CN116437706A - 电致发光显示器 - Google Patents

Abstract

公开了一种电致发光显示器和电致发光显示装置。电致发光显示器包括具有封装功能的阴极电极。该电致发光显示器包括：基板；基板上的阳极电极；阳极电极上的发光层；以及发光层上的阴极电极。阴极电极包括依次堆叠的多个导电层。

Description

电致发光显示器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0191329号的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开内容涉及包括具有封装功能的阴极电极的电致发光显示器。特别地，本公开内容涉及其中阴极电极层用作封装层而没有用于保护发光元件的另外的封装层的电致发光显示器。

背景技术

近来，已经开发了各种类型的显示器，诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器用于根据诸如计算机、移动电话、银行存款和取款设备(ATM)以及车辆导航系统的各种产品的独特的特性和目的来显示其图像数据。

特别地，在作为自发光显示器的电致发光显示器的情况下，当诸如水分和气体的异物从显示器外部渗透到有机元件中时，该有机元件可能被损坏并且使用寿命缩短。为了防止这个问题，已经提出了用于应用封装层来保护有机发光元件的技术。

为了提供封装层，需要单独的处理，从而增加了制造附加时间和成本。此外，当封装层相对于有机发光二极管的阴极电极具有有缺陷的接口特性时，封装性能可能不被完全保证。因此，需要开发用于如下封装层的技术，该封装层具有能够防止水分或异物从外部渗透的同时简化制造过程并降低制造成本的新结构。

发明内容

为了解决上述问题，本公开内容的目的是提供如下电致发光显示器，该电致发光显示器通过阴极电极本身具有优异的封装性能，而无需用于保护有机发光元件的单独的封装层。本公开内容的另一个目的是提供能够通过将阴极电极配置成具有封装功能以简化制造处理从而降低制造成本的电致发光显示器。

在一个实施方式中，电致发光显示器包括：基板；基板上的阳极电极；阳极电极上的发光层；以及发光层上的阴极电极。阴极电极包括依次堆叠的多个导电层。

在一个实施方式中，多个导电层包括：包含金属氧化物材料的第一金属氧化物层；第一金属氧化物层上的第一金属层，该第一金属层包括金属材料；以及第一金属层上的第二金属氧化物层，该第二金属氧化物层包括金属氧化物材料。

在一个实施方式中，多个导电层还包括具有金属材料的第二金属层，该第二金属层在第二金属氧化物层上。

在一个实施方式中，多个导电层包括：包含金属材料的第一金属层；第一金属层上的第一金属氧化物层，该第一金属氧化物层包括金属氧化物材料；以及第一金属氧化物层上的第二金属层，该第二金属层包括金属材料。

在一个实施方式中，多个导电层还包括包含金属氧化物材料的第二金属氧化物层，该第二金属氧化物层在第二金属层上。

在一个实施方式中，多个导电层包括：具有金属材料的第一金属层；第一金属层上的第一金属氧化物层，该第一金属氧化物层包括金属氧化物材料；以及第一金属氧化物层上的树脂层，该树脂层包括导电树脂材料。

在一个实施方式中，多个导电层还包括包含金属材料的第二金属层，该第二金属层在树脂层上。

在一个实施方式中，多个导电层还包括包含金属氧化物材料的第二金属氧化物层，该第二金属氧化物层在第二金属层上。

在一个实施方式中，多个导电层包括：包含金属氧化物材料的第一金属氧化物层；第一金属氧化物层上的第一金属层，该第一金属层包含金属材料；以及第一金属层上的树脂层，该树脂层包含导电树脂材料。

在一个实施方式中，多个导电层还包括包含金属氧化物材料的第二金属氧化物层，该第二金属氧化物层在树脂层上。

在一个实施方式中，多个导电层还包括包含金属材料的第二金属层，该第二金属层在第二金属氧化物层上。

在一个实施方式中，金属材料包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中的至少一种。金属氧化物材料包括铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)和钡氧化物(BaO)中的至少一种。

在一个实施方式中，多个导电层包括：与发光层接触的第一导电层；与第一导电层接触的第二导电层；以及与第二导电层接触的第三导电层。

在一个实施方式中，第一导电层和第三导电层中的每一者均包括金属层或金属氧化物层中的至少一种。金属层比金属氧化物层厚。

在一个实施方式中，金属氧化物层具有

至/>

范围内的厚度，以及金属层具有/>

至/>

范围内的厚度。

在一个实施方式中，第二导电层包括导电树脂材料。

在一个实施方式中，导电树脂材料包括：畴材料，该畴材料具有三(8-羟基喹啉)铝、1,3,5-三(间-吡啶-3-基-苯基)苯、红菲咯啉、1,2,3-三唑和三苯基铋中的至少一种；以及分散在畴材料中的掺杂剂，该掺杂剂具有碱金属材料，碱金属材料包括锂、铯、铯氧化物、铯氮化物、铷或巴克明斯特富勒烯中的至少一种。

在一个实施方式中，电致发光显示装置包括：基板；基板上的晶体管；晶体管上的钝化层；钝化层上的平坦化层，该平坦化层具有侧表面；发光元件，该发光元件在平坦化层上并电连接至晶体管，该发光元件包括阳极电极、阳极电极上的发光层以及发光层上的多层阴极电极，其中，多层阴极电极延伸超过发光层，使得多层阴极电极的至少一部分与平坦化层的侧表面交叠并在钝化层上。

在一个实施方式中，多层阴极电极包括：与发光层接触的第一导电层；与第一导电层接触的第二导电层；以及与第二导电层接触的第三导电层。

在一个实施方式中，第一导电层和第三导电层中的每一者均包括金属层或金属氧化物层之一，以及第二导电层包括导电树脂。

根据本公开内容的电致发光显示器可以具有如下结构，其中构成有机发光元件的阴极电极的至少两个导电层依次地堆叠。例如，根据本公开内容的电致发光显示器具有如下结构，其中包括诸如铝的金属材料的第一导电层和包括诸如铝氧化物的金属氧化物层的第二导电层被堆叠。因此，阴极电极还包括封装功能，使得阴极电极和封装层可以在形成阴极电极的单个过程中形成为一个结构。因此，简化了制造过程，并且可以降低制造成本。此外，由于具有封装功能的阴极电极被形成为具有由多层导电材料制成的结构，因此薄膜之间的粘合力优异，并且不会发生诸如剥离现象的损坏。因此，本公开内容可以提供包括阴极电极的电致发光显示器，该阴极电极具有阻止异物从外部渗透的优异的封装功能。

附图说明

被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本申请并构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意性结构的平面视图。

图2是示出根据本公开内容的电致发光显示器中包含的一个像素的结构的电路图。

图3是示出根据本公开内容的电致发光显示器中设置的像素的结构的平面视图。

图4是沿图3中的切割线II-II’的示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构的截面视图。

图5是沿图1中的切割线I-I’的示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构的截面视图。

图6是沿图1中的切割线III-III’的示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构的截面视图。

图7A和图7B是对图4中的矩形区域X进行放大的截面视图，其用于示出根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

图8是对图4中的矩形区域X进行放大的截面视图，其用于示出根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

图9是对图4中的矩形区域X进行放大的截面视图，其用于示出根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

图10是对图4中的矩形区域X进行放大的截面视图，其用于示出根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

图11是对图4中的矩形区域X进行放大的截面视图，其用于示出根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

图12是对图4中的矩形区域X进行放大的截面视图，其用于示出根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

图13是用于示出根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图14是用于示出根据本公开内容的第八实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图15是用于示出根据本公开内容的第九实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图16是用于示出根据本公开内容的第九实施方式的另一示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图17是用于示出根据本公开内容的第一应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图18是用于示出根据本公开内容的第二应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图19是用于示出根据本公开内容的第三应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

图20是用于示出根据本公开内容的第四应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面视图。

具体实施方式

现在将详细参照本公开内容的示例性实施方式，其示例在附图中示出。贯穿附图，将尽可能地使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。在说明书中，应当注意的是，针对元件，尽可能地使用已经在其他附图中用来表示相似元件的相似附图标记。在以下描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开内容的基本配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应当理解如下。

本公开内容的优点和特征及其实现方法将通过以下参照附图描述的实施方式来阐明。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应当被解释为限于本文阐述的实施方式。而是，提供这些示例实施方式，以使得本公开内容可以是足够彻底和完整的，以帮助本领域技术人员完全理解本公开内容的范围。此外，本公开内容的保护范围由权利要求及其等同物限定。

为了描述本公开内容的各种示例实施方式而在附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅通过示例的方式给出。因此，本公开内容不限于所示细节。除非另有说明，否则在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地使本公开内容的要点模糊的情况下，可以省略对这样的已知功能或配置的详细描述。

在本说明书中，在使用术语“包括”、“具有”、“包含”等时，除非使用诸如“仅”的术语，否则可以添加一个或更多个其他元件。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之，多个元件旨在包括以单数形式描述的元件。

在解释元件时，该元件被解释为包括误差或公差范围，即使未提供这样的误差或公差范围的明确描述。

在本公开内容的各种实施方式的描述中，在描述位置关系时，例如，在使用“上”、“之上”、“下”、“上面”、“下面”、“旁边”、“靠近”等描述两个部件之间的位置关系时，除非使用诸如“紧接地”、“直接地”或“接近地”的更具限制性的术语，否则一个或更多个其他部件可以位于这两个部件之间。例如，当元件或层被设置在另一元件或层“之上”时，第三层或第三元件可以插入其间。此外，如果第一元件被描述为位于第二元件“之上”，这不一定意味着第一元件在图中位于第二元件之上。所关注的对象的上部和下部可以根据对象的取向而改变。因此，在第一元件被描述为位于第二元件“之上”的情况下，该第一元件可以根据对象的取向而在图中或在实际配置中位于第二元件“之下”或第二元件“之上”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”时，除非使用诸如“刚好”、“紧接地”或“直接地”的更具限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。

应当理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制，因为这些术语并不用于限定特定顺序。这些术语仅用于区分一个元件和其他元件。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开内容的各种元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅用于区分一个元件与其他元件，而不是限定元件的特定性质、顺序、次序或数目。当元件被描述为“链接至”、“耦接至”或“连接至”另一元件时，除非另有说明，否则该元件可以直接或间接连接至该另一元件。应当理解的是，另外的一个或多个元件可以“插入”在被描述为彼此“链接”、“连接”或“耦接”的两个元件之间。

应当理解的是，术语“至少一个”应当被理解为包括相关联列出的项中的一个或更多个项的任何和所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义涵盖所有三个列出的元件的组合、三个元件中的任意两个的组合以及每个单独的元件(第一元件、第二元件和第三元件)。

如本领域技术人员能够充分理解的，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以以各种方式彼此相互操作以及在技术上驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的显示设备的示例。贯穿附图，将尽可能地使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。由于为便于描述，附图中所示的每个元件的比例与实际比例不同，因此本公开内容不限于附图中所示的比例。

在下文中，将参照附图对本公开内容进行说明。图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意性结构的平面视图。在图1中，X轴指的是与扫描线平行的方向(例如，第一方向)，Y轴指的是数据线的方向(例如，第二方向)，以及Z轴指的是显示装置的高度方向(例如，第三方向)。

参照图1，电致发光显示器包括基板110、栅极(或扫描)驱动器200、数据焊盘部分300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和时序控制器500。

基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明的聚酰亚胺材料。

基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于呈现视频图像的区域的显示区域AA可以被定义为基板110的大部分中间区域，但不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多个扫描线(或栅极线)、多个数据线和多个像素。像素中的每一个可以包括多个子像素。子像素中的每一个分别包括扫描线和数据线。

作为不呈现视频图像的区域的非显示区域NDA可以被限定在基板110的围绕显示区域AA的全部或一部分的外围区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置栅极驱动器200和数据焊盘部分300。

栅极驱动器200可以根据从时序控制器500接收的栅极控制信号向扫描线供应扫描(或栅极)信号。栅极驱动器200可以以GIP(Gate driver In Panel，面板内栅极驱动器)类型形成在基板110上的显示区域AA外部的任意侧的非显示区域NDA处。GIP类型意指栅极驱动器200被直接形成在基板110上。

数据焊盘部分300可以根据从时序控制器500接收的数据控制信号向数据线供应数据信号。数据焊盘部分300可以被制成驱动器芯片并安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以以TAB(带式自动接合)类型附接至基板110上的显示区域AA外部的任意侧的非显示区域NDA处。

源极驱动IC 410可以从时序控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，然后将该模拟数据电压供应至数据线。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，源极驱动IC 410可以以COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)类型安装在柔性电路膜430上。

柔性电路膜430可以包括将数据焊盘部分300连接至源极驱动IC 410的多个第一链接线以及将数据焊盘部分300连接至电路板450的多个第二链接线。可以使用各向异性导电膜将柔性膜430附接在数据焊盘部分300上，使得数据焊盘部分300可以连接至柔性膜430的第一链接线。

电路板450可以附接至柔性电路膜430。电路板450可以包括实现为驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

时序控制器500可以通过电路板450的线路线缆从外部系统板接收数字视频数据和时序信号。时序控制器500可以基于时序信号生成用于控制栅极驱动器200的操作时序的栅极控制信号和用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。时序控制器500可以将栅极控制信号供应至栅极驱动器200，并将源极控制信号供应至源极驱动IC 410。取决于产品类型，时序控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片，并安装在基板110上。

在下文中，将参照图2至图4对本公开内容的一个实施方式进行说明。图2是示出根据本公开内容的一个像素的结构的电路图。图3是示出根据本公开内容的像素的结构的平面视图。图4是沿着图3中的切割线II-II’的截面示图，其示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构。

参照图2至图4，发光显示器的一个像素可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容器Cst。驱动电流线VDD可以供应有用于驱动发光二极管OLE的高电平电压。

开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可以形成在基板SUB上。例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在其中扫描线SL与数据线DL彼此交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅极电极SG、开关源极电极SS和开关漏极电极SD。开关栅极电极SG可以连接至扫描线SL。开关源极电极SS可以连接至数据线DL，以及开关漏极电极SD可以连接至驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT供应数据信号，开关薄膜晶体管ST可以发挥选择将被驱动的像素的作用。

驱动薄膜晶体管DT可以起到通过开关薄膜晶体管ST驱动所选择的像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅极电极DG、驱动源极电极DS和驱动漏极电极DD。驱动栅极电极DG可以连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏极电极SD。例如，驱动栅极电极DG可以经由穿透栅极绝缘层GI的漏极接触孔DH连接至开关漏极电极SD。驱动源极电极DS可以连接至驱动电流线VDD，以及驱动漏极电极DD可以连接至发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容器Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅极电极DG与发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。

驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏极电极SD的驱动栅极电极DG的电压水平来控制从驱动电流线VDD流至发光二极管OLE的电流的量。

发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发光层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发射光。换言之，可以通过由驱动薄膜晶体管DT控制的低电平电压和高电平电压之间的电压差来驱动发光二极管OLE。发光二极管OLE的阳极电极ANO可以连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极电极DD，以及阴极电极CAT可以连接至供应低电平电势电压的低电平电压线VSS。也就是说，发光二极管OLE可以由由驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压和从低电平电压线VSS供应的低电平电压来驱动。

可以在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110上沉积钝化层PAS。钝化层PAS可以由诸如硅氧化物(SiO_x)或硅氮化物(SiN_x)的无机材料制成。平坦化层PL可以沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以是用于使其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的不均匀表面平坦或平整的薄膜。为此，平坦化层PL可以由有机材料制成。钝化层PAS和平坦化层PL可以具有用于使驱动薄膜晶体管DT的漏极电极DD的一些部分暴露的像素接触孔PH。

可以在平坦化层PL的表面上形成阳极电极ANO。阳极电极ANO可以经由像素接触孔连接至驱动薄膜晶体管DT的漏极电极DD。根据发光二极管OLE的发光条件，阳极ANO可以具有不同的元素。对于发射的光可以被提供至基板110的底部发光型，在一个实施方式中，阳极电极ANO可以由透明导电材料制成。对于发射的光可以被提供至与基板110相反的方向的顶部发光型，在一个实施方式中，阳极电极ANO可以包括具有优异反射率的金属材料。

在本公开内容的情况下，由于阴极电极具有封装功能从而避免了位于阴极电极之上的封装结构的需要，因此该阴极电极具有适用于底部发光型的结构。在底部发光型的情况下，阳极电极ANO可以由透明导电材料形成。例如，阳极电极ANO可以包括诸如铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)的氧化物导电材料。阳极电极ANO可以由单层或多层构成。阳极电极ANO可以包括低反射性材料。例如，当阳极电极ANO由低反射电极形成时，阳极电极ANO可以包括包含钼铜氧化物(MoCuO_x)的下层和包含铜(Cu)的上层。

可以在阳极电极ANO上形成堤部BA。堤部BA可以通过覆盖阳极电极ANO的周围区域并使阳极电极ANO的大部分中间区域暴露来限定发光区域。发光层EL可以沉积在阳极电极ANO和堤部BA上。发光层EL可以在基板110上的显示区域AA的整个表面上沉积为覆盖阳极电极ANO和堤部BA。例如，发光层EL可以包括用于发射白光的两个或更多个堆叠的发光部分。详细地，发光层EL可以包括提供第一颜色光的第一发光层和提供第二颜色光的第二发光层，以用于通过组合第一颜色光和第二颜色光来发射白光。

在另一示例中，发光层EL可以包括蓝光发光层、绿光发光层和红光发光层中与分配给像素的颜色对应的至少任意一种。此外，发光二极管OLE还可以包括用于提高发光层EL的发光效率和/或使用寿命的至少一个功能层。

阴极电极CAT可以设置在发光层EL上。阴极电极CAT可以以彼此表面接触的方式堆叠在发光层EL上。阴极电极CAT可以在基板110的整个区域上形成为一个片状元件以共同连接至设置在所有像素处的整个发光层EL。在底部发光型的情况下，阴极电极CAT可以包括具有优异光反射率的金属材料。例如，阴极电极CAT可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)中的至少任何一种。

根据本公开内容的显示器不包括发光二极管OLE上的独立封装层，这是因为阴极电极CAT用作封装层。为了将阴极电极CAT配置成具有封装功能，阴极电极CAT具有本公开内容的独特结构特征。

对于根据本公开内容的显示器，阴极电极CAT包括至少两个阴极电极层。在一个实施方式中，阴极电极CAT可以包括顺序堆叠的多个阴极电极层(例如，三个阴极电极层)。因此，阴极电极CAT是多层的阴极电极。例如，阴极电极CAT可以包括顺序堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3中的至少两个。在一个实施方式中，阴极电极CAT可以包括第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以首先堆叠在发光层EL上以与发光层EL直接表面接触。第一阴极层CAT1可以包括具有相对低的表面电阻的诸如金属材料的无机材料。例如，第一阴极层CAT1可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的任何一种。考虑到制造过程和成本，第一阴极层CAT1由铝形成的情况将作为一个示例进行说明。在第一阴极层CAT1由诸如铝的金属材料制成的情况下，第一阴极层CAT1可以形成为

至

的厚度。当第一阴极层CAT1的厚度比/>

薄时，可能难以保持稳定的公共电极条件，这是因为阴极电极CAT的薄层电阻可能增加。当第一阴极层CAT1的厚度比/>

厚时，制造附加时间可能增加，并且制造成本可能增加。

第二阴极层CAT2可以包含导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料制成的畴材料(domain material)和用于降低畴材料的势垒能量(barrierenergy)的掺杂剂。具有高电子迁移率的树脂材料可以包括选自Alq3、TmPyPB、Bphen、TAZ和TPB中的任何一种。Alq3可以是“三(8-羟基喹啉)铝”的缩写，并且是具有化学式Al(C₉H₆NO)₃的络合物。TmPyPB可以是作为“1,3,5-三(间吡啶-3-基-苯基)苯”的缩写的有机材料。Bphen可以是作为“红菲咯啉”的缩写的有机材料。TAZ可以是作为1,2,3-三唑的缩写的有机材料。TPB可以是作为三苯基铋的缩写的有机材料。由于这些有机材料具有高电子迁移率，因此它们可以用在发光元件中。

掺杂剂材料可以包括碱基掺杂材料。例如，掺杂剂材料可以包括锂(Li)、铯(Cs)、铯氧化物(Cs₂O₃)、铯氮化物(CsN₃)、铷(Rb)和铷氧化物(Rb₂O)中的至少任何一种。在另一示例中，掺杂剂材料可以包括具有高电子迁移率的富勒烯。富勒烯可以是碳原子以球形、椭球形或圆柱形排列的分子的通用术语。例如，掺杂剂材料可以包括其中60个碳原子主要以足球的形状接合的巴克明斯特富勒烯(C60)。此外，掺杂剂材料可以包括更高级的富勒烯，诸如C70、C76、C78、C82、C90、C94和C96。

第二阴极层CAT2可以具有与包含在发光层EL中的电子传输层或电子注入层相同的材料。然而，与电子传输层或电子注入层不同，第二阴极层CAT2可以具有比电子传输层或电子注入层高的电子迁移率。例如，电子传输层或电子注入层可以具有5.0х10^-4(S/m)至9.0х10^-1(S/m)的电子迁移率，而第二阴极层CAT2可以具有1.0х10^-3(S/m)至9.0х10⁺¹(S/m)的电子迁移率。为此，包含在第二阴极层CAT2中的导电树脂材料可以具有比电子传输层或电子注入层的掺杂剂含量高的掺杂剂含量。

例如，根据一个实施方式，电子传输层或电子注入层具有0％至5％的掺杂剂掺杂浓度，而第二阴极层CAT2可以是具有3％至30％的掺杂剂掺杂浓度的导电树脂材料。在一个实施方式中，第二阴极层CAT2的掺杂浓度等于或大于电子传输层或电子注入层的掺杂浓度。其中掺杂剂具有0％的掺杂浓度的掺杂剂材料本身可以具有1.0х10^-4(S/m)至5.0х10^-3(S/m)的电导率。通过将3％至30％的掺杂剂掺杂到掺杂剂材料中，第二阴极层CAT2可以具有到1.0х10^-3(S/m)至9.0х10⁺¹(S/m)的提高的电导率，以用作阴极电极。

在一种情况下，第二阴极层CAT2可以具有与发光层EL的电子功能层(电子传输层和/或电子注入层)相同的导电性。在这种情况下，阴极电极CAT的薄层电阻由于由铝制成的第一阴极层CAT1而可以保持在足够低的值。

第三阴极层CAT3可以包含无机材料。特别地，当第三阴极层CAT3被堆叠在最后一层时，第三阴极层CAT3可以包括金属氧化物材料。例如，第三阴极层CAT3可以包括铝氧化物(Al₂O₃)、钡氧化物(BaO)、镁氧化物(MgO)、钼氧化物(MoO)或钙氧化物(CaO)中的任何一种。当第一阴极层CAT1由铝制成时，考虑到制造过程，第三阴极层CAT3优选地由铝氧化物制成。

金属氧化物材料可防止或至少减少氧气从显示装置外部渗透。因此，第三阴极层CAT3被形成为完全覆盖形成在其下的第二阴极层CAT2和第一阴极层CAT1。

将参照图5和图6来说明沉积在基板110的整个表面上的阴极电极CAT的详细堆叠结构。图5是沿着图1中的切割线I-I’的示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构的截面视图。图6是沿着图1中的切割线III-III’的示出了根据本公开内容的电致发光显示器的结构的截面视图。

图5是跨栅极驱动器200切割的截面视图。参照图5，根据本公开内容的电致发光显示器包括基板110上的薄膜晶体管ST和DT。钝化层PAS被沉积在薄膜晶体管ST和DT上。钝化层PAS可以被堆叠成覆盖基板110的整个表面。平坦化层PL被沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以由有机材料形成，以便在形成薄膜晶体管ST和DT时使具有粗糙表面的基板110的表面平坦化。由于有机材料易受水分或氧气的影响，所以有机材料形成在显示区域AA中，而不是非显示区域NDA中。另外，如图5所示，平坦化层PL可以从显示区域AA延伸至栅极驱动器200。在任何情况下，平坦化层PL被堆叠成不覆盖基板110的整个表面。

发光二极管OLE被形成在平坦化层PL上。发光二极管OLE的发光层EL可以具有与显示区域AA对应的区域尺寸。在一些情况下，发光层EL可以具有比显示区域AA的尺寸大的尺寸。同时，阴极电极CAT被堆叠在发光层EL上，以比发光层EL大的面积完全覆盖发光层EL。阴极电极CAT可以包括顺序堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以沉积为完全覆盖发光层EL。例如，第一阴极层CAT1可以具有比发光层EL大的面积，以完全覆盖发光层EL的边缘。此外，第一阴极层CAT1可以形成为完全覆盖平坦化层PL。例如，发光层EL覆盖显示区域AA，但是具有比平坦化层PL小的面积。第一阴极层CAT1可以被堆叠成具有如下截面轮廓：在该截面轮廓中，第一阴极层CAT1完全覆盖(交叠)平坦化层PL的边缘(例如，垂直侧)处的垂直侧表面，并且第一阴极层CAT1与暴露于平坦化层PL的外部的钝化层PAS的上表面表面接触(例如，直接接触)。

特别地，如图5所示，当第二阴极层CAT2由导电树脂材料形成时，第二阴极层CAT2可以在比平坦化层PL的区域小的区域中被堆叠在第一阴极层CAT1上，以完全覆盖发光层EL。然而，如图5所示，第二阴极层CAT2具有比第一阴极层CAT1的面积小的面积，因此第二阴极层CAT2不覆盖第一阴极层CAT1的边缘。在另一示例中，第二阴极层CAT2可以具有比第一阴极层CAT1大的面积，并且可以形成为完全覆盖第一阴极层CAT1的边缘。

第三阴极层CAT3可以被沉积成完全覆盖第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2。例如，第三阴极层CAT3可以具有比第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2大的面积，以完全覆盖第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2的边缘。例如，当第二阴极层CAT2具有比第一阴极层CAT1小的面积时，第三阴极层CAT3被形成为完全覆盖第一阴极层CAT1。在另一示例中，当第二阴极层CAT2被形成为覆盖第一阴极层CAT1时，第三阴极层CAT3被形成为完全覆盖第二阴极层CAT2。

如图5所示，平坦化层PL可以被沉积成覆盖栅极驱动器200。此外，阴极电极CAT中的第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3可以延伸以完全覆盖栅极驱动器200。在一些情况下，平坦化层PL可以被沉积成不覆盖栅极驱动器200。在这种情况下，栅极驱动器200可以被钝化层PAS覆盖。第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3可以覆盖栅极驱动器200或者可以不覆盖栅极驱动器200。从器件保护的角度来看，第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3可以完全覆盖栅极驱动器200。

接下来，将参照图6进行描述。图6是跨数据焊盘部分300切割的截面视图。参照图6，根据本公开内容的电致发光显示器包括形成在基板110上的薄膜晶体管ST和DT。钝化层PAS被沉积在薄膜晶体管ST和DT上。钝化层PAS被沉积为覆盖基板110的整个表面。平坦化层PL被沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以由有机材料形成，以便在形成薄膜晶体管ST和DT时使具有粗糙表面的基板110的表面平坦化。由于有机材料易受水分或氧气的影响，所以有机材料被形成在显示区域AA中，而不是非显示区域NDA中。另一方面，由无机材料制成的钝化层PAS具有防止水分和氧气的优异性能，优选地将钝化层PAS沉积在基板110的整个表面上。

发光二极管OLE被形成在平坦化层PL上。特别地，阴极电极CAT具有顺序堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3。

数据焊盘部分300包括焊盘电极301。焊盘电极301可以被栅极绝缘层GI和钝化层PAS覆盖，但焊盘电极301的中间部分可以被焊盘接触孔H暴露。焊盘电极301可以与栅极电极设置在同一层。焊盘端子303被形成在焊盘电极301上。焊盘端子303可以形成在钝化层PAS上，并经由焊盘接触孔H连接至焊盘电极301。焊盘端子303可以由与源极-漏极电极或阳极电极相同的材料制成。

焊盘电极301可以包括数据焊盘电极、驱动电流焊盘电极和低电压焊盘电极。数据焊盘电极可以设置在数据线DL的端部。驱动电流焊盘电极可以设置在驱动电流线VDD的端部。低电压焊盘电极可以设置在低电压线VSS的端部。

焊盘端子303可以包括与数据焊盘电极对应的数据焊盘端子、与驱动电流焊盘电极对应的驱动电流焊盘端子以及与低电压焊盘电极对应的低电压焊盘端子。焊盘端子303可以形成为具有与焊盘电极301对应的岛状。即使图中未示出，低电压焊盘电极也可以连接至阴极电极CAT以被供应低电压电力。

参照图6，第一阴极层CAT1被形成为完全覆盖发光层EL。例如，发光层EL可以覆盖整个显示区域AA，并且具有比平坦化层PL小的面积。第一阴极层CAT1可以覆盖平坦化层PL的边缘处的垂直表面，并接触从平坦化层PL暴露的钝化层PAS的上表面。

第二阴极层CAT2可以形成为具有比第一阴极层CAT1大的面积，并且完全覆盖包括第一阴极层CAT1的边缘的整个第一阴极层CAT1。在另一示例中，第二阴极层CAT2可以形成为具有比第一阴极层CAT1小的尺寸。在图6中，第二阴极层CAT2以比第一阴极层CAT1大的尺寸堆叠在第一阴极层CAT1上。

第三阴极层CAT3可以沉积为完全覆盖第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2。例如，第三阴极层CAT3可以具有比第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2大的面积尺寸，以完全覆盖第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2的边缘。在第二阴极层CAT2完全覆盖第一阴极层CAT1的情况下，如图6所示，优选地，第三阴极层CAT3完全覆盖第二阴极层CAT2。在第二阴极层CAT2具有比第一阴极层CAT1小的面积尺寸的另一示例中，第三阴极层CAT3完全覆盖第一阴极层CAT1。

第三阴极层CAT3可以完全覆盖第二阴极层CAT2和第一阴极层CAT1的边缘并从边缘进一步延伸。由于第三阴极层CAT3完全覆盖其下的所有层，所以第三阴极层CAT3可以用作用于防止氧气和异物从外部环境侵入的封装层。

此外，阴极电极CAT可以具有钝化层PAS从阴极电极CAT暴露的结构。由于钝化层PAS由无机材料制成，因此钝化层PAS可以防止或至少减少氧气和异物从外部环境侵入。由于阴极电极CAT可以具有用于完全密封由有机材料制成的所有层的结构，所以阴极电极CAT可以用作封装层。

与金属材料相比，金属氧化物材料可以具有值非常低的电子迁移率。例如，铝氧化物被认为是非导电材料。然而，当以

或更小的厚度沉积铝氧化物薄层时，该铝氧化物薄层可能处于其能够容易地克服阻止电子移动的功函数势垒(work function barrier)的状态。因此，薄铝氧化物层可以具有导电特性，因此薄铝氧化物层可以用作公共电极。同时，当铝氧化物材料的厚度比/>

薄时，薄铝氧化物层可能不会均匀地形成在整个表面上，而是可能以分离的岛状堆叠。因此，铝氧化物层没有沉积在整个表面上，因此铝氧化物层可能无法防止氧气或异物从外部环境侵入。因此，当第三阴极层CAT3由金属氧化物材料制成时，优选地第三阴极层CAT3的厚度为/>

至/>

中的任何一个。

因此，根据本公开内容的阴极电极CAT可以具有第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3的至少三个层被顺序堆叠的结构。第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3中的所有层都可以由导电薄层制成。在一个实施方式中，阴极电极CAT可以包括具有相对低的薄层电阻的诸如铝的金属材料。包含在阴极电极CAT中的金属氧化物材料可以具有

至/>

的厚度，以便确保电子迁移率。为此，导电树脂材料可以在具有高电子迁移率的畴树脂材料中包括掺杂浓度为3％至30％的碱金属掺杂剂。/>

在一些情况下，导电树脂材料的掺杂浓度可以与发光二极管的发光层中包含的电子功能层的掺杂浓度处于相同水平。在这些情况下，包括金属材料的第一阴极层CAT1的厚度至少为

至/>

并且设置阴极电极CAT的整体薄层电阻以符合普通低电平电极的条件。

至此，已将根据本公开内容的电致发光显示器的最基本结构作为示例进行了描述。在下文中，将参照附图描述根据本公开内容的显示器中的阴极电极CAT的各种堆叠结构的实施方式。

<第一实施方式>

将参照图7A和图7B说明根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构。为了方便，可以将描述集中在发光二极管OLE上。图7A和图7B是放大了图4中的矩形区域X的截面图，该截面图用于示出根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

参照图7A，根据本公开内容的第一实施方式的发光二极管包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2。

第一阴极层CAT1可以包括金属材料。例如，第一阴极层CAT1可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中的任何一种金属。第一阴极层CAT1可以具有

至/>

的厚度。

第二阴极层CAT2可以包括金属氧化物材料。例如，第二阴极层CAT2可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中的至少一种中选择的金属氧化物材料。第二阴极层CAT2可以具有

至/>

的厚度。在此，优选地是由金属材料制成的第一阴极层CAT1比由金属氧化物材料制成的第二阴极层CAT2厚。

参照图7B，根据本公开内容的第一实施方式的发光二极管包括依次堆叠的阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT可以包括依次堆叠的第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2。

第一阴极层CAT1可以包括金属氧化物材料。例如，第一阴极层CAT1可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中的至少一种中选择的金属氧化物材料。第一阴极层CAT1可以具有

至/>

的厚度。

第二阴极层CAT2可以包括金属材料。例如，第二阴极层CAT2可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中的任何一种金属。第二阴极层CAT2可以具有

至/>

的厚度。在一个实施方式中，第二阴极层CAT2可以具有/>

至

的厚度。特别地，第二阴极层CAT2由比由金属氧化物材料制成的第一阴极层CAT1厚的金属材料制成。

在第一实施方式中，第二阴极层CAT2可以沉积在最顶层，因此可以不存在其他附加层(例如，其后用于密封发光二极管的封装层)。然而，用于其他目的的功能元件可以进一步被沉积。例如，还可以设置使用除了连续沉积或连续应用的功能层之外的粘合剂层黏合的附加元件。

第二阴极层CAT2形成在最上部，并且形成为完全覆盖第一阴极层CAT1。如使用图5和图6描述，第一阴极层CAT1可以被沉积为覆盖整个显示区域AA，并且可以被延伸至非显示区域NDA。此外，第一阴极层CAT1可以被沉积为完全覆盖整个发光层EL。也就是，第一阴极层CAT1可以覆盖发光层EL的端边缘，并且可以接触在发光层EL下方设置的层。

第二阴极层CAT2可以完全地覆盖显示区域AA，还延伸至非显示区域NDA。特别地，第二阴极层CAT2可以具有比第一阴极层CAT1大的区域以完全地覆盖第一阴极层CAT1和发光层EL。也就是，第二阴极层CAT2可以覆盖第一阴极层CAT1的边缘，并且与第一阴极层CAT1的边缘的外面暴露的层进行表面接触。

<第二实施方式>

在下文中，将参照图8说明本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构。为了方便，可以将描述集中在发光二极管OLE上。图8是放大了图4中的矩形区域X的截面图，该截面图用于示出根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

参照图8，根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的发光二极管包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2。

第一阴极层CAT1可以包括依次堆叠的金属氧化物层10和金属层20。例如，金属氧化物层10可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)的至少一种中选择的金属氧化物材料。金属层20可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中的任何一种金属。

例如，第一阴极层CAT1可以包括双堆叠层，该双堆叠层具有依次堆叠的由铝氧化物制成的金属氧化物层10和由铝制成的金属层20。由铝氧化制成的金属氧化物层10可以具有

至/>

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。如上所述，由于铝氧化物可以具有/>

至/>

的相对薄的厚度，它可以处于可以容易地克服阻止或至少减少电子运动的功函数势垒的状态中，因此它可以作为导电层使用。特别地，由金属材料制成的金属层20可以比由金属氧化物材料制成的金属氧化物层10厚。

第二阴极层CAT2可以具有与第一阴极层CAT1相同的堆叠结构。也就是，第二阴极层CAT2可以包括依次堆叠的金属氧化物层10和金属层20。

在另一示例中，即使图中没有示出，可以通过改变金属氧化物层10和金属层20的堆叠顺序来堆叠第一阴极层CAT1。

在第二实施方式中，第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2的金属氧化物层10和金属层20的堆叠顺序可以被不同地改变。然而，在任何情况下，第一阴极层CAT1具有比发光层EL大的区域尺寸以完全地覆盖整个发光层EL。此外，在最顶层处设置的第二阴极层CAT2可以具有比第一阴极层CAT1大的区域以完全地覆盖第一阴极层CAT1。

<第三实施方式>

将参照图9说明根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构。图9是放大了图4中的矩形区域X的截面图，该截面图用于示出根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

参照图9，根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的发光二极管包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2以及第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以包括依次堆叠的下金属氧化物层11、金属层20以及上金属氧化物层30。例如，下金属氧化物层11可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中的至少一种中选择的金属氧化物材料。金属层20可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的任何一种金属。上金属氧化物层30可以包括与下金属氧化物层11相同的材料。

例如，第一阴极层CAT1可以包括三重堆叠层，该三重堆叠层具有依次堆叠的由铝氧化物制成的下金属氧化物层11、由铝制成的金属层20以及由铝氧化物制成的上金属氧化物层30。由铝氧化物制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，优选地是由铝制成的金属层20比由铝氧化物制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料和用于降低筹材料的势垒能量的掺杂剂制成的筹材料。具有高电子迁移率的树脂材料、筹材料可以包括从Alq3、TmPyPB、Bphen、TAZ以及TPB的中选择的任何一种。

掺杂材料可以包括碱基掺杂材料。例如，掺杂材料可以包括锂(Li)、铯(Cs)、氧化铯(Cs₂O₃)、氮化铯(CsN₃)、铷(Rb)以及铷氧化物(Rb₂O)中的至少任一种。在另一示例中，掺杂材料可以包括具有高电子迁移率的60个碳原子以足球的形状结合的富勒烯(C60)。

第三阴极层CAT3可以具有与第一阴极层CAT1相同的堆叠结构。例如，第三阴极层CAT3可以包括具有依次堆叠的由铝氧化物制成的下金属氧化物层11、由铝制成的金属层20以及由铝氧化物制成的上金属氧化物层30的三重堆叠层。由铝氧化物制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至/>

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，由铝制成的金属层20可以比由铝氧化物制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚。

例如，金属层20可以具有

的厚度，以及下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以具有/>

的厚度。此外，第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料，并且具有2μm(微米)至4μm(微米)的厚度。第二阴极层CAT2插入在第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3之间，使得适合于防止阴极电极CAT被损坏，该第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3由减轻无机薄层之间的应力的无机材料制成。

尽管在图中没有示出，第一阴极层CAT1可以具有下金属层、金属氧化物层以及上金属层被依次堆叠的结构。此外，第三阴极层CAT3也可以具有下金属层、金属氧化物层以及上金属层被依次堆叠的结构。也就是，第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3可以具有相同的结构，或彼此不同的结构。

<第四实施方式>

在下文中，将参照图10说明根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构。图10是放大了图4中的矩形区域X的截面图，该截面图用于示出根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

参照图10，根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的发光二极管包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2以及第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以包括依次堆叠的金属氧化物层10和金属层20。例如，金属氧化物层10可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中的至少一种中选择的金属氧化物材料。金属层20可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中的任何一种金属。

例如，第一阴极层CAT1可以包括具有依次堆叠的由铝氧化物制成的金属氧化物层10和由铝制成的金属层20的双堆叠层。由铝氧化物制成的金属氧化物层10可以具有

至/>

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，由金属材料制成的金属层20可以比由金属氧化物材料制成的金属氧化物层10厚。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料以及用于使筹材料的势垒能量降低的掺杂剂制成的筹材料。具有高电子迁移率的树脂材料、筹材料可以包括从Alq3、TmPyPB、Bphen、TAZ以及TPB中选择的任何一种。

掺杂材料可以包括碱基掺杂材料。例如，掺杂材料可以包括锂(Li)、铯(Cs)、铯氧化物(Cs₂O₃)、铯氮化物(CsN₃)、铷(Rb)以及铷氧化物(Rb₂O)中的至少任何一种。在另一示例中，掺杂材料可以包括60个碳原子以足球的形状结合的富勒烯(C60)。

在一个实施方式中第三阴极层CAT3具有与第一阴极层CAT1相同的堆叠结构。可替选地，第三阴极层CAT3可以具有与第一阴极层CAT1相反的堆叠结构。例如，第三阴极层CAT3可以具有由铝制成的金属层20以及由铝氧化物制成的金属氧化物层10被依次堆叠的结构。由金属氧化物材料制成的金属氧化物层10具有

至/>

的厚度。金属层20可以具有

至/>

的厚度。特别地，由铝制成的金属层20可以比由铝氧化制成的金属氧化物层10厚。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料，并且具有2μm(微米)至4μm(微米)的厚度。第二阴极层CAT2插入在第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3之间，使得适合于防止阴极电极CAT被损坏，该第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3由减轻无机薄层之间的应力的无机材料制成。

即使图中没有示出，第一阴极层CAT1可以具有金属层20和金属氧化物层10被依次堆叠的结构。此外，第三阴极层CAT3也可以具有金属氧化物层10和金属层20被依次堆叠的结构。也就是，第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3可以具有相同的结构，或彼此不同的结构。

<第五实施方式>

在下文中，将参照图11说明根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构。图11是放大了图4中的矩形区域X的截面图，该截面图用于示出根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

参照图11，根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的发光二极管包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2以及第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以包括依次堆叠的金属氧化物层10和金属层20。例如，金属氧化物层10可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)的至少一种中选择的金属氧化物材料。金属层20可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中的任何一种金属。

例如，第一阴极层CAT1可以包括双堆叠层，该双堆叠层具有依次堆叠的由铝氧化物制成的金属氧化物层10和由铝制成的金属层20。由铝氧化物制成的金属氧化物层10可以具有

至/>

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，由金属材料制成的金属层20可以比由金属氧化物材料制成的金属氧化物层10厚。

第二阴极层CAT2可以具有与第一阴极层CAT1相同的堆叠结构。例如，第二阴极层CAT2可以包括依次堆叠的金属氧化物层10和金属层20。由铝氧化物制成的金属氧化物层10可以具有

至/>

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，由金属材料制成的金属层20可以比由金属氧化物材料制成的金属氧化物层10厚。

第三阴极层CAT3可以具有与第一阴极层CAT1相同的堆叠结构。例如，第三阴极层CAT3可以包括依次堆叠的金属氧化物层10和金属层20。

即使图中没有示出，第一阴极层CAT1可以具有与第二阴极层CAT2不同的堆叠结构。此外，第三阴极层CAT3可以具有与第一阴极层CAT1或第二阴极层CAT2不同的堆叠结构。

<第六实施方式>

在下文中，将参照图12说明根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的结构。图12是放大了图4中的矩形区域X的截面图，该截面图用于示出根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构。

参照图12，根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的发光二极管包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2以及第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以具有仅包括金属氧化物层的单层结构。例如，第一阴极层CAT1可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中的至少一种中选择的金属氧化物材料。

例如，第一阴极层CAT1可以具有仅包括铝氧化物层的单层结构。由铝氧化物材料制成的第一阴极层CAT1可以具有

至/>

的厚度。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料以及用于使筹材料的势垒能量降低的掺杂剂制成的域材料。具有高电子迁移率的树脂材料、筹材料可以包括从Alq3、TmPyPB、Bphen、TAZ以及TPB中选择的任何一种。

掺杂材料可以包括碱基掺杂材料。例如，掺杂材料可以包括锂(Li)、铯(Cs)、铯氧化物(Cs₂O₃)、铯氮化物(CsN₃)、铷(Rb)以及铷氧化物(Rb₂O)中的至少任何一种。在另一示例中，掺杂材料可以包括60个碳原子以足球的形状结合的富勒烯(C60)。

第三阴极层CAT3可以包括三重堆叠层，该三重堆叠层具有依次堆叠的由铝氧化物制成的下金属氧化物层11、由铝制成的金属层20以及由铝氧化物制成的上金属氧化物层30。由铝氧化物制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至/>

的厚度。由铝制成的金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，由铝制成的金属层20可以比由铝氧化物制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料，并且具有2μm(微米)至4μm(微米)的厚度。第二阴极层CAT2插入在第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3之间，使得适合于防止阴极电极CAT被损坏，该第一阴极层CAT1和第三阴极层CAT3由减轻无机薄层之间的应力的无机材料制成。

即使图中没有示出，第一阴极层CAT1可以具有下金属层、金属氧化物层以及上金属层被依次堆叠的结构。在这种情况下，下金属层和上金属层可以分别具有

至

的厚度。金属氧化物层可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，由金属材料制成的上金属层和下金属层的厚度可以比由金属氧化物材料制成的金属氧化物层厚。

根据上述本公开内容的电致发光显示器包括阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT被依次堆叠的发光二极管。特别地，阴极电极CAT不仅可以具有将公共电压施加至公共电极的功能，而且还具有防止或至少减少氧气或外来材料从外面渗透至发光层EL的封装功能。为了这些目的，阴极电极CAT可以具有多个导电层被依次堆叠的结构。阴极电极CAT可以包括具有优良导电性的金属层。金属层由

至/>

的厚度形成，优选地是

或更大，以使阴极电极CAT的薄层电阻尽可能保持在低状态下。由于金属氧化物层也可以起导电层的作用，因此优选具有/>

至/>

的薄厚度。此外，阴极电极CAT可以包括具有2μm至4μm的相对厚的厚度和优良弹性的树脂材料，以防止阴极电极被外力损坏。特别地，由于树脂材料可以起导电层的作用，因此树脂材料是由具有高电子迁移率的筹树脂材料以及包括用于提高电子迁移率的碱基金属掺杂剂的导电树脂材料制成。

到目前为止描述的实施方式已经被说明为配置有阴极电极的导电层的各种堆叠结构中的基础结构。然而，并不限于此。可以结合两个或更多的实施方式以形成多层阴极电极。例如，可以通过将根据第二实施方式至第六实施方式中的任何一个的堆叠结构与根据第一实施方式的堆叠结构结合将阴极电极配置成具有复杂的堆叠结构。

<第七实施方式>

在上述说明的实施方式中，已经描述了阴极电极可以具有用于执行封装功能的多层结构的情况。

图13是用于示出根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。参照图13，根据第七实施方式的电致发光显示器可以具有阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT被依次堆叠的结构。

特别地，阴极电极CAT包括依次堆叠的三个阴极层。例如，阴极电极CAT可以包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2以及第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以由具有低薄层电阻的金属材料(例如，铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)或金(Au))形成。例如，第一阴极层CAT1可以是由具有

至/>

的厚度的铝制成的薄层。

第二阴极层CAT2可以由导电树脂材料形成。第二阴极层CAT2可以由与发光层EL中包括的电子传输层或电子注入层相同的材料制成。第二阴极层CAT2优选地是具有掺杂剂的导电树脂材料，该掺杂剂具有3％至30％的掺杂浓度。例如，第二阴极层CAT2可以由具有

至/>

的厚度的导电树脂材料制成。

在一个实施方式中，第三阴极层CAT3由具有低薄层电阻的金属材料形成，以使阴极电极CAT的整体薄层电阻降低，并且具有比第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2相对厚的厚度。例如，第三阴极层CAT3可以由具有至少

的厚度的铝形成。

具有如上所说明的厚度和堆叠结构的阴极电极CAT可以减少从下方向(即，从第一阴极电极层CAT1)入射的光的反射率。将参照指示图13中示出的光路的箭头进行描述。

从阴极电极CAT的下外面进入的入射光①可以穿过透明阳极电极ANO和发光层EL，并且从第一阴极层CAT1的下表面被部分地反射以作为前往设置有基板SUB的方向的第一反射光②。由于第一阴极电极层CAT1可以具有

或更少的薄的厚度，因此不会反射所有的入射光①。例如，约40％的入射光①可以被反射为第一反射光②，并且剩余的60％的入射光①可以穿过第一阴极层CAT1。穿过第一阴极层CAT1的透射光③可以穿过透明的第二阴极层CAT2。在这之后，透射光③可被第三阴极层CAT3反射。由于第三阴极层CAT3具有/>

或更大的厚度，因此所有的透射光③都可以被反射，并且作为第二反射光④向基板SUB前进。

在此，通过调整第二阴极层CAT2的厚度，第一反射光②和第二反射光④的相位可以被控制成彼此抵消。因此，反射光的亮度可以降低至2％的水平，该反射光的亮度是从阴极电极CAT的下表面入射并反射的反射光的强度。

同时，在从发光层EL发射的光之中，通过相同的光路发射至阴极电极CAT并且反射至基板SUB的方向的光的量可以减少2％。然而，由于在所有方向中发射从发光层EL发射的光，因此由阴极电极CAT减少的光的量只是光的总量的约50％，并且剩余的50％被发射至基板SUB的方向。

根据第七实施方式的电致发光显示器可以是阴极电极包括三层堆叠结构的底部发光型。此外，可以通过具有三层堆叠结构的阴极电极的结构最大限度地抑制外部光的反射率。因此，不需要设置减少基板SUB外面的外部光反射的偏振元件。偏振元件具有抑制外部光反射的积极效果，但是具有减少至少50％的从发光层EL发射的光的量的消极作用。

在根据第七实施方式的电致发光显示器中，通过具有三层堆叠结构的阴极电极减少约50％的从发光层EL发射的光的量，但是这几乎与由偏振元件减少光的量相同。因此，根据本公开内容的电致发光显示器可以使外部光反射最小化，同时提供发光层EL的发光效率，该发光层EL在不使用昂贵的偏振元件的情况下具有与包括偏振元件的显示器相同的水平。

此外，当需要时，根据第七实施方式的阴极电极CAT可以具有如第二实施方式至第六实施方式所描述的各种结构。

<第八实施方式>

在第七实施方式中，提供了具有三层堆叠的阴极电极，该三层堆叠的阴极电极具有用于抑制阴极电极的外部光反射的结构。在参照图14的第八实施方式中，将描述用于在底部发光型电致发光显示器中通过金属线(诸如栅极线或数据线)以及通过阴极电极抑制外部光反射的结构。图14是用于示出根据本公开内容的第八实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。

图14示出了根据本公开内容的包括薄膜晶体管的底部发光型电致发光显示器，该薄膜晶体管具有顶栅结构。在图14中，为了方便，薄膜晶体管仅包括驱动薄膜晶体管DT。然而，并不限于此。如图4中所示，薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管ST。

光屏蔽层LSD设置在基板SUB上。光屏蔽层LSD可以是用于保护驱动薄膜晶体管DT的驱动半导体层DA免受外部光影响的光阻挡元件。此外，光屏蔽层LSD可以用于数据线DL或驱动电流线VDD。在这种情况下，光屏蔽层LSD可以连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动源电极DS。

为了防止从基板SUB的外面入射至驱动半导体层DA的外部光的影响，光屏蔽层LSD可以设置为与驱动半导体层DA交叠。此外，光屏蔽层LSD可以用作连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动源电极DS的驱动电流线VDD。为此，优选的是，光屏蔽层LSD可以包括诸如铜(Cu)的金属材料。

在光屏蔽层LSD包括金属材料的情况下，从基板SB的外面入射的外部光可以被光屏蔽层LSD反射，并且因此反射的光可以导致显示质量的劣化。为了防止这种现象，将低反射结构应用于光屏蔽层LSD。

例如，光屏蔽层LSD可以具有三层结构。光屏蔽层LSD可以包括依次堆叠的第一层L1、第二层L2以及第三层L3。第一层L1可以由具有

至/>

的厚度的钽(Ta)制成。第二层L2可以由具有/>

至/>

的厚度的钼氧化物(MoO_x)制成。钼氧化物可以具有透明属性。第三层L3可以由具有低薄层电阻的金属材料(例如，具有至少/>

的厚度的铜(Cu))制成。第三层L3可以由堆叠有铜和钼钛的双金属层形成。

即使图中没有示出，又例如，光屏蔽层LSD可以具有双层结构。在这种情况下，光屏蔽层LSD可以包括依次堆叠的第一层和第二层。在下层处设置的第一层可以由具有

至/>

的厚度的金属氧化物制成，在上层处设置的第二层可以由具有低薄层电阻的金属材料(例如，具有至少/>

的厚度的铜(Cu))制成。详细地，第一层可以由透明氧化物材料(例如，钼钛氧化物(MTO)、钼氧化钽(MoO_x:Ta)、钨氧化物(WO_x)以及钼铜氧化物(MoCuO_x))制成。此外，第二层可以由包括铜的单一金属层，或堆叠有铜和钼钛(MoTi)的双金属层制成。

在光屏蔽层LSD上沉积有缓冲层BUF。在缓冲层BUF上形成有薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管(未示出)和驱动薄膜晶体管DT。具有薄膜晶体管的基板SUB上沉积有钝化层PAS。在钝化层PAS上形成有滤色器CF。优选地是滤色器CF可以设置成与稍后形成的发光二极管OLE完全地交叠。在一些情况下，滤色器CF可以具有比发光二极管OLE大的面积尺寸。滤色器CF上沉积有平坦化层PL。在平坦化层PL上形成有发光二极管OLE。

根据第八实施方式的光屏蔽层LSD可以具有与第七实施方式中的阴极电极CAT相同的结构。光屏蔽层LSD可以具有依次堆叠的薄金属层、透明导电层以及厚金属层。因此，光屏蔽层LSD可以以与第七实施方式中描述的光路相同的方式使从外面入射的光的反射率最小化至2％的水平。

此外，尽管在图中没有示出，但栅极线GL可以具有作为光屏蔽层LSD的低反射结构。驱动栅极电极DG和开关栅极电极SG可以被光屏蔽层LSD覆盖。然而，由于栅极线GL与用于数据线DL和驱动电流线VDD的光屏蔽层LSD交叉，因此栅极线GL的大部分可以不被光屏蔽层LSD覆盖而是被暴露。因此，显示质量可能被来自栅极线GL的外部光反射劣化。为了防止这种现象，栅极线GL也可以具有诸如光屏蔽层LSD的三层结构。

例如，栅极线GL可以包括依次堆叠的第一层L1、第二层L2以及第三层L3。第一层L1可以由具有

至/>

的厚度的钽(Ta)制成。第二层L2可以由具有/>

至/>

的厚度的钼氧化物(MoO_x)制成。钼氧化物可以具有透明属性。第三层L3可以由具有低薄层电阻的金属材料(例如，具有至少/>

的厚度的铜(Cu))。第三层L3可以由堆叠有铜和钼钛的双金属层形成。

即使图中没有示出，又例如，栅极线可以具有双层结构。在这种情况下，栅极线可以包括依次堆叠的第一层和第二层。下层处设置的第一层可以由具有

至/>

的厚度的金属氧化物制成。在上层处设置的第二层可以由具有低薄层电阻的金属材料(例如，具有至少/>

的厚度的铜(Cu))制成。详细地，第一层可以由透明的氧化物材料(例如，钼钛氧化物(MTO)、钼氧化钽(MoO_x:Ta)、钨氧化物(WO_x)以及钼铜氧化物(MoCuO_x))制成。此外，第二层可以由包括铜的单一金属层或堆叠有铜和钼钛(MoTi)的双金属层制成。

通过这样的结构，可以将反射的亮度降低至5％或更低。在这种情况下，由于堤BA是白色有机材料，因此很难进一步使反射的亮度降低。然而，通过形成黑色有机材料的堤BA，可以使反射的亮度降低至2％的水平。

<第九实施方式>

在第七实施方式和第八实施方式中，使用关于阴极电极和线的三层堆叠结构，还可以提供抑制外部光反射的效果。在参照图15的第九实施方式中，将说明用于在底部发光型电致发光显示器中不包括阴极电极和线的区域中抑制外部光反射的结构。图15是用于示出根据本公开内容的第九实施方式的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。

根据第七实施方式和第八实施方式，尽管在阴极电极CAT和线中抑制了外部光反射，但在排除这些区域的部分中仍然存在外部光反射的可能性。特别地，考虑到堤BA区域的情况，由于设置了具有三层结构的阴极电极CAT，因此可以使阴极电极CAT的外部光反射降低至2％的水平。然而，即使2％的水平也可以对显示质量产生明显的不利影响。

第九实施方式进一步提出了用于最大限度地抑制外部光反射的附加结构。例如，堤BA可以由黑色有机材料制成。在一个实施方式中，黑色有机材料包括在光吸收属性方面优良的有机材料。因此，在形成有发光二极管OLE的部分中，可以使外部光反射降低至2％的水平。在被堤BA覆盖的其他部分中，2％或更多的外部光反射可以被由黑色有机材料制成的堤BA进一步吸收，使得可以使外部光反射进一步降低至小于1％的水平。

此外，对于底部发光型，滤色器CF可以设置在平坦化层PL的下面。在图14中，滤色器CF可以设置为与在发光二极管OLE处形成的发光区域完全地交叠。同时，在第九实施方式中，滤色器CF可以设置成覆盖除了发光区域之外的其他区域。

例如，在红色像素中，红色滤色器可以设置在发光区域处。此外，在红色像素中，红色滤色器可以被延伸至发光区域的外面。在蓝色像素中，蓝色滤色器可以设置在发光区域处，并且蓝色滤色器可以从发光区域被延伸至其他区域。在绿色像素中，绿色滤色器可以设置在发光区域处，并且绿色滤色器可以从发光区域被延伸至其他区域。

当滤色器CF被延伸至整个像素区域时，堤BA可以是由白色有机材料制成的白色堤或由黑色有机材料制成的黑色堤。当使用黑色堤时，外部光反射可以被更多地抑制。

此外，可以以各种方式设置滤色器CF。例如，如上所说明，多个像素布置在基板SUB上。每个像素可以至少包括三个子像素。例如，一个像素可以包括红色子像素，绿色子像素以及蓝色子像素。红色子像素具有红色滤色器，绿色子像素具有绿色滤色器，以及蓝色子像素具有蓝色滤色器。

每个子像素可以包括由发光二极管占据的发光区域，以及设置有线和薄膜晶体管的非发光区域。对于顶部发光型，发光区域可以具有与子像素的尺寸基本上相似的尺寸。然而，对于底部发光型，发光区域可以具有发光二极管的相同尺寸。

因此，在底部发光型中，滤色器可以设置为与限定发光区域的发光二极管交叠。然而，在第九实施方式中，滤色器可以设置为覆盖包括发光区域和非发光区域的子像素的整个尺寸。例如，在红色子像素中，红色滤色器可以设置为覆盖包括发光区域和非发光区域的红色子像素的整个面积尺寸。在绿色子像素中，绿色滤色器可以设置为覆盖包括发光区域和非发光区域的绿色子像素的整个面积尺寸。在蓝色子像素中，蓝色滤色器可以设置为覆盖包括发光区域和非发光区域的蓝色子像素的整个面积尺寸。

又例如，如图16中所示，相对应的滤色器可以设置在发光区域处，并且红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器可以一起设置在非发光区域中。图16是用于示出根据本公开内容的第九实施方式的另一示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。

例如，红色滤色器CFR可以设置在红色子像素的发光区域处，以及在非发光区域中红色滤色器CFR、绿色滤色器CFG和蓝色滤色器CFB可以设置成在同一层上彼此相邻。使用相同的方式，绿色滤色器CFG可以设置在绿色子像素的发光区域处，以及在非发光区域中红色滤色器CFR、绿色滤色器CFG和蓝色滤色器CFB可以设置成在同一层上彼此相邻。此外，蓝色滤色器CFB可以设置在蓝色子像素的发光区域处，以及在非发光区域中红色滤色器CFR、绿色滤色器CFG和蓝色滤色器CFB可以设置成在同一层上彼此相邻。

在此，可以使用彼此相同的面积比在非发光区域中设置红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器。否则，具有相对低的外部光反射率的蓝色滤色器的面积比可以被形成得较大。又例如，由于考虑到反射比(或反射率)和光反射率(或反射率的视觉感觉)，因此可以取决于实现何种光反射率而将绿色滤色器或红色滤色器的面积比形成得较大。

总结上述根据本公开内容的电致发光显示器的特征，由于阴极电极可以具有包括导电树脂材料的多层结构，因此阴极电极可以具有简单的结构而没有附加封装元件。已经集中在最具代表性的情况下说明目前所描述的实施方式。特别地，对于本公开内容的最重要的特征，由于阴极电极包括封装功能，因此可以在没有附加封装层的情况下实现电致发光显示器。如图4中所示，作为基础结构，本公开内容具有阴极电极至少具有三层结构的特性。

在根据本公开内容的阴极电极提供的三层结构中，第一层包括具有高导电性的金属层或金属氧化物层，第二层包括具有导电性的树脂层，以及第三层包括用于使阴极电极的电阻降低的低电阻金属层。在此，第一层和第三层的配置可以变化，或者附加电极层可以进一步被包括于基础的三层结构中。在下文中，参照附图，将描述可以在本公开内容中被进一步实现的具体应用示例。

图17是用于示出根据本公开内容的第一应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。参照图17，根据第一应用示例的电致发光显示器可以具有依次堆叠的阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT可以包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2以及第三阴极层CAT3。

第一阴极层CAT1可以包括依次堆叠的金属层20和金属氧化物层10。例如，金属层20可以是从铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中选择的金属材料中的至少一种。金属氧化物层10可以是从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中选择的金属氧化物材料中的至少一种。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料以及用于使筹材料的势垒能量降低的掺杂剂制成的域材料。

第三阴极层CAT3可以包括依次堆叠的下金属氧化物层11、金属层20以及上金属氧化物层30。由金属氧化物材料制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至/>

的厚度。金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，优选地是由金属材料制成的金属层20可以具有比下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚的厚度。

图18是用于示出根据本公开内容的第二应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。参照图18，根据本公开内容的第二应用示例的电致发光显示器可以包括依次堆叠的阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT可以包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2、第三阴极层CAT3以及第四阴极层CAT4。

第一阴极层CAT1可以包括依次堆叠的下金属氧化物层11、金属层20以及上金属氧化物层30。由金属氧化物材料制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至/>

的厚度。金属层20可以具有/>

到/>

的厚度。特别地，优选地是由金属材料制成的金属层20可以具有比下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚的厚度。例如，下金属氧化物层11可以是从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中选择的金属氧化物材料中的至少一种。金属层20可以是从铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中选择的金属材料中的至少一种。上金属氧化物层30可以包括与下金属氧化物层11相同的材料。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料以及用于使筹材料的势垒能量降低的掺杂剂制成的域材料。

第三阴极层CAT3可以包括依次堆叠的下金属氧化物层11、金属层20以及上金属氧化物层30。由金属氧化物材料制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至/>

的厚度。金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，优选地是由金属材料制成的金属层20可以具有比下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚的厚度。

第四阴极层CAT4可以包括导电树脂材料。第四阴极层CAT4可以包括与第二阴极层CAT2相同的材料。

图19是用于示出根据本公开内容的第三应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。参照图19，根据本公开内容的第三应用示例的电致发光显示器可以包括依次堆叠的阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT可以包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2、第三阴极层CAT3、第四阴极层CAT4以及第五阴极层CAT5。

根据图19的阴极电极CAT相对于根据图18的阴极电极CAT还可以包括第五阴极层CAT5。第五阴极层CAT5可以是包括金属材料的导电层，该金属材料是铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中选择的任何一种。第五阴极层CAT5可以具有

至/>

的厚度。

图20是用于示出根据本公开内容的第四应用示例的电致发光显示器的发光二极管的堆叠结构的截面图。参照图20，根据本公开内容的第四应用示例的电致发光显示器可以包括依次堆叠的阳极电极ANO、发光层EL以及阴极电极CAT。特别地，阴极电极CAT可以包括依次堆叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2、第三阴极层CAT3、第四阴极层CAT4以及第五阴极层CAT5。

第一阴极层CAT1可以是包括金属氧化物材料的单层。第一阴极层CAT1可以包括从铝氧化物(Al₂O₃)、钼氧化物(MoO)、镁氧化物(MgO)、钙氧化物(CaO)以及钡氧化物(BaO)中的至少一种中选择的金属氧化物材料。第一阴极层CAT1可以具有

至/>

的厚度。

第二阴极层CAT2可以是包括金属材料的单层。例如，第二阴极层CAT2可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)以及钡(Ba)中的任何一种金属。第二阴极层CAT2可以具有

至/>

的厚度。在一个实施方式中，第二阴极层CAT2具有/>

至/>

的厚度。特别地，由金属材料制成的第二阴极层CAT2比由金属氧化物材料制成的第一阴极层CAT1厚。

第三阴极层CAT3可以包括与第一阴极层CAT1相同的材料和相同的厚度。此外，第四阴极层CAT4可以包括与第二阴极层CAT2相同的材料和相同的厚度。

第五阴极层CAT5可以包括依次堆叠的下金属氧化物层11、金属层20以及上金属氧化物层30。由金属氧化物材料制成的下金属氧化物层11和上金属氧化物层30可以分别具有

至/>

的厚度。金属层20可以具有/>

至/>

的厚度。特别地，优选地是由金属材料制成的金属层20可以具有比下金属氧化物层11和上金属氧化物层30厚的厚度。

此外，本公开内容提供了电致发光显示器，在该电致发光显示器中具有三层结构的阴极电极包括具有透明性的第一阴极层，使得电致发光显示器可以具有抑制由于破坏性干扰而导致的外部光的反射的效果。此外，由于各条线具有包括透明导电层的三层结构，因此，在各条线处可以进一步抑制外部光的反射。此外，通过应用延伸至非显示区域的黑色堤和/或滤色器，还可以进一步抑制外部光的反射。

在本公开内容的上面示例实施方式中所描述的特征、结构、效果等被包括在本公开内容的至少一个示例实施方式中，并且不一定只限于一个示例实施方式。此外，可以由本公开内容指引的领域中的技术人员在相对于其他示例实施方式的组合或修改中实现至少一个示例实施方式中所说明的特征、结构、效果等。因此，这样的组合和变型应当被解释为包括在本公开内容的范围内。

对于本领域技术人员将明显的是在不脱离本公开内容的主旨和范围的情况下，在本公开内容的范围内可以进行各种替换、修改以及变型。因此，本公开内容的实施方式旨在涵盖本公开内容的各种替换、修改以及变型，只要替换、修改以及变型属于所附权利要求及其等同物的范围内。根据上面详细描述，可以对实施方式进行这些和其他改变。一般，在以下权利要求中，使用的术语不应当被解释为将权利要求限制在说明书和权利要求中公开的具体示例实施方方式，而应当被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求有权获得的等同物的完整范围。因此，权利要求不受本公开内容限制。

Claims (21)

1.一种电致发光显示器，包括：

基板；

所述基板上的阳极电极；

所述阳极电极上的发光层；以及

所述发光层上的阴极电极，所述阴极电极包括依次堆叠的多个导电层。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层包括：

包括金属氧化物材料的第一金属氧化物层；

所述第一金属氧化物层上的第一金属层，所述第一金属层包括金属材料；以及

所述第一金属层上的第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层包括所述金属氧化物材料。

3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层还包括具有所述金属材料的第二金属层，所述第二金属层在所述第二金属氧化物层上。

4.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层包括：

包括金属材料的第一金属层；

所述第一金属层上的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层包括金属氧化物材料；以及

所述第一金属氧化物层上的第二金属层，所述第二金属层包括所述金属材料。

5.根据权利要求4所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层还包括包含所述金属氧化物材料的第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层在所述第二金属层上。

6.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层包括：

具有金属材料的第一金属层；

所述第一金属层上的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层包括金属氧化物材料；以及

所述第一金属氧化物层上的树脂层，所述树脂层包括导电树脂材料。

7.根据权利要求6所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层还包括包含所述金属材料的第二金属层，所述第二金属层在所述树脂层上。

8.根据权利要求7所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层还包括包含所述金属氧化物材料的第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层在所述第二金属层上。

9.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层包括：

包括金属氧化物材料的第一金属氧化物层；

所述第一金属氧化物层上的第一金属层，所述第一金属层包括金属材料；以及

所述第一金属层上的树脂层，所述树脂层包括导电树脂材料。

10.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层还包括包含所述金属氧化物材料的第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层在所述树脂层上。

11.根据权利要求10所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层还包括包含所述金属材料的第二金属层，所述第二金属层在所述第二金属氧化物层上。

12.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述金属材料包括铝Al、银Ag、钼Mo、金Au、镁Mg、钙Ca或钡Ba中的至少一种，并且

所述金属氧化物材料包括铝氧化物Al₂O₃、钼氧化物MoO、镁氧化物MgO、钙氧化物CaO和钡氧化物BaO中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述多个导电层包括：

与所述发光层接触的第一导电层；

与所述第一导电层接触的第二导电层；以及

与所述第二导电层接触的第三导电层。

14.根据权利要求13所述的电致发光显示器，其中，所述第一导电层和所述第三导电层中的每一者都包括金属层或金属氧化物层中的至少一个，并且

其中，所述金属层比所述金属氧化物层厚。

15.根据权利要求14所述的电致发光显示器，其中，所述金属氧化物层具有

至

的范围内的厚度，以及所述金属层具有/>

至/>

的范围内的厚度。

16.根据权利要求14所述的电致发光显示器，其中，所述金属层包括铝Al、银Ag、钼Mo、金Au、镁Mg、钙Ca或钡Ba中的至少一种，并且

其中，所述金属氧化物层包括铝氧化物Al₂O₃、钼氧化物MoO、镁氧化物MgO、钙氧化物CaO和钡氧化物BaO中的至少一种。

17.根据权利要求13所述的电致发光显示器，其中，所述第二导电层包括导电树脂材料。

18.根据权利要求17所述的电致发光显示器，其中，所述导电树脂材料包括：

畴材料，所述畴材料具有三(8-羟基喹啉)铝、1,3,5-三(间吡啶-3-基-苯基)苯、红菲咯啉、1,2,3-三唑和三苯基铋中的至少一种；以及

分散在所述畴材料中的掺杂剂，所述掺杂剂具有碱金属材料，所述碱金属材料包括锂、铯、铯氧化物、铯氮化物、铷或巴克明斯特富勒烯中的至少一种。

19.一种电致发光显示装置，包括：

基板；

所述基板上的晶体管；

所述晶体管上的钝化层；

所述钝化层上的平坦化层，所述平坦化层具有侧表面；

发光元件，所述发光元件在所述平坦化层上并且电连接至所述晶体管，所述发光元件包括阳极电极、所述阳极电极上的发光层和所述发光层上的多层阴极电极，

其中，所述多层阴极电极延伸超过所述发光层，使得所述多层阴极电极的至少一部分与所述平坦化层的侧表面交叠并且在所述钝化层上。

20.根据权利要求19所述的电致发光显示装置，其中，所述多层阴极电极包括：

与所述发光层接触的第一导电层；

与所述第一导电层接触的第二导电层；以及

与所述第二导电层接触的第三导电层。

21.根据权利要求20所述的电致发光显示装置，其中，所述第一导电层和所述第三导电层中的每一者都包括金属层或金属氧化物层中的一个，并且所述第二导电层包括导电树脂。

Images