CN116496092B - 一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 - Google Patents
一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116496092B CN116496092B CN202310369940.7A CN202310369940A CN116496092B CN 116496092 B CN116496092 B CN 116496092B CN 202310369940 A CN202310369940 A CN 202310369940A CN 116496092 B CN116496092 B CN 116496092B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon nitride
- phase solution
- solution
- slurry
- microspheres
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 26
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 22
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 7
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical group CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical group [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical group NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011837 N,N-methylenebisacrylamide Substances 0.000 claims description 3
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N n,n'-methylenebisacrylamide Chemical group C=CC(=O)NCNC(=O)C=C ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 3
- 229940086555 cyclomethicone Drugs 0.000 claims description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- AMTWCFIAVKBGOD-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;methoxy-dimethyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound O=[Si]=O.CO[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C AMTWCFIAVKBGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 2
- 229940083037 simethicone Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 10
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/66—Additives characterised by particle size
- C09D7/69—Particle size larger than 1000 nm
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/70—Additives characterised by shape, e.g. fibres, flakes or microspheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/785—Submicron sized grains, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/94—Products characterised by their shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
Abstract
本发明提供一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用，属于氮化硅陶瓷技术领域；包括：S1.将单体、交联剂、引发剂与分散剂溶液混合为预混液；S2.向所述预混液中引入含氮化硅粉末、去离子水，得到浆料；S3.向所述浆料中加入浓氨水，再加入催化剂溶液，得到分散相溶液；浓氨水的体积用量为所述浆料体积量的2％‑6％，S4.将分散相溶液分散在连续相溶液内；S5.然后进行密封陈化、清洗、干燥和烧结。本发明能够最大化避免氧化硅等杂质相的生成，甚至生成纯氮化硅相，同时能大幅改善所得微球的球形度，且不会对生成物相组成造成破坏，并在微球内均匀分布了亚微米级别的孔隙，降低了材料的介电常数与介电损耗角正切值。
Description
技术领域
本发明涉及氮化硅陶瓷技术领域，特别是指一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用。
背景技术
氮化硅陶瓷具有较高的力学性能、良好的抗热震性、优良的介电性能和优异的耐雨蚀性等性能，作为一种透波性能极佳的材料可以保护航天器免受恶劣环境的影响，是最具发展前景的透波填料之一。由于β相氮化硅晶粒为棒状，无法制备出表面光洁的球形材料，所以目前氮化硅球形填料的制备以α相颗粒状为主。
氮化硅成形主要制备方法有惰性气体碳热还原法和凝胶成形法两种。惰性气体碳热还原的方法需要进行碳还原的步骤，后续烧结中会出现氧化硅等杂质，材料纯度与强度有待提高。而凝胶成形的方式存在制备所得样品球形度较差、微球尺寸差异较大等问题。作为填充材料时会导致涂层内应力增大，不利于对抗逐渐严苛的航天服役条件。
迄今为止，多数氮化硅材料制备以块状材料为主，关于球形氮化硅材料的研究报道不尽完善。ChenLu等人采用热射频等离子技术实现了径粒在5-50m多孔氮化硅材料的制备(LuC,FanJ,ZhangY,etal.PreparationofSilicon NitrideHollowQuasi-SpheresbyRFThermalPlasma[J].InternationalJournalof AppliedCeramicTechnology,2015.)，但微球球形度较差，不利于作为一种透波填料的应用。Jia-MinWu等人制备了外部形貌较好的大孔隙率多孔陶瓷微球(WuJM,ZhangXY,YangJL.NovelporousSi3N4ceramicspreparedby aqueousgelcastingusingSi3N4poly-hollowmicrospheresaspore-formingagent[J].JournaloftheEuropeanCeramicSociety,2014,34(5):1089-1096.)，但材料强度较低，无法承受较高应力。ZhaoKai等人利用氧化硅微球为硬模板采用碳热还原的方式制备出了一种尺寸在亚微米级别的氮化硅空心陶瓷微球(Zhao,K.,etal.,PreparationandPerformanceofSi3N4HollowMicrospheresbythe TemplateMethodandCarbothermalReductionNitridation.ACSAppliedMaterials&Interfaces,2019.11(42):p.39054-39061.)，但微球形貌较差，成品微球多出现破损现象。
为实现微球的单分散制备，较为稳定的制备方式为微流控法，Wang等人利用玻璃微流控器件实现了单分散氧化锆陶瓷微球的制备(Wang,Peiyi；Li,Jiang；Nunes,Janine；Hao,Shaochang；Liu,Bing；Chen,Haosheng；Lu,K.Droplet Micro-ReactorforInternalGelationtoFabricateZrO2CeramicMicrospheres[J].JournaloftheAmericanCeramicSociety,(2016).)，但该方法以溶胶凝胶法为制备基础，无法应用到氮化硅制备的领域。
传统凝胶成形法浆料粘度过高，无法实现单分散微球制备。且现有方式制备出的氮化硅陶瓷微球存在力学性能较差、内部结构不均匀、微球球形度较差，表面存在开口气孔的缺点。因此，本领域的研究难点在于，如何在保证氮化硅微球介电性的前提下，进一步改善微球外部形貌与分散性，均匀微球内部孔隙分布，增加微球力学性能，降低其作为填充物时材料整体内应力。
发明内容
本发明提供一种微米级氮化硅微球的制备方法，其解决了现有方案中难以制备形貌良好、单分散氮化硅微球的问题，提出了一种结合凝胶成形法制备可用于透波领域的氮化硅陶瓷微球新方法。本发明克服了常规凝胶注模法中氮化硅浆料粘度过高的问题，在特定的时机引入浓氨水对浆料进行调节，能够最大化避免氧化硅等杂质相的生成，甚至生成纯氮化硅相，同时能大幅改善所得微球的球形度，且不会对生成物相组成造成破坏，并在微球内均匀分布了亚微米级别的孔隙，降低了材料的介电常数与介电损耗角正切值。本发明微球制备流程简单，成本较低，可用于填充材料、高温透波陶瓷基复合隔热涂层材料。
为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
第一方面，提供一种微米级氮化硅陶瓷微球的制备方法，包括：
S1.将单体、交联剂、引发剂与分散剂溶液混合为预混液；
S2.向所述预混液中引入含氮化硅粉末、去离子水，得到浆料；含氮化硅粉末的固含量为浆料体积量的2-5g/ml；去离子水的用量满足固含量；
S3.向所述浆料中加入氨水体积浓度为25％-28％的浓氨水，再加入催化剂溶液，得到分散相溶液；浓氨水的体积用量为所述浆料体积量的2％-6％，催化剂溶液中催化剂的体积含量为0.4％-20％；
S4.将所述分散相溶液分散在连续相溶液内；连续相溶液为含表面活性剂的二甲基硅油溶液；
S5.然后进行密封陈化、清洗、干燥和烧结。
其中优选地，S1中，所述分散剂溶液为去离子水与分散剂体积比为1：0.1-0.2的溶液，所述分散剂为聚丙烯酸铵。
其中优选地，所述单体为丙烯酰胺，交联剂为N,N-亚甲基双丙烯酰胺，引发剂为过硫酸铵，所述单体、交联剂、引发剂的质量比为1：0.08-0.1：0.01-0.02，所述分散剂为单体量的0.45-0.5ml/g。该优选方案，更利于粉末均匀分散；单体快速交联，形成稳定凝胶样品。
其中优选地，S3中，所述催化剂为单体量的0.005-0.3ml/g。
其中优选地，S4中，所述表面活性剂由质量比1：1的三甲基硅氧酸醋和环甲硅氧炕(十甲基环戊硅氧炕)组成(即DowcorningRSN-0749)，表面活性剂的质量浓度为2％-4％。该优选方案，更利于节约制备成本。
其中优选地，S4中，将所述分散相溶液分散在连续相溶液内，包括：
取连续相溶液置于烧杯内，在磁转子搅拌下设置转速为600-800rpm，将分散相溶液缓慢倒入，之后封闭烧杯口；
或者，将连续相溶液加入注射器内并将其放置在注射泵上，设置流速为10-20ml/h；将分散相溶液加入注射器内并将其放置在注射泵上，设置流速为3-7ml/h，使用单乳化微流控器件进行乳化，之后使用水清瓶收集乳化后的液滴，收集完成后封闭瓶口。本发明的乳化方式和适宜的催化剂含量相适配，更利于获得单分散性微球，其中在催化剂含量较低(催化剂的体积含量为0.4％-1％)时能采用配合第二种微流控的方式进行乳化，其他高含量范围采用第一种方式。
其中优选地，S5中，所述密封陈化、清洗、干燥的过程包括：
在密封容器内置于70-80℃保温箱内陈化至少48h，得到凝胶微球；
然后使用三氯乙烯、丙二醇甲醚分别对所得凝胶微球清洗三遍；
清洗后微球置于通风处干燥至少24h。
优选地，S5中，所述烧结的过程包括：以4-6℃/min升温，在200-400℃保温40-60min，在1400-1500℃保温110-130min，之后样品随炉冷却；烧结环境包括：空气、氮气或氨气的气氛。该优选方案，更利于防止浆料过多接触空气抑制引发剂产生自由基；控制氮化硅陶瓷微球的尺寸；保证烧结时微球内部排胶稳定；降低微球烧结成本。
更优选地，S5中，所述烧结的过程包括：以5℃/min升温，在300℃保温60min，在1400-1500℃保温120min，之后样品随炉冷却；烧结环境包括：空气、氮气或氨气的气氛。该优选方案，更利于防止浆料过多接触空气抑制引发剂产生自由基；控制氮化硅陶瓷微球的尺寸；保证烧结时微球内部排胶稳定；降低微球烧结成本。
其中优选地，S2中，所述含氮化硅粉末包括：以含氮化硅粉末的总质量百分比计，92％-95％纳米氮化硅粉末、1％-2％纳米氧化铝粉末、3％-7％纳米氧化钇粉末。该优选方案，更利于提升微球烧结时内部粉末的结合强度，提升微球力学性能。
第二方面，提供一种微米级氮化硅陶瓷微球，其通过第一方面所述的制备方法制备得到。
第三方面，提供第二方面所述的微米级氮化硅陶瓷微球在透波涂层填料中的应用。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明将上述特定时机引入特定量浓氨水配合控制粉末固含量以及特定量催化剂得到的分散相溶液分散在连续相溶液内，能够通过连续相溶液的表面张力实现分散相溶液的氮化硅浆料自动成形，得到微米级氮化硅微球，其中，特定时机引入特定量浓氨水，一方面，可以避免氮化硅粉末与氨水长时间混合导致水解程度加剧，另一方面微量氨水的加入可以提升浆料整体的pH值至适宜，降低浆料的粘度，从而最大化避免氧化硅等杂质相的生成，同时能大幅提升所得微球的球形度。特定的催化剂含量用于控制浆料凝固时间，在相同引发剂的前提下，催化剂含量越高，凝胶时间越短，为了防止催化剂浓度过高导致浆料内部出现催化剂局部过量的现象，使用去离子水稀释催化剂后在特定时机加入浆料，从而能够在微球内特意保留且均匀分布了亚微米级别的孔隙，即微米尺寸微球内部存在纳米级孔隙且球形度良好，更利于降低了材料的介电常数与介电损耗角正切值，从而可应用于透波涂层填料。
而研究发现，若催化剂量过多，会使浆料急速凝固，无法在连续相内分散形成球形材料；若催化剂量过少会使浆料凝固速度极缓，甚至无法凝固。若浆料的固含量低于2g/ml会使微球在烧结后出现碎裂情况；若浆料的固含量高于5g/ml会使微球在乳化过程中出现不成球的情况。若所加浓氨水含量超出28(体积分数)％，烧结后所得陶瓷微球的相成分会发生较大变化。
与现有技术相比，本发明的有益效果还具有以下几点：
