CN116504777A - 集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备 - Google Patents

集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116504777A
CN116504777A CN202310266883.XA CN202310266883A CN116504777A CN 116504777 A CN116504777 A CN 116504777A CN 202310266883 A CN202310266883 A CN 202310266883A CN 116504777 A CN116504777 A CN 116504777A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power supply
detected
coordinate list
hole
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310266883.XA
Other languages
English (en)
Inventor
贾嵩
张捷
刘金潭
王源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Original Assignee
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University filed Critical Peking University
Priority to CN202310266883.XA priority Critical patent/CN116504777A/zh
Publication of CN116504777A publication Critical patent/CN116504777A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备,涉及集成电路技术,包括:基于第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点确定目标坐标列表;第一检测金属层和第二检测金属层为相邻的两层金属层;基于第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔确定待检测坐标列表;将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,得到电源通孔连接完整性的检测结果。本发明将相邻金属层之间的目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,将集成电路中电源通孔连接完整性的检测由多次遍历数据库检索转变为对坐标列表的比较处理,得到电源通孔连接完整性的检测结果,可避免多次访问数据库导致时间开销大的问题,节省服务器内存资源。

Description

集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备。
背景技术
芯片电源网络结构的完整性影响着芯片的良率和工作频率,电源网络结构不同的金属层之间的通孔连接完整性决定了芯片的电源能否从外部经过多层金属网络平稳可靠地输入硅上晶体管。随着超大规模集成电路的发展,大规模数字芯片后端物理设计所需的时间越来越长。其中设计规则检查(Design Rule Check,DRC)所需的时间在总时间中的占比较大,而电源通孔连接完整性的DRC检查所需的时间也随着芯片规模的增加而变长。
针对高性能数字芯片电源通孔连接完整性的设计检查,目前普遍采用的检查方法是计算电源网络相邻两层的交点坐标,并在设计数据库中搜索该坐标处是否存在对应的通孔(Via),以检查该电源网络交点是否连通。
由于现代数字芯片设计规模的增大,每两层之间的电源网络交点数量与设计规模成正相关,目前电源网络交点数量可达百万或千万数量级,并且每次搜索设计数据库所需要的时间也随着设计规模的增大而延长,所以使用传统检查算法所需的时间与设计规模的平方成正比。随着芯片集成电路设计规模的增大,电源通孔连接完整性的检查耗费的时间可能会长达几十个小时甚至数天,并且在设计规则检查时需要占用大量服务器内存资源。
发明内容
本发明提供一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备,用以解决现有技术中随着集成电路设计规模的增大,电源通孔连接完整性的检查耗费时间长,且需要占用大量服务器内存资源的缺陷。
本发明提供一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,包括:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点;其中,第一检测金属层和第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;基于预设电源交点确定目标坐标列表;确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔;基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表;将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
根据本发明提供的一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔,包括:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测通孔,其中,待检测通孔包括待检测电源通孔和待检测信号线通孔;将待检测通孔中的待检测信号线通孔删除,保留待检测电源通孔。
根据本发明提供的一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,基于预设电源交点确定目标坐标列表,包括:获取预设电源交点的预设坐标位置;基于预设电源交点和预设坐标位置,确定目标坐标列表;基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表,包括:获取待检测电源通孔的待检测坐标位置;基于待检测电源通孔和待检测坐标位置,确定待检测坐标列表。
根据本发明提供的一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果之后,还包括:确定第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二预设电源交点;其中,第二检测金属层和第三检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;第一检测金属层和第三检测金属层不相同;基于第二预设电源交点确定第二目标坐标列表;确定第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二待检测电源通孔;基于第二待检测电源通孔确定第二待检测坐标列表;将第二目标坐标列表和第二待检测坐标列表作对比,基于第二对比结果得到电源通孔连接完整性的第二检测结果。
根据本发明提供的一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则检测结果为电源通孔连接性不完整,并输出提示信息;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则检测结果为电源通孔连接性完整。
根据本发明提供的一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量不相等,和/或预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置不对应,则目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性不完整,且输出结果列表,其中结果列表包括缺失的电源通孔和/或坐标位置不对应的电源通孔。
根据本发明提供的一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量相等,且预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置一一对应,则目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性完整。
本发明还提供一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置,包括:预设电源交点模块,用于确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点;其中,第一检测金属层和第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;目标坐标列表模块,用于基于预设电源交点确定目标坐标列表;待检测电源通孔模块,用于确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔;待检测坐标列表模块,用于基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表;检测结果模块,用于将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
本发明还提供一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现如上述任一种所述集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法。
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法。
本发明根据相邻金属层之间的预设电源交点确定目标坐标列表,根据相邻金属层之间的待检测电源通孔确定待检测坐标列表,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,将集成电路中电源通孔连接完整性的检测由多次遍历数据库检索转变为对坐标列表的比较处理,基于坐标列表的对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,可避免多次访问数据库导致时间开销大的问题,节省服务器内存资源。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法的流程示意图之一;
图2是本发明集成电路预设电源交点的坐标示意图;
图3是本发明集成电路待检测电源通孔的坐标示意图;
图4是本发明集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法的流程示意图之二;
图5是本发明集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置的结构示意图;
图6是本发明电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在现有技术中,随着集成电路设计规模的增大,电源通孔连接完整性的检查耗费时间长,且需要占用大量服务器内存资源。
基于此,本发明提供一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备,根据相邻金属层之间的预设电源交点确定目标坐标列表,根据相邻金属层之间的待检测电源通孔确定待检测坐标列表,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,将集成电路中电源通孔连接完整性的检测由多次遍历数据库检索转变为对坐标列表的比较处理,基于坐标列表的对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,可避免多次访问数据库导致时间开销大的问题,节省服务器内存资源。
请参阅图1,图1是本发明集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法的流程示意图之一,在本实施例中,集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法具体包括步骤110至步骤150,各步骤具体如下:
步骤110:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点。
集成电路是一种利用半导体材料制成的微小电子器件,通过在一片半导体晶片上制造数十亿个这样的元件和互连,可以实现高度集成的电路功能。超大规模集成电路(VeryLarge Scale Integration,VLSI)是一种集成电路技术,其中包括数十万到数百万个晶体管和其他电子元器件。集成电路中的金属层是指在半导体晶片表面的一层金属线路,是连接芯片上各种元器件的重要通道。集成电路中的通孔是指在芯片表面和内部不同金属层之间的连通孔,可实现不同金属层之间的连接和信号传输,通孔类型按照功能划分,主要可分成用于传输电源的电源通孔和用于实现通讯的信号线通孔。
在实际的集成电路中,尤其是在超大规模集成电路中,金属层通常会有多层,相邻的两层金属层之间通过预设的通孔连接,其中电源通孔处于相邻两层金属层中电源金属相交的位置,可为不同层级的集成电路提供电源。
而在集成电路的设计阶段,技术人员可以提前规划不同金属层的电源通孔的排布,将相邻两层金属层中电源金属相交的位置标记为电源交点,生成与各电源交点一一对应的坐标信息,并将电源交点和对应的坐标信息存储在数据库中。在集成电路设计完成后,对待检测的集成电路进行电源通孔连接完整性的DRC检查,即可验证所设计的集成电路中电源通孔的连接是否符合技术人员的设计。
在本实施例中,需要先确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点,第一检测金属层和第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层。
需要说明的是,相邻两层金属层之间的预设电源交点可以有多个,不同金属层的预设电源交点的数量可以不同,本实施例对此不作限定。
例如,对于一个包含三层金属层的集成电路,第一层金属层与第二层金属层之间可以有5个预设电源交点,第二层金属层和第三层金属层之间可以有3个预设电源交点。
具体地,可以从数据库中获取集成电路中相邻两层金属层之间的预设电源交点信息。可以理解地,数据库中包含所有相邻金属层之间的预设电源交点信息。
步骤120:基于预设电源交点确定目标坐标列表。
在集成电路的设计阶段,技术人员可以提前规划不同金属层的电源通孔的排布,将相邻两层金属层中电源金属相交的位置标记为电源交点,生成与各电源交点一一对应的坐标信息,并将电源交点和对应的坐标信息存储在数据库中。
本发明还提供了生成预设电源交点的坐标示意图的一个具体实施例。请参阅图2,图2是本发明集成电路预设电源交点的坐标示意图。在本实施例中,以集成电路板的左下角为坐标原点O,以集成电路板水平方向为X轴,以集成电路板竖直方向为Y轴建立平面直角坐标系,其中集成电路板长(水平方向的边长)为16mm,宽(竖直方向的边长)为10mm。
相邻两层金属层之间有3个预设电源交点,分别标记为A1、A2和A3,则预设电源交点A1对应的坐标可表示为(3,3),A2对应的坐标可表示为(9,7),A3对应的坐标可表示为(13,4)。
具体地,确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点后,可以根据预设电源交点遍历数据库,以获得目标坐标列表。其中,目标坐标列表包含预设电源交点及对应的坐标信息。
步骤130:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔。
在集成电路设计完成后,技术人员需要对设计完成的集成电路进行电源通孔连接完整性的DRC检查。
在本实施例中,需要确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔。其中,第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔信息可以存储在数据库中。
步骤140:基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表。
对待检测集成电路金属层之间的待检测电源通孔进行标记,生成与各待检测电源通孔一一对应的坐标信息,并将待检测电源通孔和对应的坐标信息存储在数据库中。
本发明还提供了生成待检测电源通孔的坐标示意图的一个具体实施例。请参阅图3,图3是本发明集成电路待检测电源通孔的坐标示意图。在本实施例中,以集成电路板的左下角为坐标原点O,以集成电路板水平方向为X轴,以集成电路板竖直方向为Y轴建立平面直角坐标系,其中集成电路板长(水平方向的边长)为16mm,宽(竖直方向的边长)为10mm。
相邻两层金属层之间有3个预设电源交点,分别标记为B1、B2和B3,则预设电源交点B1对应的坐标可表示为(3,3),B2对应的坐标可表示为(9,7),B3对应的坐标可表示为(11,4)。
具体地,确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔后,可以根据待检测电源通孔遍历数据库,以获得待检测坐标列表。其中,待检测坐标列表包含待检测电源通孔及对应的坐标信息。
步骤150:将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
目标坐标列表包含预设电源交点及对应的坐标信息,反映了技术人员对集成电路中电源通孔的设计要求。为了确保待检测集成电路中的电源通孔符合技术人员的设计要求,需要进行DRC检查,将目标坐标列表与待检测坐标列表进行对比,得到对应的检测结果。在DRC检查完成后,若存在不符合技术人员设计要求的电源通孔,则需要对待检测电源通孔进行修正,并在完成修正后再次进行DRC检查,直至待检测集成电路中的电源通孔全部符合技术人员的设计要求。
若待检测集成电路中的电源通孔符合技术人员的设计要求,目标坐标列表和待检测坐标列表应当是匹配的,则电源通孔连接性完整;若待检测集成电路中的的电源通孔不符合技术人员的设计要求,则目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则电源通孔连接性不完整。将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果即可得到电源通孔连接完整性的检测结果。
本实施例根据相邻金属层之间的预设电源交点确定目标坐标列表,根据相邻金属层之间的待检测电源通孔确定待检测坐标列表,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,将集成电路中电源通孔连接完整性的检测由多次遍历数据库检索转变为对坐标列表的比较处理,基于坐标列表的对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,可避免多次访问数据库导致时间开销大的问题,节省服务器内存资源。
在一些实施例中,确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔,包括:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测通孔,其中,待检测通孔包括待检测电源通孔和待检测信号线通孔;将待检测通孔中的待检测信号线通孔删除,保留待检测电源通孔。
集成电路中的通孔类型按照功能划分,主要可分成用于传输电源的电源通孔和用于实现通讯的信号线通孔。
具体地,需要确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测通孔,其中,待检测通孔包括待检测电源通孔和待检测信号线通孔。由于集成电路中电源通孔连接完整性与待检测信号线通孔无关,因此需要将待检测通孔中的待检测信号线通孔删除,保留待检测电源通孔。
在一些实施例中,基于预设电源交点确定目标坐标列表,包括:获取预设电源交点的预设坐标位置;基于预设电源交点和预设坐标位置,确定目标坐标列表;基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表,包括:获取待检测电源通孔的待检测坐标位置;基于待检测电源通孔和待检测坐标位置,确定待检测坐标列表。
在获取预设电源交点的预设坐标位置之后,可以基于预设电源交点和预设坐标位置,确定目标坐标列表。
可选地,根据预设电源交点遍历数据库,筛选出集成电路中所有相邻两层金属层之间的预设电源交点和对应的预设坐标位置,形成一个完整的目标坐标列表。
例如,对于一个包含两层金属层的集成电路,第一层金属层与第二层金属层之间可以有5个预设电源交点,5个预设电源交点和对应的预设坐标位置可分别标记为C1(X1,Y1)、C2(X2,Y2)、C3(X3,Y3)、C4(X4,Y4)和C5(X5,Y5),则可以遍历数据库,筛选出集成电路中第一层金属层与第二层金属层之间5个预设电源交点和对应的预设坐标位置,形成目标坐标列表,该目标坐标列表如
表1所示。
预设电源交点 预设坐标位置
C1 (X1,Y1)
C2 (X2,Y2)
C3 (X3,Y3)
C4 (X4,Y4)
C5 (X5,Y5)
表1
在获取待检测电源通孔的待检测坐标位置之后,可以基于待检测电源通孔和待检测坐标位置,确定待检测坐标列表。
可选地,根据待检测电源通孔遍历数据库,筛选出集成电路中所有相邻两层金属层之间的待检测电源通孔和对应的待检测坐标位置,形成一个完整的待检测坐标列表。待检测坐标列表的获取方法与目标坐标列表的获取方法相似,在此不再赘述。
在一些实施例中,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果之后,还包括:确定第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二预设电源交点;其中,第二检测金属层和第三检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;第一检测金属层和第三检测金属层不相同;基于第二预设电源交点确定第二目标坐标列表;确定第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二待检测电源通孔;基于第二待检测电源通孔确定第二待检测坐标列表;将第二目标坐标列表和第二待检测坐标列表作对比,基于第二对比结果得到电源通孔连接完整性的第二检测结果。
在待检测的集成电路中,尤其是在超大规模集成电路中,金属层通常会有多层,只有当集成电路中每相邻两层金属层的目标坐标列表和待检测坐标列表都一致,才能保证集成电路中电源通孔连接性完整,因此,需要对集成电路中每相邻两层金属层的目标坐标列表和待检测坐标列表都进行对比。
例如,对于一个包含四层金属层的集成电路,需要分别对比第一层金属层与第二层金属层、第二层金属层与第三层金属层、第三层金属层与第四层金属层之间的目标坐标列表和待检测坐标列表。
在一些实施例中,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则检测结果为电源通孔连接性不完整,并输出提示信息;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则检测结果为电源通孔连接性完整。
若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则检测结果为电源通孔连接性不完整,并输出提示信息。可选地,对目标坐标列表和待检测坐标列表中不匹配的坐标项进行标注,并输出坐标项不匹配的提示信息。
例如,目标坐标列表和待检测坐标列表中只有标注为“M(X,Y)”的坐标项不匹配,则对坐标项“M(X,Y)”进行标注,并输出坐标项“M(X,Y)”不匹配的提示信息。
若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则检测结果为电源通孔连接性完整。可以理解地,若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则表明该相邻两金属层之间的检测结果为电源通孔连接性完整,该相邻两金属层之间的电源通孔连接完整性的DRC检查完成,此时可对其余相邻金属层进行电源通孔连接完整性的检测。
在一些实施例中,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量不相等,和/或预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置不对应,则目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性不完整,且输出结果列表,其中结果列表包括缺失的电源通孔和/或坐标位置不对应的电源通孔。
若待检测集成电路中的电源通孔符合技术人员的设计要求,目标坐标列表和待检测坐标列表应当是匹配的,即目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量相等,且预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置一一对应对应。若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量不相等,和/或预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置不对应,则可以判定目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性不完整,且输出结果列表,其中结果列表包括缺失的电源通孔和/或坐标位置不对应的电源通孔。
例如,目标坐标列表中包含4个坐标,分别标记为M1(x1,y1)、M2(x2,y2)、M3(x3,y3)、M4(x4,y4)和M5(x5,y5),待检测坐标列表中包含5个坐标,分别标记为M1(x1,y1)、M2(x2,y2)、M3(x4,y3)和M4(x3,y4),则输出的检测结果为电源通孔连接性不完整,且输出结果列表,其中结果列表包括3个不匹配的坐标项,分别为M3、M4和M5,结果列表可以包括目标坐标列表和待检测坐标列表中M3、M4、M5的坐标对比。
在一些实施例中,将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量相等,且预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置一一对应,则目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性完整。
请参阅图4,图4是本发明集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法的流程示意图之二。
本发明还提供了集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法的一个具体实施例,具体如下:
确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点,基于预设电源交点确定目标坐标列表。
其中,第一检测金属层和第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层。
在本实施例中,可以将目标坐标列表记为L1。
确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔,基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表。
在本实施例中,可以将待检测坐标列表记为L2。由于在待检测的集成电路中,第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测通孔包括待检测电源通孔和待检测信号线通孔,因此需要先将待检测通孔中的待检测信号线通孔删除,保留待检测电源通孔。待检测坐标列表L2中仅包含待检测电源通孔的信息。
进一步地,判断目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2是否匹配。
具体地,若目标坐标列表L1中预设电源交点的数量和待检测坐标列表L2中待检测电源通孔的数量相等,且预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置一一对应,则目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2的对比结果为目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2匹配。
若对比结果为目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2匹配,则表明该相邻两金属层之间的检测结果为电源通孔连接性完整,该相邻两金属层之间的电源通孔连接完整性的DRC检查完成,此时可对其余相邻金属层进行电源通孔连接完整性的检测,直至完成集成电路中所有相邻两金属层之间的电源通孔连接完整性的检测。
若目标坐标列表L1中预设电源交点的数量和待检测坐标列表L2中待检测电源通孔的数量不相等,和/或预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置不对应,则目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2的对比结果为目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2不匹配。
若对比结果为目标坐标列表L1和待检测坐标列表L2不匹配,则该相邻两金属层之间的电源通孔连接性不完整,并输出结果列表,其中结果列表包括缺失的电源通孔和/或坐标位置不对应的电源通孔,该相邻两金属层之间的电源通孔连接完整性的DRC检查完成,此时可对其余相邻金属层进行电源通孔连接完整性的检测,直至完成集成电路中所有相邻两金属层之间的电源通孔连接完整性的检测。
下面对本发明提供集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置进行描述,下文描述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置与上文描述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法可相互对应参照。
请参阅图5,图5是本发明集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置的结构示意图。
在本实施例中,集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置包括预设电源交点模块510、目标坐标列表模块520、待检测电源通孔模块530、待检测坐标列表模块540和检测结果模块550。
预设电源交点模块510,用于确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点;其中,所述第一检测金属层和所述第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层。
目标坐标列表模块520,用于基于所述预设电源交点确定目标坐标列表。
待检测电源通孔模块530,用于确定所述第一检测金属层和所述第二检测金属层之间的待检测电源通孔。
待检测坐标列表模块540,用于基于所述待检测电源通孔确定待检测坐标列表。
检测结果模块550,用于将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
在一些实施例中,待检测电源通孔模块530用于:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测通孔,其中,待检测通孔包括待检测电源通孔和待检测信号线通孔;将待检测通孔中的待检测信号线通孔删除,保留待检测电源通孔。
在一些实施例中,目标坐标列表模块520用于:获取预设电源交点的预设坐标位置;基于预设电源交点和预设坐标位置,确定目标坐标列表;待检测坐标列表模块540用于:获取待检测电源通孔的待检测坐标位置;基于待检测电源通孔和待检测坐标位置,确定待检测坐标列表。
在一些实施例中,预设电源交点模块510还用于:确定第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二预设电源交点;其中,第二检测金属层和第三检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;第一检测金属层和第三检测金属层不相同。
目标坐标列表模块520还用于:基于第二预设电源交点确定第二目标坐标列表。待检测电源通孔模块530还用于:确定第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二待检测电源通孔。待检测坐标列表模块540还用于:基于第二待检测电源通孔确定第二待检测坐标列表。
检测结果模块550还用于:将第二目标坐标列表和第二待检测坐标列表作对比,基于第二对比结果得到电源通孔连接完整性的第二检测结果。
在一些实施例中,检测结果模块550用于:若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则检测结果为电源通孔连接性不完整,并输出提示信息;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则检测结果为电源通孔连接性完整。
在一些实施例中,检测结果模块550用于:若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量不相等,和/或预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置不对应,则目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表不匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性不完整,且输出结果列表,其中结果列表包括缺失的电源通孔和/或坐标位置不对应的电源通孔。
在一些实施例中,检测结果模块550用于:若目标坐标列表中预设电源交点的数量和待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量相等,且预设电源交点的坐标位置和待检测电源通孔的坐标位置一一对应,则目标坐标列表和待检测坐标列表的对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配;若对比结果为目标坐标列表和待检测坐标列表匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性完整。
本发明还提供一种电子设备,请参阅图6,图6是本发明电子设备的结构示意图。在本实施例中,电子设备可以包括存储器(memory)620、处理器(processor)610及存储在存储器620上并可在处理器610上运行的计算机程序。处理器610执行程序时实现上述各方法所提供的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法。
可选地,电子设备还可以包括通信总线630和通信接口(CommunicationsInterface)640,其中,处理器610,通信接口640,存储器620通过通信总线630完成相互间的通信。处理器610可以调用存储器620中的逻辑指令,以执行集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,该方法包括:确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点;其中,第一检测金属层和第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;基于预设电源交点确定目标坐标列表;确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的待检测电源通孔;基于待检测电源通孔确定待检测坐标列表;将目标坐标列表和待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
此外,上述的存储器620中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其步骤和原理在上述方法已详细介绍,在此不再赘述。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如ROM/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,包括:
确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点;其中,所述第一检测金属层和所述第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;
基于所述预设电源交点确定目标坐标列表;
确定所述第一检测金属层和所述第二检测金属层之间的待检测电源通孔;
基于所述待检测电源通孔确定待检测坐标列表;
将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
2.根据权利要求1所述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,所述确定所述第一检测金属层和所述第二检测金属层之间的待检测电源通孔,包括:
确定所述第一检测金属层和所述第二检测金属层之间的待检测通孔,其中,所述待检测通孔包括待检测电源通孔和待检测信号线通孔;
将所述待检测通孔中的待检测信号线通孔删除,保留所述待检测电源通孔。
3.根据权利要求1所述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,所述基于所述预设电源交点确定目标坐标列表,包括:
获取所述预设电源交点的预设坐标位置;
基于所述预设电源交点和所述预设坐标位置,确定所述目标坐标列表;
所述基于所述待检测电源通孔确定待检测坐标列表,包括:
获取所述待检测电源通孔的待检测坐标位置;
基于所述待检测电源通孔和所述待检测坐标位置,确定所述待检测坐标列表。
4.根据权利要求1所述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,所述将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果之后,还包括:
确定所述第二检测金属层和第三检测金属层之间的第二预设电源交点;其中,所述第二检测金属层和所述第三检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;所述第一检测金属层和所述第三检测金属层不相同;
基于所述第二预设电源交点确定第二目标坐标列表;
确定所述第二检测金属层和所述第三检测金属层之间的第二待检测电源通孔;
基于所述第二待检测电源通孔确定第二待检测坐标列表;
将所述第二目标坐标列表和所述第二待检测坐标列表作对比,基于第二对比结果得到电源通孔连接完整性的第二检测结果。
5.根据权利要求1所述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,所述将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:
若所述对比结果为所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表不匹配,则所述检测结果为电源通孔连接性不完整,并输出提示信息;
若所述对比结果为所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表匹配,则所述检测结果为电源通孔连接性完整。
6.根据权利要求3所述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,所述将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:
若所述目标坐标列表中预设电源交点的数量和所述待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量不相等,和/或所述预设电源交点的坐标位置和所述待检测电源通孔的坐标位置不对应,则所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表的对比结果为所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表不匹配;
若所述对比结果为所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表不匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性不完整,且输出结果列表,其中所述结果列表包括缺失的电源通孔和/或坐标位置不对应的电源通孔。
7.根据权利要求3所述的集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法,其特征在于,所述将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果,包括:
若所述目标坐标列表中预设电源交点的数量和所述待检测坐标列表中待检测电源通孔的数量相等,且所述预设电源交点的坐标位置和所述待检测电源通孔的坐标位置一一对应,则所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表的对比结果为所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表匹配;
若所述对比结果为所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表匹配,则输出的检测结果为电源通孔连接性完整。
8.一种集成电路中电源通孔连接完整性的检测装置,其特征在于,包括:
预设电源交点模块,用于确定第一检测金属层和第二检测金属层之间的预设电源交点;其中,所述第一检测金属层和所述第二检测金属层为集成电路中相邻的两层金属层;
目标坐标列表模块,用于基于所述预设电源交点确定目标坐标列表;
待检测电源通孔模块,用于确定所述第一检测金属层和所述第二检测金属层之间的待检测电源通孔;
待检测坐标列表模块,用于基于所述待检测电源通孔确定待检测坐标列表;
检测结果模块,用于将所述目标坐标列表和所述待检测坐标列表作对比,基于对比结果得到电源通孔连接完整性的检测结果。
9.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法。
10.一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法。
CN202310266883.XA 2023-03-15 2023-03-15 集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备 Pending CN116504777A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310266883.XA CN116504777A (zh) 2023-03-15 2023-03-15 集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310266883.XA CN116504777A (zh) 2023-03-15 2023-03-15 集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116504777A true CN116504777A (zh) 2023-07-28

Family

ID=87317358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310266883.XA Pending CN116504777A (zh) 2023-03-15 2023-03-15 集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116504777A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6950771B1 (en) Correlation of electrical test data with physical defect data
WO2020103385A1 (zh) Pcb设计版图的开短路检查方法、检测系统及电子设备
CN104022050A (zh) 一种晶圆批次中重复位置缺陷的检测方法
JP2002299401A (ja) 検査システムと検査装置と半導体デバイスの製造方法及び検査プログラム
US8473223B2 (en) Method for utilizing fabrication defect of an article
KR100873885B1 (ko) 설계 검증 장치, 설계 검증 방법 및 cad 시스템
KR20030051064A (ko) 순수 디펙트에 의한 페일 발생 확률 측정방법, 순수디펙트에서 추출한 패턴 파라미터의 분류를 이용한 디펙트제한 수율 측정 방법 및 순수 디펙트에 의한 페일 발생확률 및 디펙트 제한 수율을 측정하기 위한 시스템
CN115988750A (zh) 一种基于逆向技术的pcb电路板制作方法及系统
CN107895064B (zh) 元器件极性检测方法、系统、计算机可读存储介质及设备
US20160110859A1 (en) Inspection method for contact by die to database
CN117333424A (zh) 晶圆缺陷评估方法、装置、存储器芯片和可读存储介质
US20140019927A1 (en) Waferless measurement recipe
CN116504777A (zh) 集成电路中电源通孔连接完整性的检测方法、装置及设备
US10191112B2 (en) Early development of a database of fail signatures for systematic defects in integrated circuit (IC) chips
US7310791B2 (en) Method for correcting layout errors
CN116344441A (zh) 一种芯片封装方法及计算机可读存储介质
CN109219871B (zh) 使用设计分析的计量目标的电相关放置
US9006003B1 (en) Method of detecting bitmap failure associated with physical coordinate
TWI748184B (zh) 瑕疵檢測方法、電子裝置及電腦可讀存儲介質
CN114184933B (zh) 回流地孔检测方法、系统、装置及计算机可读存储介质
CN114254583B (zh) 一种检查器件引脚连接的方法、装置、设备、存储介质
CN107992287B (zh) 一种系统需求优先级排序结果的检查方法和装置
CN111444668B (zh) 一种对待测阵列中的晶体管逐个进行版图布线的方法
CN101206679B (zh) 布局图设计规则检查的方法与计算机可读取记录介质
JP2011060117A (ja) 半導体集積回路設計支援装置および半導体集積回路の設計方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination