CN116430212A - 芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备 - Google Patents
芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116430212A CN116430212A CN202310692191.1A CN202310692191A CN116430212A CN 116430212 A CN116430212 A CN 116430212A CN 202310692191 A CN202310692191 A CN 202310692191A CN 116430212 A CN116430212 A CN 116430212A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- power supply
- chip
- state
- supply data
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 39
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2853—Electrical testing of internal connections or -isolation, e.g. latch-up or chip-to-lead connections
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/40—Testing power supplies
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
本申请公开了一种芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备,包括:监测芯片的电源数据;在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取芯片所处的工作状态,其中芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据;基于电源数据和目标电源数据,确定芯片是否处于闩锁状态。基于此,可以针对不同的工作状态设定不同的目标电源数据,例如,可以对电源数据较大的工作状态设定较大的目标电源数据,对电源数据较小的工作状态设定较小的目标电源数据,从而可以排除因工作状态为电源数据较大的工作状态、目标电源数据为较小的电源数据,而导致误判为闩锁状态的情况,进而可以提高芯片闩锁状态的监测准确性。
Description
技术领域
本申请涉及芯片检测技术领域,具体涉及一种芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备。
背景技术
闩锁效应(latch-up),是指寄生双极性晶体管被触发导通,在电源与地之间形成低阻抗大电流通路,导致集成电路无法正常工作甚至烧毁的效应。尤其是在航空航天等强磁场或强电场环境下,各种辐照干扰更容易触发芯片等集成电路产生闩锁效应。基于此,如何对发生闩锁效应的芯片闩锁状态进行准确监测,是本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
本申请公开一种芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备,以实现对芯片闩锁状态的准确监测。
第一方面,本申请公开了一种芯片闩锁状态的监测方法,包括:监测芯片的电源数据(例如,这里所说的芯片可以是指被测的芯片);所述电源数据包括电源电流和电源电压中的至少一个;在确定所述电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取所述芯片所处的工作状态;其中,所述芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据;基于所述电源数据和所述目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态。
基于此,可以针对不同的工作状态设定不同的目标电源数据,例如,可以对电源数据较大的工作状态设定较大的目标电源数据,对电源数据较小的工作状态设定较小的目标电源数据,从而可以排除因工作状态为电源数据较大的工作状态、目标电源数据为较小的电源数据,而导致误判为闩锁状态的情况,进而可以提高芯片闩锁状态的监测准确性。
在一些可选示例中,所述基于所述电源数据和所述目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态包括:若确定所述芯片所处的工作状态为空闲工作状态,基于所述电源数据与所述空闲工作状态对应的第一目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态;若确定所述芯片所处的工作状态为非空闲工作状态,基于所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态。基于此,不仅可以对非空闲工作状态下大电流的闩锁状态进行监测,还可以对空闲工作状态下小电流的闩锁状态进行监测,以提高芯片闩锁状态的监测精确度。
在一些可选示例中,所述第一目标电源数据基于所述空闲工作状态下的正常状态的电源数据确定;或者,所述第一目标电源数据基于所述空闲工作状态下的可接受闩锁状态的电源数据确定。基于此,不仅可以对可接受闩锁状态的空闲工作状态进行闩锁监测,还可以对不可接受闩锁状态的空闲工作状态进行闩锁监测,进一步提高了芯片闩锁状态的监测范围。
在一些可选示例中,所述基于所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态包括:将所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据进行对比;若所述电源数据大于所述第二目标电源数据,则确定所述芯片处于闩锁状态。
