CN116487406A - 显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种制造显示装置的方法。所述制造显示装置的方法包括：在制造基底上提供包括发光元件的墨；以及通过使用包括多个凹槽图案的模具使发光元件对准。

Description

显示装置的制造方法
本申请要求于2022年1月21日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0009467号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例的方面总体上涉及一种显示装置的制造方法、一种显示装置和一种用于制造显示装置的设备。
背景技术
最近，随着对信息显示的兴趣的增加，显示装置的研究和开发一直在不断进行。
发明内容
根据本公开的实施例的方面，提供了一种可以改善发光元件的对准程度的显示装置的制造方法、显示装置和用于制造显示装置的设备。
根据公开的一个或更多个实施例，一种制造显示装置的方法包括以下步骤：在制造基底上提供包括发光元件的墨；以及通过使用包括多个凹槽图案的模具使发光元件对准。
使发光元件对准的步骤可以包括：使布置在模具的表面上的压力机推动模具；使模具将压力施加到发光元件；以及使发光元件对准为与模具的多个凹槽图案对应。
模具可以包括发光元件区域。可以执行使模具将压力施加到发光元件的步骤，使得发光元件分别对准处的位置与发光元件区域的位置对应。
发光元件区域可以是在模具中形成的凹槽区域。
使发光元件对准的步骤可以包括使模具的多个凹槽图案接触定位在制造基底上的发光元件。
模具可以具有辊形状。使发光元件对准的步骤可以包括使模具在制造基底上滚动。
使发光元件对准的步骤可以包括：当具有辊形状的压力机在模具上滚动时，使模具将压力施加到发光元件。
方法还可以包括在制造基底上设置在制造基底的厚度方向上突出的堤。提供墨的步骤可以包括使墨容纳在由堤限定的空间中。模具可以包括：基体部分；以及突起部分，连接到基体部分。模具还可以包括其中未定位有突起部分的模具移动限制区域。使发光元件对准的步骤可以包括：使模具的一部分将压力施加到发光元件；以及使模具在模具移动限制区域中接触堤。
方法还可以包括在使发光元件对准之后允许清洁器清洁模具的表面。
方法还可以包括使清洁器清洁模具的表面，其中，模具具有辊形状。模具的基于模具的外周的外表面的面积可以小于制造基底的面积。可以同时执行清洁模具的表面的步骤与使发光元件对准的步骤。
方法还可以包括以下步骤：在制造基底上设置对准电极；以及通过使用对准电极形成电场。发光元件可以基于电场对准。
可以同时执行形成电场的步骤以及通过使用模具使发光元件对准的步骤。
模具可以包括：基体部分；以及突起部分，连接到基体部分。突起部分可以包括发光元件区域，该发光元件区域形成为使得突起部分的一部分凹陷。在制造基底上对准的发光元件延伸所沿的方向可以与发光元件区域延伸所沿的方向相同。
模具可以具有弹性特性。
根据公开的一个或更多个实施例，提供了一种根据该方法制造的显示装置。
根据公开的一个或更多个实施例，一种用于制造显示装置的设备包括：模具，定位在台上；以及压力机，被配置为从模具向模具施加面向台的压力，其中，模具包括：基体部分；以及突起部分，连接到基体部分，突起部分包括凹槽区域，该凹槽区域形成为使得突起部分的一部分凹陷。
模具可以具有辊形状。
压力机可以具有辊形状。
设备还可以包括布置在台上的探针，探针被配置为提供电信号，使得在设置在台上的制造基底上形成电场。
附图说明
现在这里将参照附图更全面地描述一些示例实施例；然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达实施例的范围。
图1和图2分别是示出根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图和剖视图。
图3是示出根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
图4是示出根据公开的实施例的子像素的示意性平面图。
图5是沿着图4中所示的线I-I'截取的示意性剖视图。
图6至图13是示出根据公开的第一实施例的用于制造显示装置的设备的视图。
图14和图15是示出根据公开的第二实施例的用于制造显示装置的设备的视图。
图16是示出根据公开的第三实施例的用于制造显示装置的设备的视图。
图17至图19是示出根据公开的实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图20、图25和图30是示出根据公开的实施例的显示装置的制造方法的工艺(或操作)平面图。
图21至图23、图26至图28、图31、图32和图34是示出根据公开的实施例的用于制造显示装置的设备的工艺(或操作)平面图。
图24、图29和图33是示出根据公开的实施例的显示装置的制造方法的工艺(或操作)平面图。
图35是示出根据公开的另一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图36是示出根据公开的另一实施例的显示装置的制造方法的示意性透视图。
具体实施方式
本说明书中描述的实施例旨在向本领域普通技术人员清楚地解释本发明的构思；然而，将理解的是，本发明不限于本说明书中描述的实施例，并且本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改和改变。提供附图是为了允许容易地理解本说明书中公开的实施例，并且可以夸大和显示附图中所示的形状以便帮助理解本发明，并且本发明不限于附图。
在附图中，为了示出的清楚，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，所述元件可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个居间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的“第一”元件也可以被称为“第二”元件。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也旨在包括复数形式。
还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在和/或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，诸如层、区域、基底或板的元件放置“在”另一元件“上”或“上方”的表述不仅表示其中所述元件直接放置在所述另一元件上或正上方的情况，而且表示其中一个或更多个另外的元件插入在所述元件与所述另一元件之间的情况。类似地，诸如层、区域、基底或板的元件放置“在”另一元件“之下”或“下方”的表述不仅表示其中所述元件直接放置在所述另一元件之下或正下方的情况，而且表示其中一个或更多个另外的元件插入在所述元件与所述另一元件之间的情况。
除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的那些术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
本公开总体上涉及一种制造显示装置的方法和一种用于制造显示装置的设备。这里，将参照附图描述根据公开的实施例的制造显示装置的方法和用于制造显示装置的设备。
在描述显示装置(见图3中所示的DD)的制造方法和用于制造显示装置DD的设备(见图6中所示的1)之前，将参照图1和图2描述包括在根据公开的实施例的显示装置DD中的发光元件LD。
图1和图2分别是示出根据公开的实施例的发光元件的示意性透视图和剖视图。
尽管在图1和图2中示出了柱形状发光元件LD，但发光元件LD的种类和/或形状不限于此。
发光元件LD包括第二半导体层SCL2、第一半导体层SCL1和插入在第一半导体层SCL1与第二半导体层SCL2之间的活性层AL。例如，当假设发光元件LD的延伸方向是长度L方向时，发光元件LD可以包括沿着长度L方向顺序堆叠的第一半导体层SCL1、活性层AL和第二半导体层SCL2。发光元件LD还可以包括电极层ELL和绝缘膜INF。
发光元件LD可以具有沿着一个方向延伸的柱形状。发光元件LD可以具有第一端部EP1和第二端部EP2。第一半导体层SCL1可以与第一端部EP1相邻，第二半导体层SCL2可以与第二端部EP2相邻。电极层ELL可以与第一端部EP1相邻。
发光元件LD可以通过蚀刻工艺等以柱形状制造。在本说明书中，术语“柱形状”可以包括在长度L方向上相对长(即，其长宽比大于1)的杆状形状或棒状形状，诸如圆柱体或多面体，杆状形状或棒状形状的剖面的形状没有特别限制。例如，发光元件LD的长度L可以大于发光元件LD的直径D(或剖面的宽度)。
发光元件LD可以具有纳米级至微米级的尺寸。例如，发光元件LD可以具有在纳米级至微米级的范围内的直径D(或宽度)和/或在纳米级至微米级的范围内的长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此。
第一半导体层SCL1可以是第一导电型半导体层。第一半导体层SCL1设置在活性层AL上，并且可以包括具有与第二半导体层SCL2的类型不同的类型的半导体层。例如，第一半导体层SCL1可以包括P型半导体层。在示例中，第一半导体层SCL1可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的至少一种半导体材料，并且包括掺杂有第一导电型掺杂剂(诸如Mg)的P型半导体层。然而，构成第一半导体层SCL1的材料不限于此。另外，第一半导体层SCL1可以使用各种材料构造。
活性层AL设置在第一半导体层SCL1与第二半导体层SCL2之间，并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。活性层AL的位置不限于特定示例，并且可以根据发光元件LD的种类而被各种改变。
掺杂有导电掺杂剂的覆盖层可以形成在活性层AL的顶部和/或底部上。例如，覆盖层可以形成为AlGaN层或InAlGaN层。在一些实施例中，可以使用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成活性层AL。另外，活性层AL可以使用各种材料构造。
第二半导体层SCL2可以是第二导电型半导体层。第二半导体层SCL2设置在活性层AL上，并且可以包括具有与第一半导体层SCL1的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括N型半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中的任何半导体材料，并且包括掺杂有第二导电型掺杂剂(诸如Si、Ge或Sn)的N型半导体层。然而，构成第二半导体层SCL2的材料不限于此。另外，第二半导体层SCL2可以使用各种材料构造。
当将阈值电压或更高的电压施加到发光元件LD的两端时，发光元件LD随着电子-空穴对在活性层AL中组合而发光。通过使用这种原理来控制发光元件LD的光发射，使得发光元件LD可以用作针对各种发光装置(包括显示装置的像素)的光源。
绝缘膜INF可以设置在发光元件LD的表面上。绝缘膜INF可以形成在发光元件LD的表面上以围绕至少活性层AL的外周表面。另外，绝缘膜INF还可以围绕第一半导体层SCL1和第二半导体层SCL2的区域。绝缘膜INF可以形成为单层或多层。然而，公开不限于此，并且绝缘膜INF可以被构造为具有多个层。例如，绝缘膜INF可以包括包含第一材料的第一绝缘层和包含与第一材料不同的第二材料的第二绝缘层。
绝缘膜INF可以使发光元件LD的具有不同极性的两个端部暴露。例如，绝缘膜INF可以暴露分别与发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2相邻的电极层ELL和第二半导体层SCL2中的每个的端部。
绝缘膜INF可以被构造为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)之中的任何绝缘材料的单层或多层。然而，公开不必限于上述示例。例如，根据另一实施例，可以省略绝缘膜INF。
根据实施例，当绝缘膜INF设置为覆盖发光元件LD的表面，特别是活性层AL的外周表面时，可以确保发光元件LD的电稳定性。此外，当绝缘膜INF设置在发光元件LD的表面上时，可以最小化或减少发光元件LD的表面缺陷，从而改善发光元件LD的寿命和效率。另外，即使当多个发光元件LD密集地设置时，也可以防止或基本上防止在发光元件LD之间发生不希望的短路。
电极层ELL可以设置在第一半导体层SCL1上。电极层ELL可以与第一端部EP1相邻。电极层ELL可以电连接到第一半导体层SCL1。
电极层ELL的一部分可以被暴露。例如，绝缘膜INF可以使电极层ELL的表面暴露。电极层ELL可以在与第一端部EP1对应的区域中被暴露。在一些实施例中，电极层ELL的侧表面可以被暴露。例如，绝缘膜INF可以不覆盖电极层ELL的侧表面的至少一部分，而覆盖第一半导体层SCL1、活性层AL和第二半导体层SCL2中的每个的侧表面。因此，与第一端部EP1相邻的电极层ELL可以容易地连接到另一组件。在一些实施例中，绝缘膜INF不仅可以使电极层ELL的侧表面暴露，而且可以使第一半导体层SCL1和/或第二半导体层SCL2的侧表面的一部分暴露。
根据实施例，电极层ELL可以是欧姆接触电极。然而，公开不必限于上述示例。例如，电极层ELL可以是肖特基接触电极。
根据实施例，电极层ELL可以包括铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)及其任何氧化物或合金中的任一种。然而，公开不必限于上述示例。在一些实施例中，电极层ELL可以是基本上透明的。例如，电极层ELL可以包括氧化铟锡(ITO)。因此，发射的光可以透过电极层ELL。
发光元件LD的结构、形状等不限于上述示例。在一些实施例中，发光元件LD可以具有各种结构和各种形状。例如，发光元件LD还可以包括设置在第二半导体层SCL2的表面上且与第二端部EP2相邻的附加电极层。
图3是示出根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
显示装置DD被构造为发射光。参照图3，显示装置DD可以包括基底SUB和布置在基底SUB上的像素PXL。虽然未在附图中示出，但显示装置DD还可以包括用于驱动像素PXL、线和垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)的驱动电路(例如，扫描驱动器和数据驱动器)。
显示装置DD可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以指除了显示区域DA之外的区域。在实施例中，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。
基底SUB可以构成显示装置DD的基体构件。基底SUB可以是刚性基底(或膜)或柔性基底(或膜)。例如，基底SUB可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基底、由塑料或金属材料制成的柔性基底(或薄膜)或至少一种绝缘层。基底SUB的材料和/或性质没有特别限制。在实施例中，基底SUB可以是基本上透明的。术语“基本上透明”可以意指光可以以特定透射率(例如，预定透射率)或更大透射率透射。在另一实施例中，基底SUB可以是半透明的或不透明的。此外，在一些实施例中，基底SUB可以包括反射材料。
显示区域DA可以指其中设置有像素PXL的区域。非显示区域NDA可以指其中未设置有像素PXL的区域。连接到显示区域DA的像素PXL的驱动电路、线和垫可以设置在非显示区域NDA中。
在示例中，像素PXL可以根据stripe布置结构、布置结构等来布置。然而，公开不限于此，并且可以在公开中应用各种实施例。
根据实施例，像素PXL可以包括第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3。第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中的每个可以是子像素。至少一个第一子像素SPXL1、至少一个第二子像素SPXL2和至少一个第三子像素SPXL3可以构成被构造为发射各种颜色的光的一个像素单元。
例如，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中的每个可以发射特定颜色(例如，预定颜色)的光。例如，第一子像素SPXL1可以是发射红色(例如，第一颜色)的光的红色像素，第二子像素SPXL2可以是发射绿色(例如，第二颜色)的光的绿色像素，第三子像素SPXL3可以是发射蓝色(例如，第三颜色)的光的蓝色像素。然而，构成每个像素单元的第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3的颜色、种类和/或数量不限于特定示例。
这里，将参照图4和图5描述根据公开的实施例的子像素SPXL。
图4是示出根据公开的实施例的子像素的示意性平面图。例如，图4中所示的子像素SPXL可以是上述第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中的一个。
参照图4，子像素SPXL(或显示装置DD)可以包括发射区域EMA和非发射区域NEA。子像素SPXL可以包括对准电极ELT、发光元件LD、堤BNK、第一接触部CNT1、第二接触部CNT2和接触电极CNE。在一些实施例中，对准电极ELT可以包括第一电极ELT1和第二电极ELT2。接触电极CNE可以包括第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
发射区域EMA可以是其中设置有发光元件LD以发射光的区域。非发射区域NEA可以是其中未设置有发光元件LD且不发射光的区域。
当在平面上观察时，发射区域EMA可以与由堤BNK限定的开口OPN叠置。发光元件LD可以设置在发射区域EMA中。
发光元件LD可以不设置在非发射区域NEA中。当在平面上观察时，非发射区域NEA的一部分可以与堤BNK叠置。
堤BNK可以形成(或设置)开口OPN。例如，堤BNK可以具有在基底SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出的形状，并且具有围绕一区域(例如，预定区域)的形状。因此，可以形成其中未设置有堤BNK的开口OPN。在一些实施例中，堤BNK可以形成其中可以容纳流体的空间。例如，包括发光元件LD的墨(见图24中所示的INK)可以设置在其中可以容纳流体的空间中，从而将发光元件LD设置在开口OPN中。
堤BNK可以限定发射区域EMA和非发射区域NEA。当在平面上观察时，堤BNK可以围绕发射区域EMA的至少一部分。例如，其中设置有堤BNK的区域可以是非发射区域NEA。作为其中未设置有堤BNK的区域的其中设置有发光元件LD的区域可以是发射区域EMA。
发光元件LD的至少一部分可以设置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。发光元件LD可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对准。发光元件LD可以形成(或构成)发光单元EMU。发光单元EMU可以指包括相邻发光元件LD的单元。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以彼此间隔开。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在发射区域EMA中沿着第一方向DR1彼此间隔开，并且第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以沿着第二方向DR2延伸。
在一些实施例中，第一电极ELT1可以是第一对准电极，并且第二电极ELT2可以是第二对准电极。
在使发光元件LD对准的工艺中，可以分别将第一对准信号和第二对准信号供应到第一电极ELT1和第二电极ELT2。第一对准信号和第二对准信号可以具有不同的波形、不同的电位和/或不同的相位。因此，在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间形成电场，使得发光元件LD可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对准。
第一电极ELT1可以通过第一接触部CNT1电连接到电路元件(例如，驱动晶体管)。在一些实施例中，第一电极ELT1可以提供阳极信号。第一电极ELT1可以提供第一对准信号。
第二电极ELT2可以通过第二接触部CNT2电连接到电力线。在一些实施例中，第二电极ELT2可以提供阴极信号。第二电极ELT2可以提供第二对准信号。
第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以被构造为单层或多层。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个可以包括包含反射导电材料的至少一个反射电极层，并且选择性地还包括至少一个透明电极层和/或至少一个导电盖层。
发光元件LD可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对准。例如，发光元件LD可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间平行地对准和/或连接。
在实施例中，发光元件LD可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间在第二方向DR2上对准，以电连接到第一电极ELT1和第二电极ELT2。
发光元件LD的第一端部EP1可以设置为与第一电极ELT1相邻，并且发光元件LD的第二端部EP2可以设置为与第二电极ELT2相邻。第一端部EP1可以与第一电极ELT1叠置或可以与第一电极ELT1不叠置。第二端部EP2可以与第二电极ELT2叠置或可以与第二电极ELT2不叠置。
在实施例中，发光元件LD中的每个的第一端部EP1可以通过第一接触电极CNE1电连接到第一电极ELT1。在另一实施例中，发光元件LD中的每个的第一端部EP1可以直接连接到第一电极ELT1。在又一实施例中，发光元件LD中的每个的第一端部EP1仅电连接到第一接触电极CNE1，并且可以不连接到第一电极ELT1。
类似地，发光元件LD中的每个的第二端部EP2可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二电极ELT2。在另一实施例中，发光元件LD中的每个的第二端部EP2可以直接连接到第二电极ELT2。在又一实施例中，发光元件LD中的每个的第二端部EP2仅电连接到第二接触电极CNE2，并且可以不连接到第二电极ELT2。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别设置在发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2上。
第一接触电极CNE1可以设置在发光元件LD的第一端部EP1上以电连接到第一端部EP1。在实施例中，第一接触电极CNE1可以设置在第一电极ELT1上以电连接到第一电极ELT1。发光元件LD的第一端部EP1可以通过第一接触电极CNE1连接到第一电极ELT1。
第二接触电极CNE2可以设置在发光元件LD的第二端部EP2上以电连接到第二端部EP2。在实施例中，第二接触电极CNE2可以设置在第二电极ELT2上以电连接到第二电极ELT2。发光元件LD的第二端部EP2可以通过第二接触电极CNE2连接到第二电极ELT2。
根据公开的实施例的子像素SPXL的结构不必限于上述示例，并且子像素SPXL可以包括各种合适的结构。
图5是沿着图4中所示的线I-I'截取的示意性剖视图。图5可以是示出根据公开的实施例的子像素SPXL的示意性剖视图。
参照图5，子像素SPXL可以包括基底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
基底SUB可以提供其中设置有像素电路层PCL和显示元件层DPL的区域。基底SUB可以是子像素SPXL的基体表面。
像素电路层PCL可以设置在基底SUB上。像素电路层PCL可以包括晶体管和多个绝缘层。晶体管可以是薄膜晶体管。在一些实施例中，晶体管可以是驱动晶体管。多个绝缘层中的任一个可以设置在晶体管上。像素电路层PCL的结构不限于特定示例，像素电路层PCL可以包括各种结构。
显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上。显示元件层DPL可以包括绝缘图案INP、第一电极ELT1、第二电极ELT2、第一绝缘层INS1、堤BNK、发光元件LD、第二绝缘层INS2、第一接触电极CNE1、第三绝缘层INS3和第二接触电极CNE2。
绝缘图案INP可以在基底SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出。绝缘图案INP可以提供其上布置有第一电极ELT1和第二电极ELT2的表面。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以设置在像素电路层PCL和绝缘图案INP上。如上所述，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以是用于使发光元件LD对准的对准电极。
第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每个的一部分可以设置在绝缘图案INP上，以形成反射壁。因此，可以改善显示装置DD的光发射效率。
在一些实施例中，第一电极ELT1可以通过第一接触电极CNE1电连接到发光元件LD。第二电极ELT2可以通过第二接触电极CNE2电连接到发光元件LD。
第一绝缘层INS1可以设置在像素电路层PCL、第一电极ELT1和第二电极ELT2上。第一绝缘层INS1可以使电极组件之间的连接稳定，并且减少外部影响。第一绝缘层INS1可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氧化钛(TiOx)中的任一种。然而，公开不限于上述示例。
堤BNK可以在基底SUB的厚度(例如，第三方向DR3)上突出。堤BNK可以包括诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，公开不必限于此，并且堤BNK可以包括各种种类的无机绝缘材料，包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx)。
发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上。在一些实施例中，发光元件LD可以基于从第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2提供的电信号而发光。
发光元件LD可以设置在由堤BNK围绕的区域中。因此，发射区域EMA可以被定义为其中设置有发光元件LD的区域。发光元件LD可以设置在相邻的绝缘图案INP之间。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LD上。第二绝缘层INS2可以覆盖发光元件LD的活性层AL。
第二绝缘层INS2可以使发光元件LD的至少一部分暴露。例如，第二绝缘层INS2可以不覆盖发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2。因此，发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2可以被暴露，并且分别电连接到第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
当在使发光元件LD完全对准之后在发光元件LD上设置第二绝缘层INS2时，可以防止或基本上防止发光元件LD与发光元件LD对准处的位置的分离。
第二绝缘层INS2可以被构造为单层或多层，并且可以包括各种种类的无机绝缘材料，包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx)。然而，公开不限于上述示例。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在第一绝缘层INS1上。第一接触电极CNE1可以电连接到发光元件LD的第一端部EP1。第二接触电极CNE2可以电连接到发光元件LD的第二端部EP2。
第一接触电极CNE1可以通过穿透第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第一电极ELT1，第二接触电极CNE2可以通过穿透第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第二电极ELT2。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以包括导电材料。例如，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的任一种的透明导电材料。然而，公开不必限于上述示例。
第三绝缘层INS3可以设置在第一绝缘层INS1、第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2和第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可以被构造为单层或多层，并且可以包括各种种类的无机绝缘材料，包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化铪(HfOx)和氧化钛(TiOx)。
根据公开的实施例的子像素SPXL的结构不必限于上述示例。例如，子像素SPXL还可以包括设置在堤BNK上的额外的堤。此外，子像素SPXL还可以包括颜色转换层(包括被构造为改变从发光元件LD发射的光的波长的量子点)。例如，颜色转换层可以与显示元件层DPL设置在同一层，或者设置在显示元件层DPL上。此外，子像素SPXL还可以包括使一个波段的光选择性地透过的滤色器层。
这里，将参照图6至图16描述根据公开的实施例的用于制造显示装置的设备1。在图6至图16中，可以简化或可以不重复与上述那些重复的部分的描述。
首先，将参照图6至图13描述根据公开的第一实施例的用于制造显示装置的设备1。图6至图13是示出根据公开的第一实施例的用于制造显示装置的设备的视图。
图6是示出根据公开的第一实施例的用于制造显示装置的设备1的示意性透视图。图7是示出根据公开的第一实施例的用于制造显示装置的设备1的示意性剖视图。
参照图6和图7，设备1可以包括台100、轨道120、印刷机支撑部件(或称为“打印机支撑部件”)140、墨印刷机(或称为“墨打印机”)160、探针装置180、压力机PRS和模具IM。
根据实施例，设备1可以在基底200上执行用于制造显示装置的工艺，从而设置(或制造)根据公开的实施例的显示装置DD。在一些实施例中，为方便起见，基底200可以被包含性地指定为基底SUB。发光元件LD等可以设置在基底200上，使得形成像素PXL(或子像素SPXL)。这里，为了便于描述，基底200被指定为制造基底200。
台100可以支撑制造基底200。台100可以设置在轨道120上。台100可以提供其中设置有制造基底200的区域。制造基底200可以被装载在台100上或从台100卸载。在一些实施例中，台100可以包括刚性材料，但公开不必限于此。
台100可以改变制造基底200的位置。例如，台100的位置可以沿着轨道120改变。
轨道120可以是台100移动通过的路径。因此，制造基底200可以沿着轨道120移动。轨道120可以在制造基底200上在工艺方向(例如，第一方向DR1)上延伸。
印刷机支撑部件140可以设置在相对于工艺方向的位置处，以连接(或结合)到墨印刷机160。在一些实施例中，印刷机支撑部件140可以沿着第一方向DR1移动。因此，墨印刷机160可以通过印刷机支撑部件140移动。在一些实施例中，印刷机支撑部件140可以是台架。
墨印刷机160可以连接到印刷机支撑部件140，以供应(或提供)包括发光元件LD的墨(见图22中所示的INK)。例如，当制造基底200设置为与墨印刷机160相邻时，墨印刷机160可以排出墨INK。因此，可以将墨INK供应到制造基底200上。
墨印刷机160可以在第一方向DR1和/或第二方向DR2上移动。例如，墨印刷机160可以结合到印刷机支撑部件140以在第一方向DR1和/或第二方向DR2上移动。当印刷机支撑部件140在第一方向DR1上移动时，墨印刷机160可以沿着第一方向DR1移动。
在一些实施例中，墨印刷机160可以被指定为分配器。
探针装置180可以设置在台100上。探针装置180可以设置为与制造基底200的一侧相邻。在一些实施例中，探针装置180可以设置在制造基底200的第一侧和第二侧中的每个处。
在一些实施例中，探针装置180可以被指定为探针模块。探针装置180可以包括探针支撑部件182、探针移动部件184和探针单元186。
探针装置180可以向制造基底200供应(或提供)电信号。探针装置180可以在制造基底200中形成电场。例如，探针单元186可以向形成在制造基底200中的垫提供电信号，并且可以向对准电极ELT提供该电信号，使得在其中发光元件LD对准的区域中形成电场。
探针支撑部件182可以设置在台100上。探针支撑部件182可以提供其中设置有探针移动部件184和探针单元186的区域。在一些实施例中，探针支撑部件182可以设置在制造基底200的第一侧和第二侧中的每个处。然而，可以适当地改变其中设置有探针支撑部件182的区域和探针支撑部件182的数量。
探针移动部件184可以设置在探针支撑部件182上。探针移动部件184可以改变探针单元186的位置。例如，探针移动部件184可以在与第一方向DR1平行的方向上移动探针单元186。探针移动部件184可以在与第二方向DR2平行的方向上移动探针单元186。探针移动部件184可以在与第三方向DR3平行的方向上移动探针单元186。因此，可以适当地控制构造为向制造基底200供应电信号的探针单元186的位置。在一些实施例中，探针单元186的位置可以改变为与制造基底200的垫的位置对应。
探针单元186可以连接到探针移动部件184。探针单元186可以供应电信号，使得在制造基底200中形成电场。例如，探针单元186可以通过探针移动部件184在第一方向DR1至第三方向DR3上移动，并且与制造基底200的垫接触。
在一些实施例中，探针单元186可以设置为多个，并且设置在制造基底200的第一侧和/或第二侧处。然而，可以适当地改变其中设置有探针单元186的区域和探针单元186的数量。
压力机PRS可以设置在模具IM的一侧处。在一些实施例中，压力机PRS可以与模具IM接触。例如，压力机PRS可以与模具IM的基体部分(见图8中所示的620)接触。在一些实施例中，压力机PRS可以设置在沿工艺方向(例如，第一方向DR1)与墨印刷机160间隔开的位置处。
压力机PRS的移动可以与模具IM的移动对应。压力机PRS可以移动模具IM。例如，当压力机PRS在与第三方向DR3平行的方向上移动时，压力机PRS可以在与第三方向DR3平行的方向上移动模具IM的位置。在一些实施例中，压力机PRS移动所沿的方向可以与重力方向平行。
压力机PRS可以向模具IM施加压力。例如，压力机PRS可以在一方向上推动模具IM，因此，可以向与模具IM接触的物体(例如，发光元件LD)施加压力。压力机PRS可以被构造为向模具IM施加从模具IM朝向制造基底200的压力。例如，压力机PRS可以被构造为向模具IM施加从模具IM朝向台100的压力。
压力机PRS可以包括硬质材料，从而具有适于向模具IM施加压力的性质。然而，公开不必限于上述示例。
模具IM可以设置在压力机PRS上。例如，模具IM可以与压力机PRS的表面接触。模具IM可以设置在压力机PRS上，使得突起部分(见图8中所示的640)面向制造基底200。
模具IM可以被移动为与制造基底200(或台100)相邻，并且可以被移动为与制造基底200(或台100)间隔开。例如，模具IM可以通过压力机PRS沿着与制造基底200的厚度方向平行的方向移动。在一些实施例中，模具IM可以沿着重力方向移动，以推动制造基底200上的物体(例如，发光元件LD)。
根据实施例，模具IM可以具有弹性特性。因此，当模具IM向发光元件LD施加压力时，可以在改变发光元件LD的位姿的同时防止或基本上防止发光元件LD的损坏。例如，模具IM可以包括弹性体。然而，公开不限于上述示例。在一些实施例中，模具IM可以包括柔性聚合物膜。另外，模具IM可以包括各种材料。
模具IM可以包括多个凹槽图案。根据实施例，模具IM可以包括以微米级或纳米级图案化的结构。例如，模具IM可以包括其中多个凹槽由一种材料形成的模板。在一些实施例中，多个凹槽图案中的每个可以与在基底SUB上对准的发光元件LD的布置位置和布置位姿对应。
将结合图8至图12描述与此相关的模具IM的形状。
图8至图12是示出根据公开的实施例的模具IM的形状的示意图。图8以及图10至图12是示出根据公开的实施例的模具IM的形状的示意性剖视图。图9是示出根据公开的实施例的模具IM的形状的示意性平面图。
图8是图7中所示的区域“EA1”的示意性放大图。图9是示出与上面参照图4描述的子像素SPXL的区域对应的模具IM的结构的示意性平面图。图10至图12是示出根据公开的一些修改实施例的模具IM的形状的示意性剖视图。
参照图8和图9，模具IM可以包括基体部分620和突起部分640。根据实施例，模具IM可以包括发光元件区域660和模具移动限制区域680。根据实施例，突起部分640可以设置为多个，以设置在基体部分620上。在一些实施例中，发光元件区域660可以被指定为凹槽区域。
为了便于描述，在图9中，模具移动限制区域680由比发光元件区域660的虚线粗的虚线表示。在图9中，当执行通过使用模具IM使发光元件LD对准的工艺时，第一电极ELT1、第二电极ELT2、发光元件LD和堤BNK的相对位置中的每个由预定线指示。例如，发光元件LD的位置由交替的长虚线和短虚线表示，第一电极ELT1和第二电极ELT2的位置中的每个可以由交替的长虚线和两条短虚线表示。另外，堤BNK的位置可以被表示为与模具移动限制区域680对应。
在一些实施例中，多个凹槽(例如凹槽图案)可以形成在模具IM中。形成的凹槽可以指形成在突起部分640、形成在突起部分640中的发光元件区域660与模具移动限制区域680之间的一个或更多个凹槽。
基体部分620可以是其上设置有突起部分640的基体表面。突起部分640可以设置在基体部分620上。
突起部分640可以不设置在基体部分620的部分区域中，因此，基体部分620的一部分可以被暴露。在一些实施例中，其中在基体部分620上未设置有突起部分640的部分区域可以设置(或形成)为模具移动限制区域680。
根据实施例，当执行通过使用模具IM使发光元件LD对准的工艺时，当在平面上观察时，模具移动限制区域680可以与其中设置有堤BNK的区域BNK'叠置。具有突出形状的堤BNK可以防止或基本上防止模具IM过度地变得与制造基底200相邻。因此，可以防止或基本上防止发光元件LD的损坏，并且可以改善工艺性能。
突起部分640可以设置在基体部分620的表面上。突起部分640可以在基体部分620的厚度方向(例如，与第三方向DR3平行的方向)上突出。在一些实施例中，突起部分640可以不设置在模具移动限制区域680中。
突起部分640(或模具IM)可以包括发光元件区域660。例如，突起部分640中的每个还可以包括凹槽，使得在突起部分640的每个中形成被限定为在一方向上凹陷的发光元件区域660。发光元件区域660可以设置为多个，以分别与将要对准(或设置)的发光元件LD的区域对应。
根据实施例，发光元件区域660可以与发光元件LD中的每个延伸所沿的方向(例如，图9中的第一方向DR1)在同一方向上延伸。发光元件区域660可以在第一电极ELT1和第二电极ELT2彼此间隔开所沿的方向(例如，图9中的第一方向DR1)上延伸。
因此，当模具IM推动发光元件LD时，发光元件LD的位姿或取向可以改变为与发光元件区域660对应。例如，当模具IM推动发光元件LD时，发光元件LD可以旋转为与发光元件区域660对应。另外，发光元件LD总体上可以布置为从其中设置有第一电极ELT1的区域ELT1'面向其中设置有第二电极ELT2的区域ELT2'。
根据实施例，当执行通过使用模具IM使发光元件LD对准的工艺时，当在平面上观察时，发光元件区域660可以与其中设置有发光元件LD的每个区域LD'叠置。由于发光元件LD布置为分别与模具IM的多个凹槽图案(例如，发光元件区域660)对应，因此发光元件LD可以容易地设置为与用户的期望位置对应。
另外，由于发光元件区域660与其中每个单独的发光元件LD对准的区域对应，因此可以防止或基本上防止其中当发光元件LD彼此电相邻时发光元件LD异常操作的现象(例如，发光元件LD的聚集现象)。也就是说，模具IM向发光元件LD施加压力，使得发光元件LD对准处的位置可以分别与发光元件区域660对应。
因此，可以容易地实现用户的期望布置，并且因此可以改善工艺性能。另外，由于改善了发光元件LD的对准程度，因此显著提高了正常运行的发光元件LD的比率，因此，可以改善发光元件LD的光发射效率和显示装置DD的光发射效率。
根据实施例，用于形成发光元件区域660的突起部分640的形状可以被各种修改。
例如，参照图8，突起部分640可以具有在剖面中具有三角形形状的凹槽。具有三棱柱形状的凹槽可以形成在突起部分640中。用于形成发光元件区域660的凹槽可以具有与其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的底表面的尺寸对应的尺寸。根据实施例，可以简化用于形成发光元件区域660的工艺，并且由于形成了与其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的尺寸对应的凹槽，所以可以更彻底地进行发光元件LD的对准。
接着，参照图10，根据公开的实施例的突起部分640可以具有具备弯曲表面且在剖面中急剧凹陷的谷形状。因此，发光元件区域660总体上可以沿着弯曲表面限定。可以在其中设置有发光元件LD的区域LD'中沿着弯曲表面向发光元件LD施加压力。
接着，参照图11，根据公开的实施例的突起部分640可以具有弯曲形状，该弯曲形状与其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的底表面的尺寸对应并且在剖面中平缓地弯曲。例如，发光元件区域660可以在与面向其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的表面处具有如下形状：与其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的底表面对应。
接着，参照图12，根据公开的实施例的突起部分640可以具有弯曲形状，该弯曲形状大于其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的底表面的尺寸并且在剖面中总体上平缓地弯曲。例如，发光元件区域660可以在面对其中设置有发光元件LD的区域LD'中的发光元件LD的表面处具有平缓的弯曲形状。
然而，突起部分640和发光元件区域660的形状不必限于上述示例，并且可以在其中保持公开的技术特征的范围内适当地修改。例如，突起部分640的外表面的一部分可以具有弯曲表面或平坦表面。在一些实施例中，突起部分640可以包括平缓的弯曲区域或尖锐的顶点区域。
根据公开的实施例的设备1可以包括清洁器CLE。清洁器CLE可以被构造为清洁模具IM。清洁器CLE可以在执行使发光元件LD对准的工艺之后(或在执行该工艺的同时)去除设置在模具IM上的发光元件LD和墨INK。因此，当执行使用模具IM的后续工艺时，可以防止或基本上防止过度供应墨INK，并且可以改善工艺精度。在一些实施例中，当清洁器CLE清洁模具IM时，清洁器CLE可以设置为与模具IM的外表面(例如，设置突起部分640处的表面)相邻，以有效地去除残留在模具IM上的墨INK。
在一些实施例中，清洁器CLE可以包括被构造为吸收墨INK的排出装置。此外，在一些实施例中，清洁器CLE可以被构造为喷射清洁液以清洁模具IM的其上残留有墨INK的表面。此外，在一些实施例中，清洁器CLE可以包括用于干燥模具IM的其上残留有墨INK的表面的干燥装置。然而，公开不必限于上述示例。
接着，将参照图14和图15描述根据公开的第二实施例的用于制造显示装置的设备1。图14和图15是示出根据公开的第二实施例的用于制造显示装置的设备的视图。
在图14和图15中，可以简化或可以不重复与上述那些重复的部分的描述，并且将主要描述与上述实施例的部分不同的部分。
在图14中，为了便于描述，示出了台100和制造基底200，并且省略了设备1的其他组件的图示。
参照图14和图15，根据公开的第二实施例的设备1与根据公开的上述实施例的设备1的不同之处在于模具IM具有辊形状。
根据实施例，模具IM可以以辊形状设置，以在制造基底200上滚动。例如，模具IM可以具有其中多个凹槽图案形成在辊的外表面上的结构。因此，当模具IM在制造基底200上滚动时，发光元件LD可以通过模具IM对准。
例如，设备1还可以包括辊移动部件MP和滚动部件RP。辊移动部件MP可以在工艺方向(例如，与第一方向DR1平行的方向)上移动模具IM。滚动部件RP可以使以辊形状设置的模具IM旋转。也就是说，模具IM可以在制造基底200上与滚动部件RP和辊移动部件MP的移动操作对应地滚动，并且发光元件LD可以在制造基底200上对准以在其中模具IM被滚动的工艺中与模具IM的凹槽图案对应。
根据实施例，与如上所述类似，清洁器CLE可以设置为与以辊形状设置的模具IM相邻，并且清洁模具IM。例如，在执行模具IM的对准工艺之后，清洁器CLE可以清洁模具IM。
然而，在一些实施例中，在执行模具IM的对准工艺的同时，清洁器CLE可以同时清洁模具IM。例如，当模具IM的基于模具IM的外周的外表面的面积小于制造基底200的面积时，在执行模具IM的对准工艺的同时执行清洁器CLE的清洁工艺可以是足够的。也就是说，模具IM的表面可以执行发光元件LD的对准工艺，并且清洁器CLE的表面可以执行清洁工艺。因此，可以防止或基本上防止工艺精度的劣化。
接着，将参照图16描述根据公开的第三实施例的用于制造显示装置的设备1。图16是示出根据公开的第三实施例的用于制造显示装置的设备的视图。图16将主要描述根据公开的第三实施例的设备1的剖面结构。
在图16中，可以简化或可以不重复与上述那些重复的部分的描述，并且将主要描述与上述实施例的部分不同的部分。
参照图16，根据公开的第三实施例的设备1与根据公开的上述实施例的设备1的不同之处在于：压力机PRS具有辊形状，并且以具有辊形状的压力机PRS对模具IM加压的方式执行使发光元件LD对准的工艺。
根据实施例，在设备1中，压力机PRS可以具有辊形状，并且在压力机PRS滚动时推动模具IM。在一些实施例中，模具IM通常可以具有膜形状，因此，模具IM的至少一部分可以通过辊移动。
根据实施例，设备1可以包括台阶差补偿部件420、固定部件440、进料辊460和出料辊480。
台阶差补偿部件420可以设置在台100上，以补偿在其中压力机PRS滚动的工艺中发生的台阶差。例如，台阶差补偿部件420可以在制造基底200的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出，并且通常具有与制造基底200的厚度对应的厚度。在一些实施例中，台阶差补偿部件420可以设置在与压力机PRS滚动之前的位置对应的作为制造基底200的第一侧的一侧处。台阶差补偿部件420可以设置在与压力机PRS滚动之后的位置对应的作为制造基底200的第二侧的一侧处。
固定部件440可以对从模具IM延伸的区域的一部分加压，从而彻底固定模具IM的位置。在一些实施例中，固定部件440可以设置为与压力机PRS滚动之前的位置相邻。
进料辊460和出料辊480可以旋转，以移动模具IM。例如，模具IM的一部分可以通过进料辊460在一方向上移动，以设置为与制造基底200相邻，并且模具IM的一部分可以通过出料辊480在一方向上移动，以与制造基底200间隔开。
