107S，制备厚度为90≤h3≤110nm，作为优选，制备厚度h3＝100nm，得到高金属体积分数(HMVF)的Zr-ZrO2金属陶瓷薄膜；
S5.继续向镀膜室同时通入100SCCM流量的氩气和10SCCM流量的氧气，溅射锆靶材进行制备得到第二金属吸收膜层4；具体地，在步骤S5的溅射过程中，溅射功率为RF600W，时间为170S，制备厚度为50≤h4≤60nm，作为优选，制备厚度h4＝55nm，得到中金属体积分数(MMVF)的Zr-ZrO2金属陶瓷薄膜；
S6.再向镀膜室同时通入100SCCM流量的氩气和10SCCM流量的氧气，溅射锆靶材进行制备得到第三金属吸收膜层5；具体地，在步骤S6的溅射过程中，溅射功率为RF575W，时间为85S，制备厚度为36≤h5≤44nm，作为优选，制备厚度h5＝40nm，得到低金属体积分数(LMVF)的Zr-ZrO2金属陶瓷薄膜；
S7.向镀膜室中放入氧化铝(Al2O3)基材，随后向镀膜室通入100SCCM流量的氩气，溅射氧化铝(Al2O3)靶材进行制备得到介质增透层6，形成可见至中红外超宽带吸收体；具体地，在步骤S7的溅射过程中，溅射功率为RF400W，时间为800s，制备厚度为63≤h6≤77nm，作为优选，制备厚度h6＝70nm，得到Al2O3介质增透层。
需要说明的是，在步骤S3至S7中使用全自动磁控溅射镀膜机完成制备，且在步骤S3至S7中的溅射过程中，本底真空气压控制在5×10-4帕，气压维持在0.5Pa。
通过本实施例的制备方法所制得的可见至中红外超宽带吸收体，包括自下而上依次设置的纳米锥阵列衬底1、反射层2、第一金属吸收膜层3、第二金属吸收膜层4、第三金属吸收膜层5、介质增透层6，且第一金属吸收膜层3的金属体积分数和厚度均大于第二金属吸收膜层4的金属体积分数和厚度，第二金属吸收膜层4的金属体积分数和厚度均大于第三金属吸收膜层5的金属体积分数和厚度；该设置使得吸收体在可见光和近红外区域具有极高的吸收率，且具有良好的角度容差以及偏振不敏感性，同时，由于采用柔性纳米锥阵列衬底1，使得该吸收体还具有良好的抗弯性和耐热性。另外，通过本实施例的制备方法所制得的吸收体利用表面等离子共振和光的干涉效应，能够提高吸收体的吸收率。
通过本实施例的制备方法进行制备得到的吸收体满足在波段300nm-3000nm范围内吸收率大于90％，在优选方案下，即当P＝1000nm、L＝800nm、h1＝1000nm、h2＝100nm、h3＝100nm、h4＝55nm、h5＝40nm、h6＝70nm时，吸收体满足在波段300nm-3000nm范围内吸收率大于98％。
实施例2
本实施例与实施例1类似，所不同之处在于，本实施例中还包括步骤S8：对可见至中红外超宽带吸收体进行偏振不敏感性、抗弯性以及耐热性的检测；本实施例中以P＝1000nm、L＝800nm、h1＝1000nm、h2＝100nm、h3＝100nm、h4＝55nm、h5＝40nm、h6＝70nm的吸收体作为样品进行检测；步骤S8包括如下步骤：
S81.偏振不敏感性检测具体包括如下步骤：
S811.对可见至中红外超宽带吸收体进行TM偏振光垂直入射，并计算归一化的吸光度；在图2中，三条曲线分别对应透射谱、反射谱和吸收谱；如图3所示为通过仿真计算的归一化吸收谱；
S812.对可见至中红外超宽带吸收体进行TM偏振光倾斜入射，测量吸收谱；具体地，在入射角为0～60°、间隔为10°的情况下进行光入射，并进行仿真计算以及实验测量，分别得到如图4和图6所示的吸收谱；从图4可得，在60°入射时，在300～2900nm波段内，吸收体平均吸收率仍大于90％；如图6所示，实验测量的吸收谱，实验结果优于仿真结果，原因是磁控溅射所带来的金属纳米粒子引起的表面等离子体共振效应。
S82.抗弯性检测：对可见至中红外超宽带吸收体进行多次弯折，然后测量吸收谱；具体地，对吸收体样品进行至少100次弯折，吸收谱基本无变化，如图7所示；
S83.耐热性检测：对可见至中红外超宽带吸收体进行热退火，然后测量吸收谱；具体地，对吸收体样品进行至少150℃的热退火实验，在6h内吸收谱基本无变化，如图8所示。
需要说明的是，在步骤S8中，使用分光光度计(lambda950)来测量其光谱，实验结果表明，吸收体在所测波段均保持极高的吸收率。如图5所示，测量波长范围300～3000nm的吸收谱，入射光角度为8°，通过计算吸收率，得到实验测量与仿真计算的比较，实验测量与仿真结果基本一致。
实施例3
如图9至图12所示为本发明一种可见至中红外超宽带吸收体的实施例，包括由下至上依次设置的纳米锥阵列衬底1、反射层2、第一金属吸收膜层3、第二金属吸收膜层4、第三金属吸收膜层5和介质增透层6，第一金属吸收膜层3的金属体积分数大于第二金属吸收膜层4的金属体积分数，第二金属吸收膜层4的金属体积分数大于第三金属吸收膜层5的金属体积分数。
其中，第一金属吸收膜层3为第一金属陶瓷薄膜层，第二金属吸收膜层4为第二金属陶瓷薄膜层，第三金属吸收膜层5为第三金属陶瓷薄膜层。具体地，第一金属陶瓷薄膜层、第二金属陶瓷薄膜层、第三金属陶瓷薄膜层均为Zr-ZrO2金属陶瓷薄膜。本实施例中多层金属陶瓷吸收薄膜膜系，从基底至空气呈折射率渐变分布，能够基于阻抗匹配远离实现高吸收效果。
如图9和图10所示，纳米锥阵列衬底1为聚酰亚胺纳米锥阵列衬底，聚酰亚胺纳米锥阵列衬底的周期为500≤P≤1500nm，高度为600≤h1≤1200nm，底部直径为600≤L≤1000nm；作为优选，P＝1000nm，L＝800nm，h1＝1000nm。需要说明的是，从图11可得，在其他参数不变的情况下，L越大，吸收率越高，但在L取大于800nm以后，吸收率变化不大，因此在制备效率、节省用材以及成本方面考虑，取800nnm作为优选。从图12可得，在其他参数不变的情况下，h1越大，吸收率越高，但在h1取大于1000nm以后，吸收率变化不大，因此在制备效率、节省用材以及成本方面考虑，取1000nnm作为优选。
以及，反射层2为金属反射层，金属反射层的厚度h2≥100nm，作为优选，厚度h2＝100nm；本实施例中金属反射层为铜金属反射层。
还有，第一金属吸收膜层3的厚度大于第二金属吸收膜层4的厚度，第二金属吸收膜层4的厚度大于第三金属吸收膜层5的厚度。其中，第一金属吸收膜层3的厚度为90≤h3≤110nm，作为优选，厚度h3＝100nm；第二金属吸收膜层4的厚度为50≤h4≤60nm，作为优选，厚度h4＝55nm；第三金属吸收膜层5的厚度为36≤h5≤44nm，作为优选，厚度h5＝40nm。
还有，介质增透层6为氧化铝介质增透层，氧化铝介质增透层除了作为减反增透膜层，还起到阻抗匹配的作用；本实施例中氧化铝介质增透层的厚度为63≤h6≤77nm，作为优选，厚度h6＝70nm。
本实施例的一种可见至中红外超宽带吸收体可通过实施例1或2的制备方法进行制备得到。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种可见至中红外超宽带吸收体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.将聚酰亚胺衬底在乙醇溶液中进行超声清洗；
S2.在完成清洗的聚酰亚胺衬底上将聚苯乙烯微球自组装形成单层六角密排结构衬底，然后通过离子刻蚀在所述单层六角密排结构衬底上形成纳米锥阵列衬底(1)；
S3.向镀膜室中放入铜基材，随后向所述镀膜室中通入氩气，溅射铜靶材进行制备得到反射层(2)；
S4.在所述镀膜室中放入锆基材，随后向所述镀膜室中同时通入氩气和氧气，溅射锆靶材进行制备得到第一金属吸收膜层(3)；
S5.继续向所述镀膜室同时通入氩气和氧气，溅射锆靶材进行制备得到第二金属吸收膜层(4)；所述步骤S5中的溅射功率小于步骤S4中的溅射功率；所述步骤S5中的溅射时间大于步骤S4中的溅射时间；
S6.再向所述镀膜室同时通入氩气和氧气，溅射锆靶材进行制备得到第三金属吸收膜层(5)；所述步骤S6中的溅射功率小于步骤S5中的溅射功率；所述步骤S6中的溅射时间小于步骤S4中的溅射时间；
S7.向所述镀膜室中放入氧化铝基材，随后向所述镀膜室通入氩气，溅射氧化铝靶材进行制备得到介质增透层(6)，形成可见至中红外超宽带吸收体。
2.根据权利要求1所述的可见至中红外超宽带吸收体的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括如下步骤：
S21.取等体积的聚苯乙烯微球水溶液与等体积的乙醇溶液进行混合，然后滴在十二烷基硫酸钠溶液的去离子水表面，形成单层六角密排结构；
S22.将所述单层六角密排结构转移至完成清洗的聚酰亚胺衬底上，待干燥后得到单层六角密排结构衬底；
S23.将所述单层六角密排结构衬底放入离子刻蚀机中，随后向离子刻蚀机通入氧气并进行刻蚀，得到所述纳米锥阵列衬底(1)。
3.根据权利要求1所述的可见至中红外超宽带吸收体的制备方法，其特征在于，所述第一金属吸收膜层(3)的金属体积分数和厚度均大于所述第二金属吸收膜层(4)的金属体积分数和厚度，所述第二金属吸收膜层(4)的金属体积分数和厚度均大于所述第三金属吸收膜层(5)的金属体积分数和厚度。
4.根据权利要求1所述的可见至中红外超宽带吸收体的制备方法，其特征在于，还包括步骤S8：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行偏振不敏感性、抗弯性以及耐热性的检测；所述步骤S8包括如下步骤：
S81.偏振不敏感性检测：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行TM偏振光垂直入射，并计算归一化的吸光度；以及对所述可见至中红外超宽带吸收体进行TM偏振光倾斜入射，测量吸收谱；
S82.抗弯性检测：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行多次弯折，然后测量吸收谱；
S83.耐热性检测：对所述可见至中红外超宽带吸收体进行热退火，然后测量吸收谱。
5.一种可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，包括由下至上依次设置的纳米锥阵列衬底(1)、反射层(2)、第一金属吸收膜层(3)、第二金属吸收膜层(4)、第三金属吸收膜层(5)、介质增透层(6)，所述第一金属吸收膜层(3)的金属体积分数大于所述第二金属吸收膜层(4)的金属体积分数，所述第二金属吸收膜层(4)的金属体积分数大于所述第三金属吸收膜层(5)的金属体积分数。
6.根据权利要求5所述的可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，所述第一金属吸收膜层(3)为第一金属陶瓷薄膜层，所述第二金属吸收膜层(4)为第二金属陶瓷薄膜层，所述第三金属吸收膜层(5)为第三金属陶瓷薄膜层。
7.根据权利要求6所述的可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，所述第一金属陶瓷薄膜层、第二金属陶瓷薄膜层、第三金属陶瓷薄膜层均为Zr-ZrO2金属陶瓷薄膜。
8.根据权利要求5至7任一项所述的可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，所述第一金属吸收膜层(3)的厚度大于所述第二金属吸收膜层(4)的厚度，所述第二金属吸收膜层(4)的厚度大于所述第三金属吸收膜层(5)的厚度；其中，所述第一金属吸收膜层(3)的厚度为90～110nm，所述第二金属吸收膜层(4)的厚度为50～60nm，所述第三金属吸收膜层(5)的厚度为36～44nm。
9.根据权利要求5所述的可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，所述纳米锥阵列衬底(1)为聚酰亚胺纳米锥阵列衬底，所述聚酰亚胺纳米锥阵列衬底的周期为500～1500nm，高度为600～1200nm，底部直径为600～1000nm。
10.根据权利要求5所述的可见至中红外超宽带吸收体，其特征在于，所述反射层(2)为金属反射层，所述金属反射层的厚度大于等于100nm；所述介质增透层(6)为氧化铝介质增透层，所述氧化铝介质增透层的厚度为63～77nm。
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