CN116583953A - 半导体结构的形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一衬底，第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，且第一衬底内具有第一离子，第一离子具有第一浓度；在第一衬底的第一表面上形成第一外延层，第一外延层内具有第二离子，第二离子具有第二浓度，第二浓度小于所述第一浓度；在第一外延层上形成第二外延层以及位于第二外延层上的第三外延层，第二外延层内具有第三离子，第三离子具有第三浓度，第三外延层内具有第四离子，第四离子具有第四浓度，第四浓度小于所述第三浓度；从第一衬底的第二表面对第一衬底进行减薄处理，直至暴露出第二外延层的表面。本发明在保证减薄厚度均一性的同时，能够满足制作半导体结构衬底需求，有利于提高半导体结构的性能。
Description
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
图像传感器可用于感测辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线等)。图像传感器按照其接收辐射的方式可以分为背照式(BSI)图像传感器和前照式(FSI)图像传感器。
BSI图像传感器能够从其背面接收辐射。不同于FSI图像传感器，在BSI图像传感器中，布线等可能影响辐射接收的部件基本位于衬底的正面，而光线从衬底的背面入射进入。
对于BSI图像传感器，目前通常采用以下步骤形成：在衬底上生长外延层，在外延层上制作光电感测器件(例如，光电二极管)，然后从背面去除衬底，其中外延层用作去除衬底的停止层。然而，在使用衬底和衬底上的外延层制作BSI图像传感器的情况下，最终只会保留部分低掺杂的外延层，影响最终形成的图像传感器的性能。
因此，需要提供一种半导体结构的形成方法，能实现具有低掺杂外延层和高掺杂衬底的结构。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，有利于提高最终形成的半导体结构的性能。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，且所述第一衬底内具有第一离子，所述第一离子具有第一浓 度；在所述第一衬底的第一表面上形成第一外延层，所述第一外延层内具有第二离子，所述第二离子具有第二浓度，所述第二浓度小于所述第一浓度；在所述第一外延层上形成第二外延层以及位于所述第二外延层上的第三外延层，所述第二外延层内具有第三离子，所述第三离子具有第三浓度，所述第三外延层内具有第四离子，所述第四离子具有第四浓度，所述第四浓度小于所述第三浓度；从所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二外延层的表面。
可选的，所述减薄处理的步骤包括：从所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底进行刻蚀处理，直至暴露出所述第一外延层的表面；对所述第一外延层进行平坦化处理，直至暴露出所述第二外延层的表面。
可选的，所述刻蚀处理为湿法刻蚀；所述湿法刻蚀处理的工艺参数包括：所述刻蚀溶液包括HNA溶液，所述HNA溶液为由氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。
可选的，所述平坦化处理为化学机械抛光；所述化学机械抛光的工艺参数包括：选用SiO
2抛光液，抛光时间50～100秒。
可选的，所述第一离子和所述第二离子的导电类型相反。
可选的，所述第三离子和所述第四离子的导电类型相同。
可选的，所述第一离子为P型离子；所述P型离子包括硼离子、铟离子、镓离子中的一种或几种。
可选的，所述第二离子为N型离子；所述N型离子包括磷离子、砷离子、锑离子中的一种或几种。
可选的，所述第三离子为P型离子；所述第四离子为P型离子；所述P型离子包括硼离子、铟离子、镓离子中的一种或几种。
可选的，所述第一浓度的范围为2E18～5E18atoms/cm
3。
可选的，所述第二浓度的范围为5E12～1E15atoms/cm
3。
可选的，所述第三浓度的范围为6E17～5E18atoms/cm
3。
可选的，所述第四浓度的范围为1E13～2E14atoms/cm
3。
可选的，所述第一外延层的厚度范围为1～3微米。
可选的，所述第二外延层的厚度范围为1～5微米。
可选的，所述第三外延层的厚度范围为4～10微米。
可选的，所述第三外延层包括第三表面，所述第三表面背离所述第二外延层，在对所述第一衬底进行减薄处理之前，还包括：在所述第三外延层内形成若干光电掺杂区；形成覆盖所述第三外延层的第三表面和所述光电掺杂区的第一介质层；在所述第一介质层内形成电互连结构。
可选的，在形成互连层之后，还包括：提供第二衬底；将所述第一衬底的第一表面与所述第二衬底相键合。
可选的，所述第二外延层包括第四表面，所述第四表面与所述第一外延层相接触，在对所述第一衬底进行减薄处理之后，还包括：在所述第二外延层的第四表面形成第二介质层；在所述第二介质层、所述第二外延层以及所述第三外延层内形成通孔，所述通孔露出所述第一介质层；在所述通孔底部和所述第一介质层内形成接触孔，露出所述电互连结构；在所述通孔和所述接触孔内形成导电层。
可选的，还包括：在所述第二介质层上形成若干滤光片以及位于所述滤光片上的透镜。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
在第一衬底的第一表面形成第一外延层、位于第一外延层上的第二外延层以及位于第二外延层上的第三外延层，第一外延层内第二离子的第二浓度小于第一衬底内第一离子的第一浓度，第二外延层内第 三离子的第三浓度大于第三外延层内第四离子的第四浓度，从第一衬底的第二表面对第一衬底进行减薄处理，由于第一外延层和第一衬底具有离子浓度差，减薄处理首先会停止于第一外延层，可以控制减薄工艺的厚度均一性，后续继续减薄直至暴露出第二外延层的表面，使第二外延层是一个平坦的表面；并且减薄处理去除了第一衬底和第一外延层，保留了第二外延层和第三外延层，且第三浓度大于第四浓度，后续在第三外延层内形成像素单元后，在像素单元工作过程中加反向偏置电压时，由于第二外延层的存在，可以阻止形成的耗尽区扩散到减薄工艺的界面处，在提高减薄工艺厚度均一性的同时，又满足了制作图像传感器的衬底要求，有利于最终形成的半导体结构的性能。
进一步，所述第一离子和所述第二离子的导电类型相反。通过形成和第一衬底具有相反导电类型的第一外延层，可以使第一衬底和第一外延层的边界更加清晰，避免边界在一些热处理过程中由于离子扩散变得模糊，使得第一外延层更好地起到刻蚀停止层的作用。
图1至图8为本发明一实施例中半导体结构形成方法各步骤对应的结构示意图。
由背景技术可知，目前形成BSI图像传感器的具体方法包括：
提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，且所述第一衬底内具有第一离子，所述离子具有第一浓度；在所述第一表面上形成外延层，所述外延层包括相对的第三表面和第四表面，所述外延层的第四表面与所述第一衬底的第一表面相接触，所述外延层内具有第二离子，所述第二离子具有第二浓度，所述第二浓度小于所述第一浓度；在所述外延层的第三表面形成相互隔离的多个像素单元、覆盖所述外延层的第三表面和所述像素单元的介质层以及位于介质层内的互连层，其中，每个像素单元包括一个发光二极管和多个 MOS晶体管；提供第二衬底，将所述第二衬底与所述第一衬底在第一表面方向键合，接着将所述第二衬底翻转以使所述第一衬底的第二表面朝上；从所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理。
目前，对所述第一衬底的减薄处理通常采用以外延层作为减薄停止层的方法，由于减薄速率对离子浓度非常敏感，在减薄到浓度渐变层时，减薄速率会骤降，使得减薄停止于第一衬底和外延层的交界处。采用外延层停止的减薄工艺，最终会完全去除所述第一衬底，并且减薄停止的界面处，即外延层的第四表面会存在许多晶格缺陷，当最终形成的图像传感器在工作过程中，发光二极管上会施加反向偏置电压，因此会在外延层内形成耗尽区，当施加的反向偏置电压较大时，耗尽区会扩展到外延层第四表面的晶格缺陷处，导致生成暗电流，不利于图像传感器的性能。
如果为了避免耗尽区扩展到减薄工艺停止的界面处，希望保留离子浓度比较高的部分第一衬底而不采用外延层停止的减薄工艺，在对第一衬底进行减薄时，需要自行控制减薄停止的界面，容易造成减薄后剩余的第一衬底的厚度均匀性差的问题，同样会影响传感器的性能。
为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，在第一衬底上形成第一外延层、位于第一外延层上的第二外延层以及位于第二外延层上的第三外延层，第一外延层内第二离子的第二浓度小于第一衬底内第一离子的第一浓度，第二外延层内第三离子的第三浓度大于第三外延层内第四离子的第四浓度，对第一衬底进行减薄处理时，一方面，由于第一外延层和第一衬底具有离子浓度差，减薄工艺会先停止于第一外延层与第一衬底的交界处，后续再继续减薄处理直至暴露出所述第二外延层的表面，有利于控制减薄的厚度的均一性；另一方面，减薄处理后还保留第二外延层和第三外延层，且第三浓度大于第四浓度，后续在第三外延层形成像素单元后，在像素 单元工作时施加反向偏置电压，由于存在离子浓度较大的第二外延层，可以阻止形成的耗尽区扩展到减薄工艺界面处晶格缺陷，减少暗电流的生成，从而有利于提高半导体结构的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参考图1，提供第一衬底100，所述第一衬底100包括相对的第一表面101和第二表面102，且所述第一衬底100内具有第一离子，所述第一离子具有第一浓度。
所述第一衬底100可以为硅衬底，也可以是锗、锗硅、砷化镓衬底或绝缘体上硅衬底。本领域技术人员可以根据需要选择衬底类型，因此第一衬底的类型不应成为限制本发明的保护范围的特征。本实施例中，所述第一衬底10为硅衬底。
本实施例中，所述第一衬底100为P型掺杂，即第一离子为P型离子；所述P型离子包括硼离子、铟离子、镓离子中的一种或几种。
所述第一离子的第一浓度的范围为2E18～5E18atoms/cm
3。
所述第一衬底100的厚度范围为725～775微米；所述第一衬底100的厚度为常规半导体工艺中衬底的一般厚度。
参考图2，在所述第一衬底100的第一表面101上形成第一外延层110，所述第一外延层110内具有第二离子，所述第二离子具有第二浓度，且所述第二浓度小于所述第一浓度。
所述第二离子的第二浓度的范围为5E12～1E15atoms/cm
3。
本实施例中，所述第二浓度小于所述第一浓度，所述第一外延层110与所述第一衬底100的交界处具有浓度差，后续从第二表面102对所述第一衬底100进行减薄处理时，先对第一衬底100进行刻蚀处理，由于刻蚀速率对离子浓度比较敏感，刻蚀速率在离子浓度渐变层会骤降，从而使减薄首先停留在第一外延层110和第一衬底100的交界处，从而控制减薄厚度的均一性。
本实施例中，所述第二离子与所述第一离子的导电类型相反；所述第二离子和所述第一离子采用相反的导电类型的原因在于，可以使第一外延层110和所述第一衬底100的边界更加清晰，避免边界在一些热处理过程中由于离子扩散变得模糊，后续对所述第一衬底100进行减薄处理时，所述第一外延层110能够更好地起到刻蚀停止层的作用。
本实施例中，所述第一离子为P型离子，则所述第二离子为N型离子；所述N型离子包括磷离子、砷离子、锑离子中的一种或几种。
在其他实施例中，所述第二离子与所述第一离子的导电类型也可以相同。
本实施例中，采用外延生长工艺形成所述第一外延层110。
所述第一外延层110的厚度范围为1～3微米；如果所述第一外延层110的厚度大于3微米，第二离子可能会在第一外延层110内形成浓度渐变层，不利于后续减薄处理中刻蚀工艺的停止；如果所述第一外延层110的厚度小于1微米，后续减薄处理中平坦化处理时容易造成过研磨，损伤到第二外延层120。
参考图3，在所述第一外延层110上形成第二外延层120以及位于所述第二外延层120上的第三外延层130，所述第二外延层120内具有第三离子，所述第三离子具有第三浓度，所述第三外延层130具有第四离子，所述第四离子具有第四浓度，所述第四浓度小于所述第三浓度。
所述第三浓度的范围为6E17～5E18atoms/cm
3；所述第四浓度的范围为1E13～2E14atoms/cm
3。
本实施例中，所述第三离子和所述第四离子的导电类型相同，且所述第三离子、第四离子与所述第一离子的导电类型相同。
本实施例中，所述第三离子为P型离子；所述第四离子为P型离 子；所述P型离子包括硼离子、铟离子、镓离子中的一种或几种。
本实施例中，在所述第一外延层110上继续形成第二外延层120和第三外延层130的原因在于，后续对第一衬底100进行减薄处理后，会去除第一衬底100和第一外延层110，直至暴露出第二外延层120的表面，剩余的第二外延层120和所述第三外延层130作为形成半导体结构的基底，且第三浓度大于第四浓度，满足了制作图像传感器的基底需求，有利于提高形成的半导体结构的性能。
本实施例中，采用外延生长工艺形成所述第二外延层120以及所述第三外延层130。
所述第二外延层120的厚度范围为1～5微米；所述第三外延层130的厚度范围为4～10微米；所述第二外延层120和所述第三外延层130的厚度可以根据具体实际情况进行选择。
所述第三外延层130包括第三表面131，所述第三表面131背离所述第二外延层120；所述第二外延层120包括第四表面121，所述第四表面121与所述第一外延层110相接触。
参考图4，形成第三外延层130后，在所述第三外延层130内形成若干光电掺杂区210。相邻所述光电掺杂区210通过浅沟槽隔离结果240隔离。
本实施例中，还包括：形成覆盖所述第三外延层130的第三表面131和所述光电掺杂区的第一介质层220。
本实施例中，还包括：在所述第一介质层220内形成逻辑电路(未图示)，所述逻辑电路包括MOS晶体管以及与MOS晶体管电连接的电互连结构230，所述MOS晶体管中的电信号通过所述电互连结构230传输。
本实施例中，形成光电掺杂区210的方法包括：
在所述第三外延层130的第三表面131形成图形化层(未图示)，所述图形化层暴露出部分所述第三外延层130的第三表面131；以所 述图形化层为掩膜进行离子注入，在所述第三外延层130内形成光电掺杂区210。
所述光电掺杂区210的掺杂类型与第三外延层130的掺杂类型相反，如第三外延层130为P型掺杂，第一掺杂区为N型掺杂，或相反。这样，在垂直于第三外延层130的第三表面131的方向上，第一掺杂区和第三外延层130之间形成PN结，形成一个光电二极管。
本实施例中，所述电互连结构230包括叠置在一起的多层互连金属层和连接相邻两层互连金属层的插塞层(图中未示出)，其中互连金属层位于浅沟槽隔离结构240上方。电互连结构230的形成方法为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
