CN116564949A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域，显示面板包括衬底；驱动阵列层，驱动阵列层位于衬底的一侧，驱动阵列层包括多个第一凹槽；遮光层，遮光层位于驱动阵列层远离衬底的一侧，遮光层包括多个第一开口，第一开口贯穿遮光层，第一凹槽在衬底的正投影至少部分围绕第一开口在衬底的正投影；多个发光器件，发光器件在衬底的正投影与第一开口在衬底的正投影至少部分交叠；至少部分遮光层位于第一凹槽内。显示装置包括上述显示面板。本发明不仅能够降低发光二极管的转移难度，还有利于提高绑定良率，保证显示品质。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。作为新兴显示技术，微元件显示相较于液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示有较多优势，如较低的功耗，较高的色域，较快的相应速率等，对封装水氧隔绝要求不高。因此迷你型发光二极管(Mini Light-Emitting Diode，Mini LED)和微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，MicroLED)被视为较有发展前景的一种显示技术。
区别于有机发光二极管显示面板采用膜层沉积的制作方式，Micro-LED或者MiniLED显示面板中排布的发光元件主要采用转移技术来实现，在制备过程中，通常采用发光二极管转移装置将Micro-LED转移到显示基板上，但是目前还有诸多技术难点需要克服，如巨量转移难度大，容易出现绑定不良，造成成品良率低，显示效果无法保证的问题。
因此，提供一种不仅能够降低发光二极管的转移难度，还有利于提高绑定良率，保证显示品质的显示面板和显示装置，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板和显示装置，以解决现有的微元件显示技术中巨量转移难度大，容易出现绑定不良，造成成品良率低，显示效果无法保证的问题。
本发明公开了一种显示面板，包括：衬底；驱动阵列层，驱动阵列层位于衬底的一侧，驱动阵列层包括多个第一凹槽；遮光层，遮光层位于驱动阵列层远离衬底的一侧，遮光层包括多个第一开口，第一开口贯穿遮光层，第一凹槽在衬底的正投影至少部分围绕第一开口在衬底的正投影；多个发光器件，发光器件在衬底的正投影与第一开口在衬底的正投影至少部分交叠；至少部分遮光层位于第一凹槽内。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板包括衬底，衬底作为承载基板使用，用于制作位于衬底的一侧的驱动阵列层、遮光层和发光器件等膜层结构。驱动阵列层可以理解为制作驱动发光器件发光的驱动电路结构的膜层，如制作驱动发光器件发光的薄膜晶体管等电路结构，驱动阵列层远离衬底的一侧包括遮光层，遮光层的制作材料可以为绝缘且能够起到遮挡光线作用的材料，遮光层包括多个第一开口，第一开口贯穿遮光层，第一开口用于暴露出绑定层的绑定电极，便于后续发光器件转移后，在该第一开口内通过发光器件的阴极和阳极分别与第一开口暴露的绑定电极绑定电连接。遮光层仅在需要绑定发光器件的位置设置第一开口，其余区域通过遮光层材料的遮挡，可以有效的降低屏幕反射率，避免外界光线对显示面板的显示效果产生影响。本发明设置驱动阵列层包括多个第一凹槽，第一凹槽在衬底的正投影至少部分围绕第一开口在衬底的正投影，从而可以使得第一凹槽所在区域的驱动阵列层下陷至一定程度，下陷的高度即为第一凹槽的深度。在遮光层的制程过程中，遮光层未固化前，利用其未固化时良好的流动性，使其流动填充至第一凹槽位置，从而可以使得第一凹槽以外区域的遮光层厚度大大降低，进而可以改善因发光器件周围的膜层高度较高造成转移时的键合干涉的问题，降低采用微印章转移发光器件的下压过程中，微印章与发光器件周围的膜层干涉的风险，有利于提升发光器件的转移效率和后续与绑定电极的绑定良率，保证显示品质。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图；
图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图；
图3是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图4是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图5是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图6是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图7是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图8是图5中第一凹槽位置的局部平面结构示意图；
图9是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图10是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图11是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图12是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的局部平面结构示意图；
图13是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图；
图14是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图；
图15是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图；
图16是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图；
图17是图16中G-G’向的剖面结构示意图；
图18是图16中G-G’向的另一种剖面结构示意图；
图19是图1中I-I’向的剖面结构示意图；
图20是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图；
图21是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；
图22是图21中B-B’向的剖面结构示意图；
图23是是图21中C-C’向的剖面结构示意图；
图24是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图25是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图26是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图27是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图28是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图29是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图30是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图31是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；
图32是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；
图33是图32中E-E’向的剖面结构示意图；
图34是图32中E-E’向的另一种剖面结构示意图；
图35是图32中E-E’向的另一种剖面结构示意图；
图36是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；
图37是图36中F-F’向的剖面结构示意图；
图38是图36中F-F’向的另一种剖面结构示意图；
图39是图36中F-F’向的另一种剖面结构示意图；
图40是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是，本发明实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请参考图1和图2，图1是本发明实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图，本实施例提供的显示面板000，包括：
衬底10；
驱动阵列层20，驱动阵列层20位于衬底10的一侧，驱动阵列层20包括多个第一凹槽20K1；
遮光层30，遮光层30位于驱动阵列层20远离衬底10的一侧，遮光层30包括多个第一开口301，第一开口301贯穿遮光层30，第一凹槽20K1在衬底10的正投影至少部分围绕第一开口301在衬底10的正投影；
多个发光器件40，发光器件40在衬底10的正投影与第一开口301在衬底10的正投影至少部分交叠；
至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1内。
具体而言，本实施例提供的显示面板000可以为次毫米发光二极管(mini LED)或者微发光二极管(micro LED)显示面板，显示面板000的膜层结构中包括衬底10，衬底10可以作为显示面板000的承载基板使用，用于在衬底10上制作和设置显示面板000的其余结构，如本实施例中用于制作位于衬底10的一侧的驱动阵列层20、遮光层30和发光器件40等膜层结构。可以理解的是，驱动阵列层20可以包括多个导电金属层和多个绝缘层的结构，驱动阵列层20可以理解为制作驱动发光器件40发光的驱动电路结构的膜层，如制作驱动发光器件40发光的薄膜晶体管20T等电路结构，薄膜晶体管20T的源极或者漏极与发光器件40的阳极电连接。本实施例的显示面板000包括多个发光器件40，至少一个发光器件40所在区域可以理解为将显示面板000划分的像素区域，可以理解的是，本实施例的图1中仅是以多个发光器件40阵列排布为例进行示例说明，具体实施时，多个发光器件40在显示面板000中的排布方式包括但不局限于此。可选的，本实施例中的发光器件40可以为包括次毫米发光二极管或者微发光二极管中的任一者，具体实施时，可通过巨量转移技术将发光器件40转移至已完成驱动阵列层20等膜层制作的显示基板上，可选的，本实施例中的遮光层30可以在发光器件40转移至显示基板之前制作，或者遮光层30也可以在发光器件40转移至显示基板上之后再制作，本实施例仅是以遮光层30在发光器件40转移至显示基板之前制作为例进行示例说明，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
本实施例中驱动阵列层20远离衬底10的一侧还包括遮光层30，遮光层30的制作材料可以为绝缘且能够起到遮挡光线作用的材料，本实施例对于遮光层30的具体制作材料不作限定。遮光层30包括多个第一开口301，第一开口301贯穿遮光层30。可选的，驱动阵列层20可以包括绑定层，绑定层位于驱动阵列层20中远离衬底10的一侧，即位于遮光层30朝向衬底10的一侧，绑定层用于制作后续绑定发光器件40的绑定电极201，遮光层30开设的第一开口301用于暴露出该绑定层的绑定电极201，便于后续发光器件40转移后，发光器件40在衬底10的正投影与第一开口301在衬底10的正投影至少部分交叠，在该第一开口301内通过发光器件40的阴极和阳极分别与第一开口301暴露的绑定电极201绑定电连接，驱动阵列层20中薄膜晶体管20T的源极或者漏极与发光器件40的阳极401电连接，驱动阵列层20中的阴极信号线与发光器件40的阴极402电连接(可以理解的是，绑定电极201与发光器件40的阴极401和阳极402之间可以通过焊锡或者共晶层等导电结构实现电连接，图2中未示意，本实施例对此不作赘述)，实现驱动阵列层20中的驱动电路为发光器件40提供驱动发光的信号，实现显示面板000的显示功能。本实施例的遮光层30仅在需要绑定发光器件40的位置设置第一开口301，其余区域通过遮光层30材料的遮挡，可以有效的降低屏幕反射率，避免外界光线对显示面板000的显示效果产生影响。
为了实现微元件如本实施例的发光器件40的巨量转移，一般可以采用微印章转印技术将生长好的发光器件40转移到已完成驱动阵列层20等膜层制作的显示基板上。发光器件40生长于生长基板上，通过微印章吸附后转移至显示基板上时，因发光器件40下方的膜层结构较多，驱动阵列层20的驱动电路结构较为复杂，发光器件40周围的遮光层30未固化前的流动性较差，使得固化后的遮光层30的厚度较厚。为了便于发光器件40的吸附，转移用的微印章会比发光器件40稍大一些，若第一开口301周围的遮光层30的厚度较厚，导致第一开口301周围的衬底10上的膜层高度较高，微印章转移发光器件40时，在下压至绑定电极201的过程中容易造成还没完成发光器件40与绑定电极201的绑定键合，就被第一开口301周围膜层阻碍，微印章的下压操作受到干涉，显著增加了发光器件40的转移风险，不利于提升绑定良率。相关技术中为了降低干涉风险，一般会将遮光层30的第一开口301开设的比较大，遮光层30的边缘距离发光器件40较远些，以留足微印章的下压空间，但是遮光层30的第一开口301的范围变大后，虽然能够降低干涉风险，但是遮光层30的有效遮挡面积将大大减少，降低反射率的效果也会大受影响。
为了解决上述问题，本实施例设置驱动阵列层20包括多个第一凹槽20K1，第一凹槽20K1在衬底10的正投影至少部分围绕第一开口301在衬底10的正投影，可选的，驱动阵列层20可以包括多个金属层和多个绝缘层，本实施例中在驱动阵列层20开设的第一凹槽20K1可以理解为在驱动阵列层20的多个膜层中的任意一个或一个以上的膜层中开设的第一凹槽20K1，本实施例的图2中，以开设的第一凹槽20K1的膜层为靠近遮光层30的平坦化层为例进行示例说明，驱动阵列层20的驱动电路等结构制作完成后，需要设置绝缘的平坦化层，以使得后续遮光层30的制作膜层平坦化；具体实施时，第一凹槽20K1的开设膜层可以为遮光层30与衬底10之间的任一个或多个膜层，即驱动阵列层20中任一或者多个膜层配合形成第一凹槽20K1，本实施例在此不作限定。由于第一凹槽20K1在衬底10的正投影至少部分围绕第一开口301在衬底10的正投影，从而可以使得第一凹槽20K1所在区域的驱动阵列层20下陷至一定程度，下陷的高度即为第一凹槽20K1的深度。由于驱动阵列层20中第一凹槽20K1的设置，使得遮光层30的制程过程中，遮光层30未固化前，利用其未固化时良好的流动性，使其流动填充至第一凹槽20K1位置，即至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1内，从而可以使得第一凹槽20K1以外区域的遮光层30厚度大大降低(为了清楚示意未设置第一凹槽20K1之前和设置第一凹槽20K1之后，遮光层30的厚度变化，图2中以虚线示意未设置第一凹槽20K1之前遮光层30’所在的高度，此时遮光层30’的厚度为H0’，图2中以实线示意设置第一凹槽20K1之后遮光层30所在的高度，此时遮光层30在第一凹槽20K1以外区域的厚度为H0，H0＜H0’)，进而可以改善因发光器件40周围的膜层高度较高造成转移时的键合干涉的问题，降低采用微印章转移发光器件40的下压过程中，微印章与发光器件40周围的膜层干涉的风险，有利于提升发光器件40的转移效率和后续与绑定电极201的绑定良率，保证显示品质。
需要说明的是，本实施例的图中仅是示例性画出显示面板的结构，具体实施时，显示面板的结构包括但不局限于此，还可以包括其他能够实现显示功能的结构，具体可参考相关技术中mini LED或者micro LED显示面板的结构进行理解，本实施例在此不作赘述。
可选的，如图1和图3所示，图3是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，通过第一凹槽20K1的设置，减小了第一凹槽20K1以外区域的遮光层30厚度后，发光器件40周围的遮光层30覆盖的面积可以尽可能大，甚至使得发光器件40在衬底10的正投影与遮光层40在衬底10的正投影至少部分交叠，只需满足遮光层40避开绑定电极201即可，进而可以更多的增大遮光层30的遮挡面积，进一步降低屏幕反射率，更加有效的提高显示品质。
可以理解的是，本实施例的图3中，绑定电极201与发光器件40的阴极401和阳极402之间可以设置有焊锡或者共晶层等导电结构60，发光器件40转移时，可通过微印章将发光器件40的阴极401和阳极402与显示基板上的绑定电极201对应，并通过微印章的下压动作，按压焊锡或者共晶层等导电结构60，实现发光器件40的阴极401和阳极402与显示基板上的绑定电极201的键合电连接。
可选的，如图1和图4所示，图4是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，遮光层30远离衬底10的一侧还可以包括保护层50，保护层50可以覆盖遮光层30所在区域，保护层50用于防止遮光层30在后续制程中被剥离药液腐蚀，起到保护遮光层30的作用，可以理解的是，剥离药液用来剥离光刻胶，后续制程中蒸镀完绑定电极后，剥离使用完的负性光阻时需要使用剥离药液，因此本实施例的保护层50的制作材料可以选用耐剥离药液的有机膜材料，有机膜材料的保护层50既可以起到保护遮光层30的作用，又可以使得保护层50与遮光层30均为有机材料，最大程度的改善保护层50与遮光层30之间的剥离(peeling)问题。可选的，保护层50还可以包括无机层，无机层的致密性好也能对遮光层30进行保护。可选的，保护层还可以包括无机层和有机层。并且驱动阵列层20中在发光器件40周围设置第一凹槽20K1的结构，还可以使得遮光层30和保护层50的整体厚度较薄，有效降低发光器件40转移过程中与周围膜层的干涉风险，提高绑定良率。
可以理解的是，本实施例中采用微印章转移的方式完成发光器件40的转移和键合后，通过在驱动阵列层20设置第一凹槽20K1，使得发光器件40周围的膜层高度降低后，可以有效保证绑定键合后，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，发光器件40的上表面与保护层50的上表面之间的距离H02大于或等于2μm(如图4所示)，进而可以使得第一凹槽20K1以外区域的遮光层30的厚度可以大大降低，后续制作完保护层50后，保护层50在衬底10上相对于发光器件40的高度大大降低，可以改善因发光器件40周围的膜层高度较高造成转移时的键合干涉的问题，采用微印章转移发光器件40的下压过程中，有效降低微印章与发光器件40周围的保护层50的上表面干涉的风险，进而可以提升发光器件40的转移效率和后续与绑定电极201的绑定良率，保证显示品质。
需要说明的是，本实施例对于第一凹槽20K1在垂直于衬底10所在平面方向Z上的宽度也不作具体限定，具体实施时，可根据所需遮光层30的厚度合理设置第一凹槽20K1的容纳空间，仅需使得发光器件40绑定键合后，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，发光器件40的上表面与保护层50的上表面之间的距离H02大于或等于2μm即可，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1和图4，本实施例中，至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1内，且至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1外；
在第一凹槽20K1区域外，遮光层30在垂直于衬底10所在平面方向Z上的厚度为D1；
在第一凹槽20K1区域，遮光层30在垂直于衬底10所在平面方向Z上的厚度为D2；其中，D1＜D2。
本实施例解释说明了在显示面板000的驱动阵列层20中某一膜层或者某多个膜层开设第一凹槽20K1，使得第一凹槽20K1至少部分围绕遮光层30的第一开口301设置，驱动阵列层20在第一凹槽20K1位置下沉一定距离，至少部分遮光层30填充于第一凹槽20K1内的同时，至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1外，在第一凹槽20K1区域外遮光层30在垂直于衬底10所在平面方向Z上的厚度D1小于在第一凹槽20K1区域遮光层30在垂直于衬底10所在平面方向Z上的厚度D2，使得遮光层30在第一开口301以外的区域仍保持整面结构，保证遮光性能。
可选的，请继续结合参考图1和图4，至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1靠近发光器件40的一侧。
本实施例解释说明了至少部分遮光层30位于第一凹槽20K1以外的区域时，遮光层30不仅设置于第一凹槽20K1远离发光器件40的一侧，还保证了第一凹槽20K1靠近发光器件40的一侧也至少设置有部分遮光层30，即遮光层30在衬底10所在平面的正投影至少部分位于第一凹槽20K1在衬底10所在平面的正投影与发光器件40在衬底10所在平面的正投影之间，相当于进一步增大了遮光层30的遮挡面积，起到更好的遮光效果的同时，可以进一步提升显示面板000的显示品质。
在一些可选实施例中，请结合参考图1、图5-图7，图5是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，图6是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，图7是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1包括第一部20K11和第二部20K12；
沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1与第二部20K12的深度H2不同；和/或，在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1与第二部20K12的宽度W2不同。
本实施例解释说明了至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1在不同位置可以做差异化设计，同一个第一凹槽20K1可以包括第一部20K11和第二部20K12，可选的，第一部20K11和第二部20K12在同一个发光器件40周围的位置不同，第一部20K11和第二部20K12可以是相互连通的同一个第一凹槽20K1中的两个部分，或者第一部20K11和第二部20K12可以是相互不连通的同一个第一凹槽20K1中的两个部分，本实施例对此不作限定，仅需满足至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1包括有上述位于不同位置的第一部20K11和第二部20K12。
如图1和图5所示，沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1与第二部20K12的深度H2不同，此时可选的，在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1与第二部20K12的宽度W2可以相同，从而可以使得部分区域的第一凹槽20K1的深度可以深一些，以增加该位置用于容纳遮光层30的空间，增强较深位置的遮光性能。
如图1和图6所示，在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1与第二部20K12的宽度W2不同，此时可选的，沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1与第二部20K12的深度H2可以相同，从而可以使得部分区域的第一凹槽20K1的宽度可以宽一些，以增加该位置用于容纳遮光层30的空间，增强较宽位置的遮光性能。
如图1和图7所示，沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1与第二部20K12的深度H2不同，且在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1与第二部20K12的宽度W2也不同，从而可以使得部分区域的第一凹槽20K1的宽度可以宽一些，深度也可以深一些，以更多的增加该位置用于容纳遮光层30的空间，进一步增强该位置的遮光性能。
可选的，如图1、图5和图8所示，图8是图5中第一凹槽位置的局部平面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图8中进行了透明度填充)，本实施例中，至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1包括第一部20K11和第二部20K12，第一部20K11和第二部20K12可以理解为在同一个发光器件40周围的位置不同，第一部20K11和第二部20K12可以是相互连通的同一个第一凹槽20K1中的两个部分，或者第一部20K11和第二部20K12可以是相互不连通的同一个第一凹槽20K1中的两个部分，可以设置第一部20K11在衬底10所在平面的正投影的形状和第二部20K12在衬底10所在平面的正投影的形状不同，如第一部20K11在衬底10所在平面的正投影的形状可以为长方形的条状，第二部20K12在衬底10所在平面的正投影的形状可以为椭圆形的条状(如图8所示)，或者，第一部20K11在衬底10所在平面的正投影的形状可以为椭圆形的条状，第二部20K12在衬底10所在平面的正投影的形状可以为长方形的条状，或者第一部20K11在衬底10所在平面的正投影的形状可以为长方形的条状，第二部20K12在衬底10所在平面的正投影的形状可以为非长方形的其他条状结构，以使得在驱动阵列层20中开设包括第一部20K11和第二部20K12的第一凹槽20K时，通过灵活设计第一凹槽20K1的形状，使得第一部20K11或者第二部20K12中的任一者可以避开显示面板000中的一些如对位标记等的结构，避免第一凹槽20K1的设置影响显示面板000本身的功能。
可选的，如图1、图5-图7所示，在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1大于第二部20K12的宽度W2；和/或，沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1大于第二部20K12的深度H2；
驱动阵列层20包括多个薄膜晶体管20T，第一部20K11在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的距离为D3，第二部20K12在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的距离为D4；其中，D3＜D4。
本实施例解释说明了至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1在不同位置做深度和宽度的差异化设计时，如图6所示，可以设置沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1大于第二部20K12的宽度W2；或者如图5所示，可以设置沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1大于第二部20K12的深度H2；或者如图7所示，可以设置沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度W1大于第二部20K12的宽度W2，且沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度H1大于第二部20K12的深度H2；其中驱动阵列层20包括多个薄膜晶体管20T，第一部20K11在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的距离D3小于第二部20K12在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的距离D4，即沿平行于衬底10所在平面的方向X，宽度较宽的第一部20K11相比于宽度较窄的第二部20K12距离薄膜晶体管20T的距离较近，深度较深的第一部20K11相比于深度较浅的第二部20K12距离薄膜晶体管20T的距离较近，从而可以使得越靠近薄膜晶体管20T，第一凹槽20K1的宽度越宽，或者越靠近薄膜晶体管20T，第一凹槽20K1的深度越深，或者越靠近薄膜晶体管20T，第一凹槽20K1的宽度越宽且深度越深，容纳遮光层30填充的空间越大，有利于增强薄膜晶体管20T位置的遮光性能，有效地起到保护薄膜晶体管20T，避免光线照射到薄膜晶体管20T容易产生漏电流的问题，实现减小光漏流的效果。
可以理解的是，本实施例中第一部20K11在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的距离D3，可以是如图5-图7所示的沿平行于衬底10所在平面的方向，第一部20K11在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的最短距离，第二部20K12在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的距离D4，可以是如图5-图7所示的沿平行于衬底10所在平面的方向，第二部20K12在衬底10的正投影与薄膜晶体管20T在衬底10的正投影之间的最短距离。
在一些可选实施例中，请结合参考图1、图9-图11，图9是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，图10是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，图11是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，沿平行于衬底10所在平面的方向，第一部20K11到发光器件40的最短距离为L1，第二部20K12到发光器件40的最短距离为L2；可以理解的是，第一部20K11到发光器件40的最短距离可以理解为在平行于衬底10所在平面的方向上第一部20K11最靠近发光器件40的一侧边缘到发光器件40最靠近第一部20K11的一侧边缘之间的距离，第二部20K12到发光器件40的最短距离可以理解为在平行于衬底10所在平面的方向上第二部20K12最靠近发光器件40的一侧边缘到发光器件40最靠近第二部20K12的一侧边缘之间的距离；
在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度为W1，第二部20K12的宽度为W2；
沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度为H1，第二部20K12的深度为H2；
其中，(L1-L2)×(W1-W2)＜0；和/或，(L1-L2)×(H1-H2)＜0。
本实施例解释说明了至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1在不同位置可以做差异化设计，同一个第一凹槽20K1可以包括第一部20K11和第二部20K12，可选的，第一部20K11和第二部20K12在同一个发光器件40周围的位置不同，第一部20K11和第二部20K12可以是相互连通的同一个第一凹槽20K1中的两个部分，或者第一部20K11和第二部20K12可以是相互不连通的同一个第一凹槽20K1中的两个部分，本实施例对此不作限定，仅需满足至少部分围绕第一开口301设置的同一个第一凹槽20K1包括有上述位于不同位置的第一部20K11和第二部20K12，且第一部20K11和第二部20K12的深度和/或宽度有差异化设计即可。
如图1和图9所示，沿平行于衬底10所在平面的方向，第一部20K11到发光器件40的最短距离为L1，第二部20K12到发光器件40的最短距离为L2；在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度为W1，第二部20K12的宽度为W2，其中(L1-L2)×(W1-W2)＜0，即若L1＞L2，则W1＜W2(未附图示意)，若L1＜L2，则W1＞W2(如图9所示)，从而可以使得第一方向X上越靠近发光器件40的部分区域的第一凹槽20K1的宽度越宽一些，以增加该位置用于容纳遮光层30的空间，增强较宽位置的遮光性能，有利于增强靠近发光器件40位置的遮光性能，有效降低靠近发光器件40处的反射率，有利于进一步提高显示品质。
如图1和图10所示，沿平行于衬底10所在平面的方向，第一部20K11到发光器件40的最短距离为L1，第二部20K12到发光器件40的最短距离为L2；沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度为H1，第二部20K12的深度为H2，其中(L1-L2)×(H1-H2)＜0，即若L1＞L2，则H1＜H2(未附图示意)，若L1＜L2，则H1＞H2(如图10所示)，从而可以使得第一方向X上越靠近发光器件40的部分区域的第一凹槽20K1的深度越深一些，以增加该位置用于容纳遮光层30的空间，增强较深位置的遮光性能，有利于增强靠近发光器件40位置的遮光性能，有效降低靠近发光器件40处的反射率，有利于进一步提高显示品质。
如图1和图11所示，沿平行于衬底10所在平面的方向，第一部20K11到发光器件40的最短距离为L1，第二部20K12到发光器件40的最短距离为L2；在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一部20K11的宽度为W1，第二部20K12的宽度为W2，沿垂直于衬底10所在平面的方向Z，第一部20K11的深度为H1，第二部20K12的深度为H2，其中(L1-L2)×(W1-W2)＜0且(L1-L2)×(H1-H2)＜0，即若L1＞L2，则W1＜W2且H1＜H2(未附图示意)，若L1＜L2，则W1＞W2且H1＞H2(如图11所示)，从而可以使得第一方向X上越靠近发光器件40的部分区域的第一凹槽20K1的宽度越宽一些，越靠近发光器件40的部分区域的第一凹槽20K1的深度也越深一些，以更多的增加该位置用于容纳遮光层30的空间，有利于增强靠近发光器件40处的遮光性能，进一步有效降低靠近发光器件40处的反射率，有利于进一步提高显示品质。
在一些可选实施例中，请结合参考图1、图12和图13，图12是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的局部平面结构示意图，图13是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图12和图13进行了透明度填充)，本实施例中，第一凹槽20K1在衬底10的正投影为条状结构；
沿平行于衬底10所在平面的方向，第一凹槽20K1位于相邻两个发光器件40之间。
本实施例解释说明了驱动阵列层20开设的至少部分围绕第一开口301的第一凹槽20K1可以为多个独立的条状结构，如图12所示，沿平行于衬底10所在平面的方向(如图12中的横方向上)，条状结构的第一凹槽20K1可以分别独立的位于相邻两个发光器件40之间；或者如图13所示，沿平行于衬底10所在平面的方向，条状结构的第一凹槽20K1可以分别独立的位于相邻两个发光器件40之间(如图13中的横方向和纵方向上)，本实施例将驱动阵列层20开设的第一凹槽20K1设计为位于相邻两个发光器件40之间的独立的条状结构，在有需要增强遮光性能的位置可以开设条状的第一凹槽20K1，从而可以更加灵活的在发光器件40的周围设置用于填充遮光层30的第一凹槽20K1，保证发光器件40转移时不与基板上的遮光层30等膜层产生干涉的同时，还可以通过遮光层30在发光器件40周围开设的第一凹槽20K1，灵活提升所需位置的遮光效果。
在一些可选实施例中，请结合参考图1、图14和图15，图14是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图，图15是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图14和图15进行了透明度填充)，本实施例中，第一凹槽20K1在衬底10的正投影为环状结构；
第一凹槽20K1在衬底10的正投影围绕至少一个发光器件40在衬底10的正投影。
本实施例解释说明了驱动阵列层20开设的至少部分围绕第一开口301的第一凹槽20K1可以为环状结构，即第一凹槽20K1在衬底10的正投影的形状为环状，可选的，环状的第一凹槽20K1在衬底10的正投影可以围绕一个发光器件40在衬底10的正投影，环状的第一凹槽20K1在衬底10的正投影可以围绕多个发光器件40(如图15所示一个环状的第一凹槽20K1在衬底10的正投影可以围绕三个发光器件40)在衬底10的正投影，如显示面板000包括的多个发光器件40可以包括三个不同颜色的发光器件40，每三个不同颜色的发光器件40可以形成一组，则一个环状的第一凹槽20K1在衬底10的正投影可以围绕该三个不同颜色的发光器件40设置，在发光器件40的转移制程时，三个不同颜色发光器件40可以共同通过一个微印章转移至显示基板上，此时围绕该三个不同颜色的发光器件40设置的第一凹槽20K1，可以改善转移时的干涉问题，保证转移效率和绑定良率的同时，还可以降低在驱动阵列层20开设第一凹槽20K1的制程工艺的难度，提高制程效率。
可选的，请结合参考图1和图16，图16是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图16进行了透明度填充)，本实施例中的第一凹槽20K1可以包括多个子凹槽，本实施例的图16中以第一凹槽20K1可以包括两个子凹槽为例进行示例说明，两个子凹槽分别为第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2，第三子凹槽20K11-1在衬底10的正投影围绕至少一个(如图16中的三个)发光器件40在衬底10的正投影，第四子凹槽20K11-2进一步围绕在第三子凹槽20K11-1远离该三个发光器件40的外围，即至少一个发光器件40外围至少可以设置两个子凹槽共同形成第一凹槽20K1，从而可以进一步增加可容纳遮光层30填充的空间，更好的改善转移时的干涉问题，保证转移效率和绑定良率。
可以理解的是，本实施例的图16中仅是以至少一个发光器件40外围设置两个子凹槽共同形成第一凹槽20K1为例进行示例说明，具体实施时，至少一个发光器件40外围设置的子凹槽的数量可以为三个或者更多个，本实施例在此不作赘述。
可以理解的是，本实施例中，至少一个发光器件40外围设置至少两个子凹槽共同形成第一凹槽20K1，该第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2可以设置为相互不连续的结构，如图16示意的第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2之间还存在间隔。在其他一些可选实施例中，形成第一凹槽20K1的至少两个子凹槽如第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2可以为连续的结构，即可以设置第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2之间直接连通相当于增加了第一凹槽20K1的宽度。
进一步可选的，如图1、图16、图17和图18所示，图17是图16中G-G’向的剖面结构示意图，图18是图16中G-G’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2的截面形状可以均为图17所示的倒梯形(即凹槽的顶部开口宽、底面窄的结构)，或者第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2的截面形状可以均为图18所示的正梯形(即凹槽的顶部开口窄、底面宽的结构)，或者第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2中的一者的截面形状可以为正梯形(即凹槽的顶部开口窄、底面宽的结构)，另一者的截面形状可以为倒梯形(即凹槽的顶部开口宽、底面窄的结构)，本实施例在此不作赘述。
进一步可选的，如图17和图18所示形成第一凹槽20K1的至少两个子凹槽如第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2中，沿发光器件40指向第一凹槽20K1的方向，第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2的宽度可以不同，如靠近发光器件40的第三子凹槽20K11-1的宽度可以宽一些，远离发光器件40的第四子凹槽20K11-2的宽度可以窄一些；和/或，在垂直于衬底10所在平面的方向上，第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2的深度可以不同，如靠近发光器件40的第三子凹槽20K11-1的深度可以深一些，远离发光器件40的第四子凹槽20K11-2的深度可以浅一些，进而可以进一步增强发光器件40附近的遮光性能，具体可参考上述实施例中第一凹槽20K1的深度和/或宽度做差异化设计的描述，本实施例在此不作赘述。
在其他一些可选实施例中，如图1和图19所示，图19是图1中I-I’向的剖面结构示意图，显示面板000可以包括显示区AA和至少部分围绕显示区AA设置的非显示区NA，本实施例中的第一凹槽20K1还可以开设于非显示区NA的驱动阵列层20中，第一凹槽20K1的结构可以参考上述实施例，如第一凹槽20K1可以包括多个围绕显示区AA设置的子凹槽(第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2)，多个子凹槽的深度和/或宽度可以差异化设计等，本实施例在此不作赘述，具体可参考上述实施例进行理解。位于非显示区中的第一凹槽20K1的结构，可以防止水汽入侵的同时，还可以增加遮光层30与其下方膜层铆接的深度和面积，防止面板切割时的裂纹进入显示区，进而有利于保证显示面板000的显示品质。
可选的，本实施例的显示面板000的膜层结构在制作时，驱动阵列层20中至少包括第一无机层PV1，第一无机层PV1可以覆盖薄膜晶体管20T，在制作遮光层30之前，还可以在遮光层30与平坦化层(如图19示意的第一绝缘层20A)之间先形成第二无机层PV2，第二无机层PV2通过刻蚀图形化工艺形成多个镂空结构以暴露用于绑定发光器件40的绑定电极201。本实施例中可以进一步设置第二无机层PV2通过位于非显示区NA的第一凹槽20K1与其下方的第一无机层PV1直接接触，即第一凹槽20K中的至少一个子凹槽(如图19示意的第三子凹槽20K11-1)的深度可以正好使得位于该子凹槽内的部分第二无机层PV2与其下方的第一无机层PV1直接接触，在进而可以通过在非显示区NA的部分区域直接接触的两个无机层，提高显示面板000的边框处的耐水氧能力。
可以理解的是，当第一凹槽20K1包括的第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2的截面形状均为图18所示的正梯形(即凹槽的顶部开口窄、底面宽的结构)时，在第二无机层PV2的制程过程中，可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺和原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)工艺，配合形成连续的第二无机层PV2，最后通过刻蚀工艺，在所需绑定发光器件40的绑定电极处刻蚀形成镂空结构以暴露用于绑定发光器件40的绑定电极201，具体实施时，可参考相关技术中的制程工艺进行理解，本实施例在此不作赘述。
可以理解的是，当本实施例中的第一凹槽20K1包括多个深度不同的子凹槽时，如可以包括两个深度较深的第三子凹槽20K11-1和一个深度较浅的第四子凹槽20K11-2，则在制程时，可以先通过一次刻蚀形成一个深度较浅的第四子凹槽20K11-2和与第四子凹槽20K11-2深度一致的两个备用子凹槽，然后再在两个备用子凹槽处进行二次刻蚀形成深度较深的两个第三子凹槽20K11-1。或者也可以采用halftone mask(半色调掩膜板)工艺形成深度不同的第三子凹槽20K11-1和第四子凹槽20K11-2，本实施例在此不作限定。
在一些可选实施例中，请结合参考图1和图20，图20是图1中部分发光器件区域的第一凹槽的另一种局部平面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图20进行了透明度填充)，本实施例中，多个第一凹槽20K1至少包括第一子凹槽20K1A和第二子凹槽20K1B，第一子凹槽20K1A在衬底10的正投影围绕一个发光器件40在衬底10的正投影，第二子凹槽20K1B在衬底10的正投影围绕两个发光器件40在衬底10的正投影；
第一子凹槽20K1A在衬底10的正投影和第二子凹槽20K1B在衬底10的正投影至少部分交叠。
本实施例解释说明了驱动阵列层20开设的至少部分围绕第一开口301的第一凹槽20K1可以为环状结构，即第一凹槽20K1在衬底10的正投影的形状为环状，可选的，多个环状的第一凹槽20K1在衬底10的正投影可以围绕不同数量的发光器件40在衬底10的正投影，具体的，多个第一凹槽20K1至少包括第一子凹槽20K1A和第二子凹槽20K1B，第一子凹槽20K1A在衬底10的正投影围绕一个发光器件40在衬底10的正投影，而第二子凹槽20K1B在衬底10的正投影围绕两个发光器件40在衬底10的正投影，且第一子凹槽20K1A在衬底10的正投影和第二子凹槽20K1B在衬底10的正投影至少部分交叠，即第一子凹槽20K1A和第二子凹槽20K1B可以共用一条边。显示面板000包括的多个发光器件40可以包括三个不同颜色的发光器件40，每三个不同颜色的发光器件40可以形成一组，则一个环状的第一子凹槽20K1A在衬底10的正投影可以围绕该组中一个颜色的发光器件40设置，一个环状的第二子凹槽20K1B在衬底10的正投影可以围绕该组中另外两个颜色的发光器件40设置，在发光器件40的转移制程时可以适应不同的转移方式，改善转移时的干涉问题，保证转移效率和绑定良率的同时，还可以降低在驱动阵列层20开设第一凹槽20K1的制程工艺的难度，提高制程效率。
在一些可选实施例中，请结合参考图21和图22，图21是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图，图22是图21中B-B’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图21进行了透明度填充，并且为了清楚示意后续实施例中面板的膜层结构图，后续实施例中的剖面图均做了简化处理，如未示意出图19中的无机层等膜层结构)，本实施例中，驱动阵列层20包括多条第一信号线202，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，至少部分段的第一信号线202与第一凹槽20K1交叠。
本实施例解释说明了显示面板000中一般需要设置多条信号线，信号线用于为显示面板000传输驱动其发光显示的信号值。可选的，驱动阵列层20可以包括多个导电金属层，信号线可以采用驱动阵列层20的某一或多个导电膜层制作。本实施例的驱动阵列层20可以包括多条第一信号线202，可选的，第一信号线202可以为与薄膜晶体管20T的栅极连接的扫描线，或者也可以为薄膜晶体管20T的源极或漏极中的一者连接的阳极信号线，或者第一信号线202可以为阴极信号线，此时第一信号线202可以与绑定电极202同层制作，通过绑定电极201与发光器件40的阴极402电连接，用于为发光器件40的阴极402提供阴极驱动信号。在其他一些可选实施例中，阴极信号线也可以与绑定电极202异层制作，本实施例不作具体限定。本实施例的图21和图22中以第一信号线202为阴极信号线为例进行示例说明，阵列排布的多个发光器件40中，同一行或者同一列的发光器件40的阴极可以连接同一条第一信号线202，有利于减少显示面板000中第一信号线202的数量，降低面板的布线难度。本实施例设置在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，至少部分段的第一信号线202与第一凹槽20K1交叠，即驱动阵列层20的某一膜层如上述实施例所示例的在平坦化层开设的第一凹槽20K1可以不避开第一信号线202，在驱动阵列层20开设第一凹槽20K1后，至少部分段的第一信号线202可以在第一凹槽20K1内走线，使得在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，至少部分段的第一信号线202与第一凹槽20K1交叠，在不改变第一信号线202原本长度的情况下，能够缩短相邻发光器件40之间第一信号线202和第一凹槽20K1占据的空间，有利于缩小相邻发光器件40之间的间隔，进而可以提升显示面板000的整体PPI(Pixels Per Inch，像素密度单位，表示每英寸所拥有的发光器件40数量)，提高显示品质。
在一些可选实施例中，请结合参考图21和图23，图23是是图21中C-C’向的剖面结构示意图，本实施例中，第一凹槽20K1包括第一区20K1-1和第二区20K1-2；
在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一区20K1-1内第一凹槽20K1的深度H-1大于第二区20K1-2内第一凹槽20K1的深度H-2，第一信号线202与第一区20K1-1内的第一凹槽20K1不交叠。
本实施例解释说明了至少部分围绕第一开口301设置的第一凹槽20K1在不同位置可以做差异化设计，第一凹槽20K1可以包括位于不同位置的第一区20K1-1和第二区20K1-2，可选的，第一区20K1-1和第二区20K1-2可以在同一个发光器件40周围的不同位置，第一区20K1-1和第二区20K1-2也可以在不同发光器件40周围的不同位置，本实施例对此不作限定。在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一区20K1-1内第一凹槽20K1的深度H-1大于第二区20K1-2内第一凹槽20K1的深度H-2，如上述实施例中所示，更靠近薄膜晶体管20T或者更靠近发光器件40的位置可以理解为第一凹槽20K1的第一区20K1-1，设置在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一区20K1-1内第一凹槽20K1的深度H-1大于第二区20K1-2内第一凹槽20K1的深度H-2，可以增强较深位置处遮光层30的填充空间，提高遮光效果，具体可参考上述实施例的描述。本实施例进一步设置第一信号线202与第一区20K1-1内的第一凹槽20K1不交叠，至少部分段的第一信号线202仅在深度较浅位置的第二区20K1-2内与该区域的第一凹槽20K1存在部分交叠，可以使得第一信号线202的走线避开深度较深的第一区20K1-1，进而可以避免第一信号线202在第一区20K1-1内的第一凹槽20K1内爬坡走线时引起断线风险，因此本实施例设置的第一信号线202与第一区20K1-1内的第一凹槽20K1不交叠，有利于保证第一信号线202上信号传输的稳定性。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1和图4，本实施例中，驱动阵列层20至少包括第一绝缘层20A；第一凹槽20K1位于第一绝缘层20A。可选的，驱动阵列层20还可以至少包括有源层LP、第一金属层M1、第二金属层M2、透明导电层LT等，其中有源层LP可以用于制作薄膜晶体管20T的有源部，第一金属层M1可以用于制作薄膜晶体管20T的栅极，第二金属层M2可以用于制作薄膜晶体管20T的源漏极和信号线等，透明导电层LT可以用于制作绑定电极201和信号线等，各导电层之间的绝缘层均可以理解为第一绝缘层20A，如第二金属层M2和透明导电层LT之间的平坦化层，第一金属层M1和第二金属层M2之间的层间绝缘层，有源层LP和第一金属层M1之间的栅极绝缘层等，均可以理解为第一绝缘层20A，本实施例的图中以第二金属层M2和透明导电层LT之间的平坦化层作为第一绝缘层20A为例进行示例说明。
本实施例设置第一凹槽20K1位于第一绝缘层20A，第一凹槽20K1通过单层的第一绝缘层20A制作，通过一个第一绝缘层20A即可实现遮光层30和保护层50的下沉，涉及开槽的膜层较少，可以简化制程工艺。
可选的，如图1和图4所示，第一绝缘层20A与遮光层30之间不包括其他绝缘层，即开设第一凹槽20K1的第一绝缘层20A可以理解为最靠近遮光层30的平坦化层，平坦化层的厚度一般较厚，有利于合理设计第一凹槽20K1的深度，并且在与遮光层30最靠近的平坦化层制作第一凹槽20K1，可以保证下方薄膜晶体管20T所在膜层的平坦性，进而保证薄膜晶体管20T的性能。
可选的，如图1和图24所示，图24是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一绝缘层20A也可以理解为第一金属层M1和第二金属层M2之间的层间绝缘层，通过在第一金属层M1和第二金属层M2之间的层间绝缘层上开设第一凹槽20K1，后续制作的导电层和绝缘层叠置于该第一绝缘层20A上，最终也会在第一凹槽20K1位置处形成容纳遮光层30填充的下限空间，改善因发光器件40周围的膜层高度较高造成转移时的键合干涉的问题，降低采用微印章转移发光器件40的下压过程中，微印章与发光器件40周围的膜层干涉的风险，有利于提升发光器件40的转移效率和后续与绑定电极201的绑定良率，保证显示品质
可以理解的是，第一绝缘层20A也可以理解为驱动阵列层20中的其他导电层之间的绝缘层，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请结合参考图1、图4和图25，图25是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一凹槽20K1的深度H小于或等于第一绝缘层20A的厚度D。
本实施例解释说明了驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1采用单个绝缘层如第一绝缘层20A制作时(本实施例的图中以开设第一凹槽20K1的第一绝缘层20A为最靠近遮光层30的平坦化层为例进行示例说明)，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一凹槽20K1的深度H可以小于第一绝缘层20A的厚度D，如图4所示，即第一凹槽20K1不贯穿第一绝缘层20A的厚度，制程时可以采用halftone mask(半色调掩膜板)工艺，与开设于第一绝缘层20A的过孔同制程制作，可以理解的是，开设于第一绝缘层20A的过孔可以是绑定电极201与薄膜晶体管20T的源极或者漏极连接时采用的过孔。或者在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一凹槽20K1的深度H可以等于第一绝缘层20A的厚度D，如图25所示，即第一凹槽20K1贯穿第一绝缘层20A的厚度，第一凹槽20K1制程时可以与开设于第一绝缘层20A的过孔同制程制作，可以理解的是，开设于第一绝缘层20A的过孔可以是绑定电极201与薄膜晶体管20T的源极或者漏极连接时采用的过孔，进而可以节省制程成本，提高制程效率。
在一些可选实施例中，请结合参考图1和图26，图26是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，驱动阵列层20至少包括第一绝缘层20A和第二绝缘层20B，第二绝缘层20B位于第一绝缘层20A朝向衬底10的一侧；
第一凹槽20K1包括位于第一绝缘层20A的第一镂空部20K101和位于第二绝缘层20B的第二镂空部20K102，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101和第二镂空部20K102相互交叠。
本实施例解释说明了驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1可以采用至少两个绝缘层如第一绝缘层20A和第二绝缘层20B制作，本实施例的图中以开设第一凹槽20K1的第一绝缘层20A为最靠近遮光层30的平坦化层第二绝缘层20B为第二金属层M2和第一金属层M1之间的层间绝缘层为例进行示例说明，第二绝缘层20B位于第一绝缘层20A朝向衬底10的一侧。开设于第一开口301周围的第一凹槽20K1包括位于第一绝缘层20A的第一镂空部20K101和位于第二绝缘层20B的第二镂空部20K102，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101和第二镂空部20K102相互交叠形成下沉空间，用于容纳遮光层30的填充空间。本实施例通过至少两个绝缘层共同配合叠加形成第一凹槽20K1，第一凹槽20K1的深度可控性更大，如在需要较强遮光效果的位置采用至少两个绝缘层开设第一凹槽20K1，可以增加第一凹槽20K1的深度，扩大遮光层30的可填充空间，有利于进一步降低遮光层30远离衬底10一侧的表面到衬底10之间的距离的同时，还可以提高第一凹槽20K1内填充的遮光层30的遮光性能。
可选的，本实施例中，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101的深度小于或等于第一绝缘层20A的厚度D01，第二镂空部20K102的深度小于或等于第二绝缘层20B的厚度D02。
如图1和图26所示，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101的深度小于第一绝缘层20A的厚度D01，第二镂空部20K102的深度小于第二绝缘层20B的厚度D02，驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1可以采用至少两个绝缘层如第一绝缘层20A和第二绝缘层20B制作，开设于第一开口301周围的第一凹槽20K1包括位于第一绝缘层20A的第一镂空部20K101和位于第二绝缘层20B的第二镂空部20K102，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101不贯穿第一绝缘层20A的厚度，第二镂空部20K102不贯穿第二绝缘层20B的厚度，第一镂空部20K101和第二镂空部20K102相互交叠形成下沉空间，用于容纳遮光层30的填充空间。本实施例通过至少两个绝缘层共同配合叠加形成第一凹槽20K1，第一凹槽20K1的深度可控性更大。
或者，如图1和图27所示，图27是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101的深度小于第一绝缘层20A的厚度D01，第二镂空部20K102的深度等于第二绝缘层20B的厚度D02，驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1可以采用至少两个绝缘层如第一绝缘层20A和第二绝缘层20B制作，开设于第一开口301周围的第一凹槽20K1包括位于第一绝缘层20A的第一镂空部20K101和位于第二绝缘层20B的第二镂空部20K102，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101不贯穿第一绝缘层20A的厚度，第二镂空部20K102贯穿第二绝缘层20B的厚度，第一镂空部20K101和第二镂空部20K102相互交叠形成下沉空间，用于容纳遮光层30的填充空间。本实施例通过至少两个绝缘层共同配合叠加形成第一凹槽20K1，第一凹槽20K1的深度可控性更大。
或者，如图1和图28所示，图28是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101的深度等于第一绝缘层20A的厚度D01，第二镂空部20K102的深度小于第二绝缘层20B的厚度D02，驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1可以采用至少两个绝缘层如第一绝缘层20A和第二绝缘层20B制作，开设于第一开口301周围的第一凹槽20K1包括位于第一绝缘层20A的第一镂空部20K101和位于第二绝缘层20B的第二镂空部20K102，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101贯穿第一绝缘层20A的厚度，第二镂空部20K102不贯穿第二绝缘层20B的厚度，第一镂空部20K101和第二镂空部20K102相互交叠形成下沉空间，用于容纳遮光层30的填充空间。本实施例通过至少两个绝缘层共同配合叠加形成第一凹槽20K1，第一凹槽20K1的深度可控性更大。
或者，如图1和图29所示，图29是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101的深度等于第一绝缘层20A的厚度D01，第二镂空部20K102的深度等于第二绝缘层20B的厚度D02，驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1可以采用至少两个绝缘层如第一绝缘层20A和第二绝缘层20B制作，开设于第一开口301周围的第一凹槽20K1包括位于第一绝缘层20A的第一镂空部20K101和位于第二绝缘层20B的第二镂空部20K102，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一镂空部20K101贯穿第一绝缘层20A的厚度，第二镂空部20K102也贯穿第二绝缘层20B的厚度，第一镂空部20K101和第二镂空部20K102相互交叠形成下沉空间，用于进一步增大容纳遮光层30的填充空间。本实施例通过至少两个绝缘层共同配合叠加形成第一凹槽20K1，第一凹槽20K1的深度可控性更大。
可选的，如图1和图30所示，图30是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，驱动阵列层20中开设的第一凹槽20K1可以采用多个绝缘层制作，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一凹槽20K1可以贯穿衬底10上的所有绝缘层，从而当遮光层30填充于该下沉的第一凹槽20K1内时，可以形成包围驱动阵列层20中的薄膜晶体管20T的结构，进而可以更好的遮挡光线，进一步降低光线对薄膜晶体管20T驱动性能的影响，减少光漏流。
可选的，如图1、图25-图30、图31所示，图31是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一凹槽20K1的侧壁20K1C包括斜面状或者阶梯状的任一种。
本实施例解释说明了驱动阵列层20开设的第一凹槽20K1的侧壁20K1C可以为斜面状(如图25-图30所示)，或者第一凹槽20K1的侧壁20K1C也可以为阶梯状，当采用至少两个绝缘层开设第一凹槽20K1时，可以通过开设大小不同的第一镂空部20K101和第二镂空部20K102进行叠加，以形成第一凹槽20K1的侧壁20K1C整体为阶梯状(如图31所示)，进而可以灵活设置不同绝缘层的镂空部的大小，避开驱动阵列层20中的某些导电部结构。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1和图26，本实施例中，驱动阵列层20包括多个薄膜晶体管20T，薄膜晶体管20T包括有源部20TP，可选的，有源部20TP可以采用驱动阵列层20的有源层LP制作，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一凹槽20K1位于有源部20TP所在膜层远离衬底10的一侧。
本实施例解释说明了驱动阵列层20开设的第一凹槽20K1可以设置为避开薄膜晶体管20T的有源部20TP所在膜层下方的绝缘层，即在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第一凹槽20K1位于有源部20TP所在膜层远离衬底10的一侧，可以避免有源部20TP下方的绝缘层开设第一凹槽20K1时，容易出现有源部20TP下陷不平整，影响薄膜晶体管20T本身的特性，因此第一凹槽20K1位于有源部20TP所在膜层远离衬底10的一侧，有利于保证驱动阵列层20中薄膜晶体管20T的驱动性能，保证显示面板000的显示均一性。
在一些可选实施例中，请结合参考图32和图33，图32是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图，图33是图32中E-E’向的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图32进行了透明度填充)，本实施例中，显示面板000包括透明区TA和非透明区NTA，发光器件40位于非透明区NTA，透明区TA的衬底10一侧包括第二开口LK；
第二开口LK沿靠近衬底10的方向贯穿衬底10一侧的膜层，第二开口LK内填充有透明材料。
本实施例中的显示面板000可以为透明显示面板，如显示面板000包括透明区TA和非透明区NTA，发光器件40位于非透明区NTA，除发光器件40以外的区域可以通过挖孔形成透明区TA，透明区TA的衬底10一侧通过开设第二开口LK，且第二开口LK沿靠近衬底10的方向贯穿衬底10一侧的膜层，形成透明区TA；第二开口LK内填充有透明材料，可以保证整个显示面板的膜层平整度。本实施例解释说明了遮光层30和驱动阵列层20开设的第一凹槽20K1可以均位于非透明区NTA，可以保证透明显示面板中发光器件40的绑定良率和转移效率，还可以提升透明显示面板的显示品质。
可以理解的是，本实施例的图32中仅是举例示意显示面板000中透明区TA和非透明区NTA的排布方式，具体实施时，显示面板000中的透明区TA和非透明区NTA的排布方式包括但不局限于此，还可以为沿图中横方向上透明区TA和非透明区NTA依次间隔设置，沿图中纵方向上透明区TA和非透明区NTA也依次间隔设置，本实施例对此不作限定，具体可参考相关技术中透明显示面板的结构进行理解。
在一些可选实施例中，请结合参考图32、图33和图34，图34是图32中E-E’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，遮光层30至少覆盖第二开口LK的部分侧壁。
本实施例解释说明了显示面板000为透明显示面板，透明区TA开设有贯穿至衬底10上方的第二开口LK时，遮光层30至少覆盖第二开口LK的部分侧壁(如图33所示)，进一步可选的，遮光层30可以覆盖第二开口LK的完整侧壁(如图34所示)，从而可以通过遮光层30遮挡光线，降低屏幕反射率的同时，也可以尽可能多的覆盖住非透明区NTA的薄膜晶体管20T，改善光线照射到薄膜晶体管20T之后的漏电流问题，进一步提升显示品质。
在一些可选实施例中，请结合参考图32和图35，图35是图32中E-E’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，驱动阵列层20还包括第二凹槽20K2，第二凹槽20K2在衬底10的正投影至少部分围绕第二开口LK在衬底10的正投影；
至少部分遮光层30位于第二凹槽20K2内。
本实施例解释说明了驱动阵列层20还包括第二凹槽20K2，可选的，第二凹槽20K2可以设置于非透明区NTA，且第二凹槽20K2在衬底10的正投影至少部分围绕透明区TA的第二开口LK在衬底10的正投影，可选的，驱动阵列层20可以包括多个金属层和多个绝缘层，本实施例中在驱动阵列层20开设的第二凹槽20K2可以理解为在驱动阵列层20的多个膜层中的任意一个或一个以上的膜层中开设的第二凹槽20K2，进一步可选的，第二凹槽20K2和第一凹槽20K1可以采用相同的膜层制作。本实施例的图中，以开设的第一凹槽20K1和第二凹槽20K2的膜层为靠近遮光层30的平坦化层为例进行示例说明，驱动阵列层20的驱动电路等结构制作完成后，需要设置绝缘的平坦化层，以使得后续遮光层30的制作膜层平坦化；具体实施时，第一凹槽20K1和第二凹槽20K2的开设膜层可以为遮光层30与衬底10之间的任一个或多个膜层，即驱动阵列层20中任一或者多个膜层配合形成第一凹槽20K1和第二凹槽20K2，本实施例在此不作限定。
本实施例设置第二凹槽20K2在衬底10的正投影至少部分围绕第二开口LK在衬底10的正投影，从而可以使得第二凹槽20K2所在区域的驱动阵列层20下陷至一定程度，下陷的高度即为第二凹槽20K2的深度。由于驱动阵列层20中第二凹槽20K2的设置，使得遮光层30的制程过程中，遮光层30未固化前，利用其未固化时良好的流动性，使其流动填充至第二凹槽20K2位置，即至少部分遮光层30位于第二凹槽20K2内，可以防止遮光层30未固化前，因过度或者过速流动而延伸对透明区TA位置，进而影响透明区TA的面积，有利于保证透明显示效果。
可以理解的是，本实施例中的第二凹槽20K2的开设膜层可以与第一凹槽20K1的开设膜层相同，第二凹槽20K2开设的形状也可以与第一凹槽20K1相同或者不同，仅需第二凹槽20K2能够减缓遮光层30未固化前向透明区TA流动的速度即可，本实施例在此不作具体限定。
在一些可选实施例中，请结合参考图36和图37-图39，图36是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图，图37是图36中F-F’向的剖面结构示意图，图38是图36中F-F’向的另一种剖面结构示意图，图39是图36中F-F’向的另一种剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图36进行了透明度填充)，本实施例中，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第二凹槽20K2的深度H02大于第一凹槽20K1的深度H01；和/或，
在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第一凹槽20K1的宽度为W01；
在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第二凹槽20K2指向透明区TA的方向(如图中示意的第一方向X)，第二凹槽20K2的宽度为W02；其中，W02＞W01。
本实施例解释说明了驱动阵列层20开设有第一凹槽20K1和第二凹槽20K2，第一凹槽20K1和第二凹槽20K2可以均设置于非透明区NTA，第二凹槽20K2在衬底10的正投影至少部分围绕第二开口LK在衬底10的正投影，第一凹槽20K1在衬底10的正投影至少部分围绕第一开口301在衬底10的正投影，第一凹槽20K1和第二凹槽20K2的宽度和深度可以做差异化设计，如图36和图37所示，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第二凹槽20K2的深度H02大于第一凹槽20K1的深度H01；或者如图36和图38所示，在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第二凹槽20K2的宽度W02可以大于第一凹槽20K1的宽度W01；或者如图36和图39所示，在垂直于衬底10所在平面的方向Z上，第二凹槽20K2的深度H02大于第一凹槽20K1的深度H01，且在平行于衬底10所在平面的方向上，沿第一凹槽20K1指向发光器件40的方向(如图中示意的第一方向X)，第二凹槽20K2的宽度W02可以大于第一凹槽20K1的宽度W01，可以使得透明区TA周围的第二凹槽20K2的深度较深和/或宽度较宽，发光器件40周围的第一凹槽20K1的深度较浅和/或宽度较窄，提升透明区TA周围的第二凹槽20K2内容纳遮光层30填充的空间，进一步减缓遮光层30未固化前向透明区TA流动的速度，保证透明区TA的设计面积。
在一些可选实施例中，请参考图40，图40是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图，本实施例提供的显示装置111，包括本发明上述实施例提供的显示面板000。图40实施例仅以手机为例，对显示装置111进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置111，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置111，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置111，具有本发明实施例提供的显示面板000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板000的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的显示面板包括衬底，衬底作为承载基板使用，用于制作位于衬底的一侧的驱动阵列层、遮光层和发光器件等膜层结构。驱动阵列层可以理解为制作驱动发光器件发光的驱动电路结构的膜层，如制作驱动发光器件发光的薄膜晶体管等电路结构，驱动阵列层远离衬底的一侧包括遮光层，遮光层的制作材料可以为绝缘且能够起到遮挡光线作用的材料，遮光层包括多个第一开口，第一开口贯穿遮光层，第一开口用于暴露出绑定层的绑定电极，便于后续发光器件转移后，在该第一开口内通过发光器件的阴极和阳极分别与第一开口暴露的绑定电极绑定电连接。遮光层仅在需要绑定发光器件的位置设置第一开口，其余区域通过遮光层材料的遮挡，可以有效的降低屏幕反射率，避免外界光线对显示面板的显示效果产生影响。本发明设置驱动阵列层包括多个第一凹槽，第一凹槽在衬底的正投影至少部分围绕第一开口在衬底的正投影，从而可以使得第一凹槽所在区域的驱动阵列层下陷至一定程度，下陷的高度即为第一凹槽的深度。在遮光层的制程过程中，遮光层未固化前，利用其未固化时良好的流动性，使其流动填充至第一凹槽位置，从而可以使得第一凹槽以外区域的遮光层厚度大大降低，进而可以改善因发光器件周围的膜层高度较高造成转移时的键合干涉的问题，降低采用微印章转移发光器件的下压过程中，微印章与发光器件周围的膜层干涉的风险，有利于提升发光器件的转移效率和后续与绑定电极的绑定良率，保证显示品质。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (23)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动阵列层，所述驱动阵列层位于所述衬底的一侧，所述驱动阵列层包括多个第一凹槽；
遮光层，所述遮光层位于所述驱动阵列层远离所述衬底的一侧，所述遮光层包括多个第一开口，所述第一开口贯穿所述遮光层，所述第一凹槽在所述衬底的正投影至少部分围绕所述第一开口在所述衬底的正投影；
多个发光器件，所述发光器件在所述衬底的正投影与所述第一开口在所述衬底的正投影至少部分交叠；
至少部分所述遮光层位于所述第一凹槽内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述遮光层位于所述第一凹槽外；
在所述第一凹槽区域外，所述遮光层在垂直于所述衬底所在平面方向上的厚度为D1；
在所述第一凹槽区域，所述遮光层在垂直于所述衬底所在平面方向上的厚度为D2；其中，D1＜D2。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述遮光层位于所述第一凹槽靠近所述发光器件的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
同一个所述第一凹槽包括第一部和第二部；
沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述第一部的深度与所述第二部的深度不同；和/或，在平行于所述衬底所在平面的方向上，沿所述第一凹槽指向所述发光器件的方向，所述第一部的宽度与所述第二部的宽度不同。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
在平行于所述衬底所在平面的方向上，沿所述第一凹槽指向所述发光器件的方向，所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度；和/或，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述第一部的深度大于所述第二部的深度；
所述驱动阵列层包括多个薄膜晶体管，所述第一部在所述衬底的正投影与所述薄膜晶体管在所述衬底的正投影之间的距离为D3，所述第二部在所述衬底的正投影与所述薄膜晶体管在所述衬底的正投影之间的距离为D4；其中，D3＜D4。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
沿平行于所述衬底所在平面的方向，所述第一部到所述发光器件的最短距离为L1，所述第二部到所述发光器件的最短距离为L2；
在平行于所述衬底所在平面的方向上，沿所述第一凹槽指向所述发光器件的方向，所述第一部的宽度为W1，所述第二部的宽度为W2；
沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述第一部的深度为H1，所述第二部的深度为H2；
其中，(L1-L2)×(W1-W2)＜0；和/或，(L1-L2)×(H1-H2)＜0。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一凹槽在所述衬底的正投影为条状结构；
沿平行于所述衬底所在平面的方向，所述第一凹槽位于相邻两个所述发光器件之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一凹槽在所述衬底的正投影为环状结构；
所述第一凹槽在所述衬底的正投影围绕至少一个所述发光器件在所述衬底的正投影。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一凹槽至少包括第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽在所述衬底的正投影围绕一个所述发光器件在所述衬底的正投影，所述第二子凹槽在所述衬底的正投影围绕两个所述发光器件在所述衬底的正投影；
所述第一子凹槽在所述衬底的正投影和所述第二子凹槽在所述衬底的正投影至少部分交叠。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述驱动阵列层包括多条第一信号线，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，至少部分段的所述第一信号线与所述第一凹槽交叠。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽包括第一区和第二区；
在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一区内所述第一凹槽的深度大于所述第二区内所述第一凹槽的深度，所述第一信号线与所述第一区内的所述第一凹槽不交叠。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层至少包括第一绝缘层；
所述第一凹槽位于所述第一绝缘层。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层与所述遮光层之间不包括其他绝缘层。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一凹槽的深度小于或等于所述第一绝缘层的厚度。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层朝向所述衬底的一侧；
所述第一凹槽包括位于所述第一绝缘层的第一镂空部和位于所述第二绝缘层的第二镂空部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一镂空部和所述第二镂空部相互交叠。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一镂空部的深度小于或等于所述第一绝缘层的厚度，所述第二镂空部的深度小于或等于所述第二绝缘层的厚度。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽的侧壁包括斜面状或者阶梯状的任一种。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源部，所述第一凹槽位于所述有源部所在膜层远离所述衬底的一侧。
19.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括透明区和非透明区，所述发光器件位于非透明区，所述透明区的所述衬底一侧包括第二开口；
所述第二开口沿靠近所述衬底的方向贯穿所述衬底一侧的膜层，所述第二开口内填充有透明材料。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层至少覆盖所述第二开口的部分侧壁。
21.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层还包括第二凹槽，所述第二凹槽在所述衬底的正投影至少部分围绕所述第二开口在所述衬底的正投影；
至少部分所述遮光层位于所述第二凹槽内。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度；和/或，
在平行于所述衬底所在平面的方向上，沿所述第一凹槽指向所述发光器件的方向，所述第一凹槽的宽度为W01；
在平行于所述衬底所在平面的方向上，沿所述第二凹槽指向所述透明区的方向，所述第二凹槽的宽度为W02；其中，W02＞W01。
23.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-22所述的显示面板。
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