CN116403496A - 显示装置、数据驱动电路以及显示驱动方法 - Google Patents

Abstract

本公开内容涉及显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。根据一个实施方式，该显示装置包括：显示面板，在该显示面板中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管；栅极驱动电路，其被配置成通过多条栅极线向显示面板提供多个扫描信号；数据驱动电路，其被配置成在电阻感测时段期间通过多条数据线向显示面板提供多个数据电压并且向多个子像素电路提供恒定电流；以及定时控制器，其被配置成控制栅极驱动电路和数据驱动电路，并且通过使用在电阻感测时段中检测到的感测晶体管的电阻来向显示面板提供补偿图像数据。

Description

显示装置、数据驱动电路以及显示驱动方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月27日提交的韩国专利申请第10-2021-0188245号的优先权，该申请出于所有目的通过引用并入于此，如同在本文中完全阐述的一样。

技术领域

本公开内容涉及能够精确地确定和补偿驱动晶体管的特征值的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

背景技术

随着信息社会的发展，对各种类型的图像显示装置的需求日益增加。在这方面，诸如液晶显示装置和有机发光显示装置的一系列显示装置最近已经得到广泛使用。

在这些显示装置中，有机发光显示器采用有机发光二极管，因此在对比度、发光效率、亮度和视角方面具有快速响应性和各种优点。

在这种显示装置中，各自具有子像素的像素在显示图像的显示面板上以矩阵图案排列。通过控制提供给发光元件的电压，使构成每个子像素的发光元件发光，从而控制每个子像素的亮度，并且显示图像。

在显示装置的显示面板上定义的每个子像素具有发光元件以及用于驱动该发光元件的驱动晶体管。驱动晶体管的特征值(例如，阈值电压或迁移率)可以根据驱动时间而变化，或者可能由于子像素之间的驱动时间差而出现偏差。子像素之间的亮度偏差(亮度非均匀性)可能导致降低图像质量。

为了解决子像素之间的亮度偏差，已经存在使用感测晶体管来感测驱动晶体管的特征值(例如，阈值电压或迁移率)以及对驱动晶体管的特征值进行补偿的技术。

然而，由于在驱动晶体管的特征值的感测时段期间感测晶体管的电压可能由于驱动电流而变化，所以可能在驱动晶体管的特征值的感测结果中引起误差。

发明内容

因此，本公开内容的发明人发明了能够检测感测晶体管的电阻的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

本公开内容的实施方式可以提供能够通过在感测驱动晶体管的特征值之前检测感测晶体管的电阻来精确地确定驱动晶体管的特征值的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

本公开内容的实施方式可以提供能够通过在向驱动晶体管提供恒定电流的同时根据数据电压和驱动电压的变化感测特征值的变化来检测感测晶体管的电阻的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法，

本公开内容的实施方式可以提供能够通过使用感测晶体管的电阻精确地确定驱动晶体管的特征值来准确地补偿驱动晶体管的特征值偏差的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

本公开内容的一个实施方式可以提供一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，在该显示面板中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管；栅极驱动电路，其被配置成通过多条栅极线向显示面板提供多个扫描信号；数据驱动电路，其被配置成在电阻感测时段期间通过多条数据线向显示面板提供多个数据电压并且向多个子像素电路提供恒定电流；以及定时控制器，其被配置成控制栅极驱动电路和数据驱动电路，并且通过使用在电阻感测时段中检测到的感测晶体管的电阻来向显示面板提供补偿图像数据。

本公开内容的一个实施方式可以提供一种用于向显示面板提供多个数据电压的数据驱动电路，在显示面板中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管，该数据驱动电路包括：模数转换器，其被配置成将从参考电压线检测到的感测电压转换为数字值；采样开关，其被配置成控制参考电压线与模数转换器之间的连接；恒流源，其被配置成在电阻感测时段中向多个子像素电路提供恒定电流；以及恒流开关，其被配置成控制恒定电流源与参考电压线之间的连接。

本公开内容的一个实施方式可以提供一种显示面板的显示驱动方法，在该显示面板中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管，该显示驱动方法包括：设置用于检测感测晶体管的电阻的电阻感测时段；在电阻感测时段期间通过恒定电流源向多个子像素电路提供恒定电流；在改变数据电压的同时检测参考电压线上的感测电压的改变；计算感测晶体管的电阻；使用感测晶体管的电阻确定驱动晶体管的特征值；以及通过反映驱动晶体管的特征值提供补偿图像数据。

根据本公开内容的一个实施方式，可以提供能够检测感测晶体管的电阻的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

另外，根据本公开内容的一个实施方式，可以提供能够通过在感测驱动晶体管的特征值之前检测感测晶体管的电阻来精确地确定驱动晶体管的特征值的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

另外，根据本公开内容的一个实施方式，可以提供能够通过在向驱动晶体管提供恒定电流的同时根据数据电压和驱动电压的变化感测特征值的变化来检测感测晶体管的电阻的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

另外，根据本公开内容的一个实施方式，可以提供能够通过使用感测晶体管的电阻精确地确定驱动晶体管的特征值来准确地补偿驱动晶体管的特征值偏差的显示装置、数据驱动电路和显示驱动方法。

附图说明

在附图中：

图1示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的示意图；

图2示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的系统图；

图3示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的子像素电路的电路图；

图4示出了感测驱动晶体管的特征值的示例电路结构；

图5示出了用于驱动晶体管的阈值电压的外部补偿的信号时序图；

图6示出了用于驱动晶体管的迁移率的外部补偿的信号时序图；

图7示出了用于驱动晶体管的阈值电压和迁移率的内部补偿的信号时序图；

图8示出了在感测驱动晶体管的特征值的过程中由于感测晶体管的电压偏差而在感测电压中出现误差的概念图；

图9示出了用于在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中检测显示装置中的感测晶体管的电阻的示例性电路结构；

图10示出了在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中当在电阻感测时段期间提供彼此不同的第一电平的数据电压和第二电平的数据电压时的示例性信号波形图；

图11示出了在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中使用感测晶体管的电阻来补偿驱动晶体管的特征值偏差的示例性电路结构；

图12示出了在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中使用感测晶体管的电阻来补偿驱动晶体管的迁移率的信号时序图；

图13示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示驱动方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参照示例性附图来详细描述本公开内容的一些实施方式。在本发明的示例或实施方式的以下描述中，将参照附图，在附图中通过说明的方式示出了可以实现的特定示例或实施方式，并且在附图中，相同的附图标记和符号即使在彼此不同的附图中示出也可以用于指代相同或相似的部件。此外，在本发明的示例或实施方式的以下描述中，当确定描述可能使本发明的一些实施方式中的主题相当不清楚时，将省略本文中并入的公知功能和部件的详细描述。本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由......组成”和“由......形成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文中所使用的，单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。

本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语来描述本发明的元件。这些术语中的每一个不用于限定元件的本质、顺序、次序或数目等，而仅用于将对应的元件与其他元件区分开。

当提到第一元件“连接或耦接至”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时，应当解释为第一元件不仅可以“直接连接或耦接至”第二元件或与第二元件“直接接触或交叠”，而且第三元件可以“插入”第一元件与第二元件之间，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。此处，第二元件可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少之一中。

当诸如“在......之后”、“随后”、“接下来”、“在......之前”等的时间相关术语用于描述元件或配置的处理或操作，或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非序列的处理或操作，除非术语“直接”或“紧接”一起使用。

另外，当提及任何尺寸、相对大小等时，应当认为元件或特征的数值或对应的信息(例如水平、范围等)包括可能由各种因素(例如，过程因子、内部或外部影响、噪声等)引起的容差或误差范围，即使没有指定相关描述亦如此。此外，术语“可以”完全包含术语“能够”的所有含义。

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。

图1是示意性地示出根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的配置的视图；

参照图1，根据本公开内容的实施方式的显示装置100可以包括：显示面板110，在显示面板110中连接有多条栅极线GL和数据线DL，并且以矩阵形式排列多个子像素SP；栅极驱动电路120，其驱动多条栅极线GL；数据驱动电路130，其通过多条数据线DL提供数据电压；定时控制器140，其控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130；以及电力管理电路150。

显示面板110基于通过多条栅极线GL从栅极驱动电路120传输的扫描信号以及通过多条数据线DL从数据驱动电路130传输的数据电压来显示图像。

在液晶显示器的情况下，显示面板110可以包括形成在两个基板之间的液晶层，并且可以以任何已知的模式例如扭曲向列(TN)模式、垂直对准(VA)模式、面内切换(IPS)模式或边缘场切换(FFS)模式进行操作。在有机发光显示器的情况下，显示面板110可以以顶部发光方案、底部发光方案或双发光方案来实现。

在显示面板110中，可以以矩阵形式排列多个像素，并且每个像素可以包括具有不同颜色例如白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的子像素SP，并且每个子像素SP可以由多条数据线DL和多条栅极线GL限定。

一个子像素SP可以包括例如：在一条数据线DL与一条栅极线GL之间的交叉处形成的薄膜晶体管(TFT)；用数据电压充电的发光元件(例如有机发光二极管)；以及电连接至发光元件以保持电压的存储电容器。

例如，当具有分辨率为2160×3840的显示装置100包括白色(W)、红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的四个子像素SP时，3840条数据线DL可以被连接至2160条栅极线GL和四个子像素WRGB，因此，可以提供3840×4＝15360条数据线DL。每个子像素SP被设置在栅极线GL与数据线DL之间的交叉处。

可以由控制器140控制栅极驱动电路120，以将扫描信号顺序地输出至设置在显示面板110中的多条栅极线GL，从而控制多个子像素SP的驱动时序。

在具有2160×3840的分辨率的显示装置100中，将扫描信号从第一栅极线至第2160栅极线顺序地输出至2160个栅极线GL可以被称为2160相驱动。将扫描信号顺序地输出至四个栅极线GL中的每个单元(例如，在将扫描信号顺序地输出至第一栅极线到第四栅极线之后，将扫描信号顺序地输出至第五栅极线到第八栅极线)被称为4相驱动。换言之，将扫描信号顺序地输出至每N条栅极线GL可以被称为N相驱动。

栅极驱动电路120可以包括一个或更多个栅极驱动集成电路(GDIC)。根据驱动方案，栅极驱动电路120可以仅位于显示面板110的一侧上，或者位于显示面板110的两个相对侧中的每一个。栅极驱动电路120可以以嵌入在显示面板110的边框区域中的面板内栅极(GIP)形式实现。

数据驱动电路130从定时控制器140接收图像数据DATA，并且将所接收的图像数据DATA转换为模拟数据电压。然后，根据当通过栅极线GL提供扫描信号时的定时将数据电压输出至每个数据线DL时，连接至数据线DL的每个子像素SP显示具有与数据电压对应的亮度的发光信号。

同样，数据驱动电路130可以包括一个或更多个源极驱动集成电路SDIC，并且源极驱动集成电路SDIC可以以带式自动接合(TAB)型或玻上芯片(COG)型连接至显示面板110的接合焊盘，或者可以被直接设置在显示面板110上。

在一些情况下，每个源极驱动集成电路SDIC可以被集成并且被设置在显示面板110上。此外，每个源极驱动集成电路SDIC可以以膜上芯片(COF)型实现，并且在这种情况下，每个源极驱动集成电路SDIC可以安装在电路膜上，并且可以通过电路膜电连接至显示面板110的数据线DL。

定时控制器140向栅极驱动电路120和数据驱动电路130提供各种控制信号，并且控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130的操作。换言之，定时控制器140可以控制栅极驱动电路120根据在每个帧中实现的定时来输出扫描信号，并且另一方面，将从外部接收的图像数据DATA传送到数据驱动电路130。

在这种情况下，定时控制器140从外部主机系统200接收几个定时信号，包括例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和主时钟MCLK、以及图像数据DATA。

主机系统200可以是以下中的任何一个：电视(TV)系统、机顶盒、导航系统、个人计算机(PC)、家庭影院系统、移动装置和可穿戴装置。

因此，定时控制器140可以根据从主机系统200接收的各种定时信号产生控制信号，并且将该控制信号传送到栅极驱动电路120和数据驱动电路130。

例如，定时控制器140输出几个栅极控制信号(包括例如栅极起始脉冲GSP、栅极时钟GCLK和栅极输出使能信号GOE)以控制栅极驱动电路120。栅极起始脉冲GSP控制构成栅极驱动电路120的一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC开始操作的定时。栅极时钟GCLK是通常输入至一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC的时钟信号，并且控制扫描信号的移位定时。栅极输出使能信号GOE指定关于一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC的定时信息。

定时控制器140输出各种数据控制信号(包括例如源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SCLK和源极输出使能信号SOE)以控制数据驱动电路130。源极起始脉冲SSP控制构成数据驱动电路130的一个或更多个源极驱动集成电路SDIC开始数据采样的定时。源极采样时钟SCLK是控制源极驱动集成电路SDIC中采样数据的定时的时钟信号。源极输出使能信号SOE控制数据驱动电路130的输出定时。

显示装置100还可以包括电力管理电路150，电力管理电路150向例如显示面板110、栅极驱动电路120和数据驱动电路130提供各种电压或电流，或者控制要提供的各种电压或电流。

电力管理电路150调整从主机系统200提供的直流(DC)输入电压Vin，从而产生驱动显示面板100、栅极驱动电路120和数据驱动电路130所需的电力。

子像素SP被定位在栅极线GL与数据线DL之间的交叉处，并且发光元件可以被设置在每个子像素SP中。例如，有机发光显示器可以在每个子像素SP中包括发光元件(例如有机发光二极管)，并且可以通过根据数据电压控制流向发光元件的电流来显示图像。

显示装置100可以是各种类型的装置之一，例如液晶显示器、有机发光显示器或等离子体显示面板。

图2示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的系统图。

参照图2，在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100中，包括在数据驱动电路130中的源极驱动集成电路SDIC以各种类型(例如，TAB、COG或COF)中的膜上芯片(COF)型实现，并且栅极驱动电路120以各种类型(例如，TAB、COG、COF或GIP)中的面板内栅极(GIP)型实现。

当栅极驱动电路120以GIP型实现时，包括在栅极驱动电路120中的多个栅极驱动集成电路GDIC可以直接形成在显示面板110的边框区域中。在这种情况下，栅极驱动集成电路GDIC可以接收通过设置在边框区域中的栅极驱动相关信号线产生扫描信号所需的各种信号(例如，时钟信号、栅极高信号、栅极低信号等)。

同样地，包括在数据驱动电路130中的一个或更多个源极驱动集成电路SDIC各自可以被安装在源极膜SF上，并且源极膜SF的一侧可以与显示面板110电连接。用于电连接源极驱动器集成电路SDIC和显示面板110的线可以被设置在源极膜SF上。

显示装置100可以包括：至少一个源极印刷电路板SPCB，其用于多个源极驱动集成电路SDIC与其他装置之间的电路连接；以及控制印刷电路板CPCB，其用于安装控制部件和各种电气装置。

源极膜SF的安装有源极驱动集成电路SDIC的另一侧可以被连接至至少一个源极印刷电路板SPCB。换言之，源极膜SF的安装有源极驱动集成电路SDIC的一侧可以与显示面板110电连接，而其另一侧可以与源极印刷电路板SPCB电连接。

定时控制器140和电力管理电路150可以被安装在控制印刷电路板CPCB上。定时控制器140可以控制数据驱动电路130和栅极驱动电路120的操作。电力管理电路150可以向显示面板110、数据驱动电路130和栅极驱动电路120提供电源电压或电流，并且控制所提供的电压或电流。

至少一个源极印刷电路板SPCB和控制印刷电路板CPCB可以通过至少一个连接构件进行电路连接。连接构件可以包括例如柔性印刷电路FPC或柔性扁平电缆FFC。至少一个源极印刷电路板SPCB和控制印刷电路板CPCB可以被集成到单个印刷电路板中。

显示装置100还可以包括电连接至控制印刷电路板CPCB的设置板170。在这种情况下，也可以将设置板170称为电力板。用于管理显示装置100的总电力的主电力管理电路(M-PMC)160可以被设置在设置板170上。主电力管理电路160可以与电力管理电路150交互工作。

在如此配置的显示装置100中，电源电压在设置板170中产生并且传送到控制印刷电路板CPCB中的电力管理电路150。电力管理电路150通过柔性印刷电路FPC或柔性扁平电缆FFC将显示驱动或特征值感测所需的电源电压传送到源极印刷电路板SPCB。提供传送到源极印刷电路板SPCB的电源电压以通过源极驱动集成电路SDIC发光或感测显示面板110中的特定子像素SP。

在显示装置100中的显示面板110中排列的子像素SP中的每一个可以包括发光元件以及用于驱动有机发光二极管的电路元件(例如驱动晶体管)。

构成每个子像素SP的电路元件的类型和数目可以根据要提供的功能和设计方案而变化。

图3示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的子像素电路的电路图。

参照图3，在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100中，子像素电路可以包括一个或更多个晶体管和电容器，并且可以具有设置在其中的发光元件。

例如，子像素电路可以包括驱动晶体管DRT、开关晶体管SWT、感测晶体管SENT、存储电容器Cst和发光元件ED。

驱动晶体管DRT包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是栅极节点，当开关晶体管SWT接通时，通过数据线DL从数据驱动电路130向该栅极节点提供数据电压Vdata。

驱动晶体管DRT的第二节点N2可以与发光元件ED的阳极电极电连接，并且可以是源极节点或漏极节点。

驱动晶体管DRT的第三节点N3可以与向其提供驱动电压EVDD的驱动电压线DVL电连接，并且可以是漏极节点或源极节点。

在这种情况下，在显示驱动时段期间，可以将显示图像所需的驱动电压EVDD提供给驱动电压线DVL。例如，显示图像所需的驱动电压EVDD可以是27V。

开关晶体管SWT电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与数据线DL之间，并且栅极线GL被连接至栅极节点。因此，根据通过栅极线GL提供的第一扫描信号SCAN1操作开关晶体管SWT。当接通时，开关晶体管SWT将通过数据线DL提供的数据电压Vdata传送到驱动晶体管DRT的栅极节点，从而控制驱动晶体管DRT的操作。

感测晶体管SENT电连接在驱动晶体管DRT的第二节点N2与参考电压线RVL之间，并且栅极线GL被连接至栅极节点。根据通过栅极线GL提供的第二扫描信号SCAN2来操作感测晶体管SENT。当感测晶体管SENT接通时，通过参考电压线RVL提供的参考电压Vref被传送到驱动晶体管DRT的第二节点N2。

换言之，当控制开关晶体管SWT和感测晶体管SENT时，控制驱动晶体管DRT的第一节点N1的电压和第二节点N2的电压，从而可以提供用于驱动发光元件ED的电流。

开关晶体管SWT和感测晶体管SENT的栅极节点可以共同连接至一条栅极线GL，或者可以被连接至不同的栅极线GL。示出了其中开关晶体管SWT和感测晶体管SENT被连接至不同的栅极线GL的示例，在这种情况下，开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以由通过不同的栅极线GL传送的第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2独立地控制。

相比之下，如果开关晶体管SWT和感测晶体管SENT被连接至一条栅极线GL，则开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以由通过一条栅极线GL传送的第一扫描信号SCAN1或第二扫描信号SCAN2同时控制，并且可以增加子像素SP的孔径比。

设置在子像素电路中的晶体管可以是N型晶体管或P型晶体管，并且在所示的示例中，晶体管是N型晶体管。

存储电容器Cst电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间，并且在一帧期间保持数据电压Vdata。

取决于驱动晶体管DRT的类型，存储电容器Cst也可以连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第三节点N3之间。发光元件ED的阳极电极可以与驱动晶体管DRT的第二节点N2电连接，并且可以将基电压EVSS提供给发光元件ED的阴极电极。

基电压EVSS可以是接地电压或者高于或低于接地电压的电压。基电压EVSS可以根据驱动状态而变化。例如，可以将显示驱动时的基电压EVSS以及感测驱动时的基电压EVSS设置为彼此不同。

可以将开关晶体管SWT和感测晶体管SENT称为通过扫描信号SCAN1和SCAN2控制的扫描晶体管。

子像素SP的结构还可以包括一个或更多个晶体管，或者在某些情况下还可以包括一个或更多个电容器。

在这种情况下，为了有效地感测驱动晶体管DRT的特征值(例如，阈值电压或迁移率)，显示装置100可以使用用于在驱动晶体管DRT的特征值感测时段期间测量由充电到存储电容器Cst的电压流动的电流的方法，其被称为电流感测。

换言之，通过在驱动晶体管DRT的特征值感测时段期间测量由充电到存储电容器Cst的电压流过的电流，可以计算出子像素SP中驱动晶体管DRT的特征值或特征值的变化。

在这种情况下，参考电压线RVL不仅用于传送参考电压Vref，而且还用作用于感测子像素中的驱动晶体管DRT的特征值的感测线。因此，也可以将参考电压线RVL称为感测线或感测通道。

更具体地，驱动晶体管DRT的特征值或特征值的变化可以与驱动晶体管DRT的栅极节点电压和源极节点电压之间的差对应。

对驱动晶体管DRT的特征值的补偿可以通过外部补偿或内部补偿来执行，外部补偿为使用外部补偿电路感测驱动晶体管DRT的特征值并且对驱动晶体管DRT的特征值进行补偿，内部补偿为在不使用附加的外部配置的情况下，感测子像素SP内部的驱动晶体管DRT的特征值并且补偿子像素SP内部的驱动晶体管DRT的特征值。

在这种情况下，可以在显示装置100出厂前执行外部补偿，并且可以在显示装置100出厂后执行内部补偿。然而，即使在显示装置100出厂后，也可以一起执行内部补偿和外部补偿。

图4示出了感测驱动晶体管的特征值的示例电路结构。

参照图4，显示装置100可以包括用于对驱动晶体管DRT的特征值偏差进行补偿的部件。

例如，在显示装置100的感测时段中，驱动晶体管DRT的特征值或特征值的变化可以作为驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压(例如，Vdata-Vth)提供。当感测晶体管SENT处于接通状态时，驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压可以与参考电压线RVL的电压对应。参考电压线RVL上的线电容器Cline可以由驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压充电。由于对线电容器Cline充电的感测电压Vsen，参考电压线RVL可以具有与驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压对应的电压。

显示装置100可以包括：模数转换器ADC，其测量与驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压相对应的参考电压线RVL的电压，并且将该电压转换为数字值；以及开关电路SAM和SPRE，其用于感测特征值。

用于控制感测驱动的开关电路SAM和SPRE可以包括：感测参考开关SPRE，其用于控制每个参考电压线RVL与向其提供参考电压Vref的感测参考电压供应节点Npres之间的连接；以及采样开关SAM，其用于控制每个参考电压线RVL与模数转换器ADC之间的连接。感测参考开关SPRE是用于控制感测驱动的开关，并且由感测参考开关SPRE提供给参考电压线RVL的参考电压Vref变为感测参考电压VpreS。

用于感测驱动晶体管DRT的特征值的开关电路可以包括用于控制显示驱动的显示参考开关RPRE。显示参考开关RPRE可以控制每个参考电压线RVL与向其提供参考电压Vref的显示参考电压供应节点Nprer之间的连接。显示参考开关RPRE是用于驱动显示器的开关，并且由显示参考开关RPRE提供给参考电压线RVL的参考电压Vref与显示参考电压VpreR对应。

在这种情况下，感测参考开关SPRE和显示参考开关RPRE可以单独提供或者可以集成到一个中。感测参考电压VpreS和显示参考电压VpreR可以具有相同的电压值或不同的电压值。

显示装置100的定时控制器140可以包括：存储器MEM，其用于存储从模数转换器ADC传送的数据或者预先存储参考值；以及补偿电路COMP，其将存储在存储器MEM中的参考值与接收到的数据进行比较，并且对特征值的偏差进行补偿。在这种情况下，可以将由补偿电路COMP计算的补偿值存储在存储器MEM中。

因此，定时控制器140可以通过使用由补偿电路COMP计算的补偿值来补偿要提供给数据驱动电路130的图像数据DATA，并且可以将经补偿的图像数据DATA_comp输出至数据驱动电路130。因此，数据驱动电路130可以通过数模转换器DAC将经补偿的图像数据DATA_comp转换为模拟信号类型的数据电压Vdata，并且通过输出缓冲器BUF将经转换的数据电压Vdata输出至数据线DL。因此，可以补偿相应子像素SP中的驱动晶体管DRT的特征值的偏差(例如，阈值电压偏差或迁移率偏差)。

如上所述，可以在产生通电信号之后并且在显示驱动开始之前执行用于感测驱动晶体管DRT的特征值(阈值电压和迁移率)的时段。例如，如果通电信号被提供给显示装置100，则定时控制器140加载驱动显示面板110所需的参数，并且然后驱动显示器。在这种情况下，驱动显示面板110所需的参数可以包括关于先前对显示面板110执行的特征值的感测和补偿的信息。在参数加载过程中，可以执行驱动晶体管DRT的特征值的感测。如上所述，在产生通电信号之后以及在子像素发光之前在参数加载过程中感测特征值的过程被称为接通感测过程。

替选地，可以在产生显示装置100的断电信号之后进行感测驱动晶体管DRT的特征值的时段。例如，当在显示装置100中产生断电信号时，定时控制器140可以切断提供给显示面板110的数据电压，并且可以感测驱动晶体管DRT的驱动特征值达预定时间。这样，在产生断电信号时数据电压被切断从而终止子像素的发射的状态下执行特征值检测的过程被称为断开感测过程。

驱动晶体管DRT的特征值的感测时段可以在驱动显示器的同时实时执行。该感测过程被称为实时(RT)感测过程。在实时感测过程中，可以在显示驱动时段期间的每个空白时段，对一个或更多个子像素SP线中的一个或更多个子像素SP执行感测处理。

换言之，在当在显示面板110上显示图像时的显示驱动时段期间，在一帧内或者在第n帧与第(n+1)帧之间存在不向子像素SP提供数据电压的空白时段，在该空白时段中，可以执行一个或更多个子像素SP的迁移率感测。

这样，当在空白时段中执行感测处理时，可以随机地选择在其上执行感测处理的子像素(SP)线。因此，在执行空白部分中的感测处理之后，可以减轻在显示驱动时段中可能出现的异常。在空白时段期间执行感测处理之后，可以将经补偿的数据电压提供给在显示驱动时段期间已经执行感测处理的子像素SP。因此，还可以减轻在空白时段中的感测处理之后在显示驱动时段中已经完成的感测处理的子像素SP线中的异常。

数据驱动电路130可以包括数据电压输出电路136，数据电压输出电路136包括：锁存电路、数模转换器DAC和输出缓冲器BUF，并且在一些情况下，数据驱动电路130还可以包括模数转换器ADC和各种开关SAM、SPRE和RPRE。替选地，模数转换器ADC和各种开关SAM、SPRE和RPRE可以位于数据驱动电路130的外部。

补偿电路COMP可以存在于定时控制器140的内部或外部。存储器MEM可以位于定时控制器140外部，或者可以以寄存器的形式实现在定时控制器140内部。

图5示出了用于驱动晶体管的阈值电压的外部补偿的信号时序图。

参照图5，可以在初始化阶段INITIAL、跟踪阶段TRACKING和采样阶段SAMPLING中执行对显示装置100中的驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测。

在这种情况下，由于开关晶体管SWT和感测晶体管SENT同时接通和断开以感测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，所以可以通过一条栅极线GL一起提供第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2，或者通过不同的栅极线GL同时提供第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2。

初始化阶段INITIAL是驱动晶体管DRT的第二节点N2用参考电压Vref充电以感测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的时段，并且可以通过栅极线GL提供具有高电平的第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2。

跟踪阶段TRACKING是在驱动晶体管DRT的第二节点N2的充电完成之后将电荷充电到存储电容器Cst的时段。

采样阶段SAMPLING是在驱动晶体管DRT的存储电容器Cst被充电之后检测由充电到存储电容器Cst的电荷流动的电流的时段。

如果在初始化阶段INITIAL中同时提供接通电平的第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2，则开关晶体管SWT接通。因此，驱动晶体管DRT的第一节点N1被初始化为用于感测阈值电压Vth的感测数据电压Vdata_sen。

感测晶体管SENT也由接通电平的第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2接通，并且通过参考电压线RVL提供参考电压Vref，使得驱动晶体管DRT的第二节点N2被初始化为参考电压Vref。

在跟踪阶段TRACKING中，反映驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压被跟踪。为此，在跟踪阶段TRACKING中，开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以保持在接通状态，并且通过参考电压线RVL提供的参考电压Vref被切断。

因此，驱动晶体管DRT的第二节点N2可以浮动，并且驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压开始从参考电压Vref上升。在这种情况下，由于感测晶体管SENT接通，驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压的增加导致参考电压线RVL的电压的增加。

在该过程中，驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压增加，然后饱和。当驱动晶体管DRT的第二节点N2达到饱和状态时的饱和电压可以与用于感测阈值电压Vth的感测数据电压Vdata_sen与驱动晶体管DRT的阈值电压Vth之间的差(Vdata_sen-Vth)对应。

在采样阶段SAMPLING中，到栅极线GL的高电平第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2被保持，并且在驱动晶体管DRT的存储电容器Cst中充电的电荷由包括在数据驱动电路130中的特征值感测电路感测。

图6示出了驱动晶体管的迁移率的外部补偿的信号时序图。

参照图6，类似于对阈值电压Vth的感测，可以在初始化阶段INITIAL、跟踪阶段TRACKING和采样阶段SAMPLING中执行对显示装置100中的驱动晶体管DRT的迁移率的感测。

在初始化阶段INITIAL中，开关晶体管SWT可以由接通电平的第一扫描信号SCAN1接通，使得驱动晶体管DRT的第一节点N1被初始化为用于迁移率感测的感测数据电压Vdata_sen。此外，感测晶体管SENT由接通电平的第二扫描信号SCAN2接通，并且在该状态下，驱动晶体管DRT的第二节点N2被初始化为参考电压Vref。

跟踪阶段TRACKING是用于跟踪驱动晶体管DRT的迁移率的阶段。驱动晶体管DRT的迁移率可以指示驱动晶体管DRT的电流驱动能力，并且能够计算驱动晶体管DRT的迁移率的驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压通过跟踪阶段TRACKING被跟踪。

在跟踪阶段TRACKING中，通过截止电平的第一扫描信号SCAN1关断开关晶体管SWT，并且切断提供参考电压Vref的开关。因此，驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2都浮动，并且驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2的电压都增加。

特别地，由于驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压被初始化为参考电压Vref，其开始从参考电压Vref增加。在这种情况下，由于感测晶体管SENT接通，驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压的增加导致参考电压线RVL的电压的增加。

在采样阶段SAMPLING中，在第二节点N2的电压开始增加之后的预定时间Δt，特征值感测电路检测驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压。

此处，已经示出了当采样阶段SAMPLING进行时通过数据线DL提供感测数据电压Vdata_sen的情况。然而，如果在采样阶段SAMPLING进行时连续地提供数据电压Vdata，则可以改变驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压。因此，为了稳定的电压检测，当采样阶段SAMPLING进行时，可以通过数据线DL提供黑色灰度的数据电压Vdata。

在这种情况下，由特征值感测电路检测的感测电压指示电压Vref+ΔV，其是参考电压Vref加上预定电压ΔV，并且可以基于如此检测的感测电压Vref+ΔV、已知的参考电压Vref和第二节点N2的电压的增量时间Δt来计算驱动晶体管DRT的迁移率。

换言之，驱动晶体管DRT的迁移率与参考电压线RVL通过跟踪阶段TRACKING和采样阶段SAMPLING的每单位时间的电压变化ΔV/Δt成比例。因此，驱动晶体管DRT的迁移率将与参考电压线RVL的电压波形的斜率成比例。

图7示出了驱动晶体管的阈值电压和迁移率的内部补偿的信号时序图。

参照图7，显示装置100中的驱动晶体管DRT的特征值的内部补偿过程可以包括：初始化阶段INITIAL、阈值电压感测阶段VthSENSING、迁移率补偿阶段u COMPENSATION和发射阶段EMISSION。

在初始化阶段INITIAL中，感测晶体管SENT首先由具有高电平的第二扫描信号SCAN2接通，并且第二节点N2的电压(即，驱动晶体管DRT的源极节点电压)被初始化为参考电压Vref。

此后，开关晶体管SWT由具有高电平的第一扫描信号SCAN1接通，并且驱动晶体管DRT由提供给第一节点N1(即，驱动晶体管DRT的栅极节点)的数据电压Vdata接通。随后，当数据电压Vdata降低到偏移电压Vos的电平时，第一节点N1的电压变为偏移电压Vos的电平。

在阈值电压感测阶段VthSENSING中由以低电平提供的第二扫描信号SCAN2关断感测晶体管SENT时，通过驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压上升到驱动晶体管DRT的偏移电压Vos与阈值电压Vth之间的差电压，并且最终将存储电容器Cst充电到阈值电压Vth的电平。

在迁移率补偿阶段u COMPENSATION中，第一节点N1通过提供要显示的灰度(即，相应的数据电压Vdata)给显示面板110，而上升到数据电压Vdata的电平。因此，根据驱动晶体管DRT的迁移率特性，第二节点N2被逐渐充电，并且因此，通过从数据电压Vdata和阈值电压Vth之和减去根据偏移电压Vos和迁移率的电压变化量ΔV而获得的差值电压被存储在存储电容器Cst中。

在发射阶段EMISSION中，由被提供低电平的第一扫描信号SCAN1关断开关晶体管SWT。因此，将其中驱动晶体管DRT的阈值电压Vth和迁移率被存储在存储电容器Cst中的电压电平补偿的电流提供给发光元件ED。

内部补偿或外部补偿可以在产生通电信号之后且在开始显示器驱动操作之前执行。例如，当向显示装置100提供通电信号时，定时控制器140加载驱动显示面板110所需的参数，并且然后执行显示驱动操作。

此时，由于驱动晶体管DRT的阈值电压的感测过程可能花费较长时间来使驱动晶体管DRT的第二节点N2处的电压饱和，所以阈值电压Vth的感测和补偿过程主要在断开感测过程中执行。另一方面，由于与阈值电压Vth的感测处理相比，驱动晶体管DRT的迁移率的感测过程花费相对短的时间，因此可以在实时感测处理中执行迁移率的感测和补偿过程。

如上所述，构成子像素SP的驱动晶体管DRT的阈值电压或迁移率可以根据驱动时间而变化，或者可以由于每个子像素SP的驱动时间差而有偏差。因此，由于子像素SP的亮度可以根据驱动晶体管DRT的特征值而变化，所以可以将驱动晶体管DRT的特征值称为子像素SP的特征值。