参考图5，提供第二衬底300，将所述第二衬底300与所述第一衬底100在第一表面101方向键合，将所述第一衬底100翻转至第二表面102朝上。键合的方式可以是共熔键合，也可以是其他任何在半导体工艺中可行的焊接工艺。
翻转所述第一衬底100后，从所述第二表面102对所述第一衬底100进行减薄处理，具体的，所述减薄处理的步骤包括：
参考图6，从所述第一衬底100的第二表面102对所述第一衬底100进行刻蚀处理，直至暴露出所述第一外延层110的表面。
本实施例中，所述刻蚀处理为湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的工艺参数包括：所述刻蚀溶液包括HNA溶液，所述HNA溶液为由氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。
本实施例中，由于第一外延层110与所述第一衬底100具有离子浓度差，且湿法刻蚀对离子浓度非常敏感，刻蚀速率在浓度变化处会骤降，因此在湿法刻蚀过程中所述第一外延层110作为刻蚀停止层，可以使湿法刻蚀停止在第一衬底100与第一外延层110的交界处，提高减薄厚度的均一性。
参考图7，继续对所述第一外延层110进行平坦化处理，直至暴 露出所述第二外延层120的表面。
本实施例中，所述平坦化处理为化学机械抛光；所述化学机械抛光的工艺参数包括：选用SiO
2抛光液，抛光时间50～100秒。
本实施例中，化学机械抛光有利于进一步提高减薄处理的厚度均匀性。
本实施例中，所述化学机械抛光的厚度为所述第一外延层110的厚度，所述第一外延层110的厚度范围为1～3微米；如果所述第一外延层110的厚度大于3微米，第二离子可能会在第一外延层110内形成浓度渐变层，不利于刻蚀工艺的停止；如果所述第一外延层110的厚度小于1微米，在化学机械抛光时无法满足均匀性的需求，且容易造成过研磨，损伤到第二外延层120。
本实施例中，对第一外延层110进行平坦化处理后，保证暴露出的第二外延层120的表面平整，有利于最终形成的半导体结构的性能。
本实施例中，对所述第一外延层110进行平坦化处理后，还包括：采用TMAH溶液对暴露出的所述第二外延层120的表面进行处理，可以使第二外延层120表面的硅的晶向一致，有利于进一步提高减薄处理后的第二外延层120表面的平整度。
本实施例中，对所述第一衬底100进行减薄处理后，去除所述第一衬底100以及所述第一外延层110，保留所述第二外延层120和所述第三外延层130，像素单元形成在所述第三外延层130的第三表面131，最终形成的半导体结构在工作过程中，在光电二极管上施加反向偏置电压，从而在第三外延层130内形成耗尽区，如果施加的反向偏置电压较大，耗尽区容易扩展，通过保留离子浓度较大的第二外延层120，可以抑制耗尽区的扩展，避免耗尽区扩展到处理的界面处，在减薄处理的界面缺陷处生成暗电流，从而有利于最终形成的半导体结构的性能。
参考图8，在进行减薄处理后，在所述第二外延层120的第四表面121形成第二介质层250，所述第二介质层覆盖所述第二外延层120的第四表面121，以保护所述第二外延层120的第四表面121。
本实施例中，所述第二介质层250为单层结构，包括氧化硅层或氮化硅层或其他可行的介质材料。
在其他实施例中，所述第二介质层250为叠层结构，包括氧化硅层和位于氧化硅层上的氮化硅层。
继续参考图8，在所述第二介质层250、所述第二外延层120以及所述第三外延层130内形成导电插塞251，所述导电插塞251与所述电互连结构230中的互连金属层电连接。
本实施例中，形成所述导电插塞251的步骤包括：在所述第二介质层250、所述第二外延层120以及所述第三外延层130内形成通孔(图中未示出)，所述通孔位于第一介质层220中的电互连结构230中的互连金属层的上方，且露出所述第一介质层220；在所述通孔底部和所述第一介质层220中形成接触孔(图中未示出)，露出所述电互连结构230中的互连金属层；在所述通孔和所述接触孔内形成导电层。
本实施例中，形成导电层的步骤包括：在所述第二介质层250上和所述通孔、接触孔中形成导电材料(未图示)，所述导电材料填充满所述通孔、接触孔并覆盖所述第二介质层250，所述导电材料用于后续形成导电层；使用光刻、干法刻蚀工艺，去除通孔外的导电材料，在通孔和接触孔内剩余的导电材料作为导电层。
本实施例中，所述导电插塞251起到电连接作用，将第三外延层130的第三表面131上电互连结构230中的电信号传输至外围电路。
继续参考图8，在所述第二介质层250上形成若干滤光片410以及位于所述滤光片410上的透镜420，所述滤光片410与像素单元210在垂直于第三外延层130的第三表面131的方向上一一对准，以保证 能够准确捕捉入射光。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (20)
- 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，且所述第一衬底内具有第一离子，所述第一离子具有第一浓度；在所述第一衬底的第一表面上形成第一外延层，所述第一外延层内具有第二离子，所述第二离子具有第二浓度，所述第二浓度小于所述第一浓度；在所述第一外延层上形成第二外延层以及位于所述第二外延层上的第三外延层，所述第二外延层内具有第三离子，所述第三离子具有第三浓度，所述第三外延层内具有第四离子，所述第四离子具有第四浓度，所述第四浓度小于所述第三浓度；从所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二外延层的表面。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理的步骤包括：从所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底进行刻蚀处理，直至暴露出所述第一外延层的表面；对所述第一外延层进行平坦化处理，直至暴露出所述第二外延层的表面。
- 如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀处理为湿法刻蚀；所述湿法刻蚀处理的工艺参数包括：所述刻蚀溶液包括HNA溶液，所述HNA溶液为由氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。
- 如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理为化学机械抛光；所述化学机械抛光的工艺参数包括：选用SiO 2抛光液，抛光时间50～100秒。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子和所述第二离子的导电类型相反。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三离子和所述第四离子的导电类型相同。
- 如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子为P型离子；所述P型离子包括硼离子、铟离子、镓离子中的一种或几种。
- 如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子为N型离子；所述N型离子包括磷离子、砷离子、锑离子中的一种或几种。
- 如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三离子为P型离子；所述第四离子为P型离子；所述P型离子包括硼离子、铟离子、镓离子中的一种或几种。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一浓度的范围为2E18～5E18atoms/cm 3。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二浓度的范围为5E12～1E15atoms/cm 3。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三浓度的范围为6E17～5E18atoms/cm 3。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第四浓度的范围为1E13～2E14atoms/cm 3。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一外延层的厚度范围为1～3微米。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二外延层的厚度范围为1～5微米。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三外延层的厚度范围为4～10微米。
- 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三外延层包括第三表面，所述第三表面背离所述第二外延层，在对所述第一衬底进行减薄处理之前，还包括：在所述第三外延层内形成若干光电掺杂区；形成覆盖所述第三外延层的第三表面和所述光电掺杂区的第一介质层；在所述第一介质层内形成电互连结构。
- 如权利要求17所述的半导体结构的形成方法，其特征在 于，在形成电互连结构之后，还包括：提供第二衬底；将所述第一衬底的第一表面与所述第二衬底相键合。
- 如权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二外延层包括第四表面，所述第四表面与所述第一外延层相接触，在对所述第一衬底进行减薄处理之后，还包括：在所述第二外延层的第四表面形成第二介质层；在所述第二介质层、所述第二外延层以及所述第三外延层内形成通孔，所述通孔露出所述第一介质层；在所述通孔底部和所述第一介质层内形成接触孔，露出所述电互连结构；在所述通孔和所述接触孔内形成导电层。
- 如权利要求19所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二介质层上形成若干滤光片以及位于所述滤光片上的透镜。
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