CN116613103A - 弯曲晶片台 - Google Patents

弯曲晶片台 Download PDF

Info

Publication number
CN116613103A
CN116613103A CN202310104200.0A CN202310104200A CN116613103A CN 116613103 A CN116613103 A CN 116613103A CN 202310104200 A CN202310104200 A CN 202310104200A CN 116613103 A CN116613103 A CN 116613103A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor die
target portion
curved housing
motor
die arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310104200.0A
Other languages
English (en)
Inventor
琼普·斯托克曼斯
吉斯·范德费恩
贾斯珀·韦塞林
帕特里克·霍本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nexperia BV
Original Assignee
Nexperia BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nexperia BV filed Critical Nexperia BV
Publication of CN116613103A publication Critical patent/CN116613103A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K41/00—Propulsion systems in which a rigid body is moved along a path due to dynamo-electric interaction between the body and a magnetic field travelling along the path
    • H02K41/02—Linear motors; Sectional motors
    • H02K41/035—DC motors; Unipolar motors
    • H02K41/0352—Unipolar motors
    • H02K41/0354—Lorentz force motors, e.g. voice coil motors
    • H02K41/0356—Lorentz force motors, e.g. voice coil motors moving along a straight path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981—Apparatus chuck
    • H01L2224/75982—Shape
    • H01L2224/75984—Shape of other portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/9511—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies using a rack or rail
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K2201/00—Specific aspects not provided for in the other groups of this subclass relating to the magnetic circuits
    • H02K2201/18—Machines moving with multiple degrees of freedom

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本公开涉及一种装置和晶片台。本公开的方面涉及将半导体管芯从半导体管芯布置转移至靶部的装置。本公开的另外方面涉及在这种装置中使用的晶片台。根据本公开的方面，晶片卡盘包括可以布置有半导体管芯布置的旋转安装的弯曲壳体，并且晶片台还包括使弯曲壳体绕旋转轴线旋转的第一电机。弯曲构造允许提高晶片台的产量。与该晶片台一起使用的膜框架载体包括具有非对称弯曲刚度的环形主体，这允许环形主体弯曲成使得环形主体的安装表面从具有第一形状变为更凹的第二形状，并且防止或限制环形主体弯曲成使得安装表面的形状变得比第一形状更凸。

Description

弯曲晶片台
技术领域
本公开的方面涉及一种将半导体管芯从半导体管芯布置转移至靶部的装置。本公开的另外方面涉及这种装置中使用的晶片台。
背景技术
将半导体管芯从切割半导体晶片转移至靶部的装置在本领域中是已知存。例如，US2017140959A1公开了一种装置，该装置包括：具有晶片卡盘的晶片台，在该晶片卡盘上可以布置有切割半导体晶片；以及具有靶部卡盘的靶部台，在该靶部卡盘上可以布置有靶部。晶片台和靶部台均包括一个或多个电机，以用于改变晶片卡盘上的切割半导体晶片和靶部卡盘上的靶部之间的相互位置。装置还包括针状物形式的释放单元，以用于从切割半导体晶片释放半导体管芯。使用控制器来控制释放单元、晶片台和靶部台。
在已知的系统中，切割半导体晶片被带至例如可以是印刷电路板的靶部附近。当半导体晶片上的半导体管芯与靶部上的预定位置对准时，针状物与半导体管芯对准。然后，针状物将半导体管芯从半导体晶片上压离并且压至靶部上。
上述管芯转移称为直接管芯转移。更特别地，在释放管芯和将管芯置于靶部上的步骤之间，管芯在没有放置或支撑的情况下从切割半导体晶片转移至靶部上。
上述类型装置的重要优点是每单位时间内可以转移的半导体管芯数量。这个时间通常受到相对于靶部定位半导体晶片的步骤的限制。
发明内容
本公开的方面涉及提供一种将半导体管芯从半导体管芯布置转移至靶部的装置，该装置采用半导体管芯布置相对于靶部定位的不同方式。根据本公开的方面，此种不同定位方式可以允许实现减少半导体管芯转移至靶部上的所需时间量。
根据本公开的方面，装置的晶片卡盘包括旋转安装的弯曲壳体，半导体管芯布置可以布置在该旋转安装的弯曲壳体上。此外，晶片台包括使弯曲壳体绕旋转轴线旋转的第一电机。
US 2017140959A1中公开的装置包括使用线性电机的线性XY台，该线性电机配置成沿X方向和Y方向移位半导体晶片。可以通过这种晶片台获得的加速度受到电机拓扑和功率耗散的限制。为了改善这些晶片台的性能(诸如提高定位速度)，有必要移动线圈拓扑。然而，这将带来冷却移动线圈以增加功率耗散能力的相关问题。
根据本公开的方面，使用可以布置有半导体管芯布置的旋转安装的弯曲壳体来减轻线性电机的加速度受限问题。使用第一电机来驱动该壳体，该第一电机是晶片台的一部分并且配置成使弯曲壳体绕旋转轴线旋转。
施加旋转运动的电机提供每单位散热的更大力或扭矩和/或所用磁体的每单位功率和每单位重量的更大力/扭矩。这意味着对于给定的质量和功率水平，该施加旋转运动的电机可以实现的加速度高于线性移动磁体电机的加速度。
装置优选配置成将半导体管芯从半导体管芯布置直接转移至靶部上。释放单元可以配置成将半导体管芯从半导体管芯布置释放，使得该半导体管芯落至靶部上。在此种情况下，在半导体管芯到达靶部上的期望位置时，释放单元不与该半导体管芯接合。在其它实施例中，可以使用辅助单元将释放的半导体管芯引导至靶部。例如，可以使用迸发的压缩空气将释放的半导体管芯推向靶部。在这种情况下，半导体管芯可以克服地球引力朝向靶部位移。
晶片卡盘可以配置成支撑载体，通过该载体承载半导体管芯布置。例如，载体可以是带、膜或箔。此外，载体可以是膜框架载体的一部分。
半导体管芯布置可以包括切割半导体晶片或结构化半导体晶片。结构化半导体晶片可以包括多个半导体管芯，该多个半导体管芯布置成的图案与在切割作为半导体管芯来源的半导体晶片前布置的管芯的图案不同。可替代地，结构化半导体晶片可以包括源自不同半导体晶片的多个半导体管芯。在这种情况下，半导体管芯已经单独置于诸如膜、箔或带等载体上。
旋转轴线优选至少基本平行于靶部卡盘延伸。通过此种方式，如果下一个半导体管芯需要在与前一个半导体管芯相同的位置处释放，则当使弯曲壳体旋转以使该下一个半导体管芯与释放单元对准时，释放单元的位置可以保持恒定。这里，应注意的是，当下一个半导体管芯待释放时，通常移动靶部。此外，旋转轴线可以与弯曲壳体的纵向对称轴线重合。
晶片台还可以包括第二电机以用于平移弯曲壳体，优选沿平行于旋转轴线和/或与旋转轴线重合的方向来回平移弯曲壳体。晶片台还可以包括另一第二电机，以用于在与第二电机施加的方向相比的垂直方向上平移弯曲壳体。例如，第二电机和所述另一第二电机可以配合，以在XY平面中平移弯曲壳体，该XY平面与靶部台的靶部工作台平移的平面相似。
晶片台还可以包括辅助第二电机，以用于在垂直于旋转轴线的方向上平移弯曲壳体，优选沿垂直于靶部卡盘的方向来回平移弯曲壳体。例如，辅助第二电机可以配置成竖直移位弯曲壳体，以确保或维持待释放的半导体管芯与靶部之间的特定竖直分离。如果这种分离过小，则在靶部和/或弯曲壳体的运动期间，靶部和半导体管芯可能接触。如果该分离变得过大，则靶部上的半导体管芯的位置和/或取向的变化可能变得不可接受。
另外或可替代地，装置还可以包括固定框架及第一托架，其中，第二电机和/或辅助第二电机配置成使第一托架相对于固定框架平移，并且其中，第一电机配置成使弯曲壳体相对于第一托架旋转。在此种情况下，弯曲壳体的旋转和平移叠加。在其它实施例中，第二电机和/或辅助电机配置成使弯曲壳体相对于固定框架平移，并且第一电机配置成使弯曲壳体相对于固定框架旋转。在此种情况下，相对于固定框架彼此独立执行旋转和平移。
对于具有第一波长的光，弯曲壳体可以为至少部分半透明的。在此种情况下，释放单元可以包括诸如激光等光源，以用于输出具有所述波长的光束。可以使用诸如光敏粘合剂等光吸收剂将半导体管芯布置附接至带、箔或膜。光吸收剂可以配置成当由具有所述波长的光照射时至少局部释放该光吸收剂与半导体管芯布置的附接。例如，光吸收剂可以配置成通过光烧蚀和/或通过由于光吸收剂吸收光而发生化学反应来至少局部释放该光吸收剂的附接。光源可以配置成照射半导体管芯布置中的给定半导体管芯，该给定半导体管芯与相邻于给定半导体管芯的半导体管芯分离。例如，光源可以配置成一次照射半导体管芯布置中的一个半导体管芯。然而，释放单元可以包括分束器，该分束器配置成从光源接收光束并且将所述接收光束分成多个另外光束，其中，每个另外光束配置成照射相应的给定半导体管芯。
光源可以配置成优选通过基本垂直的方式来朝向弯曲壳体发射光。然后，光源优选布置在弯曲壳体的内部和/或上方或下方。可替代地，光源可以配置成在基本平行于旋转轴线的方向上发射光。在此种情况下，释放单元还可以包括光引导单元。光源可以配置成优选基本平行于旋转轴线来朝向光引导单元发射光，并且光引导单元可以配置成优选通过基本垂直的方式将来自光源的光朝向弯曲壳体引导。在此种情况下，光源可以布置在弯曲壳体的外部和/或旁边。
光引导单元可以包括一个或多个反射镜和/或一个或多个棱镜。此外，光引导单元可以包括一个或多个致动器，该一个或多个致动器优选可以由控制器控制，其中，该一个或多个致动器配置成改变一个或多个反射镜和/或一个或多个棱镜相对于来自光源的入射光的取向，以便将来自光源的光在不同角度下朝向弯曲壳体引导。通过此种方式，即使弯曲壳体不改变该弯曲壳体沿其纵向轴线的位置，也可以改变来自光源的光照射在弯曲壳体上的位置。光引导单元可以例如基于MEMS。例如，基于MEMS的反射镜相对较轻，允许在待转移的相邻管芯之间快速切换。
作为使用光的替代，释放单元可替代地包括诸如针状物等接合元件和致动器，该致动器用于使接合元件与半导体管芯布置接合和脱离，以便从半导体管芯布置释放半导体管芯。接合元件通常布置在弯曲壳体的内部和/或上方或下方。
如上所述，需要改变释放单元从半导体管芯布置释放半导体管芯的位置，以便完全耗尽半导体管芯布置。为此，释放单元可以包括：第二托架，致动器和针状物的组合或光源安装在该第二托架上；以及第三电机，该第三电机使第二托架相对于弯曲壳体移动。在此种情况下，第二托架的运动和弯曲壳体的运动叠加。此外，通常，第三电机仅使第二托架沿和/或平行于弯曲壳体的纵向轴线相对于弯曲壳体位移。可替代地，释放单元可以包括：第二托架，致动器和针状物的组合或光源安装在该第二托架上；以及第三电机，该第三电机使第二托架相对于固定框架移动。因此，在此种情况下，第二托架的运动和弯曲壳体的运动彼此独立。在这两种情况下，第二托架可以配置成在弯曲壳体内部和/或上方或下方平移。此外，当释放单元包括上述光源和光引导单元时，光源可以固定附接至固定框架，并且光引导单元可以安装在第二托架上。
靶部台还可以包括：第四电机和/或第五电机，该第四电机和/或第五电机在优选平行于旋转轴线的平面中平移靶部卡盘；和/或辅助第四电机，该辅助第四电机在垂直于旋转轴线的方向上平移靶部卡盘，优选沿垂直于靶部卡盘的方向来回平移靶部卡盘。第四和/或第五电机可以布置成相对于固定框架平移靶部卡盘。可替代地，两个相互正交方向上的运动可以叠加。例如，第四电机可以使第三托架相对于固定框架位移，并且第五电机可以使靶部卡盘相对于第三托架位移。
弯曲壳体可以设置有联接单元，以用于允许将半导体管芯布置与弯曲壳体联接。例如，弯曲壳体可以设置有多个开口。在此种情况下，装置还可以包括真空单元，以用于产生通过多个开口施加至半导体管芯布置上的吸力。可替代地或另外，弯曲壳体可以设置有机械联接单元，以用于与半导体管芯布置机械联接。半导体管芯布置优选由膜框架载体承载。在此种情况下，机械联接单元优选包括夹持单元，以用于将膜框架载体夹持至弯曲壳体上。
弯曲壳体可以是诸如鼓形等圆柱形壳体或部分圆柱形壳体。例如，壳体可以是1/n的圆柱形壳体。当n＝2时，形状与半圆柱形壳体相对应。当n＝1时，形状与诸如鼓形等圆柱形壳体相对应。然而，本公开的方面同样涉及垂直于旋转轴线和/或纵向轴线的截面不是圆形或部分圆形的弯曲壳体。在这些情况下，优选使弯曲壳体和靶部相互平移，以维持靶部和下一个待释放半导体管芯之间的基本恒定间隔。
布置有管芯布置的弯曲壳体提供了将检查系统安装在释放半导体管芯的位置附近的可能性。例如，装置可以包括第一检查系统，该第一检查系统布置成在将来自半导体管芯布置的半导体管芯置于靶部上之前检查半导体管芯。第一检查系统可以布置成确定半导体管芯布置的半导体管芯的位置和/或取向，其中，控制器配置成根据所确定的位置和/或取向来控制晶片台、靶部台和/或释放单元。当将半导体管芯布置联接至弯曲壳体时，可能例如由于布置有半导体管芯的载体出现折皱或其它变形而使半导体管芯的位置和/或取向发生改变。第一检查系统可以记录半导体管芯的位置和/或取向，优选相对于弯曲壳体和/或相对于半导体管芯的理想位置和/或取向。然后，该记录位置可以用于在释放管芯前执行校正。例如，如果管芯相对于其理想位置沿旋转轴线移动，则在释放单元释放半导体管芯前，弯曲壳体可以在另一方向上执行轻微平移。在这种情况下，释放单元的位置不需要改变。在其它实施例中，在将弯曲壳体保持在相同位置处的同时，靶部与释放单元一起位移。在另一实施例中，释放单元、靶部和弯曲壳体均移动。
第一检查系统可以另外或可替代地布置成确定半导体管芯布置的半导体管芯是否损坏。在此种情况下，如果已经确定所述半导体管芯损坏，则控制器可以配置成控制晶片台、靶部台和/或释放单元，以防止该半导体管芯置于靶部上。通过此种方式，可以跳过损坏的半导体管芯。
装置可以包括第二检查系统，该第二检查系统布置成确定半导体管芯是否已经从半导体管芯布置释放。然后，如果确定所述半导体管芯未释放，则控制器可以配置成控制晶片台、靶部台和/或释放单元，以用于释放所述半导体管芯。通过这种方式，释放单元可以再次尝试释放半导体管芯。
可替代地或另外，装置还可以包括第三检查系统，该三检查系统布置成检查半导体管芯是否已经正确置于靶部上。在此种情况下，控制器可以配置成存储所述半导体管芯的位置和/或所述半导体管芯在靶部上的预定位置。在稍后阶段，可以在此位置处将半导体管芯从靶部移除。
第一、第二和/或第三检查系统可以包括相机，其中，同一相机优选用于第一、第二和第三检查系统中的两个以上。第一、第二和/或第三检查系统的一个或多个相机可以相对于固定框架可移动安装。例如，相机可以配置成沿弯曲壳体的纵向轴线移动。
释放单元可以配置成将半导体管芯从半导体管芯布置释放，其中该半导体管芯布置在相对于固定框架的释放位置处。半导体管芯布置可以包括布置为排和列矩阵的多个半导体管芯，其中，半导体管芯的排至少基本平行于旋转轴线延伸。
靶部可以包括相邻布置的放置位置的排或列，来自半导体管芯布置的相应半导体管芯将置于放置位置处，其中，该相邻布置的放置位置的排或列分别至少基本垂直于或平行于旋转轴线延伸。这种靶部的示例可以是包括多个腔的载带，半导体管芯将布置在该多个腔中。在此种情况下，控制器可以配置成控制晶片台以使弯曲壳体间歇旋转或连续旋转，以用于将半导体管芯布置的相同列中的半导体管芯置于靶部的相应放置位置上，并且在耗尽半导体管芯布置的所述列的待放置管芯后，使弯曲壳体平移移动以移位至半导体管芯布置的相邻列的半导体管芯。此外，控制器可以配置成在弯曲外壳平移移动以移位至半导体管芯布置的相邻列的半导体管芯期间维持相对于固定框架的释放位置。例如，在弯曲壳体旋转和平移的同时，释放单元可以相对于固定框架固定。
除上文以外，靶部可以包括相邻布置的放置位置的多个所述列，在该放置位置处将放置有来自半导体管芯布置的相应半导体管芯。在此种情况下，控制器可以配置成控制晶片台和/或靶部台，以在靶部上的同一列中的所有放置位置已经设置有来自半导体管芯布置的半导体管芯后，引起靶部与弯曲壳体之间的相互平移运动。在此种情况下，控制器可以配置成在靶部与弯曲壳体之间的所述相互平移运动期间维持相对于固定框架的释放位置。可替代地，控制器可以配置成维持靶部上的列在平行于旋转轴线的方向上相对于固定框架的位置，并且在靶部上的同一列中的所有放置位置已经设置有来自半导体管芯布置的半导体管芯后，改变释放位置以移位至靶部上的下一列。
装置可以包括多个上述释放单元，以用于基本同时将半导体管芯从半导体管芯布置释放到靶部上的不同放置位置列。每个释放单元可以由控制器独立控制。
根据本公开的另一方面，提供了一种晶片台，该晶片台具有晶片卡盘，半导体管芯布置可以布置在该晶片卡盘上，其中，晶片卡盘包括旋转安装的弯曲壳体，半导体管芯布置可以布置在该旋转安装弯曲壳体上，并且其中，晶片台还包括使弯曲壳体绕旋转轴线旋转的第一电机。该晶片台还可以配置为上述装置的晶片台。
根据本公开的另一方面，提供一种膜框架载体，该膜框架载体配置成安装在上述装置的弯曲壳体上。膜框架载体还可以称为带框架。
该膜框架载体包括具有安装表面的环形主体，该安装表面配置成与柔性载体膜、箔或带的支撑表面联接，在该支撑表面上布置有半导体管芯布置。环形主体可以具有圆形、矩形或正方形形状，但不局限于此。
环形主体具有非对称弯曲刚度，该非对称弯曲刚度允许环形主体弯曲成使得环形主体的安装表面从具有第一形状变为更凹的第二形状，并且防止或限制环形主体弯曲成使得安装表面的形状变得比第一形状更凸。由于非对称弯曲刚度，可以在相反两侧处抓持环形主体，以在不损失刚性的情况下移动环形主体。这使膜框架载体能够自动传送至弯曲壳体上，和/或在将晶片安装在柔性载体膜上(柔性载体膜进而联接至环形主体)的同时，使晶片能够切割。第一形状可以与安装表面能够获得的最凸形状相对应。
非对称弯曲刚度可以配置成允许环形主体弯曲成使得环形主体的安装表面从具有第一形状可逆改变为更凹的第二形状。可替代地，弯曲可以导致环形主体的塑性变形。
第一形状可以与基本平坦形状相对应。另外或可替代地，当安装表面具有第一形状时，该安装表面的曲率可以小于0.2m-1，并且其中，当安装表面具有第二形状时，该安装表面的曲率可以大于3.3m-1。