同时，可以在显示面板110上以特定布置排列多个像素，并且每个像素可以由发射不同颜色的多个子像素SP形成。

然而，当感测驱动晶体管DRT的特征值时，感测晶体管SENT的电压可能由于驱动电流的变化而改变。由于感测晶体管SENT的电压偏差，感测电压Vsen相对于驱动晶体管DRT的特征值可能出现误差。

图8示出了在感测驱动晶体管的特征值的过程中由于感测晶体管的电压偏差而在感测电压中出现误差的概念图。

参照图8，在显示装置100的感测时段中驱动晶体管DRT的特征值的变化可以被反映为驱动晶体管DRT的源极节点电压Vs。在这种情况下，当感测晶体管SENT接通时，驱动晶体管DRT的源极节点电压Vs可以对应于参考电压线RVL的电压。

另外，参考电压线RVL的线电容器Cline可以由驱动晶体管DRT的源极节点电压Vs充电，并且感测电压Vsen被充电到线电容器Cline中。参考电压线RVL可以具有与驱动晶体管DRT的源极节点电压Vs对应的电压。

然而，在感测驱动晶体管DRT的特征值的过程中，由于流过驱动晶体管DRT和感测晶体管SENT的驱动电流Id的波动，可以改变感测晶体管SENT的电压以及充电到线电容器Cline中的感测电压Vsen。

例如，由于感测晶体管SENT位于驱动晶体管DRT的源极节点与参考电压线RVL之间，所以驱动晶体管DRT的源极节点电压Vs将是与形成在参考电压线RVL中的感测电压Vsen和形成在感测晶体管SENT中的电压之和对应的值。

此时，在感测晶体管SENT中形成的电压将是通过将感测晶体管SENT的源极节点与漏极节点之间的电阻Rsent乘以流过感测晶体管SENT的驱动电流Id而获得的值。因此，驱动晶体管DRT的源极节点电压Vs可以表示如下。

Vs＝Vsen+Id×Rsent

此时，当在感测驱动晶体管DRT的特征值的过程中感测晶体管SENT的源极节点与漏极节点之间的电压Id×Rsent改变时，由于通过参考电压线RVL检测的感测电压Vsen也改变，所以难以精确地测量驱动晶体管DRT的特征值。

因此，本公开内容在感测驱动晶体管DRT的特征值之前使用恒定电流源检测感测晶体管SENT的电阻Rsent，然后使用感测晶体管SENT的电阻Rsent精确地测量驱动晶体管DRT的特征值。

图9示出了根据本公开内容的一个实施方式的用于检测显示装置中的感测晶体管的电阻的示例性电路结构。

参照图9，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100中的子像素电路可以包括一个或更多个晶体管和电容器，并且可以具有设置在其中的发光元件。

例如，子像素电路可以包括驱动晶体管DRT、开关晶体管SWT、感测晶体管SENT、存储电容器Cst和发光元件ED。

驱动晶体管DRT具有：对应于第一节点的栅极节点、对应于第二节点的源极节点以及对应于第三节点的漏极节点。当开关晶体管SWT接通时，数据电压Vdata通过数据线DL提供给驱动晶体管DRT的栅极节点。

驱动晶体管DRT的源极节点可以被电连接至发光元件ED的阳极电极。

驱动晶体管DRT的漏极节点可以被电连接至驱动电压线DVL，驱动电压EVDD被施加到该驱动电压线DVL。

在这种情况下，在显示驱动时段期间，可以将显示图像所需的驱动电压EVDD提供给驱动电压线DVL。例如，显示图像所需的驱动电压EVDD可以是27V。

开关晶体管SWT电连接在驱动晶体管DRT的栅极节点与数据线DL之间，并且根据通过栅极线GL提供的第一扫描信号SCAN1操作。当接通时，开关晶体管SWT将通过数据线DL提供的数据电压Vdata传送到驱动晶体管DRT的栅极节点，从而控制驱动晶体管DRT的操作。

感测晶体管SENT电连接在驱动晶体管DRT的源极节点与参考电压线RVL之间，并且根据通过栅极线GL提供的第二扫描信号SCAN2操作。当感测晶体管SENT接通时，通过参考电压线RVL提供的参考电压Vref被传送到驱动晶体管DRT的源极节点。

换言之，当控制开关晶体管SWT和感测晶体管SENT时，驱动晶体管DRT的栅极节点电压Vg和源极节点电压Vs被控制，从而可以提供用于驱动发光元件ED的电流。

开关晶体管SWT和感测晶体管SENT的栅极节点可以共同连接至一条栅极线GL，或者可以被连接至不同的栅极线GL。示出了其中开关晶体管SWT和感测晶体管SENT被连接至不同的栅极线GL的示例，在这种情况下，开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以由通过不同的栅极线GL传送的第一扫描信号SCAN1和第二扫描信号SCAN2独立地控制。

相比之下，如果开关晶体管SWT和感测晶体管SENT被连接至一条栅极线GL，则开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以由通过一条栅极线GL传送的第一扫描信号SCAN1或第二扫描信号SCAN2同时控制，并且可以增加子像素SP的孔径比。

设置在子像素电路中的晶体管可以是N型晶体管或P型晶体管，并且在所示的示例中，晶体管是N型晶体管。

存储电容器Cst电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间，并且在一帧期间保持数据电压Vdata。

取决于驱动晶体管DRT的类型，存储电容器Cst也可以连接在驱动晶体管DRT的栅极节点与漏极节点之间。发光元件ED的阳极电极可以与驱动晶体管DRT的源极节点电连接，并且可以将基电压EVSS提供给发光元件ED的阴极电极。

基电压EVSS可以是接地电压或者高于或低于接地电压的电压。基电压EVSS可以根据驱动状态而变化。例如，可以将显示驱动时的基电压EVSS以及感测驱动时的基电压EVSS设置为彼此不同。

子像素SP的结构还可以包括一个或更多个晶体管，或者在某些情况下还可以包括一个或更多个电容器。

在这种情况下，为了有效地感测驱动晶体管DRT的特征值(例如，阈值电压或迁移率)，显示装置100可以使用用于在驱动晶体管DRT的特征值感测时段期间测量由充电到存储电容器Cst的电压流动的电流的方法，其被称为电流感测。

换言之，通过在驱动晶体管DRT的特征值感测时段期间测量由充电到存储电容器Cst的电压流过的电流，可以计算出子像素SP中驱动晶体管DRT的特征值或特征值的变化。

在这种情况下，参考电压线RVL不仅用于传送参考电压Vref，而且还用作用于感测子像素中的驱动晶体管DRT的特征值的感测线。因此，也可以将参考电压线RVL称为感测线或感测通道。

更具体地，驱动晶体管DRT的特征值或特征值的变化可以与驱动晶体管DRT的栅极节点电压与源极节点电压之间的差对应。

在该结构中，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100在感测驱动晶体管DRT的特征值之前预先检测感测晶体管SENT的电阻Rsent，以精确地感测驱动晶体管DRT的特征值。

出于上述目的，在本公开内容的显示装置100中布置恒流源Isource，并且显示装置100可以通过在感测驱动晶体管DRT的特征值之前使用流过子像素电路的恒定电流Is来检测感测晶体管SENT的电阻Rsent。

恒流源Isource可以被设置在数据驱动电路130中，并且参考电压线RVL可以通过恒流开关SWI的操作电连接至恒流源Isource。

也就是说，本公开内容的显示装置100可以提供电阻感测时段，其用于在感测驱动晶体管DRT的特征值之前检测感测晶体管SENT的电阻Rsent。在其中在电阻感测时段期间恒定电流Is通过恒流源Isource流到子像素电路的状态下，可以通过在改变提供给子像素电路的数据电压Vdata的同时检测形成在参考电压线RVL上的感测电压Vsen的变化来计算感测晶体管SENT的电阻Rsent。

计算感测晶体管SENT的电阻Rsent的详细方法如下。

首先，从驱动晶体管DRT的漏极节点流向源极节点的电流Ids可以由驱动晶体管DRT的迁移率u、栅极-源极电压Vgs、阈值电压Vth和漏极-源极电压Vds确定，如下面的公式。

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使用上述，驱动晶体管DRT的漏极节点与源极节点之间的电阻Rdrt可以如下计算。

此时，在电阻感测时段期间通过恒流源Isource向子像素电路提供恒定电流Is，使得流过感测晶体管SENT和驱动晶体管DRT的电流与恒定电流Is相同。出于以上目的，优选地，在电阻感测时段期间提供的驱动电压EVDD保持在低于发光元件ED的接通电平的值，以防止电流在电阻感测时段期间流过发光元件ED。

因此，在向其提供驱动电压EVDD的驱动晶体管DRT的漏极节点与参考电压线RVL之间形成的电压是驱动晶体管DRT的漏极-源极电压和感测晶体管SENT的漏极-源极电压之和。

上面的公式可以表示如下。

同时，当在电阻感测时段期间提供彼此不同的第一电平的数据电压Vdata1和第二电平的数据电压Vdata2时，将改变驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs和漏极-源极电压Vds，以及形成在参考电压线RVL上的感测电压Vsen。

图10示出了在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中当在电阻感测时段期间提供彼此不同的第一电平的数据电压和第二电平的数据电压时的示例性信号波形图。

参照图10，即使在电阻感测时段期间提供彼此不同的第一电平数据电压Vdata1和第二电平数据电压Vdata2(图10的(a)情况)，流过子像素电路的恒定电流Is由根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100中的恒定电流源Isource(图10的(b)的情况)保持恒定值。

同时，在电阻感测时段期间提供彼此不同的第一电平数据电压Vdata1和第二电平数据电压Vdata2的情况下的公式将如下所示。

此时，当数据电压Vdata1、Vdata2的电平被设置为高于驱动电压EVDD的参考电平时，驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs1、Vgs2变得大于漏极-源极电压Vds1、Vds2。在这种情况下，由于可以忽略漏极-源极电压Vds，所以以上公式具有线性关系。例如，当驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs1、Vgs2为大于漏极-源极电压Vds1、Vds2的5倍时，可以忽略漏极-源极电压Vds。

另外，驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs1、Vgs2可以如下计算。

Vgs1＝Vdata1-(IsRsent+Vsen1) (公式7)

Vgs2＝Vdata2-(IsRsent+Vsen2) (公式8)

此处，可以在阈值电压感测过程期间测量驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，或者驱动晶体管DRT的阈值电压Vth可以在显示装置100的制造过程期间用作预定值。

因此，可以通过在电阻感测时段期间提供彼此不同的第一电平数据电压Vdata1和第二电平数据电压Vdata2，并且通过对于每种情况使用驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs1、Vgs2和参考电压线RVL的感测电压Vsen1、Vsen2的变化值来计算感测晶体管SENT的漏极节点和源极节点之间的电阻Rsent。

当计算感测晶体管SENT的电阻Rsent时，还可以计算驱动晶体管DRT的迁移率u和电阻Rdrt。

驱动晶体管DRT的迁移率u可以通过从在迁移率感测过程期间检测的感测电压Vsen中减去感测晶体管SENT的漏极-源极电压来确定。驱动晶体管DRT的迁移率u还可以通过将感测晶体管SENT的电阻Rsent应用于上述公式来计算。

另外，当确定驱动晶体管DRT的迁移率u时，可以使用以上公式2计算驱动晶体管DRT的电阻Rdrt。

因此，由于本公开内容的显示装置100可以通过使用感测晶体管SENT的电阻Rsent来精确地计算驱动晶体管DRT的特征值，所以可以使用感测晶体管SENT的电阻Rsent来补偿驱动晶体管DRT的特征值的偏差。

图11示出了在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中使用感测晶体管的电阻来补偿驱动晶体管的特征值偏差的示例性电路结构。

参照图11，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100可以包括用于补偿驱动晶体管DRT的特征值偏差的部件。

例如，在显示装置100的感测时段中，驱动晶体管DRT的特征值或特征值的变化可以作为驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压被提供。当感测晶体管SENT处于接通状态时，驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压可以对应于参考电压线RVL的电压。

参考电压线RVL上的线电容器Cline可以由驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压充电。由于对线电容器Cline充电的感测电压Vsen，参考电压线RVL可以具有与驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压对应的电压。

在该结构中，通过在感测驱动晶体管DRT的特征值之前预先检测感测晶体管SENT的电阻Rsent，可以更精确地感测驱动晶体管DRT的特征值。

出于上述目的，显示装置100可以包括：模数转换器ADC，其测量参考电压线RVL的电压并且将该电压转换为数字值；以及开关电路SAM和开关电路SPRE，其用于感测特征值。

另外，本公开内容的显示装置100可以包括：恒流源Isource，其用于向子像素电路提供恒定电流Is以计算感测晶体管SENT的电阻Rsent；以及恒流开关SWI，其用于控制恒定电流Is的提供。

用于控制感测驱动的开关电路SAM和SPRE可以包括感测参考开关SPRE，其用于控制每个参考电压线RVL和向其提供参考电压Vref的感测参考电压供应节点Npres之间的连接；以及采样开关SAM，其用于控制每个参考电压线RVL与模数转换器ADC之间的连接。感测参考开关SPRE是用于控制感测驱动的开关，并且由感测参考开关SPRE提供给参考电压线RVL的参考电压Vref变为感测参考电压VpreS。

用于感测驱动晶体管DRT的特征值的开关电路可以包括用于控制显示驱动的显示参考开关RPRE。显示参考开关RPRE可以控制每个参考电压线RVL与向其提供参考电压Vref的显示参考电压供应节点Nprer之间的连接。显示参考开关RPRE是用于驱动显示器的开关，并且由显示参考开关RPRE提供给参考电压线RVL的参考电压Vref对应于显示参考电压VpreR。

另外，显示装置100的开关电路可以包括用于控制向子像素电路提供恒定电流Is的恒流开关SWI。恒流开关SWI可以控制恒流源Isource与参考电压线RVL之间的连接。

恒流开关SWI通过在用于感测驱动晶体管DRT的特征值的感测时段开始之前接通，向子像素电路提供恒定电流Is。因此，可以进行用于检测感测晶体管SENT的电阻Rsent的电阻感测时段。可以通过检测感测电压Vsen的电平来检测感测晶体管SENT的电阻Rsent，该感测电压Vsen是通过在电阻感测时段中以多个电平提供数据电压Vdata而改变的。

在这种情况下，感测参考开关SPRE、显示参考开关RPRE和恒流开关SWI可以单独提供或者可以集成到一个中。

显示装置100的定时控制器140可以包括：存储器MEM，其用于存储从模数转换器ADC传送的数据或预先存储参考值；以及补偿电路COMP，其用于将存储在存储器MEM中的参考值与接收到的数据进行比较，并且补偿特征值的偏差。在这种情况下，由补偿电路COMP计算的补偿值可以存储在存储器MEM中。

因此，定时控制器140可以通过使用由补偿电路COMP计算的补偿值来补偿要提供给数据驱动电路130的图像数据DATA，并且可以将经补偿的图像数据DATA_comp提供给数据驱动电路130。

因此，数据驱动电路130可以通过数模转换器DAC将经补偿的图像数据DATA_comp转换为模拟信号类型的数据电压Vdata，并且通过输出缓冲器BUF将经转换的数据电压Vdata提供给数据线DL。因此，可以补偿相应子像素SP中的驱动晶体管DRT的特征值的偏差(例如，阈值电压偏差或迁移率偏差)。

如上所述，本公开内容的显示装置100可以通过在感测驱动晶体管DRT的特征值之前预先检测感测晶体管SENT的电阻Rsent来更精确地感测驱动晶体管DRT的特征值。因此，定时控制器140可以提供能够精确地补偿驱动晶体管DRT的特征值偏差的补偿图像数据DATA_comp。

数据驱动电路130可以包括数据电压输出电路136，数据电压输出电路136包括锁存电路、数模转换器DAC和输出缓冲器BUF，并且在一些情况下，模数转换器ADC和各种开关SAM、SPRE、RPRE、SWI可以位于数据驱动电路130的外部。

补偿电路COMP可以存在于定时控制器140的内部或外部。存储器MEM可以位于定时控制器140外部，或者可以以寄存器的形式实现在定时控制器140内部。

图12示出了在根据本公开内容的一个实施方式的显示装置中使用感测晶体管的电阻来补偿驱动晶体管的迁移率的信号时序图。

参照图12，根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100可以包括用于检测感测晶体管SENT的电阻Rsent的电阻感测时段R SENSING和驱动晶体管DRT的特征值确定时段。

在电阻感测时段R SENSING中，开关晶体管SWT由接通电平的第一扫描信号SCAN1接通的同时恒定电流Is被提供给子像素电路，并且感测晶体管SENT由接通电平的第二扫描信号SCAN2接通。

在这种状态下，可以通过在电阻感测时段R SENSING期间提供具有不同电平的数据电压Vdata1、Vdata2，并且针对每种情况检测参考电压线RVL上的感测电压Vsen1、Vsen2的变化，来计算感测晶体管SENT的漏极节点与源极节点之间的电阻Rsent。

在这种情况下，可以确定数据电压Vdata1、Vdata2的电平比驱动电压EVDD高某个电平或更多。因此，由于驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs1、Vgs2大于漏极-源极电压Vds1、Vds2，所以可以通过线性关系简单地计算感测晶体管SENT的电阻Rsent。

另外，为了防止在电阻感测时段R SENSING期间电流在发光元件ED中流动，优选地将在电阻感测时段R SENSING期间提供的驱动电压EVDD的电平保持在发光元件ED的接通电平以下。

驱动晶体管DRT的迁移率的感测过程可以在初始化阶段INITIAL、跟踪阶段TRACKING和采样阶段SAMPLING中执行。

在初始化阶段INITIAL中，开关晶体管SWT可以由接通电平的第一扫描信号SCAN1接通，使得驱动晶体管DRT的第一节点N1被初始化为用于迁移率感测的感测数据电压Vdata_sen。此外，感测晶体管SENT由接通电平的第二扫描信号SCAN2接通，并且在该状态下，驱动晶体管DRT的第二节点N2被初始化为参考电压Vref。

跟踪阶段TRACKING是用于跟踪驱动晶体管DRT的迁移率的阶段。驱动晶体管DRT的迁移率可以指示驱动晶体管DRT的电流驱动能力，并且能够计算驱动晶体管DRT的迁移率的驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压通过跟踪阶段TRACKING被跟踪。

在跟踪阶段TRACKING中，通过截止电平的第一扫描信号SCAN1关断开关晶体管SWT，并且切断提供参考电压Vref的开关。因此，驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2都浮动，并且驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2的电压都增加。

特别地，由于驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压被初始化为参考电压Vref，它开始从参考电压Vref增加。在这种情况下，由于感测晶体管SENT接通，驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压的增加导致参考电压线RVL的电压的增加。

在采样阶段SAMPLING中，在第二节点N2的电压开始增加之后的预定时间Δt，特征值感测电路检测驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压。

在这种情况下，由特征值感测电路检测的感测电压指示电压Vref+ΔV，其是参考电压Vref加上预定电压ΔV，并且可以基于如此检测的感测电压Vref+ΔV、已知的参考电压Vref和第二节点N2的电压的增量时间Δt来计算驱动晶体管DRT的迁移率。

换言之，驱动晶体管DRT的迁移率与参考电压线RVL通过跟踪阶段TRACKING和采样阶段SAMPLING的每单位时间的电压变化ΔV/Δt成比例。因此，驱动晶体管DRT的迁移率将与参考电压线RVL的电压波形的斜率成比例。

此时，通过施加在电阻感测时段R SENSING中检测到的感测晶体管SENT的电阻Rsent，可以更精确地确定驱动晶体管DRT的迁移率。

在上文中，已经说明了通过使用感测晶体管SENT的电阻Rsent来确定驱动晶体管DRT的迁移率的情况，但是可以通过使用感测晶体管SENT的电阻Rsent来计算驱动晶体管DRT的阈值电压。

图13示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示驱动方法的流程图。

参照图13，根据本公开内容的一个实施方式的显示驱动方法可以包括：步骤S100，设置用于检测感测晶体管SENT的电阻Rsent的电阻感测时段R SENSING；步骤S200，在电阻感测时段R SENSING期间通过恒流源Isource向子像素电路提供恒定电流Is；步骤S300，在改变数据电压Vdata的同时检测参考电压线RVL上的感测电压Vsen的改变；步骤S400，计算感测晶体管SENT的电阻Rsent；步骤S500，确定驱动晶体管DRT的特征值；以及步骤S600，通过反映驱动晶体管DRT的特征值来提供补偿图像数据DATA_comp。

设置用于检测感测晶体管SENT的电阻Rsent的电阻感测时段R SENSING的步骤S100是在感测驱动晶体管DRT的特征值之前设置用于检测感测晶体管SENT的电阻Rsent的时段的过程。

在电阻感测时段R SENSING期间通过恒流源Isource向子像素电路提供恒定电流Is的步骤S200是在电阻感测时段R SENSING期间允许恒定电流Is通过恒流源Isource流过子像素电路的过程。本公开内容的显示装置100可以包括设置在数据驱动电路130中的恒流源Isource并且在电阻感测时段R SENSING期间使用流过子像素电路的恒定电流Is来检测感测晶体管SENT的电阻Rsent。

在改变数据电压Vdata的同时检测参考电压线RVL上的感测电压Vsen的变化的步骤S300是在电阻感测时段R SENSING期间恒定电流Is通过恒流源Isource流过子像素电路的状态下，在改变提供给子像素电路的数据电压Vdata的同时检测参考电压线RVL上的感测电压Vsen的变化的过程。

当在电阻感测时段R SENSING期间提供彼此不同的第一电平数据电压Vdata1和第二电平数据电压Vdata2时，驱动晶体管DRT的栅极-源极电压Vgs1、Vgs2和参考电压线RVL上的感测电压Vsen1、Vsen2在每种情况下都改变。在电阻感测时段R SENSING期间，根据数据电压Vdata使用感测电压Vsen的改变值来计算感测晶体管SENT的电阻Rsent。

此时，确定在电阻感测时段R SENSING期间提供的数据电压Vdata1、Vdata2的电平比驱动电压EVDD高某个电平或更多，从而可以容易地计算感测晶体管SENT的电阻Rsent。

另外，优选保持驱动电压EVDD的电平低于发光元件ED的接通电平，以在电阻感测时段R SENSING期间电流不流过发光元件ED。

计算感测晶体管SENT的电阻Rsent的步骤S400是通过在电阻感测时段R SENSING期间根据数据电压Vdata的变化使用感测电压Vsen的变化来计算感测晶体管SENT的电阻Rsent的过程。

此时，可以使用以下公式计算感测晶体管SENT的电阻Rsent。

此时，EVDD是驱动电压，Vsen是通过参考电压线RVL检测的感测电压，Vgs是驱动晶体管DRT的栅极-源极电压，Vth是驱动晶体管DRT的阈值电压，Vds是驱动晶体管DRT的漏极-源极电压，u是驱动晶体管DRT的迁移率，Is是流过子像素电路的恒定电流，并且Rsent是感测晶体管SENT的电阻。

确定驱动晶体管DRT的特征值的步骤S500是使用感测晶体管SENT的电阻Rsent确定驱动晶体管DRT的特征值的过程。

在这种情况下，可以通过使用计算感测晶体管SENT的电阻Rsent的公式，或者通过将感测晶体管SENT的电阻Rsent应用于在特征值感测过程中通过参考电压线RVL检测的感测电压Vsen来确定驱动晶体管DRT的特征值。

通过反映驱动晶体管DRT的特征值来提供补偿图像数据DATA_comp的步骤S600是定时控制器140通过反映驱动晶体管DRT的特征值来确定补偿图像数据DATA_comp并且将补偿图像数据DATA_comp提供给数据驱动电路130的处理。

通过上述过程，本公开内容的显示装置100可以使用感测晶体管SENT的电阻Rsent来精确地确定驱动晶体管DRT的特征值，并且精确地补偿特征值偏差。

以上描述的本公开内容的实施方式的简要描述如下。

根据本公开内容的一个实施方式的显示装置100可以包括：显示面板110，在显示面板110中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中的每个包括发光元件ED、驱动晶体管DRT和感测晶体管SENT；栅极驱动电路120，其被配置成通过多条栅极线GL向显示面板110提供多个扫描信号SCAN；数据驱动电路130，其被配置成在电阻感测时段R SENSING期间通过多条数据线DL向显示面板110提供多个数据电压Vdata，并且向多个子像素电路提供恒定电流Is；以及定时控制器140，其被配置成控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130。以及通过使用在电阻感测时段R SENSING中检测到的感测晶体管SENT的电阻Rsent向显示面板110提供补偿图像数据DATA_comp。

子像素电路可以包括：驱动晶体管DRT，被配置成向发光元件ED提供电流；开关晶体管SWT，其电连接在驱动晶体管DRT的栅极节点与数据线DL之间；感测晶体管SENT，其电连接在驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点与参考电压线RVL之间；以及存储电容器Cst，其电连接在驱动晶体管DRT的栅极节点与感测晶体管SENT的源极节点或漏极节点之间。

数据驱动电路130可以包括：模数转换器ADC，其被配置成将从参考电压线RVL检测到的感测电压Vsen转换为数字值；采样开关SAM，其被配置成控制参考电压线RVL与模数转换器ADC之间的连接；恒流源Isource，其被配置成在电阻感测时段R SENSING中向多个子像素电路提供恒定电流Is；以及恒流开关SWI，其被配置成控制恒流源Isource与参考电压线RVL之间的连接。

在电阻感测时段R SENSING期间提供给驱动晶体管DRT的驱动电压EVDD的电平可以低于发光元件ED的接通电平。

在电阻感测时段R SENSING期间提供的数据电压Vdata的电平可以高于驱动电压EVDD的电平。

可以确定数据电压Vdata的电平，使得驱动晶体管DRT的栅极-源极电压至少为驱动晶体管DRT的漏极-源极电压的5倍。

可以使用由在电阻感测时段R SENSING期间提供的第一电平数据电压Vdata1和第二电平数据电压Vdata2检测的参考电压线RVL的第一感测电压Vsen1和第二感测电压Vsen2来计算感测晶体管的电阻Rsent。

可以使用以下公式来计算感测晶体管的电阻Rsent。

其中，EVDD为驱动电压，Vsen为感测电压，Vgs为驱动晶体管的栅极-源极电压，Vth为驱动晶体管的阈值电压，Vds为驱动晶体管的漏极-源极电压，u为驱动晶体管的迁移率，Is为流过子像素电路的恒定电流，并且Rsent为感测晶体管的电阻。

定时控制器140可以被配置成通过使用上述公式根据感测晶体管的电阻Rsent计算驱动晶体管DRT的迁移率。

定时控制器140可以被配置成通过将感测晶体管的电阻Rsent反映到在电阻感测时段R SENSING之后的特征值确定时段中确定的驱动晶体管DRT的特征值来确定补偿图像数据DATA_comp。

根据本公开内容的一个实施方式的用于向显示面板110提供多个数据电压Vdata的数据驱动电路130，其中，显示面板110中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中每个包括发光元件ED、驱动晶体管DRT和感测晶体管SENT，该数据驱动电路130可以包括：模数转换器ADC，其被配置成将从参考电压线RVL检测到的感测电压Vsen转换为数字值；采样开关SAM，其被配置成控制参考电压线RVL与模数转换器ADC之间的连接；恒流源Isource，其被配置成在电阻感测时段R SENSING中向多个子像素电路提供恒定电流Is；以及恒流开关SWI，其被配置成控制恒流源Isource与参考电压线RVL之间的连接。

可以使用由在电阻感测时段R SENSING期间提供的第一电平数据电压Vdata1和第二电平数据电压Vdata2检测的参考电压线RVL的第一感测电压Vsen1和第二感测电压Vsen2来计算感测晶体管的电阻Rsent。

根据本公开内容的一个实施方式的显示面板110的显示驱动方法，其中，显示面板110中设置有多个子像素电路，多个子像素电路中的每个包括发光元件ED、驱动晶体管DRT和感测晶体管SENT，该显示面板110的显示驱动方法可以包括：设置用于检测感测晶体管的电阻Rsent的电阻感测时段R SENSING；在电阻感测时段R SENSING期间通过恒流源Isource向多个子像素电路提供恒定电流Is；在改变数据电压Vdata的同时检测参考电压线RVL上的感测电压Vsen的改变；计算感测晶体管的电阻Rsent；使用感测晶体管的电阻Rsent确定驱动晶体管DRT的特征值；并且通过反映驱动晶体管DRT的特征值来提供补偿图像数据DATA_comp。

电阻感测时段R SENSING可以在驱动晶体管DRT的特征值确定时段之前执行。

已经呈现了以上描述以使本领域任何技术人员能够制造和使用本发明的技术构思，并且已经在特定应用及其要求的背景下提供了以上描述。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言将是明显的，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。上面的描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术构思的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本发明的技术构思的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方式，而是与和权利要求一致的最宽范围相一致。本发明的保护范围应当基于所附权利要求来理解，并且在其等同物的范围内的所有技术构思均应当被理解为包括在本发明的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

显示面板，在所述显示面板中设置有多个子像素电路，所述多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管；

栅极驱动电路，其被配置成通过多条栅极线向所述显示面板提供多个扫描信号；

数据驱动电路，其被配置成在电阻感测时段期间通过多条数据线向所述显示面板提供多个数据电压并且向所述多个子像素电路提供恒定电流；以及

定时控制器，其被配置成控制所述栅极驱动电路和所述数据驱动电路，并且通过使用在所述电阻感测时段中检测到的所述感测晶体管的电阻来向所述显示面板提供补偿图像数据。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述子像素电路包括：

所述驱动晶体管，其被配置成向所述发光元件提供电流；

开关晶体管，其电连接在所述驱动晶体管的栅极节点与所述数据线之间；

所述感测晶体管，其电连接在所述驱动晶体管的源极节点或漏极节点与参考电压线之间；以及

存储电容器，其电连接在所述驱动晶体管的栅极节点与所述感测晶体管的源极节点或漏极节点之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述数据驱动电路包括：

模数转换器，其被配置成将从参考电压线检测到的感测电压转换为数字值；

采样开关，其被配置成控制所述参考电压线与所述模数转换器之间的连接；

恒流源，其被配置成在所述电阻感测时段中向所述多个子像素电路提供恒定电流；以及

恒流开关，其被配置成控制所述恒流源与所述参考电压线之间的连接。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述电阻感测时段期间提供给所述驱动晶体管的驱动电压的电平低于所述发光元件的接通电平。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在所述电阻感测时段期间提供的数据电压的电平高于所述驱动电压的电平。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述数据电压的电平被确定成使得所述驱动晶体管的栅极-源极电压至少为所述驱动晶体管的漏极-源极电压的5倍。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，使用通过在所述电阻感测时段期间提供的第一电平数据电压和第二电平数据电压检测的所述参考电压线的第一感测电压和第二感测电压来计算所述感测晶体管的电阻。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述感测晶体管的电阻使用以下公式来计算：

其中，EVDD为驱动电压，Vsen为感测电压，Vgs为所述驱动晶体管的栅极-源极电压，Vth为所述驱动晶体管的阈值电压，Vds为所述驱动晶体管的漏极-源极电压，u为所述驱动晶体管的迁移率，Is为流过所述子像素电路的恒定电流，并且Rsent为所述感测晶体管的电阻。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述定时控制器被配置成通过使用所述公式根据所述感测晶体管的电阻来计算所述驱动晶体管的迁移率。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述定时控制器被配置成通过将所述感测晶体管的电阻反映到在所述电阻感测时段之后的特征值确定时段中确定的所述驱动晶体管的特征值来确定所述补偿图像数据。

11.一种用于向显示面板提供多个数据电压的数据驱动电路，在所述显示面板中设置有多个子像素电路，所述多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管，所述数据驱动电路包括：

模数转换器，其被配置成将从参考电压线检测到的感测电压转换为数字值；

采样开关，其被配置成控制所述参考电压线与所述模数转换器之间的连接；

恒流源，其被配置成在电阻感测时段中向所述多个子像素电路提供恒定电流；以及

恒流开关，其被配置成控制所述恒流源与所述参考电压线之间的连接。

12.根据权利要求11所述的数据驱动电路，其中，使用通过在所述电阻感测时段期间提供的第一电平数据电压和第二电平数据电压检测的所述参考电压线的第一感测电压和第二感测电压来计算所述感测晶体管的电阻。

13.一种显示面板的显示驱动方法，在所述显示面板中设置有多个子像素电路，所述多个子像素电路中的每个包括发光元件、驱动晶体管和感测晶体管，所述显示驱动方法包括：

设置用于检测所述感测晶体管的电阻的电阻感测时段；

在所述电阻感测时段期间通过恒流源向所述多个子像素电路提供恒定电流；

在改变数据电压的同时检测参考电压线上的感测电压的改变；

计算所述感测晶体管的电阻；

使用所述感测晶体管的电阻确定所述驱动晶体管的特征值；以及

通过反映所述驱动晶体管的所述特征值来提供补偿图像数据。

14.根据权利要求13所述的显示驱动方法，其中，所述电阻感测时段在所述驱动晶体管的特征值确定时段之前执行。

15.根据权利要求13所述的显示驱动方法，其中，在所述电阻感测时段期间提供给所述驱动晶体管的驱动电压的电平低于所述发光元件的接通电平。

16.根据权利要求13所述的显示驱动方法，其中，在所述电阻感测时段期间提供的所述数据电压的电平高于所述驱动电压的电平。

17.根据权利要求16所述的显示驱动方法，其中，所述数据电压的电平被确定使得所述驱动晶体管的栅极-源极电压至少为所述驱动晶体管的漏极-源极电压的5倍。

18.根据权利要求13所述的显示驱动方法，其中，使用以下公式计算所述感测晶体管的电阻：

其中，EVDD为驱动电压，Vsen为感测电压，Vgs为所述驱动晶体管的栅极-源极电压，Vth为所述驱动晶体管的阈值电压，Vds为所述驱动晶体管的漏极-源极电压，u为所述驱动晶体管的迁移率，Is为流过所述子像素电路的恒定电流，Rsent为所述感测晶体管的电阻。

19.根据权利要求18所述的显示驱动方法，其中，所述驱动晶体管的所述特征值是通过使用所述公式根据所述感测晶体管的电阻的所述驱动晶体管的迁移率。

20.根据权利要求13所述的显示驱动方法，其中，通过将所述感测晶体管的电阻反映到在所述电阻感测时段之后的特征值确定时段中确定的所述驱动晶体管的所述特征值来确定所述补偿图像数据。

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