CN116568072A - 一种高透射率的柔性oled显示器件及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 117
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 59
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 57
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 28
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- PTVDYARBVCBHSL-UHFFFAOYSA-N copper;hydrate Chemical compound O.[Cu] PTVDYARBVCBHSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- -1 ITO anode plate Substances 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 235000015220 hamburgers Nutrition 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000011268 retreatment Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
本发明公开了一种高透射率的柔性OLED显示器件及其制备方法，属于OLED显示技术领域，该高透射率的柔性OLED显示器件包括阴极板、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、ITO阳极板、聚酰亚胺基板，所述ITO阳极板与空穴注入层之间设置第一功能层，所述聚酰亚胺基板与阳极板之间设有第二功能层，ITO阳极板朝向空穴注入层侧与第一功能层相互嵌设，第二功能层朝向聚酰亚胺基板侧有若干凸起，嵌入聚酰亚胺基板内部；该柔性OLED显示器件具有透射率高，发光效率高，可降低驱动电压功率消耗的优点。
Description
技术领域
本发明属于OLED显示技术领域，尤其涉及一种高透射率的柔性OLED显示器件及其制备方法。
背景技术
OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电激光显示(Organic Electroluminescence Display,OELD)。因为具备轻薄、省电等特性，因此从2003年开始，这种显示设备在MP3播放器上得到了广泛应用，而对于同属数码类产品的DC与手机，此前只是在一些展会上展示过采用OLED屏幕的工程样品，还并未走入实际应用的阶段。但OLED屏幕却具备了许多LCD不可比拟的优势，因此它也一直被业内人士所看好。
OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，可视角度更大，并且能够显着节省电能。
目前在OLED的二大技术体系中，低分子OLED技术为日本掌握，而高分子的PLEDLG手机的所谓OEL就是这个体系，技术及专利则由英国的科技公司CDT掌握，两者相比PLED产品的彩色化上仍有困难。而低分子OLED则较易彩色化，不久前三星就发布了65530色的手机用OLED。
为了形象说明OLED构造，可以将每个OLED单元比做一块汉堡包，发光材料就是夹在中间的蔬菜。每个OLED的显示单元都能受控制地产生三种不同颜色的光。OLED与LCD一样，也有主动式和被动式之分。被动方式下由行列地址选中的单元被点亮。主动方式下，OLED单元后有一个薄膜晶体管(TFT)，发光单元在TFT驱动下点亮。主动式的OLED比较省电，但被动式的OLED显示性能更佳。
OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。OLED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光，因此可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为21世纪最具前途的产品之一。
同时在柔性屏的发展过程中，由于玻璃基板的延展性较差，因此逐渐使用透明的聚酰亚胺材料作为基板，而对于上述的OLED的基本结构，其中空穴由ITO注入空穴注入层(HIL)时，由于过大位能差，使得空穴不易注入，且ITO表面的尖端物质或突起物较多，这些不平整层的细粒之间所形成的路径会提供空穴直接射向阴极的机会，而这些错综复杂的路径会使漏电流增加，因此现有技术中需要对ITO进行再处理同时采用O2-Plasma处理增加平整度及氧饱和度。
针对上述问题，本发明人研究发现聚酰亚胺基板可进一步降低发射率，同时ITO再处理可能导致表面裂痕，增加折射率，因此本发明人主要针对进一步降低聚酰亚胺基板的发射率，且增加透射率的同时，保证ITO注入空穴注入层时空穴注入的容易度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高透射率的柔性OLED显示器件，以解决现有技术中存在的上述问题，采用本发明的柔性OLED显示器件，其透射率高，提高了发光效率，可降低驱动电压功率消耗。
本发明的另一个目的是提供一种上述高透射率的柔性OLED显示器件的制备方法。
本发明提供的高透射率的柔性OLED显示器件，包括阴极板、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、ITO阳极板、聚酰亚胺基板，所述ITO阳极板与空穴注入层之间设置第一功能层，所述聚酰亚胺基板与阳极板之间设有第二功能层，ITO阳极板朝向空穴注入层侧与第一功能层相互嵌设，第二功能层朝向聚酰亚胺基板侧有若干凸起，嵌入聚酰亚胺基板内部。
优选地，所述第一功能层平均厚度为300～600nm。
优选地，所述第二功能层平均厚度为300～500nm。
所述第一功能层由若干的改性纳米二氧化硅颗粒组成，对纳米二氧化硅进行前处理，经过前处理的纳米二氧化硅与所述ITO阳极板结合，在ITO阳极板上形成平整的层状结构。
所述第二功能层由若干均匀分散在聚酰亚胺基板内部的纳米二氧化硅颗粒组成，纳米二氧化硅颗粒经过金属包覆，经过金属包覆的纳米二氧化硅颗粒均匀的分散在所述聚酰亚胺基板上，分散后脱除金属外壳，形成均匀向聚酰亚胺基板凸入的所述第二功能层。
经过本发明人研究，由于现有的ITO采用射频溅镀法制造，其表面有尖端物质或突起物，因此会增加漏电流，提高功率损耗，同时ITO注入空心注入层的位能差大，空虚不易注入，需要对ITO进行处理；且本发明人研究过程中发现纳米二氧化硅材料具有良好的低反射率，高透射率的特点，因此本发明人在本发明中提出使用第一功能层中，在上述第一功能层中，对纳米二氧化硅颗粒进行前处理，由于纳米二氧化硅内存在的羟基基团不稳定，容易在空气中形成氧化层，因此在其表面羟基数量不够，为了使得纳米二氧化硅与ITO契合交叉度高，进一步增加纳米二氧化硅上的羟基基团数量，同时对ITO进行前处理，断裂破坏其内部的铟氧双键，将经过增量羟基的纳米二氧化硅与经过前处理的ITO混合，进而可将纳米二氧化硅颗粒填充至ITO表面，与其表面的尖端物质或突起物齐平，提高ITO与空穴注入层之间的平整度，进一步由于纳米二氧化硅内部含氧量高，进而在提高平整度的同时可提高氧原子浓度，因此可在普通镀膜的基础上进一步增加功函数，降低空穴注入难度，提高发光效率，可降低驱动电压功率消耗。
由于聚酰亚胺基板较玻璃基板延展性好，因此大量用于柔性的OLED显示领域，在本发明中，为了进一步提高聚酰亚胺的透射率，在聚酰亚胺基板与ITO阳极板之间增加第二功能层，在上述的第二功能层中，由于纳米二氧化硅材料的反射率低，具有优异的透光效率，因此经过本发明人的研究，选用纳米二氧化硅材料对聚酰亚胺基本进行复合增强，提高其透射率，但是由于纳米二氧化硅中含有羟基基团，具有较强的积聚性，因此直接使用纳米二氧化硅颗粒加强，会在聚酰亚胺基板上形成团聚状的纳米二氧化硅，从而不可避免的可能导致折射率增加，在本发明中，首先将纳米二氧化硅颗粒进行金属包覆，避免其团聚，在分散至聚酰亚胺中，再去除金属包覆外壳，固化后即可在聚酰亚胺上形成第二功能层。
优选地，所述前处理使用的试剂为过氧化氢溶液和盐酸溶液。
优选地，所述包覆的金属为铜或铝或钠。
本发明提供的高透射率的柔性OLED显示器件的制备方法，包括下列步骤：
步骤1：提供一未进行表面平整的ITO阳极板；
步骤2：制作第一功能层；
步骤3：制作带有第二功能层的聚酰亚胺基板；
步骤4：在带有第二功能层的聚酰亚胺基板上自下而上形成ITO阳极板、第一功能层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极板；
步骤5：封装，完成OLED显示器件制备。
优选地，所述步骤2具体的操作步骤如下：
步骤201：选取纳米二氧化硅颗粒，添加水及过氧化氢溶液、盐酸溶液，混合均匀后得到混合液1，对混合液1的沉淀物过滤收集，得到固体物1；
步骤202：将步骤201中ITO阳极板加热至400～500℃，加热容器与ITO阳极板尺寸契合，完全装载ITO阳极板，加热至目标温度过程中逐渐通入氢气，得到熔融物1，在熔融物1表面均匀洒入步骤2中固定物1，得到熔融物2；
步骤203：对熔融物1进行烘干，烘干温度为50～60℃，得到固体物2；
步骤204：将固定体物2六个面进行打磨平整，收取，完成制备。
优选地，所述步骤3具体的操作步骤如下：
步骤301：选取氧化铜，在300℃条件下通过氢气还原成铜，还原完成后冷却至60～80℃，得到铜与水混合物1；
步骤302：在混合物1中加入纳米二氧化硅颗粒，均匀混合后得到固体物3；
步骤303：提供一玻璃基板；
步骤304：在玻璃基板上均匀涂覆聚酰亚胺基层；
步骤305：聚酰亚胺基层背离玻璃基板侧均匀铺设固体物3；
步骤306：铺设后，将玻璃基板与聚酰亚胺基层浸入盐酸溶液，静置3～6小时，过滤同时逐步加热固化；
步骤307：通过激光去除玻璃基板，收集聚酰亚胺基层，进行边缘平整处理，得到带有第二功能层的聚酰亚胺基板。
本发明的有益效果是：设置第一功能层，第一功能层利用若干的改性纳米二氧化硅颗粒与还原处理后的ITO阳极板结合，利用改性纳米二氧化硅颗粒上羟基基团与ITO阳极板断裂后的氧键结合，因此形成嵌设式的结构，同时由于二氧化硅的氧原子饱和度高，可提高ITO阳极板表面平整度，降低ITO阳极板上空穴进入空穴注入层的难度，进而提高发光效率，同时可提高透射率；进一步设置第二功能层，利用包覆金属后的纳米二氧化硅与聚酰亚胺结合，利用金属包覆可减少纳米二氧化硅团聚性，使得纳米二氧化硅充分分散在聚酰亚胺中，从而进一步降低聚酰亚胺的折射率和发射率，进而进一步提高聚酰亚胺基板的透射率；在封装OLED后，整体的发光效率提高，透射率提高，应用前景良好。
附图说明
图1是本发明提供的一种高透射率的柔性OLED显示器件结构示意图；
图2是本发明提供的一种高透射率的柔性OLED显示器件的制备流程示意图。
图中：1、阴极板；2、电子传输层；3、发光层；4、空穴传输层；5、空穴注入层；6、第一功能层；7、ITO阳极板；8、第二功能层；9、聚酰亚胺基板。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下。
请参考图1，下面将结合附图对本发明实施例的高透射率的柔性OLED显示器件作详细说明。
本实施例中的高透射率的柔性OLED显示器件，包括阴极板、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、ITO阳极板、聚酰亚胺基板，其特征在于，所述ITO阳极板与空穴注入层之间设置第一功能层，所述聚酰亚胺基板与阳极板之间设有第二功能层，ITO阳极板朝向空穴注入层侧与第一功能层相互嵌设，第二功能层朝向聚酰亚胺基板侧有若干凸起，嵌入聚酰亚胺基板内部。
其中阴极板选用银材料；
电子传输层采用8-羟基喹啉和铝；
发光层采用现有的OLED技术中的荧光主体材料；
空穴传输层采用现有的OLED技术中的芳香胺荧光化合物；
空穴注入层采用现有的OLED技术中的芳香胺荧光化合物；
ITO阳极板即为氧化铟锡；
第一功能层平均厚度为450nm。
第二功能层平均厚度为450nm。
参考图2，本发明的OLED显示器件的制备方案如下：
步骤1：提供一未进行表面平整的ITO阳极板；
步骤2：制作第一功能层；
步骤3：制作带有第二功能层的聚酰亚胺基板；
步骤4：在带有第二功能层的聚酰亚胺基板上自下而上形成ITO阳极板、第一功能层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极板；
步骤5：封装，完成OLED显示器件制备。
进而首先选取上述材料制备阴极板、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层，待用，再经过以下步骤制备第一功能层与第二功能层。
其中，第一功能层由若干的改性纳米二氧化硅颗粒组成，对纳米二氧化硅进行前处理，经过前处理的纳米二氧化硅与所述ITO阳极板结合，在ITO阳极板上形成平整的层状结构，因此选取现有市场购买的化学纯纯度的纳米二氧化硅材料，开始制备：
步骤201：选取纳米二氧化硅颗粒，添加水及过氧化氢溶液、盐酸溶液，混合均匀后得到混合液1，对混合液1的沉淀物过滤收集，得到固体物1；
步骤202：将步骤201中ITO阳极板加热至450℃，加热容器与ITO阳极板尺寸契合，完全装载ITO阳极板，加热至目标温度过程中逐渐通入氢气，得到熔融物1，在熔融物1表面均匀洒入步骤2中固定物1，得到熔融物2；
步骤203：对熔融物1进行烘干，烘干温度为60℃，得到固体物2；
步骤204：将固定体物2六个面进行打磨平整，收取，完成制备。
在具体的制备过程中，盐酸首先与纳米二氧化硅表面的氧化物反应，去除纳米二氧化硅表面氧化物，同时过氧化氢在水中分解出氢离子和羟基基团，且失去表面氧化物后的纳米二氧化硅由于还存在羟基基团，进而发生水解，硅氧键部分断裂，进而在溶液中形成大量的羟基，附着在纳米二氧化硅表面，随着取出溶液，收集固体，得到前处理后的纳米二氧化硅颗粒；
进一步对于ITO阳极板前处理，在450℃下，处于熔融状态，由于氧化铟锡内部含有90％的铟氧双键，同时通入氢气，氢气对其还原，降低为低阶氧化物，使得铟氧双键断裂，进而在此熔融物的表面添加含大量羟基的纳米二氧化硅颗粒，由于氧与羟基结合合成水，进而使得纳米二氧化硅颗粒不断与熔融物表面附着契合，形成嵌设的第二功能层的ITO阳极板。
在完成制备后，对其干燥回收，打磨后，制备OLED显示器件时，将附着有第二功能层的ITO阳极板侧与空穴注入层贴合。
进一步准备第二功能层，其中第二功能层由若干均匀分散在聚酰亚胺基板内部的纳米二氧化硅颗粒组成，纳米二氧化硅颗粒经过金属包覆，经过金属包覆的纳米二氧化硅颗粒均匀的分散在所述聚酰亚胺基板上，分散后脱除金属外壳，形成均匀向聚酰亚胺基板凸入的所述第二功能层。
使用的前处理使用的试剂为过氧化氢溶液和盐酸溶液；包覆的金属为铜或铝或钠。
操作步骤如下：
步骤301：选取氧化铜，在300℃条件下通过氢气还原成铜，还原完成后冷却至70℃，得到铜与水混合物1；
步骤302：在混合物1中加入纳米二氧化硅颗粒，均匀混合后得到固体物3；
步骤303：提供一玻璃基板；
步骤304：在玻璃基板上均匀涂覆聚酰亚胺基层；
步骤305：聚酰亚胺基层背离玻璃基板侧均匀铺设固体物3；
步骤306：铺设后，将玻璃基板与聚酰亚胺基层浸入盐酸溶液，静置5小时，过滤同时逐步加热固化；
步骤307：通过激光去除玻璃基板，收集聚酰亚胺基层，进行边缘平整处理，得到带有第二功能层的聚酰亚胺基板。
在制备过程中，由于纳米二氧化硅表面的羟基，因此具有亲水性，在添加至铜与水混合物1中时，纳米二氧化硅在混合物1中溶解，采用超声分散铜后，纳米二氧化硅与分散后的铜机械搅拌混合均匀，再进行烘干水分，形成具有包覆结构的纳米二氧化硅颗粒，同时由于聚酰亚胺为热固化树脂，在未加热时为流态，将包覆结构的纳米二氧化硅颗粒放置于聚酰亚胺上层，其中聚酰亚胺下层为玻璃基板，同时开始静置，由于在包覆结构的纳米二氧化硅颗粒重力的作用下，包覆结构的纳米二氧化硅颗粒逐渐向聚酰亚胺内部移动，进而逐渐形成凸起结构，同时在静置过程中，由于盐酸的作用，铜在静置过程中随着逐渐向聚酰亚胺内部移动时同时逐渐脱离纳米二氧化硅颗粒，此时逐步加热，聚酰亚胺逐步固化，固化后的聚酰亚胺基板上形成均匀向聚酰亚胺基板凸入的所述第二功能层。
最后在带有第二功能层的聚酰亚胺基板上自下而上形成ITO阳极板、第一功能层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极板，再进行封装，完成OLED显示器件制备。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种高透射率的柔性OLED显示器件，包括阴极板、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、ITO阳极板、聚酰亚胺基板，其特征在于，所述ITO阳极板与空穴注入层之间设置第一功能层，所述聚酰亚胺基板与阳极板之间设有第二功能层，ITO阳极板朝向空穴注入层侧与第一功能层相互嵌设，第二功能层朝向聚酰亚胺基板侧有若干凸起，嵌入聚酰亚胺基板内部。
2.根据权利要求1所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述第一功能层平均厚度为300～600nm。
3.根据权利要求1所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述第二功能层平均厚度为300～500nm。
4.根据权利要求2所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述第一功能层由若干的改性纳米二氧化硅颗粒组成，对纳米二氧化硅进行前处理，经过前处理的纳米二氧化硅与所述ITO阳极板结合，在ITO阳极板上形成平整的层状结构。
5.根据权利要求3所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述第二功能层由若干均匀分散在聚酰亚胺基板内部的纳米二氧化硅颗粒组成，纳米二氧化硅颗粒经过金属包覆，经过金属包覆的纳米二氧化硅颗粒均匀的分散在所述聚酰亚胺基板上，分散后脱除金属外壳，形成均匀向聚酰亚胺基板凸入的所述第二功能层。
6.根据权利要求4所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述前处理使用的试剂为过氧化氢溶液和盐酸溶液。
7.根据权利要求5所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述包覆的金属为铜或铝或钠。
8.一种高透射率的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤1：提供一未进行表面平整的ITO阳极板；
步骤2：制作第一功能层；
步骤3：制作带有第二功能层的聚酰亚胺基板；
步骤4：在带有第二功能层的聚酰亚胺基板上自下而上形成ITO阳极板、第一功能层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极板；
步骤5：封装，完成OLED显示器件制备。
9.根据权利要求8所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤2具体的操作步骤如下：
步骤201：选取纳米二氧化硅颗粒，添加水及过氧化氢溶液、盐酸溶液，混合均匀后得到混合液1，对混合液1的沉淀物过滤收集，得到固体物1；
步骤202：将步骤201中ITO阳极板加热至400～500℃，加热容器与ITO阳极板尺寸契合，完全装载ITO阳极板，加热至目标温度过程中逐渐通入氢气，得到熔融物1，在熔融物1表面均匀洒入步骤2中固定物1，得到熔融物2；
步骤203：对熔融物1进行烘干，烘干温度为50～60℃，得到固体物2；
步骤204：将固定体物2六个面进行打磨平整，收取，完成制备。
10.根据权利要求8所述的一种高透射率的柔性OLED显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤3具体的操作步骤如下：
步骤301：选取氧化铜，在300℃条件下通过氢气还原成铜，还原完成后冷却至60～80℃，得到铜与水混合物1；
步骤302：在混合物1中加入纳米二氧化硅颗粒，均匀混合后得到固体物3；
步骤303：提供一玻璃基板；
步骤304：在玻璃基板上均匀涂覆聚酰亚胺基层；
步骤305：聚酰亚胺基层背离玻璃基板侧均匀铺设固体物3；
步骤306：铺设后，将玻璃基板与聚酰亚胺基层浸入盐酸溶液，静置3～6小时，过滤同时逐步加热固化；
步骤307：通过激光去除玻璃基板，收集聚酰亚胺基层，进行边缘平整处理，得到带有第二功能层的聚酰亚胺基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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| CN116568072A true CN116568072A (zh) | 2023-08-08 |
| CN116568072B CN116568072B (zh) | 2024-01-26 |
Family
ID=87487774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202310569701.6A Active CN116568072B (zh) | 2023-05-18 | 2023-05-18 | 一种高透射率的柔性oled显示器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN116568072B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103904218A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于金属颗粒的钙钛矿薄膜太阳能电池结构 |
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| CN103904218A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于金属颗粒的钙钛矿薄膜太阳能电池结构 |
| CN104103766A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN106206969A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-12-07 | 成都鼎智汇科技有限公司 | 基于聚酰亚胺的石墨烯电致发光器件 |
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