环形主体可以包括板簧和/或可以至少部分由板簧形成。此外，板簧的表面可以形成安装表面或者是安装表面的一部分。环形主体还可以包括限制装置，该限制装置与板簧连接，以用于防止或限制环形主体弯曲成使得安装表面的形状变得比第一形状更凸。限制装置可以在远离所述安装表面的表面上与板簧联接。另外或可替代地，限制装置可以包括多个区段，该多个区段与板簧连接，其中，当安装表面处于第一形状时，相邻区段彼此邻接，从而防止或限制板簧弯曲成使得安装表面的形状变得比第一形状更凸，并且其中，区段配置成在弯曲板簧时移动成不再邻接，以将安装表面从第一形状转变为更凹形状。
可替代地，环形主体可以包括多个区段，其中，区段彼此铰接连接。例如，多个区段中的相应一对相邻布置区段可以配置成相对于彼此绕相应旋转轴线枢转。此外，描述多个区段中的所有成对相邻布置区段的枢转运动的旋转轴线可以彼此平行。
对于多个区段中的至少一对相邻布置区段，一个区段可以包括布置在所述一个区段的第一端上的第一联接结构，并且另一区段可以包括布置在所述另一区段的第二端上的第二联接结构。第一联接结构和第二联接结构可以彼此铰接连接，以允许所述一个区段和所述另一区段相对于彼此绕旋转轴线枢转。所述一个区段可以包括布置在所述一个区段的与所述一个区段的第一侧相反的第二侧的所述第二联接结构。所述另一区段可以包括布置在所述另一区段的与所述另一区段的第二侧相反的第一侧的所述第一联接结构。
第一联接结构可以包括第一开口，并且第二联接结构可以包括突出元件，该突出元件可旋转容纳在所述第一开口中并且限定旋转轴线。该突出元件可以是销、杆或轴。
可替代地，第一联接结构可以包括第一开口，其中，第二联接结构包括第二开口，并且其中，膜框架载体包括轴，该轴可旋转容纳在第一开口和第二开口中的至少一个中并且限定旋转轴线。
对于多个区段中的所述相应一对相邻布置区段，一个区段可以包括第一邻接表面，并且另一区段包括第二邻接表面。第一邻接表面和第二邻接表面可以相对于旋转轴线成形和定位成彼此邻接，以用于防止环形主体弯曲成使得当安装表面具有第一形状时，安装表面的形状变得比第一形状更凸。
区段可以由选自包括钢、铝、钛、聚合物或其组合的群组的材料制成。
根据本公开的另一方面，提供一种组件，该组件包括如上所限定的膜框架载体以及具有支撑表面的载体膜、箔或带，在该支撑表面上布置有管芯布置，其中，具有管芯布置的载体膜、箔或带利用载体膜、箔或带的支撑表面与膜框架载体的安装表面联接。
载体膜、箔或带可以设置有附接层，通过该附接层使半导体管芯布置附接至支撑表面，并且通过该附接层使载体膜、箔或带与膜框架载体的安装表面联接。附接层可以包括诸如光敏粘合剂等光吸收剂，其中，光吸收剂配置成当由具有所述波长的光照射时至少局部释放该光吸收剂与半导体管芯布置的附接。光吸收剂可以配置成通过光烧蚀和/或通过由于光吸收剂吸收光而发生化学反应来至少局部释放该光吸收剂的附接。更特别地，由光吸收层吸收的能量不仅可以用于释放半导体管芯，而且还可以用于提供使半导体管芯朝向靶部驱动的一些推进力。
半导体管芯布置包括切割半导体晶片或结构化半导体晶片。
附图说明
为了能够详细理解本公开的特征，参照实施例进行更具体描述，其中一些实施例在附图中示出。然而，应注意的是，附图仅示出了典型实施例，因此不应认为是对该实施例范围的限制。为了便于理解本公开，附图不一定按比例绘制。在结合附图阅读本说明书后，所要求保护的主题的优点对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中，相同的附图标记用于表示相同元件，并且其中：
图1A示出了根据本公开的一个方面的将半导体管芯从半导体管芯布置置于靶部上的装置的实施例的一部分，并且图1B示出了相对应的示意性表示；
图2示出了与图1A的装置相对应的示意性截面图；
图3A至图3E示出了根据本公开的一个方面的将半导体管芯从半导体管芯布置置于靶部上的装置的另一实施例和视图；
图4示出了根据本发明的一个方面的柔性膜框架载体的第一实施例；并且
图5示出了根据本发明的一个方面的用于柔性膜框架载体的环形主体。
具体实施方式
在下文中，将示出来自切割半导体晶片的半导体管芯置于靶部上的实施例。然而，本发明不局限于放置来自切割半导体晶片的半导体管芯。通常，半导体管芯可以从包括但不局限于切割半导体晶片和结构化晶片的管芯布置放置。
图1A示出了根据本公开的一个方面的将半导体管芯2A从切割半导体晶片2置于靶部113上的装置1的实施例的一部分。这里，切割半导体晶片2布置在载体膜4上，该载体膜4安装至柔性膜框架载体(FFFC)3上。通常，晶片从盒5、托盘等馈送至装置1。这可以通过自动方式完成。
截面如图5所示的FFFC 3包括具有安装表面31的环形主体30，该安装表面31与载体膜4的支撑表面43联接。这里，柔性载体膜4包括通常由聚氯乙烯制成的背衬层/支撑层42，该背衬/支撑层42由附接层41覆盖。使用该附接层41，将包括多个半导体管芯2A的切割半导体晶片2附接至背衬层42。
环形主体30具有非对称弯曲刚度，允许环形主体30弯曲成使得安装表面31从具有的第一形状(如图5的上图所示)变为更凹的第二形状(如图5的中图所示)。同时，非对称刚度防止环形主体30弯曲成使得安装表面31的形状变得比第一形状更凸。
环形主体30包括板簧32和多个区段34，该多个区段34中的每一个使用相应的连接件33与板簧32连接。在第一形状中，相邻区段34彼此邻接，并且更具体地，一个区段34A的表面35A和相邻区段34B的表面35B彼此邻接。因此，在图5中，环形主体30不能通过使环形主体30的左端和右端相对于中央部向上移动而弯曲。然而，安装表面31呈现更凹形状的相反情况是可能的。这如图5的中图所示。这里，区段34A、34B已经不再邻接。使用板簧32允许环形主体30的形状变形是可逆的。然而，从第一形状到第二形状的弯曲包括塑性变形的实施例同样是可能的。对于这种实施例，环形主体30可以在使用后丢弃。
图4示出了具有非对称弯曲刚度的FFFC的环形主体30的另一实施例。在本实施例中，环形主体30包括铰接连接的多个区段34。例如，图4示出了区段34A和区段34B。这些区段分别包括布置有轴37的开口36A、36B，通过轴37使区段34A、34B彼此铰接连接。这在与线L1、L2相对应的截面图中更详细示出。轴37可以与区段34A、34B中的一个固定连接，同时允许轴37在区段34A、34B中的另一个的开口36A、36B中旋转。可替代地，轴37可以在两个开口36A、36B中均旋转。
在图4中，环形主体30的安装表面31示出为处于基本平坦形状的第一形状。与图5中的实施例相似，安装表面31可以与载体膜4的支撑表面43联接。区段34A、34B分别包括邻接表面35A、35B。表面35A、35B相对于轴37的定位确定了环形主体30不能弯曲成使得安装表面31变得更凸。然而，弯曲环形主体30使得安装表面31能够变得更凹。应当注意的是，表面35A、35B可以以不同方式定位。例如，尽管该表面35A、35B与轴37在不同的纵向位置，但该表面35A、35B也可以与轴37基本成直线。
现在返回图1A，如图5所示实施并且布置有切割半导体晶片2的FFFC 3可以安装在旋转安装的弯曲壳体122上，该弯曲壳体122可以绕旋转轴线122A旋转。为此，弯曲壳体122可以设置有多个小开口，通过该多个小开口可以将吸力施加至FFFC 3上。可替代地，可以使用诸如夹持等机械安装将FFFC 3安装在弯曲壳体122上。
应注意的是，出于说明目的，图1A没有显示用于布置在弯曲壳体122上的半导体晶片2的环形主体30。此外，图1A示出了区段34为大体细长的，该区段34具有平行于旋转轴线122A的纵向轴线。
通过旋转和平移弯曲壳体122，切割半导体晶片2可以相对于待布置有半导体管芯2A的靶部113定位。靶部113布置在靶部卡盘112的支撑表面112A上。一旦正确定位，释放单元(图1A中未示出)用于从切割半导体晶片2释放半导体管芯2A，从而允许半导体管芯2A布置在靶部113上的预定位置上。
图1B示意性示出了图1A的装置。如图所示，装置1包括控制器100，该控制器100基于从检查系统140接收的数据来控制靶部台110、晶片台120和释放单元130。控制器100还控制分配装置150，该分配装置150配置成在靶部113上分配导电胶151、焊料等的小液滴。
靶部台110包括一个或多个电机，以用于对布置有靶部113的靶部卡盘112的位置进行控制。例如，靶部台110可以包括沿平行于旋转轴线122A的X方向平移靶部卡盘112的电机MT0、沿垂直于靶部卡盘112的支撑表面112A的Z方向平移靶部卡盘112的电机MT2、以及沿垂直于X方向和Z方向的Y方向平移靶部卡盘112的电机MT1。
晶片台120包括一个或多个电机，以用于对布置有半导体晶片2的弯曲壳体122的位置进行控制。例如，晶片台120可以包括沿X方向平移弯曲壳体122的电机MW0、沿Z方向平移弯曲壳体122的电机MW2、以及使弯曲壳体122绕旋转轴线122A旋转的电机MW3。
释放单元130可以包括沿X方向平移光源132的电机MR0。
应当注意的是，本公开不局限于上述电机的组合。靶部台110、晶片台120和释放单元130可以包括更多或更少的电机，和/或用于在不同方向上平移的电机。
检查系统150可以包括一个或多个光学相机，以用于记录半导体晶片2和/或布置在半导体晶片2中的半导体管芯2A和/或靶部113的图像。基于这些记录的图像(该图像可以是静止或移动图像的形式)，控制器100控制靶部台110、晶片台120和/或释放单元130以确保每个待放置半导体管芯2A布置在靶部113上的预定位置上。接下来将参照图2对该放置过程进行更详细描述。
图2示出了与图1A的装置相对应的示意性截面图。这里，靶部113被示出为例如印刷电路板。靶部113包括多个预定放置位置，来自切割半导体晶片2的半导体管芯2A需要被置于该多个预定放置位置上。在布置半导体管芯2A前，通过分配装置150将导电胶、焊料等的液滴151设置(例如分配)在靶部113上。
如插图I所示，靶部113可以设置有多个液滴151，该多个液滴151布置成排R和列C。类似地，半导体管芯2A还可以布置在半导体晶片2上的排r和列c的矩阵中。这里，假设切割半导体晶片2上的列c和靶部113上的列C各自垂直于弯曲壳体122的纵轴线和/或旋转轴线122A延伸。
在液滴151沉积或通过其它方式布置在靶部113上后，靶部113在弯曲壳体122下面移动，以接纳从切割半导体晶片2释放的半导体管芯2A。为此，使用释放单元130。
弯曲壳体122至少大部分具有沿旋转轴线122A的恒定截面。弯曲壳体122可以是部分圆柱形壳体或圆柱形壳体。图1A中示出了弯曲壳体122的截面的各种示例。这里，示例A与部分圆柱形壳体相对应，示例B与圆柱形壳体相对应，并且示例C与另一部分圆柱形壳体(即半圆柱形壳体)相对应。
现在再次参照图2，释放单元130包括激光源132，该激光源132发射的光束133通过弯曲壳体122到达待从载体膜4释放的半导体管芯2A上。为此，至少对于来自激光源132的光，弯曲壳体122为至少部分半透明的。弯曲壳体122可以完全由半透明材料制成，或者该弯曲壳体122可以具有半透明的特定区域，而其它区域不是半透明的。例如，弯曲壳体122可以由玻璃、石英或熔融石英制成。
附接层41包括诸如光敏粘合剂等光吸收剂。一旦利用来自激光源132的光来照射附接层41，该附接层41将失去与半导体管芯2A的附接。例如，光的吸收将引起光吸收剂的化学反应，该化学反应结果是附接层41的粘合性将减弱。另外，或可替代地，光的吸收可以引起温度的急剧和局部上升。这甚至可能导致局部烧蚀和/或产生将释放的半导体管芯2A推向靶部113的气体成分。
在失去附接后，半导体管芯2A落到靶部113上的预定放置位置上。此后，通过电机M3来旋转弯曲壳体122，以使另一半导体管芯2A与激光源132对准。此外，弯曲壳体122和靶部113相互平移，以使下一个预定放置位置相对于弯曲壳体122处于正确位置处。
如图2所示，可以安装各种检查系统。检查系统可以用于在来自切割半导体晶片2的半导体管芯2A置于靶部113上之前检查半导体管芯2A。这种检查可以包括确定半导体管芯2A的位置和取向。这允许在释放半导体管芯2A之前例如通过平移弯曲壳体122、靶部113和/或激光源132来进行最终校正。应注意的是，每个半导体管芯2A可能稍微偏离该半导体管芯2A的理想位置和/或取向。可能在切割期间和/或当将FFFC 3安装至弯曲壳体122上时发生这种偏离。能够通过检查系统140的一个或多个相机141来记录这种偏离。因为弯曲壳体122至少局部半透明，所以一个或多个相机141还可以布置在弯曲壳体122内部。
另一或相同的相机还可以用于在释放半导体管芯2A前检查该管芯是否损坏。如果确定半导体管芯2A损坏，则可以由装置1的控制器100决定跳过该半导体管芯。
另一或相同的相机还可以用于检查半导体管芯2A是否释放。如果确定该半导体管芯未释放，则可以进行新的释放尝试。
检查系统140还可以使用相机142来检查液滴151是否正确置于靶部113上和/或监测或检查靶部113的位置和/或取向。
应注意的是，由于弯曲壳体122的弯曲性质，能够将检查系统140的一个或多个相机紧密布置至需要检查的半导体管芯2A。
图3A至图3E示出了根据本公开的一个方面的将半导体管芯从切割半导体晶片直接置于靶部上的装置的其它实施例。
图3A至图3E所示的每个实施例包括固定框架160，该固定框架160用作装置内部各种运动的参照。
在图3A中，电机MT0用于使托架111在x方向上相对于框架160平移。电机MT1用于使靶部卡盘112在y方向上相对于托架111平移。此外，电机MW3用于使弯曲壳体122相对于框架160旋转。
激光源132安装在托架131上，使用电机MR0使该托架131在x方向上相对于框架160平移。
图3A的装置可以用于将多个半导体管芯2A以垂直于旋转轴线122A延伸的多个间隔列的方式置于靶部113上。
例如，在旋转弯曲壳体122的同时，靶部113可以在y方向上平移，以放置布置在半导体晶片2上的同一列中的半导体管芯2A。一旦半导体晶片2上的一列耗尽，激光源132和靶部卡盘112在x方向上平移，使得靶部卡盘112和激光源132均与半导体晶片2的下一列半导体管芯2A对准。一旦靶部113上的完整列被填充，则靶部卡盘112在x方向上移动，以将待填充新列定位在弯曲壳体122下方。
在图3B所示的实施例中，可以使用电机MT1使靶部卡盘112仅在y方向上平移。可以使用电机MW3使弯曲壳体122相对于托架121旋转。进而，可以使用电机MW0使托架121在x方向上平移。可以使用电机MR0将安装在托架131上的激光源132相对于框架160在x方向上平移，出于说明的目的，此处部分省略激光源132。电机MR0例如可以包括滚珠螺杆、导螺杆、皮带驱动部或线性电机，以用于传递托架131的平移。
图3C所示的装置与图3B所示的实施例的不同之处在于，电机MR0使托架131相对于托架121平移而不是相对于框架160平移。
图3D和图3E示出了与图3A所示的装置相对应的截面图。更特别地，靶部卡盘112能够在x方向和y方向上平移，并且弯曲壳体122可以仅相对于框架160旋转。可以使用电机MR0使激光源132相对于框架160仅在x方向上平移。
在图3D中，激光源132发射的光束133通过半透明弯曲壳体122到达附接层上，通过该附接层使半导体管芯2A附接至载体膜。可替代地，释放单元130可以包括针状物以及用于使针状物与下方半导体管芯接合和脱离针状物致动器。在此种情况下，针状物致动器和针状物均布置在弯曲壳体122内部，并且均在x方向上平移。
在图3E中，激光源132安装在弯曲壳体122外部。激光源132朝向反射镜单元134发射光束133。反射镜单元134将光偏转至弯曲壳体122上并且通过弯曲壳体122。反射镜单元134可以包括一个或多个反射镜和允许改变偏转角的一个或多个反射镜致动器。可以使用例如实施为线性电机的电机MR0使反射镜单元134在x方向上平移。
以上，已经使用本发明的详细实施例来描述本发明。然而，本发明并不局限于这些实施例。相反，在不偏离由所附权利要求及其等同物限定的本发明的范围的情况下，能够进行各种变型。
在所附独立权利要求中阐述本发明的特定和优选方面。从属和/
或独立权利要求的特征的组合可以适当组合，而不仅仅如权利要求中所述。
本公开的范围包括明确或隐含公开的任何新颖特征或特征的组合或其任何概括，而不管该特征是否涉及所要求保护的发明或减轻由本发明解决的任何或所有问题。申请人特此通知，在本申请或由本申请产生的任何这种进一步申请的审查期间，可以对这些特征提出新的权利要求。特别地，参照所附权利要求，从属权利要求的特征可以与独立权利要求的特征组合，并且各个独立权利要求的特征可以通过任何适当方式组合，而不仅仅是在权利要求中列举的特定组合。
在单独实施例的上下文中描述的特征还可以在单个实施例中组合提供。相反，为了简洁起见，在单个实施例的上下文中描述的各种特征还可以单独提供或通过任何合适子组合提供。
术语“包括”不排除其它元件或步骤，术语“一”或“一个”不排除多个。权利要求中的附图标记不应解释为限制权利要求的范围。
附图标记列表
装置1
半导体晶片2
半导体管芯2A
膜框架载体3
载体膜4
盒5
环形主体30
安装表面31
板簧32
连接件33
区段34、34A、34B
邻接表面35A、35B
开口36A、36B
轴37
附接层41
背衬层42
支撑表面43
控制器100
靶部台110
托架靶部台111
靶部卡盘112
靶部113
晶片台120
载体晶片台121
弯曲壳体122
旋转轴线122A
释放单元130
载体释放单元131
激光源132
光束133
反射镜单元134
检查系统140
相机141、142
分配装置150
胶水/焊料的液滴151
固定框架160
电机X方向M0
电机Y方向M1
电机Z方向M2
电机旋转M3

Claims (15)

1.一种装置，所述装置将半导体管芯从半导体管芯布置转移至靶部，所述装置包括：
晶片台，所述晶片台具有晶片卡盘，所述半导体管芯布置能够布置在所述晶片卡盘上；
靶部台，所述靶部台具有靶部卡盘，靶部能够布置在所述靶部卡盘上，来自所述半导体管芯布置的所述半导体管芯将置于所述靶部上；
释放单元，所述释放单元将所述半导体管芯从所述半导体管芯布置释放；
控制器，所述控制器控制所述释放单元、所述晶片台和所述靶部台；
其中，所述晶片卡盘包括旋转安装的弯曲壳体，所述半导体管芯布置能够布置在所述弯曲壳体上，并且其中，所述晶片台还包括使所述弯曲壳体绕旋转轴线旋转的第一电机；
所述弯曲壳体可选地是诸如鼓的圆柱形壳体或者部分圆柱形壳体。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置配置成将所述半导体管芯从所述半导体管芯布置直接转移至所述靶部上，和/或其中，所述释放单元配置成将半导体管芯从所述半导体管芯布置释放，使得所述半导体管芯落至所述靶部上。
3.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述晶片卡盘配置成支撑承载所述半导体管芯布置的载体，其中，所述载体可选地是带、膜或箔，其中，所述载体是膜框架载体的可选部分。
4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述半导体管芯布置包括切割半导体晶片或结构化半导体晶片；和/或
所述旋转轴线至少基本平行于所述靶部卡盘延伸；和/或
所述旋转轴线与所述弯曲壳体的纵向对称轴线重合。
5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述晶片台还包括第二电机，所述第二电机用于平移所述弯曲壳体，优选沿与所述旋转轴线平行和/或重合的方向来回平移所述弯曲壳体，和/或其中，所述晶片台还包括辅助第二电机，所述辅助第二电机在垂直于所述旋转轴线的方向上平移所述弯曲壳体，优选沿垂直于所述靶部卡盘的方向来回平移所述弯曲壳体；
所述装置可选地还包括固定框架和第一托架，其中，所述第二电机和/或辅助第二电机配置成使所述第一托架相对于所述固定框架平移，并且其中，所述第一电机配置成使所述弯曲壳体相对于所述第一托架旋转；或
所述装置可选地还包括固定框架，其中，所述第二电机和/或辅助第二电机配置成使弯曲壳体相对于所述固定框架平移，并且其中，所述第一电机配置成使所述弯曲壳体相对于所述固定框架旋转。
6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述弯曲壳体对于具有第一波长的光为至少部分半透明的，并且其中，所述释放单元包括诸如激光器的光源，所述光源输出具有所述波长的光束，其中，使用诸如光敏粘合剂的光吸收剂将所述半导体管芯布置附接至带、箔或膜，其中，所述光吸收剂配置成当由具有所述波长的光照射时至少局部释放所述光吸收剂与所述半导体管芯布置的附接；
所述光吸收剂可选地配置成通过光烧蚀和/或通过由于所述光吸收剂吸收光而发生化学反应来至少局部释放所述光吸收剂的附接，和/或其中，所述光源可选地配置成照射所述半导体管芯布置的与半导体管芯分离的给定半导体管芯，所述半导体管芯与所述给定半导体管芯相邻，其中，所述释放单元可选地包括分束器，所述分束器配置成从所述光源接收所述光束并且将所述接收的光束分成多个另外光束，其中，每个另外光束配置成照射相应给定半导体管芯；
所述光源可选地配置成优选以基本垂直的方式朝向所述弯曲壳体发射光。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述释放单元还包括光引导单元，其中，所述光源配置成朝向所述光引导单元发射光，优选基本平行于所述旋转轴线发射光，并且其中，所述光引导单元配置成朝向所述弯曲壳体引导来自所述光源的光，优选以基本垂直的方式引导来自所述光源的光，其中，所述光引导单元可选地包括一个或多个反射镜和/或一个或多个棱镜，其中，所述光引导单元可选地包括一个或多个致动器，所述一个或多个致动器优选能够由所述控制器控制，其中，所述一个或多个致动器配置成改变所述一个或多个反射镜和/或一个或多个棱镜相对于来自所述光源的入射光的取向，以便以不同角度朝向所述弯曲壳体引导来自所述光源的光。
8.根据权利要求6或7所述的装置，其中，释放单元包括第二托架和第三电机，致动器和针状物的组合或所述光源安装在所述第二托架上，所述第三电机使所述第二托架相对于所述弯曲壳体移动，其中，所述第二托架可选地配置成在所述弯曲壳体内部和/或上方或下方平移，并且其中，根据权利要求7和权利要求5，所述光源可选地固定附接至所述固定框架，并且其中，所述光引导单元安装在所述第二托架上；或
根据权利要求5，所述释放单元包括第二托架和第三电机，致动器和针状物的组合或所述光源安装在所述第二托架上，所述第三电机使所述第二托架相对于所述固定框架移动，其中所述第二托架可选地配置成在所述弯曲壳体内部和/或上方或下方平移，并且其中，根据权利要求7和权利要求5，所述光源可选地固定附接至所述固定框架，并且其中，所述光引导单元安装在所述第二托架上。
9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述靶部台还包括第四电机和/或第五电机，以用于在优选平行于所述旋转轴线的平面中平移所述靶部卡盘，和/或辅助第四电机，以用于在垂直于所述旋转轴线的方向上平移所述靶部卡盘，优选沿垂直于所述靶部卡盘的方向来回平移所述靶部卡盘；
根据权利要求5，所述第四电机和/或第五电机可选地布置成相对于所述固定框架平移所述靶部卡盘；或
根据权利要求5，所述第四电机可选地配置成使第三托架相对于所述固定框架移位，并且其中，所述第五电机配置成使所述靶部卡盘相对于所述第三托架移位。
10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述弯曲壳体设置有联接单元，以用于允许所述半导体管芯布置与所述弯曲壳体联接；
所述弯曲壳体可选地设置有多个开口，所述装置还包括真空单元，以用于产生通过所述多个开口施加至所述切割半导体晶片上的吸力；和/或
所述弯曲壳体可选地设置有机械联接单元，以用于与所述半导体管芯布置机械联接，其中，所述半导体管芯布置优选由膜框架载体承载，其中，所述机械联接单元优选包括夹持单元，以用于将所述膜框架载体夹持至所述弯曲壳体上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，还包括第一检查系统，所述第一检查系统布置成在将来自所述半导体管芯布置的半导体管芯置于所述靶部上之前检查所述半导体管芯；
其中，所述第一检查系统可选地布置成确定所述半导体管芯布置的所述半导体管芯的位置和/或取向，其中所述控制器配置成根据所确定的位置和/或取向来控制所述晶片台、所述靶部台和/或所述释放单元；和/或
所述第一检查系统可选地布置成确定所述半导体管芯布置的半导体管芯是否损坏，其中，所述控制器配置成控制所述晶片台、靶部台和/或释放单元，以在已经确定所述半导体管芯损坏时防止所述半导体管芯置于所述靶部上；和/或
所述装置还包括第二检查系统，所述第二检查系统布置成确定半导体管芯是否已经从所述半导体管芯布置释放，其中，所述控制器优选配置成控制所述晶片台、靶部台和/或释放单元，以在确定所述半导体管芯未释放时释放所述半导体管芯；和/或
所述装置还包括第三检查系统，所述第三检查系统布置成检查半导体管芯是否已经正确置于所述靶部上，其中，所述控制器优选配置成存储所述半导体管芯的位置和/或所述半导体管芯在所述靶部上的预定位置；
所述第一检查系统、所述第二检查系统或所述第三检查系统可选地包括相机，其中，相同相机优选用于所述第一检查系统、所述第二检查系统和所述第三检查系统中的两个以上。
12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述释放单元配置成将半导体管芯从所述半导体管芯布置释放，所述半导体管芯布置在相对于所述固定框架的释放位置处；
所述半导体管芯布置可选地包括布置为排和列矩阵的多个半导体管芯，其中，所述排至少基本平行于所述旋转轴线延伸。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述靶部包括相邻布置的放置位置的排或列，来自所述半导体管芯布置的相应半导体管芯将置于所述放置位置处，所述相邻布置的放置位置的列或排分别至少基本垂直于或平行于所述旋转轴线延伸，其中，所述控制器配置成控制所述晶片台以使所述弯曲壳体间歇旋转或连续旋转，以用于将所述半导体管芯布置的相同列中的半导体管芯置于所述靶部的相应放置位置上，并且在耗尽所述半导体管芯布置的所述列的待放置管芯后，使所述弯曲壳体平移移动以移位至所述半导体管芯布置的相邻列的半导体管芯；
根据权利要求5，所述控制器可选地配置成在所述弯曲壳体的所述平移移动以移位至所述半导体管芯布置的相邻列的半导体管芯期间维持相对于所述固定框架的所述释放位置。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述靶部包括相邻布置的放置位置的多个所述列，在所述放置位置处将放置有来自所述半导体管芯布置的相应半导体管芯，其中，所述控制器配置成控制所述晶片台和/或靶部台，以在所述靶部上的同一列中的所有所述放置位置已经设置有来自所述半导体管芯布置的半导体管芯后，引起所述靶部与所述弯曲壳体之间的相互平移运动，其中，根据权利要求5，所述控制器可选地配置成在所述靶部与所述弯曲壳体之间的所述相互平移运动期间维持相对于所述固定框架的所述释放位置，或者其中，根据权利要求5，所述控制器可选地配置成维持所述靶部上的所述列在平行于所述旋转轴线的方向上相对于所述固定框架的位置，并且在所述靶部上的同一列中的所有所述放置位置已经设置有来自所述半导体管芯布置的半导体管芯后，改变所述释放位置以移位至所述靶部上的下一列；
所述装置可选地包括多个所述释放单元，以用于基本同时将所述半导体管芯从所述半导体管芯布置释放到所述靶部上的不同放置位置列。
15.一种晶片台，所述晶片台配置成用于根据前述权利要求中任一项所限定的装置中并且具有晶片卡盘，半导体管芯布置能够布置在所述晶片卡盘上，其中，所述晶片卡盘包括旋转安装的弯曲壳体，所述半导体管芯布置能够布置在所述弯曲壳体上，并且其中，所述晶片台还包括使所述弯曲壳体绕旋转轴线旋转的第一电机。
CN202310104200.0A 2022-02-15 2023-02-13 弯曲晶片台 Pending CN116613103A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP22156782.9 2022-02-15
EP22156782.9A EP4227981A1 (en) 2022-02-15 2022-02-15 Curved wafer stage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116613103A true CN116613103A (zh) 2023-08-18

Family

ID=80683022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310104200.0A Pending CN116613103A (zh) 2022-02-15 2023-02-13 弯曲晶片台

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230260954A1 (zh)
EP (1) EP4227981A1 (zh)
JP (1) JP2023118688A (zh)
KR (1) KR20230122994A (zh)
CN (1) CN116613103A (zh)
TW (1) TW202347636A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003085702A1 (de) * 2002-04-04 2003-10-16 Georg Rudolf Sillner Verfahren zum verarbeiten von elektrischen bauelementen, insbesondere von halbleiterchips, sowie vorrichtung zum durchführen des verfahrens
JP4450696B2 (ja) * 2004-08-19 2010-04-14 日東電工株式会社 保護テープ貼付け装置
JP4462638B1 (ja) * 2009-07-17 2010-05-12 上野精機株式会社 貼替え装置及び分類貼替え方法
JP6270133B2 (ja) * 2014-02-12 2018-01-31 株式会社小森コーポレーション フレキシブル電子デバイス製造装置
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
JP6312270B2 (ja) * 2016-03-25 2018-04-18 株式会社写真化学 デバイスチップを用いた電子デバイスの製造方法およびその製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP4227981A1 (en) 2023-08-16
JP2023118688A (ja) 2023-08-25
KR20230122994A (ko) 2023-08-22
US20230260954A1 (en) 2023-08-17
TW202347636A (zh) 2023-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI226457B (en) Exposure device
US20100308024A1 (en) Writing apparatuses and methods
TW201122732A (en) Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2003058258A5 (zh)
US20050161691A1 (en) Optical element module, and apparatus and method for fixing optical element
KR20070106603A (ko) 유리 봉합체 실링 장치 및 방법
CA2362170A1 (en) Flat bed platesetter system
CN116613103A (zh) 弯曲晶片台
CN116613098A (zh) 弯曲晶片台的膜框架载体
JP2017044819A (ja) ステージ装置及び顕微鏡システム
US8934161B2 (en) Method of manufacturing optical scanning apparatus and optical scanning apparatus
TWI246848B (en) Image formation device
CN112599462A (zh) 移转设备及移转方法
JP2019186472A (ja) 光学装置の製造装置および光学装置の製造方法
CN114378443A (zh) 晶圆id打标设备
JP2862632B2 (ja) 基板の縦型搬送装置
JP2005189365A (ja) 吸着固定装置、画像形成装置
CN218506984U (zh) 微米元件非接触式转置装置
CN217822722U (zh) 用于微元件非接触式转移的装置
TW201407690A (zh) 用以將積體電路轉移至封裝之封裝裝置及方法
JP2019107683A (ja) レーザー加工装置、およびレーザー加工方法
JP4424733B2 (ja) コイルユニット、電磁アクチュエータ、露光装置及びデバイス製造方法
KR20220002359U (ko) 이송 트레이 기계장치 및 해당 기계장치를 응용한 작업 설비
CN115415137A (zh) 固化机构和摄像头对位设备
JP2000326162A (ja) 多自由度加工ステージ装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication