CN116490977A - 显示装置和用于制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。该显示装置包括：第一对准电极和第二对准电极，彼此分隔开；发光元件，布置在第一对准电极与第二对准电极之间；第一辅助电极，设置在发光元件的一侧上并且与第一对准电极分离；以及第二辅助电极，设置在发光元件的另一侧上并且与第二对准电极分离，其中，对准信号被施加到第一对准电极，并且具有与对准信号不同的相位的第一辅助信号被施加到第一辅助电极。

Description

显示装置和用于制造该显示装置的方法
技术领域
公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
近年来，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发正在持续地进行。
发明内容
技术问题
公开要解决的目的是提供一种可以改善发光元件的偏转对准效率的显示装置和制造该显示装置的方法。
公开的目的不限于上述目的，通过以下描述，本领域技术人员将清楚地理解未被描述的其它技术目的。
技术方案
根据用于解决上述目的的实施例的显示装置包括：第一对准电极和第二对准电极，彼此分隔开；发光元件，设置在第一对准电极与第二对准电极之间；第一辅助电极，设置在发光元件的一侧上并且与第一对准电极分离；以及第二辅助电极，设置在发光元件的另一侧上并且与第二对准电极分离。对准信号被施加到第一对准电极，并且与对准信号的相位不同的相位的第一辅助信号被施加到第一辅助电极。
第一辅助电极可以设置在第一对准电极与发光元件之间，并且第二辅助电极可以设置在第二对准电极与发光元件之间。
显示装置还可以包括：第三辅助电极，设置在第一辅助电极与发光元件之间并且与第一辅助电极分离；以及第四辅助电极，设置在第二辅助电极与发光元件之间并且与第二辅助电极分离。
第一对准电极可以设置在第一辅助电极与发光元件之间，并且第二对准电极可以设置在第二辅助电极与发光元件之间。
显示装置还可以包括：第三辅助电极，设置在第一对准电极与发光元件之间；以及第四辅助电极，设置在第二对准电极与发光元件之间。
第三辅助电极可以与第一对准电极和第一辅助电极电分离。
显示装置还可以包括：第三辅助电极，设置在第一辅助电极与第一对准电极之间；以及第四辅助电极，设置在第二辅助电极与第二对准电极之间。
第三辅助电极可以接收与对准信号的相位和第一辅助信号的相位不同的相位的第二辅助信号。
第一辅助电极可以与第一对准电极设置在同一层。
显示装置还可以包括设置在第一辅助电极与第一对准电极之间的绝缘层。
显示装置还可以包括：第一连接电极，使第一对准电极和发光元件的一端电连接；以及第二连接电极，使第二对准电极和发光元件的另一端电连接。
发光元件可以与第一辅助电极和第二辅助电极电分离。
根据用于解决上述目的的实施例的制造显示装置的方法可以包括以下步骤：形成彼此分隔开的第一对准电极和第二对准电极；形成与第一对准电极和第二对准电极分离的第一辅助电极和第二辅助电极；以及在第一对准电极与第二对准电极之间使发光元件对准。在使发光元件对准的步骤中，可以将对准信号施加到第一对准电极，并且可以将与对准信号的相位不同的相位的第一辅助信号施加到第一辅助电极。
当将对准信号设定为负极性的电压时，可以将第一辅助信号设定为正极性的电压。
在使发光元件对准的步骤中，可以将接地电压施加到第二对准电极和第二辅助电极。
可以同时形成第一对准电极和第一辅助电极。
该方法还可以包括形成与第一辅助电极和第二辅助电极分离的第三辅助电极和第四辅助电极。在使发光元件对准的步骤中，可以将与对准信号的相位和第一辅助信号的相位不同的相位的第二辅助信号施加到第三辅助电极。
在其中将对准信号设定为负极性的电压的时段期间，可以将第一辅助信号从正极性的电压改变为负极性的电压，并且可以将第二辅助信号从负极性的电压改变为正极性的电压。
在使发光元件对准的步骤中，可以将接地电压施加到第四辅助电极。
可以同时形成第一辅助电极和第三辅助电极。
其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
根据公开的实施例，即使在使发光元件对准的工艺中由对准电极(或对准信号)的电场形成在相反的方向上，也可以使用辅助电极(或辅助信号)来形成电场，使得发光元件在正向方向上旋转。因此，可以改善发光元件的偏转对准效率。
根据实施例的效果不受上面所示出的内容的限制，并且更多不同的效果包括在本说明书中。
附图说明
图1和图2是示出了根据实施例的发光元件的透视图和剖视图；
图3是示出了根据实施例的显示装置的平面图；
图4是示出了根据实施例的像素的电路图；
图5是示出了根据实施例的像素的平面图；
图6至图9是沿着图5的线A-A’截取的剖视图；
图10示出了根据实施例的对准信号和辅助信号；
图11示出了根据图10的对准信号和辅助信号的电场；
图12是示出了根据另一实施例的像素的平面图；
图13是沿着图12的线B-B’截取的剖视图；
图14是示出了根据又一实施例的像素的平面图；
图15是沿着图14的线C-C’截取的剖视图；
图16示出了根据实施例的对准信号和辅助信号；
图17示出了根据图16的对准信号和辅助信号的电场；
图18是示出了根据又一实施例的像素的平面图；
图19是沿着图18的线D-D’截取的剖视图；
图20是示出了根据又一实施例的像素的平面图；
图21是沿着图20的线E-E’截取的剖视图；
图22至图25是针对根据实施例的制造显示装置的方法的每个工艺步骤的剖视图；以及
图26至图29是针对根据另一实施例的制造显示装置的方法的每个工艺步骤的剖视图。
具体实施方式
参照下面详细描述的实施例以及附图，公开的效果和特征以及实现该效果和特征的方法将变得明显。然而，公开不限于下面所公开的实施例，并且可以以各种不同的形式实现。提供本实施例，使得公开将是透彻的和完整的，并且公开所属领域的技术人员可以充分地理解公开的范围。公开仅由权利要求的范围限定。
在本说明书中所使用的术语用于描述实施例，并且不旨在限制公开。在本说明书中，除非另有说明，否则单数形式也包括复数形式。术语“包括”和/或其变型不排除将一个或更多个其它组件、步骤、操作和/或元件存在或添加到所描述的组件、步骤、操作和/或元件。
另外，术语“结合”或“连接”可以笼统地(或统一地)意指物理和/或电结合或连接。另外，这可以笼统地意指直接或间接结合或连接以及一体或非一体结合或连接。
其中元件或层被称为“在”另一元件或层“上”的情况包括其中另一层或另一元件直接设置在所述另一元件上或在其它层之间的情况。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
虽然第一、第二等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。因此，在公开的技术精神内，下面所描述的第一组件可以是第二组件。
在下文中，参照附图详细描述公开的实施例。
图1和图2是示出了根据实施例的发光元件的透视图和剖视图。图1和图2示出了柱形状的发光元件LD，但是发光元件LD的类型和/或形状不限于此。
参照图1和图2，发光元件LD可以包括第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和/或接触电极14。
发光元件LD可以形成为沿着一个方向延伸的柱形状。发光元件LD可以具有第一端部EP1和第二端部EP2。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端部EP1处。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端部EP2处。例如，第一半导体层11可以设置在发光元件LD的第一端部EP1处，并且第二半导体层13可以设置在发光元件LD的第二端部EP2处。
根据实施例，发光元件LD可以是通过蚀刻法等被制造为柱形状的发光元件。在本说明书中，柱形状包括诸如圆柱或多边柱的长宽比大于1的棒状形状或条状形状，并且其剖面的形状没有限制。
发光元件LD可以具有小至纳米级至微米级的尺寸。例如，每个发光元件LD可以具有纳米级至微米级范围的直径D(或宽度)和/或长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且发光元件LD的尺寸可以根据使用将发光元件LD用作光源的发光器件的各种装置(例如，显示装置)的设计条件而不同地改变。
第一半导体层11可以是第一导电型的半导体层。例如，第一半导体层11可以包括p型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Mg的第一导电型掺杂剂的p型半导体层。然而，构造第一半导体层11的材料不限于此，并且各种其它材料可以构造第一半导体层11。
活性层12可以设置在第一半导体层11与第二半导体层13之间，并且可以形成为单量子阱或多量子阱结构。活性层12的位置可以根据发光元件LD的类型而不同地改变。根据实施例，AlGaN、InAlGaN等的材料可以用于形成活性层12，并且各种其它材料可以构造活性层12。掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12上和/或下面。例如，包覆层可以由AlGaN或InAlGaN形成。
第二半导体层13可以设置在活性层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。第二半导体层13可以包括n型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的任何一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Si、Ge和Sn的第二导电型掺杂剂的n型半导体层。然而，构造第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种其它材料构造。
当等于或大于阈值电压的电压被施加到发光元件LD的两端时，电子-空穴对在活性层12中结合，因此发光元件LD发射光。通过使用这种原理控制发光元件LD的光发射，发光元件LD可以用作包括显示装置的像素的各种发光器件的光源。
接触电极14可以设置在发光元件LD的第一端部EP1和/或第二端部EP2上。图2示出了其中接触电极14形成在第一半导体层11上的情况，但不限于此。例如，单独的接触电极还可以设置在第二半导体层13上。
接触电极14可以包括透明金属或透明金属氧化物。例如，接触电极14可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化锌锡(ZTO)中的至少一种，但不限于此。如上所述，当接触电极14由透明金属或透明金属氧化物形成时，在发光元件LD的活性层12中产生的光可以穿过接触电极14并且可以发射到发光元件LD的外部。
发光元件LD还可以包括形成在表面上的绝缘膜INF。绝缘膜INF可以直接设置在第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和/或接触电极14的表面上。绝缘膜INF可以暴露发光元件LD的具有不同极性的第一端部EP1和第二端部EP2。根据实施例，绝缘膜INF可以暴露发光元件LD的与第一端部EP1和第二端部EP2相邻的接触电极14以及/或者第二半导体层13的侧部。
绝缘膜INF可以包括氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx)中的至少一种。例如，绝缘膜INF可以由双层构造，构造双层的每个层可以包括不同的材料。在这种情况下，构造绝缘膜INF的双层的每个层可以通过不同的工艺形成。在实施例中，绝缘膜INF可以由氧化铝(AlOx)和氧化硅(SiOx)构造的双层构造，但不限于此。根据实施例，可以省略绝缘膜INF。
当绝缘膜INF设置在发光元件LD的表面上时，可以防止活性层12与至少一个电极(例如，连接到发光元件LD的两端的连接电极中的至少一个)等短路。因此，可以确保发光元件LD的电稳定性。另外，通过使发光元件LD的表面缺陷最小化，可以改善寿命和效率。
包括上述发光元件LD的发光器件可以用于包括显示装置的需要光源的各种类型的装置。例如，多个发光元件LD可以设置在显示面板的每个像素中，并且发光元件LD可以用作每个像素的光源。然而，发光元件LD的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件LD也可以用于需要光源的其它类型的装置(诸如照明装置)。
图3是示出了根据实施例的显示装置的平面图。
在图3中，作为可以使用图1和图2的实施例中所描述的发光元件LD作为光源的电子装置的示例，示出了显示装置(具体地，设置在显示装置中的显示面板PNL)。
显示面板PNL的每个像素单元PXU和构造每个像素单元PXU的每个像素可以包括至少一个发光元件LD。为了便于描述，在图3中，基于显示区域DA简要地示出了显示面板PNL的结构。然而，根据实施例，未示出的至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)、线和/或垫(pad，或称为“焊盘”)还可以设置在显示面板PNL上。
参照图3，显示面板PNL可以包括基底SUB和设置在基底SUB上的像素单元PXU。像素单元PXU可以包括第一像素PXL1、第二像素PXL2和/或第三像素PXL3。在下文中，当任意地提及第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之中的至少一个像素时，或者当笼统地提及两种或更多种类型的像素时，至少一种或者两种或更多种类型的像素可以被称为“像素(PXL)”或“多个像素PXL”。
基底SUB可以构造显示面板PNL的基体构件，并且可以是刚性或柔性的基底或膜。例如，基底SUB可以是由玻璃或钢化玻璃形成的刚性基底或者塑料或金属材料的柔性基底(或薄膜)，并且基底SUB的材料和/或物理性质没有限制。
显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的基底SUB可以包括用于显示图像的显示区域DA和除了显示区域DA之外的非显示区域NDA。像素PXL可以设置在显示区域DA中。连接到显示区域DA的像素PXL的各种线、垫和/或内置电路单元可以设置在非显示区域NDA中。像素PXL可以根据条纹或PENTILETM布置结构等规则地布置。然而，像素PXL的布置结构不限于此，并且像素PXL可以以各种结构和/或方法布置在显示区域DA中。
根据实施例，发射不同颜色的光的两种或更多种类型的像素PXL可以设置在显示区域DA中。例如，在显示区域DA中，可以布置发射第一颜色的光的第一像素PXL1、发射第二颜色的光的第二像素PXL2和发射第三颜色的光的第三像素PXL3。彼此相邻布置的第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的至少一个可以构造能够发射各种颜色的光的一个像素单元PXU。例如，第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的每个可以是发射预定颜色的光的子像素。根据实施例，第一像素PXL1可以是发射红光的红色像素，第二像素PXL2可以是发射绿光的绿色像素，第三像素PXL3可以是发射蓝光的蓝色像素，但不限于此。
在实施例中，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以包括发射相同颜色的光的发光元件，并且可以包括设置在相应的发光元件上的不同颜色的颜色转换层和/或滤色器，以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。在另一实施例中，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以包括第一颜色的发光元件、第二颜色的发光元件和第三颜色的发光元件作为光源，以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。然而，构造每个像素单元PXU的像素PXL的颜色、类型和/或数量等没有限制。即，由每个像素PXL发射的光的颜色可以不同地改变。
像素PXL可以包括由预定控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或预定电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。在实施例中，光源可以包括根据图1和图2的实施例中的任何一个的至少一个发光元件LD，例如，具有小至纳米级至微米级的尺寸的超小型柱形状的发光元件LD。然而，公开不限于此，并且各种类型的发光元件LD可以用作像素PXL的光源。
在实施例中，每个像素PXL可以被构造为有源像素。然而，可应用于显示装置的像素PXL的类型、结构和/或驱动方法没有限制。例如，每个像素PXL可以被构造为各种结构和/或驱动方法的无源或有源发光显示装置的像素。
图4是示出了根据实施例的像素的电路图。
根据实施例，图4中所示的像素PXL可以是设置在图3的显示面板PNL中的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的任何一个。第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以具有彼此基本上相同或相似的结构。
参照图4，像素PXL可以包括用于产生与数据信号对应的亮度的光的发光单元LSU以及用于驱动发光单元LSU的像素电路PXC。
发光单元LSU可以包括连接在第一电源VDD与第二电源VSS之间的至少一个发光元件LD。例如，发光单元LSU可以包括通过像素电路PXC和第一电源线PL1连接到第一电源VDD的第一电极ELT1、通过第二电源线PL2连接到第二电源VSS的第二电极ELT2以及电连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间的多个发光元件LD。在实施例中，第一电极ELT1可以是阳极电极，并且第二电极ELT2可以是阴极电极。
发光元件LD中的每个可以包括通过第一电极ELT1和/或像素电路PXC连接到第一电源VDD的第一端部以及通过第二电极ELT2连接到第二电源VSS的第二端部。即，发光元件LD可以在正向方向上连接在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。在正向方向上连接在第一电源VDD与第二电源VSS之间的每个发光元件LD可以构造每个有效光源，并且有效光源可以聚集以构造像素PXL的发光单元LSU。
第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电位，使得发光元件LD可以发射光。例如，第一电源VDD可以被设定为高电位电源，并且第二电源VSS可以被设定为低电位电源。此时，在像素PXL的发射时段期间，第一电源VDD与第二电源VSS之间的电位差可以被设定为等于或大于发光元件LD的阈值电压。
构造每个发光单元LSU的发光元件LD的一个端部可以通过发光单元LSU的一个电极(例如，每个像素PXL的第一电极ELT1)共同地连接到像素电路PXC，并且可以通过像素电路PXC和第一电源线PL1连接到第一电源VDD。发光元件LD的另一端部可以通过发光单元LSU的另一电极(例如，每个像素PXL的第二电极ELT2)和第二电源线PL2共同地连接到第二电源VSS。
发光元件LD可以以与通过像素电路PXC供应的驱动电流对应的亮度发射光。例如，在每个帧周期期间，像素电路PXC可以将与要在对应的帧中表示的灰度值对应的驱动电流供应到发光单元LSU。供应到发光单元LSU的驱动电流可以被划分并且流到在正向方向上连接的发光元件LD。因此，当每个发光元件LD以与流过其的电流对应的亮度发射光时，发光单元LSU可以发射与驱动电流对应的亮度的光。
像素电路PXC可以连接在第一电源VDD与第一电极ELT1之间。像素电路PXC可以连接到对应的像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。例如，当像素PXL设置在显示区域DA的第i(i是自然数)水平线(行)和第j(j是自然数)竖直线(列)上时，像素电路PXC可以连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。
根据实施例，像素电路PXC可以包括多个晶体管T1、T2和T3以及至少一个存储电容器Cst。
第一晶体管T1可以连接在第一电源VDD与发光单元LSU之间。例如，第一晶体管T1的第一电极(例如，漏电极)可以连接到第一电源VDD，并且第一晶体管T1的第二电极(例如，源电极)可以连接到第一电极ELT1。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以与第一节点N1的电压对应地控制供应到发光单元LSU的驱动电流。即，第一晶体管T1可以是控制像素PXL的驱动电流的驱动晶体管。
第二晶体管T2可以连接在数据线Dj与第一节点N1之间。例如，第二晶体管T2的第一电极可以连接到数据线Dj，并且第二晶体管T2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线Si。当从扫描线Si供应栅极导通电压(例如，低电平电压)的扫描信号SSi时，第二晶体管T2可以导通，以使数据线Dj和第一节点N1电连接。
在每个帧周期中，对应的帧的数据信号DSj可以被供应到数据线Dj，并且数据信号DSj可以通过在其中供应有栅极导通电压的扫描信号SSi的时段期间导通的第二晶体管T2传输到第一节点N1。即，第二晶体管T2可以是用于将每个数据信号DSj传输到像素PXL的内部的开关晶体管。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1与感测线SLj之间。例如，第三晶体管T3的一个电极可以连接到第一晶体管T1的连接到第一电极ELT1的第二电极(例如，源电极)，并且第三晶体管T3的另一电极可以连接到感测线SLj。同时，当省略感测线SLj时，第三晶体管T3的另一电极可以连接到数据线Dj。
第三晶体管T3的栅电极可以连接到感测控制线SCLi。当省略感测控制线SCLi时，第三晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线Si。第三晶体管T3通过在预定感测时段期间供应到感测控制线SCLi的栅极导通电压(例如，高电平电压)的感测控制信号SCSi而导通，以使感测线SLj和第一晶体管T1电连接。
根据实施例，感测时段可以是用于提取设置在显示区域DA中的像素PXL中的每个的特性(例如，第一晶体管T1的阈值电压等)的时段。在感测时段期间，第一晶体管T1可以通过经由数据线Dj和第二晶体管T2将可以使第一晶体管T1导通的预定参考电压供应到第一节点N1或者将每个像素PXL连接到电流源等而导通。另外，通过经由将栅极导通电压的感测控制信号SCSi供应到第三晶体管T3来使第三晶体管T3导通，第一晶体管T1可以连接到感测线SLj。此后，可以通过感测线SLj获得感测信号SENj，并且可以使用感测信号SENj来检测包括第一晶体管T1的阈值电压的每个像素PXL的特性。关于每个像素PXL的特性的信息可以用于转换图像数据，使得可以补偿设置在显示区域DA中的像素PXL之间的特性偏差。
存储电容器Cst的一个电极可以连接到第一晶体管T1的第二电极，并且存储电容器Cst的另一电极可以连接到第一节点N1。存储电容器Cst可以在每个帧周期期间充入与供应到第一节点N1的数据信号DSj对应的电压。
同时，在图4中，公开了其中第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的全部是n型晶体管的实施例，但不限于此。公开不限于此。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的至少一个可以被改变为p型晶体管。
另外，在图4中，示出了其中构造每个发光单元LSU的有效光源(即，发光元件LD)中的全部并联连接的实施例，但不限于此。例如，每个像素PXL的发光单元LSU也可以被构造为包括至少两级串联结构。在这种情况下，构造每个串联级的发光元件可以通过至少一个中间电极彼此串联连接。
图5是示出了根据实施例的像素的平面图。图6至图9是沿着图5的线A-A’截取的剖视图。
例如，图5可以是构造图3的像素单元PXU的第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3中的任何一个，并且第一像素至第三像素PXL1、PXL2和PXL3可以具有基本上相同或相似的结构。
每个像素PXL可以包括第一对准电极ME1、第二对准电极ME2、发光元件LD、第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2。
第一对准电极ME1和第二对准电极ME2中的每个可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以设置为沿着第一方向(X轴方向)彼此分隔开。然而，公开不限于此，并且第一对准电极ME1和第二对准电极ME2的形状和/或相互设置关系等可以不同地改变。
第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以在发光元件LD的对准步骤中接收对准信号(或对准电压)。因此，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场，因此供应到每个像素PXL的发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间对准。
第一对准电极ME1可以通过第一接触孔CNT1电连接到参照图4所描述的第二电源VSS(或第二电源线PL2)，并且第二对准电极ME2可以电连接到参照图4所描述的第一晶体管T1等。例如，第一对准电极ME1可以与图4的第二电极ELT2对应，并且第二对准电极ME2可以与图4的第一电极ELT1对应。
发光元件LD可以设置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间定向地对准。例如，当发光元件LD在正向方向上偏转时，发光元件LD的第一端部EP1可以面对第二对准电极ME2，并且发光元件LD的第二端部EP2可以面对第一对准电极ME1。
根据实施例，发光元件LD可以在预定溶液中以分散形式制备，并且可以通过喷墨印刷法或狭缝涂覆法供应到每个像素PXL。例如，发光元件LD可以与挥发性溶剂混合并且被供应到每个像素PXL。此时，当在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间施加预定电压时，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场，因此发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间对准。在使发光元件LD对准之后，可以以其它方法挥发或去除溶剂，因此发光元件LD可以稳定地布置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。
第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2中的每个可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以设置为沿着第一方向(X轴方向)彼此分隔开。第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2分离并且分隔开。
在实施例中，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以设置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。第一辅助电极AE1可以设置在第一对准电极ME1与发光元件LD之间，并且第二辅助电极AE2可以设置在第二对准电极ME2与发光元件LD之间。即，第一辅助电极AE1可以设置在发光元件LD的一侧上，并且第二辅助电极AE2可以设置在发光元件LD的另一侧上。例如，第一辅助电极AE1可以与发光元件LD的第二端部EP2相邻，并且第二辅助电极AE2可以与发光元件LD的第一端部EP1相邻。然而，公开不限于此，并且第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的形状和/或相互设置关系等可以不同地改变。
第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2的在第一方向(X轴方向)上的宽度不同。例如，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以比第一对准电极ME1和第二对准电极ME2的在第一方向(X轴方向)上的宽度小，但不限于此。例如，考虑到其中电极和发光元件LD设置在像素PXL内的空间，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以不同地改变。
第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以在发光元件LD的对准步骤中接收辅助信号(或辅助电压)。例如，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2电分离，以接收与对准信号不同的辅助信号。如上所述，当辅助信号被供应到第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2时，即使改变由对准信号的电场的方向，由于使用辅助信号可以将电场的方向保持为恒定，因此也可以改善发光元件LD的偏转对准效率。针对此的详细描述，参照图10和图11。
图10示出了根据实施例的对准信号和辅助信号。图11示出了根据图10的对准信号和辅助信号的电场。
参照图10和图11，第一对准信号M1可以被供应到第一对准电极ME1，并且第二对准信号M2可以被供应到第二对准电极ME2。例如，第一对准信号M1可以是AC信号，并且第二对准信号M2可以是DC信号。图10示出了其中第一对准信号M1是不对称波形的AC信号并且第二对准信号M2是具有接地电位的DC信号的情况，但不限于此。
当预定的对准信号M1和M2被供应到第一对准电极ME1和第二对准电极ME2时，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场Em，并且因此发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间对准。此时，会周期性地切换由对准信号M1和M2的电场Em的方向。例如，在图11中，电场E的符号意指电场的方向，并且由对准信号M1和M2的电场Em会基于第一时间点t1在相反的方向上改变。如上所述，当电场Em的方向改变时，发光元件LD的旋转方向会根据形成电场Em所沿的方向而改变。例如，在第一时段0至t1中，发光元件LD可以在正向方向上旋转并且可以在正向方向上对准。在第二时段t1至t2中，电场Em会在相反的方向上形成，因此发光元件LD会在反方向上旋转。因此，会降低发光元件LD的对准度。因此，根据实施例的显示装置可以将辅助信号A1和A2供应到第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2，以使在第二时段t1至t2期间发光元件LD在反方向上的旋转最小化。
第一辅助信号A1可以被供应到第一辅助电极AE1，并且第二辅助信号A2可以被供应到第二辅助电极AE2。当预定的辅助信号A1和A2被供应到第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2时，可以在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间形成电场Ea，因此发光元件LD可以旋转并且对准。
如上所述，为了在第二时段t1至t2期间使由于对准信号M1和M2引起的在相反的方向上形成电场Em而导致的发光元件LD的在反方向上的旋转最小化，第一辅助信号A1可以被配置为与第一对准信号M1的相位不同的相位的信号。例如，第一辅助信号A1可以是具有与第一对准信号M1的幅度相同的幅度并且具有相位差的信号。例如，第一辅助信号A1可以是通过使用移相器将第一对准信号M1相位调制(例如，通过顺序地相位延迟)180°而产生的信号。例如，在第二时段t1至t2期间，当第一对准信号M1被设定为负极性的电压时，第一辅助信号A1可以被设定为正极性的电压。因此，即使在第二时段t1至t2期间由对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上，也可以使用辅助信号A1和A2来形成电场Ea，使得发光元件LD可以在正向方向上旋转。
在实施例中，第一辅助信号A1可以是AC信号，并且第二辅助信号A2可以是DC信号。第一辅助信号A1可以是不对称波形的AC信号，并且第二辅助信号A2可以是具有接地电位的DC信号。例如，如图10中所示，在第二时段t1至t2期间当第一辅助信号A1从0改变为最大值的时间和当第一辅助信号A1从0改变为最小值的时间可以不同。如上所述，当施加不对称波形的辅助信号A1和A2时，可以不对称地形成由辅助信号A1和A2的电场Ea的强度和方向。因此，如图11中所示，即使在第二时段t1至t2期间由对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上，也可以通过施加不对称波形的辅助信号A1和A2通过调整电场Ea的方向和强度来形成电场Ea，使得发光元件LD可以在正向方向上旋转。即，由于可以在第二时段t1至t2期间使发光元件LD在反方向上的旋转最小化，因此可以改善发光元件LD的偏转对准效率。