1、本发明通过调整浆料配比，可以适应不同的生产方式，实现单分散、多分散陶瓷微球的制备。
2、本发明通过控制浆料固含量，实现不同尺寸陶瓷微球的制备。由于不同固含量下浆料的粘度不同，使得在相同乳化条件下制备得到的微球尺寸与固含量成正相关关系，而内部孔隙率与固含量成反相关关系。
3、本发明所得氮化硅陶瓷微球具有较低的介电常数与介电损耗角正切值，且微球内部分布有亚微米级别的孔隙。
4、本发明确定了体系中浓氨水添加含量，利于降低浆料粘度，从而利于乳化生产球形度良好的微球，控制烧结后陶瓷内的相成分适宜改变。
本发明工艺简单，生产过程可重复性高，产物生成稳定且可控。成本低，周期短，有利于市场化推广。
附图说明
图1为实施例2单分散氮化硅陶瓷微球光镜与尺寸统计图。
图2为实施例1、3、4的氮化硅陶瓷微球电镜图，其中a、d是固含量为30(体积分数)％的陶瓷微球切面与放大图；b、e是固含量为40(体积分数)％的陶瓷微球切面与放大图；c、f是固含量为50(体积分数)％的陶瓷微球切面与放大图。
图3为实施例5样品X射线衍射(XRD)图谱。
图4为实施例1不同频率下介电常数与介电损耗角正切值。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
实施例1
一种微米级氮化硅陶瓷微球，其制备方法如下：
步骤1.配制含Downconing0749的二甲基硅油溶液作为连续相溶液。表面活性剂的体积为二甲基硅油体积的2％。
步骤2.在0.5ml去离子水中加入100ul四甲基乙二胺，漩涡振荡1min。作为催化剂A液。
步骤3.将160ul聚丙烯酸铵加入至1ml去离子水中，漩涡振荡1min。作为分散剂溶液。
步骤4.称量0.324g丙烯酰胺、0.027gN,N-亚甲基双丙烯酰胺、0.0064g过硫酸铵加入至上述步骤3溶液中，得到预混液。漩涡振荡至交联剂完全溶解为止。
步骤5.称量2.59gα-氮化硅粉末、0.04g氧化铝粉末、0.12g氧化钇粉末加入上述步骤4溶液中。漩涡振荡1min，作为B液。
步骤6.滴加500μl去离子水至B液中，漩涡振荡1min。
步骤7.滴加40μl浓氨水(氨水体积浓度为25％的水溶液)至B液中，漩涡振荡0.5min。
步骤8.向震荡中的B液缓慢滴入全部A液。漩涡振荡0.5min。
步骤9.取30ml连续相溶液置于50ml烧杯内，使用长为5cm磁转子，设置转速为700rpm，将步骤8所配制的溶液缓慢倒入。
步骤10.搅拌5min后使用保鲜膜封闭烧杯口，放入保温箱内70℃保温48h。
步骤11.使用三氯乙烯对样品清洗三次后再使用丙二醇甲醚清洗三次。清洗后置于通风处干燥24h。
步骤12.使用马弗炉对干燥后的陶瓷微球进行烧结；烧结曲线为：以5℃每分钟升温，在300℃处保温60min，在1450℃处保温120min，之后样品随炉冷却。即得到氮化硅陶瓷微球。
本实施例所述为TEMED催化剂含量最多条件下的陶瓷微球制备。如图2中b、e所示为该实施例下陶瓷微球的截面样与截面放大样。陶瓷微球内部较为致密，存在孔隙尺寸在亚微米级别。如图4所示为不同频率下该实施例陶瓷微球的介电常数与介电损耗角正切值，满足目前航天环境要求。
经测试，本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.91，内部孔隙尺寸均值为0.88μm，以质量计的杂质相含量为4.8％。微球球形度计算方法为：颗粒最大内接圆直径/颗粒最大外接圆直径，下述球形度计算方法相同。
实施例2
参照实施例1进行，不同的是，步骤2.2ul四甲基乙二胺作为A液。步骤9.将连续相加入注射器内并将其放置在注射泵上，设置流速为15ml/h；将分散相加入注射器内并将其放置在注射泵上，设置流速为5ml/h。使用单乳化微流控器件进行乳化生产。
本实施例所述为四甲基乙二胺含量最少条件下陶瓷微球制备，降低TEMED含量使得能采用配合微流控的方式进行乳化，利于制备单分散性微球。如图1所示为该实施例下陶瓷微球的表面形貌与尺寸统计。陶瓷微球表面光洁，尺寸均匀，具有单分散性。
本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.95，内部孔隙尺寸均值为0.75μm，杂质相含量为4.7％。
实施例3
参照实施例1进行，不同的是，步骤5.称量1.95gα-氮化硅粉末、0.03g氧化铝粉末、0.09g氧化钇粉末加入上述溶液中。漩涡振荡1min，作为B液。
本实施例所述为浆料低固含量条件下微球制备方式。由于不同固含量下浆料的粘度不同，使得在相同乳化条件下制备得到的微球尺寸与固含量成正相关关系，而内部孔隙率与固含量成反相关关系。如图2的a、d所示，在低固含量条件下陶瓷微球整体尺寸小于高固含量组，但内部较疏松多孔。
经测试，本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.96，内部孔隙尺寸均值为1.44μm，杂质相含量为3.5％。
实施例4
参照实施例1进行，不同的是，步骤5.称量3.24gα-氮化硅粉末、0.05g氧化铝粉末、0.15g氧化钇粉末加入上述溶液中。漩涡振荡1min，作为B液。
本实施例所述为浆料高固含量条件下微球制备方式。如图2的c、f所示，高固含量下微球的尺寸更大但球形度较差，内部相对低固含量微球更加致密。
经测试，本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.81，内部孔隙尺寸均值为0.55μm，杂质相含量为4.2％。
实施例5
参照实施例1进行，不同的是，步骤7.滴加100μl浓氨水至B液中，漩涡振荡0.5min。
本实施例所述为调节浆料粘度最高氨水比例，如图3所示为该实施例下所得材料X射线衍射(XRD)图谱，可以看出该条件下是以氮化硅为基本相的陶瓷微球。
经测试，本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.94，内部孔隙尺寸均值为0.97μm，杂质相含量为9.6％。
实施例6
参照实施例1进行，不同的是，步骤12.直接升温至1450℃处保温120min，不在300℃处保温60min。
经测试，本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.7，内部孔隙尺寸均值为2.2μm，杂质相含量为4.4％。
对比例1
参照实施例1进行，不同的是，物料加入顺序不同，先向所述预混液中引入浓氨水，再加入混合粉末，之后引入去催化剂。
本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.98，内部孔隙尺寸≤1μm，杂质相含量为10％。
对比例2
参照实施例1进行，不同的是，物料加入顺序不同，将引发剂放入引入催化剂的步骤中引入，也即在浓氨水引入之后再引入引发剂和催化剂。
本实施例凝胶速度过快，无法分散浆料成球。
对比例3
参照实施例1进行，不同的是，浓氨水的体积用量为6％。
经测试，本实施例所得微米级微球的球形度均值为0.95，内部孔隙尺寸≤1μm，杂质相含量为12％。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，对本发明而言仅仅是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种微米级氮化硅陶瓷微球的制备方法，其特征在于，包括：
S1.将单体、交联剂、引发剂与分散剂溶液混合为预混液；
S2.向所述预混液中引入含氮化硅粉末、去离子水，得到浆料；含氮化硅粉末的固含量为浆料体积量的2-5g/ml；
S3.向所述浆料中加入氨水体积浓度为25％-28％的浓氨水，再加入催化剂溶液，得到分散相溶液；浓氨水的体积用量为所述浆料体积量的2％-6％，催化剂溶液中催化剂的体积含量为0.4％-20％；
S4.将所述分散相溶液分散在连续相溶液内；连续相溶液为含表面活性剂的二甲基硅油溶液；
S5.然后进行密封陈化、清洗、干燥和烧结；
S1中，所述分散剂溶液为去离子水与分散剂体积比为1：0.1-0.2的溶液，所述分散剂为聚丙烯酸铵；
所述单体为丙烯酰胺，交联剂为N,N-亚甲基双丙烯酰胺，引发剂为过硫酸铵，所述单体、交联剂、引发剂的质量比为1：0.08-0.1：0.01-0.02，所述分散剂为单体量的0.45-0.5ml/g；
S3中，所述催化剂为单体量的0.005-0.3ml/g，催化剂为四甲基乙二胺；
S4中，所述表面活性剂由质量比1：1的三甲基硅氧酸醋和环甲硅氧炕组成，表面活性剂的体积为二甲基硅油体积的2％-4％。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S4中，将所述分散相溶液分散在连续相溶液内，包括：
取连续相溶液置于烧杯内，在磁转子搅拌下设置转速为600-800rpm，将分散相溶液缓慢倒入，之后封闭烧杯口。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S4中，将所述分散相溶液分散在连续相溶液内，包括：
将连续相溶液加入注射器内并将其放置在注射泵上，设置流速为10-20ml/h；将分散相溶液加入注射器内并将其放置在注射泵上，设置流速为3-7ml/h，使用单乳化微流控器件进行乳化，之后使用水清瓶收集乳化后的液滴，收集完成后封闭瓶口。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S5中，所述密封陈化、清洗、干燥的过程包括：
在密封容器内置于70-80℃保温箱内陈化至少48h，得到凝胶微球；
然后使用三氯乙烯、丙二醇甲醚分别对所得凝胶微球清洗；
清洗后微球置于通风处干燥至少24h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S5中，所述烧结的过程包括：以4-6℃/min升温，在200-400℃保温40-60min，在1400-1500℃保温110-130min，之后样品随炉冷却；烧结环境包括：空气、氮气或氨气的气氛。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2中，所述含氮化硅粉末包括：以含氮化硅粉末的总质量百分比计，92％-95％纳米氮化硅粉末、1％-2％纳米氧化铝粉末、3％-7％纳米氧化钇粉末。
7.一种微米级氮化硅陶瓷微球，其特征在于，其通过权利要求1-6中任一项所述的制备方法制备得到。
8.权利要求7所述的微米级氮化硅陶瓷微球在透波涂层填料中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310369940.7A CN116496092B (zh) | 2023-04-10 | 2023-04-10 | 一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310369940.7A CN116496092B (zh) | 2023-04-10 | 2023-04-10 | 一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116496092A CN116496092A (zh) | 2023-07-28 |
| CN116496092B true CN116496092B (zh) | 2024-04-19 |
Family
ID=87320994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310369940.7A Active CN116496092B (zh) | 2023-04-10 | 2023-04-10 | 一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116496092B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117819989B (zh) * | 2024-01-04 | 2024-07-23 | 河源帝诺新材料有限公司 | 一种离子交联凝胶法制备氮化硅精细微球的方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1935478A (zh) * | 2006-10-16 | 2007-03-28 | 清华大学 | 一种注凝成型制备陶瓷微球的方法及其装置 |
| CN101397210A (zh) * | 2007-09-24 | 2009-04-01 | 深圳市金科特种材料股份有限公司 | 制备氮化硅陶瓷发热体的凝胶注模成型工艺方法 |
| CN103449819A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 永康市德裕精密陶瓷科技有限公司 | 一种批量生产氮化硅陶瓷的凝胶注模成型工艺 |
| KR20180025717A (ko) * | 2016-09-01 | 2018-03-09 | 국방과학연구소 | 겔캐스팅법을 이용한 질화규소가 첨가된 퓨즈드실리카 소결체 제조 방법 |
| CN108558435A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-09-21 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种隔热陶瓷材料、制备方法及其应用 |
| WO2020177465A1 (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 氮化硅、陶瓷浆料及制备方法 |
| CN112457005A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-09 | 景德镇陶瓷大学 | 一种亚毫米级氧化锆陶瓷微珠的复合制备方法 |
-
2023
- 2023-04-10 CN CN202310369940.7A patent/CN116496092B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1935478A (zh) * | 2006-10-16 | 2007-03-28 | 清华大学 | 一种注凝成型制备陶瓷微球的方法及其装置 |
| CN101397210A (zh) * | 2007-09-24 | 2009-04-01 | 深圳市金科特种材料股份有限公司 | 制备氮化硅陶瓷发热体的凝胶注模成型工艺方法 |
| CN103449819A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 永康市德裕精密陶瓷科技有限公司 | 一种批量生产氮化硅陶瓷的凝胶注模成型工艺 |
| KR20180025717A (ko) * | 2016-09-01 | 2018-03-09 | 국방과학연구소 | 겔캐스팅법을 이용한 질화규소가 첨가된 퓨즈드실리카 소결체 제조 방법 |
