CN116454189A - 显示装置 - Google Patents

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insulating reflective
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金范俊
玉受祚
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Abstract

公开了一种显示装置。根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：第一绝缘反射层，布置于基板之上；第一电极和第二电极，布置于所述第一绝缘反射层之上；第二绝缘反射层，布置于所述第一电极和所述第二电极之上；以及发光元件，布置于所述第二绝缘反射层之上，其中，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层可以是分布布拉格反射体。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，随着对信息显示的兴趣日益增加，对显示装置的研究开发正在持续进行。
发明内容
本公开的一技术问题在于提供一种发光元件的对齐度得到提高并且出光效率得到改善的显示装置及其制造方法。
根据本公开的一实施例，可以提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一绝缘反射层，布置于基板之上；第一电极和第二电极，布置于所述第一绝缘层之上；第二绝缘反射层，布置于所述第一电极和所述第二电极之上；以及发光元件，布置于所述第二绝缘反射层之上，其中，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层是分布布拉格反射体(Distributed Bragg Reflector)。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第一绝缘反射层相比于所述第一电极和所述第二电极更接近所述基板，所述第二绝缘反射层相比于所述第一电极和所述第二电极更远离所述基板。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第一电极和所述第二电极中的每一个的一表面与所述第一绝缘反射层接触，所述第一电极和所述第二电极中的每一个的另一表面与所述第二绝缘反射层接触。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层彼此接触，并且在平面中观察时，所述第一绝缘反射层与所述第二绝缘反射层彼此接触的区域与所述发光元件重叠。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述显示装置还包括：过孔层，布置于所述基板与所述第一绝缘反射层之间，其中，所述第一绝缘反射层布置于所述过孔层之上，所述第一绝缘反射层的厚度小于所述过孔层的厚度。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第二绝缘层的厚度是以下。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第一绝缘反射层包括第1_1层和第1_2层且具有所述第1_1层和所述第1_2层交替布置的结构，所述第1_1层和所述第1_2层形成第一对，所述第二绝缘反射层包括第2_1层和第2_2层且具有所述第2_1层和所述第2_2层交替布置的结构，所述第2_1层和所述第2_2层形成第二对，其中，所述第一对的数量与所述第二对的数量之和是4个以上。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第二对的数量是2个以下。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述第一绝缘反射层包括第1_1层和第1_2层且具有所述第1_1层和所述第1_2层交替布置的结构，所述第二绝缘反射层包括第2_1层和第2_2层且具有所述第2_1层和所述第2_2层交替布置的结构，所述第1_1层包括硅氧化物(SiOx)，所述第1_2层包括硅氮化物(SiNx)，所述第2_1层包括硅氧化物(SiOx)，所述第2_2层包括硅氮化物(SiNx)。
根据本公开的一实施例，可以提供一种显示装置，所述显示装置包括：绝缘反射层，布置于基板之上；第一电极和第二电极，布置于所述绝缘反射层之上；绝缘膜，布置于所述第一电极和所述第二电极之上；以及发光元件，布置于所述绝缘膜之上，其中，所述绝缘反射层是分布布拉格反射体。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述绝缘膜具有单一层的结构，所述绝缘反射层包括第一层和第二层且具有所述第一层和所述第二层交替布置的结构。
根据实施例，可以提供如下的显示装置，所述绝缘膜和所述绝缘反射层的所述第二层彼此接触，所述绝缘膜和所述第二层包括彼此不同的物质。
根据本公开的一实施例，可以提供一种显示装置的制造方法，所述显示装置的制造方法包括如下步骤：在基板之上提供第一绝缘反射层；在所述第一绝缘反射层之上提供对齐电极；在所述对齐电极之上提供所述第二绝缘反射层；在所述第二绝缘反射层之上布置发光元件，其中，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层是分布布拉格反射体。
根据实施例，可以提供如下的显示装置的制造方法，提供所述第一绝缘反射层的步骤包括如下步骤：形成第1_1层；以及形成第1_2层，其中，所述第1_1层和所述第1_2层形成第一对，其中，提供所述第二绝缘反射层的步骤包括如下步骤：形成第2_1层；以及形成第2_2层，其中，所述第2_1层和所述第2_2层形成第二对，其中，所述第一对的数量和所述第二对的数量之和是4个以上。
根据实施例，可以提供如下的显示装置的制造方法，所述第二对的数量是2个以下。
根据实施例，可以提供如下的显示装置的制造方法，布置所述发光元件的步骤包括如下步骤：所述对齐电极形成电场；以及所述发光元件基于所述电场而移动，其中，所述电场形成于所述第二绝缘反射层之上。
根据实施例，可以提供如下的显示装置的制造方法，所述第二绝缘层的厚度是以下。
根据实施例，可以提供如下的显示装置的制造方法：所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。
根据本公开的一实施例，可以提供通过所述显示装置的制造方法来制造的显示装置。
根据本公开的实施例，可以提供发光元件的对齐度得到提高并且出光效率得到改善的显示装置及其制造方法。
附图说明
图1和图2是示出根据一实施例的发光元件的示意性立体图和剖面图。
图3和图4是示出根据另一实施例的发光元件的示意性立体图和剖面图。
图5是示出根据实施例的显示装置的示意性平面图。
图6是示出根据实施例的子像素的示意性平面图。
图7是示出根据实施例的子像素的示意性剖面图。
图8是图7的EA1区域的示意性放大图。
图9是示出根据实施例的第一子像素至第三子像素的示意性剖面图。
图10是示出根据实施例的子像素的示意性剖面图。
图11是示出根据实施例的子像素的示意性剖面图。
图12是图11的EA2区域的示意性放大图。
图13是示出根据实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图14至图18是示意性地示出根据实施例的显示装置的制造方法的按工艺步骤(或动作)的剖面图。
具体实施方式
本公开可以进行多样的改变且可以具有多种形态，将在附图中例示特定实施例，并在本文中进行详细说明。但是，这应该理解为包括本公开的思想和技术范围所包括的全部变更、等同物以及替代物，而不是将本公开限定于特定公开形态。
第一、第二等术语可用于说明多种构成要素，但上述构成要素不受上述术语的限定。上述术语仅用于将一个构成元素与另一构成要素区分开。例如，在不脱离本公开的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，并且类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。除非上下文另有明确说明，否则单数形式包括复数形式。
在本公开中，“包括”或“具有”等术语应理解为用于指定说明书中记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合的存在，而不是预先排除一个或其以上的其它特征或数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。并且，在层、膜、区域、板等部分位于其它部分“之上”的情况下，这不仅包括位于其它部分的“紧邻的上方”的情况，还包括在其中间存在又一部分的情况。并且，在本说明书中，在提到某一层、膜、区域、板等部分形成于其它部分之上(on)的情况下，形成方向不限于上部方向，还包括沿侧面或下部方向形成的情况。相反，在层、膜、区域、板等部分位于其它部分“之下”的情况下，这不仅包括位于其它部分“紧邻的下方”的情况，还包括在其中间存在又一其它部分的情况。
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。以下，将参照附图对根据实施例的显示装置进行说明。
首先，将参考图1至图4对根据实施例的发光元件LD进行说明。
图1和图2是示出根据一实施例的发光元件的示意性立体图和剖面图。图3和图4是示出根据另一实施例的发光元件的示意性立体图和剖面图。
尽管图1至图4示出了柱型发光元件LD，但是发光元件LD的类型和/或形状不限于此。
发光元件LD可以包括第二半导体层SCL2、第一半导体层SCL1以及夹设于第一半导体层SCL1与第二半导体层SCL2之间的活性层AL。例如，当发光元件LD的延伸方向被称为长度L的方向时，发光元件LD可以包括沿长度L的方向顺序地堆叠的第一半导体层SCL1、活性层AL和第二半导体层SCL2。发光元件LD还可以包括电极层ELL及绝缘膜INF。
发光元件LD可以设置为沿一方向延伸的柱状。发光元件LD可以具有第一端部EP1和第二端部EP2。第一半导体层SCL1可以与发光元件LD的第一端部EP1相邻，第二半导体层SCL2可以与发光元件LD的第二端部EP2相邻。电极层ELL可以与第一端部EP1相邻。
发光元件LD可以是通过蚀刻方式等制造为柱状的发光元件。在本说明书中，柱状包括在长度L的方向上较长(即，纵横比大于1)的杆状(rod-like shape)或条状(bar-likeshape)，例如圆柱或多边形柱，并且其剖面形状没有特别限制。例如，发光元件LD的长度L可以大于其直径D(或者，横截面的宽度)。
发光元件LD可以具有纳米级至微米级的尺寸。例如，发光元件LD可以各自具有在纳米级至微米级范围的直径D(或宽度)和/或长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此。
第一半导体层SCL1可以是第一导电型的半导体层。第一半导体层SCL1可以布置在活性层AL之上，并且可以包括与第二半导体层SCL2不同类型的半导体层。例如，第一半导体层SCL1可以包括P型半导体层。例如，第一半导体层SCL1可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Mg等的第一导电型掺杂剂的P型半导体层。然而，构成第一半导体层SCL1的物质不限于此，并且除此之外的各种物质可以构成第一半导体层SCL1。
活性层AL可以布置在第一半导体层SCL1和第二半导体层SCL2之间，并且可以具有单量子阱(single-quantum well)结构或多量子阱(multi-quantum well)结构。活性层AL的位置并不限于特定的示例，可以根据发光元件LD的种类而多样地变更。
在活性层AL的上部和/或下部可以形成有掺杂有导电性掺杂剂的覆盖层。例如，覆盖层可以利用AlGaN层或InAlGaN层形成。根据实施例，诸如AlGaN、InAlGaN等的物质可以用于形成活性层AL，并且除此之外的各种物质可以构成活性层AL。
第二半导体层SCL2可以是第二导电型的半导体层。第二半导体层SCL2可以布置在活性层AL之下，并且可以包括与第一半导体层SCL1不同类型的半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括N型半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如Si、Ge和Sn等的第二导电型掺杂剂的N型半导体层。然而，构成第二半导体层SCL2的物质不限于此，并且除此之外的各种物质可以构成第二半导体层SCL2。
当向发光元件LD的两端施加阈值电压以上的电压时，电子-空穴对在活性层AL结合，从而使发光元件LD发光。通过利用这种原理控制发光元件LD的发光，可以将发光元件LD用作包括显示装置的像素在内的各种发光装置的光源。
绝缘膜INF可以布置在发光元件LD的表面之上。绝缘膜INF可以以至少围绕活性层AL的外周面的方式形成于发光元件LD的表面，除此之外，还可以围绕第一半导体层SCL1及第二半导体层SCL2的一区域。绝缘膜INF可以利用单层膜或双层膜形成，但不限于此，可以利用多个膜构成。例如，绝缘膜INF可以包括包含第一材料的第一绝缘膜及包含与所述第一材料不同的第二材料的第二绝缘膜。
绝缘膜INF可以暴露具有彼此不同的极性的发光元件LD的两端部。例如，绝缘膜INF可以暴露与发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2相邻的电极层ELL和第二半导体层SCL2中的每一个的一端。
绝缘膜INF可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)及钛氧化物(TiOx)中的一种绝缘物质而利用单层或多层构成。然而，本公开并不一定限于上述示例。例如，根据另一实施例，也可以省略绝缘膜INF。
根据实施例，在以覆盖发光元件LD的表面(尤其，活性层AL的外周面)的方式提供绝缘膜INF的情况下，可以确保发光元件LD的电稳定性。并且，当在发光元件LD的表面设置绝缘膜INF时，可以使发光元件LD的表面缺陷最小化，从而可以提高寿命及效率。同时，即使在多个发光元件LD彼此紧密地布置的情况下，也可以防止在发光元件LD之间发生不期望的短路。
电极层ELL可以布置在第一半导体层SCL1之上。电极层ELL可以与第一端部EP1相邻。电极层ELL可以电连接到第一半导体层SCL1。
电极层ELL的一部分可以被暴露。例如，绝缘膜INF可以暴露电极层ELL的一表面。电极层ELL可以在与第一端部EP1对应的区域中暴露。
根据实施例，电极层ELL的侧表面可以被暴露(参照图3和图4)。例如，绝缘膜INF可以覆盖第一半导体层SCL1、活性层AL和第二半导体层SCL2中的每一个的侧表面，同时可以不覆盖电极层ELL的侧表面的至少一部分。在这种情况下，可以容易地实施针对与第一端部EP1相邻的电极层ELL的其它构成的电连接。根据实施例，绝缘膜INF不仅可以暴露电极层ELL的侧表面，也可以暴露第一半导体层SCL1和/或第二半导体层SCL2的侧表面的一部分。
根据实施例，电极层ELL可以是欧姆(Ohmic)接触电极。然而，本公开不限于上述示例。例如，电极层ELL可以是肖特基(schottky)接触电极。
根据实施例，电极层ELL可以包括铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、其氧化物或合金中的一种。然而，本公开不限于上述示例。根据实施例，电极层ELL可以是实质上透明的。例如，电极层ELL可以包括铟锡氧化物(ITO)。因此，发出的光可以透射电极层ELL。
发光元件LD的结构和形状等不限于上述示例，并且根据实施例，发光元件LD可以具有各种结构和形状。例如，发光元件LD还可以包括布置于第二半导体层SCL2的一表面之上且与第二端部EP2相邻的附加电极层。
图5是示出根据实施例的显示装置的示意性平面图。
显示装置DD构成为发出光。参照图5，显示装置DD可以包括基板SUB及布置于基板SUB之上的像素PXL。虽然在附图中未示出，但显示装置DD还可以包括用于驱动像素PXL的驱动电路部(例如，扫描驱动部及数据驱动部)、布线及垫。
显示装置DD可以包括显示区域DA及非显示区域NDA。非显示区域NDA可以指显示区域DA之外的区域。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。
基板SUB可以构成显示装置DD的基材部件。基板SUB可以是硬性或柔性的基板或膜。例如，基板SUB可以是利用玻璃或钢化玻璃构成的硬性基板、塑料或金属材质的柔性基板(或薄膜)、或至少一层绝缘层。基板SUB的材料和/或物性不受特别限制。在一实施例中，基板SUB可以是实质上透明的。这里，“实质上透明”可以表示能够以预定透射率以上透射光。在其它实施例中，基板SUB可以是半透明或不透明的。并且，根据实施例，基板SUB可以包括反射性的物质。
显示区域DA可以表示布置有像素PXL的区域。非显示区域NDA可以表示未布置像素PXL的区域。在非显示区域NDA中可以布置有连接到显示区域DA的像素PXL的驱动电路部、布线和垫。
根据一示例，像素PXL可以根据条带或排列结构等而排列，但不限于此，并且各种实施形态可应用于本公开。
根据实施例，像素PXL可以包括第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2及第三子像素SPXL3。第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2以及第三子像素SPXL3中的每一个可以是子像素。至少一个第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2以及第三子像素SPXL3可以构成能够发出多种颜色的光的一个像素单元。
例如，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2以及第三子像素SPXL3中的每一个可以发出预定颜色的光。例如，第一子像素SPXL1可以是发出红色(作为一示例，第一颜色)的光的红色像素，第二子像素SPXL2可以是发出绿色(作为一示例，第二颜色)的光的绿色像素，第三子像素SPXL3可以是发出蓝色(作为一示例，第三颜色)的光的蓝色像素。然而，构成各个所述像素单元的第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2以及第三子像素SPXL3的颜色、种类和/或数量等不限于特定示例。
以下，参照图6至图12，对根据实施例的像素PXL(或子像素SPXL)进行说明。
图6至图12是示出根据实施例的像素PXL(或子像素SPXL)的图。
图6是示出根据实施例的子像素的示意性平面图。图6所示的子像素SPXL可以是参照图5所述的第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2以及第三子像素SPXL3中的一个。
子像素SPXL可以包括发光区域EMA及非发光区域NEA。子像素SPXL可以包括堤BNK、对齐电极ELT、发光元件LD、第一接触电极CNE1以及第二接触电极CNE2。
当在平面中观察时，发光区域EMA可以与由堤BNK限定的开口部OPN重叠。在发光区域EMA内可以布置有发光元件LD。
在非发光区域NEA可以不布置发光元件LD。当在平面中观察时，非发光区域NEA的一部分可以与堤BNK重叠。
堤BNK可以形成(或提供)开口部OPN。例如，堤BNK可以具有沿基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)突出的形状，并具有围绕预定区域的形态。据此，可以形成未布置堤BNK的开口部OPN。
堤BNK可以形成空间。当在平面中观察时，堤BNK可以具有围绕一部分区域的形态。所述空间可以表示能够容纳流体的区域。根据实施例，堤BNK可以包括第一堤BNK1(参照图7)及第二堤BNK2(参照图7)。
根据实施例，在堤BNK(例如，第一堤BNK1)所限定的空间提供包括发光元件LD的墨INK(参照图17)，从而发光元件LD可以布置于开口部OPN内。
根据实施例，在堤BNK(例如，第二堤BNK2)所限定的空间可布置有(或图案化)颜色转换层(参照图9的颜色转换层CCL)。
堤BNK可以限定发光区域EMA和非发光区域NEA。当在平面中观察时，堤BNK可以围绕发光区域EMA的至少一部分。例如，布置有堤BNK的区域可以是非发光区域NEA。作为未布置堤BNK的区域，布置有发光元件LD的区域可以是发光区域EMA。
对齐电极ELT可以是用于使发光元件LD对齐的电极。根据实施例，对齐电极ELT可以包括第一电极ELT1和第二电极ELT2。
对齐电极ELT可以利用单层或多层构成。例如，对齐电极ELT可以包括包含反射性导电物质的至少一层的反射电极层，并且还可以选择性地包括至少一层的透明电极层和/或导电性覆盖层。根据实施例，对齐电极ELT可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)及它们的合金中的一种。然而，本公开不限于上述示例，并且对齐电极ELT可以包括具有反射性质的各种物质中的一种。然而，本公开不限于上述示例。
发光元件LD可以布置于对齐电极ELT之上。根据实施例，发光元件LD的至少一部分可以布置在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间。发光元件LD可以在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对齐。发光元件LD可以形成(或构成)发光单元EMU。发光单元EMU可以表示包括彼此相邻的发光元件LD的单元。
根据实施例，发光元件LD可以以各种方式对齐。例如，图6示出了发光元件LD在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间并联对齐的实施例。然而，本公开不限于上述示例。例如，发光元件LD可以以串联或串联/并联混合的结构对齐，串联和/或并联连接的单元的数量不受特别限制。
第一电极ELT1和第二电极ELT2可以彼此隔开。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以在发光区域EMA中沿第一方向DR1彼此隔开，并且可以分别沿着第二方向DR2延伸。
根据实施例，第一电极ELT1和第二电极ELT2是用于使发光元件LD对齐的电极，并且第一电极ELT1可以是第一对齐电极，并且第二电极ELT2可以是第二对齐电极。
第一电极ELT1及第二电极ELT2可在使发光元件LD对齐的工艺步骤中分别接收(或，被提供)第一对齐信号及第二对齐信号。例如，可以将包括发光元件LD的墨INK供应(或提供)到由堤BNK(例如，第一堤BNK1)限定的开口部OPN，可以将第一对齐信号供应到第一电极ELT1，并且可以将第二对齐信号供应到第二电极ELT2。此时，第一对齐信号和第二对齐信号可以具有彼此不同的波形、电位和/或相位。据此，在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间(或之上)形成电场，并且发光元件LD可以基于所述电场在第一电极ELT1与第二电极ELT2之间对齐。
第一电极ELT1可以通过第一接触部CNT1与电路元件(例如，晶体管TR(参照图7))电连接。根据实施例，第一电极ELT1可以提供用于使发光元件LD发出光的阳极信号。第一电极ELT1可以提供用于使发光元件LD对齐的第一对齐信号。
第二电极ELT2可以通过第二接触部CNT2与电源布线PL(参照图7)电连接。根据实施例，第二电极ELT2可以提供用于使发光元件LD发出光的阴极信号(例如，接地信号)。第二电极ELT2可以提供用于使发光元件LD对齐的第二对齐信号。
第一接触部CNT1和第二接触部CNT2的位置不限于图6所示的位置，并且可以适当地进行各种修改。
发光元件LD可以基于所提供的电信号而发出光。例如，发光元件LD可以基于从第一接触电极CNE1提供的第一电信号以及从第二接触电极CNE2提供的第二电信号来提供光。
发光元件LD的第一端部EP1可以布置为与第一电极ELT1相邻，发光元件LD的第二端部EP2可以布置为与第二电极ELT2相邻。第一端部EP1可以与第一电极ELT1重叠或不重叠。第二端部EP2可以与第二电极ELT2重叠或不重叠。
在一实施例中，发光元件LD中的每一个的第一端部EP1可以通过第一接触电极CNE1而电连接到第一电极ELT1。在另一实施例中，发光元件LD中的每一个的第一端部EP1可以直接连接到第一电极ELT1。在又一实施例中，发光元件LD中的每一个的第一端部EP1可以仅电连接到第一接触电极CNE1，而不连接到第一电极ELT1。
类似地，发光元件LD中的每一个的第二端部EP2可以通过第二接触电极CNE2而电连接到第二电极ELT2。在另一实施例中，发光元件LD中的每一个的第二端部EP2可以直接连接到第二电极ELT2。在又一实施例中，发光元件LD中的每一个的第二端部EP2可以仅电连接到第二接触电极CNE2，而不连接到第二电极ELT2。
在发光元件LD的第一端部EP1以及第二端部EP2之上可以分别布置有第一接触电极CNE1以及第二接触电极CNE2。
第一接触电极CNE1可以以电连接于发光元件LD的第一端部EP1的方式布置于第一端部EP1之上。在一实施例中，第一接触电极CNE1可以布置在第一电极ELT1之上而电连接到第一电极ELT1。在这种情况下，可以通过第一接触电极CNE1将发光元件LD的第一端部EP1连接到第一电极ELT1。
第二接触电极CNE2可以以电连接到发光元件LD的第二端部EP2的方式布置在第二端部EP2之上。在一实施例中，第二接触电极CNE2可以布置在第二电极ELT2之上而电连接到第二电极ELT2。在这种情况下，发光元件LD的第二端部EP2可以通过第二接触电极CNE2连接到第二电极ELT2。
以下，参照图7至图12，以子像素SPXL的剖面结构为中心进行说明。
参照图7至图10，对根据第一实施例的子像素SPXL进行说明，参照图11及图12，对根据第二实施例的子像素SPXL的结构进行说明。
首先，将参照图7对根据第一实施例的子像素SPXL的像素电路层PCL和显示元件层DPL进行说明，将参照图8对根据第一实施例的绝缘反射层100进行说明，将参照图9对根据第一实施例的像素PXL的颜色转换层CCL、光学层OPL、滤色器层CFL和外膜层OFL进行说明，并且将参照图10对根据第一实施例的显示元件层DPL和颜色转换层CCL进行说明。
图7是示出根据实施例的子像素的示意性剖面图。
参照图7，子像素SPXL可以包括基板SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
基板SUB可以形成(或构成)子像素SPXL的基材部件。基板SUB可以提供能够布置像素电路层PCL和显示元件层DPL的区域。
像素电路层PCL可以布置在基板SUB之上。像素电路层PCL可以包括下部辅助电极BML、缓冲膜BFL、晶体管TR、栅极绝缘膜GI、第一层间绝缘膜ILD1、第二层间绝缘膜ILD2和保护膜PSV。
下部辅助电极BML可以布置在基板SUB之上。下部辅助电极BML可以用作电信号移动的路径。根据实施例，当在平面中观察时，下部部辅助电极BML的一部分可以与晶体管TR重叠。
缓冲膜BFL可以布置在基板SUB之上。缓冲膜BFL可以覆盖下部辅助电极BML。缓冲膜BFL可以防止杂质从外部扩散。缓冲膜BFL可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。然而，本公开不限于上述示例。
晶体管TR可以是薄膜晶体管。根据一实施例，晶体管TR可以是驱动晶体管。晶体管TR可以与发光元件LD电连接。晶体管TR可以与发光元件LD的第一端部EP1电连接。
晶体管TR可以包括有源层ACT、第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和栅极电极GE。
有源层ACT可以表示半导体层。有源层ACT可以布置在缓冲膜BFL之上。有源层ACT可以包括多晶硅(polysilicon)、低温多晶硅(LTPS：Low Temperature PolycrystallineSilicon)、非晶硅(amorphous silicon)和氧化物半导体中的一种。
有源层ACT可以包括与第一晶体管电极TE1接触的第一接触区域和与第二晶体管电极TE2接触的第二接触区域。所述第一接触区域和所述第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。所述第一接触区域与所述第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。所述沟道区域可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。
栅极电极GE可以布置在栅极绝缘膜GI之上。栅极电极GE的位置可以对应于有源层ACT的沟道区域的位置。例如，栅极电极GE可以将栅极绝缘膜GI置于其之间而布置在有源层ACT的沟道区域之上。
栅极绝缘膜GI可以布置在缓冲膜BFL之上。栅极绝缘膜GI可以覆盖有源层ACT。栅极绝缘膜GI可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。然而，本公开不限于上述示例。
第一层间绝缘膜ILD1可以布置在栅极绝缘膜GI上。第一层间绝缘膜ILD1可以覆盖栅极电极GE。第一层间绝缘膜ILD1可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。然而，本公开不限于上述示例。
第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以布置在第一层间绝缘膜ILD1之上。第一晶体管电极TE1可以贯通栅极绝缘膜GI和第一层间绝缘膜ILD1而与有源层ACT的第一接触区域接触，并且第二晶体管电极TE2可以贯通栅极绝缘膜GI和第一层间绝缘膜ILD1而与有源层ACT的第二接触区域接触。例如，第一晶体管电极TE1可以是漏极电极，并且第二晶体管电极TE2可以是源极电极，但不限于此。
第一晶体管电极TE1可以通过贯通保护膜PSV和第二层间绝缘膜ILD2的第一接触部CNT1而电连接到第一电极ELT1。
电源布线PL可以布置在第一层间绝缘膜ILD1之上。根据实施例，电源布线PL可以布置在与第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2相同的层。电源布线PL可以通过第二接触部CNT2而电连接到第二电极ELT2。电源布线PL可以通过第二电极ELT2而供应电力或对齐信号。
第二层间绝缘膜ILD2可以布置在第一层间绝缘膜ILD1之上。第二层间绝缘膜ILD2可以覆盖第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和电源布线PL。第二层间绝缘膜ILD2可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。然而，本公开不限于上述示例。
保护膜PSV可以布置在第二层间绝缘膜ILD2之上。尽管在图7中未示出，但是根据实施例，保护膜PSV可以是过孔层。保护膜PSV可以包括有机物质以使下部阶梯差平坦化。例如，保护膜PSV可以包括诸如丙烯酸树脂(acrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimidesresin)、聚酯树脂(polyesters resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides res-in)或苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)等有机物质。然而，不限于此，并且保护膜PSV可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的多种无机物质。
根据实施例，子像素SPXL可以包括第一接触部CNT1和第二接触部CNT2。第一接触部CNT1及第二接触部CNT2可以贯通第二层间绝缘膜ILD2、保护膜PSV及第一绝缘膜INS1(或第一绝缘反射层120)。通过第一接触部CNT1，第一电极ELT1和第一晶体管电极TE1可以彼此电连接。通过第二接触部CNT2，第二电极ELT2和电源布线PL可以彼此电连接。
显示元件层DPL可以布置在像素电路层PCL之上。显示元件层DPL可以包括第一绝缘反射层120(例如，第一绝缘膜INS1)、绝缘图案INP、对齐电极ELT、第二绝缘反射层140(例如，第二绝缘膜INS2)、堤BNK、发光元件LD、第三绝缘膜INS3、第一接触电极CNE1、第四绝缘膜INS4、第二接触电极CNE2和第五绝缘膜INS5。
根据实施例，绝缘反射层100可以包括第一绝缘反射层120及第二绝缘反射层140。绝缘反射层100可以构成为包括多个层而反射光。并且，绝缘反射层100可以使电极构成之间的连接稳定，并减少外部影响。根据实施例，绝缘反射层100可以是分布布拉格反射体(DBR：Distributed Bragg reflector)。例如，绝缘反射层100可以包括具有不同折射率的多个层，从而反射从发光元件LD提供的光。据此，可以改善显示装置DD的出光效率。稍后将参照图8描述绝缘反射层100的详细剖面结构。
第一绝缘反射层120可以布置于保护膜PSV之上。根据实施例，第一绝缘反射层120可以表示布置在过孔层之上的分布布拉格反射体。
第一绝缘反射层120可以相比于对齐电极ELT更接近基板SUB。第一绝缘反射层120可以在对齐电极ELT被图案化之前形成(或图案化)。第一绝缘反射层120可以布置在对齐电极ELT和基板SUB(或保护膜PSV)之间。第一绝缘反射层120的一表面的一部分可以与对齐电极ELT接触。第一绝缘反射层120的另一表面的至少一部分可以与保护膜PSV接触。根据实施例，第一绝缘反射层120的厚度可以小于保护膜PSV(例如，过孔层)的厚度。
第一绝缘反射层120可以相比于第二绝缘反射层140更接近基板SUB。第一绝缘反射层120可以在第二绝缘反射层140被图案化之前形成(或图案化)。
在第一绝缘反射层120可以形成有第一接触部CNT1及第二接触部CNT2。
绝缘图案INP可以布置于第一绝缘反射层120上。绝缘图案INP可以根据实施例而具有各种形状。在一实施例中，绝缘图案INP可以在基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出。并且，绝缘图案INP可以形成为具有相对于基板SUB以预定角度倾斜的倾斜表面。然而，不限于此，并且绝缘图案INP可以具有曲面形状或阶梯形状等的侧壁。作为一示例，绝缘图案INP可以具有半圆形或半椭圆形等的剖面。
绝缘图案INP可以执行形成预定的阶梯差的作用，使得发光元件LD可以在发光区域EMA内容易地对齐。根据实施例，绝缘图案INP可以是分隔壁。
根据实施例，在绝缘图案INP之上可以布置有对齐电极ELT的一部分。例如，绝缘图案INP可以包括第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2。第一电极ELT1可以布置在第一绝缘图案INP1之上，并且第二电极ELT2可以布置在第二绝缘图案INP2之上，据此，在绝缘图案INP之上可以形成反射壁。据此，从发光元件LD发出的光可以被再利用，从而可以改善显示装置DD的出光效率。
绝缘图案INP可以包括至少一种有机物质和/或无机物质。作为一示例，绝缘图案INP可以包括诸如丙烯酸树脂(acrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimides resin)、聚酯树脂(polyesters resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)等的有机物质。然而，不限于此，并且绝缘图案INP可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。
对齐电极ELT可以布置在第一绝缘反射层120或绝缘图案INP上。如上所述，对齐电极ELT的一部分可以布置在绝缘图案INP之上而形成反射壁。对齐电极ELT可以被供应用于使发光元件LD对齐的对齐信号，并且对齐电极ELT可以被供应用于使发光元件LD发出光的电信号。
根据实施例，对齐电极ELT可以布置在第一绝缘反射层120和第二绝缘反射层140之间。例如，对齐电极ELT的一表面可以与第一绝缘反射层120接触，并且对齐电极ELT的另一表面可以与第二绝缘反射层140接触。
根据实施例，对齐电极ELT可以包括第一电极ELT1和第二电极ELT2。
第一电极ELT1可以电连接到发光元件LD。第一电极ELT1可以通过形成在第二绝缘膜INS2的接触孔而电连接到第一接触电极CNE1。第一电极ELT1可以向发光元件LD提供阳极信号。
第二电极ELT2可以电连接到发光元件LD。第二电极ELT2可以通过形成在第二绝缘膜INS2的接触孔而电连接到第二接触电极CNE2。第二电极ELT2可以向发光元件LD提供阴极信号(例如，接地信号)。
根据实施例，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每一个的一表面可以与第一绝缘反射层120接触。根据实施例，第一电极ELT1和第二电极ELT2中的每一个的另一表面可以与第二绝缘反射层140接触。
第二绝缘反射层140可以布置在对齐电极ELT之上。例如，第二绝缘反射层140可以覆盖第一电极ELT1和第二电极ELT2。根据实施例，第二绝缘反射层140可以表示布置在对齐电极ELT之上的分布布拉格反射体。
第二绝缘反射层140可以与第一绝缘反射层120相比更远离基板SUB。第二绝缘反射层140可以与对齐电极ELT相比更远离基板SUB。第二绝缘反射层140的一表面的一部分可以与对齐电极ELT接触，并且第二绝缘反射层140的一表面的另一部分可以与第一绝缘反射层120接触。
根据实施例，当在平面中观察时，第一绝缘反射层120与第二绝缘反射层140彼此接触的区域可以与发光元件LD重叠。
根据实施例，第一绝缘反射层120和第二绝缘反射层140中的每一个可以是包括多个层的分布布拉格反射体。如上所述，通过提供第一绝缘反射层120及第二绝缘反射层140，可以改善显示装置DD的出光效率。与此同时，第一绝缘反射层120可以相比于对齐电极ELT布置在下部，并且布置在对齐电极ELT之上的第二绝缘反射层140可以被设计为不超过一厚度。据此，当为了使发光元件LD对齐而对齐电极ELT形成电场时，可以防止所形成的电场的强度降低(或失真)。在这种情况下，可以精确地控制发光元件LD的对齐工艺，结果，可以提高发光元件LD的对齐度。
结果，根据实施例，在提供分布布拉格反射体的技术效果的同时，可以不降低对齐电极ELT所形成的电场的强度。
堤BNK可以布置于第二绝缘反射层140之上。根据实施例，堤BNK可包括第一堤BNK1和第二堤BNK2。
第一堤BNK1可以布置于第二绝缘反射层140之上。根据实施例，当在平面中观察时，第一堤BNK1可以与发光区域EMA不重叠，并且可以与非发光区域NEA重叠。如前所述，第一堤BNK1可以沿基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)突出，从而第一堤BNK1可以限定开口部OPN，在开口部OPN可以形成有在供应发光元件LD的工艺中能够提供发光元件LD的空间。
第一堤BNK1可以包括丙烯酸树脂(acrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimidesresin)、聚酯树脂(polyesters resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)等有机物质。但是，不限于此，第一堤BNK1可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。
第二堤BNK2可以布置在第一堤BNK1之上。第二堤BNK2沿基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)突出，第二堤BNK2可限定开口部OPN，在开口部OPN可形成有提供颜色转换层CCL的空间。
第二堤BNK2可包括丙烯酸树脂(acrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺树脂(polyimidesresin)、聚酯树脂(polyesters resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfides resin)或苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)等有机物质。但是，不限于此，第二堤BNK2可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。
发光元件LD可以布置在第二绝缘反射层140之上。根据实施例，发光元件LD可以基于从第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2提供的电信号来发出光。
发光元件LD可以布置于第一堤BNK1所围绕的区域内。发光元件LD可以布置在第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2之间。
第三绝缘膜INS3可以布置在发光元件LD之上。第三绝缘膜INS3可以覆盖发光元件LD的活性层AL。
第三绝缘膜INS3可以暴露发光元件LD的至少一部分。例如，第三绝缘膜INS3可以不覆盖发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2，据此，发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2可以被暴露，并且可以分别电连接到第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
当在完成发光元件LD的对齐之后，在发光元件LD之上形成第三绝缘膜INS3的情况下，可以防止发光元件LD从对齐的位置脱离。
第三绝缘膜INS3可以利用单层或多层构成，可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。然而，本公开不限于上述示例。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以布置在第二绝缘反射层140上。第一接触电极CNE1可以与发光元件LD的第一端部EP1电连接。第二接触电极CNE2可以电连接到发光元件LD的第二端部EP2。
第一接触电极CNE1可以通过贯通第二绝缘反射层140的接触孔电连接到第一电极ELT1，并且第二接触电极CNE2可以通过贯通第二绝缘反射层140的接触孔电连接到第二电极ELT2。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以包括导电性物质。例如，第一接触电极CNE1及第二接触电极CNE2可以包括包含铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium Zinc Oxide)及铟锡锌氧化物(ITZO：Indium Tin Zinc Oxide)中的一种的透明导电性物质。据此，从发光元件LD发出的光可以通过第一接触电极CNE1及第二接触电极CNE2而向显示装置DD的外部发出。然而，本公开不限于上述示例。
根据实施例，在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的一个被图案化之后，剩余电极可以被图案化。然而，本公开不限于上述示例，并且第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2也可以在相同的工艺中在相同的时间点被图案化。
第四绝缘膜INS4可以布置在第二绝缘反射层140和第一接触电极CNE1上。第四绝缘膜INS4的至少一部分可以布置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2之间，据此可以防止第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的短路缺陷。
第五绝缘膜INS5可以布置在第四绝缘膜INS4和第二接触电极CNE2上。第五绝缘膜INS5可以保护显示元件层DPL的构成免受外部影响。
第四绝缘膜INS4及第五绝缘膜INS5可以利用单层或多层构成，可包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。
以下，参照图8对绝缘反射层100的详细结构进行说明。
图8是图7的EA1区域的示意性放大图。为了便于说明，在图8中省略了第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2、第三绝缘膜INS3以及第四绝缘膜INS4的图示。
参照图8，第一绝缘反射层120可以包括多个层。例如，第一绝缘反射层120可以包括第1_1层122和第1_2层124。形成第一绝缘反射层120的层的结构可以多样地变更，但是以下为了便于说明，以第一绝缘反射层120包括第1_1层122及第1_2层124的实施例为基准进行说明。
根据实施例，第一绝缘反射层120可以具有具有不同折射率的第1_1层122和第1_2层124交替排列的结构。例如，在第1_1层122之上可以布置有第1_2层124，并且在第1_2层124之上可以布置有第1_1层122。根据实施例，第1_2层124中的一部分可以布置在相邻的第1_1层122之间，并且第1_1层122中的一部分可以布置在相邻的第1_2层124之间。
根据实施例，第1_1层122及第1_2层124可包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)及钛氧化物(TiOx)中的一种。根据实施例，第1_1层122可包括硅氧化物(SiOx)，并且第1_2层124可包括硅氮化物(SiNx)。或者，第1_2层124可包括硅氧化物(SiOx)，并且第1_1层122可包括硅氮化物(SiNx)。然而，本公开不限于上述示例。
第二绝缘反射层140可以包括多个层。例如，第二绝缘反射层140可以包括第2_1层142和第2_2层144。虽然可以对形成第二绝缘反射层140的层的结构进行各种变更，但是以下为了便于说明，以第二绝缘反射层140包括第2_1层142及第2_2层144的实施例为基准进行说明。
根据实施例，第二绝缘反射层140可以具有具有不同折射率的第2_1层142和第2_2层144交替排列的结构。例如，在第2_1层142之上可以布置有第2_2层144，并且在第2_2层144之上可以布置有第2_1层142。根据实施例，第2_2层144中的一部分可以布置在相邻的第2_1层142之间，并且第2_1层142中的一部分可以布置在相邻的第2_2层144之间。
根据实施例，第2_1层142及第2_2层144可包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)及钛氧化物(TiOx)中的一种。根据实施例，第2_1层142可包括硅氧化物(SiOx)，并且第2_2层144可包括硅氮化物(SiNx)。或者，第2_2层144可包含硅氧化物(SiOx)，并且第2_1层142可包含硅氮化物(SiNx)。然而，本公开不限于上述示例。
第一绝缘反射层120及第二绝缘反射层140可以是构成为反射光的反射体。如前所述，根据实施例，第一绝缘反射层120及第二绝缘反射层140可以是分布布拉格反射体。
根据实施例，第一绝缘反射层120的包括具有彼此不同的折射率的层的对(pair)的数量可以为2个以上。这里，对可以表示两个不同层的对。例如，在第一绝缘反射层120中，一个第1_1层122和第1_2层124可以形成一个对。根据实施例，第一绝缘反射层120的对可以被称为第一对。
根据实施例，第二绝缘反射层140的包括具有彼此不同的折射率的层的对的数量可以是2个以下。根据实施例，第二绝缘反射层140的包括具有彼此不同的折射率的层的对的数量可以是1个。在第二绝缘反射层140中，一个第2_1层142和第2_2层144可以形成一个对。根据实施例，第二绝缘反射层140的总厚度可以是以下。或者，根据实施例，第二绝缘反射层140的总厚度可以是/>以下。然而，本公开不限于上述示例。根据实施例，第二绝缘反射层140的对可以被称为第二对。
根据实施例，当第一绝缘反射层120的对的数量和第二绝缘反射层140的对的数量之和是4个以上时，第二绝缘反射层140的对的数量可以是2个以下。在这种情况下，在充分确保绝缘反射层100对于发光元件LD的反射效率的同时，第二绝缘反射层140的数量可以被提供为预定水平以下，从而为了使发光元件LD对齐而可以防止由第一电极ELT1和第二电极ELT2形成的电场的强度失真。
接着，参照图9及图10，对包括颜色转换层CCL的像素PXL的其它结构进行说明。
图9是示出根据实施例的第一子像素至第三子像素的示意性剖面图。图10是示出根据实施例的子像素的示意性剖面图。
图9示出了颜色转换层CCL、光学层OPL和滤色器层CFL等。为了便于说明，在图9中省略了上述构成中的像素电路层PCL和显示元件层DPL中除第二堤BNK2之外的构成。图10示出了与颜色转换层CCL、光学层OPL和滤色器层CFL相关的像素PXL的堆叠结构。
参照图9及图10，第二堤BNK2布置于第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3之间或边界，可限定分别与第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3重叠的空间(或区域)。第二堤BNK2所限定的空间可以是能够提供颜色转换层CCL的区域。
颜色转换层CCL可以在被第二堤BNK2围绕的空间内布置于发光元件LD之上。颜色转换层CCL可以包括布置于第一子像素SPXL1的第一颜色转换层CCL1、布置于第二子像素SPXL2的第二颜色转换层CCL2以及布置于第三子像素SPXL3的散射层LSL。
在一实施例中，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3可以包括发出彼此相同颜色的光的发光元件LD。例如，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3可以包括发出第三颜色(或者，蓝色)的光的发光元件LD。在这种第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3之上分别布置有包括颜色转换粒子的颜色转换层CCL，从而能够显示全色图像。
第一颜色转换层CCL1可以包括将从发光元件LD发出的第三颜色的光转换成第一颜色的光的第一颜色转换颗粒。例如，第一颜色转换层CCL1可以包括分散于诸如基材树脂等预定基质材料内的多个第一量子点QD1。
在一实施例中，在发光元件LD为发出蓝色光的蓝色发光元件且第一子像素SPXL1为红色像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可包括将从所述蓝色发光元件发出的蓝色光转换为红色光的第一量子点QD1。第一量子点QD1可吸收蓝色光且根据能量转移使波长偏移来发出红色光。另外，在第一子像素SPXL1为其它颜色的像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可包括与第一子像素SPXL1的颜色对应的第一量子点QD1。
第二颜色转换层CCL2可以包括将从发光元件LD发出的第三颜色的光转换成第二颜色的光的第二颜色转换颗粒。例如，第二颜色转换层CCL2可包括分散于诸如基材树脂等的预定基质材料内的多个第二量子点QD2。
在一实施例中，在发光元件LD为发出蓝色光的蓝色发光元件且第二子像素SPXL2为绿色像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可包括将从所述蓝色发光元件发出的蓝色光转换为绿色光的第二量子点QD2。第二量子点QD2可吸收蓝色光且根据能量转移使波长偏移来发出绿色光。另外，在第二子像素SPXL2为其它颜色的像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括与第二子像素SPXL2的颜色对应的第二量子点QD2。
在一实施例中，可通过使在可见光区域中具有较短波长的蓝色光分别入射至第一量子点QD1及第二量子点QD2来增加第一量子点QD1及第二量子点QD2的吸收系数。据此，最终提高从第一子像素SPXL1及第二子像素SPXL2发出的光效率的同时，能够确保优异的颜色再现性。并且，利用相同颜色的发光元件LD(作为一示例，蓝色发光元件)构成第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3的发光单元EMU，从而能够提高显示装置DD的制造效率。
可以配备散射层LSL以有效地利用从发光元件LD发出的第三颜色(或蓝色)的光。作为一示例，在发光元件LD为发出蓝色光的蓝色发光元件且第三子像素SPXL3为蓝色像素的情况下，为了有效地利用从发光元件LD发出的光，散射层LSL可以包括至少一种散射体SCT。作为一示例，散射层LSL的散射体SCT可包括硫酸钡(BaSO4)、碳酸钙(CaCO3)、氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)及氧化锌(ZnO)中的至少一种。另外，散射体SCT并非仅布置于第三子像素SPXL3，也可以选择性地包含于第一颜色转换层CCL1或第二颜色转换层CCL2的内部。根据实施例，也可以提供省略散射体SCT而利用透明聚合物构成的散射层LSL。
在颜色转换层CCL之上可以布置有第一覆盖层CPL1。第一覆盖层CPL1可以遍及第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3而设置。第一覆盖层CPL1可以覆盖颜色转换层CCL。第一覆盖层CPL1可以防止诸如水分或空气等的杂质从外部渗透以损坏或污染颜色转换层CCL。
第一覆盖层CPL1是无机层，并且可以包括硅氮化物(SiNx)、铝氮化物(AlNx)、钛氮化物(TiNx)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlOx)、钛氧化物(TiOx)、硅碳氧化物(SiOxCy)或硅氮氧化物(SiOxNy)等而构成。
在第一覆盖层CPL1之上可布置有光学层OPL。光学层OPL可以起到通过使从颜色转换层CCL提供的光全反射来将其再利用，从而提高光提取效率的作用。为此，光学层OPL可以具有比颜色转换层CCL相对低的折射率。例如，颜色转换层CCL的折射率可以在约1.6至2.0，并且光学层OPL的折射率可以在约1.1至1.3。
在光学层OPL之上可以布置有第二覆盖层CPL2。第二覆盖层CPL2可以遍及第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3而布置。第二覆盖层CPL2可以覆盖光学层OPL。第二覆盖层CPL2可以防止诸如水分或空气等的杂质从外部渗透而损坏或污染光学层OPL。
第二覆盖层CPL2可以是无机层，并且可以包括硅氮化物(SiNx)、铝氮化物(AlNx)、钛氮化物(TiNx)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlOx)、钛氧化物(TiOx)、硅碳氧化物(SiOxCy)或硅氮氧化物(SiOxNy)而构成。
在第二覆盖层CPL2之上可以布置有平坦化层PLL。平坦化层PLL可以遍及第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3而布置。
平坦化层PLL可以包括丙烯酸树脂(acrylic resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)、聚酰亚胺树脂(polyimideresin)、聚酯树脂(polyester resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfide resin)或苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)等有机物质。然而，并不一定限定于此，并且平坦化层PLL可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。
在平坦化层PLL上可以布置有滤色器层CFL。滤色器层CFL可以包括符合每一个像素PXL的颜色的滤色器CF1、CF2、CF3。通过布置与第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3的颜色分别符合的滤色器CF1、CF2、CF3，从而能够显示全色的图像。
滤色器层CFL可以包括布置于第一子像素SPXL1而使从第一子像素SPXL1发出的光选择性地透射的第一滤色器CF1、布置于第二子像素SPXL2而使从第二子像素SPXL2发出的光选择性地透射的第二滤色器CF2以及布置于第三子像素SPXL3而使从第三子像素SPXL3发出的光选择性地透射的第三滤色器CF3。
在一实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3可以分别为红色滤色器、绿色滤色器及蓝色滤色器，但并不一定限定于此。以下，当指示第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3中的任意滤色器或统称两种以上的滤色器时，称为“滤色器CF”或“多个滤色器CF”。
第一滤色器CF1可以在基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与第一颜色转换层CCL1重叠。第一滤色器CF1可以包括选择性地透射第一颜色(或红色)的光的滤色器物质。例如，当第一子像素SPXL1为红色像素时，第一滤色器CF1可以包括红色滤色器物质。
第二滤色器CF2可以在基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与第二颜色转换层CCL2重叠。第二滤色器CF2可以包括选择性地透射第二颜色(或绿色)的光的滤色器物质。例如，当第二子像素SPXL2为绿色像素时，第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器物质。
第三滤色器CF3可以在基板SUB的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与散射层LSL重叠。第三滤色器CF3可以包括选择性地透射第三颜色(或蓝色)的光的滤色器物质。例如，当第三子像素SPXL3为蓝色像素时，第三滤色器CF3可包括蓝色滤色器物质。
根据实施例，在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间还可以布置有阻光层BM，如此，在阻光层BM形成于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间的情况下，可以防止从显示装置DD的正面或侧面识别的混色不良。阻光层BM的物质没有特别限制，并且可以利用各种阻光物质构成。作为一示例，阻光层BM可以包括黑色矩阵，或者可以通过彼此堆叠第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3来实现。
在滤色器层CFL之上可以布置有外涂层OC。外涂层OC可以遍及第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3而布置。外涂层OC可以覆盖包括滤色器层CFL在内的下部部件。外涂层OC可以防止水分或空气渗透到上述的下部部件。并且，外涂层OC可以保护上述的下部部件免受诸如灰尘之类的异物的影响。
外涂层OC可以包括诸如丙烯酸树脂(acrylic resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)、聚酰亚胺树脂(polyimideresin)、聚酯树脂(polyester resin)、聚苯硫醚树脂(polyphenylenesulfide resin)或苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)等有机物质。然而，并不限与此，外涂层OC可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)或钛氧化物(TiOx)在内的各种无机物质。
外膜层OFL可以布置在外涂层OC之上。外膜层OFL可以布置在显示装置DD的外廓以减少外部影响。外膜层OFL可以遍及第一子像素SPXL1第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3而布置。根据实施例，外膜层OFL可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethyleneterephthalate)膜、低反射膜、偏光膜和透射率控制膜(transmittancecontrollable film)中的一种，但并不一定限定于此。根据实施例，像素PXL也可以包括上部基板而不是外膜层OFL。
接着，参照图11及图12，对根据第二实施例的子像素SPXL的结构进行说明。对于与上述内容可能重复的内容，将简化或不再重复说明。
图11是示出根据实施例的子像素的示意性剖面图。图12是图11的EA2区域的示意性放大图。
根据第二实施例的子像素SPXL与根据第一实施例的子像素SPXL的不同之处在于，布置于发光元件LD的背面上的第二绝缘膜INS2(例如，与第一实施例的第二绝缘反射层140的位置对应的层)形成为单层。
参照图11及图12，绝缘反射层100可以布置于保护膜PSV之上。绝缘反射层100可以包括第一层162和第二层164。与上述类似地，第一层162和第二层164可以具有彼此不同的折射率，据此，绝缘反射层100可以是分布布拉格反射体。
根据实施例，第一层162和第二层164可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。根据实施例，第一层162可以包括硅氧化物(SiOx)，并且第二层164可以包括硅氮化物(SiNx)。或者，第二层164可以包括硅氧化物(SiOx)，并且第一层162可以包括硅氮化物(SiNx)。然而，本公开不限于上述示例。
另外，绝缘反射层100的对的数量可以是4个以上。这里，所述对可以表示由第一层162和第二层164形成的一对。即，根据实施例，绝缘反射层100的所述对的数量以预定基准来提供，从而能够确保发光元件LD的发光效率。在本实施例中，由于布置在对齐电极ELT之上的第二绝缘膜INS2具有单层结构，因此对齐电极ELT所形成的电场的强度显然不会失真。
根据实施例，在第一电极ELT1和第二电极ELT2之上可以布置有第二绝缘膜INS2。根据实施例，第二绝缘膜INS2可以具有单层的结构。例如，第二绝缘膜INS2可以形成为单层，并且可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)和钛氧化物(TiOx)中的一种。
根据实施例，第二绝缘膜INS2的折射率和作为绝缘反射层100的层且与第二绝缘膜INS2最相邻的层的折射率可以彼此不同。例如，参照图12，当在平面中观察时，第二层164可以与第二绝缘膜INS2重叠，并且可以与第二绝缘膜INS2接触。据此，与第二绝缘膜INS2相邻的第二层164和第二绝缘膜INS2可以形成分布布拉格反射体的一对，同样地，可以构成为反射从发光元件LD发出的光。
根据本实施例，布置于对齐电极ELT之上的第二绝缘膜INS2的层的数量提供为比第一实施例少，从而能够防止对齐电极ELT所形成的电场的强度降低，据此，能够更加精密地实现发光元件LD的对齐。进而，第二绝缘膜INS2显然也形成绝缘反射层100的一部分层和分布布拉格反射体的一对，从而形成反射层。
在下文中，将参照图13至图18对根据实施例的显示装置的制造方法进行说明。对于与上述内容可能重复的内容，将简化或不再重复说明。
图13是示出根据实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图14至图18是示意性地示出根据实施例的显示装置的制造方法的按工艺步骤(phase)(或动作(act))的剖面图。图14至图18可以主要示出参照图7描述的剖面结构。在图14至图18中，为了便于说明，省略了像素电路层PCL的详细构成的图示。
参照图13，根据实施例的显示装置DD的制造方法可以包括：在基板之上提供第一绝缘反射层的步骤S120、提供对齐电极的步骤S140、在对齐电极之上提供第二绝缘反射层的步骤S160、提供墨的步骤S180以及使发光元件对齐的步骤S190。以下描述的个别构成(例如，绝缘反射层100、对齐电极ELT等)通常可以通过执行利用掩模的工艺(例如，光刻(photolithography)工艺等)来对导电层(或金属层)、无机物或有机物等进行图案化而形成。
参照图13及图14，在基板之上提供第一绝缘反射层的步骤S120中，可以在基板SUB之上布置像素电路层PCL，并在像素电路层PCL之上布置第一绝缘反射层120。为了便于说明，图14中示出了第一绝缘反射层120分别包括两个第1_1层122和第1_2层124的实施例。
在本步骤中，第一绝缘反射层120可以形成(或图案化)于像素电路层PCL之上。例如，可以通过重复执行形成第1_1层122的步骤和形成第1_2层124的步骤来形成(或提供)第一绝缘反射层120。第1_1层122和第1_2层124可以沿基板SUB的厚度方向交替堆叠。据此，在像素电路层PCL之上可以形成分布布拉格反射体。例如，第1_1层122和第1_2层124可以形成第一对。
根据实施例，第1_1层122可以包含硅氧化物(SiOx)，并且第1_2层124可以包含硅氮化物(SiNx)。或者，第1_2层124可以包含硅氧化物(SiOx)，并且第1_1层122可以包含硅氮化物(SiNx)。然而，本公开不限于上述示例。
参照图13及图15，在提供对齐电极的步骤S140中，可以在第一绝缘反射层120之上形成绝缘图案INP，并形成(或沉积)对齐电极ELT。
在本步骤中，第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2可以被图案化而形成可以布置对齐电极ELT的表面。
在本步骤中，对齐电极ELT可以设置在第一绝缘反射层120之上，对齐电极ELT的一部分可以与第一绝缘反射层120接触。
在本步骤中，虽然未单独示出于附图中，但是在将基材电极沉积在像素电路层PCL之上之后，可以通过蚀刻所述基材电极的一部分来图案化第一电极ELT1和第二电极ELT2。例如，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以被图案化为彼此隔开。
另外，在沉积所述基材电极之前，可以将用于形成第一接触部CNT1及第二接触部CNT2的孔形成在第二层间绝缘膜ILD2、保护膜PSV及第一绝缘反射层120。据此，可以提供连接到第一电极ELT1的第一接触部CNT1和连接到第二电极ELT2的第二接触部CNT2。
在本步骤中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以形成为分别覆盖第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2。据此，在本步骤中，第一电极ELT1和第二电极ELT2的至少一部分可以提供为反射壁。
参照图13和图16，在对齐电极之上提供第二绝缘反射层的步骤S160中，可以在对齐电极ELT之上布置第二绝缘反射层140。为了便于说明，图16中示出了第二绝缘反射层140分别包括两个第2_1层142及第2_2层144的实施例。
在本步骤中，第二绝缘反射层140可以形成(或图案化)在第一电极ELT1及第二电极ELT2上。例如，可以通过重复执行形成第2_1层142的步骤和形成第2_2层144的步骤来形成(或提供)第二绝缘反射层140。第2_1层142和第2_2层144可以沿基板SUB的厚度方向交替堆叠。据此，在对齐电极ELT之上可以形成分布布拉格反射体。例如，第2_1层142和第2_2层144可以形成第二对。
根据实施例，第2_1层142可以是硅氧化物(SiOx)，并且第2_2层144可以是硅氮化物(SiNx)。或者，第2_2层144可以是硅氧化物(SiOx)，并且第2_1层142可以是硅氮化物(SiNx)。然而，本公开不限于上述示例。
另外，根据第二实施例的子像素SPXL的制造工艺中，为了形成第二绝缘反射层140，可以布置单一的绝缘层而不交替地形成第2_1层142和第2_2层144。据此，在对齐电极ELT之上可以布置有具有单层结构的第二绝缘膜INS2。
在本步骤中，第二绝缘反射层140可以设置在对齐电极ELT之上并与对齐电极ELT接触。
根据实施例，在本步骤中，第二绝缘反射层140的一部分可以形成(或图案化)于第一绝缘反射层120之上。
另外，根据实施例，在为了提供根据第二实施例的子像素SPXL而形成具有单层结构的第二绝缘膜INS2而不是第二绝缘反射层140的情况下，第二绝缘膜INS2的物质和作为第一绝缘反射层120的层且与第二绝缘膜INS2相邻的层的物质可以彼此不同。据此，第一绝缘反射层120的一部分层和第二绝缘膜INS2可以形成用于形成分布布拉格反射体的一对。
参照图13及图17，在提供墨的步骤S180中，可以向基板SUB(或第二绝缘反射层140)之上供应(或喷射)墨INK。墨INK可以由构成为喷射流体的打印装置700提供。根据实施例，打印装置700包括能够喷射流体的喷嘴710，从而能够向外部排出墨INK。
根据实施例，墨INK可以是可以由打印装置700排出的液体混合物。例如，墨INK可以包括发光元件LD和溶剂SLV。根据实施例，发光元件LD相对于墨INK可以包含预定范围的固体成分。根据实施例，溶剂SLV可以具有流动性性质，据此发光元件LD可以分散在溶剂SLV中。溶剂SLV可以表示使发光元件LD分散而配备的流体物质，而不是固相(solid phase)。根据实施例，溶剂SLV可包括有机溶剂。例如，溶剂SLV可以是丙二醇乙酸甲酯(PGMEA：Propylene Glycol Methyl Ether Acetate)、二丙二醇正丙醚(DGPE：Dipropylen Glycoln-Propyl Ether)和三乙二醇正丁醚(TGBE：Triethylene Gylcol n-Butyl Ether)中的一种。然而，本公开并不限于上述示例，溶剂SLV可以包括多种有机溶剂。
在提供墨的步骤S180中，墨INK可以容纳在由第一堤BNK1限定的空间中。根据实施例，包括在墨INK中的发光元件LD可以随机地布置在第一绝缘膜INS1之上。例如，发光元件LD可以随机地布置在第二绝缘反射层140之上。
参照图13以及图18，在使发光元件对齐的步骤S190中，发光元件LD可以在第二绝缘反射层140上对齐(或者布置)。
在使发光元件对齐的步骤S190中，发光元件LD可以将第二绝缘反射层140置于其之间而布置于对齐电极ELT之上。发光元件LD可以布置在第一电极ELT1和第二电极ELT2之间。
在使发光元件对齐的步骤S190中，第一电极ELT1和第二电极ELT2可以被提供对齐信号。例如，可以基于提供给第一电极ELT1和第二电极ELT2的对齐信号来形成电场，并且发光元件LD可以通过基于所述电场的DEP力而移动(或旋转)，从而布置于一位置处。根据实施例，所述对齐信号可以是交流信号。所述交流信号可以是正弦波、三角波、阶梯波、矩形波、梯形波和脉冲波中的一种，但不限于此，并且可以具有公知的各种交流信号形态。
根据实施例，发光元件LD可以基于由对齐电极ELT形成的电场而移动。根据实施例，所述电场可以形成在第二绝缘反射层140之上。此时，为了使发光元件LD精密地对齐，需要形成充分强度的电场。根据与此相关的实施例，绝缘反射层100的一部分相比于对齐电极ELT而布置于下部，从而在改善发光元件LD的发光效率(或者显示装置DD的出光效率)的同时，可以防止用于使发光元件LD对齐的电场的强度过度降低。据此，根据实施例，可以提供发光元件LD的对齐度得到改善的同时发光元件LD的发光效率得到提高的显示装置DD。
另外，虽然未在单独的附图中示出，但是溶剂SLV可以被去除，之后，可以形成第三绝缘膜INS3、第一接触电极CNE1、第二接触电极CNE2、第四绝缘膜INS4、第五绝缘膜INS5以及第二堤BNK2，从而提供根据实施例的显示元件层DPL。此外，可以通过提供颜色转换层CCL和滤色器层CFL等来制造根据实施例的显示装置DD。
以上，参照本公开的优选实施例进行了说明，但只要是本技术领域的普通技术人员或本技术领域的具有普通知识的技术人员就可以理解，在不脱离权利要求书中记载的本公开的思想及技术领域的范围内，可对本公开进行多种修改及变更。
因此，本发明的技术范围并不限定于说明书的详细说明中记载的内容，而应由权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
第一绝缘反射层，布置于基板之上；
第一电极和第二电极，布置于所述第一绝缘反射层之上；
第二绝缘反射层，布置于所述第一电极和所述第二电极之上；以及
发光元件，布置于所述第二绝缘反射层之上，
其中，所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层是分布布拉格反射体。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘反射层相比于所述第一电极和所述第二电极更接近所述基板，
所述第二绝缘反射层相比于所述第一电极和所述第二电极更远离所述基板。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电极和所述第二电极中的每一个的一表面与所述第一绝缘反射层接触，
所述第一电极和所述第二电极中的每一个的另一表面与所述第二绝缘反射层接触。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层彼此接触，
在平面中观察时，所述第一绝缘反射层与所述第二绝缘反射层彼此接触的区域与所述发光元件重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
过孔层，布置于所述基板与所述第一绝缘反射层之间，
其中，所述第一绝缘反射层布置于所述过孔层之上，
所述第一绝缘反射层的厚度小于所述过孔层的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二绝缘反射层的厚度是以下。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘反射层包括第1_1层和第1_2层且具有所述第1_1层和所述第1_2层交替布置的结构，所述第1_1层和所述第1_2层形成第一对，
所述第二绝缘反射层包括第2_1层和第2_2层且具有所述第2_1层和所述第2_2层交替布置的结构，所述第2_1层和所述第2_2层形成第二对，
其中，所述第一对的数量与所述第二对的数量之和是4个以上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第二对的数量是2个以下。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、铝氧化物和钛氧化物中的一种。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘反射层包括第1_1层和第1_2层且具有所述第1_1层和所述第1_2层交替布置的结构，
所述第二绝缘反射层包括第2_1层和第2_2层且具有所述第2_1层和所述第2_2层交替布置的结构，
所述第1_1层包括硅氧化物，
所述第1_2层包括硅氮化物，
所述第2_1层包括硅氧化物，
所述第2_2层包括硅氮化物。
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