根据实施例，压力机PRS可以在压力机PRS在模具IM上滚动时对模具IM加压。也就是说，压力机PRS可以从模具IM的部分区域顺序推动另一区域，因此，可以在整个制造基底200上执行发光元件LD的对准操作。
然而，根据公开的实施例的设备1的结构不限于上述示例。例如，在一些实施例中，设备1还可以包括张力辊，以根据参照保持模具IM的张力。
接着，将参照图17至图36描述根据公开的实施例的显示装置DD的制造方法。在图17至图36中，可以简化或可以不重复与上述那些重复的部分的描述。
首先，将参照图17至图34描述根据公开的实施例的显示装置DD的制造方法。为了便于描述，将描述分别与制造方法中的各个步骤对应的第一实施例至第三实施例。
图17至图19是示出根据公开的实施例的显示装置的制造方法的流程图。图17可以是示意性地示出根据公开的实施例的显示装置DD的制造方法的流程图。图18和图19可以是进一步详细示出根据公开的实施例的使发光元件对准的步骤S1600的流程图。例如，图18和图19中的每个可以示出根据公开的各个实施例的使发光元件对准的步骤S1600。
图20、图25和图30是示出根据公开的实施例的显示装置的制造方法的工艺(或操作)平面图。图20、图25和图30可以示意性地示出与上面参照图4描述的子像素SPXL对应的结构。
图21至图23、图26至图28、图31、图32和图34是示出根据公开的实施例的用于制造显示装置的设备的工艺(或操作)平面图。图21、图26、图31和图34可以是示意性地示出根据公开的第一实施例(例如，上面关于图6至图9描述的实施例)的设备1的剖视图。图22、图27和图32可以是示意性地示出根据公开的第二实施例(例如，上面关于图14和图15描述的实施例)的设备1的剖视图。图23和图28可以是示意性地示出根据公开的第三实施例(例如，上面关于图16描述的实施例)的设备1的剖视图。
图24、图29和图33是示出根据公开的实施例的显示装置的制造方法的工艺(或操作)平面图。图24、图29和图33可以示出沿着图4中所示的线II-II'截取的示意性剖面区域。
参照图17，根据公开的实施例的显示装置DD的制造方法可以包括以下步骤：在制造基底上设置对准电极的步骤S1200，在制造基底上提供墨的步骤S1400以及使发光元件对准的步骤S1600。
参照图17和图20，在制造基底上设置对准电极的步骤S1200中，可以在制造基底200上将对准电极ELT图案化(或形成对准电极ELT)。
尽管图中未示出，但在设置对准电极ELT之前，可以在制造基底200上形成像素电路层PCL。可以通过使用掩模的普通工艺将导电层(或金属层)、无机材料或有机材料等图案化来形成像素电路层PCL的各个组件。
在制造基底上设置对准电极的步骤S1200中，可以形成第一电极ELT1和第二电极ELT2，使得可以限定布置发光元件LD所通过的路径。
在形成对准电极ELT之后，可以在对准电极ELT上设置第一绝缘层INS1，可以设置(或提供)在制造基底200的厚度方向上突出的堤BNK。因此，可以形成被堤BNK围绕的开口OPN。
参照图17和图21至图25，在制造基底上提供墨的步骤S1400中，可以将墨INK供应(例如，喷涂)到制造基底200上。墨INK可以由上面参照图6描述的可以喷射流体的墨印刷机160提供。
根据实施例，墨INK可以是可以由墨印刷机160排出的液体混合物。例如，墨INK可以包括发光元件LD和溶剂SLV。在一些实施例中，发光元件LD可以由墨INK中的特定范围(例如，预定范围)的固体包含。在一些实施例中，溶剂SLV可以具有流动性，并且发光元件LD可以分散在溶剂SLV中。溶剂SLV可以是其中分散和提供发光元件LD的液相材料，而不是固相材料。在一些实施例中，溶剂SLV可以包括有机溶剂。例如，溶剂SLV可以是丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、二丙二醇正丙醚(DGPE)和三乙二醇正丁醚(TGBE)中的任一种。然而，公开不限于上述示例，并且溶剂SLV可以包括各种有机溶剂。
在将墨设置到制造基底上的步骤S1400中，墨INK可以容纳在由堤BNK限定的空间中。在一些实施例中，包括在墨INK中的发光元件LD可以随机地定位在第一绝缘层INS1上。由于图24是示出与图4对应的结构的视图，因此当发光元件LD的底表面设置为被示出在图24中的剖面中时，发光元件LD可以处于其中发光元件LD正常布置的状态下。
在制造基底上提供墨的步骤S1400中，可以将根据公开的第一实施例至第三实施例中的每个的压力机PRS和模具IM(见图21至图23)设置为与墨INK间隔开。
参照图26至图30，在使发光元件对准的步骤S1600中，可以根据特定布置(例如，预定布置)使发光元件LD对准。例如，发光元件LD可以对准为与模具IM的图案结构对应。
根据公开，可以以各种方式执行使发光元件对准的步骤S1600。
首先，将结合图18描述使发光元件对准的步骤S1600。
在实施例中，参照图18，使发光元件对准的步骤S1600可以包括以下步骤：通过使用对准电极形成电场的步骤S1612；使模具对发光元件进行对准的步骤S1614；使模具与发光元件间隔开的步骤S1616；以及清洁模具的步骤S1618。
根据实施例，在执行通过使用对准电极形成电场的步骤S1612之后，可以通过执行使模具对发光元件进行对准的步骤S1614来使发光元件LD对准。然而，公开不必限于上述示例。在一些实施例中，通过使用对准电极形成电场的步骤S1612可以在执行使模具对发光元件进行对准的步骤S1614之后执行。
参照图18和图26至图30，在通过使用对准电极形成电场的步骤S1612中，可以将电信号提供到第一电极ELT1和第二电极ELT2，因此，可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间形成电场。在一些实施例中，可以通过基于所形成的电场的力(例如，介电泳(DEP)力)来移动发光元件LD。在一些实施例中，电信号可以是AC信号。例如，AC信号可以是正弦波、三角波、方波、梯形波和脉冲波中的任一种。然而，公开不限于此，并且AC信号可以具有本领域已知的各种AC信号形式。
接着，参照图18和图26至图30，在使模具对发光元件进行对准的步骤S1614中，可以使发光元件LD对准为与模具IM的图案结构对应。例如，在该步骤中，可以使发光元件LD中的每个旋转以与突起部分640的发光元件区域660对应。也就是说，当突起部分640与发光元件区域660中的发光元件LD接触时，突起部分640可以施加压力，使得发光元件LD的位姿改变。
根据实施例，发光元件区域660可以分别与发光元件LD对应，因此，发光元件LD中的每个可以旋转为与对应的发光元件区域660对应。因此，如上所述，可以改善发光元件LD的对准程度。
也就是说，当通过简单地使用电场对准发光元件LD时，一些发光元件LD可能异常对准。然而，由于模具IM将发光元件LD对准为与用户的期望布置结构对应，因此可以正常地布置发光元件LD。此外，由于发光元件区域660与各个发光元件LD中的每个对应，因此可以防止或基本上防止发光元件LD的聚集现象。
在该步骤中，根据公开的第一实施例的设备1的模具IM可以由压力机PRS(见图26)加压。因此，如上所述，当模具IM与发光元件LD接触时，模具IM可以施加压力，使得发光元件LD旋转。根据公开的第一实施例，模具IM的其上形成有多个凹槽图案的表面(例如，其中形成有发光元件区域660的区域)可以与发光元件LD接触(例如，完全接触)。也就是说，由于根据公开的第一实施例的模具IM总体上具有在平面上延伸的形状，因此制造基底200上的发光元件LD可以完全(或并发地或同时地)对准。
此外，在该步骤中，根据公开的第二实施例的设备1的模具IM可以滚动以与发光元件LD接触，并且施加压力使得发光元件LD旋转。也就是说，具有辊形状的模具IM可以通过滚动部件RP而旋转，通过辊移动部件MP沿着工艺方向移动，并且在模具IM滚动和移动的同时使发光元件LD旋转。
此外，在该步骤中，根据公开的第三实施例的设备1的压力机PRS可以沿着工艺方向滚动，并且在压力机PRS滚动的同时对模具IM加压。因此，模具IM可以顺序地将压力施加到发光元件LD。在一些实施例中，压力机PRS的在压力机PRS滚动之前的位置由虚线PRS'表示，并且压力机PRS的在压力机PRS滚动之后的位置由实线表示。
同时，在该步骤中，模具IM的移动受到堤BNK的限制，从而可以防止或基本上防止模具IM的异常移动。例如，突起部分640可以不设置在基体部分620的部分区域中，因此，可以形成模具移动限制区域680。在一些实施例中，模具IM通过压力机PRS接收压力，但基体部分620在模具移动限制区域680中与堤BNK接触，使得可以限制模具IM的过度移动。在一些实施例中，当模具IM和堤BNK在模具移动限制区域680中彼此接触时，模具IM的一部分可以与发光元件LD接触。
因此，即使当模具IM通过将压力施加到发光元件LD而使发光元件LD旋转时，也可以防止或基本上防止施加到发光元件LD的过度压力。因此，可以防止或基本上防止发光元件LD的损坏。
参照图18和图31至图33，在使模具与发光元件间隔开的步骤S1616中，可以将模具IM与制造基底200上的发光元件LD间隔开。
例如，压力机PRS和模具IM可以在第三方向DR3上移动，以与墨INK间隔开。发光元件LD可以处于其中发光元件LD通过模具IM对准以与用户的期望结构对应的状态。
参照图18和图34，在清洁模具的步骤S1618中，清洁器CLE可以清洁模具IM。
例如，可以去除残留在模具IM上的发光元件LD和溶剂SLV。因此，模具IM可以以适于执行清洁工艺的状态提供。在示例中，图34中示出了其中根据公开的第一实施例的清洁器CLE清洁模具IM的结构。此外，清洁器CLE相对于重力方向设置在模具IM的底部，使得可以更有效地去除具有流体性质的墨INK。
当使用根据公开的第二实施例的设备1时，设置在模具IM的具有辊形状的一侧处的清洁器CLE可以清洁模具IM。当使用根据公开的第三实施例的设备1时，设置在出料辊480的一侧处的清洁器CLE可以清洁模具IM。
接着，将结合图19描述根据公开的另一实施例的使发光元件对准的步骤S1600。
参照图19，使发光元件对准的步骤S1600可以包括以下步骤：当通过使用对准电极形成电场时使模具对发光元件进行对准的步骤S1622；使模具与发光元件间隔开的步骤S1624以及清洁模具的步骤S1626。
也就是说，根据本实施例的使发光元件对准的步骤S1600与根据上面参照图18描述的实施例的使发光元件对准的步骤S1600的不同之处在于：并发地(例如，同时地)执行其中对准电极ELT形成电场的操作和其中模具IM使发光元件LD对准的操作。
例如，发光元件LD可以在基于由对准电极ELT形成的电场而旋转的同时通过模具IM而旋转。通过两种外力执行发光元件LD的对准操作。因此，可以更彻底地执行发光元件LD的对准操作。
接着，将参照图35和图36描述根据公开的另一实施例的显示装置DD的制造方法。在图35和图36中，可以简化或可以不重复与上述那些重复的部分的描述。
图35是示出根据公开的另一实施例的显示装置的制造方法的流程图。图36是示出根据公开的另一实施例的显示装置的制造方法的示意性透视图。
根据公开的另一实施例的显示装置DD的制造方法使用根据公开的第二实施例的设备1，并且当模具IM的基于模具IM的外周的外表面的面积小于制造基底200的面积时可以是合适的。
根据实施例，根据公开的另一实施例的显示装置DD的制造方法可以包括以下步骤：通过使用对准电极形成电场的步骤S1642、使模具对发光元件进行对准并使清洁器清洁模具的步骤S1644以及使模具与发光元件间隔开的步骤S1646。
根据实施例，其中模具IM在使发光元件LD旋转的同时使发光元件LD对准的操作和其中清洁器CLE清洁模具IM的操作可以通过同一工艺执行。例如，具有辊形状的模具IM可以在工艺方向(例如，第一方向DR1)上滚动，并且将压力施加到发光元件LD。当模具IM的表面或侧面的一部分与包括发光元件LD的墨INK接触时，模具IM的表面或侧面的另一部分可以被清洁器CLE清洁。因此，当模具IM使发光元件LD对准时，可以连续地清洁模具IM的表面，使得即使当模具IM的基于模具IM的外周的外表面的面积小于制造基底200的面积时，也不会单独地伴随附加工艺。因此，可以简化制造工艺。
根据公开，提供了一种显示装置的制造方法和用于制造显示装置的设备，该显示装置可以改善发光元件的对准程度。
这里已经公开了一些示例实施例，尽管采用了特定术语，但它们将在一般和描述性意义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员在提交本申请时将明显的是，除非另有具体说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (10)

1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在制造基底上提供包括发光元件的墨；以及
通过使用包括多个凹槽图案的模具使所述发光元件对准。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述发光元件对准的步骤包括：
使布置在所述模具的表面上的压力机推动所述模具；
使所述模具将压力施加到所述发光元件；以及
使所述发光元件对准为与所述模具的所述多个凹槽图案对应，
其中，所述模具包括发光元件区域，
其中，执行使所述模具将所述压力施加到所述发光元件的步骤，使得所述发光元件分别对准处的位置与所述发光元件区域的位置对应，并且
其中，所述发光元件区域是在所述模具中形成的凹槽区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述发光元件对准的步骤包括使所述模具的所述多个凹槽图案接触定位在所述制造基底上的所述发光元件。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模具具有辊形状，并且
其中，使所述发光元件对准的步骤包括使所述模具在所述制造基底上滚动。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述发光元件对准的步骤包括：当具有辊形状的压力机在所述模具上滚动时，使所述模具将压力施加到所述发光元件。
6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述制造基底上设置在所述制造基底的厚度方向上突出的堤，
其中，提供所述墨的步骤包括使所述墨容纳在由所述堤限定的空间中，
其中，所述模具包括：基体部分；以及突起部分，连接到所述基体部分，
其中，所述模具还包括其中未定位有所述突起部分的模具移动限制区域，并且
其中，使所述发光元件对准的步骤包括：使所述模具的一部分将压力施加到所述发光元件；以及使所述模具在所述模具移动限制区域中接触所述堤。
7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在使所述发光元件对准的步骤之后使清洁器清洁所述模具的表面。
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括使清洁器清洁所述模具的表面，
其中，所述模具具有辊形状，
其中，所述模具的基于所述模具的外周的外表面的面积小于所述制造基底的面积，并且
其中，同时执行清洁所述模具的所述表面的步骤与使所述发光元件对准的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在所述制造基底上设置对准电极；以及
通过使用所述对准电极形成电场，
其中，所述发光元件基于所述电场对准，并且
其中，同时执行形成所述电场的步骤以及通过使用所述模具使所述发光元件对准的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模具包括：
基体部分；以及
突起部分，连接到所述基体部分，
其中，所述突起部分包括发光元件区域，所述发光元件区域形成为使得所述突起部分的一部分凹陷，
其中，在所述制造基底上对准的所述发光元件延伸所沿的方向与所述发光元件区域延伸所沿的方向相同，并且
其中，所述模具具有弹性特性。
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