CN116422238A - 氧化亚硅的生产装置 - Google Patents

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CN116422238A CN202310684506.8A CN202310684506A CN116422238A CN 116422238 A CN116422238 A CN 116422238A CN 202310684506 A CN202310684506 A CN 202310684506A CN 116422238 A CN116422238 A CN 116422238A
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Abstract

本发明涉及氧化亚硅的生产领域,具体提供了氧化亚硅的生产装置,包括固定架;原料筒,原料筒设置在固定架上,原料筒内能够存放用于生产氧化亚硅的原料;产品制成筒,产品制成筒设置在固定架上且位于加热区外,本发明可通过引导管和旋转轴柱的配合,将加热区所在区域的热量与气体腔室分隔,防止热量对气体腔室内产生影响,具体的,随着原料生成为气体后,气体会进入到气体腔室内,而在气体进入气体腔室的过程中,通过驱动装置驱动旋转轴柱旋转即可牵引气体加快进入气体腔室,同时再根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片旋转的转速,防止气体进入量过多导致气体腔室内部热量较大影响产品生成效率。

Description

氧化亚硅的生产装置
技术领域
本发明涉及氧化亚硅的生产领域,尤其涉及一种氧化亚硅的生产装置。
背景技术
氧化亚硅,又名一氧化硅,是黑棕色到黄土色无定形粉末,不会自燃,不溶于水,熔点大于1702摄氏度,沸点是1880摄氏度,密度是2.13g/立方厘米。氧化亚硅的生产采用汽化沉积法,其反应式为:SiO2+Si=2SiO。由于氧化亚硅的生产条件非常苛刻,目前生产时是使用加热方式,即在不活泼气体氛围或真空中利用加热源对原料(单质硅和二氧化硅同摩尔比例混合)进行加热而生成(升华得到)SiO。通过升华而产生的气体状的SiO从原料室上升而进入析出室,蒸镀在周围的析出基体上作为氧化亚硅析出。之后,取下从析出基体析出的氧化亚硅,使用球磨机等将该氧化亚硅粉碎,由此获得氧化亚硅粉末。
例如,申请号为CN202211487788.4的中国专利申请,公开了一种制备氧化亚硅的设备,可在对氧化亚硅进行生产过程中,持续重复性对载料坩埚内进行原料的添加,从而减少炉体需要重新升温至氧化亚硅的升华温度的时间,进而提高氧化亚硅的制备效率;该方案中,半自动化处理的设备提高效率的同时也能降低人工的劳动程度,并且配合收集装置中的收集结构可有效改善现有对氧化亚硅生产的批次稳定差的问题。
但是上述专利申请在具体操作时还存在一些问题,因为析出基体与原料室的距离很近,加热源发出的热量容易通过热传递到析出基体上,致使析出基体表面温度也较高,虽然上述专利申请表面基体为冷基体,但是由于气体状的SiO的温度也较高,故而致使析出基体的温度也随之升高,又因为氧化亚硅是以蒸气的形式溢出,并被带到压力和温度较低的地方被冷凝成为氧化亚硅固体的,若是冷基体温度较高,则氧化亚硅固体析出效率会受到影响,因此上述专利申请中的析出基体会受到来自气体状的SiO的热量和加热源发出的热量的双重影响,从而导致氧化亚硅的生成效率有较大几率出现下降的情况。
发明内容
本发明提供了一种氧化亚硅的生产装置,旨在解决背景技术中提出的析出基体会受到来自气体状的SiO的热量和加热源发出的热量的双重影响,从而导致氧化亚硅的生成效率有较大几率出现下降的的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种氧化亚硅的生产装置,包括
固定架;
原料筒,所述原料筒设置在固定架上,所述原料筒内能够存放用于生产氧化亚硅的原料,所述固定架上设有能够加热原料以使原料生成为气体的加热区;
产品制成筒,所述产品制成筒设置在固定架上且位于加热区外;
引导管,所述引导管设置在原料筒上,所述引导管远离原料筒的一端与产品制成筒密封连接;