再次参照图5，根据实施例的像素PXL还可以包括使对准电极ME1和ME2与发光元件LD电连接的连接电极CE1和CE2。第一连接电极CE1可以设置在第一对准电极ME1和发光元件LD的第二端部EP2上，并且可以与第一对准电极ME1和发光元件LD的第二端部EP2接触。即，第一连接电极CE1可以使第一对准电极ME1和发光元件LD电连接。第二连接电极CE2可以设置在第二对准电极ME2和发光元件LD的第一端部EP1上，并且可以与第二对准电极ME2和发光元件LD的第一端部EP1接触。即，第二连接电极CE2可以使第二对准电极ME2和发光元件LD电连接。第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以沿着第二方向(Y轴方向)延伸，但不限于此。
根据实施例，像素PXL还可以包括与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2至少部分地叠置的堤图案BNP。堤图案BNP可以设置为在每个像素PXL中彼此分隔开，并且可以在显示面板PNL的正向方向上(即，在第三方向(Z轴方向)上)使第一对准电极ME1和第二对准电极ME2中的每个的一个区域突出。
在下文中，以发光元件LD为中心，参照图6至图9详细描述每个像素PXL的剖面结构。图6至图9示出了构造像素电路PXC的各种电路元件之中的晶体管T(例如，图4的第一晶体管T1)。在下文中，当不必单独地指定第一晶体管T1时，第一晶体管T1也被统称为“晶体管T”。同时，晶体管T的结构和/或每个层的位置等不限于图6至图9中所示的实施例，并且可以根据实施例不同地改变。另外，构造每个像素电路PXC的晶体管T可以具有基本上相同或相似的结构，但不限于此。例如，在其它实施例中，构造像素电路PXC的晶体管T中的至少一个可以具有与其它晶体管T的剖面结构不同的剖面结构，并且/或者可以设置在与其它晶体管T的层不同的层。
参照图6，像素PXL和包括像素PXL的显示装置可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的电路层PCL以及设置在电路层PCL上的显示层DPL。电路层PCL可以包括构造每个像素PXL的像素电路PXC的晶体管T和设置在电路元件之间的绝缘层。
具体地，基底SUB可以构造基体构件，并且可以是刚性或柔性基底或膜。例如，基底SUB可以是由玻璃或钢化玻璃形成的刚性基底、由塑料或金属材料形成的柔性基底(或薄膜)或者至少一层的绝缘层。基底SUB的材料和/或物理性质没有限制。在实施例中，基底SUB可以基本上透明。这里，“基本上透明”可以意指光可以以预定的透射率或更高的透射率透射。在另一实施例中，基底SUB可以是半透明的或不透明的。另外，根据实施例，基底SUB可以包括反射材料。
晶体管T中的每个可以包括半导体图案SCP、栅电极GAT以及第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2。同时，在图6中，示出了其中晶体管T包括与半导体图案SCP分开形成的第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2的实施例，但不限于此。例如，在另一实施例中，设置在至少一个晶体管T中的第一晶体管电极TE1和/或第二晶体管电极TE2可以与半导体图案SCP中的每个成一体。
缓冲层BFL可以设置在基底SUB上。缓冲层BFL可以防止杂质扩散到每个电路元件中。缓冲层BFL可以由单个层构造，但是可以由两层或更多层的多层构造。当缓冲层BFL由多层形成时，每个层可以由相同的材料形成或者可以由不同的材料形成。
半导体图案SCP可以设置在缓冲层BFL上。例如，半导体图案SCP中的每个可以包括与第一晶体管电极TE1接触的第一区、与第二晶体管电极TE2接触的第二区以及定位在第一区与第二区之间的沟道区。根据实施例，第一区和第二区中的一个可以是源区，并且另一个可以是漏区。
根据实施例，半导体图案SCP可以由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成。另外，半导体图案SCP的沟道区可以是未掺杂杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。半导体图案SCP的第一区和第二区中的每个可以是掺杂有预定杂质的半导体。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体图案SCP上。例如，栅极绝缘层GI可以设置在半导体图案SCP与栅电极GAT之间。栅极绝缘层GI可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
栅电极GAT可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GAT可以在栅极绝缘层GI上设置为在第三方向(Z轴方向)上与半导体图案SCP叠置。
第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅电极GAT上。例如，第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅电极GAT与第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2之间。第一层间绝缘层ILD1可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置为在第三方向(Z轴方向)上与半导体图案SCP叠置。第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以电连接到半导体图案SCP。例如，第一晶体管电极TE1可以通过穿过第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI的接触孔电连接到半导体图案SCP的第一区。第二晶体管电极TE2可以通过穿过第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI的接触孔电连接到半导体图案SCP的第二区。根据实施例，第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
第二层间绝缘层ILD2可以设置在第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2上。第二层间绝缘层ILD2可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
电源线PL和/或桥接图案BRP可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。电源线PL可以由与桥接图案BRP相同的导电层形成。即，电源线PL和桥接图案BRP可以在同一工艺中同时形成，但不限于此。电源线PL可以构造参照图4所描述的第二电源线PL2。桥接图案BRP可以通过穿过第二层间绝缘层ILD2的接触孔电连接到第二晶体管电极TE2。
保护层PSV可以设置在包括晶体管T的电路元件上。保护层PSV可以由有机材料形成，以使较低的台阶差平坦。例如，保护层PSV可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，公开不限于此，并且保护层PSV可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
显示层DPL可以设置在电路层PCL的保护层PSV上。显示层DPL可以包括堤图案BNP、第一对准电极ME1和第二对准电极ME2、发光元件LD、第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。
堤图案BNP可以设置在保护层PSV上。根据实施例，堤图案BNP可以具有各种形状。在实施例中，堤图案BNP可以具有在第三方向(Z轴方向)上从基底SUB突出的形状。另外，堤图案BNP可以形成为具有相对于基底SUB以预定角度倾斜的倾斜表面。然而，公开不限于此，并且堤图案BNP可以具有弯曲的或阶梯形状的侧壁等。例如，堤图案BNP可以具有半圆形形状、半椭圆形形状等的剖面。
设置在堤图案BNP上的电极和绝缘层可以具有与堤图案BNP对应的形状。例如，设置在堤图案BNP上的第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以包括具有与堤图案BNP的形状对应的形状的倾斜表面或弯曲表面。因此，堤图案BNP可以与设置在堤图案BNP上的第一对准电极ME1和第二对准电极ME2一起用作反射构件，该反射构件通过将从发光元件LD发射的光在正向方向上(即，像素PXL的第三方向(Z轴方向))引导来改善显示面板PNL的发光效率。
堤图案BNP可以包括至少一种有机材料和/或无机材料。例如，堤图案BNP可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，本开不限于此，并且堤图案BNP可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置在保护层PSV和堤图案BNP上。第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置为彼此分隔开。如上所述，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以在发光元件LD的对准步骤中接收对准信号。因此，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场，因此供应到像素PXL中的每个的发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间对准。
第一对准电极ME1可以通过穿过保护层PSV的第一接触孔CNT1电连接到电源线PL。第二对准电极ME2可以通过穿过保护层PSV的第二接触孔CNT2电连接到桥接图案BRP，并且可以通过桥接图案BRP电连接到第二晶体管电极TE2。
第一对准电极ME1和第二对准电极ME2中的每个可以包括至少一种导电材料。例如，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)和铜(Cu)的各种金属材料之中的至少一种金属或者包括至少一种金属的合金、导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)或氧化氟锡(FTO))以及诸如PEDOT的导电聚合物之中的至少一种导电材料，但不限于此。
第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以设置在保护层PSV上。在实施例中，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2设置在同一层。即，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以由与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2相同的导电层形成。第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以在同一工艺中同时形成，但不限于此。
第一绝缘层INS1可以设置在第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2上。第一绝缘层INS1可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
同时，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的剖面设置不限于此，并且可以根据实施例不同地改变。
例如，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以设置在不同层。如图7中所示，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置在保护层PSV上，并且第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以设置在第一对准电极ME1和第二对准电极ME2上。可选地，如图8中所示，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以设置在保护层PSV上，并且第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置在第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2上。如上所述，当第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2由不同的导电层形成时，第二绝缘层INS2还可以设置在第一对准电极ME1和第二对准电极ME2与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2之间。第二绝缘层INS2可以由单个层或多层构成，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上。发光元件LD可以在第一绝缘层INS1上设置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。另外，发光元件LD可以在第一绝缘层INS1上设置在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间。
发光元件LD可以在预定溶液中以分散形式制备，并且可以通过喷墨印刷法等供应到像素PXL中的每个。例如，发光元件LD可以分散在挥发性溶剂中并且设置在像素PXL中的每个的发射区域中。在使发光元件LD对准的工艺中，当通过第一对准电极ME1和第二对准电极ME2供应对准信号时，由于在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场，因此发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间对准。此时，即使由对准信号的电场形成在相反的方向上，也可以通过经由第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2供应辅助信号来形成电场，使得发光元件LD可以在正向方向上旋转。即，如上所述，可以通过使用第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2来改善发光元件LD的偏转对准效率。
在对准发光元件LD之后，可以以其它方法挥发或去除溶剂，以将发光元件LD稳定地布置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。
第三绝缘层INS3可以设置在发光元件LD上。第三绝缘层INS3可以部分地设置在发光元件LD上。当在完成发光元件LD的对准之后在发光元件LD上形成第三绝缘层INS3时，可以防止发光元件LD偏离对准位置。第三绝缘层INS3可以设置在发光元件LD上，并且可以暴露发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2。
第三绝缘层INS3可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以设置在发光元件LD的被第三绝缘层INS3暴露的第一端部EP1和第二端部EP2上。第一连接电极CE1可以设置在发光元件LD的第二端部EP2上。第一连接电极CE1可以接触发光元件LD的被第三绝缘层INS3暴露的第二端部EP2。另外，第一连接电极CE1可以设置在第一对准电极ME1上。第一连接电极CE1可以接触被第一绝缘层INS1暴露的第一对准电极ME1。即，第一连接电极CE1可以使发光元件LD和第一对准电极ME1电连接。另外，第一连接电极CE1可以与第一辅助电极AE1电分离。因此，第一辅助电极AE1可以与第一对准电极ME1和/或发光元件LD电分离，但不限于此。
第二连接电极CE2可以设置在发光元件LD的第一端部EP1上。第二连接电极CE2可以接触发光元件LD的被第三绝缘层INS3暴露的第一端部EP1。另外，第二连接电极CE2可以设置在第二对准电极ME2上。第二连接电极CE2可以接触被第一绝缘层INS1暴露的第二对准电极ME2。即，第二连接电极CE2可以使发光元件LD和第二对准电极ME2电连接。另外，第二连接电极CE2可以与第二辅助电极AE2电分离。因此，第二辅助电极AE2可以与第二对准电极ME2和/或发光元件LD电分离，但不限于此。
在实施例中，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以设置在同一层。即，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以由同一导电层形成。第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以在同一工艺中同时形成，但不限于此。
在另一实施例中，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以设置在不同层。例如，如图9中所示，第一连接电极CE1可以设置在第三绝缘层INS3上，并且第二连接电极CE2可以设置在第一连接电极CE1上。如上所述，当第一连接电极CE1和第二连接电极CE2由不同的导电层形成时，第四绝缘层INS4还可以设置在第一连接电极CE1与第二连接电极CE2之间。第四绝缘层INS4可以覆盖第一连接电极CE1并且暴露发光元件LD的第一端部EP1。第二连接电极CE2可以设置在发光元件LD的被第四绝缘层INS4暴露的第一端部EP1上。如上所述，当第四绝缘层INS4设置在由不同的导电层形成的连接电极CE1和CE2之间时，连接电极CE1和CE2可以通过第三绝缘层INS3彼此稳定地分离，因此可以确保发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2之间的电稳定性。因此，可以有效地防止在发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2之间发生短路缺陷。
第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的每个可以由各种透明导电材料构造。例如，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)或氧化氟锡(FTO)的各种透明导电材料中的至少一种，并且可以被实现为基本上透明或半透明以满足预定的透光率。因此，从发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2发射的光可以穿过第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，并且可以发射到显示面板PNL的外部。
第四绝缘层INS4可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
第五绝缘层INS5可以设置在第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上。第五绝缘层INS5可以覆盖设置在第五绝缘层INS5下面的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2、发光元件LD、第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2。第五绝缘层INS5可以由单个层或多层构造，并且可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料。
根据上述实施例的显示装置，即使由供应到对准电极ME1和ME2的对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上，也可以通过经由辅助电极AE1和AE2供应辅助信号A1和A2来形成电场Ea，使得发光元件LD在正向方向上旋转。即，由于可以在其中由对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上的时段期间使发光元件LD在反方向上的旋转最小化，因此可以改善发光元件LD的偏转对准效率。
在下文中，描述另一实施例。在下面的实施例中，与先前描述的组件相同的组件由相同的附图标记表示，并且省略或简化重复描述。
图12是示出了根据另一实施例的像素的平面图。图13是沿着图12的线B-B’截取的剖视图。在下文中，为了便于描述，从剖视图中省略电路层PCL。
参照图12和图13，根据本实施例的显示装置与图1至图11的实施例的区别在于对准电极ME1和ME2设置在辅助电极AE1和AE2之间。
具体地，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间。例如，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间分别设置在发光元件LD的一侧和另一侧上。例如，第一对准电极ME1可以设置在第一辅助电极AE1与发光元件LD之间，并且第二对准电极ME2可以设置在第二辅助电极AE2与发光元件LD之间。第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以彼此分离并且分隔开。
第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以与堤图案BNP至少部分地叠置。例如，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以设置在堤图案BNP上。在实施例中，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2设置在同一层。然而，公开不限于此，如参照图7和图8所描述的，第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以由不同的导电层构造。
另外，由于上面参照图1至图11描述了对准电极ME1和ME2以及辅助电极AE1和AE2的详细描述，因此省略了重复描述。
图14是示出了根据又一实施例的像素的平面图。图15是沿着图14的线C-C’截取的剖视图。
参照图14和图15，根据本实施例的显示装置与图1至图11的实施例的区别在于显示装置还包括第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。
具体地，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4中的每个可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以设置为沿着第一方向(X轴方向)彼此分隔开。第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及/或者第一对准电极ME1和第二对准电极ME2分离并且分隔开。即，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及/或者第一对准电极ME1和第二对准电极ME2电分离。
在实施例中，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以设置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。另外，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以设置在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间。第三辅助电极AE3可以设置在第一辅助电极AE1与发光元件LD之间，并且第四辅助电极AE4可以设置在第二辅助电极AE2与发光元件LD之间。即，第三辅助电极AE3可以设置在发光元件LD的一侧上，并且第四辅助电极AE4可以设置在发光元件LD的另一侧上。例如，第三辅助电极AE3可以与发光元件LD的第二端部EP2相邻，并且第四辅助电极AE4可以与发光元件LD的第一端部EP1相邻。然而，公开不限于此，并且第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的形状和/或相互设置关系等可以不同地改变。
第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2的在第一方向(X轴方向)上的宽度不同。例如，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以比第一对准电极ME1和第二对准电极ME2的在第一方向(X轴方向)上的宽度小，但不限于此。另外，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的在第一方向(X轴方向)上的宽度基本上相同，但不限于此。例如，考虑到其中电极和发光元件LD设置在像素PXL内的空间，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的在第一方向(X轴方向)上的宽度可以不同地改变。
第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以设置在保护层PSV上。第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以设置在保护层PSV与第一绝缘层INS1之间。例如，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2设置在同一层。即，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以由与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2相同的导电层形成。第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以在同一工艺中同时形成，但不限于此。例如，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以由与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的导电层不同的导电层构造，并且绝缘层可以设置在第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2之间。
另外，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2设置在同一层。即，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以由与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2相同的导电层形成。第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4以及第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以在同一工艺中同时形成，但不限于此。例如，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以由与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2的导电层不同的导电层构造，并且绝缘层可以设置在第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2之间。即，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的剖面设置可以不同地改变。
在发光元件LD的对准步骤中，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2一起接收辅助信号(或辅助电压)。例如，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2电分离以接收不同的辅助信号。针对此的详细描述，参照图16和图17。
图16示出了根据实施例的对准信号和辅助信号。图17示出了根据图16的对准信号和辅助信号的电场。
参照图16和图17，第一对准信号M1可以被供应到第一对准电极ME1，并且第二对准信号M2可以被供应到第二对准电极ME2。例如，第一对准信号M1可以是AC信号，并且第二对准信号M2可以是DC信号。图16示出了其中第一对准信号M1是不对称波形的AC信号并且第二对准信号M2是具有接地电位的DC信号的情况，但不限于此。
当预定的对准信号M1和M2被供应到第一对准电极ME1和第二对准电极ME2时，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场Em，并且因此发光元件LD可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间对准。此时，会周期性地切换由对准信号M1和M2的电场Em的方向，并且会根据电场Em的方向改变发光元件LD的旋转方向。例如，在第一时段0至t1中，发光元件LD可以在正向方向上旋转并且可以在正向方向上对准。在第二时段t1至t2中，会在相反的方向上形成电场Em，因此发光元件LD会在反方向上旋转。因此，会降低发光元件LD的对准度。因此，根据实施例的显示装置可以将辅助信号A1至A4供应到第一辅助电极至第四辅助电极AE1、AE2、AE3和AE4，以在第二时段t1至t2期间使发光元件LD在反方向上的旋转最小化。
第一辅助信号A1可以被供应到第一辅助电极AE1，并且第二辅助信号A2可以被供应到第二辅助电极AE2。另外，第三辅助信号A3可以被供应到第三辅助电极AE3，并且第四辅助信号A4可以被供应到第四辅助电极AE4。
例如，第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3可以是AC信号，并且第二辅助信号A2和/或第四辅助信号A4可以是DC信号。图16示出了其中第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3是不对称波形的AC信号并且第二辅助信号A2和/或第四辅助信号A4是具有接地电位的DC信号的情况，但不限于此。
当预定的辅助信号A1和A2被供应到第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2时，可以在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间形成电场Ea1，因此发光元件LD可以旋转并且对准。另外，当预定的辅助信号A3和A4被供应到第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4时，可以在第三辅助电极AE3与第四辅助电极AE4之间形成电场Ea2，因此发光元件LD可以旋转并且对准。如上所述，为了在第二时段t1至t2中使由于对准信号M1和M2引起的在相反的方向上形成电场Em而导致的发光元件LD的在反方向上的旋转最小化，第一辅助信号A1和第三辅助信号A3可以被配置为与第一对准信号M1的相位不同的相位的信号。例如，第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3可以是具有与第一对准信号M1的幅度相同的幅度并且具有相位差的信号。例如，第一辅助信号A1可以是通过使用移相器将第一对准信号M1相位调制(例如，通过顺序地相位延迟)120°而产生的信号。另外，第三辅助信号A3可以是通过使用移相器将第一对准信号M1相位调制(例如，通过顺序地相位延迟)240°而产生的信号。例如，在第二时段t1至t2期间，当第一对准信号M1被设定为负极性的电压时，第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3可以被设定为正极性的电压。例如，在第二时段t1至t2期间，当第一对准信号M1被设定为负极性的电压时，第一辅助信号A1可以从正极性的电压改变为负极性的电压，并且第三辅助信号A3可以从负极性的电压改变为正极性的电压。例如，即使第一辅助信号A1在第二时段t1至t2期间被设定为负极性的电压，第三辅助信号A3也可以被设定为正极性的电压。另外，即使第三辅助信号A3在第二时段t1至t2期间被设定为负极性的电压，第一辅助信号A1也可以被设定为正极性的电压。因此，即使在第二时段t1至t2期间由对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上，也可以使用辅助信号A1、A2、A3和A4来形成电场Ea1和Ea2，使得发光元件LD可以在正向方向上旋转。因此，由于可以在第二时段t1至t2期间使发光元件LD在反方向上的旋转最小化，因此可以改善发光元件LD的偏转对准效率。
图18是示出了根据又一实施例的像素的平面图。图19是沿着图18的线D-D’截取的剖视图。
参照图18和图19，根据本实施例的显示装置与图14至图17的实施例的区别在于对准电极ME1和ME2设置在辅助电极AE1、AE2、AE3和AE4之间。
具体地，第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间。第一对准电极ME1可以设置在第一辅助电极AE1与第三辅助电极AE3之间，并且第二对准电极ME2可以设置在第二辅助电极AE2与第四辅助电极AE4之间。
另外，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以设置在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间。第三辅助电极AE3可以设置在第一对准电极ME1与发光元件LD之间，并且第四辅助电极AE4可以设置在第二对准电极ME2与发光元件LD之间。
另外，由于上面参照图1至图17描述了对准电极ME1和ME2以及辅助电极AE1、AE2、AE3和AE4的详细描述，因此省略了重复描述。
图20是示出了根据又一实施例的像素的平面图。图21是沿着图20的线E-E’截取的剖视图。
参照图20和图21，根据本实施例的显示装置与图14至图19的实施例的区别在于对准电极ME1和ME2设置在辅助电极AE1、AE2、AE3和AE4与发光元件LD之间。
具体地，第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4可以设置在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间，并且第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以设置在第三辅助电极AE3与第四辅助电极AE4之间。即，第三辅助电极AE3可以设置在第一辅助电极AE1与第一对准电极ME1之间，并且第四辅助电极AE4可以设置在第二辅助电极AE2与第二对准电极ME2之间。另外，第一对准电极ME1可以设置在第三辅助电极AE3与发光元件LD之间，并且第二对准电极ME2可以设置在第四辅助电极AE4与发光元件LD之间。
另外，由于上面参照图1至图17描述了对准电极ME1和ME2以及辅助电极AE1、AE2、AE3和AE4的详细描述，因此省略了重复描述。
接下来，描述根据上述实施例的制造显示装置的方法。
图22至图25是针对根据实施例的制造显示装置的方法的每个工艺步骤的剖视图。图22至图25是示出了制造图5的显示装置的方法的剖视图，并且与图5的组件基本上相同的组件由相同的附图标记表示，并且省略详细的附图标记。
参照图22，首先，在堤图案BNP上形成彼此分隔开的第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2。
堤图案BNP可以由至少一种有机材料和/或无机材料形成。例如，堤图案BNP可以由诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料形成。然而，公开不限于此，并且堤图案BNP可以由包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)或氧化钛(TiOx)的各种类型的无机材料形成。
第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以形成为与堤图案BNP至少部分地叠置。第一对准电极ME1和第二对准电极ME2可以形成为在第一方向(X轴方向)上彼此分离。
可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2。第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2可以与第一对准电极ME1和/或第二对准电极ME2分开形成。
可以与第一对准电极ME1和第二对准电极ME2同时形成第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2。在这种情况下，由于可以减少掩模的数量，因此可以简化显示装置的制造工艺。然而，公开不限于此，可以不同地改变第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的形成顺序。例如，可以首先形成第一对准电极ME1和第二对准电极ME2，可以在第一对准电极ME1和第二对准电极ME2上形成绝缘层，然后可以在绝缘层上形成第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2。可选地，可以首先形成第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2，可以在第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2上形成绝缘层，然后可以在绝缘层上形成第一对准电极ME1和第二对准电极ME2。
参照图23，接下来，在像素PXL中的每个中设置发光元件LD。可以在彼此分隔开的第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间供应发光元件LD。另外，可以在彼此分隔开的第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间供应发光元件LD。例如，可以通过喷墨法、狭缝涂覆法或其它各种方法将发光元件LD供应到每个像素PXL的发射区域，但不限于此。
参照图24和图25，接下来，在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间使发光元件LD对准。在使发光元件LD对准的工艺中，可以将图10的第一对准信号M1施加到第一对准电极ME1，并且可以将图10的第二对准信号M2施加到第二对准电极ME2。因此，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场Em，因此可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间使供应到每个像素PXL的发光元件LD对准。
另外，在使发光元件LD对准的工艺中，可以将图10的第一辅助信号A1施加到第一辅助电极AE1，并且可以将图10的第二辅助信号A2施加到第二辅助电极AE2。因此，可以在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间形成电场Ea，因此可以使发光元件LD容易地偏转并且对准。
例如，参照图24，在图11的第一时段t0至t1期间，可以通过对准信号M1和M2在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场Em。可以通过由对准信号M1和M2的电场Em在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间使发光元件LD定向地对准。例如，可以在正向方向上使发光元件LD对准，使得第一端部EP1面对第二对准电极ME2，并且第二端部EP2面对第一对准电极ME1。
参照图25，如上所述，即使在第二时段(图11中的t1至t2)期间由对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上，并且发光元件LD的对准度降低，也可以通过将辅助信号A1和A2施加到第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2来形成电场Ea，使得发光元件LD可以在正向方向上旋转。即，由于可以在第二时段t1至t2期间使发光元件LD在反方向上的旋转最小化，因此可以改善发光元件LD的偏转对准效率。为此，第一辅助信号A1可以被配置为与第一对准信号M1的相位不同的相位的信号。例如，如参照图10所描述的，第一辅助信号A1可以是具有与第一对准信号M1的幅度相同的幅度并且具有相位差的信号。例如，当第一对准信号M1在第二时段t1至t2期间被设定为负极性的电压时，第一辅助信号A1可以被设定为正极性的电压。然而，公开不限于此，并且考虑到电场的方向，可以根据实施例不同地改变对准信号M1和M2以及辅助信号A1和A2的波形。另外，由于上面参照图10描述了对准信号M1和M2以及辅助信号A1和A2，因此省略了重复描述。
接下来，可以在偏转并且对准的发光元件LD上形成第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，并且因此可以完成图5中所示的显示装置。
第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的每个可以由各种透明导电材料形成。例如，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)或氧化氟锡(FTO)的各种透明导电材料中的至少一种，并且可以形成为基本上透明或半透明以满足预定的透光率。因此，从发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2发射的光可以穿过第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，并且可以发射到显示面板PNL的外部。
第一连接电极CE1可以设置在发光元件LD的第二端部EP2上，并且可以使发光元件LD和第一对准电极ME1电连接。在这种情况下，第一连接电极CE1可以与第一辅助电极AE1电分离，但不限于此。
第二连接电极CE2可以设置在发光元件LD的第一端部EP1上，并且可以使发光元件LD和第二对准电极ME2电连接。在这种情况下，第二连接电极CE2可以与第二辅助电极AE2电分离，但不限于此。
在下文中，描述另一实施例。在下面的实施例中，与先前所描述的组件相同的组件由相同的附图标记表示，并且省略或简化重复描述。
图26至图29是针对根据另一实施例的制造显示装置的方法的每个工艺步骤的剖视图。图26至图29是示出了制造图14的显示装置的方法的剖视图，并且与图14的组件基本上相同的组件由相同的附图标记表示，并且省略详细的附图标记。
参照图26，首先，在堤图案BNP上形成彼此分隔开的第一对准电极ME1和第二对准电极ME2、第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。
可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。可以与第一对准电极ME1和/或第二对准电极ME2分开形成第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。另外，可以在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间形成第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。可以与第一辅助电极AE1和/或第二辅助电极AE2分开形成第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。
可以与第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及/或者第一对准电极ME1和第二对准电极ME2同时形成第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4。在这种情况下，由于可以减少掩模的数量，因此可以简化显示装置的制造工艺。然而，公开不限于此，可以不同地改变第一对准电极ME1和第二对准电极ME2、第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2以及第三辅助电极AE3和第四辅助电极AE4的形成顺序。
另外，由于参照图22描述了制造堤图案BNP、第一对准电极ME1和第二对准电极ME2以及第一辅助电极AE1和第二辅助电极AE2的方法，因此省略了重复描述。
参照图27，接下来，在像素PXL中的每个中设置发光元件LD。例如，可以通过喷墨法、狭缝涂覆法或其它各种方法将发光元件LD供应到每个像素PXL的发射区域，但不限于此。
参照图28和图29，接下来，在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间使发光元件LD对准。在使发光元件LD对准的工艺中，可以将图16的第一对准信号M1施加到第一对准电极ME1，并且可以将图16的第二对准信号M2施加到第二对准电极ME2。因此，可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场Em，因此可以在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间使供应到每个像素PXL的发光元件LD对准。
另外，在使发光元件LD对准的工艺中，可以将图16的第一辅助信号A1施加到第一辅助电极AE1，可以将图16的第二辅助信号A2施加到第二辅助电极AE2，可以将图16的第三辅助信号A3施加到第三辅助电极AE3，并且可以将图16的第四辅助信号A4施加到第四辅助电极AE4。因此，可以在第一辅助电极AE1与第二辅助电极AE2之间形成图17的电场Ea1，并且可以在第三辅助电极AE3与第四辅助电极AE4之间形成图17的电场Ea2。因此，可以使发光元件LD容易地偏转并且对准。
例如，参照图28，在图16的第一时段t0至t1期间，可以通过对准信号M1和M2在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间形成电场Em。可以通过由对准信号M1和M2的电场Em在第一对准电极ME1与第二对准电极ME2之间使发光元件LD定向地对准。例如，可以在正向方向上使发光元件LD对准，使得第一端部EP1面对第二对准电极ME2，并且第二端部EP2面对第一对准电极ME1。
参照图29，如上所述，即使在图11的第二时段t1至t2期间由对准信号M1和M2的电场Em形成在相反的方向上，并且发光元件LD的对准度降低，也可以通过将辅助信号A1、A2、A3和A4施加到第一辅助电极至第四辅助电极AE1、AE2、AE3和AE4来形成电场Ea1和Ea2，使得发光元件LD可以在正向方向上旋转。即，由于可以在第二时段t1至t2期间使发光元件LD在反方向上的旋转最小化，因此可以改善发光元件LD的偏转对准效率。为此，第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3可以被配置为与第一对准信号M1的相位不同的相位的信号。例如，如参照图16所描述的，第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3可以是具有与第一对准信号M1的幅度相同的幅度并且具有相位差的信号。例如，第一辅助信号A1可以是通过使用移相器将第一对准信号M1相位调制(例如，通过顺序地相位延迟)120°而产生的信号。另外，第三辅助信号A3可以是通过使用移相器将第一对准信号M1相位调制(例如，通过顺序地相位延迟)240°而产生的信号。例如，在第二时段t1至t2期间，当第一对准信号M1被设定为负极性的电压时，第一辅助信号A1和/或第三辅助信号A3可以被设定为正极性的电压。例如，在第二时段t1至t2期间，当第一对准信号M1被设定为负极性的电压时，第一辅助信号A1可以从正极性的电压改变为负极性的电压，并且第三辅助信号A3可以从负极性的电压改变为正极性的电压。例如，即使第一辅助信号A1在第二时段t1至t2期间被设定为负极性的电压，第三辅助信号A3也可以被设定为正极性的电压。另外，即使第三辅助信号A3在第二时段t1至t2期间被设定为负极性的电压，第一辅助信号A1也可以被设定为正极性的电压。然而，公开不限于此，考虑到电场的方向，可以根据实施例不同地改变对准信号M1和M2以及辅助信号A1、A2、A3和A4的波形。另外，由于上面参照图16描述了对准信号M1和M2以及辅助信号A1、A2、A3和A4，因此省略了重复描述。
接下来，可以在偏转并且对准的发光元件LD上设置第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，并且因此可以完成图14中所示的显示装置。
第一连接电极CE1可以设置在发光元件LD的第二端部EP2上，并且可以使发光元件LD和第一对准电极ME1电连接。在这种情况下，第一连接电极CE1可以与第一辅助电极AE1和/或第三辅助电极AE3电分离，但不限于此。
第二连接电极CE2可以设置在发光元件LD的第一端部EP1上，并且可以使发光元件LD和第二对准电极ME2电连接。在这种情况下，第二连接电极CE2可以与第二辅助电极AE2和/或第四辅助电极AE4电分离，但不限于此。
本领域技术人员可以理解的是，在不脱离上述基本特征的情况下，可以以修改的形式实现公开。因此，所公开的方法应从描述的观点而不是限制的观点来考虑。公开的范围在权利要求中而不是在以上描述中示出，并且范围内的所有差异将被解释为包括在公开中。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一对准电极和第二对准电极，彼此分隔开；
发光元件，设置在所述第一对准电极与所述第二对准电极之间；
第一辅助电极，设置在所述发光元件的一侧上并且与所述第一对准电极分离；以及
第二辅助电极，设置在所述发光元件的另一侧上并且与所述第二对准电极分离，
其中，对准信号被施加到所述第一对准电极，并且
与所述对准信号的相位不同的相位的第一辅助信号被施加到所述第一辅助电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一辅助电极设置在所述第一对准电极与所述发光元件之间，并且
所述第二辅助电极设置在所述第二对准电极与所述发光元件之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三辅助电极，设置在所述第一辅助电极与所述发光元件之间并且与所述第一辅助电极分离；以及
第四辅助电极，设置在所述第二辅助电极与所述发光元件之间并且与所述第二辅助电极分离。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一对准电极设置在所述第一辅助电极与所述发光元件之间，并且
所述第二对准电极设置在所述第二辅助电极与所述发光元件之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三辅助电极，设置在所述第一对准电极与所述发光元件之间；以及
第四辅助电极，设置在所述第二对准电极与所述发光元件之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三辅助电极与所述第一对准电极和所述第一辅助电极电分离。
7.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三辅助电极，设置在所述第一辅助电极与所述第一对准电极之间；以及
第四辅助电极，设置在所述第二辅助电极与所述第二对准电极之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三辅助电极接收与所述对准信号的相位和所述第一辅助信号的相位不同的相位的第二辅助信号。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一辅助电极与所述第一对准电极设置在同一层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，设置在所述第一辅助电极与所述第一对准电极之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一连接电极，使所述第一对准电极和所述发光元件的一端电连接；以及
第二连接电极，使所述第二对准电极和所述发光元件的另一端电连接。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件与所述第一辅助电极和所述第二辅助电极电分离。
13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
形成彼此分隔开的第一对准电极和第二对准电极；
形成与所述第一对准电极和所述第二对准电极分离的第一辅助电极和第二辅助电极；以及
在所述第一对准电极与所述第二对准电极之间使发光元件对准，
其中，在使所述发光元件对准的步骤中，将对准信号施加到所述第一对准电极，并且将与所述对准信号的相位不同的相位的第一辅助信号施加到所述第一辅助电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，当将所述对准信号设定为负极性的电压时，将所述第一辅助信号设定为正极性的电压。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，在使所述发光元件对准的步骤中，将接地电压施加到所述第二对准电极和所述第二辅助电极。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，同时形成所述第一对准电极和所述第一辅助电极。
17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
形成与所述第一辅助电极和所述第二辅助电极分离的第三辅助电极和第四辅助电极，
其中，在使所述发光元件对准的步骤中，将与所述对准信号的相位和所述第一辅助信号的相位不同的相位的第二辅助信号施加到所述第三辅助电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在其中将所述对准信号设定为负极性的电压的时段期间，将所述第一辅助信号从正极性的电压改变为负极性的电压，并且将所述第二辅助信号从负极性的电压改变为正极性的电压。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，在使所述发光元件对准的步骤中，将接地电压施加到所述第四辅助电极。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，同时形成所述第一辅助电极和所述第三辅助电极。
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