在一些可选示例中,所述基于所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态之前,还包括:基于所述非空闲工作状态和目标电源数据对照表,确定所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据;所述目标电源数据对照表包括多个非空闲工作状态及其分别对应的多个第二目标电源数据。基于此,可以对不同负载或不同电源数据的多个非空闲工作状态进行准确监测。
在一些可选示例中,还包括:在确定所述电源数据的增大速度大于所述预设速度,且所述芯片所处的工作状态为空闲工作状态的情况下,确定所述芯片处于闩锁状态。基于此,可以准确高效判断芯片是否处于闩锁状态。
在一些可选示例中,还包括:在确定所述电源数据的增大速度大于所述预设速度,且所述芯片所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,控制所述芯片进入空闲工作状态;判断所述空闲工作状态下所述芯片的电源数据是否异常;若所述芯片的电源数据异常,则所述芯片处于闩锁状态。基于此,可以准确判断芯片是否处于闩锁状态。
在一些可选示例中,还包括:定期控制所述芯片进入空闲工作状态。基于此,可以提高闩锁状态监测的精确性。
第二方面,本申请公开了一种微处理器,包括:数据监测单元,用于监测芯片的电源数据;所述电源数据包括电源电流和电源电压中的至少一个;工作状态监测单元,用于监测所述芯片所处的工作状态;其中,所述芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据;闩锁状态确定单元,用于在确定所述电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取所述芯片所处的工作状态,基于所述电源数据和所述目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态。
第三方面,本申请公开了一种微处理器,被配置为执行如上任一项所述的监测方法。
第四方面,本申请公开了一种计算机可读存储介质,其上存储有用于执行如上任一项所述的监测方法的指令。
第五方面,本申请公开了一种电子设备,包括上所述的微处理器。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或背景技术中的技术方案,下面将对本申请实施例或背景技术中所需要使用的附图进行说明。
图1为一种寄生可控硅的结构示意图。
图2为一种寄生可控硅的等效电路图。
图3为本发明实施例公开的一种芯片的闩锁状态的监测方式示意图。
图4为本发明实施例公开的一种芯片的闩锁状态的监测方法的流程图。
图5为本发明实施例公开的一种微处理器的结构示意图。
图6为本发明实施例公开的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
一般的集成电路中均存在寄生晶体管(又称寄生可控硅,简称SCR),闩锁效应是指寄生双极性晶体管被触发导通,在电源与地之间形成低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作甚至烧毁的现象。这种寄生双极性晶体管存在集成电路的各个部分,包括输入端、输出端、内部反相器等。
图1和图2分别示出了一种寄生可控硅的结构示意图和等效电路图。如图1和图2所示,寄生双极性晶体管由一个PNP晶体管和一个横向NPN晶体管组成。Q1为垂直式晶体管(BipolarJunction Transistor,简称BJT),控制端为N型阱区,第二端为P型衬底,第一端为P沟道。Q2为侧面式晶体管BJT,控制端为P型衬底,第二端为N型阱区,第一端为N沟道。以上两元件构成可控硅SCR电路,当无外界干扰未引起触发时,两个BJT处于截止状态,第二端电流是第二端-控制端的反向漏电流构成,电流增益非常小,此时不会产生闩锁效应。当其中一个BJT的第二端电流受到外部干扰突然增加到一定值时,会反馈至另一个BJT,从而使两个BJT因触发而导通,在电源至地间形成低阻抗大电流通路,产生闩锁效应。例如,当Q1的第二端处电压VP上升,Q2的第二端处电压VN下降时,产生闩锁效应。
而在航空航天等强磁场或强电场环境下,各种粒子如质子、电子、α粒子、重离子、γ粒子等容易引起各种辐射效应,而各种辐照效应干扰更容易导致其中一个BJT的第二端电流突然增加到一定值,导致电源至地间形成低阻抗大电流通路,进而触发芯片等集成电路产生闩锁效应。
由于处于闩锁状态的芯片的电源与地之间会有大电流,因此,可以通过监测电源接口的电流(即电源电流)或电源接口的电压(即电源电压),并通过判断电源电流是否大于设定的目标电源电流,或通过判断电源电压是否大于设定的目标电源电压,来确定芯片是否处于闩锁状态。
申请人研究发现,对于小功耗或小功率的芯片而言,在功耗或功率不同的工作状态下,其电源电流或电源电压不会存在较大的波动,通过对其电源电流或电源电压进行监测即可判断其是否处于闩锁状态。但是,对于大功耗或大功率的芯片而言,在功耗或功率不同的工作状态下,其电源电流或电源电压波动较大,仅通过对其电源电流或电源电压进行监测的方式,并不能准确判断其是否处于闩锁状态。
举例来说,当芯片处于小功耗或小功率的工作状态时,其所需的电源电流或电源电压较小,判断其是否处于闩锁状态的目标电源电流或目标电源电压也较小;当芯片处于大功耗或大功率的工作状态时,其所需的电源电流或电源电压较大,此时,若仍采用相同的目标电源电流或目标电源电压,来判断其是否处于闩锁状态,会将正常状态下的较大的电源电流或电源电压,误判为闩锁状态下的电源电流或电源电压,导致闩锁状态监测的准确性较差。
基于此,本申请公开了一种闩锁状态的监测方案,通过监测芯片的电源数据(电源电流和/或电源电压),并在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取芯片所处的工作状态,其中芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据,并基于电源数据和目标电源数据,确定芯片是否处于闩锁状态,以通过将芯片的电源数据与工作状态相结合,来对闩锁状态进行准确判断。
作为本申请公开内容的一种可选实现,本申请实施例公开了一种芯片闩锁状态的监测方法,在一些实施例中,如图3所示,该监测方法可以应用于与被测的芯片10相连的微处理器20,或者说,该监测方法可以由与被测的芯片10相连的微处理器20执行,当然,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,该监测方法也可以由被测的芯片10内部的监测电路执行,本申请实施例中仅以微处理器20为例进行说明。
如图4所示,本申请实施例公开的一种芯片闩锁状态的监测方法包括:
步骤101:监测芯片的电源数据;
本申请一些实施例中,如图3所示,微处理器20和被测的芯片10相连,并且,微处理器20的一个接口与被测的芯片10的电源接口相连,用于监测被测的芯片10的电源接口的电源数据。当然,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,还可以通过设置在微处理器20外部的采集电路实现,在此不再赘述。
本申请实施例中,被测的芯片10可以是大功耗或大功率的芯片,也可以是小功耗或小功率的芯片。当然,该被测的芯片10也可以是处于航空航天等强磁场或强电场环境的芯片,基于此,微处理器20等可以为高可靠性的抗辐照器件。
被测的芯片10的电源数据包括被测的芯片10的电源电流和电源电压中的至少一个。在一些实施例中,被测的芯片10的电源数据包括被测的芯片10的电源电流,在另一些实施例中,被测的芯片10的电源数据包括被测的芯片10的电源电压,在另一些实施例中,被测的芯片10的电源数据包括被测的芯片10的电源电流和电源电压。
在被测的芯片10正常运行的过程中,微处理器20会监测被测的芯片10的电源数据。具体地,微处理器20会不断地采集被测的芯片10的电源数据,并对电源数据的变化情况进行监测。举例来说,微处理器20每隔一定的时间会采集一次电源数据,若当前采集到的电源数据相比上一次采集到的电源数据有所增大,则微处理器20会将增大的值与两次采集的间隔时间相除,来得到电源数据的增大速度,并将增大速度与预设速度进行对比,来确定被测的芯片10是否处于闩锁状态。
其中,预设速度可以是根据模拟的小电流的闩锁状态下的被测的芯片10的电源数据变化速度确定的。但是,由于小电流的闩锁状态下的被测的芯片10的电源数据变化速度与小功耗或小功率的工作状态转换为大功耗或大功率的工作状态时的电源数据变化速度相近,因此,在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,需进一步结合被测的芯片10的工作状态确定被测的芯片10是否处于闩锁状态。
步骤102:在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取芯片所处的工作状态;
在微处理器20监测被测的芯片10的电源数据的过程中,若确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度,则微处理器20会获取被测的芯片10所处的工作状态。如图3所示,微处理器20的另一个接口与被测的芯片10的GPIO(General-purpose input/output,通用型之输入输出)接口相连,用于监测并控制被测的芯片10所处的工作状态。被测的芯片10可以通过GPIO接口向微处理器20发送不同的工作状态信号如不同的编码信号,来表征被测的芯片10所处的不同工作状态。微处理器20也可以通过GPIO接口向被测的芯片10发送控制指令,以控制被测的芯片10进入空闲工作状态等。
其中,被测的芯片10所处的工作状态关联有对应的目标电源数据,或者说,被测的芯片10的不同工作状态与不同的目标电源数据对应关联,或者说,被测的芯片10的不同工作状态设定有不同的目标电源数据。例如,可以对小功率或小功耗等电源数据较小的工作状态,设定较小的目标电源数据,可以对大功率或大功耗等电源数据较大的工作状态,设定较大的目标电源数据。
步骤103:基于电源数据和目标电源数据,确定被测的芯片是否处于闩锁状态。
在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,微处理器20基于电源数据和被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源数据,确定被测的芯片10是否处于闩锁状态。其中,目标电源数据为对应工作状态下被测的芯片10的最大电源数据。
具体地,微处理器20可以将电源数据与被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源数据进行对比,若电源数据大于被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源数据,则被测的芯片10处于闩锁状态;若电源数据小于或等于被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源数据,则被测的芯片10并非处于闩锁状态。
在一些实施例中,可以将电源电压与被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源电压进行对比,在另一些实施例中,可以将电源电流与被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源电流进行对比,在另一些实施例中,可以将电源电流和电源电压的乘积与被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源电流和目标电源电压的乘积进行对比,在另一些实施例中,也可以将电源电压和电源电流与被测的芯片10所处的工作状态对应的目标电源电压和目标电源电流分别进行对比,只要任意一个大于,即确定被测的芯片10处于闩锁状态。
基于此,可以将被测的芯片10不同工作状态下的电源数据与不同的目标电源数据进行对比,例如,可以将小功耗或小功率等电源数据较小的工作状态下的电源数据与较小的目标电源数据进行对比,将大功耗或大功率等电源数据较大的工作状态下的电源数据与较大的目标电源数据进行对比,从而可以排除因工作状态为电源数据较大的工作状态、目标电源数据为较小的电源数据,而导致误判为闩锁状态的情况,也就是说,可以精确判断是因工作状态变化或负载变化导致的电源数据变化,还是因闩锁效应导致的电源数据变化,进而可以提高被测的芯片10闩锁状态的监测准确性。
需要说明的是,若确定被测的芯片10并非处于闩锁状态,则不需对被测的芯片10进行处理;若确定被测的芯片10处于闩锁状态,则可以通过对被测的芯片10进行下电等处理,来避免被测的芯片10被烧毁等。
本申请一些实施例中,小功率或小功耗等电源数据较小的工作状态包括空闲工作状态(即idle状态),大功率或大功耗等电源数据较大的工作状态包括至少一个非空闲工作状态(即非idle状态)。基于此,不仅可以对非空闲工作状态下大电流的闩锁状态进行监测,还可以对空闲工作状态下小电流的闩锁状态进行监测,以提高被测的芯片10闩锁状态的监测精确度。
但是,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,对于可接受空闲工作状态下的小电流的闩锁状态的被测的芯片10而言,也可以不对空闲工作状态进行监测。即,在另一些实施例中,小功率或小功耗等电源数据较小的工作状态和大功率或大功耗等电源数据较大的工作状态都为非空闲工作状态。也就是说,本申请中不仅可以针对空闲工作状态和非空闲工作状态,设定不同的目标电源数据,也可以针对不同的非空闲工作状态,设定不同的目标电源数据。
本申请一些实施例中,可以将空闲工作状态对应的目标电源数据设定为第一目标电源数据,将非空闲工作状态对应的目标电源数据设定为第二目标电源数据,或者说,可以将空闲工作状态与第一目标电源数据对应关联,将非空闲工作状态与第二目标电源数据对应关联。
在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,微处理器20获取被测的芯片10所处的工作状态,若确定被测的芯片10所处的工作状态为空闲工作状态,则基于电源数据与第一目标电源数据,确定被测的芯片10是否处于闩锁状态;若确定被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态,则基于电源数据与第二目标电源数据,确定被测的芯片10是否处于闩锁状态。
具体地,若确定被测的芯片10所处的工作状态为空闲工作状态,则微处理器20将电源数据与第一目标电源数据进行对比,若电源数据大于第一目标电源数据,则确定被测的芯片10处于闩锁状态;若电源数据小于或等于第一目标电源数据,则确定被测的芯片10并非处于闩锁状态。若确定被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态,则微处理器20将电源数据与第二目标电源数据进行对比,若电源数据大于第二目标电源数据,则确定被测的芯片10处于闩锁状态;若电源数据小于或等于第二目标电源数据,则确定被测的芯片10并非处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,若被测的芯片10可接受某个阈值下的小电流局部闩锁,则第一目标电源数据可以基于空闲工作状态下的可接受闩锁状态的电源数据确定。也就是说,可接受闩锁状态可以被认为是正常状态。其中,可以对空闲工作状态下可接受闩锁状态的被测的芯片10进行多次测试,来获得其可接受闩锁状态的电源数据。
当然,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,若被测的芯片10不可接受某个阈值下的小电流局部闩锁,则第一目标电源数据可以基于空闲工作状态下的正常状态的电源数据确定。其中,可以对空闲工作状态下的正常状态的被测的芯片10进行多次测试,来获得其正常状态的电源数据。基于此,不仅可以对可接受闩锁状态的空闲工作状态进行闩锁监测,还可以对不可接受闩锁状态的空闲工作状态进行闩锁监测,进一步提高了被测的芯片10闩锁状态的监测范围。
由于非空闲工作状态的功耗或功率较大,一旦发生闩锁效应就会对被测的芯片10造成较大影响,因此,非空闲工作状态下不可接受小电流局部闩锁,即第二目标电源数据都是基于非空闲工作状态下的正常状态的电源数据确定的。
本申请一些实施例中,被测的芯片10包括至少一个非空闲工作状态,且至少一个非空闲工作状态对应关联同一个第二目标电源数据,则在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度,且被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,微处理器20将电源数据与第二目标电源数据进行对比,若电源数据大于第二目标电源数据,则确定被测的芯片10处于闩锁状态;若电源数据小于或等于第二目标电源数据,则确定被测的芯片10并非处于闩锁状态。
当然,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,被测的芯片10包括多个非空闲工作状态,且多个非空闲工作状态分别对应关联多个第二目标电源数据,则在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度,且被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,微处理器20基于电源数据与非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定被测的芯片10是否处于闩锁状态之前,还会基于非空闲工作状态和目标电源数据对照表,确定非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,该目标电源数据对照表包括多个非空闲工作状态及其分别对应的多个第二目标电源数据。
也就是说,在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度,且被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,微处理器20先确定被测的芯片10所处的一个非空闲工作状态对应的一个第二目标电源数据,然后将电源数据与该第二目标电源数据进行对比,若电源数据大于该第二目标电源数据,则确定被测的芯片10处于闩锁状态;若电源数据小于或等于该第二目标电源数据,则确定被测的芯片10并非处于闩锁状态。基于此,可以对不同负载或不同电源数据的多个非空闲工作状态进行精确或准确监测。
可以理解的是,多个第二目标电源数据可以是基于多个非空闲工作状态下的正常状态的电源数据确定的。本申请一些实施例中,可以通过微处理器20对不同工作状态下的正常状态的电源数据进行采集和分析等,确定不同工作状态对应的电源数据。当然,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,还可以通过其他器件采集电源数据,通过人工分析,确定不同工作状态对应的电源数据。
本申请一些实施例中,如表1所示,多个非空闲工作状态可以包括功耗上限为4.9W、8W和11.7W的三个非空闲工作状态。在功耗上限为4.9W的非空闲工作状态A下,对应的第二目标电源数据中的第二电源电压的上限为0.7V、第二电源电流的上限为7A;在功耗上限为8W的非空闲工作状态B下,对应的第二目标电源数据中的第二电源电压的上限为0.8V、第二电源电流的上限为10A;在功耗上限为11.7W的非空闲工作状态C下,对应的第二目标电源数据中的第二电源电压的上限为0.9V、第二电源电流的上限为13A。当然,本申请并不仅限于此,在其他实施例中,可以根据被测的芯片10的实际运行情况,对非空闲工作状态进行划分和对目标电源数据进行确定,在此不再赘述。
表1
本申请一些实施例中,被测的芯片10闩锁状态的监测方法还包括:在确定电源数据的增大速度大于预设速度,且被测的芯片10所处的工作状态为空闲工作状态的情况下,确定被测的芯片10处于闩锁状态。
在另一些实施例中,被测的芯片10闩锁状态的监测方法还包括:在确定电源数据的增大速度大于预设速度,且被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,控制被测的芯片10进入空闲工作状态;判断空闲工作状态下被测的芯片10的电源数据是否异常;若被测的芯片10的电源数据异常,则被测的芯片10处于闩锁状态。
在确定电源数据的增大速度大于预设速度的情况下,微处理器20获取被测的芯片10所处的工作状态,若被测的芯片10所处的工作状态为空闲工作状态,则确定被测的芯片10处于闩锁状态;若被测的芯片10所处的工作状态为非空闲工作状态,则微处理器20控制被测的芯片10进入空闲工作状态,并将空闲工作状态下采集到的被测的芯片10的电源数据与第一目标电源数据进行对比,若电源数据大于第一目标电源数据,则确定被测的芯片10处于闩锁状态;若电源数据小于或等于第一目标电源数据,则确定被测的芯片10并非处于闩锁状态。
可以理解的是,若被测的芯片10处于空闲工作状态,则其电源数据并不会突然增大,其增大速度更不会大于预设速度,因此,只要其电源数据的增大速度大于预设速度,则被测的芯片10必然处于闩锁状态。
若被测的芯片10并非处于闩锁状态,则微处理器20控制被测的芯片10进入空闲工作状态后,监测到的电源数据会减小,并减小到小于或等于第一目标电源数据的正常范围,但是,若被测的芯片10处于闩锁状态,则微处理器20控制被测的芯片10进入空闲工作状态后,监测到的电源数据依然会很高,即该电源数据会大于第一目标电源数据,基于此,可以准确判断被测的芯片10是否处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,被测的芯片10闩锁状态的监测方法还包括:定期控制被测的芯片10进入空闲工作状态。需要说明的是,定期进入空闲工作状态并不会对被测的芯片10的性能产生较大影响。由于空闲工作状态为经过大量测试后的已知状态,因此,微处理器20定期将空闲工作状态下采集到的被测的芯片10的电源数据与第一目标电源数据进行对比,可以定期确定被测的芯片10是否处于小电流的闩锁状态,以提高闩锁状态监测的精确性。
可以理解的是,本申请一些实施例中,微处理器20可以仅对一个被测的芯片10进行监测,但是,本申请并不仅限于此,在另一些实施例中,微处理器20还可以对多个被测的芯片10进行监测,可以根据多个被测的芯片10的差异,对其目标电源数据进行设定,在此不再赘述。
作为本申请公开内容的另一种可选实现,本申请实施例公开了一种微处理器,如图3所示,该微处理器20与被监测的被测的芯片10相连,该微处理器20被配置为执行如上任一实施例公开的被测的芯片10闩锁状态的监测方法。
其中,微处理器20可以是通用处理器,例如通用中央处理器(CPU)等,也可以是特定应用集成电路(application-specific integrated circuit,ASIC),或一个或多个用于控制本申请方案程序执行的集成电路,还可以是数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。
作为本申请公开内容的另一种可选实现,本申请实施例公开了一种微处理器,如图5所示,该微处理器20包括数据监测单元201、工作状态监测单元202和闩锁状态确定单元203。
数据监测单元201用于监测被测的芯片10的电源数据,电源数据包括电源电流和电源电压中的至少一个;工作状态监测单元202用于监测被测的芯片10所处的工作状态,其中,被测的芯片10所处的工作状态关联有对应的目标电源数据;闩锁状态确定单元203用于在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,从工作状态监测单元202获取被测的芯片10所处的工作状态,基于电源数据和目标电源数据,确定被测的芯片10是否处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,闩锁状态确定单元203基于电源数据和目标电源数据,确定被测的芯片是否处于闩锁状态包括:若确定被测的芯片所处的工作状态为空闲工作状态,基于电源数据与空闲工作状态对应的第一目标电源数据,确定被测的芯片是否处于闩锁状态;若确定被测的芯片所处的工作状态为非空闲工作状态,基于电源数据与非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定被测的芯片是否处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,第一目标电源数据基于空闲工作状态下的正常状态的电源数据确定;或者,第一目标电源数据基于空闲工作状态下的可接受闩锁状态的电源数据确定。
本申请一些实施例中,闩锁状态确定单元203基于电源数据与非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定被测的芯片是否处于闩锁状态包括:将电源数据与非空闲工作状态对应的第二目标电源数据进行对比;若电源数据大于第二目标电源数据,则确定被测的芯片处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,闩锁状态确定单元203基于电源数据与非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定被测的芯片是否处于闩锁状态之前,还包括:基于非空闲工作状态和目标电源数据对照表,确定非空闲工作状态对应的第二目标电源数据;目标电源数据对照表包括多个非空闲工作状态及其分别对应的多个第二目标电源数据。
本申请一些实施例中,闩锁状态确定单元203还用于:在确定电源数据的增大速度大于预设速度,且被测的芯片所处的工作状态为空闲工作状态的情况下,确定被测的芯片处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,闩锁状态确定单元203还用于:在确定电源数据的增大速度大于预设速度,且被测的芯片所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,控制被测的芯片进入空闲工作状态;判断空闲工作状态下被测的芯片的电源数据是否异常;若被测的芯片的电源数据异常,则被测的芯片处于闩锁状态。
本申请一些实施例中,工作状态监测单元202还用于:定期控制被测的芯片进入空闲工作状态。
作为本申请公开内容的另一种可选实现,本申请实施例公开了一种计算机可读存储介质,其上存储有用于执行如上任一实施例公开的芯片闩锁状态的监测方法的指令。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本说明书所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM以多种形式可得,诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink) DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
作为本申请公开内容的另一种可选实现,本申请实施例公开了一种电子设备,该电子设备包括如上任一实施例公开的微处理器。如图6所示,电子设备可以包括一个或多个微处理器20和一个或多个存储器30。可以理解的是,电子设备可以根据需要而包含其他组件。
电子设备可以装载并因此包括一个或多个应用。这些应用是指令集(例如,计算机程序代码),当被一个或多个微处理器20读取时,这些指令集控制电子设备的操作。为此,一个或多个存储器30可以包括可由一个或多个微处理器20执行的指令/数据,由此电子设备可执行根据本公开至少一实施例中所公开的方法。
作为本申请公开内容的一种可选实现,本申请实施例公开了一种计算机程序产品,其包括计算机程序指令,计算机程序指令在被处理器运行时使得处理器执行如上任一实施例公开的芯片闩锁状态的监测方法。
计算机程序产品可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本申请实施例操作的程序代码,程序设计语言包括面向对象的程序设计语言,诸如python、C++等,还包括常规的过程式程序设计语言,诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本说明书的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本说明书构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本说明书的保护范围。因此,本说明书专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种芯片闩锁状态的监测方法,其特征在于,包括:
监测芯片的电源数据;所述电源数据包括电源电流和电源电压中的至少一个;
在确定所述电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取所述芯片所处的工作状态;其中,所述芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据;
基于所述电源数据和所述目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态。
2.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,所述基于所述电源数据和所述目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态包括:
若确定所述芯片所处的工作状态为空闲工作状态,基于所述电源数据与所述空闲工作状态对应的第一目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态;
若确定所述芯片所处的工作状态为非空闲工作状态,基于所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态。
3.根据权利要求2所述的监测方法,其特征在于,
所述第一目标电源数据基于所述空闲工作状态下的正常状态的电源数据确定;或者,所述第一目标电源数据基于所述空闲工作状态下的可接受闩锁状态的电源数据确定。
4.根据权利要求2所述的监测方法,其特征在于,所述基于所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态包括:
将所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据进行对比;
若所述电源数据大于所述第二目标电源数据,则确定所述芯片处于闩锁状态。
5.根据权利要求2或4所述的监测方法,其特征在于,所述基于所述电源数据与所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态之前,还包括:
基于所述非空闲工作状态和目标电源数据对照表,确定所述非空闲工作状态对应的第二目标电源数据;所述目标电源数据对照表包括多个非空闲工作状态及其分别对应的多个第二目标电源数据。
6.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,还包括:
在确定所述电源数据的增大速度大于所述预设速度,且所述芯片所处的工作状态为空闲工作状态的情况下,确定所述芯片处于闩锁状态。
7.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,还包括:
在确定所述电源数据的增大速度大于所述预设速度,且所述芯片所处的工作状态为非空闲工作状态的情况下,控制所述芯片进入空闲工作状态;
判断所述空闲工作状态下所述芯片的电源数据是否异常;
若所述芯片的电源数据异常,则所述芯片处于闩锁状态。
8.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,还包括:
定期控制所述芯片进入空闲工作状态。
9.一种微处理器,其特征在于,包括:
数据监测单元,用于监测芯片的电源数据;所述电源数据包括电源电流和电源电压中的至少一个;
工作状态监测单元,用于监测所述芯片所处的工作状态;其中,所述芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据;
闩锁状态确定单元,用于在确定所述电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下,获取所述芯片所处的工作状态,基于所述电源数据和所述目标电源数据,确定所述芯片是否处于闩锁状态。
10.一种微处理器,其特征在于,被配置为执行如权利要求1~8任一项所述的监测方法。
11.一种计算机可读存储介质,其特征在于,其上存储有用于执行如权利要求1~8任一项所述的监测方法的指令。
12.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求10所述的微处理器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310692191.1A CN116430212B (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310692191.1A CN116430212B (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116430212A true CN116430212A (zh) | 2023-07-14 |
CN116430212B CN116430212B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=87081857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310692191.1A Active CN116430212B (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116430212B (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0391672A1 (en) * | 1989-04-07 | 1990-10-10 | Honeywell Inc. | Circuit to automatically power down a CMOS device which is latched up |
US5621742A (en) * | 1992-12-22 | 1997-04-15 | Kawasaki Steel Corporation | Method and apparatus for testing semiconductor integrated circuit devices |
JP2000132243A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 電気機器の電源回路 |
JP2007318230A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
CN101727122A (zh) * | 2010-02-01 | 2010-06-09 | 哈尔滨工业大学 | 用于系统级cmos集成电路的二次线性电源系统的防闩锁电路 |
CN102354707A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-02-15 | 电子科技大学 | 一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管 |
CN103107162A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Mos器件闩锁效应的监测结构 |
US20160091567A1 (en) * | 2002-06-10 | 2016-03-31 | Texas Instruments Incorporated | High speed interconnect circuit test method and apparatus |
CN109873397A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-06-11 | 上海思立微电子科技有限公司 | 一种芯片静电防护的方法、装置及系统 |
-
2023
- 2023-06-13 CN CN202310692191.1A patent/CN116430212B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0391672A1 (en) * | 1989-04-07 | 1990-10-10 | Honeywell Inc. | Circuit to automatically power down a CMOS device which is latched up |
US5621742A (en) * | 1992-12-22 | 1997-04-15 | Kawasaki Steel Corporation | Method and apparatus for testing semiconductor integrated circuit devices |
JP2000132243A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 電気機器の電源回路 |
US20160091567A1 (en) * | 2002-06-10 | 2016-03-31 | Texas Instruments Incorporated | High speed interconnect circuit test method and apparatus |
JP2007318230A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
CN101727122A (zh) * | 2010-02-01 | 2010-06-09 | 哈尔滨工业大学 | 用于系统级cmos集成电路的二次线性电源系统的防闩锁电路 |
CN102354707A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-02-15 | 电子科技大学 | 一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管 |
CN103107162A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Mos器件闩锁效应的监测结构 |
CN109873397A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-06-11 | 上海思立微电子科技有限公司 | 一种芯片静电防护的方法、装置及系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116430212B (zh) | 2023-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9570978B2 (en) | Power supply control device for inductive loads | |
JP6873185B2 (ja) | 低電力または非アクティブモード中の電流漏れを制御および/または低減するための方法および回路 | |
US9698574B2 (en) | Method of forming an igniter circuit and structure therefor | |
La Rosa et al. | Impact of NBTI induced statistical variation to SRAM cell stability | |
CN116430212B (zh) | 芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备 | |
DE102017119239A1 (de) | Testschaltung für Belastungsleckverlustmessungen | |
DE112016004291B4 (de) | Fahrzeuginterne halbleitervorrichtung | |
US20220276302A1 (en) | System and method for parallel testing of electronic device | |
EP2717470A2 (en) | Low/high voltage selector | |
US20180246159A1 (en) | Dielectric breakdown monitor | |
US9678140B2 (en) | Ultra fast transistor threshold voltage extraction | |
KR102338806B1 (ko) | 전압 레귤레이터 | |
CN115825526A (zh) | 电压检测电路及电压检测方法 | |
Wang et al. | Single-event transient analysis and hardening in a 180 nm CMOS embedded low-dropout regulator | |
WO2018018411A1 (zh) | 调压电路及电路调压方法 | |
US20130265089A1 (en) | Systems and methods for starting up analog circuits | |
CN115237199B (zh) | 电压处理电路及数字温度传感器 | |
US9946284B1 (en) | Single event effects immune linear voltage regulator | |
CN114356617B (zh) | 注错测试方法、装置、系统及计算设备 | |
US20190056435A1 (en) | Voltage threshold sensing systems and related methods | |
CN115309223B (zh) | 直流电压拉偏设置方法、装置、计算机设备及存储介质 | |
US11385698B1 (en) | Voltage drop management for VLSI and SoC | |
US11804840B2 (en) | Integrated circuit with self-reference impedance | |
Bernard et al. | Laser Techniques for Mitigation of Single Event Effects in a PWM Controller | |
US11624768B2 (en) | Constant power circuit with variable heating and measurement current capability |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |