CN116583787A - 光刻设备部件和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于光刻设备的掩模版平台，所述掩模版平台包括：至少一个光学元件，所述至少一个光学元件具有待清洁的区域；辐射束目标；以及控制系统，所述控制系统被配置成将辐射束引导至辐射束目标，其中，所述辐射束与气体的相互作用产生光学元件清洁用等离子体，其中，所述辐射束目标被定位成将所述光学元件清洁用等离子体提供至所述至少一个光学元件以清洁所述光学元件，并且其中，所述至少一个光学元件是不同于所述辐射束目标的元件，优选地，其中热敏性元件是基准件。也描述一种用于光刻设备的包括至少一个弯曲边缘的基准件、一种包括所述掩模版平台或基准件的光刻设备、以及一种清洁掩模版平台的光学元件的方法。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月08日递交的欧洲申请20212524.1和于2020年12月16日递交的欧洲申请20214417.6的优先权，并且这些欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于光刻设备的掩模版平台，一种用于光刻设备的基准件，一种包括这种掩模版平台和/或基准件的光刻设备，一种清洁光刻设备的掩模版平台的至少一个光学元件的方法，以及一种掩模版平台、基准件或这种方法在光刻设备或方法中的用法，以及一种计算机程序，和一种被配置成执行本发明所描述的方法的步骤的计算机可读介质。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
由光刻设备使用以将图案投影至衬底上的辐射的波长确定可以形成在所述衬底上的特征的最小大小。相较于常规光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)，使用具有在4nm至20nm范围内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
在操作中，诸如碳之类的污染物可能被沉积在光刻设备内的表面上。这些表面中的某些表面位于所述设备的光学元件上，所述光学元件是在操作中与辐射束相互作用的元件。这样的光学元件的性能由于诸如碳之类的污染物在其表面上的积聚而降低。因此，期望清洁所述光刻设备内的任何受污染表面，特别是与所述辐射束相互作用的任何表面。
本发明已被设计为提供用于清洁光刻设备的一个或更多个光学元件的改善或替代性系统，所述一个或更多个光学元件是热敏性元件。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种用于光刻设备的掩模版平台，所述掩模版平台包括：至少一个光学元件，所述至少一个光学元件具有待清洁的区域；辐射束目标；以及控制系统，所述控制系统被配置成将辐射束引导至辐射束目标，其中，所述辐射束与气体的相互作用产生光学元件清洁用等离子体，其中，所述辐射束目标被定位成将所述光学元件清洁用等离子体提供至所述至少一个光学元件以清洁所述光学元件，并且其中，所述至少一个光学元件是不同于所述辐射束目标的元件。所述掩模版平台被配置成接收物体。在一个实施例中，所述物体是掩模版。
先前，在光刻设备中利用EUV引发的等离子体来进行基准件碳清洁引起作为光学元件的基准件上的非常高的温度，并且这快速地引起所述基准件的损坏，从而导致所述基准件的反射率的劣化。这导致需要替换所述基准件，这花费长时间且导致延长所述设备的停机时间，其明显是不期望的。基准件也可以被视为光学元件。光学元件可以用于反射辐射束和/或用于在操作中与辐射束相互作用和/或用于从所被反射的所述辐射束获得信息。将基准件用于光刻设备的掩模版平台中，并且如果利用直接EUV辐射来清洁所述基准件，则基准物易于劣化且其可能不再可以充分地起作用。如此，需要改变整个掩模版平台，这导致所述设备的长停机时间。本发明试图解决这种问题。基准件和其它热敏性元件也用于光刻设备中的其它地方，并且可以在它们受损的情况下类似地需要替换或修复。
已发现，可能通过将诸如EUV辐射束之类的辐射束引导至辐射束目标上来间接地清洁光刻设备的诸如光学元件之类的热敏性元件，所述辐射束目标与光学元件自身是不同的元件。所述辐射束在所述光刻设备内与通常是氢气的气体相互作用以产生等离子体。所述等离子体在其能够达到待清洁的光学元件且从其移除污染物的位置中产生。先前尚未意识到，可以用这种方式清洁光刻设备的光学元件。通常，所述污染物包括碳，但在其它情况下，所述污染物可以是诸如锡之类的其它材料，并且等离子体能够从所述热敏性元件移除所述污染物。本发明的优点为：通过击中除了正在被清洁的热敏性光学元件之外的辐射束目标来产生等离子体可能在所述辐射束没有击中所述热敏性光学元件自身的情况下进行这种操作，由此减少所述热敏性光学元件上的高热载荷。对所述热敏性光学元件的热影响存在显著改善，这是由于诸如来自EUV辐射束之类的直接辐射能量不被所述热敏性光学元件吸收。本发明的另外的优点在于所述辐射束没有直接地照射所述热敏性光学元件，且因此，由碳污染物与氢等离子体之间的相互作用所产生的任何烃不立即再次分解成碳。在执行直接照射的系统中，清洁过程可以由这种机制部分地逆转。本发明允许对经受污染的任何热敏性光学元件进行清洁。所述热敏性元件优选地是基准标记。所述热敏性元件可以被实体地连接至掩模版平台、被附接至掩模版平台和/或被包括在掩模版平台中。因此，本发明有利地增加所述掩模版平台的寿命。虽然先前可以通过清洁等离子体的产生而清洁非光学元件，但这些元件不如光学元件敏感，并且因此没有人认识到如本文中所描述的那样产生的等离子体将会能够清洁光学元件且不造成损坏。
所述辐射束目标可以是用于限制衬底的待照射的区域的照射遮蔽件、掩模版夹具、束流收集器、或被配置成从所述辐射束吸收能量且产生等离子体的吸收体元件。所述照射遮蔽件也可以称为掩模版遮蔽用遮蔽件、或ReMa叶片或单元、或简称ReMa。如此，所述照射遮蔽件可以用于限制衬底的待照射的区域和/或限制光学元件的待照射的区域。所述束目标的关键特征在于：其能够耐受直接曝光至例如EUV辐射束的辐射束，并且从周围气体产生等离子体。由于所述束目标不是正被清洁的热敏性元件，则可能从更能够耐受直接曝光至辐射束的材料制造所述辐射束目标，这不必是针对热敏性元件的情况。
所述控制系统可以被配置成使所述辐射束目标相对于具有待清洁的区域的所述光学元件移动。替代或另外地，所述控制系统可以被配置成将具有待清洁的区域的所述光学元件移动至所述光学元件能够与所述光学元件清洁用等离子体相互作用的位置。为了提供最优清洁性能，期望产生接近待清洁的区域的等离子体，这是由于等离子体将随时间推移重组，使得如果所述光学元件过于远离正产生所述等离子体的地方，则将不会发生清洁。如此，设想了多个模式。可以存在以下静态模式：其中所述至少一个光学元件和所述辐射束目标是静态的，且所述辐射束被引导至所述辐射束目标上以便产生所述等离子体以清洁所述至少一个光学元件。另一模式可以是在所述辐射束目标上方扫描所述辐射束，并且可选地部分地曝光所述光学元件的具有除光学元件的任何吸收体区域以外的待清洁区域的一部分。例如，所述热敏性光学元件可以是用于所述光刻设备中以测量诸如位置或对准之类的至少一个参数的基准标记。所述扫描模式可以提供对正被清洁的所述热敏性元件的较均一的清洁。
所述设备可以包括被配置成供应所述气体的气体供应源。所述气体可以是氢气。所述气体供应源可以被配置成维持在约1Pa至约20Pa的范围内的气体压力。为了产生等离子体，必须存在有所述光刻设备内的气体。通常，光刻设备的内部是低压氢气环境。所述气体供应源被配置成供应这种气体。为了增加清洁所述光学元件的速率，气体(优选地为氢气)的压力可以在整个系统中或局部地增加。
所述辐射束目标可以被连接至所述至少一个光学元件。所述辐射束目标可以位于至少一个光学元件的约25mm内。由于等离子体由辐射束、辐射束目标与周围气体的相互作用产生，因此期望使所述辐射束目标接近所述至少一个光学元件以便产生接近于光学元件的待清洁的区域的等离子体。
所述辐射束目标可以包括调节系统。由于所述辐射束目标由辐射束直接地照射，因此其将变热，因此，可以提供调节系统以便管理这种热负载。
所述辐射束目标可以是束流收集器，其可选地包括铬。如同本文中所描述的任何辐射束目标，束流收集器可以包括调节系统。所述束流收集器可以位于所述掩模版平台上。
所述辐射束目标可以位于所述光学元件旁侧。以这种方式，最小化等离子体产生区域与待清洁区域之间的距离，从而引起较低的等离子体损耗和较高的清洁速率。
所述至少一个光学元件可以包括具有标记区域的基准标记。所述标记区域的形状可以包括矩形，其中，所述侧面中的至少一个侧面包括另外的半球形区域或半椭圆形区域。替代或另外地，所述标记区域包括至少一个弯曲边缘。现有基准件具有矩形形状，并且因此大比例的所述辐射束照射所述基准件的吸收体部分，从而引起所述基准件上的非常高的温度，诸如超过300℃，这引起快速的反射率劣化和随之产生的修复或替换所述基准件的需要，这导致所述光刻设备的相当大的停机时间。已发现，弯曲基准件能够反射较多的入射辐射，并且因此减小所述基准件的热吸收。特别地，弯曲基准件可以将温度从350℃降低至约145℃，并且这将所述基准件可以被静态地曝光至所述辐射束的时间从小于10秒增加至约100秒。所述基准件的反射区域可以增加，并且其可以延伸至所述基准件的边缘以进一步最小化吸收辐射的区域。这提供所述基准件的降低的热负载和降低的温度增益，而同时也允许现有掩模版平台扫描移动在生产期间保持不变。
