CN116437735A - 发光显示装置 - Google Patents

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CN116437735A CN202211348580.4A CN202211348580A CN116437735A CN 116437735 A CN116437735 A CN 116437735A CN 202211348580 A CN202211348580 A CN 202211348580A CN 116437735 A CN116437735 A CN 116437735A
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韩俊熙
李收珉
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Abstract

公开一种发光显示装置，其被配置为在子像素之间的水平距离较小的第一方向上设置斜坡和不平坦图案，由此增加相邻子像素的阳极之间的物理距离，从而可实现相邻子像素的阳极之间的正常分离，防止根据视角在相邻子像素之间出现颜色混合。所述发光显示装置包括：具有多个子像素的基板；有机绝缘膜，具有在第一方向上对应于子像素交替形成的多个第一斜坡和多个第二斜坡，每个第二斜坡设置有不平坦图案；阳极，在有机绝缘膜上沿着相应一个第一斜坡设置在每个子像素处，阳极具有预定厚度；堤部，设置在有机绝缘膜上并与整个第二斜坡和在第一方向上的相邻两个子像素的第一斜坡上的部分阳极交叠；以及设置在阳极上的有机层和阴极。

Description

发光显示装置
本申请要求享有于2021年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2021-0194771的权益，通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种发光显示装置，更具体地，涉及一种被配置为即使在高分辨率状态下也可防止相邻子像素的阳极之间出现残留膜、可实现阳极之间的正常分离并提高其可靠性的发光显示装置。
背景技术
随着近来接近全面信息时代，能够在视觉上表达电信息信号的显示器得到快速发展。相应地，具有诸如薄厚度、轻重量和低功耗之类的卓越性能的各种显示装置得到发展并且快速取代了传统的阴极射线管(CRT)。
在这些显示装置之中，发光显示装置被视为有竞争力的应用，以便在无需单独光源的条件下实现装置的紧凑以及生动的颜色显示。
发光显示装置包括多个子像素，其中每个子像素设置有发光元件。发光元件包括阳极、有机层和阴极。随着发光显示装置的分辨率的增加，相邻子像素的阳极之间的距离减小。在这种情形下，由于在相邻阳极之间的残留膜，相邻阳极可能不会彼此正常分离，由此可出现短路。即使具体子像素关闭，也可由于与其相邻的子像素的开启而出现背光渗出现象(backlight bleed)。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的发光显示装置。
本发明的一个目的是提供一种发光显示装置，其被配置为在子像素之间的水平距离较小的第一方向上设置斜坡(ramp)和不平坦图案(bumpy pattern)，由此增加相邻子像素的阳极之间的物理距离，从而可实现相邻子像素的阳极之间的正常分离。
为了实现这些目的和其他优点，根据本发明的意图，如在此具体化和广义描述的，一种发光显示装置可包括：具有多个子像素的基板；有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有在第一方向上对应于所述子像素交替形成的多个第一斜坡和多个第二斜坡，每个第二斜坡设置有不平坦图案；阳极，所述阳极在所述有机绝缘膜上沿着相应一个第一斜坡设置在每个子像素处，并且所述阳极具有预定厚度；堤部，所述堤部设置在所述有机绝缘膜上并与整个所述第二斜坡和在所述第一方向上的相邻两个子像素的第一斜坡上的部分所述阳极交叠；以及设置在所述阳极上的有机层和阴极。
将理解，本发明中的前面的大致描述和下文的详细描述都是示例性和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的发光显示装置的透视图；
图2是示出图1的基板的平面图；
图3是示出根据本发明的发光显示装置的平面图；
图4是沿图3的线I-I’截取的剖视图；
图5是图4的堤部和下部结构的放大图；
图6是沿图3的线II-II’截取的剖视图；
图7是对应于图3的一个子像素的电路图；
图8是示出在根据比较例的发光显示装置中，相邻子像素之间的阳极残留膜的剖视图；
图9A和9B是示出在根据比较例的发光显示装置中，当相邻子像素之间存在阳极残留膜时，相邻子像素之间的亮点缺陷和短路的光学照片；
图10是示出在根据本发明的发光显示装置中，不平坦斜坡防止光透射到与其相邻的子像素的原理的视图。
具体实施方式
下文中，将详细描述本发明的优选实施方式，其中的一些示例在附图中示出。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记指代相同或相似的部件。在本发明的以下描述中，当对并入本文的已知功能和构造的详细描述反而可使本发明的主题不清楚时，将省略其详细描述。此外，考虑到说明书的清楚描述而选取了以下描述中使用的元件名称，它们可能与实际产品的元件名称不同。
为了例示本发明的各实施方式而在附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是为了示例的目的，本发明不限于图中示出的内容。在下文描述中，对与本发明相关的技术或构造的详细描述可省略，以避免不必要地模糊本发明的主题。当在整个说明书中使用诸如“包括”、“包含”、“具有”之类的术语时，可存在附加组件，除非使用了“仅”。
即使没有附加的特别说明，在本发明实施方式中包括的组分也应当解释为包括误差范围。
在描述本发明的各实施方式时，当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”之类的术语描述位置关系时，在两个元件之间可存在至少一个中间元件，除非使用了“紧接”或“直接”。
在描述本发明的各实施方式中，当使用诸如“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”之类的与时间关系相关的术语时，可包括不连续的情形，除非使用了“紧接”或“直接”。
在描述本发明的各实施方式时，可使用诸如“第一”、“第二”之类的术语来描述各组件，但这些术语仅用来将相同或相似组件彼此区分开。因此，在整个说明书中，在本发明的技术构思内，“第一”组件可以与“第二”组件相同，除非有明确相反提及。
本发明的各实施方式的特征可彼此部分地或整体地结合或组合并且可在技术上以各种方式彼此进行互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立地实现或者可彼此关联地一起实现。
下文中，将主要描述有机发光显示装置作为根据本发明的发光显示装置；但是在显示装置中使用的发光元件的材料不限于有机材料。根据情形，发光材料可以是有机材料、无机材料比如量子点半导体或氮化物半导体、或者有机材料和无机材料的化合物比如钙钛矿。此外，根据本发明全部实施方式的每个显示装置的所有组件可操作地连接和配置。
图1是示出根据本发明的发光显示装置的透视图；图2是示出图1的基板的平面图。
如图1和2所示，根据本发明的发光显示装置1000可包括显示面板1100、扫描驱动器1200、包括数据驱动器的柔性膜1400、电路板1500以及时序控制器1600。柔性膜1400可包括驱动IC1300，由此柔性膜可用作数据驱动器。如图所示，柔性膜1400可经由多个块将数据信号提供给设置在显示面板1100中的多条信号线，并且可检测感测信号，或者可对应于设置在显示面板1100中的所有信号线以便执行数据驱动器的功能。根据情形，柔性膜1400和电路板1500可集成为一体。
显示面板1100可包括阵列基板1110和对向基板1120。阵列基板1110和对向基板1120的每一个可包括玻璃或塑料基板，并且可进一步包括薄膜晶体管阵列、滤色器阵列或光学膜。例如，当阵列基板1110包括塑料基板时，构成基板的塑料可以是聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯。当阵列基板1110包括塑料基板时，发光显示装置1000可由能够弯曲或弯折的柔性显示装置来实现。对向基板1120可包括玻璃、塑料膜和封装膜的任一种，当对向基板1120是封装膜时，封装膜可具有交替设置有机膜和无机膜的单元结构(unit structure)，且多个膜可在无需接合至阵列基板1110的条件下形成在阵列基板1110上。
阵列基板1110是其上形成有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。扫描线、信号线和子像素SP形成在阵列基板1110的面对对向基板1110的一个表面上。子像素SP设置在由扫描线和信号线之间的交叉限定的区域处。扫描线连接至扫描驱动器1200，信号线连接至数据驱动器1400。此外，如图所示，扫描驱动器1200可直接安装在阵列基板1110的非显示区NDA中，或者单独的驱动IC或印刷电路膜可连接至阵列基板1110的非显示区NDA。
如图2所示，显示面板1110可划分成形成有子像素SP以显示图像的显示区DA以及不显示图像的非显示区NDA。扫描线、信号线和子像素SP可形成在显示区DA中。扫描驱动器1200、焊盘以及被配置为将扫描线连接至焊盘的连接线(link lines)可形成在非显示区NDA中。
每个子像素SP可划分成主要用于发光的发光部EM以及设置在发光部EM的外部的像素电路PC，像素电路PC具有设置在其中的线和晶体管。
子像素SP的像素电路PC可包括作为开关元件的多个晶体管，其被配置为根据扫描线的扫描信号导通以接收信号线的数据电压。每个晶体管可以是薄膜晶体管。子像素SP的晶体管可具有包括形成在相同层上的有源层的相同堆叠结构或者包括形成在不同层上的有源层的异种(hetero)堆叠结构。
根据本发明的发光显示装置的一个特点在于，在其上形成有阳极的有机绝缘膜的上表面处设置斜坡和可选的(optional)不平坦图案，由此容易地实现阳极之间的分离。
下文中，将详细描述根据本发明的发光显示装置。
图3是示出根据本发明的发光显示装置示例的平面图；图4是沿图3的线I-I’截取的剖视图；图5是图4的堤部和下部结构的放大图；图6是沿图3的线II-II’截取的剖视图；图7是对应于图3的一个子像素的电路图。
如图3至5所示，根据本发明的发光显示装置包括：多个子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP的基板100；以及具有在第一方向上对应于子像素R_SP,W_SP,B_SP,G_SP交替形成的多个第一斜坡145as和多个第二斜坡145bs的有机绝缘膜145，每个第二斜坡145bs具有不平坦图案(bumpy pattern)。
在有机绝缘膜145上的阳极151沿着第一斜坡145as形成。例如，具有预定厚度的阳极151在有机绝缘膜145上沿着相应一个第一斜坡145as设置在子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP的每一个处。有机绝缘膜145的上表面用作形成每个阳极151的表面。
在发光显示装置中的每个子像素处的发光元件OLED是自发光元件，发光元件OLED包括阳极151、具有发光层和多个公共层的有机层152、以及阴极153。
发光元件OLED包括在形成在阳极151处的堤部160的开口区中限定的子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP的每一个的发光部。例如，可在未形成堤部160的区域中发射光。在发光部中第一斜坡145as的一部分可在第一方向上暴露。在发光元件OLED的组件之中，阳极151从薄膜晶体管TFT接收信号。为了独立地驱动发光元件OLED，发光元件OLED被配置为对应于子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP的每一个。
因此，重要的是，对应于子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP的每一个来划分阳极151。此外，需要发光显示装置的高分辨率来显示更生动的图像。在相邻子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP的阳极之间的距离由于受限的面积和增加的分辨率而逐渐减小。因此，当阳极残留膜(anode residual film)保留在相邻子像素之间时，即使处于截止状态，由于相邻子像素的影响也可出现弱的亮点(bright dot)或者可由于相邻子像素的影响而出现其他灰度问题(gradation issue)。根据本发明的发光显示装置解决或设法解决这个问题。在其上形成有阳极151的有机绝缘膜145的上表面处，相邻子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP在第一方向(例如X轴方向)上的物理距离可由于第一斜坡145as、第二斜坡145bs以及形成在第二斜坡145bs处的不平坦图案而增加，由此可在阳极151的蚀刻工艺中容易地彼此分离相邻的子像素。
此外，当超过预定物理距离的距离出现在不平坦图案处并且阳极151在不平坦图案的任何位置处彼此分离时，可将相邻的子像素彼此分离，因此可更稳定地将相邻子像素的阳极151彼此分离。
整个发光部EM以及附近的数据线DLR、DLW、DLB、DLG，驱动源电压线VDL和接地源电压线VSL的一部分可与第一斜坡145as交叠，因此第一斜坡145as可具有比第二斜坡145bs更大的宽度。如上所述，第一斜坡145as和第二斜坡145bs可具有不同的宽度，具有较大宽度的斜坡可具有缓和的坡度，具有较小宽度的斜坡可具有陡峭的坡度。
在图5所示的示例中，第一斜坡145as相对于基板100的表面(平坦表面)具有第一倾斜角θ1，第二斜坡145bs相对于基板100的平坦表面具有第二倾斜角θ2。在此，第二倾斜角θ2大于第一倾斜角θ1。为了增大发光部的面积，发光部EM的宽度大于非发光部的宽度。更优选地，第一斜坡145as的宽度大于第二斜坡145bs的宽度，第一倾斜角θ1小于第二倾斜角θ2。
同时，在根据本发明的发光显示装置中，如图4和图5所示，具有一形状的不平坦图案在第一方向上以沟槽形状(trench shape)从第二斜坡145bs的表面去除。不平坦图案相距第二斜坡145bs可具有宽度为a的下表面以及具有高度为h的侧壁，并且具有下表面和侧壁在具有较大纵横比(aspect ratio)的同时彼此垂直的结构。沟槽形的不平坦图案可具有与基板的表面平行的下侧以及与基板的表面垂直的侧壁。沟槽形的不平坦图案的侧壁的长度可长于沟槽形的不平坦图案的下侧的长度。在这种情形下，由于具有较大纵横比的结构，阳极形成材料可在其沉积时薄薄地沉积在不平坦图案处。结果，在蚀刻工艺中，在第二斜坡145bs的不平坦图案的表面上可容易地去除具有较小厚度的阳极形成材料。
此外，当在剖面中观看不平坦图案时，侧壁在左右方向上是不对称的，由此第二斜坡的不平坦图案的左右侧壁的高度h彼此不同，因此在不平坦图案的侧壁上方的材料之间的接触是困难的。因此，可以在蚀刻工艺中将阳极形成材料与不平坦图案在结构上容易地分离，由此可在第一方向(X轴方向)上容易地去除相邻子像素之间的阳极。
此外，在根据本发明的发光显示装置中，第一斜坡145as位于发光部EM中，相比位于平坦表面处的阳极的结构，在相同的水平距离内的发光面积可增大。
在图3和图4的示例中，由于具有不同颜色的子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP位于第一方向上并且其间的距离较小，所以不同的第一斜坡145as和第二斜坡145bs在第一方向上交替设置在有机绝缘膜145的、用作阳极形成表面的上表面处。
与图3所示的相反，当发光部之间的距离较短并且具有不同颜色的子像素设置在Y轴方向(第二方向)上时，不同的第一斜坡145as和第二斜坡145bs交替设置在Y轴方向上。在第二方向上的相邻子像素的阳极之间的第二距离可大于在第一方向上的相邻子像素的阳极之间的第一距离。像素驱动电路可在第二距离内。
当不同的子像素以行和列而不是条纹形状(stripe shape)布置为不同颜色时，第一斜坡145as和第二斜坡145bs可设置在行和列处，不平坦图案可应用于与堤部160交叠的部分的第二斜坡145bs，使得容易地实现相邻子像素的阳极151之间的分离。
根据情形，在子像素在斜线方向(diagonal direction)上具有相同颜色的结构中，第一斜坡145as和第二斜坡145bs可设置在斜线方向上，不平坦图案可应用于与堤部160交叠的部分的第二斜坡145bs，使得容易地实现相邻子像素的阳极151之间的分离。
在所示的示例中，设置在有机绝缘膜145上的堤部160被定位成与整个第二斜坡145bs以及在第一方向(X轴方向)上的两个相邻子像素的第一斜坡145as上的部分阳极151交叠，堤部160覆盖位于第二斜坡145bs的相对两侧处的每个第一斜坡145as的一部分以及第二斜坡145bs。
在根据本发明的发光显示装置中，有机绝缘膜145在第一方向(X轴方向)上具有不同的第一斜坡145as和第二斜坡145bs(其中对于其上形成有阳极151的有机绝缘膜145，至少相邻子像素的阳极151之间的距离较小)，第一斜坡145as对应于位于发光部EM中的阳极151，第二斜坡145bs具有不平坦图案。
图4通过举例的方式示出了从基板100向下发光的底发光结构。在这种情形下，从发光元件OLED发射的白色光穿过下方的滤色器RCF、BCF和GCF，并且对于子像素R_SP、W_SP、B_SP和G_SP，选择性地透过滤色器RCF、BCF和GCF的光经由基板100透射。在此，白色子像素W_SP不具有滤色器，从发光元件OLED发射的光经由基板100直接向下透射。但是，本发明不限于此。除了红色、绿色和蓝色子像素之外，白色子像素进一步包括白色颜料层以实现相似效率的情形也是可能的。滤色器可设置在有机绝缘膜145的下方并且对应于每个子像素，滤色器可具有比第一斜坡145as的宽度更大的宽度。有机绝缘膜145可覆盖滤色器。
在这种情形下，阳极151可以是由ITO、IZO或ITZO制成的透明电极，阴极153可以是由诸如铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、镱(Yb)或锶(Sr)之类的金属或者包括其一种或多种的合金制成的反射电极。
此外，尽管所示的例子是底发光结构，但是根据本发明的发光显示装置的一个特点是有机绝缘膜145在第一方向(X轴方向)上具有不同的第一斜坡145as和第二斜坡145bs(其中至少相邻子像素的阳极151之间的距离较小)，第一斜坡145as对应于位于发光部EM中的阳极151，第二斜坡145bs具有不平坦图案。因此，根据本发明的发光显示装置可延伸地应用于顶发光显示装置或透明显示装置。
在图3和图4的示例中，数据线DLR、DLW、DLB和DLG，驱动源电压线VDL以及接地源电压线VSL沿与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(例如Y轴方向)延伸，并且驱动源电压线VDL，数据线DLR和DLW，接地源电压线VSL，以及数据线DLB和DLG沿X轴方向依次设置在子像素之间。
数据线可向与其相对两侧相邻的子像素提供数据电压，接地源电压线VSL可向左右方向上相邻的四个子像素提供接地源电压，驱动源电压线VDL可向左右方向上相邻的四个子像素提供驱动源电压。
此外，扫描线SL和感测线SEL可设置在X轴方向上以与数据线DLR、DLW、DLB和DLG，驱动源电压线VDL以及接地源电压线VSL交叉。
多个晶体管和存储电容器可设置在数据线DLR、DLW、DLB和DLG，驱动源电压线VDL，接地源电压线VSL，扫描线SL以及感测线SEL之间，包括多个晶体管和存储电容器的像素电路PC可设置在非发光部NEM中。下文将描述像素电路PC的具体示例。
同时，根据情形，当发光显示装置具有顶发光结构时，像素电路PC和发光部EM可彼此交叠。在这种情形下，阳极151可包括反射电极，阴极153可以是透明电极或透反射电极。反射电极可由诸如铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、镱(Yb)、锶(Sr)、铂(Pt)或铜(Cu)之类的金属或者包括其一种或多种的合金制成。透明电极可由ITO、IZO或ITZO制成，透反射电极可被配置为使得反射电极具有
Figure BDA0003918096030000091
或更小的较小厚度。
如图5所示，第一斜坡145as的最上点与堤部160交叠，第二斜坡145bs的最下点与堤部160交叠。或者，第一斜坡145as和第二斜坡145bs的最上点可彼此邻接，并且可与堤部160交叠。这样做的原因在于，需要将具有变化倾斜角的区域定位在对应于非发光部NEM的堤部160处。
如图6和图7所示，每个子像素SP的像素驱动电路包括驱动晶体管DR、开关晶体管SC和感测晶体管SE。图7通过举例的方式显示了每个晶体管是具有N型半导体特性的N型半导体晶体管。但是，本发明不限于此。例如，所有晶体管或者一些晶体管可由具有P型半导体特性的P型半导体晶体管构成。
每个子像素可进一步包括存储电容器Cst，其能够存储在驱动晶体管的栅极和源极之间的差分电压以便在发光元件OLED的驱动期间使像素电路的特性稳定。
如图3、6和7所示，发光元件OLED在经由驱动晶体管DR接收到电流时发光。发光元件OLED的阳极151可连接至驱动晶体管DR的源极137，阴极153可连接至与基板100的显示区DA中的子像素相邻设置的接地源电压线VSL，以接收接地源电压。
当电压施加给发光二极管OLED的第一电极151和第二电极153时，空穴和电子分别经由有机层152中的空穴传输层和电子传输层迁移到发光层，并且空穴和电子在发光层中彼此组合，由此发光。
驱动晶体管DR设置在被提供驱动源电压EVDD的驱动源电压线VDL和发光元件OLED之间。驱动晶体管DR基于栅极131和源极137之间的电压差来调节从驱动源电压线VDL流到发光元件OLED的电流。驱动晶体管DR的栅极131可连接至开关晶体管SC的源极(与图3的131相同的节点)，驱动晶体管DR的漏极135可连接至驱动源电压线VDL，源极137可连接至发光元件OLED的阳极151。如图3所示，驱动晶体管DR的漏极135可与在交叠状态下连接至驱动源电压线VDL的第一连接线136形成为一体。
此外，如图3和图6所示，栅极131与沟道交叠，驱动晶体管DR可包括第一半导体层115，其具有经由第二接触孔CT2和第一接触孔CT1连接至源极137和漏极135的相对两侧。
开关晶体管SC具有作为栅极的扫描线SL，并且包括从数据线DL突出的漏极139以及与驱动晶体管DR的栅极131形成为一体的源极。扫描线SL与沟道交叠，并且开关晶体管SC包括第二半导体层117，其具有连接至源极131和漏极139的相对两侧。
此外，感测晶体管SE具有作为栅极的感测线SEL，并且在其间插置有感测线SEL的状态下包括从接地源电压线VSL突出的漏极以及与漏极面对的源极。感测线SEL与沟道交叠，并且感测晶体管SE包括第三半导体层，其具有连接至源极和漏极的相对两侧。
同时，由光阻挡金属制成的阻挡金属层105可进一步设置在半导体层115的下方，以便阻挡光从基板100的下方透射到半导体层115。
阻挡金属层105可以是与数据线DLR、DLW、DLB和DLG，驱动源电压线VDL以及接地源电压线VSL相同的层。
第一缓冲层110和第二缓冲层130可设置在阻挡金属层105上。第一缓冲层110和第二缓冲层130可由不同的无机绝缘膜制成。例如，选自氧化物膜、氮化物膜和氮氧化物膜的不同材料可用于第一缓冲层110和第二缓冲层130。
根据情形，第一缓冲层110和第二缓冲层130的任一个可省略。
栅极绝缘膜134可进一步插置在栅极131和半导体层115的沟道之间。栅极绝缘膜134或层间绝缘膜可设置在第二接触孔CT2和第一接触孔CT1未位于半导体层115与源极137和漏极135之间的部分处。
此外，可进一步形成钝化膜140，以保护开关晶体管SC、感测晶体管SE以及驱动晶体管DR。
栅极绝缘膜134、层间绝缘膜和钝化层140的每一个可由诸如氧化物膜、氮化物膜和氮氧化物膜之类的无机绝缘膜制成。
滤色器层RCF、GCF和BCF可形成在各个子像素处并与发光部EM交叠。滤色器的边缘可与不平坦图案的一部分交叠。
图6显示了在第二方向(Y轴方向)上驱动晶体管DR和阳极151之间的连接。发光部EM中的阳极151与位于非发光部NEM(其中设置有包括驱动晶体管DR的像素电路的组件)中的阳极延伸图案151a形成为一体，并对其施加相同的信号。在这种情形下，阳极延伸图案151a所在的非发光部NEM的部分和在第二方向(Y轴方向)上与其相邻的子像素的阳极151充分间隔开，由此与第一斜坡145as相同或相似的线在第二方向上延伸，因此有机绝缘膜145在与第一方向交叉的第二方向上具有平坦表面。
当阳极151或阳极延伸图案151a之间在第二方向(Y轴方向)上的距离较小时，如前所述，可采用交替设置第一斜坡和第二斜坡并且在第二斜坡处设置不平坦图案的结构，以便在相邻子像素的阳极之间进行清晰的分离。
在此，图3和图6中示出的VDLe是在水平方向(X轴方向或第一方向)上从驱动源电压线VDL延伸的延伸部。
开关晶体管SC由第k扫描线SLk的第k扫描信号导通，以将来自第j数据线DLj的电压提供给驱动晶体管DR的栅极。开关晶体管SC的栅极可连接至第k扫描线SLk，源极可连接至驱动晶体管DR的栅极，漏极可连接至第j数据线DLj。
感测晶体管SE由第k感测线SELk的第k初始化信号导通，以将第q基准电压线RLq连接至驱动晶体管DR的源极。感测晶体管SE的栅极可连接至第k感测线SELk，漏极可连接至第q基准电压线RLq，源极可连接至驱动晶体管DR的源极。
存储电容器Cst存储在驱动晶体管DR的栅极电压和源极电压之间的差分电压。
存储电容器Cst的一侧电极可连接至驱动晶体管DR的栅极和开关晶体管SC的源极，另一侧电极可连接至驱动晶体管DR的源极、感测晶体管SE的源极、以及发光元件OLED的阳极151或阳极延伸图案151a。
当由开关晶体管SC选定具体子像素SP时，驱动电流可经由子像素的驱动晶体管被提供给发光元件OLED。
图3和图6的像素电路(像素驱动器)是示例，电路可过添加或减少薄膜晶体管或者添加存储电容器或补偿电容器来配置。
下文中，将基于与根据比较例的发光显示装置(其中阳极形成在有机绝缘膜的平坦表面上)的比较结果来描述根据本发明的发光显示装置的效果。
图8是示出在根据比较例的发光显示装置中，相邻子像素之间的阳极残留膜的剖视图。
如图8所示，在根据比较例的发光显示装置中，在由堤部60划分的相邻子像素的发光部的下方，阳极51在子像素之间不彼此分离，由此留下残留膜。
尤其是，随着发光显示装置的分辨率的增加，子像素的阳极之间的所需距离减小。在根据比较例的发光显示装置中，当阳极51形成在平坦的有机绝缘膜45上时产生残留膜，由此子像素不会完全彼此分离。
图9A和9B是示出在根据比较例的发光显示装置中，当相邻子像素之间存在阳极残留膜时，相邻子像素之间的亮点缺陷和短路的光学照片。
在根据比较例的发光显示装置中，如图9A所示，当表现灰度时，来自相邻子像素的驱动电流进一步被提供给产生残留膜的部分，由此可出现亮点缺陷(例如请参见图9A中的椭圆形区)。
图9B是其光学照片，其中短路出现在彼此相邻的绿色子像素和蓝色子像素的阳极之间，由此在蓝色子像素的上侧产生绿色光(例如请参见图9B中的椭圆形区)。
在根据本发明的发光显示装置中，不同的第一斜坡和第二斜坡设置在第一方向上，其中对于其上设置有阳极的有机绝缘膜，至少相邻子像素的阳极之间在第一方向上的距离较小，第一斜坡对应于位于发光部中的阳极，第二斜坡具有不平坦图案。因此，在第一方向上的物理距离增加，由此在用于形成阳极的蚀刻工艺中容易地执行子像素的阳极之间的分离。此外，当超过预定物理距离的距离出现在不平坦图案处并且阳极在不平坦图案的任何位置处彼此分离时，可将相邻子像素彼此分离，因此可更稳定地将相邻子像素的阳极彼此分离。因此，可防止出现在根据比较例的发光显示装置中的、在相邻子像素的阳极之间的亮点缺陷和短路。
此外，不平坦图案位于第二斜坡处，并具有其下表面和侧壁彼此垂直的结构，由此在相同条件下沉积的阳极形成材料在不平坦图案的表面上具有较小厚度，因此可容易地在蚀刻工艺中去除阳极形成材料。
此外，当在剖面中观看不平坦图案时，侧壁在左右方向上是不对称的，由此第二斜坡的不平坦图案的左右侧壁的高度彼此不同。因此在不平坦图案的侧壁上方的材料之间的接触是困难的。因此，可在蚀刻工艺中将阳极形成材料与不平坦图案在结构上容易地分离。
图10是示出在根据本发明的发光显示装置中，不平坦斜坡防止光透射到与其相邻的子像素的原理的视图。
在根据本发明的发光显示装置中，如图10所示，发光部在具有第一斜坡145as的同时倾斜，由此在从发光元件OLED的有机层152辐射性发射的光之中，在左右方向上传播的光或者以小于第二斜坡145bs的第二倾斜角θ2的角度传播的光可被堤部160和其下方的第二斜坡145bs阻挡。例如，可在结构上防止从开启的具体子像素发射的光影响与其相邻的子像素。
此外，通过在堤部160下方提供第二斜坡，可有效防止在以具体角度从前方观看发光显示装置的视角处的亮度偏差。
当堤部160根据情形包括黑色材料时，可防止相邻子像素之间的颜色混合，并且进一步有效防止视角的亮度偏差。
例如，在根据本发明的发光显示装置中，不同斜坡彼此接合的最上点设置在堤部处，由此斜坡和不平坦图案防止从子像素辐射性发射的光透射到与其相邻的子像素，因此可减少或防止由于视角变化引起的图像质量下降。
为此，根据本发明实施方式的发光显示装置可包括：具有多个子像素的基板；有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有在第一方向上对应于所述子像素交替形成的多个第一斜坡和多个第二斜坡，每个第二斜坡设置有不平坦图案；阳极，所述阳极在所述有机绝缘膜上沿着相应一个第一斜坡设置在每个子像素处，并且所述阳极具有预定厚度；堤部，所述堤部设置在所述有机绝缘膜上并与整个所述第二斜坡和在所述第一方向上的相邻两个子像素的第一斜坡上的部分所述阳极交叠；以及设置在所述阳极上的有机层和阴极。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，所述第二斜坡相对于所述基板的表面的第二倾斜角可大于所述第一斜坡相对于所述基板的表面的第一倾斜角。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，所述第一斜坡和所述第二斜坡的最上点可彼此邻接，并且可与所述堤部交叠。所述不平坦图案可具有在所述第一方向上以沟槽形状从所述第二斜坡的表面去除的形状。沟槽形的不平坦图案可具有与所述基板的表面平行的下侧以及与所述基板的表面垂直的侧壁。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，所述沟槽形的不平坦图案的侧壁的长度可长于所述沟槽形的不平坦图案的下侧的长度。
根据本发明实施方式的发光显示装置还可包括滤色器，所述滤色器设置在所述有机绝缘膜的下方并且对应于每个子像素，所述滤色器具有比所述第一斜坡的宽度更大的宽度，并且所述有机绝缘膜可覆盖所述滤色器。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，所述滤色器的边缘可与所述不平坦图案的一部分交叠。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，所述有机绝缘膜在与所述第一方向交叉的第二方向上可具有平坦表面。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，在所述第二方向上的相邻子像素的阳极之间的第二距离可大于在所述第一方向上的相邻子像素的阳极之间的第一距离。
根据本发明实施方式的发光显示装置还可包括在所述第二距离内的像素驱动电路。
在根据本发明实施方式的发光显示装置中，每个子像素可具有发光部，在所述发光部中所述第一斜坡的一部分在所述第一方向上暴露。
从上述描述很清楚，根据本发明实施方式的发光显示装置具有如下效果。
首先，不同的第一斜坡和第二斜坡设置在第一方向上，其中对于其上设置有阳极的有机绝缘膜，至少相邻子像素的阳极之间在第一方向上的距离较小，第一斜坡对应于位于发光部中的阳极，第二斜坡具有不平坦图案。因此，在第一方向上的物理距离增加，由此在用于形成阳极的蚀刻工艺中容易地执行子像素的阳极之间的分离。此外，当超过预定物理距离的距离出现在不平坦图案处并且阳极在不平坦图案的任何位置处彼此分离时，可将相邻子像素彼此分离，因此可更稳定地将相邻子像素的阳极彼此分离。
第二，不平坦图案位于第二斜坡处，并具有其下表面和侧壁彼此垂直的结构，由此在相同条件下沉积的阳极形成材料在不平坦图案的表面上具有较小厚度，因此可容易地在蚀刻工艺中去除阳极形成材料。
第三，当在剖面中观看不平坦图案时，侧壁在左右方向上是不对称的，由此第二斜坡的不平坦图案的左右侧壁的高度彼此不同，因此在不平坦图案的侧壁上方的材料之间的接触是困难的。因此，可在蚀刻工艺中将阳极形成材料与不平坦图案在结构上容易地分离。
第四，不同斜坡彼此接合的最上点设置在堤部处，由此斜坡和不平坦图案防止从子像素辐射性发射的光透射到与其相邻的子像素，因此可减少或防止由于视角变化引起的图像质量下降。
尽管参照附图描述了本发明的实施方式，但本发明不限于实施方式，而是可被实现为各种不同的形式，所属领域的普通技术人员将认识到，在不脱离本发明的技术思想和实质特性的条件下，本发明可以除了在此阐述的那些形式之外的具体形式来实现。因此，所公开的实施方式应被解释为所有方面都是示例性的，而非限制性的。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，包括：
具有多个子像素的基板；
有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有在第一方向上对应于所述子像素交替形成的多个第一斜坡和多个第二斜坡，每个第二斜坡设置有不平坦图案；
阳极，所述阳极在所述有机绝缘膜上沿着相应一个第一斜坡设置在每个子像素处，并且所述阳极具有预定厚度；
堤部，所述堤部设置在所述有机绝缘膜上并与整个所述第二斜坡和在所述第一方向上的相邻两个子像素的第一斜坡上的部分所述阳极交叠；以及
设置在所述阳极上的有机层和阴极。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第二斜坡相对于所述基板的表面的第二倾斜角大于所述第一斜坡相对于所述基板的表面的第一倾斜角。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中
所述第一斜坡和所述第二斜坡的最上点彼此邻接，并且与所述堤部交叠，
所述不平坦图案具有在所述第一方向上以沟槽形状从所述第二斜坡的表面去除的形状，
沟槽形的不平坦图案具有与所述基板的表面平行的下侧以及与所述基板的表面垂直的侧壁。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中所述沟槽形的不平坦图案的侧壁的长度长于所述沟槽形的不平坦图案的下侧的长度。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括滤色器，所述滤色器设置在所述有机绝缘膜的下方并且对应于每个子像素，所述滤色器具有比所述第一斜坡的宽度更大的宽度，
其中所述有机绝缘膜覆盖所述滤色器。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中所述滤色器的边缘与所述不平坦图案的一部分交叠。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述有机绝缘膜在与所述第一方向交叉的第二方向上具有平坦表面。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中在所述第二方向上的相邻子像素的阳极之间的第二距离大于在所述第一方向上的相邻子像素的阳极之间的第一距离。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，还包括在所述第二距离内的像素驱动电路。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中每个子像素具有发光部，在所述发光部中所述第一斜坡的一部分在所述第一方向上暴露。
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