其中,所述产品制成筒包括活动连接在固定架上的产品筒,所述产品筒内设有气体腔室,且所述产品筒内转动连接有旋转轴柱,所述旋转轴柱的轴心线与产品筒的轴心线重合,所述旋转轴柱的侧壁安装有螺旋阻片;
所述螺旋阻片的直径等于或小于气体腔室靠近引导管的一端内径,所述旋转轴柱能够根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片旋转的转速,所述螺旋阻片能够对气体进入产品制成筒内的流速进行调节。
作为优选,所述螺旋阻片朝远离引导管的一端倾斜设置,且所述螺旋阻片远离引导管的一端安装有分散条。
作为优选,所述气体腔室包括沿着气体进入方向依次设置的平缓区、泄压区和析出区;
所述螺旋阻片位于平缓区内,且所述平缓区内径等于或大于螺旋阻片内径;
所述泄压区两端内径小于中心区域的内径;
所述析出区内设有冷基体,所述冷基体的内径与泄压区远离平缓区的一端内径相等;
所述旋转轴柱的侧壁安装有多个刮片,所述刮片能够刮下冷凝析出于冷基体内侧壁的产品。
作为优选,相邻所述刮片之间均固定连接有能够调节冷基体内侧壁与气体接触区域的调节器;
所述调节器包括与旋转轴柱和刮片侧壁可拆卸连接的固定板,所述固定板靠近螺旋阻片的一侧设有调节板,所述固定板内设有与调节板固定连接的回位件,所述回位件能够推着调节板沿冷基体内侧壁滑动;
所述调节板的表面设有多个能够存储产品的排放孔柱,所述排放孔柱远离调节板的一端设有与固定板内壁连接的导出孔柱,所述排放孔柱能够在对应的导出孔柱内滑动并在滑动至某一处后引导产品进入该导出孔柱。
作为优选,所述调节板的表面开设有汇聚槽,所述汇聚槽能够将刮片刮下的产品引导至排放孔柱内。
作为优选,所述排放孔柱包括与调节板连接的排放柱,所述排放柱靠近导出孔柱的一端设有临存套;
所述临存套内活动连接有临存件;
所述导出孔柱包括套设在排放柱外侧且与固定板连接的导出柱,所述导出柱内设有与临存件固定连接的顶起柱;
当排放柱未与导出柱发生相对滑动时,所述临存件位于临存套内并封堵临存套;
当排放柱与导出柱发生相对滑动时,所述临存件被顶起柱推动进入排放柱以打开对临存套的封堵,所述产品通过临存套进入导出柱。
作为优选,所述临存套内径等于临存件直径,所述临存件远离顶起柱的一端呈圆形或锥形。
作为优选,所述回位件包括一端与调节板固定连接且另一端能够穿过固定板的稳定柱,所述稳定柱的侧壁套接有顶起件。
作为优选,所述产品筒底部设有接样筒,所述接样筒内设有多个顶起环条,所述顶起环条能托起稳定柱,所述顶起环条的两端均设有弧形面。
本发明的有益效果是:
本发明可通过引导管和旋转轴柱的配合,将加热区所在区域的热量与气体腔室分隔,防止热量对气体腔室内产生影响,具体的,随着加热区加热原料以使原料生成为气体后,气体会沿着引导管逐渐进入到气体腔室内,而在气体进入气体腔室的过程中,通过驱动装置驱动旋转轴柱旋转即可牵引气体加快进入气体腔室,同时再根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片旋转的转速,防止进入气体腔室内的气体进入量过快导致气体腔室内部热量较大影响产品生成效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明中的整体结构示意图;
图2是本发明中的产品筒结构示意图;
图3是本发明中的旋转轴柱结构示意图;
图4是本发明中的螺旋阻片结构示意图;
图5是本发明中的调节板结构示意图;
图6是本发明中的分散条结构示意图;
图7是本发明中的临存件结构示意图;
图8是本发明中的顶起柱结构示意图。
附图标记:1、固定架;2、原料筒;3、加热区;4、产品筒;5、引导管;6、旋转轴柱;7、螺旋阻片;8、分散条;9、平缓区;10、泄压区;11、析出区;12、冷基体;13、刮片;14、固定板;15、调节板;16、汇聚槽;17、排放孔柱;18、导出孔柱;19、排放柱;20、临存套;21、临存件;22、导出柱;23、顶起柱;24、稳定柱;25、顶起件;26、接样筒;27、顶起环条。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
如图1至图8所示,本实施例提供了一种氧化亚硅的生产装置,包括固定架1,还包括
原料筒2,原料筒2设置在固定架1上,原料筒2内能够存放用于生产氧化亚硅的原料,固定架1上设有能够加热原料以使原料生成为气体的加热区3;
产品制成筒,产品制成筒设置在固定架1上且位于加热区3外;
引导管5,引导管5设置在原料筒2上,引导管5远离原料筒2的一端与产品制成筒密封连接;
其中,产品制成筒包括活动连接在固定架1上的产品筒4,产品筒4内设有气体腔室,且产品筒4内转动连接有旋转轴柱6,旋转轴柱6的轴心线与产品筒4的轴心线重合,旋转轴柱6的侧壁安装有螺旋阻片7;
螺旋阻片7的直径等于或小于气体腔室靠近引导管5的一端内径,旋转轴柱6能够根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片7旋转的转速,螺旋阻片7能够对气体进入产品制成筒内的流速进行调节。
本发明可通过引导管5和旋转轴柱6的配合,将加热区3所在区域的热量与气体腔室分隔,防止热量对气体腔室内产生影响,具体的,随着加热区3加热原料以使原料生成为气体后,气体会沿着引导管5逐渐进入到气体腔室内,而在气体进入气体腔室的过程中,通过外界设置的驱动装置(例如安装在产品制成筒底部的电机)驱动旋转轴柱6旋转,之后转动的旋转轴柱6会牵引气体加快进入气体腔室,同时再根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片7旋转的转速,防止进入气体腔室内的气体进入量过快导致气体腔室内部热量较大影响产品生成效率。
具体的,若螺旋阻片7没有旋转,则螺旋阻片7会起到封堵引导管5的作用,使得气体进入气体腔室内的流速被限制住,而随着螺旋阻片7转速增大,进入气体腔室内气体的流速增大,使得气体不会大量聚集在气体腔室内。
在固定容量的气体腔室内充入部分气体后,该部分气体能够充分析出,其中该部分气体在固定容量内的压强便是上述所指的设定区间压强,同时固定容量指的是气体腔室内未发生容量变化前的容量。
而通过压强来控制螺旋阻片7旋转的转速的方式较多,只要满足气体压强大于设定区间,螺旋阻片7旋转转速减小,气体压强小于或等于设定区间则螺旋阻片7旋转转速不变,具体的工作部件(指的是气体腔室内的压强测量部件以及驱动旋转轴柱6旋转的部件)包括压强传感器以及可变速的电机,其为现有技术,此处不做过多赘述。
当气体被螺旋阻片7带着进入到气体腔室内,为了避免气体直接冲击气体腔室底部,螺旋阻片7朝远离引导管5的一端倾斜设置,且螺旋阻片7远离引导管5的一端安装有分散条8,分散条8可将气体朝气体腔室内侧壁推动。
为了实现气体的析出,气体腔室包括沿着气体进入方向依次设置的平缓区9、泄压区10和析出区11;
螺旋阻片7位于平缓区9内,且平缓区9内径等于或大于螺旋阻片7内径;
泄压区10两端内径小于中心区域的内径;
析出区11内设有冷基体12,冷基体12的内径与泄压区10远离平缓区9的一端内径相等;
旋转轴柱6的侧壁安装有多个刮片13,刮片13能够刮下冷凝析出于冷基体12内侧壁的产品。
冷基体12可选择现有技术中的冷基体12,此处不做过多赘述。
当气体被螺旋阻片7带动时,气体会直接沿着平缓区9进入,之后,当气体运动至分散条8处时,分散条8可推着气体冲击泄压区10内壁,且由于泄压区10中心区域的内径较大,由此便可起到泄压作用,且泄压区10的设置可以预防气体直接进入到析出区11,从而防止气体流动过快导致产品析出效率不高的现象发生,之后处于泄压区10内的气体会逐渐进入析出区11内并被冷基体12析出。
由于气体是连续不断产生的,为了使气体腔室内的气体能够充分析出,故而优选的,相邻刮片13之间均固定连接有能够调节冷基体12内侧壁与气体接触区域的调节器;
调节器包括与旋转轴柱6和刮片13侧壁可拆卸连接的固定板14,固定板14靠近螺旋阻片7的一侧设有调节板15,固定板14内设有与调节板15固定连接的回位件,回位件能够推着调节板15沿冷基体12内侧壁滑动;
调节板15的表面设有多个能够存储产品的排放孔柱17,排放孔柱17远离调节板15的一端设有与固定板14内壁连接的导出孔柱18,排放孔柱17能够在对应的导出孔柱18内滑动并在滑动至某一处后引导产品进入该导出孔柱18。
当进入气体腔室内的气体较多,此时螺旋阻片7的转速减小,同时气体会推着调节板15沿着刮片13的表面朝固定板14的一侧滑动,之后,随着调节板15下滑,冷基体12内侧壁能够与气体接触的区域更多,也就代表气体能够冷凝析出的区域更大。
旋转轴柱6的结构如图8所示,底部设有固定槽,方便电机通过连接件固定连接。
调节板15未下滑时,旋转轴柱6会带着固定板14和调节板15以及刮片13一起运动,使得产品析出在冷基体12内侧壁并被刮片13刮下;
随着调节板15下滑,冷基体12内侧壁不再被调节板15遮挡,因此,在冷基体12内侧壁与气体接触区域增大的同时,刮片13会同时将冷基体12内侧壁各个位置析出的产品刮下,使得后续析出的产品不会出现无法刮下的现象。
而在产品被刮下后,会直接掉入排放孔柱17内,由于调节板15会下滑,故而排放孔柱17会在对应的导出孔柱18内滑动并在滑动至某一处后引导产品进入该导出孔柱18并排出。
调节板15的表面开设有汇聚槽16,汇聚槽16能够将刮片13刮下的产品引导至排放孔柱17内,如此设置可以使产品被刮下后可以充分进入排放孔柱17内。
为了实现排放孔柱17会在对应的导出孔柱18内滑动并在滑动至某一处后引导产品进入该导出孔柱18的目的,故而优选的,排放孔柱17包括与调节板15连接的排放柱19,排放柱19靠近导出孔柱18的一端设有临存套20;
临存套20内活动连接有临存件21;
导出孔柱18包括套设在排放柱19外侧且与固定板14连接的导出柱22,导出柱22内设有与临存件21固定连接的顶起柱23;
当排放柱19未与导出柱22发生相对滑动时,临存件21位于临存套20内并封堵临存套20;
当排放柱19与导出柱22发生相对滑动时,临存件21被顶起柱23推动进入排放柱19以打开对临存套20的封堵,产品通过临存套20进入导出柱22。
参照图8,在调节板15未下滑时,临存件21位于临存套20内并封堵临存套20;
一旦调节板15下滑,排放柱19与导出柱22发生相对滑动,临存件21被顶起柱23推动进入排放柱19以打开对临存套20的封堵,产品通过临存套20进入导出柱22。
图8中展示的便是调节板15下压至一定位置时的状态。
针对产品的排出提出另一个实施例,临存件21也可与临存套20内壁转动连接,顶起柱23与临存件21活动连接,通过临存件21被顶起柱23推动反转以实现另一个实施例。
为了预防产品堆积在临存件21上,故而,临存套20内径等于临存件21直径,临存件21远离顶起柱23的一端呈圆形或锥形。
回位件包括一端与调节板15固定连接且另一端能够穿过固定板14的稳定柱24,稳定柱24的侧壁套接有顶起件25。调节板15下滑时,顶起件25会被压缩,此时可通过稳定柱24进行位置限定,防止调节板15下滑出现晃动,从而导致调节板15被卡住的现象发生,该顶起件25可选择弹簧,当调节板15不再受压时,即压强降低时(此时大量气体已被冷凝析出),顶起件25会复位,从而实现调节板15的复位。
为了增大气体与冷基体12内侧壁的接触时间以及防止调节板15频繁升降导致调节板15与冷基体12内侧壁之间产生较大摩擦,故而,产品筒4底部设有接样筒26,接样筒26内设有多个顶起环条27,顶起环条27能托起稳定柱24,顶起环条27的两端均设有弧形面。
当调节板15下滑后,会推着稳定柱24一起下滑,直至稳定柱24接触顶起环条27为止,此时,冷基体12内侧壁与气体的接触面积增大了,但是增大的面积是固定的(需要注意的是气体还是连续不断的充入冷基体12所在区域的),之后,由于旋转轴柱6会带着固定板14和调节板15以及刮片13一起旋转,故而固定板14会带着稳定柱24一起运动,此时运动的稳定柱24会沿着顶起环条27表面滑动,一旦稳定柱24运动至相邻顶起环条27之间的间隙时,调节板15在气体推动下会推着稳定柱24再次下降,如此便可实现产品的排出。
但是调节板15始终是旋转的,故而相邻顶起环条27之间的间隙的稳定柱24会沿着弧形面再次滑上顶起环条27,直至处于下一个相邻顶起环条27之间的间隙为止,如此不仅实现了增大气体在析出区11的停留时间使得气体有足够的时间与冷基体12内侧壁接触,同时还能够增大气体与冷基体12内侧壁的接触空间,使得气体有更大的空间进行析出操作。
本发明在具体使用时:
随着加热区3加热原料以使原料生成为气体后,气体会沿着引导管5逐渐进入到气体腔室内,而在气体进入气体腔室的过程中,通过驱动装置驱动旋转轴柱6旋转即可牵引气体加快进入气体腔室的流速,同时再根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片7旋转的转速。
之后,当进入气体腔室内的气体较多时,控制螺旋阻片7的转速减小,同时气体会推着调节板15沿着刮片13的表面朝固定板14的一侧滑动,之后,随着调节板15下滑,冷基体12内侧壁能够与气体接触的区域更多,气体能够冷凝析出的区域更大。
而在调节板15未下滑时,旋转轴柱6会带着固定板14和调节板15以及刮片13一起运动,使得产品析出在冷基体12内侧壁并被刮片13刮下;随着调节板15下滑冷基体12内侧壁不再被调节板15遮挡,因此在冷基体12内侧壁与气体接触区域增大的同时,刮片13会同时将冷基体12内侧壁各个位置析出的产品刮下。
而在产品被刮下后,会直接掉入排放孔柱17内并排出。
产品排出的具体操作为:当调节板15下滑时,会推着稳定柱24一起下滑,直至稳定柱24接触顶起环条27为止,此时,冷基体12内侧壁与气体的接触面积增大,但是增大的面积是固定的,由于旋转轴柱6会带着固定板14和调节板15以及刮片13一起旋转,故而固定板14会带着稳定柱24一起运动,此时运动的稳定柱24会沿着顶起环条27表面滑动,一旦稳定柱24运动至相邻顶起环条27之间的间隙,则稳定柱24不再对调节板15进行支撑,调节板15在气体推动下会推着稳定柱24再次下降,即此时排放柱19与导出柱22发生相对滑动,临存件21被顶起柱23推动进入排放柱19以打开对临存套20的封堵,产品通过临存套20进入导出柱22并掉入接样筒26内。
但是调节板15始终是旋转的,故而相邻顶起环条27之间的间隙的稳定柱24会沿着弧形面再次滑上顶起环条27,直至处于下一个相邻顶起环条27之间的间隙为止,如此不仅实现了增大气体在析出区11的停留时间使得气体有足够的时间与冷基体12内侧壁接触,同时还能够增大气体与冷基体12内侧壁的接触空间,使得气体有更大的空间进行析出操作。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (9)

1.一种氧化亚硅的生产装置,包括固定架(1),其特征在于:还包括
原料筒(2),所述原料筒(2)设置在固定架(1)上,所述原料筒(2)内能够存放用于生产氧化亚硅的原料,所述固定架(1)上设有能够加热原料以使原料生成为气体的加热区(3);
产品制成筒,所述产品制成筒设置在固定架(1)上且位于加热区(3)外;
引导管(5),所述引导管(5)设置在原料筒(2)上,所述引导管(5)远离原料筒(2)的一端与产品制成筒密封连接;
其中,所述产品制成筒包括活动连接在固定架(1)上的产品筒(4),所述产品筒(4)内设有气体腔室,且所述产品筒(4)内转动连接有旋转轴柱(6),所述旋转轴柱(6)的轴心线与产品筒(4)的轴心线重合,所述旋转轴柱(6)的侧壁安装有螺旋阻片(7);
所述螺旋阻片(7)的直径等于或小于气体腔室靠近引导管(5)的一端内径,所述旋转轴柱(6)能够根据气体腔室内的压强是否超过设定区间来调节带动螺旋阻片(7)旋转的转速,所述螺旋阻片(7)能够对气体进入产品制成筒内的流速进行调节。
2.如权利要求1所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述螺旋阻片(7)朝远离引导管(5)的一端倾斜设置,且所述螺旋阻片(7)远离引导管(5)的一端安装有分散条(8)。
3.如权利要求1或2所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述气体腔室包括沿着气体进入方向依次设置的平缓区(9)、泄压区(10)和析出区(11);
所述螺旋阻片(7)位于平缓区(9)内,且所述平缓区(9)内径等于或大于螺旋阻片(7)内径;
所述泄压区(10)两端内径小于中心区域的内径;
所述析出区(11)内设有冷基体(12),所述冷基体(12)的内径与泄压区(10)远离平缓区(9)的一端内径相等;
所述旋转轴柱(6)的侧壁安装有多个刮片(13),所述刮片(13)能够刮下冷凝析出于冷基体(12)内侧壁的产品。
4.如权利要求3所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:相邻所述刮片(13)之间均固定连接有能够调节冷基体(12)内侧壁与气体接触区域的调节器;
所述调节器包括与旋转轴柱(6)和刮片(13)侧壁可拆卸连接的固定板(14),所述固定板(14)靠近螺旋阻片(7)的一侧设有调节板(15),所述固定板(14)内设有与调节板(15)固定连接的回位件,所述回位件能够推着调节板(15)沿冷基体(12)内侧壁滑动;
所述调节板(15)的表面设有多个能够存储产品的排放孔柱(17),所述排放孔柱(17)远离调节板(15)的一端设有与固定板(14)内壁连接的导出孔柱(18),所述排放孔柱(17)能够在对应的导出孔柱(18)内滑动并在滑动至某一处后引导产品进入该导出孔柱(18)。
5.如权利要求4所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述调节板(15)的表面开设有汇聚槽(16),所述汇聚槽(16)能够将刮片(13)刮下的产品引导至排放孔柱(17)内。
6.如权利要求5所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述排放孔柱(17)包括与调节板(15)连接的排放柱(19),所述排放柱(19)靠近导出孔柱(18)的一端设有临存套(20);
所述临存套(20)内活动连接有临存件(21);
所述导出孔柱(18)包括套设在排放柱(19)外侧且与固定板(14)连接的导出柱(22),所述导出柱(22)内设有与临存件(21)固定连接的顶起柱(23);
当排放柱(19)未与导出柱(22)发生相对滑动时,所述临存件(21)位于临存套(20)内并封堵临存套(20);
当排放柱(19)与导出柱(22)发生相对滑动时,所述临存件(21)被顶起柱(23)推动进入排放柱(19)以打开对临存套(20)的封堵,所述产品通过临存套(20)进入导出柱(22)。
7.如权利要求6所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述临存套(20)内径等于临存件(21)直径,所述临存件(21)远离顶起柱(23)的一端呈圆形或锥形。
8.如权利要求7所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述回位件包括一端与调节板(15)固定连接且另一端能够穿过固定板(14)的稳定柱(24),所述稳定柱(24)的侧壁套接有顶起件(25)。
9.如权利要求8所述的氧化亚硅的生产装置,其特征在于:所述产品筒(4)底部设有接样筒(26),所述接样筒(26)内设有多个顶起环条(27),所述顶起环条(27)能托起稳定柱(24),所述顶起环条(27)的两端均设有弧形面。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116889920A (zh) * 2023-09-11 2023-10-17 烟台康司坦新材料科技有限公司 氧化亚硅复合负极材料的气流粉碎装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB868813A (en) * 1958-05-14 1961-05-25 Atlas Equipment London Ltd Dough-stamping machine
CN116086184A (zh) * 2022-11-25 2023-05-09 贵阳永亮未来新能源发展有限公司 一种制备氧化亚硅的设备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB868813A (en) * 1958-05-14 1961-05-25 Atlas Equipment London Ltd Dough-stamping machine
CN116086184A (zh) * 2022-11-25 2023-05-09 贵阳永亮未来新能源发展有限公司 一种制备氧化亚硅的设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116889920A (zh) * 2023-09-11 2023-10-17 烟台康司坦新材料科技有限公司 氧化亚硅复合负极材料的气流粉碎装置
CN116889920B (zh) * 2023-09-11 2023-11-10 烟台康司坦新材料科技有限公司 氧化亚硅复合负极材料的气流粉碎装置

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