CN116529884A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括第一子像素和第二子像素。第一子像素包括第一光源单元，第一光源单元包括用于发射具有第一波段的中心波段的第一光的第一发光元件，并且第二子像素包括第二光源单元，第二光源单元包括用于发射具有第二波段的中心波段的第二光的第二发光元件。第一光源单元包括第一发光组至第n发光组(其中，n是自然数)，第一发光组至第n发光组彼此串联连接并且包括第一发光元件，并且第二光源单元包括第一发光组至第m发光组(其中，m是自然数)，第一发光组至第m发光组彼此串联连接并且包括第二发光元件。第二波段不同于第一波段，并且n不同于m。

Description

显示装置
技术领域
公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等的各种显示装置。
典型的显示装置包括诸如有机发光显示面板或液晶显示(LCD)面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
发明内容
技术问题
本公开的实施例的方面提供了一种显示装置，在该显示装置中，根据包括在子像素中的发光元件而使串联连接的数量不同，从而使由于发光元件之间的操作电压的差异而可能发生的损耗最小化。
应注意的是，本公开的方面不限于上面提及的方面，并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解本公开的其它未提及的方面。
技术方案
根据公开的实施例，一种显示装置包括：第一子像素；以及第二子像素，其中，第一子像素包括第一光源单元，第一光源单元包括被构造为发射具有第一波长的中心波长的第一光的多个第一发光元件，其中，第二子像素包括第二光源单元，第二光源单元包括被构造为发射具有第二波长的中心波长的第二光的多个第二发光元件，其中，第一光源单元包括串联连接的第一发光组至第n发光组，第一发光组至第n发光组中的每个包括多个第一发光元件，其中，n为自然数，其中，第二光源单元包括串联连接的第一发光组至第m发光组，第一发光组至第m发光组中的每个包括多个第二发光元件，其中，m为自然数，其中，第二波长不同于第一波长，并且n不同于m。
第二波长可以比第一波长长，并且m比n大。
第一波长可以在约450nm至约495nm的范围内或者在约520nm至约575nm的范围内，并且第二波长可以在约600nm至约750nm的范围内。
n可以为2，并且m可以为3。
n可以为3，并且m可以为4。
显示装置还可以包括第三子像素，其中，第三子像素可以包括第三光源单元，第三光源单元包括被构造为发射具有第三波长的中心波长的第三光的多个第三发光元件，其中，第三光源单元可以包括串联连接的第一发光组至第s发光组，第一发光组至第s发光组中的每个包括多个第三发光元件，其中，s为自然数，其中，第三波长可以不同于第二波长，并且s可以不同于m。
第二波长可以比第三波长长，并且m可以比s大。
第一波长可以在约450nm至约495nm的范围内，第二波长可以在约600nm至约750nm的范围内，并且第三波长可以在约520nm至约575nm的范围内。
n和s可以相同。
第一光源单元的第一发光组至第n发光组中的每个中的多个第一发光元件可以彼此并联连接。
第二光源单元的第一发光组至第m发光组中的每个中的多个第二发光元件可以彼此并联连接。
第一发光元件和第二发光元件中的每者可以为无机发光二极管。
第一光源单元还可以包括电连接到第一子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到第一电压线的第二电极，并且其中，第一光源单元的第一发光组至第n发光组可以包括串联连接在第一光源单元的第一电极与第一光源单元的第二电极之间的第一发光组和第二发光组。
第一光源单元的第一发光组的一端可以连接到第一光源单元的第一电极，其中，第一光源单元的第一发光组的另一端可以连接到第一光源单元的第二发光组的一端，并且其中，第一光源单元的第二发光组的另一端可以连接到第一光源单元的第二电极。
第二光源单元还可以包括电连接到第二子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到第一电压线的第二电极，并且其中，第二光源单元的第一发光组至第m发光组可以包括串联连接在第二光源单元的第一电极与第二光源单元的第二电极之间的第一发光组、第二发光组和第三发光组。
第二光源单元的第一发光组的一端可以连接到第二光源单元的第一电极，其中，第二光源单元的第一发光组的另一端可以连接到第二光源单元的第二发光组的一端，其中，第二光源单元的第二发光组的另一端可以连接到第二光源单元的第三发光组的一端，并且其中，第二光源单元的第三发光组的另一端可以连接到第二光源单元的第二电极。
根据公开的实施例，一种显示装置包括：第一子像素；以及第二子像素，其中，第一子像素包括：第一发光元件，被构造为发射具有第一波长的中心波长的第一光，第一发光元件包括串联连接的第一子发光元件和第二子发光元件；以及第一接触电极，与第一发光元件的至少一个端部接触，并且包括彼此间隔开的第一子接触电极、第二子接触电极和第三子接触电极，并且其中，第二子像素包括：第二发光元件，被构造为发射具有第二波长的中心波长的第二光，第二发光元件包括串联连接的第一子发光元件、第二子发光元件和第三子发光元件；以及第二接触电极，与第二发光元件的至少一个端部接触，并且包括彼此间隔开的第一子接触电极、第二子接触电极、第三子接触电极和第四子接触电极，并且其中，第二波长比第一波长长。
第一波长可以在约450nm至约495nm的范围内或者在约520nm至约575nm的范围内，并且第二波长可以在约600nm至约750nm的范围内。
第一子像素还可以包括电连接到第一子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到第一电压线的第二电极，其中，第一接触电极的第一子接触电极可以与第一子像素的第一电极和第一发光元件的第一子发光元件的一个端部中的每者接触，其中，第一接触电极的第二子接触电极可以与第一发光元件的第一子发光元件的另一端部和第一发光元件的第二子发光元件的一个端部中的每者接触，并且其中，第一接触电极的第三子接触电极可以与第一发光元件的第二子发光元件的另一端部和第一子像素的第二电极中的每者接触。
第二子像素还可以包括电连接到第二子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到第一电压线的第二电极，其中，第二接触电极的第一子接触电极可以与第二子像素的第一电极和第二发光元件的第一子发光元件的一个端部中的每者接触，其中，第二接触电极的第二子接触电极可以与第二发光元件的第一子发光元件的另一端部和第二发光元件的第二子发光元件的一个端部中的每者接触，其中，第二接触电极的第三子接触电极可以与第二发光元件的第二子发光元件的另一端部和第二发光元件的第三子发光元件的一个端部中的每者接触，并且其中，第二接触电极的第四子接触电极可以与第二发光元件的第三子发光元件的另一端部和第二子像素的第二电极中的每者接触。
其它实施例的细节包括在具体实施例和附图中。
有益效果
在根据一个实施例的显示装置中，使包括发射蓝光或绿光的发光元件的第一子像素和第二子像素中所包括的发光元件的串联连接的数量不同于包括发射红光的发光元件的第三子像素中所包括的发光元件的串联连接的数量，从而使由于包括在子像素中的发光元件之间的操作电压的差异而发生的损耗最小化。此外，子像素被设计为具有类似的操作电压，从而促进每个电路的操作。
根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在该公开中。
附图说明
图1是根据一个实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是示出根据一个实施例的包括在显示装置中的线的示意性布局图。
图3是根据一个实施例的显示装置的第一子像素的等效电路图。
图4是根据一个实施例的显示装置的第二子像素的等效电路图。
图5是根据一个实施例的显示装置的第三子像素的等效电路图。
图6是根据一个实施例的第一发光元件和第二发光元件的示意性透视图。
图7是根据一个实施例的第三发光元件的示意性透视图。
图8是根据一个实施例的显示装置的一个像素的示意性平面布局图。
图9是沿着图8的线I-I'截取的剖视图。
图10是示出图9的区域A的示例的放大剖视图。
图11是沿着图8的线II-II'截取的剖视图。
图12是图11的区域B的放大剖视图。
图13是根据实施例的显示装置的一个像素的示意性平面布局图。
图14是根据实施例的显示装置的第一子像素的等效电路图。
图15是根据实施例的显示装置的第二子像素的等效电路图。
图16是根据实施例的显示装置的第三子像素的等效电路图。
图17是包括如图14至图16的图中所示的用于第一子像素至第三子像素的等效电路的显示装置的一个像素的示意性平面布局图。
图18是示出图9的区域A的另一示例的放大剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图来更充分地描述本公开，在附图中示出了公开的优选实施例。然而，该公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间(中间)层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图来描述实施例。
图1是根据一个实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置10显示动态图像(例如，视频)或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。例如，显示装置10可以包括设置有显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统、游戏机、数码相机和摄像机。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，尽管描述了其中应用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例的示例，但是本公开不限于此，并且相同技术精神可应用于其的装置可以应用于其它显示面板。
在下文中，在用于描述显示装置10的实施例的附图中限定第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2可以是在一个平面中彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是与第一方向DR1和第二方向DR2所在的平面垂直的方向。第三方向DR3垂直于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个。在显示装置10的实施例中，第三方向DR3指示显示装置10的厚度方向(或显示方向)。
显示装置10可以具有矩形形状，在该矩形形状中，在平面图中其在第一方向DR1上的长边比在第二方向DR2上的短边长。显示装置10的长边和短边彼此相遇的角部可以是直角，但是不限于此。角部可以具有倒圆的弯曲形状。显示装置10的形状不限于所示的形状，并且可以不同地修改。例如，显示装置10在平面图中可以具有其它形状(诸如正方形形状、具有倒圆的角(顶点)的四边形形状、其它多边形形状和圆形形状)。
显示装置10的显示表面可以设置在作为厚度方向的第三方向DR3的一侧。在一些实施例中，在描述显示装置10时，除非另有说明，否则术语“上(上部)”是指显示方向(即，第三方向DR3的一侧)，并且类似地，术语“上表面”指面对(面向)第三方向DR3的一侧的表面。术语“下(下部)”指与显示方向相反的方向(即，第三方向DR3的另一侧)，并且术语“下表面”指面对第三方向DR3的另一侧的表面。此外，术语“左”、“右”、“上”和“下”指当在平面图中观看显示装置10时的方向。例如，术语“右”指第一方向DR1，术语“左”指与第一方向DR1相反的方向，术语“上”指第二方向DR2，术语“下”指与第二方向DR2相反的方向。
显示装置10可以包括显示区域DPA和沿着显示区域DPA的边缘或外围围绕显示区域DPA的非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示画面的区域，非显示区域NDA是其中不显示画面的区域。
显示区域DPA的形状可以遵循显示装置10的形状。例如，显示区域DPA的形状也可以是类似于显示装置10的整体形状的平面矩形形状。显示区域DPA可以基本占据显示装置10的中心(或中心区域)。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵方向布置。每个像素PX的形状在平面图中可以是矩形形状或正方形形状。像素PX可以交替地布置为条带布置结构或PENTILETM布置结构。每个像素PX可以包括由无机颗粒制成的发光元件。
每个像素PX可以包括多个子像素SPX：SPX1、SPX2和SPX3。在一个实施例中，每个像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以表示(呈现)第一颜色，第二子像素SPX2可以表示第二颜色，第三子像素SPX3可以表示第三颜色。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。
在附图中，第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3被示出为布置为条带型，但是第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3的布置不限于此。第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3可以具有各种布置结构。
非显示区域NDA可以沿着显示区域DPA的边缘或外围设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。
图2是示出根据一个实施例的包括在显示装置中的线的示意性布局图。
参照图2，显示装置10可以包括多条线。多条线可以包括扫描线SCL、感测线SSL、数据线DTL、初始化电压线VIL、第一电压线VDL、第二电压线VSL等。此外，尽管未在附图中示出，但是可以在显示装置10中进一步设置其它线。
在本说明书中，术语“连接”可以表示一个构件通过物理接触连接到另一构件以及一个构件通过又一构件连接到另一构件。此外，可以理解的是，一个构件和另一构件集成到一个构件中，并且集成构件的一部分连接到集成构件的另一部分。此外，除了通过直接接触的连接之外，一个构件与另一构件之间的连接可以被解释为包括通过又一构件的电连接。
扫描线SCL和感测线SSL可以在第一方向DR1上延伸。扫描线SCL和感测线SSL可以连接到扫描驱动器SDR。扫描驱动器SDR可以包括驱动电路。扫描驱动器SDR可以设置在非显示区域NDA中。在实施例中，扫描驱动器SDR可以设置在与显示装置10的第一短边(图1中的左侧)相邻地设置的非显示区域NDA中，但是本公开不限于此。扫描驱动器SDR可以连接到信号连接线CWL，并且信号连接线CWL的至少一个端部可以在非显示区域NDA中形成线垫(pad，也被称为“焊盘”)WPD_CW，以连接到外部装置。
数据线DTL和初始化电压线VIL可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。初始化电压线VIL还可以包括在第二方向DR2上延伸的部分以及在第一方向DR1上从其分支的部分。
第一电压线VDL和第二电压线VSL可以在第二方向DR2上延伸。第一电压线VDL和第二电压线VSL还可以包括在第一方向DR1上延伸的部分。第一电压线VDL和第二电压线VSL可以具有网状结构，但是本公开不限于此。
在一些实施例中，显示装置10的像素PX中的每个可以连接到至少一条数据线DTL、初始化电压线VIL、第一电压线VDL和第二电压线VSL。
数据线DTL、初始化电压线VIL、第一电压线VDL和第二电压线VSL可以电连接到至少一个线垫WPD。每个线垫WPD可以设置在包括在非显示区域NDA中的垫区域PDA中。垫区域PDA可以设置在与显示装置10的第一长边(图1中的上侧)相邻地设置的非显示区域NDA中，并且设置在与显示装置10的第二长边(图1中的下侧)相邻地设置的非显示区域NDA中。
在一个实施例中，数据线DTL的线垫WPD_DT(在下文中，被称为“数据垫”)可以设置在定位在显示装置10的下侧的垫区域PDA中，初始化电压线VIL的线垫WPD_VINT(在下文中，被称为“初始化电压垫”)、第一电压线VDL的线垫WPD_VDD(在下文中，被称为“第一电压垫”)和第二电压线VSL的线垫WPD_VSS(在下文中，被称为“第二电压垫”)可以设置在定位在显示装置10的上侧的垫区域PDA中。针对另一示例，数据垫WPD_DT、初始化电压垫WPD_VINT、第一电压垫WPD_VDD和第二电压垫WPD_VSS可以全部设置在同一区域中(即，设置在定位在显示装置10的上侧的垫区域PDA中)。外部装置可以安装在线垫WPD上。外部装置可以通过各向异性导电膜、超声接合等安装在线垫WPD上。此外，在执行测试显示装置是否具有接触缺陷的工艺(过程)的同时，测试装置的电流测量装置可以电连接到显示装置10的线垫WPD以测量电流或者施加电压。
显示装置10的每个像素PX或每个子像素SPX：SPX1、SPX2或SPX3包括像素驱动电路。上述线可以通过穿过或围绕每个像素PX来将驱动信号施加到每个像素驱动电路。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。每个像素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以不同地修改。根据一个实施例的显示装置10的每个子像素SPX可以具有其中像素驱动电路包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构。在下文中，将通过采用其中包括在显示装置10中的像素驱动电路具有3T1C结构的示例来描述像素驱动电路，但是本公开不限于此。可以应用诸如2T1C结构、7T1C结构和6T1C结构的各种其它修改像素结构。
图3是根据一个实施例的显示装置的第一子像素的等效电路图。图4是根据一个实施例的显示装置的第二子像素的等效电路图。图5是根据一个实施例的显示装置的第三子像素的等效电路图。
如上所述，包括在每个像素PX中的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3可以显示不同的颜色。每个子像素SPX：SPX1、SPX2或SPX3可以包括发射具有特定波长的光的一个或更多个发光元件。例如，第一子像素SPX1可以包括发射第一颜色光的第一发光元件ED1(见图3)，从而显示第一颜色；第二子像素SPX2可以包括发射第二颜色光的第二发光元件ED2(见图4)，从而显示第二颜色；第三子像素SPX3可以包括发射第三颜色光的第三发光元件ED3(见图5)，从而显示第三颜色。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。在下文中，将描述其中包括在显示装置10的一个像素PX中的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3分别显示蓝色、绿色和红色的示例。然而，本公开不限于此，并且第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以显示相同的颜色，第三子像素SPX3可以显示与第一子像素SPX1和第二子像素SPX2不同的颜色。
参照图3至图5，第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3均可以包括具有包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构的像素驱动电路。
参照图3，根据一个实施例的显示装置10的第一子像素SPX1可以包括第一光源单元LU1、多个晶体管T1、T2和T3以及存储电容器CST。多个晶体管T1、T2和T3可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。
第一光源单元LU1可以包括多个第一发光元件ED1，以根据通过第一子像素SPX1的第一晶体管T1供应的电流而发射光。第一光源单元LU1可以包括第一电极、第二电极以及设置并串联连接在第一电极与第二电极之间的一个或更多个发光组SLU1：SLU11和SLU12。在实施例中，第一光源单元LU1可以包括串联连接的两个发光组SLU1：SLU11和SLU12(即，彼此串联连接的第一发光组SLU11和第二发光组SLU12)。然而，本公开不限于此，并且第一光源单元LU1也可以包括一个发光组SLU1：SLU11或SLU12，并且也可以包括串联连接的更多个发光组SLU1：SLU11或SLU12。
第一子像素SPX1的每个发光组SLU1：SLU11或SLU12可以包括并联连接的一个或更多个第一发光元件ED1。第一发光元件ED1可以是发射将由第一子像素SPX1发射的第一颜色光的发光元件。例如，第一发光元件ED1可以是发射具有在约450nm至约495nm范围内的中心波长的蓝光的发光元件。
在附图中，包括在第一光源单元LU1的每个发光组SLU1：SLU11或SLU12中的多个第一发光元件ED1被示出为布置在同一方向上并且被并联连接，但是本公开不限于此。例如，在包括在每个发光组SLU1：SLU11或SLU12中的多个第一发光元件ED1之中，一些第一发光元件ED1可以连接为布置在与其它第一发光元件ED1相反的方向上。
第一光源单元LU1的一端可以连接到第一子像素SPX1的第一晶体管T1的源电极，并且其另一端可以连接到第二电压线VSL，第二电压线VSL被供应有比第一电压线VDL的高电位电压(在下文中，被称为第一电源电压)低的低电位电压(在下文中，被称为第二电源电压)。例如，包括在第一光源单元LU1的第一发光组SLU11中的第一发光元件ED1的一个端部可以通过第一光源单元LU1的第一电极连接到第一晶体管T1的源电极，并且包括在第一光源单元LU1的第一发光组SLU11中的第一发光元件ED1的另一端部可以连接到包括在第一光源单元LU1的第二发光组SLU12中的第一发光元件ED1的一个端部。包括在第一光源单元LU1的第二发光组SLU12中的第一发光元件ED1的另一端部可以通过第一光源单元LU1的第二电极连接到第二电压线VSL。
第一晶体管T1可以根据第一晶体管T1的栅电极与源电极之间的电压差来调节从被供应有第一电源电压的第一电压线VDL流到第一光源单元LU1的电流。作为示例，第一晶体管T1可以是用于驱动第一光源单元LU1的驱动晶体管。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第二晶体管T2的第二源/漏电极，第一晶体管T1的源电极可以连接到第一光源单元LU1的第一电极，第一晶体管T1的漏电极可以连接到被施加有第一电源电压的第一电压线VDL。
第二晶体管T2响应于扫描线SCL的扫描信号而导通，以将数据线DTL连接到第一晶体管T1的栅电极。第二晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SCL，第二晶体管T2的第二源/漏电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极，第二晶体管T2的第一源/漏电极可以连接到数据线DTL。
第三晶体管T3响应于感测线SSL的感测信号而导通，以将初始化电压线VIL连接到第一晶体管T1的源电极。第三晶体管T3的栅电极可以连接到感测线SSL，第三晶体管T3的第一源/漏电极可以连接到初始化电压线VIL，第三晶体管T3的第二源/漏电极可以连接到第一晶体管T1的源电极。
在一个实施例中，第二晶体管T2和第三晶体管T3中的每个的第一源/漏电极可以为源电极，而其第二源/漏电极可以为漏电极，但是本公开不限于此，反之亦然。
存储电容器CST形成或者连接在第一晶体管T1的栅电极与第一晶体管T1的源电极之间。存储电容器CST存储与第一晶体管T1的栅极电压和源极电压之间的电压差对应的电荷。
第一晶体管至第三晶体管T1、T2和T3中的每个可以形成为薄膜晶体管。在图3中，已经基于第一晶体管至第三晶体管T1、T2和T3形成为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)给出了描述，但是本公开不限于此。也就是说，第一晶体管至第三晶体管T1、T2和T3可以形成为P型MOSFET，或者第一晶体管至第三晶体管T1、T2和T3中的一些晶体管可以是N型MOSFET，而第一晶体管至第三晶体管T1、T2和T3中的其它晶体管可以形成为P型MOSFET。
参照图4，根据一个实施例的显示装置10的第二子像素SPX2可以包括第二光源单元LU2、多个晶体管T1、T2和T3以及存储电容器CST。如第一子像素SPX1中那样，第二子像素SPX2的多个晶体管T1、T2和T3可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。在一些实施例中，除了第二光源单元LU2之外，显示装置10的第二子像素SPX2可以包括具有与第一子像素SPX1的结构相同的结构的像素驱动电路。在下文中，将基于与第一子像素SPX1的差异来描述第二子像素SPX2的等效电路图，并且相同构造的描述将用参照图3描述的第一子像素SPX1的描述替代。
第二光源单元LU2可以包括多个第二发光元件ED2，以根据通过第二子像素SPX2的第一晶体管T1供应的电流而发射光。第二光源单元LU2可以包括第一电极、第二电极以及设置并串联连接在第一电极与第二电极之间的一个或更多个发光组SLU2：SLU21和SLU22。包括在第二光源单元LU2中的发光组SLU2：SLU21和SLU22的数量可以与包括在第一子像素SPX1的第一光源单元LU1中的发光组SLU1：SLU11和SLU12的数量相同。在实施例中，当第一光源单元LU1包括串联连接的两个发光组SLU1：SLU11和SLU12时，第二光源单元LU2可以包括串联连接的两个发光组SLU2：SLU21和SLU22(即，彼此串联连接的第一发光组SLU21和第二发光组SLU22)。然而，本公开不限于此，并且第二光源单元LU2也可以包括一个发光组SLU2，并且也可以包括串联连接的更多个发光组SLU2。
第二子像素SPX2的每个发光组SLU2：SLU21或SLU22可以包括并联连接的一个或更多个第二发光元件ED2。第二发光元件ED2可以是发射将由第二子像素SPX2发射的第二颜色光的发光元件。例如，第二发光元件ED2可以是发射具有在约520nm至约575nm范围内的中心波长的绿光的发光元件。
在附图中，包括在第二光源单元LU2的每个发光组SLU2：SLU21或SLU22中的多个第二发光元件ED2被示出为布置在同一方向上并且被并联连接，但是本公开不限于此。例如，在包括在每个发光组SLU2：SLU21或SLU22中的多个第二发光元件ED2之中，一些第二发光元件ED2可以连接为布置在与第二发光元件ED2相反的方向上。
第二光源单元LU2的一端可以连接到第二子像素SPX2的第一晶体管T1的源电极，并且其另一端可以连接到被供应有第二电源电压的第二电压线VSL。例如，包括在第二光源单元LU2的第一发光组SLU21中的第二发光元件ED2的一个端部可以通过第二光源单元LU2的第一电极连接到第一晶体管T1的源电极，并且包括在第二光源单元LU2的第一发光组SLU21中的第二发光元件ED2的另一端部可以连接到包括在第二光源单元LU2的第二发光组SLU22中的第二发光元件ED2的一个端部。包括在第二光源单元LU2的第二发光组SLU22中的第二发光元件ED2的另一端部可以通过第二光源单元LU2的第二电极连接到第二电压线VSL。
参照图5，根据一个实施例的显示装置10的第三子像素SPX3可以包括第三光源单元LU3、多个晶体管T1、T2和T3以及存储电容器CST。如第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中那样，第三子像素SPX3的多个晶体管T1、T2和T3可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。在一些实施例中，除了第三光源单元LU3之外，显示装置10的第三子像素SPX3可以包括具有与第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的结构相同的结构的像素驱动电路。在下文中，将基于与第一子像素SPX1的差异来描述第三子像素SPX3的等效电路图，并且相同构造的描述将用参照图3描述的第一子像素SPX1的描述替代。
第三光源单元LU3可以包括多个第三发光元件ED3，以根据通过第三子像素SPX3的第一晶体管T1供应的电流而发射光。第三光源单元LU3可以包括第一电极、第二电极以及设置并串联连接在第一电极与第二电极之间的一个或更多个发光组SLU3：SLU31、SLU32和SLU33。包括在第三光源单元LU3中的发光组SLU3的数量可以不同于包括在第一子像素SPX1的第一光源单元LU1中的发光组SLU1的数量和/或包括在第二子像素SPX2的第二光源单元LU2中的发光组SLU2的数量。包括在第三光源单元LU3中的发光组SLU3的数量可以大于包括在第一子像素SPX1的第一光源单元LU1中的发光组SLU1的数量和/或包括在第二子像素SPX2的第二光源单元LU2中的发光组SLU2的数量。在实施例中，当第一光源单元LU1包括串联连接的两个发光组SLU1：SLU11和SLU12时，第三光源单元LU3可以包括串联连接的三个发光组SLU3(即，彼此串联连接的第一发光组SLU31、第二发光组SLU32和第三发光组SLU33)。
第三子像素SPX3的每个发光组SLU3：SLU31、SLU32或SLU33可以包括并联连接的一个或更多个第三发光元件ED3。第三发光元件ED3可以是发射将由第三子像素SPX3发射的第三颜色光的发光元件。例如，第三发光元件ED3可以是发射具有在约600nm至约750nm范围内的中心波长的红光的发光元件。
在附图中，包括在第三光源单元LU3的每个发光组SLU3：SLU31、SLU32或SLU33中的多个第三发光元件ED3被示出为布置在同一方向上并且被并联连接，但是本公开不限于此。例如，在包括在每个发光组SLU3：SLU31、SLU32或SLU33中的多个第三发光元件ED3之中，一些第三发光元件ED3可以连接为布置在与其它第三发光元件ED3相反的方向上。
第三光源单元LU3的一端可以连接到第三子像素SPX3的第一晶体管T1的源电极，并且其另一端可以连接到被供应有第二电源电压的第二电压线VSL。例如，包括在第三光源单元LU3的第一发光组SLU31中的第三发光元件ED3的一个端部可以通过第三光源单元LU3的第一电极连接到第一晶体管T1的源电极，并且包括在第三光源单元LU3的第一发光组SLU31中的第三发光元件ED3的另一端部可以连接到包括在第三光源单元LU3的第二发光组SLU32中的第三发光元件ED3的一个端部。包括在第三光源单元LU3的第二发光组SLU32中的第三发光元件ED3的另一端部可以连接到包括在第三光源单元LU3的第三发光组SLU33中的第三发光元件ED3的一个端部。包括在第三光源单元LU3的第三发光组SLU33中的第三发光元件ED3的另一端部可以通过第三光源单元LU3的第二电极连接到第二电压线VSL。
参照图3至图5，第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3可以包括相同的像素驱动电路，第一光源单元LU1和第二光源单元LU2可以分别包括以相同数量串联连接的发光组SLU1和SLU2，并且第三光源单元LU3可以包括以与第一光源单元LU1和第二光源单元LU2的数量不同的数量串联连接的发光组SLU3。例如，包括在第三光源单元LU3中的串联连接的发光组SLU3的数量可以大于分别包括在第一光源单元LU1和第二光源单元LU2中的串联连接的发光组SLU1和SLU2的数量。也就是说，通过包括发射红光的第三发光元件ED3而表示红色的第三子像素SPX3的多个发光组SLU3之间的串联连接的数量可以大于通过包括发射蓝光的第一发光元件ED1而表示蓝色的第一子像素SPX1的多个发光组SLU1之间的串联连接的数量和通过包括发射绿光的第二发光元件ED2而表示绿色的第二子像素SPX2的多个发光组SLU2之间的串联连接的数量。
图6是根据一个实施例的第一发光元件和第二发光元件的示意性透视图。图7是根据一个实施例的第三发光元件的示意性透视图。
参照图6和图7，发光元件ED：ED1、ED2和ED3是分立元件(discrete element)，并且可以具有拥有期望长宽比(例如，设定或预定长宽比)的棒状形状或圆柱形形状。发光元件ED的长度可以比发光元件ED的直径大，并且其长宽比可以在1.2:1至100:1的范围内，但是本公开不限于此。
发光元件ED可以具有在纳米级(1nm或更大且小于1μm)至微米级(1μm或更大且小于1mm)范围内的尺寸。在一个实施例中，发光元件ED的直径和长度两者可以具有纳米级或微米级的尺寸。在一些其它实施例中，发光元件ED的直径可以具有纳米级的尺寸，并且发光元件ED的长度可以具有微米级的尺寸。在一些实施例中，一些发光元件ED的直径和/或尺寸可以是纳米级的，并且其它发光元件ED的直径和/或尺寸可以是微米级的。
发光元件ED可以包括无机发光二极管。无机发光二极管可以包括多个半导体层。例如，无机发光二极管可以包括第一导电类型(例如，n型)半导体层、第二导电类型(例如，p型)半导体层和置于其间的活性半导体层。活性半导体层分别从第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层接收空穴和电子，并且到达活性半导体层的空穴和电子可以结合，以发射光。
图6的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以包括包含氮(N)的以发射蓝光或绿光的发光层36。另一方面，在图7的第三发光元件ED3中，下面将描述的发光层36'和其它半导体层均可以至少包括磷(P)，以发射红光。
参照图6，第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以包括其中上述多个半导体层沿着第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的长度方向顺序地堆叠的结构。如图6中所示，第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以包括在长度方向上顺序地堆叠的第一半导体层31、发光层36和第二半导体层32。第一半导体层31、发光层36和第二半导体层32可以分别为上述第一导电类型半导体层、活性半导体层和第二导电类型半导体层。
第一半导体层31可以掺杂有第一导电类型掺杂剂。当第一发光元件ED1和第二发光元件ED2发射具有蓝色波长或绿色波长的光时，第一半导体层31可以包括具有AlxGayIn(1-x-y)N(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成比(composition ratio)的半导体材料。例如，半导体材料可以是选自作为n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的至少一种。第一导电类型掺杂剂可以是硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等。在实施例中，第一半导体层31可以包括掺杂有n型Si的n-GaN。
第二半导体层32可以设置为与第一半导体层31间隔开，且发光层36置于第二半导体层32与第一半导体层31之间。当第一发光元件ED1和第二发光元件ED2发射具有蓝色波长或绿色波长的光时，第二半导体层32可以包括具有AlxGayIn(1-x-y)N(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成比的半导体材料。第二半导体层32可以掺杂有第二导电类型掺杂剂(诸如镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、钡(Ba)等)。在实施例中，第二半导体层32可以包括掺杂有p型Mg的p-GaN。
发光层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。如上所述，发光层36可以由于根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号的电子-空穴对复合而发射光。
在一些实施例中，发光层36可以具有其中具有高带隙能的半导体材料和具有低带隙能的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以根据发射的光的波长而包括其它III族或V族半导体材料。
第一发光元件ED1可以发射第一颜色的光(即，蓝光)。当第一发光元件ED1发射具有蓝色波长的光时，第一发光元件ED1的发光层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。例如，第一发光元件ED1的发光层36可以包括AlGaInN作为量子层和AlInN作为阱层。因此，如上所述，第一发光元件ED1的发光层36可以发射具有在约450nm至约495nm范围内的中心波长的蓝光。
第二发光元件ED2可以发射第二颜色的光(即，绿光)。当第二发光元件ED2发射具有绿色波长的光时，第二发光元件ED2的发光层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。例如，第二发光元件ED2的发光层36可以发射具有在约520nm至约575nm范围内的中心波长的绿光。
从发光层36发射的光不仅可以发射到发光元件ED：ED1或ED2的在其长度方向上的外表面，而且还可以发射到发光元件ED的两个侧表面。也就是说，从发光层36发射的光的发射方向不限于一个方向。
发光元件ED：ED1和ED2均还可以包括设置在第二半导体层32上的电极层37。电极层37可以与第二半导体层32接触。电极层37可以是欧姆接触电极。然而，本公开不限于此，并且电极层37可以是肖特基接触电极。
当发光元件ED：ED1和ED2的两个端部电连接到电极或接触电极以将电信号施加到第一半导体层31和第二半导体层32时，电极层37可以设置在第二半导体层32与电极之间以降低电阻。电极层37可以包括选自铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)之中的至少一种。电极层37可以包括n型或p型掺杂的半导体材料。
发光元件ED：ED1和ED2均还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36和/或电极层37的外表面的绝缘膜38。绝缘膜38可以设置为围绕发光层36的至少外表面，并且可以在发光元件ED1和ED2延伸所沿的一个方向上延伸。绝缘膜38可以执行保护这些构件的功能。绝缘膜38可以由具有绝缘性质的材料制成，以防止当发光层36与电极直接接触时而可能发生的电短路，电信号通过所述电极传输到发光元件ED：ED1和ED2。此外，因为绝缘膜38保护第一半导体层31和第二半导体层32(包括发光层36)的外表面，所以能够防止发光效率的降低。
参照图7，根据一个实施例的第三发光元件ED3还可以包括设置在第一半导体层31'与发光层36'之间的第三半导体层33'以及顺序地设置在发光层36'与第二半导体层32'之间的第四半导体层34'和第五半导体层35'。第三发光元件ED3与图6的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的不同之处在于：还设置有多个半导体层33'、34'和35'以及多个电极层37a'和37b'，并且发光层36'包括不同的元件。在下文中，将省略重复描述，并且将主要描述差异。
图6中所示的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以包括包含氮(N)的以发射蓝光或绿光的发光层36。另一方面，在第三发光元件ED3中，发光层36'和包括在第三发光元件ED3中的其它半导体层均可以包括至少包括磷(P)的半导体。根据一个实施例的第三发光元件ED3可以发射具有在约600nm至约750nm范围内的中心波长的红光。然而，应理解的是，红光的中心波长不限于上述范围，并且包括本领域中可以被感知为红色的任何波长范围。
例如，第一半导体层31'可以是n型半导体层，并且可以包括具有InxAlyGa(1-x-y)P(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成比的半导体材料。第一半导体层31'可以包括选自n型掺杂的InAlGaP、GaP、AlGaP、InGaP、AlP和InP之中的至少一种。例如，第一半导体层31'可以包括掺杂有n型Si的n-AlGaInP。
第二半导体层32'可以是p型半导体层，并且可以包括具有InxAlyGa(1-x-y)P(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成比的半导体材料。第二半导体层32'可以包括选自p型掺杂的InAlGaP、GaP、AlGaP、InGaP、AlP和InP之中的至少一种。例如，第二半导体层32'可以包括掺杂有p型Mg的p-GaP。
第三发光元件ED3可以发射第三颜色的光(即，红光)。当第三发光元件ED3发射具有红色波长的光时，第三发光元件ED3的发光层36'可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层36'具有其中量子层和阱层以多量子阱结构交替地堆叠的结构时，量子层可以包括诸如AlGaP或AlInGaP的材料，阱层可以包括诸如GaP或AlInP的材料。例如，第三发光元件ED3的发光层36'可以包括AlGaInP作为量子层和AlInP作为阱层。因此，如上所述，第三发光元件ED3的发光层36'可以发射具有在约600nm至约750nm范围内的中心波长的红光。
第三发光元件ED3可以包括与发光层36'相邻地设置的覆层。如图7中所示，在发光层36'下方和上分别设置在发光层36'与第一半导体层31'之间以及发光层36'与第二半导体层32'之间的第三半导体层33'和第四半导体层34'可以是覆层。
第三半导体层33'可以设置在第一半导体层31'与发光层36'之间。第三半导体层33'可以是与第一半导体层31'相似的n型半导体层，并且可以包括具有InxAlyGa(1-x-y)P(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成比的半导体材料。例如，第一半导体层31'可以包括n-AlGaInP，而第三半导体层33'可以包括n-AlInP。然而，本公开不限于此。
第四半导体层34'可以设置在发光层36'与第二半导体层32'之间。第四半导体层34'可以是与第二半导体层32'相似的p型半导体层，并且可以包括具有InxAlyGa(1-x-y)P(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成比的半导体材料。例如，第二半导体层32'可以包括p-GaP，而第四半导体层34'可以包括p-AlInP。
第五半导体层35'可以设置在第四半导体层34'与第二半导体层32'之间。第五半导体层35'可以是与第二半导体层32'和第四半导体层34'相似的p型掺杂半导体。在一些实施例中，第五半导体层35'可以执行使第四半导体层34'与第二半导体层32'之间的晶格常数的差异减小的功能。第五半导体层35'可以是拉伸应变势垒减小(TSBR)层。例如，第五半导体层35'可以包括p-GaInP、p-AlInP、p-AlGaInP等，但是本公开不限于此。
第一电极层37a'和第二电极层37b'可以分别设置在第一半导体层31'和第二半导体层32'上。第一电极层37a'可以设置在第一半导体层31'的下表面上，第二电极层37b'可以设置在第二半导体层32'的上表面上。然而，本公开不限于此，并且可以省略第一电极层37a'和第二电极层37b'中的至少一个。例如，在第三发光元件ED3中，在第一半导体层31'的下表面上可以不设置第一电极层37a'，并且仅一个第二电极层37b'设置在第二半导体层32'的上表面上。
图8是根据一个实施例的显示装置的一个像素的示意性平面布局图。
参照图8，显示装置10的子像素SPX：SPX1、SPX2和SPX3可以包括发射区域EMA：EMA1、EMA2和EMA3以及非发射区域。发射区域EMA可以是其中发射从发光元件ED发射的具有特定波长的光的区域，非发射区域可以是其中不发射光的区域。子像素SPX：SPX1、SPX2和SPX3的非发射区域可以分别包括第一区域至第三区域CBA：CBA1、CBA2和CBA3。第一区域至第三区域CBA：CBA1、CBA2和CBA3可以分别被称为第一切口区域至第三切口区域CBA：CBA1、CBA2和CBA3。例如，第一子像素SPX1可以包括第一发射区域EMA1，第二子像素SPX2可以包括第二发射区域EMA2，第三子像素SPX3可以包括第三发射区域EMA3。此外，第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3的非发射区域可以包括分别设置在第一发射区域至第三发射区域EMA1、EMA2和EMA3上方的第一区域至第三区域(或第一切口区域至第三切口区域)CBA：CBA1、CBA2和CBA3。
发射区域EMA：EMA1、EMA2和EMA3中的每个可以在平面图中设置在子像素SPX：SPX1、SPX2和SPX3中的每个的中心部分处。显示装置10的第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3可以分别包括第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3，并且第一发射区域至第三发射区域EMA1、EMA2和EMA3可以分别包括其中设置有第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3的区域并且可以分别包括与第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3相邻的区域(即，其中发射从第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3发射的光束的区域)。第一发射区域至第三发射区域EMA1、EMA2和EMA3还可以包括其中从第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3发射的光束被其它构件反射或者折射并且在显示装置10的显示方向DR3上发射的区域。也就是说，多个第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3可以分别设置在第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2、SPX3中，并且其中设置有第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3的区域和与其中设置有第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3的区域相邻的区域可以组合，以形成发射区域EMA。
第一子像素SPX1可以包括第一发射区域EMA1和非发射区域。非发射区域可以包括其中设置在第一子像素SPX1中的第一电极211和第二电极221分离的第一区域CBA1。第一区域CBA1可以被称为第一切口区域CBA1。
第一发射区域EMA1可以包括第一对准区域AAa和第一非对准区域NAAa。第一对准区域AAa可以包括在第二方向DR2上彼此间隔开的多个子对准区域AAa：AA1a和AA2a，并且第一非对准区域NAAa可以设置为围绕第一对准区域AAa。也就是说，第一非对准区域NAAa可以是第一发射区域EMA1中的除了第一对准区域AAa之外的区域。
第一对准区域AAa可以是其中密集地设置有第一发光元件ED1的区域，第一非对准区域NAAa可以是其中第一发光元件ED1的布置分布相对低的区域。因为从设置在第一对准区域AAa中的第一发光元件ED1发射的光也到达第一非对准区域NAAa(包括第一对准区域AAa)，所以第一发射区域EMA1可以包括第一对准区域AAa和第一非对准区域NAAa。
第一对准区域AAa和第一非对准区域NAAa可以是根据每单位面积设置的第一发光元件ED1的数量、分布、密度等区分的区域。第一对准区域AAa和第一非对准区域NAAa的形状或位置可以与第一接触电极的形状或布置相关，第一接触电极包括下面将描述的设置在第一子像素SPX1中的多个子接触电极710A、720A和730A以及第一堤410和420。
第一对准区域AAa可以包括彼此间隔开的多个子对准区域AA1a和AA2a。多个子对准区域AA1a和AA2a可以在第一发射区域EMA1中在第二方向DR2上彼此间隔开。
第一对准区域AAa可以包括第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a。第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a可以沿着第二方向DR2布置。第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a可以设置为彼此间隔开。
设置在第一对准区域AAa的彼此间隔开的第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1可以串联连接。例如，设置在第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1可以与设置在第一对准区域AAa的第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1串联连接。本公开不限于此，并且设置在同一子对准区域AA1a或AA2a中的多个第一发光元件ED1可以并联连接，而设置在彼此相邻的子对准区域AA1a和AA2a中的第一发光元件ED1可以串联连接。
设置在第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1可以是包括在图3的第一光源单元LU1的第一发光组SLU11中的第一发光元件ED1。此外，设置在第一对准区域AAa的第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1可以是包括在图3的第一光源单元LU1的第二发光组SLU12中的第一发光元件ED1。
第一非对准区域NAAa可以设置为围绕第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a。第一非对准区域NAAa可以至少包括定位在第一子对准区域AA1a与第二子对准区域AA2a之间的区域。在定位在第一子对准区域AA1a与第二子对准区域AA2a之间的第一非对准区域NAAa中可以构成位于设置在彼此相邻地设置的第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1之间的串联连接。
第一子像素SPX1的非发射区域可以是其中未设置第一发光元件ED1并且从第一发光元件ED1发射的光不到达从而不发射光的区域。
第一子像素SPX1的非发射区域可以包括第一区域CBA1。第一区域CBA1在平面图中可以(例如，在第二方向DR2上)设置在第一发射区域EMA1上方。第一区域CBA1可以设置在沿第二方向DR2相邻的第一子像素SPX1的第一发射区域EMA1之间。第一区域CBA1在第一方向DR1上的长度可以比第一发射区域EMA1在第一方向DR1上的长度大。第一区域CBA1在第二方向DR2上的长度可以比第一发射区域EMA1在第二方向DR2上的长度小。然而，本公开不限于此，并且根据下面将描述的第二堤600的形状，其它形状和尺寸可以应用于第一区域CBA1的平面形状。
第一区域CBA1可以是其中包括在沿第二方向DR2相邻的第一子像素SPX1中的每个中的多个电极211和221分离的区域。针对每个第一子像素SPX1设置的多个电极211和221中的每个的一部分可以设置在第一区域CBA1中。在第二方向DR2上彼此相邻地设置的第一子像素SPX1的电极211和221中的每个可以在第一区域CBA1中分离。
第二子像素SPX2可以在平面图中设置在第一子像素SPX1的右侧。第二子像素SPX2的平面结构可以与第一子像素SPX1的平面结构基本相同。也就是说，第二子像素SPX2可以包括第二发射区域EMA2和非发射区域。非发射区域可以包括其中设置在第二子像素SPX2中的第一电极212和第二电极222分离的第二区域CBA2。第二区域CBA2可以被称为第二切口区域CBA2。
第二发射区域EMA2可以包括第二对准区域AAb和第二非对准区域NAAb。第二对准区域AAb可以包括彼此间隔开的多个子对准区域AAb：AA1b和AA2b，并且第二非对准区域NAAb可以设置为围绕第二对准区域AAb。也就是说，第二非对准区域NAAb可以是第二发射区域EMA2中的除了第二对准区域AAb之外的区域。
第二对准区域AAb可以包括一个或更多个子对准区域。第二对准区域AAb可以包括与第一子像素SPX1的子对准区域的数量相等的对准区域的数量。
例如，当第一子像素SPX1的第一对准区域AAa包括第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a时，第二子像素SPX2的第二对准区域AAb可以包括第一子对准区域AA1b和第二子对准区域AA2b。第二对准区域AAb的第一子对准区域AA1b和第二子对准区域AA2b可以沿着第二方向DR2布置。第二对准区域AAb的第一子对准区域AA1b和第二子对准区域AA2b可以设置为彼此间隔开。
设置在第二对准区域AAb的彼此间隔开的第一子对准区域AA1b和第二子对准区域AA2b中的第二发光元件ED2可以串联连接。例如，设置在第二对准区域AAb的第一子对准区域AA1b中的第二发光元件ED2可以与设置在第二对准区域AAb的第二子对准区域AA2b中的第二发光元件ED2串联连接。然而，本公开不限于此，并且设置在同一子对准区域AA1b或AA2b中的多个第二发光元件ED2可以并联连接，而设置在彼此相邻的子对准区域AA1b和AA2b中的第二发光元件ED2可以串联连接。
设置在第二对准区域AAb的第一子对准区域AA1b中的第二发光元件ED2可以是包括在图4的第二光源单元LU2的第一发光组SLU21中的第二发光元件ED2。此外，设置在第二对准区域AAb的第二子对准区域AA2b中的第二发光元件ED2可以是包括在图4的第二光源单元LU2的第二发光组SLU22中的第二发光元件ED2。
第二非对准区域NAAb可以设置为围绕第二对准区域AAb的第一子对准区域AA1b和第二子对准区域AA2b。第二非对准区域NAAb可以至少包括定位在第一子对准区域AA1b与第二子对准区域AA2b之间的区域。在定位在第一子对准区域AA1b与第二子对准区域AA2b之间的第二非对准区域NAAb中可以构成位于设置在彼此相邻地设置的第一子对准区域AA1b和第二子对准区域AA2b中的第二发光元件ED2之间的串联连接。
第二子像素SPX2的非发射区域可以包括第二区域CBA2。第二区域CBA2在平面图中可以(例如，在第二方向DR2上)设置在第二发射区域EMA2上方。第二区域CBA2可以是其中包括在沿第二方向DR2相邻的第二子像素SPX2中的每个中的多个电极212和222分离的区域。针对每个第二子像素SPX2设置的多个电极212和222中的每个的一部分可以设置在第二区域CBA2中。在第二方向DR2上彼此相邻地设置的第二子像素SPX2的电极212和222中的每个可以在第二区域CBA2中分离。
第三子像素SPX3可以在平面图中设置在第二子像素SPX2的右侧。
第三子像素SPX3可以包括第三发射区域EMA3和非发射区域。非发射区域可以包括其中设置在第三子像素SPX3中的第一电极213和第二电极223分离第三区域CBA3。第三区域CBA3可以被称为第三切口区域CBA3。
第三发射区域EMA3可以包括第三对准区域AAc和第三非对准区域NAAc。第三对准区域AAc可以包括彼此间隔开的多个子对准区域AAc：AA1c、AA2c和AA3c，并且第三非对准区域NAAc可以设置为围绕第三对准区域AAc。也就是说，第三非对准区域NAAc可以是第三发射区域EMA3中的除了第三对准区域AAc之外的区域。
第三对准区域AAc可以包括多个子对准区域。第三对准区域AAc可以包括与第一子像素SPX1的子对准区域的数量和/或第二子像素SPX2的子对准区域的数量不同的子对准区域的数量。在一个实施例中，包括在第三对准区域AAc中的子对准区域的数量可以比第一子像素SPX1的子对准区域的数量和/或第二子像素SPX2的子对准区域的数量大。
例如，当第一子像素SPX1的第一对准区域AAa包括第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a时，第三子像素SPX3的第三对准区域AAc可以包括第一子对准区域AA1c、第二子对准区域AA2c和第三子对准区域AA3c。第三对准区域AAc的第一子对准区域至第三子对准区域AA1c、AA2c和AA3c可以沿着第二方向DR2布置。第三对准区域AAc的第一子对准区域至第三子对准区域AA1c、AA2c和AA3c可以设置为彼此间隔开。
设置在第三对准区域AAc的彼此间隔开的第一子对准区域至第三子对准区域AA1c、AA2c和AA3c中的第三发光元件ED3可以串联连接。例如，设置在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c中的第三发光元件ED3可以与设置在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c中的第三发光元件ED3串联连接。类似地，设置在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c中的第三发光元件ED3可以与设置在第三对准区域AAc的第三子对准区域AA3c中的第三发光元件ED3串联连接。然而，本公开不限于此，并且设置在同一子对准区域AA1c、AA2c或AA3c中的多个第三发光元件ED3可以并联连接，而设置在彼此相邻的子对准区域AA1c、AA2c和AA3c中的第三发光元件ED3可以串联连接。
设置在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c中的第三发光元件ED3可以是包括在图5的第三光源单元LU3的第一发光组SLU31中的第三发光元件ED3。此外，设置在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c中的第三发光元件ED3可以是包括在图5的第三光源单元LU3的第二发光组SLU32中的第三发光元件ED3。类似地，设置在第三对准区域AAc的第三子对准区域AA3c中的第三发光元件ED3可以是包括在图5的第三光源单元LU3的第三发光组SLU33中的第三发光元件ED3。
第三非对准区域NAAc可以设置为围绕第三对准区域AAc的第一子对准区域至第三子对准区域AA1c、AA2c和AA3c。第三非对准区域NAAc可以至少包括定位在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c与第二子对准区域AA2c之间的区域以及定位在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c与第三子对准区域AA3c之间的区域。在定位在第一子对准区域AA1c、第二子对准区域AA2c和第三子对准区域AA3c之间的第三非对准区域NAAc中可以构成位于设置在彼此相邻地设置的第一子对准区域至第三子对准区域AA1c、AA2c和AA3c中的第三发光元件ED3之间的串联连接。
第三子像素SPX3的非发射区域可以包括第三区域CBA3。第三区域CBA3在平面图中可以(例如，在第二方向DR2上)设置在第三发射区域EMA3上方。第三区域CBA3可以是其中包括在沿第二方向DR2相邻的第三子像素SPX3中的每个中的多个电极213和223分离的区域。针对每个第三子像素SPX3设置的多个电极213和223中的每个的一部分可以设置在第三区域CBA3中。在第二方向DR2上彼此相邻地设置的第三子像素SPX3的电极213和223中的每个可以在第三区域CBA3中分离。
显示装置10的每个像素PX可以包括第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3。显示装置10的每个像素PX可以包括第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3中所包括的第一电极210：211、212和213、第二电极220：221、222和223以及多个接触电极。显示装置10还可以包括第一堤410和420以及第二堤600。
第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3可以分别包括第一电极210：211、212和213以及第二电极220：221、222和223。第一电极210：211、212和213以及第二电极220：221、222和223在平面图中可以在第二方向DR2上延伸，并且第一电极210：211、212和213在子像素SPX1、SPX2和SPX3中可以设置为在第一方向DR1上面对第二电极220：221、222和223。
第一电极210：211、212和213可以在平面图中设置在对应的子像素SPX1、SPX2和SPX3的左侧处。第一电极210：211、212和213可以在对应的子像素SPX1、SPX2和SPX3中在第二方向DR2上延伸。
第二电极220：221、222和223可以在平面图中设置在对应的子像素SPX1、SPX2和SPX3的右侧处。第二电极220：221、222和223223可以在对应的子像素SPX1、SPX2和SPX3中在第二方向DR2上延伸。第二电极220：221、222和223可以设置为在第一方向DR1上与第一电极210：211、212和213间隔开并面对第一电极210：211、212和213。
第一电极210：211、212和213可以通过第一接触孔CT1：CT11、CT12和CT13电连接到下面将描述的电路元件层PAL。类似地，第二电极220：221、222和223可以通过第二接触孔CT2：CT21、CT22和CT23电连接到下面将描述的电路元件层PAL。例如，第一电极210：211、212和213可以通过第一接触孔CT1：CT11、CT12和CT13连接到第一晶体管T1的源电极，第二电极220：221、222和223可以通过第二接触孔CT2CT21、CT22和CT23连接到第二电压线。
第一电极210：211、212和213以及第二电极220221、222和223可以分别在子像素SPX1、SPX2和SPX3中在第二方向DR2上延伸。在第一区域至第三区域CBA：CBA1、CBA2和CBA3中，第一电极210：211、212和213以及第二电极220：221、222和223可以在第二方向DR2上与包括在相邻的子像素SPX1、SPX2和SPX3中的其它电极210和220分离。一个像素PX的第一电极210和第二电极220的这种形状可以通过显示装置10的制造工艺中的在布置发光元件ED：ED1、ED2、ED3的工艺之后的将第一区域至第三区域CBA：CBA1、CBA2和CBA3中的电极210和220断开的工艺来形成。然而，本公开不限于此，并且电极210和220中的一些可以在第二方向DR2上延伸到相邻的子像素SPX以被集成和设置，或者第一电极210和第二电极220中的仅一个电极可以被分离。
尽管在附图中，一个第一电极210和一个第二电极220被示出为针对每个子像素SPX设置，但是本公开不限于此。在一些实施例中，设置在子像素SPX中的第一电极210和第二电极220的数量可以更大，并且设置在子像素SPX中的第一电极210和第二电极220的数量可以不同。此外，设置在每个子像素SPX中的第一电极210和第二电极220可以不必具有在一个方向上延伸的形状，并且第一电极210和第二电极220可以以各种结构设置。例如，第一电极210和第二电极220可以具有部分地弯曲或弯折的形状，并且一个电极可以设置为围绕另一电极。只要第一电极210的至少一部分区域和第二电极220的至少一部分区域彼此间隔开以形成其中发光元件ED将设置在其间的区域，第一电极210和第二电极220的布置结构和形状就不受特别限制。
设置在子像素SPX1、SPX2和SPX3中的多个电极210和220可以电连接到分别设置在子像素SPX1、SPX2和SPX3中的发光元件ED1、ED2和ED3，并且适当的电压可以施加到多个电极210和220，使得发光元件ED1、ED2和ED3发射光。例如，多个电极210和220可以通过设置在子像素SPX1、SPX2和SPX3中的接触电极电连接到分别设置在第一对准区域至第三对准区域AAa、AAb和AAc中的发光元件ED1、ED2和ED3，并且可以通过多个接触电极将施加到电极210和220的电信号传输到发光元件ED1、ED2和ED3。
此外，电极210和220中的每个可以用于在子像素SPX中形成电场，以使发光元件ED1、ED2、ED3对准。发光元件ED1、ED2和ED3可以通过形成在第一电极210与第二电极220之间的电场设置在第一电极210与第二电极220之间。
第二堤600可以设置为围绕每个子像素SPX：SPX1、SPX2或SPX3的边界。第二堤600可以以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分的网格图案设置。第二堤600可以设置在子像素SPX的边界上方，以区分相邻的子像素SPX。
第二堤600可以设置为围绕包括在子像素SPX：SPX1、SPX2和SPX3中的第一发射区域至第三发射区域EMA1、EMA2和EMA3以及第一区域至第三区域CBA1、CBA2和CBA3，以区分第一发射区域至第三发射区域EMA1、EMA2和EMA3以及第一区域至第三区域CBA1、CBA2和CBA3。第一电极210和第二电极220中的每个可以在第二方向DR2上延伸，并且可以跨第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分设置。
第二堤600可以在显示装置10的制造工艺中的喷墨印刷工艺中执行防止墨溢出到相邻的子像素SPX的功能。第二堤600可以使其中分散有不同的发光元件ED的墨分离，以在子像素中不彼此混合。例如，在其中第一子像素SPX1包括第一发光元件ED1、第二子像素SPX2包括第二发光元件ED2和第三子像素SPX3包括第三发光元件ED3的实施例中，第二堤600可以将针对第一子像素至第三子像素SPX1、SPX2和SPX3而不同的第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3分离，以不彼此混合。
然而，本公开不限于此，并且即使当相同的发光元件ED包括在子像素SPX中时，第二堤600也可以用于调节墨以不溢出到相邻的子像素SPX并且在显示装置10的制造工艺中的喷墨印刷工艺中均匀地保持针对每个子像素SPX设置的发光元件ED的数量。
第二堤600可以包括疏水性材料。第二堤600可以包括聚酰亚胺(PI)，但是本公开不限于此。
在下文中，将参照图8来描述包括在显示装置10的第一子像素SPX1中的多个电极211和221、多个第一发光元件ED1以及包括多个子接触电极710A、720A和730A的第一接触电极的平面布置和形状。在下文中，仅将简要地描述包括在第一子像素SPX1中的构件的平面布置和形状，并且下面将结合其它附图来描述构件之间的连接关系。
包括在第一子像素SPX1中的多个第一发光元件ED1可以设置在第一对准区域AAa中。在第一对准区域AAa中，多个第一发光元件ED1可以设置为使得其一个端部放置在第一电极211上并且其另一端部放置在第二电极221上。在附图中，多个第一发光元件ED1被示出为设置在第一对准区域AAa中，但是多个第一发光元件ED1中的至少一些还可以设置在第一非对准区域NAAa中。
第一发光元件ED1可以具有在一个方向上延伸的形状。在平面图中，多个第一发光元件ED1可以设置为在电极211和221中的每个延伸所沿的第二方向DR2上彼此间隔开，并且可以彼此基本平行地对准。第一发光元件ED1之间的间距不受特别限制。此外，第一发光元件ED1可以具有在一个方向上延伸的形状，并且电极211和221延伸所沿的方向可以基本垂直于第一发光元件ED1延伸所沿的方向。然而，本公开不限于此，并且第一发光元件ED1可以倾斜地设置而不垂直于电极211和221中的每个延伸所沿的方向。
多个第一发光元件ED1可以包括设置在第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1(在下文中，被称为“第一子发光元件”)和设置在第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1(在下文中，被称为“第二子发光元件”)。第一子发光元件ED1和第二子发光元件ED1可以与第一接触电极接触，第一接触电极设置在第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a中并且包括下面将描述的多个子接触电极710A、720A和730A。设置在第一子像素SPX1中的第一子发光元件ED1和第二子发光元件ED1可以通过第一接触电极串联连接。
第一子像素SPX1可以包括第一接触电极，第一接触电极包括设置为彼此间隔开的多个子接触电极710A、720A和730A。第一接触电极710A、720A和730A可以设置在第一发射区域EMA1中。第一接触电极710A、720A和730A可以包括第一子接触电极710A、第二子接触电极730A和第三子接触电极720A。
在下文中，在描述多个电极211和221、多个子接触电极710A、720A和730A以及多个第一发光元件ED1时，为了便于描述，假设第一发光元件ED1的一个端部指设置在面对第一电极211的一侧处的端部，第一发光元件ED1的另一端部指设置在与面对第一电极211的所述一侧相对的一侧处的端部(即，设置在面对第二电极221的一侧处的端部)。
第一子接触电极710A可以在第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a中设置在第一电极211上。第一子接触电极710A可以在平面图中在第一子对准区域AA1a中在第二方向DR2上延伸。第一子接触电极710A可以在平面图中在第一子对准区域AA1a中在第二方向DR2上延伸并且可以终止为与第一子对准区域AA1a的下侧间隔开，以不延伸到第二子对准区域AA2a。第一子接触电极710A可以通过第一开口OP11电连接到第一电极211。
第一子接触电极710A可以与设置在第一子对准区域AA1a中的第一发光元件(或第一子发光元件)ED1的一个端部接触。第一子接触电极710A可以与设置在第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1的一个端部和第一电极211中的每者接触，以将第一发光元件ED1的一个端部和第一电极211电连接。
第二子接触电极730A可以包括第一区域731A、第二区域732A和第三区域733A。第二子接触电极730A可以遍及第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a以及定位在一子对准区域AA1a与第二子对准区域AA2a之间的第一非对准区域NAAa设置。
第二子接触电极730A的第一区域731A可以在第一子对准区域AA1a中设置在第二电极221上。第二子接触电极730A的第一区域731A可以在平面图中在第一子对准区域AA1a中在第二方向DR2上延伸。
第二子接触电极730A的第一区域731A可以设置为在第一子对准区域AA1a中在第一方向DR1上与第一子接触电极710A间隔开并面对第一子接触电极710A。第二子接触电极730A的第一区域731A可以与设置在第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1的另一端部接触。
第二子接触电极730A的第二区域732A可以在第二子对准区域AA2a中设置在第一电极211上。第二子接触电极730A的第二区域732A可以在平面图中在第二子对准区域AA2a中在第二方向DR2上延伸。
第二子接触电极730A的第二区域732A可以设置为与第二子接触电极730A的第一区域731A间隔开。第二子接触电极730A的第二区域732A可以与设置在第二子对准区域AA2a中的第一发光元件(例如，第二子发光元件)ED1的一个端部接触。
第二子接触电极730A的第三区域733A可以设置在定位在第一子对准区域AA1a与第二子对准区域AA2a之间的第一非对准区域NAAa中。第二子接触电极730A的第三区域733A可以在第一非对准区域NAAa中将第二子接触电极730A的第一区域731A和第二区域732A连接。第二子接触电极730A的第三区域733A可以设置在第一非对准区域NAAa中，并且可以是将设置在第一子对准区域AA1a中的第一子发光元件ED1和设置在第二子对准区域AA2a中的第二子发光元件ED1串联连接的连接电极。
第二子接触电极730A的第三区域733A可以在平面图中在定位在第一子对准区域AA1a与第二子对准区域AA2a之间的第一非对准区域NAAa中在第一方向DR1上延伸。
第二子接触电极730A的第一区域至第三区域731A、732A和733A可以成一体，并且遍及第一子对准区域AA1a、第一非对准区域NAAa和第二子对准区域AA2a形成。第二子接触电极730A可以与设置在第一子像素SPX1中的第一子发光元件ED1的另一端部和第二子发光元件ED1的一个端部中的每者接触，因此第一子发光元件ED1和第二子发光元件ED1可以通过第二子接触电极730A串联连接。第二子接触电极730A的第一区域731A和第二区域732A可以是在第一对准区域AAa中与第一发光元件ED1接触的接触电极，子接触电极730A的第三区域733A可以是将第一区域731A和第二区域732A电连接的串联连接电极。
第三子接触电极720A可以在第一对准区域AAa的第二子对准区域AA2a中设置在第二电极221上。第三子接触电极720A可以在平面图中在第二子对准区域AA2a中在第二方向DR2上延伸。第三子接触电极720A可以在平面图中在第二子对准区域AA2a中在第二方向DR2上延伸并且可以终止为与第二子对准区域AA2a的上侧间隔开，以不延伸到第一子对准区域AA1a。第三子接触电极720A可以通过第二开口OP21电连接到第二电极221。
第三子接触电极720A可以与设置在第二子对准区域AA2a中的第一发光元件(或第二子发光元件)ED1的另一端部接触。第三子接触电极720A可以与设置在第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1的另一端部和第二电极221中的每者接触，以将第一发光元件ED1的另一端部和第二电极221电连接。
在一些实施例中，包括在第二子像素SPX2中的多个电极212和222、多个第二发光元件ED2以及包括多个子接触电极710B、720B和730B的第二接触电极的平面布置和形状可以与包括在第一子像素SPX1中的多个电极211和221、多个第一发光元件ED1以及包括多个子接触电极710A、720A和730A的第一接触电极的平面布置和形状相同。第二子像素SPX2的平面布置和形状的描述将用第一子像素SPX1的描述替代。
接下来，将参照图8来描述包括在显示装置10的第三子像素SPX3中的多个电极213和223、多个第三发光元件ED3以及包括多个子接触电极710C、720C、730C、740C的第三接触电极的平面布置和形状。在第三子像素SPX3中，包括在第三子像素SPX3中的子接触电极和子对准区域的数量可以不同于包括在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的子接触电极和子对准区域的数量。例如，包括在第三子像素SPX3中的子接触电极和子对准区域的数量可以比包括在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的子接触电极和子对准区域的数量大。
包括在第三子像素SPX3中的多个第三发光元件ED3可以设置在第三对准区域AAc中。在第三对准区域AAc中，多个第三发光元件ED3可以设置为使得其一个端部放置在第一电极213上并且其另一端部放置在第二电极223上。在附图中，多个第三发光元件ED3被示出为设置在第三对准区域AAc中，但是多个第三发光元件ED3中的至少一些还可以设置在第三非对准区域NAAc中。
多个第三发光元件ED3可以包括设置在第三对准区域AAc中的第一子对准区域AA1c中的第三发光元件ED3(在下文中，被称为“第一子发光元件”)、设置在第二子对准区域AA2c中的第三发光元件ED3(在下文中，被称为“第二子发光元件”)和设置第三子对准区域AA3c中的第三发光元件ED3(在下文中，被称为“第三子发光元件”)。第一子发光元件至第三子发光元件ED3可以分别设置在第一子对准区域至第三子对准区域AA1c、AA2c和AA3c中，并且可以与下面将描述的包括多个子接触电极710C、720C、730C和740C的第三接触电极接触。设置在第三子像素SPX3中的第一子发光元件至第三子发光元件ED3可以通过第三接触电极串联连接。
第三子像素SPX3可以包括第三接触电极，第三接触电极包括在第二方向DR2上彼此间隔开的多个子接触电极710C、720C、730C和740C。第三接触电极可以设置在第三发射区域EMA3中。第三子接触电极710C、720C、730C和740C可以包括第一子接触电极710C、第二子接触电极730C、第三子接触电极740C和第四子接触电极720C。
在下文中，在描述多个电极213和223、多个子接触电极710C、720C、730C和740C以及多个第三发光元件ED3时，为了便于描述，假设第三发光元件ED3的一个端部指设置在面对第一电极213的一侧处的端部，第三发光元件ED3的另一端部指设置在与面对第一电极213的所述一侧相对的一侧处的端部(即，设置在面对第二电极223的一侧处的端部)。
第一子接触电极710C可以在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c中设置在第一电极213上。第一子接触电极710C可以在平面图中在第一子对准区域AA1c中在第二方向DR2上延伸并且可以终止为与第一子对准区域AA1c的下侧间隔开，以不延伸到第二子对准区域AA2c。第一子接触电极710C可以通过第一开口OP13电连接到第一电极213。
第一子接触电极710C可以与设置在第一子对准区域AA1c中的第三发光元件(或第一子发光元件)ED3的一个端部接触。第一子接触电极710C可以与设置在第一子对准区域AA1c中的第三发光元件ED3的一个端部和第一电极213中的每者接触，以将第三发光元件ED3的一个端部和第一电极213电连接。
第二子接触电极730C可以包括第一区域731C、第二区域732C和第三区域733C。第二子接触电极730C可以遍及第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c和第二子对准区域AA2c以及定位在第一子对准区域AA1c与第二子对准区域AA2c之间的第三非对准区域NAAc设置。
第二子接触电极730C的第一区域731C可以在第一子对准区域AA1c中设置在第二电极223上。第二子接触电极730C的第一区域731C可以设置为在第一子对准区域AA1c中在第一方向DR1上与第一子接触电极710C间隔开并面对第一子接触电极710C。第二子接触电极730C的第一区域731C可以与设置在第一子对准区域AA1c中的第三发光元件ED3的另一端部接触。
第二子接触电极730C的第二区域732C可以在第二子对准区域AA2c中设置在第一电极213上。第二子接触电极730C的第二区域732C可以设置为与第二子接触电极730C的第一区域731C间隔开。第二子接触电极730C的第二区域732C可以与设置在第二子对准区域AA2c中的第三发光元件(或第二子发光元件)ED3的一个端部接触。
第二子接触电极730C的第三区域733C可以在第三非对准区域NAAc中将第二子接触电极730C的第一区域731C和第二区域732C连接。第二子接触电极730C的第三区域733C可以是将设置在第一子对准区域AA1c中的第一子发光元件ED3和设置在第二子对准区域AA2c中的第二子发光元件ED3串联连接的连接电极。
第二子接触电极730C可以与设置在第三子像素SPX3中的第一子发光元件ED3的另一端部和第二子发光元件ED3的一个端部中的每者接触，因此第一子发光元件ED3和第二子发光元件ED3可以通过第二子接触电极730C串联连接。第二子接触电极730C的第一区域731C和第二区域732C可以是在第三对准区域AAc中与第三发光元件ED3接触的接触电极。第二子接触电极730C的第三区域733C可以是将第一区域731C和第二区域732C电连接的串联连接电极。
第三子接触电极740C可以包括第一区域741C、第二区域742C和第三区域743C。第三子接触电极740C可以遍及第三对准区域AAc的第三子对准区域AA2c和第三子对准区域AA3c以及定位在第二子对准区域AA2c与第三对准区域AA3c之间的第三非对准区域NAAc设置。
第三子接触电极740C的第一区域741C可以在第二子对准区域AA2c中设置在第二电极223上。第三子接触电极740C的第一区域741C可以设置为在第二子对准区域AA2c中在第一方向DR1上与第二子接触电极730C的第二区域732C间隔开并面对第二子接触电极730C的第二区域732C。第三子接触电极740C的第一区域741C可以与设置在第二子对准区域AA2c中的第三发光元件ED3的另一端部接触。
第三子接触电极740C的第二区域742C可以在第三子对准区域AA3c中设置在第一电极213上。第三子接触电极740C的第二区域742C可以设置为在第二方向DR2上与第三子接触电极740C的第一区域741C间隔开。第三子接触电极740C的第二区域742C可以与设置在第三子对准区域AA3c中的第三发光元件(或第三子发光元件)ED3的一个端部接触。
第三子接触电极740C的第三区域743C可以在第三非对准区域NAAc中将第三子接触电极740C的第一区域741C和第二区域742C连接。第三子接触电极740C的第三区域743C可以是将设置在第二子对准区域AA2c中的第二子发光元件ED3和设置在第三子对准区域AA3c中的第三子发光元件ED3串联连接的连接电极。
第三子接触电极740C可以与设置在第三子像素SPX3中的第二子发光元件ED3的另一端部和第三子发光元件ED3的一个端部中的每者接触，因此第二子发光元件ED3和第三子发光元件ED3可以通过第三子接触电极740C串联连接。第三子接触电极740C的第一区域741C和第二区域742C可以是在第三对准区域AAc中与第三发光元件ED3接触的接触电极。第三子接触电极740C的第三区域743C可以是将第一区域741C和第二区域742C电连接的串联连接电极。
第四子接触电极720C可以在第三对准区域AAc的第三子对准区域AA3c中设置在第二电极223上。第四子接触电极720C可以在平面图中在第三子对准区域AA2c中在第二方向DR2上延伸。第四子接触电极720C可以在平面图中在第三子对准区域AA3c中在第二方向DR2上延伸并且可以终止为与第三子对准区域AA3c的上侧间隔开，以不延伸到第二子对准区域AA2c。第四子接触电极720C可以通过第二开口OP23电连接到第二电极223。
第四子接触电极720C可以与设置在第三子对准区域AA3c中的第三发光元件(或第三子发光元件)ED3的另一端部接触。第四子接触电极720C可以与设置在第三子对准区域AA3c中的第三发光元件ED3的另一端部和第二电极223中的每者接触，以将第三发光元件ED3的另一端部和第二电极223电连接。
图9是沿着图8的线I-I'截取的剖视图。图10是示出图9的区域A的示例的放大剖视图。图11是沿着图8的线II-II'截取的剖视图。图12是图11的区域B的放大剖视图。
在下文中，将参照图9至图12来描述显示装置10的剖面结构。
参照图9至图12，显示装置10可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的电路元件层PAL和设置在电路元件层PAL上的发光元件层。发光元件层可以包括第一堤410和420、第一电极210和第二电极220、第二堤600、发光元件ED：ED1、ED2和ED3、多个接触电极以及第一绝缘层至第三绝缘层510、520和530。
基底SUB可以是绝缘基底。基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。基底SUB可以是刚性基底，但是也可以是可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性基底。
电路元件层PAL可以设置在基底SUB上。电路元件层PAL可以包括上面参照图3至图5描述的至少一个晶体管等，以驱动发光元件层。
第一堤410和420可以设置在电路元件层PAL上。尽管未在附图中示出，但是电路元件层PAL可以包括过孔层，并且第一堤410和420可以设置在电路元件层PAL的过孔层上。
第一堤410和420可以在平面图中在每个像素PX中具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一堤410和420可以包括彼此间隔开的第一子堤410和第二子堤420。由彼此间隔开的第一子堤410和第二子堤420形成的间隔空间可以提供其中设置多个发光元件ED：ED1、ED2和ED3的区域。
第一子堤410和第二子堤420均可以具有其至少一部分基于基底SUB的上表面突出的结构。第一子堤410和第二子堤420的突出部分可以具有倾斜的侧表面。第一子堤410和第二子堤420可以具有倾斜的侧表面，因此可以用于将从发光元件ED：ED1、ED2和ED3发射并朝向第一子堤410和第二子堤420的侧表面行进的光的行进方向改变为向上方向(例如，显示方向)。
首先，将参照图8至图10来描述第一子像素SPX1的剖面结构。
第一子像素SPX1的第一电极211和第二电极221可以分别设置在第一子堤410和第二子堤420上。第一电极211和第二电极220可以设置为彼此间隔开。
第一电极211可以在平面图中在第二方向DR2上延伸，以与第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分区域叠置。第一电极211可以通过第一接触孔CT11电连接到电路元件层PAL。
第二电极221可以在平面图中在第二方向DR2上延伸，以与第二堤600的在第一方向DR1上延伸的部分区域叠置。第二电极221可以通过第二接触孔CT21电连接到电路元件层PAL。
第一电极211和第二电极221均可以电连接到第一发光元件ED1，并且适当的电压可以施加到第一电极211和第二电极221，使得第一发光元件ED1发射光。第一电极211和第二电极221可以通过多个接触电极710A、720A和730A电连接到设置在第一电极211与第二电极221之间的第一发光元件ED1，并且可以通过接触电极710A、720A和730A将施加到电极211和221的电信号传输到第一发光元件ED1。
第一绝缘层510可以设置在多个电极211和221上。第一绝缘层510可以设置在整个第一电极211和第二电极221上，第一电极211和第二电极221设置在第一子堤410和第二子堤420(包括第一电极211与第二电极221之间的区域)上。
第一绝缘层510可以设置在第一电极211和第二电极221上，并且也可以设置为使第一电极211和第二电极221的至少一部分暴露。
第一绝缘层510可以具有第一开口OP11，第一开口OP11使设置在第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a中的第一子堤410上的第一电极211的上表面暴露。第一电极211和第一子接触电极710A可以通过第一开口OP11在第一子对准区域AA1a中彼此接触。因为第一电极211和第一子接触电极710A通过第一开口OP11彼此接触，所以第一电极211可以通过第一子接触电极710A电连接到设置在第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1。
第一绝缘层510可以具有第二开口OP21，第二开口OP21使设置在第一对准区域AAa的第二子对准区域AA2a中的第二子堤420上的第二电极221的上表面暴露。第二电极221和第三子接触电极720A可以通过第二开口OP21在第二子对准区域AA2a中彼此接触。因为第二电极221和第三子接触电极720A通过第二开口OP21彼此接触，所以第二电极221可以通过第三子接触电极720A电连接到设置在第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1。
第一绝缘层510可以置于第二子接触电极730A与第一电极211和第二电极221之间。因为第一绝缘层510置于第二子接触电极730A与第一电极211和第二电极221之间，所以第二子接触电极730A可以与第一电极211和第二电极221绝缘。第二子接触电极730A可以不通过直接接触连接到第一电极211和第二电极221，而是可以通过第一发光元件ED1电连接到第一电极211和第二电极221。
第一绝缘层510可以保护第一电极211和第二电极221，并且可以同时使第一电极211与第二电极221绝缘。此外，第一绝缘层510可以防止设置在第一绝缘层510上的第一发光元件ED1由于与其它构件直接接触而被损坏。此外，如上所述，第一绝缘层510可以防止第二子接触电极730A与第一电极211和第二电极221之间的接触，因此可以使设置在第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a中的第一发光元件ED1通过第二子接触电极730A串联连接。
第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，作为无机绝缘材料，第一绝缘层510可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlN)的无机绝缘材料。
第二堤600可以设置在第一绝缘层510上。第二堤600可以形成为具有比第一堤410和420的高度大的高度。
第一发光元件ED1可以设置在第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a中。第一发光元件ED1可以在第一子堤410与第二子堤420之间设置第一绝缘层510上，使得其两个端部设置在第一电极211和第二电极221上。
第二绝缘层520可以在第一子堤410与第二子堤420之间设置在第一绝缘层510上。第二绝缘层520可以部分地设置在第一发光元件ED1上，第一发光元件ED1在第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a中设置在第一子堤410与第二子堤420之间。第二绝缘层520可以设置为部分地围绕第一发光元件ED1的外表面。第二绝缘层520可以设置在第一发光元件ED1上，并且可以使第一发光元件ED1的一个端部和另一端部暴露。设置在第一发光元件ED1上的第二绝缘层520的一部分在平面图中可以具有在第一电极211与第二电极221之间在第二方向DR2上延伸的形状。
第二绝缘层520可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，第二绝缘层520可以包括无机绝缘材料。当第二绝缘层520包括无机绝缘材料时，第二绝缘层520可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlN)等。在一些其它实施例中，第二绝缘层520可以包括有机绝缘材料。当第二绝缘层520包括有机绝缘材料时，第二绝缘层520可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多(cardo)树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。然而，本公开不限于此。
多个接触电极710A、720A和730A可以设置在第二绝缘层520上。如上所述，第一子接触电极710A可以通过第一开口OP11与第一电极211的上表面接触，以电连接到第一电极211。因此，第一子接触电极710A可以与设置在第一子对准区域AA1a中的第一子发光元件ED1的一个端部和第一电极211中的每者接触，以将第一子发光元件ED1的一个端部和第一电极211电连接。第二子接触电极730A遍及第一子对准区域AA1a和第二子对准区域AA2a设置，因此第一子发光元件ED1的另一端部和第二子发光元件ED1的一个端部可以通过第二子接触电极730A串联连接。如上所述，第三子接触电极720A可以通过第二开口OP21与第二电极221的上表面接触，以电连接到第二电极221。因此，第三子接触电极720A可以与设置在第二子对准区域AA2a中的第二子发光元件ED1的另一端部和第二电极221中的每者接触，以将第二子发光元件ED1的另一端部和第二电极221电连接。
多个接触电极710A、720A和730A可以包括导电材料。例如，多个接触电极710A、720A和730A可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。作为示例，多个接触电极710A、720A和730A可以包括透明导电材料，但是本公开不限于此。
第三绝缘层530可以设置在整个基底SUB上。第三绝缘层530可以用于保护设置在基底SUB上的构件免受外部环境的影响。第三绝缘层530可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第三绝缘层530可以包括选自例如作为可以包括在第二绝缘层520中的材料而列出的材料之中的至少一种。
参照图10，第一发光元件ED1的两个端部可以与接触电极710A、720A和730A中的至少一个接触。在下文中，将描述包括在设置在第一对准区域AAa的第一子对准区域AA1a中的第一发光元件ED1中的多个层以及与第一发光元件ED1的两个端部接触的第一子接触电极710A和第二子接触电极730A。
第一子接触电极710A可以与设置在第一子对准区域AA1a中的第一子发光元件ED1的一个端部接触。在实施例中，第一发光元件ED1的电极层37可以定位在第一子发光元件ED1的一个端部处，第一发光元件ED1的第一半导体层31可以定位在第一发光元件ED1的另一端部处。绝缘膜38可以设置在第一子发光元件ED1的外表面上。第一发光元件ED1的多个层可以顺序地设置，以平行于基底SUB的上表面。
设置在第二绝缘层520上的第一子接触电极710A和第二子接触电极730A(或第二子接触电极730A的第一区域731A)可以设置为在第二绝缘层520上彼此间隔开。
在下文中，将参照图8、图11和图12来描述第三子像素SPX3的剖面结构。在描述图11和图12时，将省略或者简化与上述构造相同的构造的重复描述，并且将主要描述差异。
在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c中，第一子接触电极710C可以与第一子发光元件ED3的一个端部接触。第一子接触电极710C可以通过第一开口OP13与第一电极213接触。也就是说，第一子接触电极710C可以与第一电极213和第一子发光元件ED3的一个端部接触。
在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c和第二子对准区域AA2c中，第二子接触电极730C可以与第一子发光元件ED3的另一端部和第二子发光元件ED3的一个端部中的每者接触。例如，在第一子对准区域AA1c中，第二子接触电极730C的第一区域731C可以与第一子发光元件ED3的另一端部接触。在第二子对准区域AA2c中，第二子接触电极730C的第二区域732C可以与第二子发光元件ED3的一个端部接触。第二子接触电极730C的第一区域731C和第二区域732C可以通过第二子接触电极730C的设置在第三非对准区域NAAc中的第三区域733C彼此电连接，第三非对准区域NAAc定位在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c与第二子对准区域AA2c之间。
在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c和第三子对准区域AA3c中，第三子接触电极740C可以与第二子发光元件ED3的另一端部和第三子发光元件ED3的一个端部中的每者接触。例如，在第二子对准区域AA2c中，第三子接触电极740C的第一区域741C可以与第二子发光元件ED3的另一端部接触。在第三子对准区域AA3c中，第三子接触电极740C的第二区域742C可以与第三子发光元件ED3的一个端部接触。第三子接触电极740C的第一区域741C和第二区域742C可以通过第三子接触电极740C的设置在第三非对准区域NAAc中的第三区域743C彼此电连接，第三非对准区域NAAc定位在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c与第三子对准区域AA3c之间。
在第三对准区域AAc的第三子对准区域AA3c中，第四子接触电极720C可以与第三子发光元件ED3的另一端部接触。第四子接触电极720C可以通过第二开口OP23与第二电极223接触。也就是说，第四子接触电极720C可以与第二电极223和第三子发光元件ED3的另一端部接触。
在第三子像素SPX3中，通过第一晶体管T1供应的电流可以通过第一子接触电极710C传输到第一子发光元件ED3的一个端部，通过第二电压线VL2施加到第二电极223的第二电压可以通过第四子接触电极720C传输到第三子发光元件ED3的另一端部。因此，通过第一子接触电极710A传输到第一子发光元件ED3的电信号可以沿着设置在第三对准区域AAc的第一子对准区域AA1c中的第一子发光元件ED3和第二子接触电极730C、设置在第三对准区域AAc的第二子对准区域AA2c中的第二子发光元件ED3和第三子接触电极740C以及设置在第三对准区域AAc的第三子对准区域AA3c中的第三子发光元件ED3和第四子接触电极720C传输。
根据一个实施例，设置在第三子像素SPX3的第三对准区域AAc中的发光元件ED3可以通过多个接触电极710C、720C、730C和740C串联连接。
当设置在同一子对准区域AA中的多个发光元件ED中的一个发光元件ED有缺陷并且短路时，在包括有缺陷的发光元件ED的子对准区域AA中，因为电流不会流过有缺陷的发光元件ED，所以电信号不会传输到正常的发光元件ED。因此，正常的发光元件ED不会发射光。例如，当设置在第一子发光区域AA1c中的多个第一子发光元件ED3中的一个第一子发光元件ED3短路时，电流不会在设置在第一子对准区域AA1c中的其它正常的第三发光元件ED3中流动。因此，正常的第三发光元件ED3不会发射光。然而，即使在这种情况下，因为电信号传输到设置在第二子对准区域AA2c和第三子对准区域AA3c中的串联连接的第二子发光元件ED3和第三子发光元件ED3，所以设置在第二子对准区域AA2c和第三子对准区域AA3c中的第二子发光元件ED3和第三子发光元件ED3可以发射光。
也就是说，当多个子对准区域AAna、AAnb和AAnc设置在子像素SPX1、SPX2和SPX3中并且设置在子对准区域AAna、AAnb和AAnc中的每个中的发光元件ED串联连接时，即使有缺陷的发光元件ED设置在子对准区域AAna、AAnb和AAnc中的一个中，也可以通过设置在其它子对准区域AAna、AAnb和AAnc中的发光元件ED发射光(其中，n是自然数)。
图13是根据另一实施例的显示装置的一个像素的示意性平面布局图。
参照图13，本实施例与图8的实施例的不同之处在于：第三子像素SPX3包括一个第一电极213以及两个第二电极223A和223B。
例如，第三子像素SPX3可以包括分别设置在第一电极213的左侧和右侧的两个第二电极223A和223B。因此，第二电极223A和223B可以分别通过第二接触孔CT23A和CT23B连接到电路元件层PAL。
第三接触电极的第二子接触电极730C_1可以包括设置在第一子对准区域AA1c的第二电极223A和223B上的两个第一区域731C_1。第二子接触电极730C_1的第三区域733C可以将设置在第二子对准区域AA2c的第一电极213上的第二子接触电极730C_1的第二区域732C与设置在第一子对准区域AA1c的第二电极223A和223B上的第二子接触电极730C_1的第一区域731C_1连接。
类似地，第三子接触电极740C_1可以包括设置在第二子对准区域AA2c的第二电极223A和223B上的两个第一区域741C_1。第三子接触电极740C_1的第三区域743C可以将设置在第三子对准区域AA3c的第一电极213上的第三子接触电极740C_1的第二区域742C与设置在第二子对准区域AA2c的第二电极223A和223B上的第三子接触电极740C_1的第一区域741C_1连接。
第四子接触电极720C_1可以分别设置在第三子对准区域AA3c的第二电极223A和223B上。第四子接触电极720C_1可以通过第二开口OP23_1：OP23A和OP23与第二电极223A和223B接触。
图14是根据实施例的显示装置的第一子像素的等效电路图。图15是根据实施例的显示装置的第二子像素的等效电路图。图16是根据实施例的显示装置的第三子像素的等效电路图。
参照图14和图15，本实施例与图3和图4的实施例的不同之处在于：第一子像素SPX1_1的第一发光单元LU1_1和第二子像素SPX2_1的第二发光单元LU2_1分别包括三个发光组SLU1_1和三个发光单元SLU2_1。类似地，参照图16，本实施例与图5的实施例的不同之处在于：第三子像素SPX3_1的第三发光单元LU3_1包括四个发光组SLU3_1。也就是说，当第一子像素SPX1_1和第二子像素SPX2_1的发光组包括三级串联连接结构时，第三子像素SPX3_1的发光组可以包括四级串联连接结构。即使在这种情况下，因为包括在包括被构造为发射红光的第三发光元件ED3的第三子像素SPX3_1中的第三发光元件ED3之间的串联连接的数量比包括在第一子像素SPX_1中的第一发光元件ED1之间的串联连接的数量和包括在第二子像素SPX_2中的第二发光元件ED2之间的串联连接的数量大，所以能够使由于发光元件之间的操作电压的差异而发生的功率损耗最小化。
图17是包括图14至图16的等效电路图的显示装置的一个像素的示意性平面布局图。
参照图17，第一子像素SPX1_1和第二子像素SPX2_1可以分别包括第一子对准区域至第三子对准区域AA1a、AA2a和AA3a以及第一子对准区域至第三子对准区域AA1b、AA2b和AA3b。此外，本实施例与图8的实施例的不同之处在于：第一子像素SPX1_1和第二子像素SPX2_1分别包括第一接触电极至第四接触电极710A_1、730A_1、740A_1和720A_1以及第一接触电极至第四接触电极710B_1、730B_1、740B_1和720B_1。第三子像素SPX3_1可以包括第一子对准区域至第四子对准区域AA1c、AA2c、AA3c和AA4c。本实施例与图8的实施例的不同之处在于：第三子像素SPX3_1的第三接触电极包括第一子接触电极至第五子接触电极710C_1、730C_1、740C_1、750C_1和720C_1。也就是说，在本实施例中，第一子像素SPX1_1和第二子像素SPX2_1可以包括设置在子对准区域中的三级串联连接结构的发光元件，第三子像素SPX3_1可以包括设置在子对准区域中的四级串联连接结构的发光元件。
图18是示出图9的区域A的另一示例的放大剖视图。
参照图18，根据本实施例的显示装置与图9的实施例的不同之处在于：在子接触电极之间还设置第四绝缘层550。在下文中，将主要描述设置在第一子像素SPX1中的第一接触电极的第一子接触电极710A和第二子接触电极730A_1的剖面结构，并且其它子像素SPX的描述将用第一子像素SPX1的描述替代。
例如，第四绝缘层550可以设置在第一子接触电极710A与第二子接触电极730A_1之间。第四绝缘层550可以设置在第一子接触电极710A和第二绝缘层520上，并且第二子接触电极730A可以设置在第四绝缘层550上。第四绝缘层550可以设置为覆盖第一子接触电极710A，并且可以用于使第一子接触电极710A与第二子接触电极730A_1电绝缘。第三绝缘层530可以设置在第四绝缘层550和第二子接触电极730A_1上。
第四绝缘层550可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，作为无机绝缘材料，第四绝缘层550可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlN)的无机绝缘材料。
在本实施例中，显示装置10还包括设置在第一子接触电极710A与第二子接触电极730A_1之间的第四绝缘层550，从而能够改善在形成第一子接触电极710A和第二子接触电极730A的工艺中的使第一子接触电极710A和第二子接触电极730A图案化的工艺的可靠性。因此，尽管由于第一子接触电极710A和第二子接触电极730A通过单独的掩模工艺被图案化而增加了单独的掩模工艺，但是可以改善显示装置的显示可靠性。除了还设置有第四绝缘层550之外，本实施例与图9的实施例相同，因此将省略重复描述。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本不脱离公开的原理的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一子像素；以及
第二子像素，
其中，所述第一子像素包括第一光源单元，所述第一光源单元包括被构造为发射具有第一波长的中心波长的第一光的多个第一发光元件，
其中，所述第二子像素包括第二光源单元，所述第二光源单元包括被构造为发射具有第二波长的中心波长的第二光的多个第二发光元件，
其中，所述第一光源单元包括串联连接的第一发光组至第n发光组，所述第一发光组至所述第n发光组中的每个包括所述多个第一发光元件，其中，n为自然数，
其中，所述第二光源单元包括串联连接的第一发光组至第m发光组，所述第一发光组至所述第m发光组中的每个包括所述多个第二发光元件，其中，m为自然数，
其中，所述第二波长不同于所述第一波长，并且n不同于m。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二波长比所述第一波长长，并且m比n大。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一波长在450nm至495nm的范围内或者在520nm至575nm的范围内，并且所述第二波长在600nm至750nm的范围内。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，n为2，并且m为3。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，n为3，并且m为4。
6.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括第三子像素，
其中，所述第三子像素包括第三光源单元，所述第三光源单元包括被构造为发射具有第三波长的中心波长的第三光的多个第三发光元件，
其中，所述第三光源单元包括串联连接的第一发光组至第s发光组，所述第一发光组至所述第s发光组中的每个包括所述多个第三发光元件，其中，s为自然数，
其中，所述第三波长不同于所述第二波长，并且s不同于m。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二波长比所述第三波长长，并且m比s大。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一波长在450nm至495nm的范围内，所述第二波长在600nm至750nm的范围内，并且所述第三波长在520nm至575nm的范围内。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，n和s相同。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一光源单元的所述第一发光组至所述第n发光组中的每个中的所述多个第一发光元件彼此并联连接。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二光源单元的所述第一发光组至所述第m发光组中的每个中的所述多个第二发光元件彼此并联连接。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每者为无机发光二极管。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一光源单元还包括电连接到所述第一子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到第一电压线的第二电极，并且
其中，所述第一光源单元的所述第一发光组至所述第n发光组包括串联连接在所述第一光源单元的所述第一电极与所述第一光源单元的所述第二电极之间的所述第一发光组和第二发光组。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一光源单元的所述第一发光组的一端连接到所述第一光源单元的所述第一电极，
其中，所述第一光源单元的所述第一发光组的另一端连接到所述第一光源单元的所述第二发光组的一端，并且
其中，所述第一光源单元的所述第二发光组的另一端连接到所述第一光源单元的所述第二电极。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二光源单元还包括电连接到所述第二子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到所述第一电压线的第二电极，并且
其中，所述第二光源单元的所述第一发光组至所述第m发光组包括串联连接在所述第二光源单元的所述第一电极与所述第二光源单元的所述第二电极之间的所述第一发光组、第二发光组和第三发光组。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二光源单元的所述第一发光组的一端连接到所述第二光源单元的所述第一电极，
其中，所述第二光源单元的所述第一发光组的另一端连接到所述第二光源单元的所述第二发光组的一端，
其中，所述第二光源单元的所述第二发光组的另一端连接到所述第二光源单元的所述第三发光组的一端，并且
其中，所述第二光源单元的所述第三发光组的另一端连接到所述第二光源单元的所述第二电极。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一子像素；以及
第二子像素，
其中，所述第一子像素包括：第一发光元件，被构造为发射具有第一波长的中心波长的第一光，所述第一发光元件包括串联连接的第一子发光元件和第二子发光元件；以及第一接触电极，与所述第一发光元件的至少一个端部接触，并且包括彼此间隔开的第一子接触电极、第二子接触电极和第三子接触电极，
其中，所述第二子像素包括：第二发光元件，被构造为发射具有第二波长的中心波长的第二光，所述第二发光元件包括串联连接的第一子发光元件、第二子发光元件和第三子发光元件；以及第二接触电极，与所述第二发光元件的至少一个端部接触，并且包括彼此间隔开的第一子接触电极、第二子接触电极、第三子接触电极和第四子接触电极，
其中，所述第二波长比所述第一波长长。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一波长在450nm至495nm的范围内或者在520nm至575nm的范围内，并且所述第二波长在600nm至750nm的范围内。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一子像素还包括电连接到所述第一子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到第一电压线的第二电极，
其中，所述第一接触电极的所述第一子接触电极与所述第一子像素的所述第一电极和所述第一发光元件的所述第一子发光元件的一个端部中的每者接触，
其中，所述第一接触电极的所述第二子接触电极与所述第一发光元件的所述第一子发光元件的另一端部和所述第一发光元件的所述第二子发光元件的一个端部中的每者接触，并且
其中，所述第一接触电极的所述第三子接触电极与所述第一发光元件的所述第二子发光元件的另一端部和所述第一子像素的所述第二电极中的每者接触。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二子像素还包括电连接到所述第二子像素的第一晶体管的第一电极和电连接到所述第一电压线的第二电极，
其中，所述第二接触电极的所述第一子接触电极与所述第二子像素的所述第一电极和所述第二发光元件的所述第一子发光元件的一个端部中的每者接触，
其中，所述第二接触电极的所述第二子接触电极与所述第二发光元件的所述第一子发光元件的另一端部和所述第二发光元件的所述第二子发光元件的一个端部中的每者接触，
其中，所述第二接触电极的所述第三子接触电极与所述第二发光元件的所述第二子发光元件的另一端部和所述第二发光元件的所述第三子发光元件的一个端部中的每者接触，并且
其中，所述第二接触电极的所述第四子接触电极与所述第二发光元件的所述第三子发光元件的另一端部和所述第二子像素的所述第二电极中的每者接触。
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