KR20230103719A - 발광 표시 장치 - Google Patents

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KR20230103719A
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한준희
이수민
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 발광 표시 장치는 서브 화소들 사이에서 수평 이격 거리가 좁은 제 1 방향에서 경사면과 요철 패턴을 구비함으로써, 인접 서브 화소간의 애노드 전극 사이의 물리적 거리를 늘리고, 인접 서브 화소 간 애노드 전극간 정상적인 분리가 가능하며, 또한, 시야각에 따라 인접 서브 화소에서 보여지는 혼색을 방지할 수 있는 발광 표시 장치에 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

발광 표시 장치 {Light Emitting Display Device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 고해상도에서도 인접 서브 화소들의 애노드 전극간의 잔막을 방지하며 정상적인 분리가 가능하고, 신뢰성을 향상시킨 발광 표시 장치에 관한 발명이다.
최근 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시장치(Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이 중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위해 별도 광원을 구비하지 않고, 발광 소자를 표시 패널 내에 갖는 발광 표시 장치(Light Emitting Display Device)가 경쟁력 있는 어플리케이션(application)으로 고려되고 있다.
발광 표시 장치는 복수개의 서브 화소를 갖고, 각 서브 화소에는 발광 소자가 구비된다. 발광 소자는 애노드 전극과 유기층 및 캐소드 전극을 포함하는데, 점차 고해상도화되며, 인접한 서브 화소들에서 애노드 전극간의 간격이 좁아진다. 이 경우, 인접한 애노드 전극 사이의 잔막에 의해 정상적으로 분리되지 못하고 단락되어 현상이 발생될 수 있으며, 특정 서브 화소가 턴오프시에도 인접 서브 화소의 턴온에 의해 빛이 새는 현상이 발생할 수 있다.
본 발명의 발광 표시 장치는 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 서브 화소들 사이에서 수평 이격 거리가 좁은 제 1 방향에서 경사면과 요철 패턴을 구비하여, 인접 서브 화소간의 애노드 전극 사이의 물리적 거리를 늘리고, 인접 서브 화소 간 애노드 전극간 정상적인 분리가 가능한 발광 표시 장치에 관한 발명이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는, 복수개의 서브 화소를 갖는 기판과, 제 1 방향에서, 상기 서브 화소들에 대응하여, 제 1 경사면과 제 2 경사면을 교번하여 갖고, 상기 제 2 경사면에 요철 패턴을 구비한 유기 절연막과, 상기 유기 절연막 상의 상기 제 1 경사면을 따라 상기 서브 화소들 각각에 일정 두께로 구비된 애노드 전극과, 상기 제 1 방향에서, 상기 제 2 경사면 전체와 인접한 양 서브 화소의 상기 제 1 경사면 상의 상기 애노드 전극의 일부에 중첩하여, 상기 유기 절연막 상에 구비된 뱅크 및 상기 애노드 전극 상에 유기막 및 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 발광 표시 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 애노드 전극이 형성되는 유기 절연막에 대해 적어도 인접 서브 화소들의 애노드 전극간 좁은 간격을 갖는 제 1 방향에서 서로 다른 제 1, 제 2 경사면을 갖고, 제 1 경사면은 발광부에 위치한 애노드 전극이 대응되고, 제 2 경사면은 요철 패턴을 구비한다. 따라서, 제 1 방향에서 물리적 거리를 늘려 애노드 전극 형성을 위한 식각 공정에서 서브 화소별 애노드 전극간 분리가 용이하다. 또한, 요철 패턴에서 물리적 거리가 일정 이상 발생되어, 요철 패턴 중 어느 부분에서라도 애노드 전극의 분리가 발생되면 양측의 인접한 서브 화소간 분리가 가능하며, 보다 안정적으로 인접 서브 화소간 애노드 전극을 분리할 수 있다.
둘째, 요철 패턴이 제 2 경사면에 위치하고, 그 구조가 하면과 측벽이 수직한 구조를 가져, 동일조건으로 증착되는 애노드 전극 물질이 요철 패턴의 표면 상에 얇은 두께를 갖고 있어, 식각 공정에서 용이하게 제거 가능하다.
셋째, 요철 패턴을 단면으로 볼 때, 측벽이 좌우 비대칭이 되어 제 2 경사면의 요철 패턴의 좌우 측벽의 높이가 달라 요철 패턴의 측벽 상부에서 물질간 컨택이 발생하기 어려운 구조로, 식각 과정에서 구조적으로 애노드 전극 물질을 요철 패턴에서 분리가 용이하다.
넷째, 서로 다른 경사면이 만나는 최상부점을 뱅크에 두어, 서브 화소에서 방사상으로 진행하는 광에 대해 경사면 및 요철 패턴이 인접 서브 화소로 넘어가는 것을 방지할 수 있어, 시야각 변화에 대한 화질 저하를 줄이거나 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 발광 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판을 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 발광 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 I~I' 선상의 단면도이다.
도 5는 도 4의 뱅크 및 하측 구조의 확대도이다.
도 6은 도 3의 Ⅱ~Ⅱ' 선상의 단면도이다.
도 7은 도 3의 일 서브 화소에 대응된 회로도이다.
도 8은 비교예의 발광 표시 장치에서 인접 서브 화소들의 애노드 잔막을 나타낸 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 비교예의 발광 표시 장치에서, 인접한 서브 화소들에 애노드 잔막이 있을 경우 휘점 불량과, 인접 애노드 전극의 단락을 나타낸 광학 사진이다.
도 10은 본 발명의 발광 표시 장치에서 경사면 요철이 인접 서브 화소로 전달되는 광을 방지하는 원리를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 부품 명칭과 상이할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서 전체에 걸쳐 동일한 도면 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
본 발명의 다양한 실시예에 포함된 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
본 발명의 다양한 실시예를 설명함에 있어, 위치 관계에 대하여 설명하는 경우에, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
본 발명의 다양한 실시예를 설명함에 있어, 시간 관계에 대한 설명하는 경우에, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예를 설명함에 있어, '제 1~', '제 2~' 등이 다양한 구성 요소를 서술하기 위해서 사용될 수 있지만, 이러한 용어들은 서로 동일 유사한 구성 요소 간에 구별을 하기 위하여 사용될 따름이다. 따라서, 본 명세서에서 '제 1~'로 수식되는 구성 요소는 별도의 언급이 없는 한, 본 발명의 기술적 사상 내에서 '제 2~' 로 수식되는 구성 요소와 동일할 수 있다.
본 발명의 여러 다양한 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 다양한 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하에서 설명하는 본 발명의 발광 표시 장치는 주로 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하지만 표시 장치에 내부에 이용되는 발광 소자의 물질이 유기 물질에 한정되지 않는다. 경우에 따라 발광 물질이 유기 물질일 수도 있고, 양자점 혹은 질화물 반도체와 같은 무기 물질일 수도 있고, 혹은 페로브스카이트 등과 같은 유기 물질과 무기 물질의 합성 물질을 포함하는 경우도 가능하다.
도 1은 본 발명의 발광 표시 장치를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 기판을 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2와 같이, 본 발명의 발광 표시 장치(1000)는 표시패널(1100), 스캔 구동부(1200), 데이터 구동부를 포함한 연성필름(1400), 회로보드(1500), 및 타이밍 제어부(1600)를 포함할 수 있다. 상기 연성 필름(1400)에는 드라이브 IC(1300)를 포함하여 데이터 구동부로 기능할 수 있다. 연성 필름(1400)은 도시된 바와 같이, 표시 패널(1100)에 구비된 복수개의 신호 라인들을 수개의 블록으로 나누어 데이터 신호를 공급하고, 센싱 신호를 검출할 수 있거나, 표시 패널(110)에 구비된 모든 신호 라인들에 대해 하나의 연성 필름(1400)이 대응되어 데이터 구동부 기능을 담당할 수도 있다. 경우에 따라, 연성 필름(1440)과 상기 회로보드(1500)를 일체화하여 형성할 수도 있다.
표시패널(1100)은 어레이 기판(1110)과 대향 기판(1120)을 포함할 수 있다. 어레이 기판(1110)과 대향 기판(1120)은 유리(glass) 또는 플라스틱(plastic) 성분의 기판을 포함하며, 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이나 컬러 필터 어레이 혹은 광학 필름의 구성을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 어레이 기판(1110)이 플라스틱 성분의 기판을 포함하는 경우, 기판을 이루는 플라스틱은 폴리이미드(polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate) 또는 PC(polycarbonate)일 수 있다. 어레이 기판(1110)이 플라스틱 성분의 기판을 포함하는 경우, 발광 표시 장치(1000)는 휘어지거나 구부러질 있는 플렉서블 표시장치(flexible display device)로 구현될 수 있다. 대향 기판(1120)은 유리, 플라스틱 필름, 봉지 필름 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 대향 기판(1120)이 봉지 필름인 경우 봉지 필름은 유기막과 무기막을 교번하여 포함한 유닛 구조를 가질 수 있고, 어레이 기판(1110)과의 본딩하는 공정없이 직접 어레이 기판(1110) 상에 성막할 수 있다.
어레이 기판(1110)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)들이 형성되는 박막 트랜지스터 기판이다. 대향 기판(1120)과 마주보는 어레이 기판(1110)의 일면 상에는 스캔 라인들, 신호 라인들, 및 서브 화소(P)들이 형성된다. 서브 화소(SP)들은 스캔 라인들과 신호 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다. 각각 스캔 라인들은 스캔 구동부(1200)에 연결되고, 신호 라인들은 데이터 구동부(1400)에 연결된다. 또한, 스캔 구동부(1200)는 도시된 바와 같이, 어레이 기판(1110)의 비표시 영역(NDA)에 직접 내장되어 구비될 수도 있고, 혹은 별도의 드라이브 IC나 인쇄회로 필름으로 어레이 기판(1110) 상의 상기 비표시 영역(NDA)에 접속될 수도 있다.
표시패널(1100)은 도 2과 같이 서브 화소(SP)들이 형성되어 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 스캔 라인들, 신호 라인들, 및 서브 화소(SP)들이 형성될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 스캔 구동부(1200), 패드들, 신호 라인들과 패드들을 연결하는 링크 라인들이 형성될 수 있다.
서브 화소(SP)는 그 내부에 실질적으로 발광이 나타나는 발광부(EM)와 발광부 외측에 배선 및 트랜지스터가 구비되는 화소 회로부(PC)로 영역을 구분할 수 있다.
그리고, 서브 화소(SP) 내의 상기 화소 회로부(PC)는 스캔 라인의 스캔 신호에 의해 턴-온되어 신호 라인의 데이터 전압을 공급받기 위해 스위칭 소자로서 복수개의 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 각 트랜지스터는 박막 트랜지스터일 수 있다. 서브 화소(SP) 내 트랜지스터들은 각각 액티브층을 동일층으로 하는 동일 스택 구조를 가질 수도 있고, 서로 다른 액티브층에 형성하는 이형 스택 구조로 구비될 수도 있다.
본 발명의 발광 표시 장치는 애노드 전극이 형성되는 표면이 되는 유기 절연막의 상부면에 경사면 및 선택적 요철 패턴을 구비하여, 애노드 전극간 용이한 분리를 꾀한 것을 특징으로 한다.
이하에서 본 발명의 발광 표시 장치를 구체적으로 설명한다.
도 3은 본 발명의 발광 표시 장치를 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 3의 I~I' 선상의 단면도이고, 도 5는 도 4의 뱅크 및 하측 구조의 확대도이다. 그리고, 도 6은 도 3의 Ⅱ~Ⅱ' 선상의 단면도이다. 또한, 도 7은 도 3의 일 서브 화소에 대응된 회로도이다.
도 3 내지 도 5와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는, 복수개의 서브 화소(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP)를 갖는 기판(100)과, 제 1 방향(도 3 내지 도 5의 x 방향) 에서, 상기 서브 화소들(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP)에 대응하여, 제 1 경사면(145as)과 제 2 경사면(145bs)을 교번하여 갖고, 상기 제 2 경사면(145bs)에 요철 패턴(bumpy ramp)을 구비한 유기 절연막(145)을 구비한다.
그리고, 유기 절연막(145) 상의 애노드 전극(151)은 상기 제 1 경사면(145as)을 따라 형성된다. 즉, 상기 유기 절연막(145) 상의 상기 제 1 경사면(145as)을 따라 상기 서브 화소들(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP) 각각에 일정 두께로 애노드 전극(151)이 구비되는 것으로, 유기 절연막(145)의 상부 표면은 애노드 전극(151)의 형성면으로 이용된다.
발광 표시 장치 내에서 각 서브 화소에 구비된 발광 소자(OLED)는 스스로 광을 내는 자발광 소자이다. 애노드 전극(151), 발광층과 복수개의 공통층을 포함한 유기층(152) 및 캐소드 전극(153)이 전극되어 발광 소자(OLED)가 구성된다.
발광 소자(OLED)는 애노드 전극(151) 형성된 뱅크(160)의 오픈 영역에 각 서브 화소(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP)의 발광부가 정의된다. 즉, 뱅크(160)가 형성되지 않은 영역에 발광이 이루어질 수 있다. 발광 소자(OLED)의 구성 요소 중 애노드 전극(151)은 박막 트랜지스터(TFT)로부터 신호를 인가받는 것으로, 서브 화소별 발광 소자(OLED)를 독립적으로 구동하기 위해 서브 화소별((R_SP, W_SP, B_SP, G_SP)로 구분된다.
따라서, 애노드 전극(151)을 서브 화소별(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP) 분리하는 것이 중요하다. 또한, 발광 표시 장치는 보다 선명한 화질을 나타내기 위해, 고해상도의 요구가 있는데, 한정된 면적 내에 고해상도로 가며 인접한 서브 화소들(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP)에서 애노드 전극의 간격이 점차 줄기 때문에 인접한 서브 화소간 애노드 전극의 잔막이 남는 경우, 턴오프 상태에서 인접 서브 화소의 영향으로 약휘점이 발생하거나 인접 서브 화소의 계조에 영향을 받는 문제가 발생할 수 있다. 본 발명의 발광 표시 장치는 이를 해결한 것으로, 제 1 경사면(145as)과 제 2 경사면(145bs) 및 제 2 경사면(145bs)에서의 요철 패턴(bumpy ramp)에 의해 제 1 방향(x 방향)에서의 인접 서브 화소간(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP) 애노드 전극(151)이 형성되는 유기 절연막(145)의 상부 표면에서 물리적 간격을 늘려, 애노드 전극(151)의 식각 공정에서 인접 서브 화소간의 용이한 분리를 꾀할 수 있다.
또한, 요철 패턴(bumpy ramp)에서 물리적 거리가 일정 이상 발생되어, 요철 패턴(bumpy ramp) 중 어느 부분에서라도 애노드 전극(151)의 분리가 발생되면 양측의 인접한 서브 화소간 분리가 가능한 것으로, 보다 안정적으로 인접 서브 화소간 애노드 전극(151)을 분리할 수 있다.
제 1 경사면(145as)은 발광부(EM) 전체와 주변의 데이터 라인(DLR, DLW, DLB, DLG), 구동 전원전압라인(VDL), 기저 전원전압 라인(VSL)이 일부에 중첩할 수 있어, 상기 제 2 경사면(145bs)보다 차지하는 폭이 더 클 수 있다. 이와 같이, 제 1 경사면(145as)와 제 2 경사면(145bs)는 서로 다른 폭을 가질 수 있고, 폭이 큰 쪽의 경사면은 보다 완만한 경사를, 폭이 작은 쪽의 경사면은 보다 가파른 경사를 가질 수 있다.
도 5에 도시된 예에서는, 제 1 경사면(145as)이 상기 기판(100)의 평탄한 표면에 대해 θ1 의 제 1 경사 각도를 갖고, 제 2 경사면(145bs)이 상기 기판(100)의 평탄한 표면에 대해 θ2 의 제 2 경사 각도를 갖는 점을 나타내고, 여기서, 제 2 경사 각도 (θ2)가 제 1 경사 각도(θ1)보다 큰 예를 나타낸다. 발광부의 면적을 늘리긴 위해서는, 발광부(EM)의 폭이 비발광부보다 넓은 폭을 갖는 것으로, 제 1 경사면(145as)의 폭이 크고 이의 제 1 경사 각도(θ1)가 제 2 경사 각도(θ2)보다 작은 것이 보다 바람직하다.
한편, 본 발명의 발광 표시 장치에 있어서는, 도 4 및 도 5와 같이, 제 2 경사면(145bs)으로부터 트렌치 형상으로 제거된 요철 패턴(bumpy ramp)이 제 2 경사면(145bs)으로부터 'a'폭의 하면을 갖고, 'h'의 높이를 측벽을 가질 수 있는데, 그 구조가 종횡비가 큰 하면과 측벽이 수직한 구조를 갖는다. 이 경우, 종횡비가 큰 구조로 인해 애노드 전극 형성용 물질을 증착시에 요철 패턴(bump ramp) 측에 얇게 증착될 수 있고, 이에 따라, 제 2 경사면(145bs)의 요철 패턴의 표면 상에 얇은 두께로 갖는 애노드 전극 물질을 식각 공정에서 용이하게 제거 가능하다.
또한, 요철 패턴(bumpy ramp)을 단면으로 볼 때, 측벽이 좌우 비대칭이 되어 제 2 경사면의 요철 패턴의 좌우 측벽의 높이(h)가 달라 요철 패턴의 측벽 상부에서 물질간 컨택이 발생하기 어려운 구조로, 식각 과정에서 구조적으로 애노드 전극 물질을 요철 패턴(bump ramp)에서 분리가 용이하며, 제 1 방향(x 방향)에서 인접한 서브 화소간 애노드 전극의 제거가 용이하다.
또한, 본 발명의 발광 표시 장치에서, 제 1 경사면(145as)은 발광부(EM)에 위치하며, 평탄한 평면에 위치한 애노드 전극의 구조보다 동일 수평 거리에서, 발광되는 면적을 늘릴 수 있는 이점이 있다.
도 3 및 도 4의 예는, 제 1 방향에서, 서로 다른 색의 서브 화소들(R_SP, W_SP, B_SP, G_SP)이 위치하고, 그 간격이 인접하기 때문에, 애노드 전극(151)의 형성면으로 이용되는 유기 절연막(145)의 상부 표면에 대해, 제 1 방향에서 서로 다른 제 1, 제 2 경사면(145as, 145bs)가 교번하여 반복되는 형상을 가진 것이다.
만일, 도 3에 도시된 바와 반대로, y 방향으로, 서로의 발광부의 이격 거리라 짧으며 다른 색의 서브 화소가 배치되는 구조라면, y 방향에서 서로 다른 제 1, 제 2 경사면(145as, 145bs)가 교번하여 반복되는 형상을 가질 수 있다.
그리고, 만일 서로 다른 서브 화소가 스트라이프 형상이 아닌 행과 열에서 다른 색의 배열을 갖는 경우에는 행과 열 모두에서 제 1, 제 2 경사면(145as, 145bs)을 구비하고, 뱅크(160)와 중첩되는 부분의 제 2 경사면(145bs)에서 요철 패턴을 적용하여, 인접 서브 화소들에서 애노드 전극(151)간 용이한 분리를 꾀할 수도 있다.
경우에 따라, 서브 화소들이 대각선으로 동일 색의 받는 구조라면, 대각선 방향에서, 제 1, 제 2 경사면(145as, 145bs)을 구비하고, 뱅크(160)와 중첩되는 부분의 제 2 경사면(145bs)에서 요철 패턴을 적용하여, 인접 서브 화소들에서 애노드 전극(151)간 용이한 분리를 꾀할 수도 있다.
도시된 예는, 상기 제 1 방향(x 방향) 에서, 상기 제 2 경사면(145bs) 전체와 인접한 양 서브 화소의 상기 제 1 경사면(145as) 상의 상기 애노드 전극(151)의 일부에 중첩하여, 상기 유기 절연막(145) 상에 구비된 뱅크(160)가 위치하며, 제 2 경사면(145bs)과 제 2 경사면(145bs) 양측의 일부의 제 1 경사면(145as)을 뱅크(160)가 덮고 있다.
본 발명의 발광 표시 장치는, 애노드 전극(151)이 형성되는 유기 절연막(145)에 대해 적어도 인접 서브 화소들의 애노드 전극(151)간 좁은 간격을 갖는 제 1 방향(x 방향)에서 유기 절연막(145)이 서로 다른 제 1, 제 2 경사면(145as, 145bs)을 갖고, 제 1 경사면(145as)은 발광부(EM)에 위치한 애노드 전극(151)이 대응되고, 제 2 경사면(145bs)은 요철 패턴(bumpy ramp)을 구비한다.
도 4에 도시된 예는 기판(100) 하측으로 발광이 이루어지는 하부 발광 방식을 나타낸 것이다. 이 경우, 발광 소자(OLED)에서 나온 백색 광을 하부의 컬러 필터(RCF, BCF, GCF)을 경유하여, 컬러 필터(RCF, BCF, GCF)가 선택적으로 투과시키는 광을 해당 서브 화소(R_SP, B_SP, G_SP)에 기판(100)을 통해 투과시킨다. 여기서, 백색 서브 화소(W_SP)는 컬러 필터를 구비하지 않는 것을 나타내고, 발광 소자(OLED)에서 나오는 백색 광을 직접 기판(100) 하부로 투과시키는 예를 나타내었다. 그러나, 본 발명은 이에 한하지 않고, 적색, 녹색, 청색 서브 화소와 더불어, 백색 서브 화소에서 유사 효율을 맞추도록 백색 안료층을 더 구비하는 경우도 가능할 것이다.
이 경우, 애노드 전극(151)은 ITO, IZO, ITZO 등의 투명 전극이고, 캐소드 전극(153)은 알루미늄 (Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 이터븀 (Yb), 스트론튬 (Sr) 등을 적어도 하나 포함한 금속이나 합금 층의 반사 전극일 수 있다.
또한, 도시된 예는 하부 발광 방식을 나타내었으나, 본 발명의 발광 표시 장치의 특징은 적어도 인접 서브 화소들의 애노드 전극(151)간 좁은 간격을 갖는 제 1 방향(x 방향)에서 유기 절연막(145)이 서로 다른 제 1, 제 2 경사면(145as, 145bs)을 갖고, 제 1 경사면(145as)은 발광부(EM)에 위치한 애노드 전극(151)이 대응되고, 제 2 경사면(145bs)은 요철 패턴(bumpy ramp)을 구비하는 것에 있는 것으로, 하부 발광 방식이 아닌 다른 상부 발광 방식이나 투명 표시 장치의 경우에도 확장 적용 가능하다.
도 3 및 도 4에 도시된 예는 x 방향 (제 1 방향)과 교차하는 제 2 방향(y 방향)으로 데이터 라인(DLR, DLW, DLB, DLG), 구동 전원전압라인(VDL), 기저 전원전압 라인(VSL)이 길게 형성되고, x 방향에서 각 서브 화소들 사이에 구동 전원 전압 라인(VDL), 데이터 라인(DLR, DLW), 기저 전원전압 라인(VSL) 및 데이터 라인(DLB, DLG)의 순으로 배치된 예를 나타낸다.
데이터 라인들은 양측으로 인접한 서브 화소들에 데이터 전압을 공급하고, 기저 전원 전압 라인(VSL)은 좌우 이웃하는 4개의 서브 화소들에 기저 전원전압을 공급하고, 구동 전원 전압 라인(VDL)은 이웃하는 좌우 4개의 서브 화소들이 구동 전원 전압을 공급할 수 있다.
그리고, 데이터 라인(DLR, DLW, DLB, DLG), 구동 전원전압라인(VDL), 기저 전원전압 라인(VSL)과 교차하여 x 방향으로 스캔 라인(SL) 및 센싱 라인(SEL)이 구비될 수 있다.
데이터 라인(DLR, DLW, DLB, DLG), 구동 전원전압라인(VDL), 기저 전원전압 라인(VSL)과, 교차된 스캔 라인(SL) 및 센싱 라인(SEL)은 사이에 복수개의 트랜지스터들과 스토리지 캐패시터를 구비하며, 이들을 포함하는 화소 회로부(PC)는 비발광부(NEM)에 구비될 수 있다. 구체적인 화소 회로부(PC)의 일예는 후술한다.
한편, 경우에 따라 발광 표시 장치가 상부 발광 방식인 경우, 화소 회로부(PC)와 발광부(EM)가 중첩하는 것도 가능하다. 이 경우, 애노드 전극(151)은 반사 전극을 포함하고 있어, 이 경우, 애노드 전극(151)은 반사 전극을 포함하고, 캐소드 전극(153)은 투명 전극이거나 반사 투과성 전극일 수 있다. 반사 전극을 포함시 그 성분에는 알루미늄 (Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 이터븀 (Yb), 스트론튬 (Sr), 백금 (Pt), 구리(Cu) 등을 적어도 하나 포함한 금속이거나 합금일 수 있고, 투명 전극인 경우, ITO, IZO, ITZO 등일 수 있고, 반사 투과성 전극은 반사성 전극을 200
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이하의 두께로 얇게 하여 구성할 수 있다.
도 5와 같이,_상기 제 1 경사면(145as)의 최상부 점은 상기 뱅크(160)와 중첩하여 있고, 상기 제 2 경사면(145bs)의 최하점은 상기 뱅크(160)와 중첩한 것으로, 이는 경사각도의 변화를 갖는 부위를 비발광부(NEM)에 해당하는 뱅크(160)에 위치시키기 위함이다.
도 6 및 도 7과 같이, 각 서브 화소(SP)의 화소 구동부는, 각각의 구동 트랜지스터(DR), 스위칭 트랜지스터(SW), 및 센싱 트랜지스터(SE)를 포함한다. 도 7은 일예로, 각 트랜지스터가, N형 반도체 특성이 있는 N형 반도체 트랜지스터로 형성된 것을 예시하였으나, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 즉, 각 트랜지스터, 혹은 일부 트랜지스터는, P형 반도체 특성이 있는 P형 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다.
각 서브 화소는 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극과 소스 전극간의 차전압을 저장할 수 있는 스토리지 캐패시터(Cst)를 더 구비하여 발광 소자(OLED)의 구동동안 화소 회로부의 특성을 안정화할 수 있다.
도 3, 도 6, 도 7과 같이, 발광 소자(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광 소자(OLED)의 애노드 전극(151)은 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극(137)에 접속되고, 캐소드 전극(153)은 기판(100)의 표시 영역(DA) 내 서브 화소들에 인접하여 위치한 기저 전원전압 라인(VSL)에 접속될 수 기저 전원전압을 공급받을 수 있다.
발광 소자(OLED)는 제 1 전극(151)과 제 2 전극(153)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 유기층(152) 내의 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
구동 트랜지스터(DR)는 구동 전원전압(EVDD)이 공급되는 구동 전원전압 라인(VDL)과 발광 소자(OLED) 사이에 배치된다. 구동 트랜지스터(DR)는 게이트 전극(131)과 소스 전극(137)의 전압 차에 따라 구동 전원전압 라인(VDL)으로부터 발광 소자(OLED)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극(131)은 스위칭 트랜지스터(SW)의 소스 전극(도 3의 131과 동일 노드)에 접속되고, 구동 트랜지스터(DR)의 드레인 전극(135)은 구동 전원전압라인(VDL)에 접속되며, 소스 전극(137)은 발광 소자(OLED)의 애노드 전극(151)에 접속될 수 있다. 도 3과 같이, 구동 트랜지스터(DR)의 드레인 전극(135)은 구동 전원전압 라인(VDL)과 중첩하며 접속된 제 1 접속 라인(136)과 일체형일 수 있다.
그리고, 도 3 및, 도 6과 같이, 구동 트랜지스터(DR)는 게이트 전극(131)이 채널이 중첩하고, 양측이 소스 전극(137) 및 드레인 전극(135)과 제 2, 제 1 콘택홀(CT2, CT1)과 접속된 제 1 반도체층(115)을 포함한다.
스위칭 트랜지스터(SW)는 스캔 라인(SL)을 게이트 전극으로 하며, 데이터 라인(DL)에서 돌출된 드레인 전극(139) 및 상기 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극(131)과 일체형인 소스 전극을 포함하고, 상기 스캔 라인(SL)이 채널이 중첩하고, 양측이 소스 전극(131) 및 드레인 전극(139)과 접속된 제 2 반도체층(117)을 포함한다.
또한, 센싱 트랜지스터(SE)는 센싱 라인(SEL)을 게이트 전극으로 하고, 기전 전원전압 라인(VSL)에서 돌출된 드레인 전극(238) 및 상기 센싱 라인(SEL)을 사이에 두고, 드레인 전극(238)과 마주보는 소스 전극(138)을, 상기 센싱인(SEL)이 채널이 중첩하고, 양측이 소스 전극(138) 및 드레인 전극(238)과 접속된 제 2 반도체층(118)을 포함한다.
한편, 반도체층(115)은 하측에 차광 금속으로 이루어진 차폐 금속층(105)이 더 구비되어, 기판(100) 하부에서 반도체층(115)으로 광이 전달됨을 차폐할 수 있다.
그리고, 차폐 금속층(105)은 데이터 라인(DLR, DLW, DLB, DLG), 구동 전원전압라인(VDL), 기저 전원전압 라인(VSL)과 동일층일 수 있다.
차폐 금속층(105) 상에는 제 1, 제 2 버퍼층(110, 130)이 구비될 수 있다. 제 1, 제 2 버퍼층(110, 130)은 서로 다른 무기 절연막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막 중 서로 다른 물질이 제 1, 제 2 버퍼층(110, 130)에 이용될 수 있다.
경우에 따라 제 1, 제 2 버퍼층(110, 130) 중 어느 하나는 생략될 수 있다.
상기 게이트 전극(131)과 반도체층(115)의 채널 사이는 게이트 절연막(134)이 더 개재될 수 있다. 상기 반도체층(115)과 소스 전극(137) 및 드레인 전극(135)간 제 2, 제 1 콘택홀(CT2, CT1)이 위치하지 않은 부위에 게이트 절연막(134)이 구비되거나, 층간 절연막이 구비될 수 있다.
그리고, 구동 트랜지스터(DR)을 포함하여 스위칭 트랜지스터(SW), 센싱 트랜지스터(SE)를 보호하도록 보호막(140)이 더 형성될 수 있다.
게이트 절연막(134), 층간 절연막, 보호막(140)은 무기 절연막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막일 수 있다.
그리고, 발광부(EM)와 중첩하여 각 서브 화소에 컬러 필터층(RCF, GCF, BCF)이 형성될 수 있다.
도 6은 제 2 방향(y 방향)을 따라 구동 트랜지스터(DR)와 애노드 전극(151)간의 접속을 나타낸 것이다. 발광부(EM)에 애노드 전극(151)은 구동 트랜지스터(DR)를 포함한 화소 회로부의 구성이 있는 비발광부(NEM)에 위치하는 애노드 연장 패턴(151a)과 일체형이며, 동일 신호를 인가받는다. 이 경우, 비발광부(NEM)의 애노드 연장 패턴(151a)이 위치한 부위는 충분히 제 2 방향(y 방향)에서 인접한 서브 화소의 애노드 전극(151)와 이격되어 있어, 제 2 방향에서 제 1 경사면(145as)의 동일 또는 유사 선상을 지나고 있어, 평탄한 면으로 유기 절연막(145)의 표면이 나타나고 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 만일 제 2 방향(y 방향)에서 애노드 전극(151) 혹은 애노드 연장 패턴(151a)간의 간격이 인접하다면, 인접한 서브 화소간의 애노드 전극(151)의 분명한 분리를 위해서 상술한 제 1, 제 2 경사면의 교번 구조와 제 2 경사면의 요철 패턴을 적용할 수 있을 것이다.
여기서, 도 3, 6에서 설명하지 않은 VDLe는 구동 전원전압 라인(VDL)에서 가로 방향(x 방향, 제 1 방향)으로 연장되는 연장부이다.
스위칭 트랜지스터(SW)는 제 k 스캔라인(SLk)의 제k 스캔 신호에 의해 턴-온되어 제 j 신호 라인(DLj)의 전압을 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 공급한다. 스위칭 트랜지스터(SW)의 게이트 전극은 제 k 스캔라인(SLk)에 접속되고, 소스 전극은 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제 j 신호 라인(DLj)에 접속될 수 있다.
센싱 트랜지스터(SE)는 제 k 센스 라인(SEk)의 제 k 초기화신호에 의해 턴-온되어 제 q 기준전압 라인(RLq)을 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 접속시킨다. 센싱 트랜지스터(SE)의 게이트 전극은 제 k 센스 라인(SEk)에 접속되고, 드레인 전극은 제 q 기준전압 라인(RLq)에 접속되며, 소스 전극은 구동 트랜지스터(DR)의 드레인 전극에 접속될 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전압과 소스전압 간의 차전압을 저장한다.
스토리지 캐패시터(Cst)의 일측 전극은 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극, 및 스위칭 트랜지스터(SW)의 소스 전극에 접속되고, 타측 전극은 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극, 센싱 트랜지스터(SE)의 소스 전극, 및 발광소자(OLED)의 애노드 전극(151) 혹은 애노드 전극 연장부(151a)에 접속될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(SW)에 의해 소정 서브 화소(SP)가 선택되면, 해당 서브 화소의 구동 트랜지스터(DR)를 통해 구동 전류가 발광 소자(OLED)에 공급될 수 있다.
도 3 및 도 6의 화소 회로부(화소 구동부)의 예는 일 예이며, 박막 트랜지스터를 가감하거나 스토리지 캐패시터나 보상 캐패시터를 더 추가하여 회로를 구성할 수도 있다.
이하에서는, 평탄한 유기 절연막 표면에 애노드 전극이 형성되는 비교예의 발광 표시 장치와 비교하여 본 발명의 발광 표시 장치의 효과를 살펴본다.
도 8은 비교예의 발광 표시 장치에서 인접 서브 화소들의 애노드 잔막을 나타낸 단면도이다.
도 8과 같이, 비교예의 발광 표시 장치는, 뱅크(60)로 구분되는 인접한 서브 화소들의 발광부 하측에서, 애노드 전극(51)이 서브 화소들간 분리되지 않고 잔막을 갖는 형태를 나타낸다.
특히, 발광 표시 장치가 고해상도로 가며 서브 화소들에서 애노드 전극간의 요구되는 간격이 줄어드는데, 이 경우, 비교예의 발광 표시 장치는, 평탄한 유기 절연막(45) 상에 애노드 전극(51)을 형성하는 경우 사이에 잔막이 발생되고 서브 화소간 완전히 분리가 되지 않은 상태를 나타낸다.
도 9a 및 도 9b는 비교예의 발광 표시 장치에서, 인접한 서브 화소들에 애노드 잔막이 있을 경우 휘점 불량과, 인접 애노드 전극의 단락을 나타낸 광학 사진이다.
비교예의 발광 표시 장치는, 도 9a와 같이, 그레이 표현시 잔막이 발생된 부위에서 인접한 서브 화소로부터 구동 전류를 더 인가받아 휘점 불량이 발생될 수 있다.
그리고, 도 9b는, 이를 광학 사진으로 나타낸 것으로, 살펴보면, 인접한 녹색 서브 화소와 청색 서브 화소들간의 애노드 전극간 쇼트가 발생되고, 이에 따라, 상측부에서 청색 서브 화소에서 녹색 광이 발생된 예를 나타낸다.
본 발명의 발광 표시 장치는 애노드 전극이 형성되는 유기 절연막에 대해 적어도 인접 서브 화소들의 애노드 전극간 좁은 간격을 갖는 제 1 방향에서 서로 다른 제 1, 제 2 경사면을 갖고, 제 1 경사면은 발광부에 위치한 애노드 전극이 대응되고, 제 2 경사면은 요철 패턴을 구비한다. 따라서, 제 1 방향에서 물리적 거리를 늘려 애노드 전극 형성을 위한 식각 공정에서 서브 화소별 애노드 전극간 분리가 용이하다. 또한, 요철 패턴에서 물리적 거리가 일정 이상 발생되어, 요철 패턴 중 어느 부분에서라도 애노드 전극의 분리가 발생되면 양측의 인접한 서브 화소간 분리가 가능하며, 보다 안정적으로 인접 서브 화소간 애노드 전극을 분리할 수 있다. 따라서, 비교예에 따른 발광 표시 장치에서 나타나는 휘점 불량 및 인접한 서브 화소간 애노드 전극의 단락을 방지할 수 있다.
또한, 요철 패턴이 제 2 경사면에 위치하고, 그 구조가 하면과 측벽이 수직한 구조를 가져, 동일조건으로 증착되는 애노드 전극 물질이 요철 패턴의 표면 상에 얇은 두께를 갖고 있어, 식각 공정에서 용이하게 제거 가능하다.
그리고, 요철 패턴을 단면으로 볼 때, 측벽이 좌우 비대칭이 되어 제 2 경사면의 요철 패턴의 좌우 측벽의 높이가 달라 요철 패턴의 측벽 상부에서 물질간 컨택이 발생하기 어려운 구조로, 식각 과정에서 구조적으로 애노드 전극 물질을 요철 패턴에서 분리가 용이하다.
도 10은 본 발명의 발광 표시 장치에서 경사면 요철이 인접 서브 화소로 전달되는 광을 방지하는 원리를 나타낸 도면이다.
도 10과 같이, 본 발명의 발광 표시 장치는, 발광부에서 제 1 경사면(145as)를 갖고 기울어져 있어, 발광 소자(OLED)의 유기층(152)에서 방사 상으로 퍼지는 광 중 좌우로 퍼지거나, 제 2 경사면(145bs)의 제 2 경사각도(θ2) 이하로 퍼지는 광을 뱅크(160) 및 하측에 있는 제 2 경사면(145bs) 및 제 2 경사면(145bs)에 의해 차단될 수 있다. 즉, 특정 서브 화소에서 턴온되는 광이 인접 서브 화소에 영향을 미치는 것을 구조적으로 차단할 수 있다.
또한, 발광 표시 장치를 정면에서 특정 각도로 기울여 보는 시야각 휘도 편차도 제 2 경사면을 뱅크(160) 하측에 구비하여 효과적으로 방지할 수 있다.
경우에 따라 뱅크(160)가 블랙 물질을 포함할 경우, 인접 서브 화소간 혼색 방지와, 시야각 휘도 편차를 더 효과적으로 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 발광 표시 장치는, 서로 다른 경사면이 만나는 최상부점을 뱅크에 두어, 서브 화소에서 방사상으로 진행하는 광에 대해 경사면 및 요철 패턴이 인접 서브 화소로 넘어가는 것을 방지할 수 있어, 시야각 변화에 대한 화질 저하를 줄이거나 방지할 수 있다.
이를 위한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는, 복수개의 서브 화소를 갖는 기판과, 제 1 방향에서, 상기 서브 화소들에 대응하여, 제 1 경사면과 제 2 경사면을 교번하여 갖고, 상기 제 2 경사면에 요철 패턴을 구비한 유기 절연막과, 상기 유기 절연막 상의 상기 제 1 경사면을 따라 상기 서브 화소들 각각에 일정 두께로 구비된 애노드 전극과, 상기 제 1 방향에서, 상기 제 2 경사면 전체와 인접한 양 서브 화소의 상기 제 1 경사면 상의 상기 애노드 전극의 일부에 중첩하여, 상기 유기 절연막 상에 구비된 뱅크 및 상기 애노드 전극 상에 유기막 및 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
상기 제 1 경사면이 상기 기판의 표면에 대해 갖는 제 1 경사 각도보다 상기 제 2 경사면이 상기 기판의 표면에 대해 갖는 제 2 경사 각도가 클 수 있다.
상기 제 1 경사면과 상기 제 2 경사면은 최상부 점은 상기 뱅크와 중첩하여 이웃하고, 상기 요철 패턴은 상기 제 1 방향에서, 상기 제 2 경사면의 표면으로부터 트렌치형으로 제거된 형상이며, 상기 트렌치형은 상기 기판의 표면과 평행한 하변과 상기 기판의 표면에 수직한 측벽을 가질 수 있다.
상기 트렌치형은 상기 하변보다 상기 측벽의 길이가 길 수 있다.
상기 기판은 상기 유기 절연막 하측에, 상기 서브 화소 각각에 대응하여 적어도 상기 제 1 경사면보다 넓은 폭으로 컬러 필터를 더 포함하며, 상기 유기 절연막은 상기 컬러 필터를 덮을 수 있다.
상기 컬러 필터의 가장 자리는 상기 요철 패턴의 일부와 중첩할 수 있다.
상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에서 상기 유기 절연막은 평탄한 표면을 가질 수 있다.
상기 제 1 방향에서 인접 서브 화소들의 상기 애노드 전극간의 제 1 간격보다, 상기 제 2 방향에서 인접 서브 화소들의 상기 애노드 전극의 제 2 간격이 더 클 수 있다.
상기 제 2 간격에서 화소 구동부를 포함할 수 있다.
상기 서브 화소들은 각각 상기 제 1 방향에서, 상기 제 1 경사면의 일부가 노출된 발광부를 가질 수 있다.
본 발명의 발광 표시 장치에 있어서, 서브 화소들 사이에 경사면 상에 요철을 갖는 평탄화막과, 평탄화막 상에 형성된 애노드 전극을 나타낸 단면도이다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 145: 유기 절연막
145as: 제 1 경사면 145bs: 제 2 경사면
151: 애노드 전극 160: 뱅크
152: 유기층 153: 캐소드 전극
OLED: 발광 소자

Claims (10)

  1. 복수개의 서브 화소를 갖는 기판;
    제 1 방향에서, 상기 서브 화소들에 대응하여, 제 1 경사면과 제 2 경사면을 교번하여 갖고, 상기 제 2 경사면에 요철 패턴을 구비한 유기 절연막;
    상기 유기 절연막 상의 상기 제 1 경사면을 따라 상기 서브 화소들 각각에 일정 두께로 구비된 애노드 전극;
    상기 제 1 방향에서, 상기 제 2 경사면 전체와 인접한 양 서브 화소의 상기 제 1 경사면 상의 상기 애노드 전극의 일부에 중첩하여, 상기 유기 절연막 상에 구비된 뱅크; 및
    상기 애노드 전극 상에 유기막 및 캐소드 전극을 포함한 발광 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 경사면이 상기 기판의 표면에 대해 갖는 제 1 경사 각도보다 상기 제 2 경사면이 상기 기판의 표면에 대해 갖는 제 2 경사 각도가 큰 발광 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 경사면과 상기 제 2 경사면은 최상부 점은 상기 뱅크와 중첩하여 이웃하고,
    상기 요철 패턴은 상기 제 1 방향에서, 상기 제 2 경사면의 표면으로부터 트렌치형으로 제거된 형상이며,
    상기 트렌치형은 상기 기판의 표면과 평행한 하변과 상기 기판의 표면에 수직한 측벽을 갖는 발광 표시 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 트렌치형은 상기 하변보다 상기 측벽의 길이가 긴 발광 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 유기 절연막 하측에, 상기 서브 화소 각각에 대응하여 적어도 상기 제 1 경사면보다 넓은 폭으로 컬러 필터를 더 포함하며,
    상기 유기 절연막은 상기 컬러 필터를 덮는 발광 표시 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 컬러 필터의 가장 자리는 상기 요철 패턴의 일부와 중첩한 발광 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에서 상기 유기 절연막은 평탄한 표면을 갖는 발광 표시 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 방향에서 인접 서브 화소들의 상기 애노드 전극간의 제 1 간격보다, 상기 제 2 방향에서 인접 서브 화소들의 상기 애노드 전극의 제 2 간격이 더 큰 발광 표시 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 간격에서 화소 구동부를 포함한 발광 표시 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 서브 화소들은 각각 상기 제 1 방향에서, 상기 제 1 경사면의 일부가 노출된 발광부를 갖는 발광 표시 장치.
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