至少一个照射遮蔽件包括两个叶片，并且所述控制系统被配置成利用所述两个叶片对所述至少一个光学元件进行开窗。所述两个叶片可以被称为掩模版遮蔽用叶片，也称为ReMa叶片。
所述叶片可以彼此平行地定位。所述至少一个光学元件可以位于叶片之间。所述至少一个光学元件可以位于与叶片的平面不同的平面中。在实施例中，所述光学元件和所述辐射束目标处于同一平面或平行平面中。
所述掩模版平台可以包括调节电路和间隔件。所述间隔件可以连接至所述至少一个光学元件。所述调节电路可以被配置成调节所述至少一个光学元件和所述间隔件。所述调节电路可被称为热调节电路。
所述气体可以是氢气。氢气通常用于光刻设备内，并且氢气等离子体能够移除所述设备内的碳沉积物。
所述辐射束可以是EUV束。
所述掩模版平台可以是光刻机器的系统或子系统。在光刻设备中，所述掩模版平台支撑用于所述光刻设备中的掩模版以将图案提供至入射辐射束。
所述至少一个光学元件可以是基准标记。可以提供基准件或基准标记以辅助对准测量，以便确定设备的元件的正确对准。出于测量的目的，基准件可以对辐射束的一部分进行图案化。例如，所述基准件可以包括反射型衍射光栅，所述反射型衍射光栅在被照射时可以形成多个衍射阶。在任何情况下，所述基准件与辐射相互作用以便提供有用信息。如果所述基准件变得例如受到碳污染，则其在反射辐射下将较不那么有效，并且这是不期望的。
根据本发明的第二方面，提供一种用于光刻设备的基准件，其中，所述基准件包括至少一个弯曲边缘。如上文所描述的，已意外地发现所述弯曲边缘会导致反射率增加，由此降低在曝光至辐射束时所述基准件被升高至的温度。现有基准件的形状是矩形且现有基准件不包括至少一个弯曲边缘。
所述基准件可以包括两个相反的线性边缘。虽然已发现，所述基准件包括至少一个弯曲边缘是有利的，但不是所有边缘都需要弯曲以显示有利效应。如此，所述基准件可以包括两个相反的线性边缘。所述相反的线性边缘可以是平行的或可以发散。所述基准件可以包括与一个大致线性边缘相反的一个弯曲边缘。如此，在实施例中，所述基准件包括三个线性边缘和一个弯曲边缘。根据第二方面的基准件可以是根据本发明的第一方面的光学元件。
根据本发明的第三方面，提供一种光刻设备，包括根据本发明的第一方面的掩模版平台或根据本发明的第二方面的基准件。
根据本发明的第四方面，提供一种用于清洁光刻设备的掩模版平台的至少一个光学元件的方法，所述方法包括提供本发明的任何方面的掩模版平台、以及将辐射束引导至所述辐射束目标以用于产生光学元件清洁用等离子体。
根据本发明的第五方面，提供一种根据本发明的任何方面的掩模版平台、基准件、或方法在光刻设备或方法中的用法。
根据本发明的第六方面，提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括指令，所述指令用于使本发明的任何方面的设备执行根据本发明的第四方面的方法的步骤。也提供一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上储存有根据本发明的第六方面的计算机程序。
应了解，关于一个方面或实施例所描述的特征可以与关于另一方面或实施例所描述的任何特征相组合，并且本文中明确地考虑和披露所有这样的组合。
附图说明
现在将参考随附示意性附图而仅借助于示例来描述本发明的实施例，在所述附图中，相对应的附图标记指示相对应的部分，并且在所述附图中：
图1描绘可以包括根据本发明的实施例的掩模版平台的光刻设备；
图2描绘根据本发明的掩模版平台的一个实施例的示意图；
图3描绘根据本发明的掩模版平台的实施例的示意图；
图4描绘包括束流收集器的根据本发明的掩模版平台的实施例的示意图；
图5描绘其中热敏性元件和辐射束目标相对于彼此移动的清洁过程；以及
图6a描绘现有技术基准件的形状，并且图6b和图6c描绘根据本发明的一方面的具有至少一个弯曲边缘的基准件的形状。
根据结合附图在下文阐述的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加显而易见，在附图中，相同的附图标号始终标识相对应的元件。在附图中，相同的附图标号通常指示相同的、功能上相似的和/或结构上类似的元件。以下详细描述将关于具有待清洁区域的光学元件来描述本发明，但应了解，其适用于对其它热敏性元件进行清洁。
具体实施方式
图1示出光刻设备。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL、配置成支撑图案形成装置MA(例如掩模)的支撑结构MT、投影系统PS、以及被配置成支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置成在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影系统被配置成将辐射束B(现在由掩模MA图案化)投影至衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，光刻设备将经图案化的辐射束B与先前形成在衬底W上的图案对准。
辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS都可以被构造且被布置成使得其可以与外部环境隔离。处于低于大气压力的压力下的气体(例如氢气)可以被设置在辐射源SO中。真空可以被设置在照射系统IL和/或投影系统PS中。在充分地低于大气压力的压力下的少量气体(例如，氢气)可以被设置在照射系统IL和/或投影系统PS中。
图1中示出的辐射源SO是属于可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。可以例如为CO2激光器的激光器被布置成经由激光束将能量沉积至从例如燃料发射器提供的诸如锡(Sn)之类的燃料中。虽然在以下描述中提及锡，但可以使用任何适合的燃料。燃料可以例如呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿朝向等离子体形成区的轨迹而引导例如呈小滴形式的锡。激光束在等离子体形成区处入射到锡上。激光能量至锡中的沉积在等离子体形成区处产生等离子体。在等离子体的离子的去激发和再结合期间从等离子体发射包括EUV辐射的辐射。
EUV辐射由近正入射辐射收集器(有时更一般地称为正入射辐射收集器)收集和聚焦。收集器可以具有布置成反射EUV辐射(例如具有诸如13.5nm的期望的波长的EUV辐射)的多层结构。收集器可以具有椭圆形配置，其具有两个椭圆焦点。第一焦点可以在等离子体形成区处，并且第二焦点可以在中间焦点处，如下文所论述的。
激光器可以与辐射源SO分离。在这样的情况下，激光束可以借助于包括例如适合的定向反射镜和/或扩束器和/或其它光学器件的束传递系统(未示出)，从激光器传递至辐射源SO。激光器和辐射源SO可以一起认为是辐射系统。
由收集器反射的辐射形成辐射束B。辐射束B聚焦在一点处以形成等离子体形成区的图像，所述图像用作用于照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B聚焦的点可以被称为中间焦点。辐射源SO被布置成使得中间焦点位于辐射源的围封结构中的开口处或附近。
辐射束B从辐射源SO传送至照射系统IL中，所述照射系统IL被配置成调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角分布。辐射束B从照射系统IL传递且入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射辐射束B且对所述辐射束进行图案化。除了琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11以外或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL也可以包括其它反射镜或装置。
在从图案形成装置MA反射之后，经图案化的辐射束B进入投影系统PS。投影系统包括多个反射镜13、14，所述多个反射镜13、14被配置成将辐射束B投影至由衬底台WT保持的衬底W上，所述衬底台WT也可以称为衬底平台。投影系统PS可以将减缩因子应用于辐射束，从而形成具有小于图案形成装置MA上的相应的特征的特征的图像。例如，可以应用为4的减缩因子。虽然在图1中投影系统PS具有两个反射镜13、14，但投影系统可以包括任何数目个反射镜(例如六个反射镜)。
图1所示出的辐射源SO可以包括未图示的部件。例如，辐射源中可以设置光谱滤波器。光谱滤波器可以大致透射EUV辐射，但大致阻挡其它波长的辐射，诸如红外辐射。
图2是本发明的实施例的示意性描绘。在这样的示例性实施例中，所述掩模版平台包括用于所述图案形成装置MA的支撑结构MT。因而，应了解，所述掩模版平台可以是光刻机器的系统或子系统。所述掩模版平台通常由数字15示出。所述掩模版平台15包括一个或更多个光学元件16。所描绘的示例包括两个光学元件16，但在一些实施例中，可以存在仅一个或多于两个光学元件16。在所描绘示例中，所述光学元件16是基准件。所述基准件用于与校准所述光刻设备且也提供与用于所述辐射束的定位相关的信息。所述光学元件16被污染物17污染，所述污染物17可以是碳。在所描绘的示例中，所述辐射束目标18是用于限制待照射的衬底的区域的照射遮蔽件。在其它实施例中，所述辐射束目标可以被设置成邻近于所述光学元件16，并且可以是束流收集器或掩模版夹具。在使用中，辐射束19被引导至所述辐射束目标18。所述辐射束19、所述辐射束目标18与周围气体的相互作用产生等离子体20，所述周围气体优选地是氢气。所述等离子体20能够与所述污染物17反应，并且由此清洁所述光学元件16。由于所述光学元件16不是所述辐射束目标18，则保护所述光学元件16免于直接地曝光至所述辐射束19，并且因此所述光学元件16不太可能通过过热而受损。
图3类似于图2，除了图3也描绘气体供应源21以外。所述气体供应源21将通常是氢气的气体供应给所述掩模版周围的区域，这产生一般被称为掩模版微环境的东西。如所描述的，本发明利用等离子体的产生来清洁掩模版平台的热敏性元件，诸如掩模版平台上的基准件。所述气体供应源21被配置成产生用于减少掩模版的表面的污染物的气体幕帘。
图4描绘束流收集器22位于所述光学元件16旁侧的实施例。如此，当辐射束照射所述束流收集器22时，在所述光学元件16旁侧产生等离子体且等离子体能够清除掉所述污染物17。所述束流收集器22可以与所述光学元件16分离，或与所述光学元件16相连或连接至所述光学元件16。可以存在被配置成调节所述束流收集器22和/或所述光学元件16的调节系统23。应了解，可以在所述辐射束目标是除束流收集器22以外的元件的实施例中提供调节系统。本发明不特别受限于所选调节系统的确切性质。在实施例中，所述调节系统23可以包括水冷却回路。
图5描绘本发明的实施例，其中，所述热敏性光学元件与所述辐射束目标相对于彼此移动以便从所述热敏性光学元件清洁所述污染物17。在第一平台中，所述辐射束目标18和所述辐射束19被定位成在存在于所述热敏性元件16(所述热敏性元件16是光学元件)上的所述污染物17的第一区中产生等离子体20。随着清洁过程进展，所述光学元件16和所述辐射束目标18相对于彼此移动，使得所述辐射束目标18和所述辐射束19被定位成在存在于所述光学元件16上的污染物17的第二区中产生等离子体20，由此清洁所述第二区。所述清洁过程还可以进一步进展，并且所述光学元件16和所述辐射束目标18相对于彼此移动，使得所述辐射束目标18和所述辐射束19被定位成在存在于所述光学元件16上的污染物17的第三区中产生等离子体，由此清洁所述第三区。应了解，这可继续直到所述光学元件16已经被充分地清洁为止。所述过程可以根据需要重复一次或更多次。可以根据需要在所述光学元件与所述辐射束目标之间存在连续的或步进的相对移动。在其它实施例中，所述光学元件和所述辐射束目标相对于彼此保持在静态位置中，并且所述辐射束在所述辐射束目标上方移动以便在不同部位处产生等离子体且由此清洁所述光学元件。应了解，所述光学元件和所述辐射束目标最初可以相对于彼此移动以便将它们放置到所需的位置中以供用于所述辐射束的后续扫描。
图6a描绘现有技术基准件，其形状为矩形且具有四个线性边缘。相比之下，根据本发明的基准件，在图6b和图6c中示出的示例包括至少一个弯曲边缘。特别地，图6b的所述基准件包括两个相反的弯曲边缘，并且图6c的基准件包括单个弯曲边缘。所述基准件具有反射部分和吸收体部分。如此，对于如图6a中示出的常规形状的基准件，大比例的入射辐射束击中所述吸收体部分，导致所述基准件上的非常高的温度，诸如超过300℃，这导致快速反射率劣化且需要修复或替换所述基准件。通过提供具有至少一个弯曲边缘的基准件，诸如图6b和图6c中所描绘的，所述基准件的温度可以例如从超过300℃显著减小至小于150℃。另外，所述基准件可以被静态地曝光至辐射束的最大时间可以从小于10秒增加至超过一分钟，诸如多达100秒。
可以管理所述基准件的温度的另一方式是通过增大所述基准件的反射区域的量，因为在较低量的吸收体部分的情况下，则吸收来自入射辐射束的较少能量。
总之，本发明提供在不将这些元件直接曝光至辐射束的情况下对光刻设备的光学元件的清洁。这防止所述元件的损坏且减小所述光刻设备的停机时间。所述辐射束目标可以被配置成能够耐受至辐射束的直接曝光，并且因此不受由所述辐射束进行的直接照射的影响。通常是氢气的气体可以被转换成等离子体，其接着能够从所述光学元件清洁污染物，所述污染物通常是碳。本发明的另外的优点是减少或消除由于烃的分解而引起的碳被再沉积在热敏性元件上的问题。
虽然上文已描述本发明的具体实施例，但应了解，可以用与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。
上述描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因而，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对如所描述的本发明进行修改。
Claims (20)
1.一种用于光刻设备的掩模版平台，所述掩模版平台包括：
至少一个光学元件，所述至少一个光学元件具有待清洁的区域；
辐射束目标；以及
控制系统，所述控制系统被配置成将辐射束引导至辐射束目标，其中，所述辐射束与气体的相互作用产生光学元件清洁用等离子体，其中，所述辐射束目标被定位成将所述光学元件清洁用等离子体提供至所述至少一个光学元件以清洁所述光学元件，并且其中，所述至少一个光学元件是不同于所述辐射束目标的元件。
2.根据权利要求1所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述辐射束目标是用于限制衬底的待照射的区域的照射遮蔽件、掩模版夹具、束流收集器、或被配置成从所述辐射束吸收能量且产生等离子体的吸收体元件。
3.根据权利要求2所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述控制系统被配置成使所述辐射束目标相对于具有待清洁的区域的所述光学元件移动，和/或其中，所述控制系统被配置成将具有待清洁的区域的所述光学元件移动至所述光学元件能够与所述光学元件清洁用等离子体相互作用的位置。
4.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，还包括配置成供应所述气体的气体供应源，可选地，其中，所述气体供应源被配置成维持在1Pa至20Pa的范围内的气体压力。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述辐射束目标被连接至所述至少一个光学元件或位于与所述至少一个光学元件相距的距离小于或等于25mm的范围内。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述辐射束目标还包括调节系统。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述辐射束目标是束流收集器，可选地，其中，所述束流收集器包括Cr。
8.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，具有待清洁的区域的所述至少一个光学元件包括具有标记区域的基准标记，可选地，其中，所述标记区域的形状包括矩形，其中，所述侧面中的一个包括另外的半球形区域或半椭圆形区域，或包括至少一个弯曲边缘。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，至少一个照射遮蔽件包括两个叶片，并且所述控制系统被配置成利用所述两个叶片对所述至少一个光学元件进行开窗。
10.根据权利要求9所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述叶片彼此平行地定位，并且所述至少一个光学元件位于所述叶片之间。
11.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，包括调节电路和间隔件，其中，所述间隔件被连接至所述至少一个光学元件，并且所述调节电路被配置成调节所述至少一个光学元件和所述间隔件。
12.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述气体是氢气。
13.根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，其中，所述辐射束是EUV束。
14.一种用于清洁掩模版平台的至少一个光学元件的方法，所述方法包括：
提供根据前述权利要求中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台，
将辐射束引导至所述辐射束目标以用于产生光学元件清洁用等离子体。
15.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括指令，所述指令用于使根据权利要求1至13中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台执行根据权利要求14所述的方法的步骤。
16.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上储存有根据权利要求15所述的计算机程序。
17.一种用于光刻设备的基准件，其中，所述基准件包括至少一个弯曲边缘。
18.根据权利要求17所述的基准件，其中，所述基准件包括两个相反的线性边缘，和/或其中所述基准件包括与一个大致线性边缘相反的一个弯曲边缘。
19.一种光刻设备，包括根据权利要求1至13中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台、或根据权利要求17或18中任一项所述的基准件。
20.根据权利要求1至13中任一项所述的用于光刻设备的掩模版平台、根据权利要求17或18所述的基准件、或根据权利要求14所述的方法在光刻方法或设备中的使用。
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