CN116469448A - 一种闪存颗粒的筛选方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种闪存颗粒筛选方法和装置,其中方法包括:对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各待测试闪存颗粒在第一预设温度下的各筛选参数的第一参数值,以及获取各目标闪存颗粒在第二预设温度下各筛选参数的第二参数值;基于各筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各筛选参数对应的评分权重值;至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;基于各闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。本申请中的闪存颗粒的筛选方法可以使筛选结果更加准确。
Description
技术领域
本申请涉及闪存分析技术领域,特别涉及一种闪存颗粒的筛选评分方法和装置。
背景技术
存储芯片的生产流程为,硅晶棒切割打磨成晶圆,然后晶圆经过光刻和蚀刻成若干片Die(Die是指从晶圆上切割出来的一块具有完整功能的芯片),经过晶圆针测后,将切割下来的Die进行初步检测分类。原厂会将测试合格的Die进行封装并打上自己的商标,这便是原厂颗粒,简单理解就是经过精挑细选的高品质颗粒,而没有通过检测的便是降级颗粒。由于在芯片生产过程中不可避免的有不合格颗粒产生,并且从这些不合格的颗粒中还能进行筛选检测出能够正常使用的颗粒,因此一般存储原厂会将这些颗粒流到下游封装厂进行加工、回收利用。
原厂芯片的规格单一,经过筛选后的宽温颗粒量少而且价格高昂;市场上流通的存储芯片品质不一;不同应用方案的厂商无法有效的对筛选符合需要的工规、军规、车规、航天应用的闪存芯片。如果制成成品再去筛选,通过率低,损耗成本巨大。
传统方法筛选时,都是在恒定温度(高温85℃或者低温-10℃)下进行读写操作来鉴别颗粒等级,高低温的测试是分开的,或者单一温度(高温或者低温)来做测试筛选,不够全面,以往的筛选方法只考虑了颗粒本身的参数范围,没有参照成品的工作要求反馈,所以结果不够全面和准确。因此亟需一种闪存颗粒的筛选评分方法以解决上述问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种闪存颗粒的筛选方法和装置,主要目的在于解决目前存在闪存颗粒筛选不够全面,不准确的问题。
为解决上述问题,本申请提供一种闪存颗粒的筛选方法,包括:
对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
可选的,在对各待测试目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试之前,所述方法还包括:获取各所述待测试目标闪存颗粒,具体包括:
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值;
基于各所述初始闪存颗粒的各筛选参数的初始参数值,对各所述初始闪存颗粒进行筛选,获得各所述待测试的目标闪存颗粒。
可选的,所述在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值,具体包括:
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获取各所述初始闪存颗粒的各基本参数初始参数值;
基于所述各基本参数的初始参数值,计算获取各筛选参数的初始参数值;
所述各基本参数包括如下任意一种或几种:错误比特数、块擦写时间和页编程时间;
所述筛选参数包括如下任意一种或几种:误码率、坏块数、剩余可用容量、平均块擦写时间和平均页编程时间。
可选的,所述第一预设温度范围为:70℃≤第一预设温度≤85℃,所述第二预设温度范围为:-40℃≤第二预设温度≤-20℃。
可选的,所述基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值,所述方法还包括:建立所述筛选参数与评分权重值的对应关系,具体建立过程包括:
在目标预设温度下对各历史初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、筛选参数的初始目标参数值;
基于所述各历史初始闪存颗粒的各筛选参数的初始目标参数值对所述历史初始闪存颗粒进行筛选,获取各历史闪存颗粒;
对各历史闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各历史闪存颗粒在所述第一预设温度下的各筛选参数的第一目标参数值,以及获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值;
基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒;
基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,建立所述筛选参数与评分权重值对应关系。
可选的,所述基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,包括:
在目标预设温度下对各历史闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史闪存颗粒在所述目标预设温度下的、目标筛选参数的初始目标参数值;
基于各历史闪存颗粒对应的所述目标筛选参数的第一目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值;
基于各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的各筛选参数的第二温度性能波动值;
基于各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值和目标筛选参数的第二温度性能波动值对各历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒。
可选的,所述基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,包括:
基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒制作成成品;
对所述各成品进行第一预设温度模拟测试和第二预设温度模拟测试,筛选得到各目标成品,以获得与各目标成品对应的历史待测试闪存颗粒;
基于各所述历史待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值,和各筛选参数的第二温度性能波动值,计算得到与各目标成品对应的各筛选参数的第一评分值;
基于所述各筛选参数的第一评分值,获取与所述各筛选参数对应的权重值。
可选的,所述基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值,包括:
基于各待测试闪存颗粒的所述各筛选参数的第一参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值;
基于各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各所述筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值;
基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值。
可选的,所述基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值,包括:
当筛选评分值小于或者等于第一阈值时,获得筛选合格的闪存颗粒;
当筛选评分值大于第一阈值时,获得筛选不合格的闪存颗粒;
为解决上述技术问题,本申请提供一种闪存颗粒筛选装置,包括:
获取模块:用于对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
匹配模块:用于基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
计算模块:用于至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
筛选模块:用于基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
本申请基于闪存颗粒在高温、低温和常温三种环境温度下对闪存颗粒进行读写擦等操作,获取不同环境温度下各闪存颗粒的筛选参数的数值,通过确定高温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及确定低温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及评分权重值来确定闪存颗粒的筛选评分值,通过闪存颗粒的筛选评分值来对闪存颗粒进行筛选,以得到合格的闪存颗粒或者不合格的闪存颗粒,且在高温、常温、低温三种环境下对闪存颗粒进行测试,测试过程更加全面,能够使得闪存颗粒的筛选更加精准。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本申请实施例一种闪存颗粒筛选方法的流程图;
图2为本申请又一实施例一种闪存颗粒筛选方法的流程图。
具体实施方式
此处参考附图描述本申请的各种方案以及特征。
应理解的是,可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此,上述说明书不应该视为限制,而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本申请的范围和精神内的其他修改。
包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例,并且与上面给出的对本申请的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本申请的原理。
通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述,本申请的这些和其它特性将会变得显而易见。
还应当理解,尽管已经参照一些具体实例对本申请进行了描述,但本领域技术人员能够确定地实现本申请的很多其它等效形式。
当结合附图时,鉴于以下详细说明,本申请的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。
此后参照附图描述本申请的具体实施例;然而,应当理解,所申请的实施例仅仅是本申请的实例,其可采用多种方式实施。熟知和/或重复的功能和结构并未详细描述以避免不必要或多余的细节使得本申请模糊不清。因此,本文所申请的具体的结构性和功能性细节并非意在限定,而是仅仅作为权利要求的基础和代表性基础用于教导本领域技术人员以实质上任意合适的详细结构多样地使用本申请。
本说明书可使用词组“在一种实施例中”、“在另一个实施例中”、“在又一实施例中”或“在其他实施例中”,其均可指代根据本申请的相同或不同实施例中的一个或多个。
本申请实施例提供一种闪存颗粒的筛选方法,具体可以用于商业、工业和军工等闪存颗粒的筛选,如图1所示,本实施例中的筛选方法包括如下步骤:
步骤S101,对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
本步骤在具体实施过程中,首先将各待测试的目标闪存颗粒在第一预设温度下进行全盘随机字符串擦、写、读操作,获取得到在第一预设温度下的各基本参数的第一参数值,所述基本参数包括错误比特数,块擦写时间,页编程时间等参数,然后基于各基本参数的第一参数值通过计算获得所述各筛选参数的第一参数值,所述筛选参数包括误码率、坏块数、剩余可用容量、平均块擦写时间、平均页编程时间等参数。其次,将各待测试的目标闪存颗粒在第二预设温度下进行全盘随机字符串擦、写、读操作,获取得到在第二预设温度下的各基本参数的第二参数值,通过计算获得所述目标闪存颗粒在第二预设温度下的各筛选参数的第二参数值。所述第一预设温度下测试过程和第二预设温度下的测试过程不分先后顺序,先后顺序改变不会对测试结果造成影响。其中第一预设温度为高温,第二预设温度为低温;或者,第一预设温度为低温,第二预设温度为高温。
步骤S102,基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
本步骤在具体实施过程中,评分权重值是通过多次筛选总结得到的评分权重值,具体操作步骤为:首先,对各历史闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各历史闪存颗粒在所述第一预设温度下的各筛选参数的第一目标参数值,以及获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值;其次,基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒;再次,基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,建立所述筛选参数与评分权重值对应关系。
步骤S103,至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
本步骤在具体实施过程中,首先基于各待测试闪存颗粒的所述各筛选参数的第一参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值;其次基于各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各所述筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值;最后基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值。其中,目标预设温度具体是指室温或常温。
步骤S104,基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
本步骤在具体实施过程中,当筛选评分值小于或者等于第一阈值时,获得筛选合格的闪存颗粒;当筛选评分值大于第一阈值时,获得筛选不合格的闪存颗粒;例如基于TLC(SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型)品类的闪存颗粒,当此品类的历史初始闪存颗粒用于A品牌时所述第一阈值可以为0.005,其可以根据实际需要设定。
本申请基于闪存颗粒在高温、低温和常温三种环境温度下对闪存颗粒进行读写擦等操作,获取不同环境温度下各闪存颗粒的筛选参数的数值,通过确定高温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及确定低温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及评分权重值来确定闪存颗粒的筛选评分值,通过闪存颗粒的筛选评分值来对闪存颗粒进行筛选,以得到合格的闪存颗粒或者不合格的闪存颗粒,且在高温、常温、低温三种环境下对闪存颗粒进行测试,测试过程更加全面,能够使得闪存颗粒的筛选更加精准。
本申请又一实施例提供一种闪存颗粒的筛选方法,如图2所示,包括如下步骤:
步骤S201:建立各筛选参数与评分权重值的对应关系;
本步骤在实施过程中,具体可以包括如下步骤:
步骤S2011:在目标预设温度下对各历史初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、筛选参数的初始目标参数值;
将历史初始闪存颗粒在目标预设温度下进行擦、写、读操作,获得各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各基本参数的历史参数值,基于各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各基本参数的历史参数值,计算获取各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、筛选参数的初始目标参数值。例如;当有10个历史初始闪存颗粒,经过目标预设温度下擦、写、读操作后获取到这10个历史闪存颗粒的基本参数的历史参数值,基于这10个历史闪存颗粒的基本参数的历史参数值计算获得各历史闪存颗粒的筛选参数的初始目标参数值,当筛选参数为坏块数时,这10个初始闪存颗粒的坏块数数值分别记作Bn1、Bn2、Bn3...Bn10;当筛选参数为误码率时,这10个筛选参数的误码率数值分别记作Wn1、Wn2、Wn3...Wn10;当筛选参数为平均页编程时间时,这10个筛选参数的平均页编程时间数值分别记作Tnp1、Tnp2、Tnp3...Tnp10;当筛选参数为平均块擦除时间时,这10个筛选参数的平均块擦除时间数值分别记作Tne1、Tne2、Tne3...Tne10;当筛选参数为剩余可用容量时,这10个筛选参数的剩余可用容量数值分别记作Cn1、Cn2、Cn3...Cn10;当筛选参数为剩余寿命时,这10个筛选参数的剩余寿命数值分别记作L1、L2、L3...L10。
步骤S2012:基于所述各历史初始闪存颗粒的各筛选参数的初始目标参数值对所述历史初始闪存颗粒进行筛选,获取各历史闪存颗粒;
此步骤在具体实施过程中,例如:基于TLC(SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型)品类的闪存颗粒,当此品类的历史初始闪存颗粒用于B品牌时,对此品类的历史初始闪存颗粒进行筛选时,当各所述历史初始闪存颗粒的剩余可用容量Cn大于等于该颗粒总容量的95%以上,并且误码率小于等于0.039%,其剩余寿命L大于等于5000次,此时满足上述条件的历史初始闪存颗粒为筛选合格的闪存颗粒,即得到各所述历史闪存颗粒。例如:基于步骤S2011中的10个闪存颗粒,当满足上述条件的历史初始闪存颗粒只有第一个到第六个满足,而第七个到第十个历史闪存颗粒不满足条件,此时通过筛选获得了6个满足条件要求的历史初始闪存颗粒,即获得了6个历史闪存颗粒,后续会对这6个历史闪存颗粒进行分级,为后续的获得评分权重值做准备。
步骤S2013:对各历史闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各历史闪存颗粒在所述第一预设温度下的各筛选参数的第一目标参数值,以及获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值;
本步骤在具体实施过程中先对各历史闪存颗粒在第一预设温度下进行擦、写、读操作后得到,获取各历史闪存颗粒在所述第一预设温度下的各筛选参数的第一目标参数值,例如:如上所述的6个闪存颗粒,筛选参数是坏块数时,这6个历史闪存颗粒的坏块数数值分别记作:Bh1、Bh2、Bh3...Bh6;当筛选参数为误码率时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数的误码率数值分别记作Wh1、Wh2、Wh3...Wh6;当筛选参数为平均页编程时间时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数的平均页编程时间数值分别记作Thp1、Thp2、Thp3...Thp6;当筛选参数为平均块擦除时间时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数为平均块擦除时间的数值分别记作The1、The2、The3...The6;当筛选参数为剩余可用容量时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数为剩余可用容量时的数值分别记作Ch1、Ch2、Ch3...Cn6;当筛选参数为剩余寿命时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数为剩余寿命时的数值分别记作Lh1、Lh2、Lh3...Lh10。所述以及获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值,在具体实施过程中,通过对各历史闪存颗粒在第二预设温度下进行擦、写、读操作后得到,获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值。例如,如上所述的6个闪存颗粒,筛选参数是坏块数时,这6个历史闪存颗粒的坏块数数值分别记作:Bl1、Bl2、Bl3...Bl6;当筛选参数为误码率时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数的误码率数值分别记作Wl1、Wl2、Wl3...Wl6;当筛选参数为平均页编程时间时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数的平均页编程时间数值分别记作Tlp1、Tlp2、Tlp3...Tlp6;当筛选参数为平均块擦除时间时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数为平均块擦除时间的数值分别记作Tle1、Tle2、Tle3...Tle6;当筛选参数为剩余可用容量时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数为剩余可用容量时的数值分别记作Cl1、Cl2、Cl3...Cl6;当筛选参数为剩余寿命时,这6个历史闪存颗粒的筛选参数为剩余寿命时的数值分别记作Ll1、Ll2、Ll3...Ll10。其中第一预设温度为高温条件下,具体温度范围为:70℃≤第一预设温度≤85℃,具体根据所要筛选的闪存颗粒的具体应用中的高温极限值来确定第一预设温度的取值,工业上应用的闪存颗粒的高温极限值一般为70℃,对工业应用的闪存颗粒进行筛选时,可以设置第一预设温度为70℃,军用的闪存颗粒的高温极限值一般为85℃,对军用的闪存颗粒进行筛选时,可以设置第一预设温度为85℃。第二预设温度为低温条件下,具体温度范围为:-40℃≤第二预设温度≤-20℃,工业上应用的闪存颗粒的低温极限值一般为-20℃,对工业应用的闪存颗粒进行筛选时,可以设置第二预设温度为-20℃,军用的闪存颗粒的高温极限值一般为-40℃,对军用的闪存颗粒进行筛选时,可以设置第二预设温度为-40℃。所述第一预设温度下测试过程和第二预设温度下的测试过程不分先后顺序,先后顺序改变不会对测试结果造成影响。其中第一预设温度为高温,第二预设温度为低温;或者,第一预设温度为低温,第二预设温度为高温。
步骤S2014:基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒;
此步骤在具体实施过程中,首先先确定目标筛选参数,目标筛选参数至少包括各筛选参数中的一个或多个,即目标筛选参数包括如下任意一种或几种:误码率、坏块数、剩余可用容量、平均块擦写时间、平均页编程时间等筛选参数,可以基于坏块数一个目标筛选参数,也可以基于是多个目标筛选参数。例如:目标筛选参数为坏块数时,对如上所述的6个历史闪存颗粒进行分级,分级过程为:首先基于各历史闪存颗粒对应的所述目标筛选参数的第一目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值,以其中的第一个历史闪存颗粒为例进行说明如下:第一个历史闪存颗粒坏块数的第一温度性能波动值为h11=ΙBh1-Bn1Ι。同理计算得到剩余历史颗粒的第一温度性能波动值分别记作h21、h31、h41、h51。其次,基于各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的各筛选参数的第二温度性能波动值。以其中的第一个历史闪存颗粒为例进行说明如下:第一个历史闪存颗粒坏块数的第二温度性能波动值为l11=ΙBL1-Bl1Ι。同理计算得到剩余历史颗粒的第一温度性能波动值分别记作l21、l31、l41、l51。最后基于各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值和目标筛选参数的第二温度性能波动值对各历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒。此步骤具体是先计算各历史闪存颗粒的第一温度性能波动值与各历史闪存颗粒的第二温度性能波动值的和获取得到各历史闪存颗粒的筛选参数为坏块数时的第一评分值,然后将各闪存颗粒按照筛选参数为坏块数的第一评分值的数值按照由低到高的顺序排序,按照预设的坏块数变化值的大小对所述历史闪存颗粒进行分级。例如,如上所述的6个历史闪存颗粒,当目标筛选参数为坏块数时的第一评分值分别记作m11、m21、m31...m61,m11=h11+l11,同理m21=h21+l21...m61=h61+l61,将计算得到的m11,、m21、m31...m61数值按照由小到大的顺序进行排列,基于各历史闪存颗粒的筛选参数为坏块数时的第一评分值数值的离散程度对各历史闪存颗粒进行分级,可以分为三个等级,比如当筛选参数为坏块数的第一评分值为0的历史闪存颗粒分在第一等级,当筛选参数为坏块数的第一评分值为大于0且不小于6的历史闪存颗粒划分在第二个等级,当筛选参数为坏块数的第一评分值大于6的历史闪存颗粒划分在第三个等级,则通过此方法可以将6个历史闪存颗粒划分在这三个不同的等级下,此过程的分级只是粗略的分级,为更好为各筛选参数赋予更精准的权重值做准备,分级方法也可以分成五个等级,本申请对分为几个等级不做限制。
步骤S2015:基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,建立所述筛选参数与评分权重值对应关系。
具体的先基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒制作成成品,例如制作成存储成品,固态硬盘、EMMC(Embedded Multi Media Card),UFS(UNIX文件系统),CF卡(Compact Flash)等,对所述各成品进行第一预设温度模拟测试和第二预设温度模拟测试,筛选得到各目标成品,以获得与各目标成品对应的历史待测试闪存颗粒;具体的,将存储成品在第一预设温度下进行多次掉电测试重启,对全盘进行多次擦、写、读操作或者对一定比例的块进行多次的擦、写、读操作,例如基于TLC(SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型)品类的闪存颗粒,当此品类的历史闪存颗粒用于A品牌时,当预先设置的第一预设温度为85℃,第二预设温度为-40℃,此时通过断电存储测试,老化测试,性能测试,掉电测试等,对所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒进行测试,通过此测试过程筛选得到各目标成品,基于各目标成品对应的历史待测试闪存颗粒的各筛选参数第一评分值的离散程度来确定评分权重值,数值越集中,评分权重值越高。各筛选参数的评分权重值之和为1。通过分析成品测试结果能够更加准确的找到目标筛选参数的边界值,也能找到达到目标通过率的最佳参数范围组合。例如:有100个待测试的历史闪存颗粒制作成成品,经过成品测试后得到90个目标成品,基于制作这90个目标成品的历史待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一评分值可以得到目标通过率为90%时对应的各筛选参数的区间范围边界值。例如筛选参数为坏块数时的第一评分值大于5时成品试验会失败,则基于坏块数的第一评分值的边界值为5,即三个等级分别为0,大于0且小于等于5,大于5三个等级。同时也可以得到满足目标通过为90%的各筛选参数的边界值,例如误码率的第一评分值的边界值,平均编程时间第一评分值边界值。
步骤S202:获取待测试的目标闪存颗粒;
本步骤在具体实施中,首先基于闪存智能测试系统,适配导入各初始闪存颗粒,并建立对应的剩余寿命预测模型。然后在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值,所述目标预设温度是在常温条件下,对初始闪存颗粒进行全盘随机字符串擦、写、读,采集该过程中的基本参数的初始参数值,基本参数包括错误比特数,块擦写时间,页编程时间等。然后通过对各初始闪存颗粒基本参数的初始参数值的计算,获得与各初始闪存颗粒对应的筛选参数的初始参数值,所述筛选参数包括误码率Wn,坏块数Bn,剩余可用容量Cn,平均块擦写时间Tne,平均页编程时间Tnp等。其次基于各所述初始闪存颗粒的各筛选参数的初始参数值,对各所述初始闪存颗粒进行筛选,获得各所述待测试的目标闪存颗粒。例如:基于TLC(SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型)品类的闪存颗粒,当此品类的初始闪存颗粒用于A品牌时,对此品类的初始闪存颗粒进行筛选时,当各所述初始闪存颗粒的剩余可用容量Cn大于等于该颗粒总容量的95%以上,并且误码率小于等于0.039%,其剩余寿命L大于等于5000次,此时满足上述条件的初始闪存颗粒为筛选合格的闪存颗粒,即得到各所述待测试的目标闪存颗粒。基于不同的类型,不同的品牌,和具体客户的要求以及行业标准,此筛选数值可以不同。
步骤S203:对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
此步骤在具体实施过程中,首先对待测试的目标闪存颗粒在第一预设温度下进行擦、写、读操作,获取各所述目标闪存颗粒在第一预设温度下的,各基本参数的第一参数值,所述基本参数包括错误比特数,块擦写时间,页编程时间等,基于各基本参数的第一参数值,计算获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,所述筛选参数第一参数值包括误码率Wh,坏块数Bh,剩余可用容量Ch,平均块擦写时间The,平均页编程时间Thp等,然后对待测试的目标闪存颗粒在第二预设温度下进行擦、写、读操作,获取各所述目标闪存颗粒在第二预设温度下的,各基本参数的第二参数值,所述基本参数包括错误比特数,块擦写时间,页编程时间等,基于各基本参数的第二参数值,计算获取各所述待测试闪存颗粒在所述第二预设温度下的,各筛选参数的第二参数值,所述筛选参数第二参数值包括误码率Wl,坏块数Bl,剩余可用容量Cl,平均块擦写时间Tle,平均页编程时间Tlp等。
步骤S204:基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
本步骤在具体实施中,当待测试闪存颗粒制作成成品的类型与步骤S201一致时,可以基于步骤S201中获取的各筛选参数的评分权重值,作为各待测试的闪存颗粒的评分权重值。分别为a1,a2,a3...an,n为大于等于0的整数。
步骤S205:至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
本步骤在具体实施过程中,首先,基于各待测试闪存颗粒的所述各筛选参数的第一参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值;h1=ΙBh-BnΙ,h2=ΙWh-WnΙ,h3=ΙThp-TnpΙ,h4=ΙThe-TneΙ...其中h1,h2,h3,h4...代表不同筛选参数对应的第一温度性能波动值,通过这一计算过程可以计算出各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值。
其次,基于各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各所述筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值;l1=ΙBl-BnΙ,l2=ΙWl-WnΙ,l3=ΙTlp-TnpΙ,l4=ΙTle-TneΙ...其中l1,l2,l3,l4...代表不同筛选参数对应的第二温度性能波动值,通过这一计算过程可以计算出各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第二温度性能波动值。最后,基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值。M1=a1*(h1+l1),M2=a2*(h2+l2),M3=a3*(h3+l3),M4=a4*(h4+l4)...通过此过程计算可以得到各待测试闪存颗粒的各筛选参数对应的筛选评分值。
步骤S206:基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
首先,分别将各待测试闪存颗粒的各筛选参数对应的筛选评分值相加求和得到各待测试闪存颗粒的目标评分值,当目标评分值小于或者等于第一阈值时,获得筛选合格的闪存颗粒;当筛选评分值大于第一阈值时,获得筛选不合格的闪存颗粒;例如当闪存颗粒类型为A,所述第一阈值可以为0.005,其数值越小越好,且可以根据实际需要设定。
本申请基于闪存颗粒在高温、低温和常温三种环境温度下对闪存颗粒进行读写擦等操作,获取不同环境温度下各闪存颗粒的筛选参数的数值,通过确定高温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及确定低温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及评分权重值来确定闪存颗粒的筛选评分值,通过闪存颗粒的筛选评分值来对闪存颗粒进行筛选,以得到合格的闪存颗粒或者不合格的闪存颗粒,且在高温、常温、低温三种环境下对闪存颗粒进行测试,测试过程更加全面,能够使得闪存颗粒的筛选更加精准。
本申请另一实施例提供一种闪存颗粒筛选装置,包括:
获取模块1:用于对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
匹配模块2:用于基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
计算模块3:用于至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
筛选模块4:用于基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
本实施例在具体实施过程中,所述获取模块1用于:首先将各待测试的目标闪存颗粒在第一预设温度下进行全盘随机字符串擦、写、读操作,获取得到在第一预设温度下的各基本参数的第一参数值,所述基本参数包括错误比特数,块擦写时间,页编程时间等参数,然后基于各基本参数的第一参数值通过计算获得所述各筛选参数的第一参数值,所述筛选参数包括误码率、坏块数、剩余可用容量、平均块擦写时间、平均页编程时间等参数。其次,将各待测试的目标闪存颗粒在第二预设温度下进行全盘随机字符串擦、写、读操作,获取得到在第二预设温度下的各基本参数的第二参数值,通过计算获得所述目标闪存颗粒在第二预设温度下的各筛选参数的第二参数值。所述第一预设温度下测试过程和第二预设温度下的测试过程不分先后顺序,先后顺序改变不会对测试结果造成影响。其中第一预设温度为高温,第二预设温度为低温;或者,第一预设温度为低温,第二预设温度为高温。所述第一预设温度范围为:70℃≤第一预设温度≤85℃,所述第二预设温度范围为:-40℃≤第二预设温度≤-20℃。
本实施例闪存颗粒筛选装置中的获取模块1还用于:获取各待测试目标闪存颗粒;
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值;基于各所述初始闪存颗粒的各筛选参数的初始参数值,对各所述初始闪存颗粒进行筛选,获得各所述待测试的目标闪存颗粒。
具体的,所述获取模块1具体用于:在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获取各所述初始闪存颗粒的各基本参数初始参数值;基于所述各基本参数的初始参数值,计算获取各筛选参数的初始参数值;所述各基本参数包括如下任意一种或几种:错误比特数、块擦写时间和页编程时间;所述筛选参数包括如下任意一种或几种:误码率、坏块数、剩余可用容量、平均块擦写时间和平均页编程时间。
本实施例的闪存颗粒筛选装置还包括建立模块,所述建立模块具体用于:在目标预设温度下对各历史初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、筛选参数的初始目标参数值;基于所述各历史初始闪存颗粒的各筛选参数的初始目标参数值对所述历史初始闪存颗粒进行筛选,获取各历史闪存颗粒;对各历史闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各历史闪存颗粒在所述第一预设温度下的各筛选参数的第一目标参数值,以及获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值;基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒;基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,建立所述筛选参数与评分权重值对应关系。
所述建立模块具有用于:在目标预设温度下对各历史闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史闪存颗粒在所述目标预设温度下的、目标筛选参数的初始目标参数值;基于各历史闪存颗粒对应的所述目标筛选参数的第一目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值;基于各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的各筛选参数的第二温度性能波动值;基于各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值和目标筛选参数的第二温度性能波动值对各历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒。
具体的,所述建立模块还用于:基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒制作成成品;对所述各成品进行第一预设温度模拟测试和第二预设温度模拟测试,筛选得到各目标成品,以获得与各目标成品对应的历史待测试闪存颗粒;基于各所述历史待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值,和各筛选参数的第二温度性能波动值,计算得到与各目标成品对应的各筛选参数的第一评分值;基于所述各筛选参数的第一评分值,获取与所述各筛选参数对应的权重值。
所述计算模块3具体用于:首先基于各待测试闪存颗粒的所述各筛选参数的第一参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值;其次基于各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各所述筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值;最后基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值。其中,目标预设温度具体是指室温或常温。
所述筛选模块4具体用于:当筛选评分值小于或者等于第一阈值时,获得筛选合格的闪存颗粒;当筛选评分值大于第一阈值时,获得筛选不合格的闪存颗粒;例如基于TLC(SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型)品类的闪存颗粒,当此品类的历史初始闪存颗粒用于A品牌时所述第一阈值可以为0.005,其可以根据实际需要设定。
本申请基于闪存颗粒在高温、低温和常温三种环境温度下对闪存颗粒进行读写擦等操作,获取不同环境温度下各闪存颗粒的筛选参数的数值,通过确定高温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及确定低温环境下筛选参数基于常温环境下筛选参数的波动值,以及评分权重值来确定闪存颗粒的筛选评分值,通过闪存颗粒的筛选评分值来对闪存颗粒进行筛选,以得到合格的闪存颗粒或者不合格的闪存颗粒,且在高温、常温、低温三种环境下对闪存颗粒进行测试,测试过程更加全面,能够使得闪存颗粒的筛选更加精准。
以上实施例仅为本申请的示例性实施例,不用于限制本申请,本申请的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本申请的实质和保护范围内,对本申请做出各种修改或等同替换,这种修改或等同替换也应视为落在本申请的保护范围内。
Claims (10)
1.一种闪存颗粒筛选方法,其特征在于,包括:
对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在对各待测试目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试之前,所述方法还包括:获取各所述待测试目标闪存颗粒,具体包括:
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值;
基于各所述初始闪存颗粒的各筛选参数的初始参数值,对各所述初始闪存颗粒进行筛选,获得各所述待测试的目标闪存颗粒。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、各筛选参数的初始参数值,具体包括:
在目标预设温度下对各初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获取各所述初始闪存颗粒的各基本参数初始参数值;
基于所述各基本参数的初始参数值,计算获取各筛选参数的初始参数值;
所述各基本参数包括如下任意一种或几种:错误比特数、块擦写时间和页编程时间;
所述筛选参数包括如下任意一种或几种:误码率、坏块数、剩余可用容量、平均块擦写时间和平均页编程时间。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预设温度范围为:70℃≤第一预设温度≤85℃,所述第二预设温度范围为:-40℃≤第二预设温度≤-20℃。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值,所述方法还包括:建立所述筛选参数与评分权重值的对应关系,具体建立过程包括:
在目标预设温度下对各历史初始闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史初始闪存颗粒在所述目标预设温度下的、筛选参数的初始目标参数值;
基于所述各历史初始闪存颗粒的各筛选参数的初始目标参数值对所述历史初始闪存颗粒进行筛选,获取各历史闪存颗粒;
对各历史闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各历史闪存颗粒在所述第一预设温度下的各筛选参数的第一目标参数值,以及获取各历史闪存颗粒在所述第二预设温度下的各筛选参数的第二目标参数值;
基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒;
基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,建立所述筛选参数与评分权重值对应关系。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述基于各历史闪存颗粒对应的各所述筛选参数的第一目标参数值和各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值,对各所述历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,包括:
在目标预设温度下对各历史闪存颗粒进行目标预设温度测试,获得各历史闪存颗粒在所述目标预设温度下的、目标筛选参数的初始目标参数值;
基于各历史闪存颗粒对应的所述目标筛选参数的第一目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值;
基于各历史闪存颗粒对应的所述各筛选参数的第二目标参数值和所述目标筛选参数的初始目标参数值,计算获取与各历史闪存颗粒对应的各筛选参数的第二温度性能波动值;
基于各历史闪存颗粒对应的目标筛选参数的第一温度性能波动值和目标筛选参数的第二温度性能波动值对各历史闪存颗粒进行分级,获取不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒,制作成成品进行测试,获取与各所述筛选参数对应的评分权重值,包括:
基于所述不同等级下的若干历史待测试闪存颗粒制作成成品;
对所述各成品进行第一预设温度模拟测试和第二预设温度模拟测试,筛选得到各目标成品,以获得与各目标成品对应的历史待测试闪存颗粒;
基于各所述历史待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值,和各筛选参数的第二温度性能波动值,计算得到与各目标成品对应的各筛选参数的第一评分值;
基于所述各筛选参数的第一评分值,获取与所述各筛选参数对应的权重值。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值,包括:
基于各待测试闪存颗粒的所述各筛选参数的第一参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一温度性能波动值;
基于各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二参数值和各待测试闪存颗粒在目标预设温度下各所述筛选参数的初始参数值,计算获取各待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值;
基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述基于各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第一温度性能波动值和各所述待测试闪存颗粒的各所述筛选参数的第二温度性能波动值,与各所述待测试闪存颗粒的评分权重值计算获得筛选评分值,包括:
当筛选评分值小于或者等于第一阈值时,获得筛选合格的闪存颗粒;
当筛选评分值大于第一阈值时,获得筛选不合格的闪存颗粒。
10.一种闪存颗粒筛选装置,其特征在于,包括:
获取模块:用于对各待测试的目标闪存颗粒进行第一预设温度测试和第二预设温度测试,获取各所述待测试闪存颗粒在所述第一预设温度下的、各筛选参数的第一参数值,以及获取各所述目标闪存颗粒在所述第二预设温度下的、各所述筛选参数的第二参数值;
匹配模块:用于基于各所述筛选参数以及筛选参数与评分权重值的对应关系,匹配获得与各所述筛选参数对应的评分权重值;
计算模块:用于至少基于各待测试闪存颗粒的各筛选参数的第一参数值、各筛选参数的第二参数值以及各所述筛选参数的评分权重值,计算获得各所述筛选参数的筛选评分值;
筛选模块:用于基于各所述闪存颗粒的各筛选参数的筛选评分值,对各所述闪存颗粒进行筛选,以获得筛选结果。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210153065.4A CN116469448B (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 一种闪存颗粒的筛选方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202210153065.4A CN116469448B (zh) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | 一种闪存颗粒的筛选方法和装置 |
Publications (2)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117809725A (zh) * | 2024-03-01 | 2024-04-02 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108648779A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-10-12 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级的方法 |
CN110148435A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-08-20 | 珠海妙存科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
CN110929524A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-03-27 | 平安科技(深圳)有限公司 | 数据筛选方法、装置、设备及计算机可读存储介质 |
CN110928936A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-03-27 | 平安科技(深圳)有限公司 | 基于强化学习的信息处理方法、装置、设备和存储介质 |
CN111816240A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-23 | 深圳市国微电子有限公司 | 闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN112817524A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-18 | 置富科技(深圳)股份有限公司 | 基于动态神经网络的闪存可靠性等级在线预测方法和装置 |
CN113448787A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 海光信息技术股份有限公司 | 晶圆异常分析的方法、装置、电子设备及可读存储介质 |
US20210326242A1 (en) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | Teradyne, Inc. | Determining the complexity of a test program |
US20230187005A1 (en) * | 2020-07-17 | 2023-06-15 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Testing method for packaged chip, testing system for packaged chip, computer device and storage medium |
-
2022
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108648779A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-10-12 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级的方法 |
CN110148435A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-08-20 | 珠海妙存科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
CN110929524A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-03-27 | 平安科技(深圳)有限公司 | 数据筛选方法、装置、设备及计算机可读存储介质 |
CN110928936A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-03-27 | 平安科技(深圳)有限公司 | 基于强化学习的信息处理方法、装置、设备和存储介质 |
US20210326242A1 (en) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | Teradyne, Inc. | Determining the complexity of a test program |
CN111816240A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-23 | 深圳市国微电子有限公司 | 闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质 |
US20230187005A1 (en) * | 2020-07-17 | 2023-06-15 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Testing method for packaged chip, testing system for packaged chip, computer device and storage medium |
CN112817524A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-18 | 置富科技(深圳)股份有限公司 | 基于动态神经网络的闪存可靠性等级在线预测方法和装置 |
CN113448787A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 海光信息技术股份有限公司 | 晶圆异常分析的方法、装置、电子设备及可读存储介质 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117809725A (zh) * | 2024-03-01 | 2024-04-02 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
CN117809725B (zh) * | 2024-03-01 | 2024-05-14 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
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Publication number | Publication date |
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