| CN108558435A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-09-21 | 航天特种材料及工艺技术研究所 | 一种隔热陶瓷材料、制备方法及其应用 |
| WO2020177465A1 (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 青岛瓷兴新材料有限公司 | 氮化硅、陶瓷浆料及制备方法 |
| CN112457005A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-09 | 景德镇陶瓷大学 | 一种亚毫米级氧化锆陶瓷微珠的复合制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116496092A (zh) | 2023-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN116496092B (zh) | 一种微米级氮化硅陶瓷微球及其制备方法和应用 | |
| YEH et al. | Low‐temperature sintering of aluminum oxide | |
| CN105622104B (zh) | 一种高纯AlON透明陶瓷粉体的制备方法 | |
| Kamiya et al. | Densification of Alkoxide‐Derived Fine Silica Powder Compact by Ultra‐High‐Pressure Cold Isostatic Pressing | |
| US20180065852A1 (en) | Method for preparing a spherical aln granule | |
| CN113663611B (zh) | 一种耐高温复合纳米纤维气凝胶材料及其制备方法 | |
| CN111410523B (zh) | 一种超轻质多孔熔融石英泡沫及其制备方法 | |
| CN111252789A (zh) | 一种耐高温氧化铝纳米晶气凝胶材料及其制备方法 | |
| Kwon et al. | Sintering of Mixtures of Seeded Boehmite and Ultrafine α‐Alumina | |
| Sim et al. | Slurry Infiltration of 3‐D Woven Composites | |
| CN115367717B (zh) | 一种低团聚氮化铝粉体的制备方法 | |
| CN114368970A (zh) | 一种亚微米级ZrC-SiC复相陶瓷微球及制备方法 | |
| CN110092650B (zh) | 轻质高强针状莫来石多孔陶瓷及其制备方法以及过滤器 | |
| CN113648940B (zh) | 一种超轻质高弹性抗辐射纳米纤维气凝胶材料及其制备方法 | |
| Masuda et al. | Particle size distribution of spherical silica gel produced by sol-gel method | |
| US5646078A (en) | Aluminum nitride powder | |
| Moore et al. | 3‐D Composite Fabrication Through Matrix Slurry Pressure Infiltration | |
| Wang et al. | Preparation of dense spherical AlN fillers by aqueous granulation and post-sintering process | |
| CN117735994A (zh) | 一种具有蜂窝状定向结构的AlN多孔陶瓷制备方法 | |
| CN113149696A (zh) | 一种微米级层状孔构造的氧化钇稳定氧化锆陶瓷泡沫材料及其制备方法 | |
| CN114619031A (zh) | 一种微米孔径泡沫铜的制备方法 | |
| CN116693299A (zh) | 高致密度粒度可控的球形氮化硼制备及强度表征方法 | |
| Suarez et al. | Effect of bead-milling treatment on the dispersion of tetragonal zirconia nanopowder and improvements of two-step sintering | |
| Chen et al. | Mechanical and dielectric properties of Si3N4/β-SiAlON composite ceramics fabricated by vat photopolymerization 3D printing technology | |
| CN118513562B (zh) | 絮状纳米银粉及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |