CN116544236A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116544236A CN116544236A CN202310047334.3A CN202310047334A CN116544236A CN 116544236 A CN116544236 A CN 116544236A CN 202310047334 A CN202310047334 A CN 202310047334A CN 116544236 A CN116544236 A CN 116544236A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- insulating layer
- wiring
- organic insulating
- connection region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 374
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 32
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 14
- -1 region Substances 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 1
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;zinc Chemical compound [Zn].OO DLINORNFHVEIFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105296 zinc peroxide Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示装置包括:基板,包括第一区域以及从第一区域延伸的第一连接区域;无机绝缘层,在第一区域中设置在基板上,并且具有侧表面;有机层,设置在基板上,覆盖无机绝缘层的侧表面并且布置在第一连接区域中;第一有机绝缘层,在第一区域中设置在无机绝缘层上,并且具有第一侧表面;以及第一布线,在第一区域中设置在第一有机绝缘层上并且在第一连接区域中设置在有机层上,其中,第一布线在从第一区域到第一连接区域的方向上沿着第一侧表面延伸。
Description
本申请要求于2022年2月3日提交的韩国专利申请第10-2022-0014385号的优先权以及由此产生的所有权益,其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置。
背景技术
随着用于可视地显示电信号的显示装置的发展,引入了具有诸如小厚度、轻重量和低功耗的期望特性的各种显示装置。例如,引入了能够折叠或卷曲的柔性显示装置。近年来,积极地进行了对具有可以进行各种改变的形状的可伸缩显示装置的研究和开发。
这样的显示装置可以包括各种布线以及连接到这些布线的发光元件。各种布线可以是用于传输电源电压的电源布线或者用于传输信号的信号线。
发明内容
一个或多个实施例包括具有可以进行各种改变的形状并且其中各种布线维持低电阻的显示装置。
根据一个或多个实施例,显示装置包括:基板,包括第一区域以及从第一区域延伸的第一连接区域;无机绝缘层,在第一区域中设置在基板上,并且具有侧表面;有机层,设置在基板上,覆盖无机绝缘层的侧表面并且布置在第一连接区域中;第一有机绝缘层,在第一区域中设置在无机绝缘层上,并且具有第一侧表面;以及第一布线,在第一区域中设置在第一有机绝缘层上,并且在第一连接区域中设置在有机层上,其中,第一布线在从第一区域到第一连接区域的方向上沿着第一侧表面延伸。
在实施例中,基板可以进一步包括从第一区域延伸的第二连接区域,有机层可以进一步布置在第二连接区域中,第一有机绝缘层可以从第一区域延伸到第二连接区域,并且显示装置可以进一步包括布置在有机层与第一有机绝缘层之间的第二布线。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二有机绝缘层,设置在第一布线上并且具有第二侧表面,其中,第一有机绝缘层可以在从第二侧表面到第二连接区域的方向上延伸。
在实施例中,第二有机绝缘层可以从第一区域延伸到第一连接区域,第一布线可以在第一连接区域中布置在有机层与第二有机绝缘层之间,并且第二有机绝缘层在第一连接区域中的厚度可以与第一有机绝缘层在第二连接区域中的厚度相同。
在实施例中,第一连接区域中的第一布线可以在与基板的顶表面垂直的方向上与基板间隔开第一距离,第二连接区域中的第二布线可以在与基板的顶表面垂直的方向上与基板间隔开第二距离,并且第一距离和第二距离可以相同。
在实施例中,接触孔可以在第一区域中穿过第一有机绝缘层被限定,并且第一布线和第二布线可以通过该接触孔彼此连接。
在实施例中,第一布线和第二布线可以包括彼此相同的材料。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二有机绝缘层,设置在第一布线上,其中,第二有机绝缘层可以在从第一区域到第一连接区域的方向上沿着第一侧表面延伸。
在实施例中,基板可以进一步包括与第一区域间隔开的第二区域,第一连接区域可以从第一区域延伸到第二区域,并且在平面图中,第一区域的边缘、第一连接区域的边缘和第二区域的边缘可以限定基板的开口区域的至少一部分。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:第二有机绝缘层,在第一区域中设置在第一布线上;以及发光元件,设置在第二有机绝缘层上。
根据一个或多个实施例,显示装置包括:基板,包括第一区域以及分别从第一区域延伸的第一连接区域、第二连接区域、第三连接区域和第四连接区域;第一有机绝缘层,设置在基板上并且沿着第二连接区域、第一区域和第四连接区域延伸;第二有机绝缘层,在第一区域中设置在第一有机绝缘层上,并且从第一区域延伸到第一连接区域和第三连接区域中的每一个;第一布线,在第一区域中布置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间,并且从第一区域延伸到第一连接区域和第三连接区域中的每一个;以及第二布线,在第一区域中布置在基板与第一有机绝缘层之间,并且从第一区域延伸到第二连接区域和第四连接区域中的每一个。
在实施例中,第二有机绝缘层在第一连接区域中的厚度可以与第一有机绝缘层在第二连接区域中的厚度相同。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:无机绝缘层,在第一区域中布置在基板与第一有机绝缘层之间,并且具有侧表面;以及有机层,设置在基板上,覆盖无机绝缘层的侧表面并且布置在第一连接区域和第二连接区域中的每一个中,其中,第一连接区域中的第一布线可以在与基板的顶表面垂直的方向上与基板间隔开第一距离,第二连接区域中的第二布线可以在与基板的顶表面垂直的方向上与基板间隔开第二距离,并且第一距离可以与第二距离相同。
在实施例中,第一有机绝缘层可以包括第一边缘,并且在平面图中,第二有机绝缘层可以跨过第一边缘延伸到第一连接区域。
在实施例中,第二有机绝缘层可以包括第二边缘,并且在平面图中,第一有机绝缘层可以跨过第二边缘延伸到第二连接区域。
在实施例中,在平面图中,第一布线和第二布线可以在第一区域中彼此交叉,接触孔可以在第一区域中穿过第一有机绝缘层被限定,并且第一布线和第二布线可以通过该接触孔彼此连接。
在实施例中,第一布线和第二布线可以包括彼此相同的材料。
在实施例中,基板可以进一步包括与第一区域间隔开的第二区域,第一连接区域可以从第一区域延伸到第二区域,并且第一区域的边缘、第一连接区域的边缘和第二区域的边缘可以限定基板的开口区域的至少一部分。
在实施例中,第一有机绝缘层可以具有第一侧表面,并且第一布线可以在从第一区域到第一连接区域的方向上沿着第一侧表面延伸。
在实施例中,显示装置可以进一步包括:发光元件,在第一区域中设置在第二有机绝缘层上。
附图说明
通过下面结合附图进行的描述,本公开的某些实施例的以上及其他特征将更加明显,在附图中:
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的透视图;
图2A是示出处于其中图1的显示装置在第一方向上延长的第一状态的显示装置的透视图;
图2B是示出处于其中图1的显示装置在第二方向上延长的第二状态的显示装置的透视图;
图3是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图;
图4是示意性地示出显示装置的一个像素的等效电路图;
图5是图3的显示装置的部分A的放大图;
图6A是根据实施例的图5的显示装置的部分B的放大图;
图6B和图6C各自是示出图6A的部件中的一些的平面图;
图7是示意性地示出沿着图6A的线C-C’截取的显示装置的截面图;
图8是示意性地示出沿着图6A的线D-D’截取的显示装置的截面图;
图9示出了用于示出当拉力或收缩力被施加到图5的显示装置时发生改变的显示装置的形状的模拟结果;
图10是图5的显示装置的根据比较示例的部分B的放大图;
图11A是图5的显示装置的根据可替代实施例的部分B的放大图;并且
图11B和图11C各自是示出图11A的部件中的一些的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明,在附图中示出了各种实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式来体现,并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是全面和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在整个说明书中,相同的附图标记指代相同的元件,并且可以省略或简化对相同元件的任何重复的详细描述。
将理解,当元件被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在该另一元件上,或者在它们之间可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在居间元件。
本公开可以具有各种修改和各种实施例,并且在附图中图示出并且在详细描述中详细描述了具体实施例。参考参照附图详细描述的实施例,本公开的效果和特征及其实现方法将变得明显。然而,本公开不限于下面描述的实施例,并且可以以各种形式实现。
诸如“第一”和“第二”等的术语不以限制的含义使用,而是用于将一个部件与另一部件区分开。
本文中使用的术语仅出于描述特定实施例的目的,并且不旨在进行限制。如本文中所使用的,“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制,并且旨在包括单数和复数两者,除非上下文另外明确指示。例如,“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义,除非上下文另外明确指示。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”表示“和/或”。如本文所使用的,术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
还将理解,术语“包含”和/或其变型或“包括”和/或其变型当在本说明书中使用时,指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
将理解,当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时,它可以直接或间接地形成在该另一层、区域或元件上。也就是说,例如,可以存在居间层、区域或元件。
在附图中,为了便于描述,部件的尺寸可能被夸大或缩小。换句话说,因为附图中的部件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意图示出的,所以本公开不一定限于此。
当某个实施例可以不同地实现时,具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的工艺可以基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
当层、区域或部件等连接到另一层、区域或部件等时,该层、区域或部件等可以直接连接到该另一层、区域或部件等,或者可以通过其间的居间层、区域或部件等间接地连接到该另一层、区域或部件等。例如,在本说明书中,当层、区域或部件等电连接到另一层、区域或部件等时,该层、区域或部件等可以直接电连接到该另一层、区域或部件等,或者可以通过其间的居间层、区域或部件等间接地电连接到该另一层、区域或部件等。
此外,在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解,除附图中所示的方位以外,相对术语旨在还包括装置的不同方位。例如,如果附图中的一个附图中的装置被翻转,则描述为在其他元件的“下”侧的元件将随之被定向为在其他元件的“上”侧。因此,取决于附图的特定方位,术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。类似地,如果附图中的一个附图中的装置被翻转,则描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其他元件的“上方”。因此,术语“下方”和“下面”可以包含上方和下方两种方位。
除非另有限定,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解,例如在常用词典中限定的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义,并且除非在本文中明确如此限定,否则将不会以理想的或过于正式的意义来解释。
本文参照作为理想化实施例的示意性图示的截面图示来描述实施例。因此,应预期到由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此,本文所描述的实施例不应解释为限于本文所图示的区域的特定形状,而应包括例如由制造导致的形状的偏差。例如,图示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外,所图示的尖角可以被倒圆。因此,附图中图示出的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在图示出区域的精确形状,并且也不旨在限制本公开的范围。
在下文中将参照附图详细描述一个或多个实施例。
显示装置是用于显示图像的设备,并且可以是诸如游戏装置、多媒体装置或微型个人计算机(PC)的便携式移动装置。下面描述的显示装置可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、量子点显示器、等离子显示器和阴极射线显示器。在下文中,将详细描述显示装置是有机发光显示装置的实施例,但是在可替代实施例中,可以使用显示装置可以是上述各种类型的显示装置中的一种的情形。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置1的透视图。图2A是示出处于其中图1的显示装置1在第一方向上延长的第一状态的显示装置的透视图。图2B是示出处于其中图1的显示装置1在第二方向上延长的第二状态的显示装置的透视图。
参照图1,显示装置1可以显示图像。在实施例中,显示装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。多个像素可以布置在显示区域DA中,并且显示装置1可以通过使用从多个像素发射的光来提供特定图像。非显示区域NDA可以与显示区域DA邻近。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。根据实施例,非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。
显示装置1可以包括在第一方向上延伸的第一边L1以及在第二方向上延伸的第二边L2。第一边L1和第二边L2可以是显示装置1的边缘。第一方向和第二方向可以彼此交叉。这里,第三方向可以是垂直于第一方向和第二方向的方向,并且可以是显示装置1的厚度方向。在实施例中,例如,第一方向和第二方向可以形成锐角。在可替代实施例中,例如,第一方向和第二方向可以形成钝角或直角。在实施例中,如图1中所示和本文中所描述的,第一方向可以是x或-x方向,第二方向可以是y或-y方向,并且第三方向可以是z或-z方向。
参照图2A和图2B,显示装置1的实施例可以是可伸缩的显示装置。参照图2A,当在第一方向(例如,x方向或-x方向)上向显示装置1施加拉力时,显示装置1可以在第一方向(例如,x方向或-x方向)上延长。在这种情况下,图2A的第一边L1-1可以比图1的第一边L1长。根据实施例,当在第一方向(例如,x方向或-x方向)上向显示装置1施加收缩力时,显示装置1可以在第一方向(例如,x方向或-x方向)上收缩。在这种情况下,图2A的第一边L1-1可以比图1的第一边L1短。
参照图2B,当在第二方向(例如,y方向或-y方向)上向显示装置1施加拉力时,显示装置1可以在第二方向(例如,y方向或-y方向)上延长。在这种情况下,图2B的第二边L2-1可以比图1的第二边L2长。显示区域DA和非显示区域NDA可以各自在第二方向(例如,y方向或-y方向)上延长。根据实施例,当在第二方向(例如,y方向或-y方向)上向显示装置1施加收缩力时,显示装置1可以在第二方向(例如,y方向或-y方向)上收缩。在这种情况下,图2B的第二边L2-1可以比图1的第二边L2短。在这样的实施例中,当拉力或收缩力被施加到显示装置1时,显示装置1可以改变成各种形状中的任何一种。
图3是示意性地示出根据实施例的显示装置1的平面图。
参照图3,显示装置1的实施例可以包括基板100、像素PX、扫描线SL和数据线DL。显示装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。根据实施例,显示区域DA和非显示区域NDA可以限定在基板100中。在实施例中,例如,基板100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
像素PX可以布置在显示区域DA中。非显示区域NDA可以与显示区域DA邻近。根据实施例,非显示区域NDA可以至少部分地围绕显示区域DA。在实施例中,例如,在平面图中或当在第三方向(例如,z方向或-z方向)上观看时,非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。被配置成将电信号施加到像素PX的驱动电路(未示出)可以布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括焊盘区域。焊盘可以布置在焊盘区域中。
像素PX可以布置在显示区域DA中。根据实施例,多个像素PX可以布置在显示区域DA中。每个像素PX可以包括像素电路PC和发光元件LE。
像素电路PC可以是被配置成控制发光元件LE的电路。多个像素电路PC可以布置在显示区域DA中。像素电路PC可以包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器。像素电路PC可以连接到扫描线SL和数据线DL。
发光元件LE可以电连接到像素电路PC。多个发光元件LE可以布置在显示区域DA中。发光元件LE可以是包括有机发射层的有机发光二极管。可替代地,发光元件LE可以是包括无机发射层的发光二极管(LED)。LED的尺寸可以是微米级或纳米级。在实施例中,例如,LED可以是微型LED。可替代地,LED可以是纳米棒LED。纳米棒LED可以包括氮化镓(GaN)。根据实施例,颜色转换层可以设置在纳米棒LED上。颜色转换层可以包括量子点。可替代地,发光元件LE可以是包括量子点发射层的量子点LED。在下文中,为了便于描述,将详细描述发光元件LE是有机LED的实施例,但不限于此。
扫描线SL可以在第一方向(例如,x方向或-x方向)上延伸。根据实施例,扫描线SL可以连接到扫描驱动电路(未示出)。扫描线SL可以连接到像素电路PC。相应地,扫描线SL可以被配置成从扫描驱动电路接收扫描信号并将扫描信号传输到像素电路PC。
数据线DL可以在第二方向(例如,y方向或-y方向)上延伸。数据线DL可以连接到数据驱动电路(未示出)。数据线DL可以连接到像素电路PC。数据线DL可以被配置成从数据驱动电路接收数据信号并将数据信号传输到像素电路PC。
图4是示意性地示出显示装置的一个像素PX的等效电路图。
参照图4,像素PX的实施例可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的发光元件LE。根据实施例,像素电路PC可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2和存储电容器Cst。
开关晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以被配置成响应于从扫描线SL输入的扫描信号Sn,将从数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关晶体管T2和驱动电压线PL,并且可以被配置成存储与从开关晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以被配置成响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过发光元件LE的驱动电流。发光元件LE可以被配置成发射与驱动电流相对应的特定亮度的光。发光元件LE的对电极(例如,阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
在实施例中,如图4中所示,像素电路PC可以包括两个晶体管和一个存储电容器,但不限于此。根据可替代实施例,像素电路PC可以包括三个或更多个晶体管。
图5是图3的显示装置1的部分A的放大图。
参照图5,显示装置1可以包括基板100。基板100可以包括开口区域OPA。开口区域OPA可以是基板100没有布置在其中的区域或者由穿过基板100限定或形成的开口所限定的区域。相应地,显示装置1可以以各种形状中的任何一种延长或收缩而不损坏。基板100可以包括基底区域BA和连接区域CA。
像素可以布置在基底区域BA中。可以存在多个基底区域BA,或者基底区域BA可以提供为多个。多个基底区域BA可以彼此间隔开。根据实施例,多个基底区域BA可以在第一方向(例如,x方向或-x方向)和/或第二方向(例如,y方向或-y方向)上彼此间隔开。根据实施例,多个基底区域BA可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。
连接区域CA可以将邻近的基底区域BA彼此连接。在实施例中,在邻近的基底区域BA通过连接区域CA彼此连接的情况下,连接区域CA在邻近的基底区域BA之间延伸,并且邻近的基底区域BA与连接区域CA彼此一体地提供或形成为单一且不可分割的部分。可以存在多个连接区域CA,或者连接区域CA可以提供为多个。连接区域CA可以是桥接区域。
连接区域CA的延伸方向可以改变。在实施例中,例如,第一连接区域CA1的延伸方向可以从第二方向(例如,y方向或-y方向)改变成第一方向(例如,x方向或-x方向)。第二连接区域CA2的延伸方向可以从第一方向(例如,x方向或-x方向)改变成第二方向(例如,y方向或-y方向)。在实施例中,如图5中所示,连接区域CA的边缘以直角弯曲,但不限于此。根据可替代实施例,连接区域CA的边缘可以以各种角度中的任何一种弯曲。根据另一可替代实施例,连接区域CA的边缘可以是曲线。
一个基底区域BA可以连接到四个连接区域CA。连接到一个基底区域BA的四个连接区域CA可以在彼此不同的方向上延伸,并且每个连接区域CA可以连接到与这一个基底区域BA邻近布置的另一基底区域BA。在实施例中,例如,第一区域AR1可以连接到第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4。第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4可以从第一区域AR1延伸。第一连接区域CA1可以从第一区域AR1延伸到第二区域AR2。相应地,第一区域AR1、第一连接区域CA1和第二区域AR2可以彼此连接,并且彼此一体地提供或形成为单一且不可分割的部分。
开口区域OPA可以布置在邻近的基底区域BA之间。在实施例中,例如,开口区域OPA可以布置在第一区域AR1与第二区域AR2之间。在平面图中,开口区域OPA的至少一部分可以由第一区域AR1的边缘ARE1、第一连接区域CA1的边缘CAE1和第二区域AR2的边缘ARE2限定。
一个基底区域BA与从其延伸的连接区域CA中的一些可以共同限定一个基本单元U。基本单元U可以在第一方向(例如,x方向或-x方向)和/或第二方向(例如,y方向或-y方向)上重复地布置。可以理解,显示装置1被提供为重复布置的基本单元U彼此连接。两个邻近的基本单元U可以彼此对称。在实施例中,例如,在第一方向(例如,x方向或-x方向)上邻近的两个基本单元U可以基于位于这两个基本单元U之间并在第二方向(例如,y方向或-y方向)上延伸的对称轴左右对称。在这样的实施例中,在第二方向(例如,y方向或-y方向)上邻近的两个基本单元U可以基于位于这两个基本单元U之间并在第一方向(例如,x方向或-x方向)上延伸的对称轴垂直对称。
图6A是根据实施例的图5的显示装置1的部分B的放大图。图6B和图6C各自是示出图6A的部件中的一些的平面图。在图6A至图6C中,与图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件,并且将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
参照图6A至图6C,显示装置1的实施例可以包括基板100、第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第一布线WL1和第二布线WL2。图6B图示出基板100、第一有机绝缘层OIL1、第一布线WL1和第二布线WL2,并且图6C图示出基板100、第二有机绝缘层OIL2、第一布线WL1和第二布线WL2。
基板100可以包括第一区域AR1和连接区域CA。连接区域CA可以从第一区域AR1延伸。根据实施例,连接区域CA可以包括第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4。第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4可以各自从第一区域AR1延伸。在图6A至图6C中,第一连接区域CA1和第三连接区域CA3的延伸方向从第一方向(例如,x方向或-x方向)改变成第二方向(例如,y方向或-y方向),使得第一连接区域CA1和第三连接区域CA3在其一端连接到第一区域AR1,但第一连接区域CA1和第三连接区域CA3可以基本在第一方向(例如,x方向或-x方向)上延伸。在图6A至图6C中,第二连接区域CA2和第四连接区域CA4的延伸方向从第二方向(例如,y方向或-y方向)改变成第一方向(例如,x方向或-x方向),使得第二连接区域CA2和第四连接区域CA4在其一端连接到第一区域AR1,但第二连接区域CA2和第四连接区域CA4可以基本在第二方向(例如,y方向或-y方向)上延伸。
第一有机绝缘层OIL1可以设置在基板100上。根据一些实施例,第一有机绝缘层OIL1可以是第一平坦化层。第一有机绝缘层OIL1可以沿着第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4延伸。第一有机绝缘层OIL1可以在第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4中连续延伸。第一有机绝缘层OIL1可以包括第一边缘OILE1。第一边缘OILE1可以与第一连接区域CA1的边缘和第三连接区域CA3的边缘中的每一个匹配或相对应(例如,对准)。第一边缘OILE1可以延伸,以与第一连接区域CA1交叉或者与第一连接区域CA1的邻近于第一连接区域CA1和第一区域AR1的边界的部分重叠。在这样的实施例中,在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以不沿着第一连接区域CA1延伸。第一边缘OILE1可以延伸,以与第三连接区域CA3交叉或者与第三连接区域CA3的邻近于第三连接区域CA3和第一区域AR1的边界的部分重叠。在这样的实施例中,在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以不沿着第三连接区域CA3延伸。第一有机绝缘层OIL1可以包括有机材料。
第二有机绝缘层OIL2可以在第一区域AR1中被设置在第一有机绝缘层OIL1上。根据一些实施例,第二有机绝缘层OIL2可以是第二平坦化层。第二有机绝缘层OIL2可以从第一区域AR1延伸到第一连接区域CA1和第三连接区域CA3中的每一个。第二有机绝缘层OIL2可以在第一连接区域CA1、第一区域AR1和第三连接区域CA3中连续延伸。第二有机绝缘层OIL2可以包括第二边缘OILE2。第二边缘OILE2可以与第二连接区域CA2的边缘和第四连接区域CA4的边缘中的每一个匹配或相对应(例如,对准)。第二边缘OILE2可以延伸,以与第二连接区域CA2交叉或者与第二连接区域CA2的邻近于第二连接区域CA2和第一区域AR1的边界的部分重叠。在这样的实施例中,在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以不沿着第二连接区域CA2延伸。第二边缘OILE2可以延伸,以与第四连接区域CA4交叉或者与第四连接区域CA4的邻近于第四连接区域CA4和第一区域AR1的边界的部分重叠。在这样的实施例中,在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以不沿着第四连接区域CA4延伸。第二有机绝缘层OIL2可以包括有机材料。
在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以跨过第二边缘OILE2延伸到第二连接区域CA2。在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以跨过第二边缘OILE2延伸到第四连接区域CA4。在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以跨过第一边缘OILE1延伸到第一连接区域CA1。在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以跨过第一边缘OILE1延伸到第三连接区域CA3。相应地,第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2中的任何一个可以布置在连接区域CA中。
在第一区域AR1中,第一布线WL1可以布置在第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间。第一布线WL1可以从第一区域AR1延伸到第一连接区域CA1和第三连接区域CA3中的每一个。第一布线WL1可以在第一连接区域CA1、第一区域AR1和第三连接区域CA3中连续延伸。根据一些实施例,可以存在多条第一布线WL1。根据实施例,第一布线WL1可以是被配置成传输电源电压的电压线。在实施例中,例如,第一布线WL1可以是被配置成传输图4的第一电源电压ELVDD的驱动电压线PL。根据可替代实施例,第一布线WL1可以是信号线。在实施例中,例如,第一布线WL1可以是图4的扫描线SL或数据线DL。
在第一区域AR1中,第二布线WL2可以布置在基板100与第一有机绝缘层OIL1之间。第二布线WL2可以从第一区域AR1延伸到第二连接区域CA2和第四连接区域CA4中的每一个。第二布线WL2可以在第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4中连续延伸。根据一些实施例,可以存在多条第二布线WL2。根据实施例,第二布线WL2可以是被配置成传输电源电压的电压线。在实施例中,例如,第二布线WL2可以是被配置成传输图4的第一电源电压ELVDD的驱动电压线PL。根据可替代实施例,第二布线WL2可以是信号线。在实施例中,例如,第二布线WL2可以是图4的扫描线SL或数据线DL。
第一布线WL1和第二布线WL2可以在平面图中彼此交叉。根据一些实施例,在第一区域AR1中可以穿过第一有机绝缘层OIL1限定或形成接触孔,并且第一布线WL1和第二布线WL2可以通过该接触孔彼此连接。
根据实施例,第一布线WL1和第二布线WL2可以包括彼此相同的材料。根据可替代实施例,第一布线WL1和第二布线WL2可以包括彼此不同的材料。
根据实施例,如图6A至图6C中所示,在第一区域AR1中,第一布线WL1和第二布线WL2可以布置在彼此不同的层中或直接布置在彼此不同的层上。在实施例中,例如,第一布线WL1可以布置在第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间,并且第二布线WL2可以布置在基板100与第一有机绝缘层OIL1之间。相应地,可以在第一区域AR1中对各布线进行各种布置。在连接区域CA中,第一布线WL1可以布置在基板100与第二有机绝缘层OIL2之间。在连接区域CA中,第二布线WL2可以布置在基板100与第一有机绝缘层OIL1之间。当显示装置1延长或收缩时,连接区域CA的一部分可能在第三方向(例如,z方向或-z方向)上移动。在这种情况下,可期望第一布线WL1和第二布线WL2位于显示装置1中的应力中性平面。在实施例中,第一布线WL1和第二布线WL2在第一区域AR1中可以布置在不同层中,并且在连接区域CA中可以各自位于应力中性平面。相应地,可以减小施加到第一布线WL1和第二布线WL2的应力。
图7是示意性地示出沿着图6A的线C-C’截取的显示装置1的截面图。图8是示意性地示出沿着图6A的线D-D’截取的显示装置1的截面图。
参照图7,显示装置1的实施例可以包括基板100、电路层200、发光元件层300和无机封装层400。基板100可以包括第一区域AR1和第一连接区域CA1。第一连接区域CA1可以从第一区域AR1延伸。基板100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。根据实施例,基板100可以具有包括基底层和阻挡层(未示出)的多层结构,基底层包括上述聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。根据一些实施例,基板100可以包括玻璃。
电路层200可以设置在基板100上。电路层200可以包括像素电路PC、无机绝缘层IIL、有机层OL、第一有机绝缘层OIL1、第一布线WL1、连接电极CM、第二有机绝缘层OIL2以及无机层PVX。像素电路PC可以包括晶体管TFT和存储电容器Cst。晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。
无机绝缘层IIL可以在第一区域AR1中设置在基板100上。无机绝缘层IIL可以包括阻挡层211、缓冲层213、第一栅绝缘层215、第二栅绝缘层217和层间绝缘层219。
阻挡层211可以设置在基板100上。阻挡层211可以是防止或减少异物的渗透的层。阻挡层211可以是包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氧氮化硅(SiON)的无机材料的单层或多层。
缓冲层213可以设置在阻挡层211上。缓冲层213可以包括诸如SiNX、SiON或SiO2的无机绝缘材料,并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。
半导体层Act可以设置在缓冲层213上。半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地,半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。根据实施例,半导体层Act可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的相反侧的源区和漏区。
第一栅绝缘层215可以设置在半导体层Act和缓冲层213上。第一栅绝缘层215可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)的无机绝缘材料。ZnOx可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
栅电极GE可以设置在第一栅绝缘层215上。栅电极GE可以与半导体层Act的沟道区重叠。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。根据实施例,栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料,并且可以包括包含导电材料的多层或单层。
第二栅绝缘层217可以设置在栅电极GE和第一栅绝缘层215上。第二栅绝缘层217可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx的无机绝缘材料。
第二电容器电极CE2可以设置在第二栅绝缘层217上。第二电容器电极CE2可以与栅电极GE重叠。在这样的实施例中,栅电极GE可以用作第一电容器电极CE1。在实施例中,如图7中所示,存储电容器Cst和晶体管TFT彼此重叠,但不限于此。根据可替代实施例,存储电容器Cst和晶体管TFT可以彼此不重叠。在这样的实施例中,第一电容器电极CE1和栅电极GE可以是独立的电极。第二电容器电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以是包括这样的材料的单层或多层。
层间绝缘层219可以设置在第二电容器电极CE2和第二栅绝缘层217上。层间绝缘层219可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnOx的无机绝缘材料。
源电极SE和漏电极DE可以各自设置在层间绝缘层219上。源电极SE和漏电极DE可以各自通过提供或限定在第一栅绝缘层215、第二栅绝缘层217和层间绝缘层219中的接触孔连接到半导体层Act。选自源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料,并且可以提供为包括该导电材料的多层或单层。根据实施例,选自源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
无机绝缘层IIL可以布置在第一区域AR1中并且不布置在第一连接区域CA1中。无机绝缘层IIL可以包括侧表面IILS。无机绝缘层IIL的侧表面IILS可以是相对于基板100的顶表面倾斜的表面,或者是在与基板100的顶表面交叉的方向上延伸的表面。无机绝缘层IIL的侧表面IILS可以布置成面对第一连接区域CA1。在无机绝缘层IIL不布置在第一连接区域CA1中的这样的实施例中,显示装置1在第一连接区域CA1中可以是柔性的。在实施例中,如图7中所示,无机绝缘层IIL不包括台阶部分,但不限于此。根据可替代实施例,无机绝缘层IIL可以包括台阶部分。
有机层OL可以布置在第一连接区域CA1中。根据一些实施例,有机层OL可以是下平坦化层。有机层OL可以覆盖无机绝缘层IIL的侧表面IILS。有机层OL可以包括有机材料。有机层OL可以包括诸如通用聚合物(例如,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物的有机绝缘材料。
第一有机绝缘层OIL1可以在第一区域AR1中设置在无机绝缘层IIL上。第一有机绝缘层OIL1可以包括第一侧表面OILS1。第一侧表面OILS1可以是相对于基板100的顶表面倾斜的表面,或者是在与基板100的顶表面交叉的方向上延伸的表面。第一侧表面OILS1可以布置成面对第一连接区域CA1。第一侧表面OILS1可以是第一有机绝缘层OIL1的第一边缘。第一有机绝缘层OIL1可以包括有机材料。第一有机绝缘层OIL1可以包括诸如通用聚合物(例如,PMMA或PS)、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物的有机绝缘材料。
第一布线WL1可以在第一区域AR1中设置在第一有机绝缘层OIL1上。第一布线WL1可以在第一连接区域CA1中设置在有机层OL上。第一布线WL1可以在从第一区域AR1到第一连接区域CA1的方向上沿着第一侧表面OILS1延伸。根据一些实施例,第一布线WL1可以连接到像素电路PC。第一布线WL1可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料,并且可以是包括该导电材料的多层或单层。根据实施例,第一布线WL1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
连接电极CM可以在第一区域AR1中设置在第一有机绝缘层OIL1上。在第一区域AR1中,连接电极CM可以通过限定在第一有机绝缘层OIL1中的孔电连接到像素电路PC。连接电极CM可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料,并且可以是包括该导电材料的多层或单层。连接电极CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层OIL2可以设置在第一布线WL1、连接电极CM、第一有机绝缘层OIL1和有机层OL上。在第一连接区域CA1中,第一布线WL1可以布置在有机层OL与第二有机绝缘层OIL2之间。第二有机绝缘层OIL2可以从第一区域AR1延伸到第一连接区域CA1。第二有机绝缘层OIL2可以在从第一区域AR1到第一连接区域CA1的方向上沿着第一侧表面OILS1延伸。第二有机绝缘层OIL2可以包括有机材料。第二有机绝缘层OIL2可以包括诸如通用聚合物(例如,PMMA或PS)、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物的有机绝缘材料。
第二有机绝缘层OIL2可以设置在第一布线WL1上。在这样的实施例中,第二有机绝缘层OIL2可以防止或减少在制造工艺期间对第一布线WL1的损坏。
根据实施例,第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2可以包括彼此相同的材料。根据可替代实施例,第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2可以包括彼此不同的材料。
无机层PVX可以设置在第二有机绝缘层OIL2上。无机层PVX可以包括无机材料。
发光元件层300可以设置在电路层200上。发光元件层300可以包括发光元件LE和像素限定层340。发光元件LE可以是有机LED。发光元件LE可以设置在第二有机绝缘层OIL2上。发光元件LE可以包括像素电极310、中间层320和对电极330。
像素电极310可以通过限定在第二有机绝缘层OIL2中的孔连接到连接电极CM。相应地,发光元件LE可以连接到像素电路PC。像素电极310可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。根据可替代实施例,像素电极310可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层。根据另一可替代实施例,像素电极310可以进一步包括在该反射层上/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。
像素限定层340可以覆盖像素电极310的边缘,像素开口部分限定在像素限定层340中,并且该像素开口部分可以与像素电极310重叠。该像素开口部分可以限定从发光元件LE发射的光的发射区。像素限定层340可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。根据一些实施例,像素限定层340可以包括遮光材料。
中间层320可以设置在像素电极310、像素限定层340和/或无机层PVX上。中间层320可以包括发射层322。发射层322可以与像素电极310重叠。发射层322可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
中间层320可以进一步包括选自第一功能层321和第二功能层323中的至少一个。第一功能层321可以布置在像素电极310与发射层322之间。第一功能层321可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层323可以布置在发射层322与对电极330之间。第二功能层323可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。根据实施例,第一功能层321和第二功能层323可以完全设置在基板100上。
对电极330可以设置在像素电极310、中间层320和像素限定层340上。对电极330可以包括具有低功函数的导电材料。在实施例中,例如,对电极330可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca或其合金的(半)透明层。对电极330可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
无机封装层400可以设置在发光元件层300上。无机封装层400可以连续且完全地设置在第一区域AR1和第一连接区域CA1上。相应地,可以防止或减少水分或氧气从外部引入发光元件LE中。根据一些实施例,有机封装层可以设置在无机封装层400上以与发光元件LE重叠。有机封装层可以包括有机材料。在实施例中,附加的无机封装层可以进一步设置在有机封装层上。
尽管未图示出,但触摸传感器层和光学功能层可以进一步设置在无机封装层400上。触摸传感器层可以设置在无机封装层400上。触摸传感器层可以根据外部输入(例如,触摸事件)感测坐标信息。触摸传感器层可以包括传感器电极和连接到传感器电极的触摸布线。触摸传感器层可以经由磁电容法或互电容法来检测外部输入。
光学功能层可以设置在触摸传感器层上。光学功能层可以减小从外部朝向显示装置1入射的光(例如,外部光)的反射率。光学功能层可以改善从显示装置1发射的光的色纯度。根据实施例,光学功能层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型,并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括拉伸的合成树脂膜,并且液晶涂覆型可以包括以特定排列方式布置的液晶。延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。
根据可替代实施例,光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑分别从显示装置1的多个像素发射的光的颜色来布置滤色器。滤色器可以各自包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。可替代地,除了上述颜料或染料之外,滤色器可以各自进一步包括量子点。可替代地,滤色器中的一些可以不包括颜料或染料,并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
根据另一可替代实施例,光学功能层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同层的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以相消干涉,并且相应地,可以减小外部光的反射率。
参照图8,显示装置1可以包括基板100、电路层200、发光元件层300和无机封装层400。基板100可以包括第一区域AR1和第二连接区域CA2。第二连接区域CA2可以从第一区域AR1延伸。
电路层200可以设置在基板100上。电路层200可以包括像素电路PC、无机绝缘层IIL、有机层OL、第二布线WL2、第一有机绝缘层OIL1、第一布线WL1、连接电极CM、第二有机绝缘层OIL2以及无机层PVX。
无机绝缘层IIL可以布置在第一区域AR1中并且不布置在第二连接区域CA2中。无机绝缘层IIL可以包括侧表面IILS。无机绝缘层IIL的侧表面IILS可以布置成面对第二连接区域CA2。在这样的实施例中,无机绝缘层IIL不布置在第二连接区域CA2中,使得显示装置1在第二连接区域CA2中可以是柔性的。
有机层OL可以布置在第二连接区域CA2中。有机层OL可以覆盖无机绝缘层IIL的侧表面IILS。
第二布线WL2可以在第一区域AR1中设置在无机绝缘层IIL上。第二布线WL2可以在第二连接区域CA2中设置在有机层OL上。第二布线WL2可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料,并且可以是包括该导电材料的多层或单层。根据实施例,第二布线WL2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层OIL1可以在第一区域AR1中设置在无机绝缘层IIL上。第一有机绝缘层OIL1可以从第一区域AR1延伸到第二连接区域CA2。在第二连接区域CA2中,第二布线WL2可以布置在有机层OL与第一有机绝缘层OIL1之间。
第一布线WL1可以在第一区域AR1中设置在第一有机绝缘层OIL1上。根据一些实施例,在第一区域AR1中穿过第一有机绝缘层OIL1限定接触孔CNT。第一布线WL1和第二布线WL2可以通过第一有机绝缘层OIL1的接触孔CNT彼此连接。
第一有机绝缘层OIL1可以设置在第二布线WL2上。如果省略第一有机绝缘层OIL1,则在形成第一布线WL1时可能损坏第二布线WL2。在实施例中,第一有机绝缘层OIL1设置在第二布线WL2上,并且第一布线WL1设置在第一有机绝缘层OIL1上,并且因此,第二布线WL2可以不被损坏。
根据实施例,第一布线WL1和第二布线WL2可以包括彼此相同的材料。根据可替代实施例,第一布线WL1和第二布线WL2可以包括彼此不同的材料。
第二有机绝缘层OIL2可以设置在第一布线WL1、连接电极CM和第一有机绝缘层OIL1上。第二有机绝缘层OIL2可以包括第二侧表面OILS2。第二侧表面OILS2可以是相对于基板100的顶表面倾斜的表面,或者是在与基板100的顶表面交叉的方向上延伸的表面。第二有机绝缘层OIL2可以布置成面对第二连接区域CA2。第二侧表面OILS2可以是第二有机绝缘层OIL2的第二边缘。根据实施例,第一有机绝缘层OIL1可以在从第二侧表面OILS2到第二连接区域CA2的方向上延伸。
在第一区域AR1中,第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2可以设置在第二布线WL2上,并且在第二连接区域CA2中,仅第一有机绝缘层OIL1可以设置在第二布线WL2上。在这样的实施例中,有机绝缘层的厚度在第一区域AR1和第二连接区域CA2中可以是不同的。
参照图7和图8,第二有机绝缘层OIL2在第一连接区域CA1中的厚度OILt2与第一有机绝缘层OIL1在第二连接区域CA2中的厚度OILt1可以彼此相同。第一连接区域CA1中的第二有机绝缘层OIL2的厚度OILt2可以是从第二有机绝缘层OIL2的面对第一布线WL1的底表面到第二有机绝缘层OIL2的与第二有机绝缘层OIL2的底表面相反的顶表面的距离。第二连接区域CA2中的第一有机绝缘层OIL1的厚度OILt1可以是从第一有机绝缘层OIL1的面对第二布线WL2的底表面到第一有机绝缘层OIL1的与第一有机绝缘层OIL1的底表面相反的顶表面的距离。
在第一连接区域CA1中,第一布线WL1可以与基板100的面对有机层OL的第一表面(例如,顶表面)100S1间隔开第一距离d1。在第二连接区域CA2中,第二布线WL2可以与基板100的面对有机层OL的第二表面100S2间隔开第二距离d2。在实施例中,第一距离d1和第二距离d2可以彼此相同。
根据实施例,在第一区域AR1中,第一布线WL1和第二布线WL2可以布置在彼此不同的层中。在实施例中,例如,在第一区域AR1中,第一布线WL1可以布置在第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间,并且在第一区域AR1中,第二布线WL2可以布置在无机绝缘层IIL与第一有机绝缘层OIL1之间。相应地,可以在第一区域AR1中对各布线进行各种布置。
在第一连接区域CA1中,第一布线WL1可以布置在有机层OL与第二有机绝缘层OIL2之间。在第二连接区域CA2中,第二布线WL2可以布置在有机层OL与第一有机绝缘层OIL1之间。相应地,第一连接区域CA1中的第一布线WL1的一部分和第二连接区域CA2中的第二布线WL2的一部分可以位于同一平面(例如,应力中性平面)。第一布线WL1可以位于第一连接区域CA1中的应力中性平面,并且第二布线WL2可以位于第二连接区域CA2中的应力中性平面。在这样的实施例中,可以减少施加到第一布线WL1和第二布线WL2的应力。
图9示出了用于示出当拉力或收缩力被施加到图5的显示装置1时发生改变的显示装置1的形状的模拟结果。
参照图9,当拉力或收缩力被施加到显示装置1时,连接区域CA可以弯曲,并且连接区域CA的一部分可以在第三方向(例如,z方向或-z方向)上移动。在这种情况下,可以增大或减小第一区域AR1与第二区域AR2之间的距离,并且可以改变显示装置1的形状。因此,当连接区域CA弯曲时,可以确保显示装置1的高伸缩性。
此时,可以期望布置在连接区域CA中的布线位于应力中性平面。根据实施例,在第一连接区域中,第一布线可以布置在有机层与第二有机绝缘层之间。在第二连接区域中,第二布线可以布置在有机层与第一有机绝缘层之间。相应地,第一布线可以位于第一连接区域中的应力中性平面,并且第二布线可以位于第二连接区域中的应力中性平面。在这种情况下,可以减小施加到第一布线和第二布线的应力。
图10是图5的显示装置1的根据比较示例的部分B的放大图。
参照图10,显示装置1的比较示例可以包括布线WL和桥接布线BRL。基板100可以包括第一区域AR1和连接区域CA。连接区域CA可以从第一区域AR1延伸。根据比较示例,连接区域CA可以包括第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4。
布线WL可以布置在连接区域CA中。布线WL可以布置在第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4中。可以存在多条布线WL。布线WL可以在第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4中的每一个中布置在有机层与第一有机绝缘层之间。在这种情况下,布线WL可以位于第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4中的每一个中的应力中性平面。
桥接布线BRL可以布置在第一区域AR1中,以将从第二连接区域CA2延伸到第三连接区域CA3的第一延伸布线EWL1与从第一连接区域CA1延伸到第四连接区域CA4的第二延伸布线EWL2连接。桥接布线BRL可以设置在例如第一有机绝缘层上。桥接布线BRL可以通过第一有机绝缘层的第一接触孔CNT1连接到第一延伸布线EWL1,并且通过第一有机绝缘层的第二接触孔CNT2连接到第二延伸布线EWL2。在这种情况下,可能增大第一延伸布线EWL1、桥接布线BRL和第二延伸布线EWL2的电阻。此外,当显示装置1的这样的结构在第一方向(例如,x方向或-x方向)和/或第二方向(例如,y方向或-y方向)上重复时,第一延伸布线EWL1、桥接布线BRL和第二延伸布线EWL2的电阻可能进一步增大。当第一延伸布线EWL1、桥接布线BRL及第二延伸布线EWL2是电压线时,可能由于电阻而发生电压降。当第一延伸布线EWL1、桥接布线BRL和第二延伸布线EWL2是信号线时,信号可能被延迟。
在实施例中,返回参照图6A,第一布线WL1可以在第一连接区域CA1、第一区域AR1和第三连接区域CA3中连续延伸,而不通过桥接布线BRL的连接。在这样的实施例中,第二布线WL2可以在第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4中连续延伸,而不通过桥接布线BRL的连接。相应地,第一布线WL1和第二布线WL2可以维持低电阻,并且不发生电压降或信号延迟。在这样的实施例中,显示装置1的亮度在整个显示区域DA可以是均匀的。
图11A是图5的显示装置1的根据可替代实施例的部分B的放大图。图11B和图11C各自是示出图11A的部件中的一些的平面图。在图11A至图11C中,与图6A至图6C中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件,并且将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
参照图11A至图11C,显示装置1的实施例可以包括基板100、第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第一布线WL1和第二布线WL2。图11B图示出基板100、第一有机绝缘层OIL1、第一布线WL1和第二布线WL2,并且图11C图示出基板100、第二有机绝缘层OIL2、第一布线WL1和第二布线WL2。
基板100可以包括第一区域AR1和连接区域CA。连接区域CA可以从第一区域AR1延伸。根据实施例,连接区域CA可以包括第一连接区域CA1、第二连接区域CA2、第三连接区域CA3和第四连接区域CA4。
第一有机绝缘层OIL1可以设置在基板100上。第一有机绝缘层OIL1可以从第一区域AR1延伸到第一连接区域CA1和第三连接区域CA3中的每一个。第一有机绝缘层OIL1可以在第一连接区域CA1、第一区域AR1和第三连接区域CA3中连续延伸。第一有机绝缘层OIL1可以包括第一边缘OILE1。第一边缘OILE1可以与第二连接区域CA2的边缘和第四连接区域CA4的边缘中的每一个匹配。第一边缘OILE1可以延伸以与第二连接区域CA2交叉。在这样的实施例中,在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以不沿着第二连接区域CA2延伸。第一边缘OILE1可以延伸以与第四连接区域CA4交叉。在这样的实施例中,在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以不沿着第四连接区域CA4延伸。第一有机绝缘层OIL1可以包括有机材料。
第二有机绝缘层OIL2可以在第一区域AR1中设置在第一有机绝缘层OIL1上。第二有机绝缘层OIL2可以沿着第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4延伸。第二有机绝缘层OIL2可以在第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4中连续延伸。第二有机绝缘层OIL2可以包括第二边缘OILE2。第二边缘OILE2可以与第一连接区域CA1的边缘和第三连接区域CA3的边缘中的每一个匹配。第二边缘OILE2可以延伸以与第一连接区域CA1交叉。在这样的实施例中,在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以不沿着第一连接区域CA1延伸。第二边缘OILE2可以延伸以与第三连接区域CA3交叉。在这样的实施例中,在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以不沿着第三连接区域CA3延伸。
在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以跨过第二边缘OILE2延伸到第一连接区域CA1。在平面图中,第一有机绝缘层OIL1可以跨过第二边缘OILE2延伸到第三连接区域CA3。在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以跨过第一边缘OILE1延伸到第二连接区域CA2。在平面图中,第二有机绝缘层OIL2可以跨过第一边缘OILE1延伸到第四连接区域CA4。相应地,第一有机绝缘层OIL1和第二有机绝缘层OIL2中的任何一个可以布置在连接区域CA中。
在第一区域AR1中,第一布线WL1可以布置在第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间。第一布线WL1可以从第一区域AR1延伸到第二连接区域CA2和第四连接区域CA4中的每一个。第一布线WL1可以在第二连接区域CA2、第一区域AR1和第四连接区域CA4中连续延伸。
在第一区域AR1中,第二布线WL2可以布置在基板100与第一有机绝缘层OIL1之间。第二布线WL2可以从第一区域AR1延伸到第一连接区域CA1和第三连接区域CA3中的每一个。第二布线WL2可以在第一连接区域CA1、第一区域AR1和第三连接区域CA3中连续延伸。
第一布线WL1和第二布线WL2可以在平面图中彼此交叉。根据一些实施例,第一有机绝缘层OIL1可以包括在第一区域AR1中的接触孔,并且第一布线WL1和第二布线WL2可以通过该接触孔彼此连接。
根据实施例,第一布线WL1和第二布线WL2可以包括彼此相同的材料。根据另一实施例,第一布线WL1和第二布线WL2可以包括彼此不同的材料。
根据实施例,如图11A至图11C中所示,在第一区域AR1中,第一布线WL1和第二布线WL2可以布置在彼此不同的层中或直接布置在彼此不同的层上。在实施例中,例如,第一布线WL1可以布置在第一有机绝缘层OIL1与第二有机绝缘层OIL2之间,并且第二布线WL2可以布置在基板100与第一有机绝缘层OIL1之间。相应地,可以在第一区域AR1中对各布线进行各种布置。在连接区域CA中,第一布线WL1可以布置在基板100与第二有机绝缘层OIL2之间。在连接区域CA中,第二布线WL2可以布置在基板100与第一有机绝缘层OIL1之间。当显示装置1延长或收缩时,连接区域CA的一部分可以在第三方向(例如,z方向或-z方向)上移动。在这种情况下,第一布线WL1和第二布线WL2位于显示装置1中的应力中性平面可以是重要的。在这样的实施例中,第一布线WL1和第二布线WL2可以在第一区域AR1中布置在彼此不同的层中,并且可以各自位于连接区域CA中的应力中性平面。相应地,可以减小施加到第一布线WL1和第二布线WL2的应力。
在本发明的实施例中,如上所描述的,显示装置可以包括在第一区域中设置在第一有机绝缘层上并且在第一连接区域中设置在有机层上的第一布线。在这样的实施例中,第一布线可以在从第一区域到第一连接区域的方向上沿着第一有机绝缘层的第一侧表面延伸。相应地,可以防止或减少当显示装置的第一连接区域改变成各种形状中的任何一种时对第一布线的损坏。在这样的实施例中,因为第一布线在第一区域中设置在第一有机绝缘层上,所以各种布线布置是可能的,并且可以防止或减少第一布线的电阻的增大。
本发明不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是全面和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
尽管已经参照本发明的实施例具体地示出和描述了本发明,但本领域普通技术人员将理解,可以在其中进行形式和细节上的各种改变,而不脱离随附权利要求书所限定的本发明的精神或范围。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
基板,包括第一区域以及从所述第一区域延伸的第一连接区域;
无机绝缘层,在所述第一区域中设置在所述基板上,并且具有侧表面;
有机层,设置在所述基板上,覆盖所述无机绝缘层的所述侧表面并且布置在所述第一连接区域中;
第一有机绝缘层,在所述第一区域中被设置在所述无机绝缘层上,并且具有第一侧表面;以及
第一布线,在所述第一区域中设置在所述第一有机绝缘层上,并且在所述第一连接区域中设置在所述有机层上,
其中,所述第一布线在从所述第一区域到所述第一连接区域的方向上沿着所述第一侧表面延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述基板进一步包括从所述第一区域延伸的第二连接区域,
所述有机层进一步布置在所述第二连接区域中,
所述第一有机绝缘层从所述第一区域延伸到所述第二连接区域,并且
所述显示装置进一步包括布置在所述有机层与所述第一有机绝缘层之间的第二布线。
3.根据权利要求2所述的显示装置,进一步包括:
第二有机绝缘层,设置在所述第一布线上并且具有第二侧表面,
其中,所述第一有机绝缘层在从所述第二侧表面到所述第二连接区域的方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第二有机绝缘层从所述第一区域延伸到所述第一连接区域,
所述第一布线在所述第一连接区域中布置在所述有机层与所述第二有机绝缘层之间,并且
所述第二有机绝缘层在所述第一连接区域中的厚度与所述第一有机绝缘层在所述第二连接区域中的厚度相同。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一连接区域中的所述第一布线在与所述基板的顶表面垂直的方向上与所述基板间隔开第一距离,
所述第二连接区域中的所述第二布线在与所述基板的所述顶表面垂直的所述方向上与所述基板间隔开第二距离,并且
所述第一距离与所述第二距离相同。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
接触孔在所述第一区域中穿过所述第一有机绝缘层被限定,并且
所述第一布线和所述第二布线通过所述接触孔彼此连接。
7.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一布线和所述第二布线包括彼此相同的材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
第二有机绝缘层,设置在所述第一布线上,
其中,所述第二有机绝缘层在从所述第一区域到所述第一连接区域的方向上沿着所述第一侧表面延伸。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置,其中,
所述基板进一步包括与所述第一区域间隔开的第二区域,
所述第一连接区域从所述第一区域延伸到所述第二区域,并且
在平面图中,所述第一区域的边缘、所述第一连接区域的边缘和所述第二区域的边缘限定所述基板的开口区域的至少一部分。
10.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
第二有机绝缘层,在所述第一区域中设置在所述第一布线上;以及
发光元件,设置在所述第二有机绝缘层上。
11.一种显示装置,包括:
基板,包括第一区域以及分别从所述第一区域延伸的第一连接区域、第二连接区域、第三连接区域和第四连接区域;
第一有机绝缘层,设置在所述基板上并且沿着所述第二连接区域、所述第一区域和所述第四连接区域延伸;
第二有机绝缘层,在所述第一区域中设置在所述第一有机绝缘层上,并且从所述第一区域延伸到所述第一连接区域和所述第三连接区域中的每一个;
第一布线,在所述第一区域中布置在所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间,并且从所述第一区域延伸到所述第一连接区域和所述第三连接区域中的每一个;以及
第二布线,在所述第一区域中布置在所述基板与所述第一有机绝缘层之间,并且从所述第一区域延伸到所述第二连接区域和所述第四连接区域中的每一个。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二有机绝缘层在所述第一连接区域中的厚度与所述第一有机绝缘层在所述第二连接区域中的厚度相同。
13.根据权利要求11所述的显示装置,进一步包括:
无机绝缘层,在所述第一区域中布置在所述基板与所述第一有机绝缘层之间,并且具有侧表面;以及
有机层,设置在所述基板上,覆盖所述无机绝缘层的所述侧表面并且布置在所述第一连接区域和所述第二连接区域中的每一个中,
其中,所述第一连接区域中的所述第一布线在与所述基板的顶表面垂直的方向上与所述基板间隔开第一距离,
所述第二连接区域中的所述第二布线在与所述基板的所述顶表面垂直的所述方向上与所述基板间隔开第二距离,并且
所述第一距离与所述第二距离相同。
14.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第一有机绝缘层包括第一边缘,并且
在平面图中,所述第二有机绝缘层跨过所述第一边缘延伸到所述第一连接区域。
15.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第二有机绝缘层包括第二边缘,并且
在平面图中,所述第一有机绝缘层跨过所述第二边缘延伸到所述第二连接区域。
16.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
在平面图中,所述第一布线和第二布线在所述第一区域中彼此交叉,
接触孔在所述第一区域中穿过所述第一有机绝缘层被限定,并且
所述第一布线和所述第二布线通过所述接触孔彼此连接。
17.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一布线和所述第二布线包括彼此相同的材料。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的显示装置,其中,
所述基板进一步包括与所述第一区域间隔开的第二区域,
所述第一连接区域从所述第一区域延伸到所述第二区域,并且
所述第一区域的边缘、所述第一连接区域的边缘和所述第二区域的边缘限定所述基板的开口区域的至少一部分。
19.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第一有机绝缘层具有第一侧表面,并且
所述第一布线在从所述第一区域到所述第一连接区域的方向上沿着所述第一侧表面延伸。
20.根据权利要求11所述的显示装置,进一步包括:
发光元件,在所述第一区域中设置在所述第二有机绝缘层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220014385A KR20230118220A (ko) | 2022-02-03 | 2022-02-03 | 표시 장치 |
KR10-2022-0014385 | 2022-02-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116544236A true CN116544236A (zh) | 2023-08-04 |
Family
ID=87432999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310047334.3A Pending CN116544236A (zh) | 2022-02-03 | 2023-01-31 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230247881A1 (zh) |
KR (1) | KR20230118220A (zh) |
CN (1) | CN116544236A (zh) |
-
2022
- 2022-02-03 KR KR1020220014385A patent/KR20230118220A/ko unknown
-
2023
- 2023-01-31 CN CN202310047334.3A patent/CN116544236A/zh active Pending
- 2023-02-01 US US18/162,762 patent/US20230247881A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230118220A (ko) | 2023-08-11 |
US20230247881A1 (en) | 2023-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11683951B2 (en) | Display panel and display device | |
US20230147646A1 (en) | Display panel and display device | |
CN113270444A (zh) | 显示装置 | |
CN221575973U (zh) | 显示装置 | |
KR20230056859A (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
CN114156318A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US12089438B2 (en) | Display apparatus | |
US11675465B2 (en) | Display device | |
CN116544236A (zh) | 显示装置 | |
US12133441B2 (en) | Display panel including peripheral protrusion tip and display apparatus including corner protrusion tip | |
US20230240107A1 (en) | Display device | |
CN219843922U (zh) | 显示装置 | |
US20240324313A1 (en) | Display apparatus | |
US11825708B2 (en) | Display panel and display device including first and second wirings | |
CN220210914U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20230292583A1 (en) | Display panel and display device | |
US20230006174A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
US20230134423A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
US20230082602A1 (en) | Display apparatus | |
CN118695708A (zh) | 显示装置 | |
CN116525618A (zh) | 显示装置 | |
KR20230022375A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
CN118510322A (zh) | 显示装置和制造显示装置的方法 | |
KR20230050548A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
KR20230160677A (ko) | 표시패널 및 표시패널의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |