CN116367649A - 底部发射型电致发光显示器 - Google Patents

Abstract

本公开涉及底部发射型电致发光显示器。根据本公开的电致发光显示器包括：设置在基板上的像素区域，像素区域包括发射区域和非发射区域；设置在非发射区域中的驱动元件；位于驱动元件上的钝化层；设置在所述像素区域中的所述钝化层上的滤色器；位于所述滤色器上的平坦化层；穿透所述钝化层并暴露所述驱动元件的第一接触孔；穿透所述平坦化层并暴露所述第一接触孔的第二接触孔；以及设置在所述发射区域处的所述平坦化层上的发光元件。所述第一接触孔设置在所述第二接触孔中并被设置为偏向第一侧。

Description

底部发射型电致发光显示器

技术领域

本公开涉及底部发射型电致发光显示器。特别地，本公开涉及一种底部发射型电致发光显示器，其具有用于解决在超高分辨率显示器中连接发光元件和驱动元件的接触孔处的断开问题的结构。

背景技术

最近，已经开发了各种类型的显示器，例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器根据其独特的特性和用途而用于显示诸如计算机、移动电话、银行存款和取款装置(ATM)以及车辆导航系统的各种产品的图像数据。

特别地，作为自发光显示器的电致发光显示器具有优异的光学性能，例如视角、颜色实现度等，其应用领域逐渐拓宽并且作为图像显示装置而受到关注。由于这些优点，它作为最适合实现4K或8K超高分辨率显示的显示器而备受关注。随着分辨率的提高，像素的尺寸变小并且发射区域在像素中所占据的尺寸也变小。

在底部发光型的情况下，可以通过最小化像素区域中驱动元件的面积比并最大化像素区域中发光元件所占据的面积比来实现超高分辨率。另外，用于连接发光元件和驱动元件的接触孔的面积可以尽可能小。当面积太小时，接触孔中的连接可能有缺陷。

此外，由于在发光元件和驱动元件之间设置滤色器，可以确保滤色器和接触孔之间的最小距离。由于各种限制，在实现超高分辨率时，接触孔中发生连接失败的可能性非常高。因此，有必要开发一种底部发射型显示器的新结构，其能够在实现超高分辨率的同时确保驱动元件和发光元件之间在接触孔中的连接性。

发明内容

为了解决上述问题，本公开的目的在于提供一种具有超高分辨率的电致发光显示器。本公开的另一个目的是通过最小化阳极电极与驱动元件之间的接触孔连接所占据的面积比来提供具有超高分辨率的电致发光显示器。本公开的又一目的在于提供一种电致发光显示器，其在实现超高分辨率时不会引起诸如阳极电极处的接触失败等问题。

为了实现本公开的上述目的，根据本公开的一种电致发光显示器包括：设置在基板上的像素区域，像素区域包括发射区域和非发射区域；设置在非发射区域中的驱动元件；驱动元件上的钝化层；设置在像素区域中的钝化层上的滤色器；滤色器上的平坦化层；第一接触孔，其穿透保护层并暴露驱动元件；第二接触孔，其穿透平坦化层并暴露第一接触孔；以及发光元件，其设置在发射区域处的平坦化层上。第一接触孔设置在第二接触孔中并被设置为偏向第一侧。

在一个实施例中，滤色器与第二接触孔相距预定距离。

在一个实施例中，第二接触孔包括：具有第一倾斜角的第一侧；以及具有小于第一倾斜角的第二倾斜角的第二侧。第一侧设置在第二接触孔的第一侧。第一侧距第一接触孔最近，并且第二侧设置在第二接触孔的第二侧，第二侧距第一接触孔最远。

在一个实施例中，第一倾斜角为60度至80度中的任一个。第二倾斜角为30度至50度中的任一个。

在一个实施例中，第一接触孔包括第一侧、第二侧、第三侧和第四侧。第二接触孔包括与第一侧平行且与第一侧相距第一距离的第五侧、与第二侧平行且与第二侧相距第二距离的第六侧、与第三侧平行且与第三侧相距第三距离的第七侧、以及与第四侧平行且与第四侧相距第四距离的第八侧。第一距离与第二距离与第三距离相同。第四距离比第一距离长。

在一个实施例中，第二接触孔包括：设置在第五侧处的第一倾斜侧壁；设置在第八侧处的第二倾斜侧壁。第二倾斜侧壁具有小于第一倾斜侧壁的第一倾斜角的第二倾斜角。

在一个实施例中，第一倾斜角为60度至80度中的任一个。第二倾斜角为30度至50度中的任一个。

在一个实施例中，发光元件包括：连接到驱动元件的第一电极；第一电极上的发射层；以及发射层上的第二电极。

在一个实施例中，第一电极包括具有氧化铟锌和氧化铟锡中的任一种的透明导电材料。

在一个实施例中，第二电极包括具有铝、银、钼、金、镁、钙和钡中的任一种的反射金属材料。

在一个实施例中，驱动元件包括：基板上的半导体层；半导体层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极，栅电极与半导体层的中间部分重叠；栅极绝缘层上的源电极，源电极接触半导体层的一侧；以及栅极绝缘层上的漏电极，漏电极接触半导体层的另一侧。

根据本公开的电致发光显示器可以最小化连接阳极电极和驱动元件的接触孔的面积比以实现超高分辨率电致发光显示器。因此，在超高分辨率下可以尽可能地确保作为发射区域与像素区域之比的孔径比。此外，在实现超高分辨率的电致发光显示器中，仅将连接阳极电极和驱动元件的接触孔的一侧加宽，从而确保阳极电极与驱动元件之间的连接性。因此，在实现超高分辨率时，可能不会出现诸如阳极电极的接触失败的问题。

本申请提供了一种电致发光显示器，其具有高孔径比而不会在实现超高分辨率时导致缺陷，并且能够确保连接发光元件和驱动元件的接触孔中的物理和电连接性。

附图说明

附图是为了提供对本公开的进一步理解而被包括并且并入本申请中，并且构成了本申请的一部分，这些附图示出了本公开的实施例并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的平面图。

图2是示出根据本公开的一个像素的结构的电路图。

图3是示出设置在根据本公开的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。

图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图，用于示出根据本公开的电致发光显示器的结构。

图5是示出根据本公开的第一实施例的图3中的虚线圆部分“V1”的详细结构的放大平面图。

图6是沿图5中的切割线II-II’的截面图，用于示出根据本公开的第一实施例的电致发光显示器的结构。

图7是示出根据本公开的第二实施例的图3中的虚线圆部分“V1”的详细结构的放大平面图。

图8是沿图6中的切割线III-III’的截面图，用于示出根据本公开的第二实施例的电致发光显示器的结构。

具体实施方式

本公开的优点和特征及其实施方法将通过以下参考附图所描述的实施例而清楚。然而，本公开可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些示例实施例使得本公开可以足够彻底和完整以帮助本领域技术人员充分理解本公开的范围。此外，本公开的保护范围由权利要求及其等同物限定。

为了描述本公开的各种示例实施例而在附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅以示例的方式给出。因此，本公开不限于所示出的细节。除非另有说明，否则类似的附图标记在整个说明书中指代类似的元件。在以下描述中，在相关已知功能或构造的详细描述可能不必要地使本公开的重点难以理解的情况下，可以省略对这种已知功能或构造的详细描述。

现在将详细参考本公开的示例性实施例，其示例在附图中示出。在可能的情况下，将在整个附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。在本说明书中，应当注意，在其他附图中已经用于表示类似元件的类似附图标记尽可能用于元件。在以下描述中，当本领域技术人员已知的功能和构造与本公开的基本构造无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应理解如下。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则还可以存在另一部分。除非有相反说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释元件时，元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。

在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“上”、“上方”、“下方”和“旁边”时，可以包括它们之间没有接触的情况，除非使用“正好”或“直接”。如果提到第一元件位于第二元件“上”，这并不意味着第一元件在图中基本上位于第二元件上方。关注的对象的上部部分和下部部分可以根据对象的取向而改变。因此，在附图中或实际构造中，第一元件位于第二元件“上”的情况包括第一元件位于第二元件“下方”的情况以及第一元件位于第二元件“上方”的情况。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“下一个”和“之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。

应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，可以将第一元件称为第二元件，并且类似地，可以将第二元件称为第一元件，而不脱离本公开的范围。

在描述本公开的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅用于将元件与其他元件区分开，并且所述术语在元件的性质、顺序、顺序或数量上不受限制。当元件被描述为“链接”、“耦合”或“连接”到另一个元件时，该元件可以直接连接该另一个元件，或者连接(但除非另有说明，否则是间接连接)到该另一个元件。应当理解，其他元件可以“插入”在可以连接到或耦合到的每个元件之间。

应当理解，术语“至少一个”包括与任何一项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一、第二和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合以及第一、第二和第三元件中的每个元件。

如本领域技术人员能够充分理解的，本公开的各种实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此互操作并在技术上被驱动。本公开的实施例可以相互独立实施，也可以以相互依存的关系共同实施。

在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的显示设备的示例。在为每个附图的元件指定附图标记时，相同的部件可以尽可能地具有相同的附图标记，即使它们是在不同的附图中示出的。

在下文中，参考附图，我们将详细解释本公开。图1是示出根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的示图。在图1中，X轴可以平行于扫描线的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，并且Z轴可以表示显示器的厚度方向。

参考图1，电致发光显示器包括基板110、栅极(或扫描)驱动器200、数据焊盘部分300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和时序控制器500。

基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器为柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明的聚酰亚胺材料。

基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于表示视频图像的区域的显示区域DA可以被定义为基板110的大部分中间区域，但不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或栅极线)、多条数据线和多个像素。每个像素可以包括多个子像素。每个子像素分别包括扫描线和数据线。

作为不表示视频图像的区域的非显示区域NDA可以被限定在基板110的围绕显示区域AA中的全部或一些的周边区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置栅极驱动器200和数据焊盘部分300。

栅极驱动器200可以根据从时序控制器500接收的栅极控制信号将扫描(或栅极)信号供应给扫描线。栅极驱动器200可以作为GIP(面板内栅极驱动器)类型形成在基板110上的显示区域AA之外的任一区域处的非显示区域NDA处。GIP类型意味着栅极驱动器200直接形成在基板110上。

数据焊盘部分300可以根据从时序控制器500接收的数据控制信号将数据信号供应给数据线。数据焊盘部分300可以被制成驱动器芯片并安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以作为TAB(带式自动接合)类型附接在基板110上的显示区域AA之外的任一区域处的非显示区域NDA处。

源极驱动IC 410可以从时序控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且然后将其供应到数据线。当源极驱动IC 410被制造为芯片类型时，它可以作为COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)类型安装在柔性膜430上。

柔性膜430可以包括将数据焊盘部分300连接到源极驱动IC 410的多条第一链接线，以及将数据焊盘部分300连接到电路板450的多条第二链接线。柔性膜430可以使用各向异性导电膜附接在数据焊盘部分300上，使得数据焊盘部分310可以连接到柔性膜430的第一链接线。

电路板450可以附接到柔性膜430。电路板450可以包括被实现为驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

时序控制器500可以通过电路板450的线电缆从外部系统板接收数字视频数据和时序信号。时序控制器500可以产生用于基于时序信号控制栅极驱动器200的操作时序的栅极控制信号和用于基于时序信号控制源极驱动IC 410的源极控制信号。时序控制器500可以将栅极控制信号供应给栅极驱动器200并将源极控制信号供应给源极驱动IC 410。根据产品类型，时序控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并安装在基板110上。

参考图2至图4，将解释根据本公开的电致发光显示器。图2是根据本公开的一个像素的结构的电路图。图3是示出根据本公开的像素的结构的平面图。图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图，用于示出根据本公开的电致发光显示器的结构。

参考图2至图4，电致发光显示器包括基板110上的多个像素P。可以为每个彩色单元分配一个像素P。例如，有表示红色的红色像素R、表示绿色的绿色像素G和表示蓝色的蓝色像素B。此外，为了提高亮度，还可以包括表示白色的白色像素W。像素P所占据的区域可以被定义为像素区域PA。像素区域PA可以包括发射区域OA和非发射区域。发射区域OA是其中设置发光二极管OLE的区域并且提供具有对应于图像信息的亮度的光。非发射区域是围绕发射区域OA的区域并且是其中设置线和驱动元件的区域。

发光显示器的一个像素P可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被供应用于驱动发光二极管OLE的高电平电压。

例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在扫描线SL和数据线DL交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅电极SG、开关源电极SS和开关漏电极SD。开关栅电极SG可以连接到扫描线SL。开关源电极SS可以连接到数据线DL，并且开关漏电极SD可以连接到驱动薄膜晶体管DT。通过将数据信号供应给驱动薄膜晶体管DT，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。

驱动薄膜晶体管DT可以起到通过开关薄膜晶体管ST驱动所选像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅电极DG、驱动源电极DS和驱动漏电极DD。驱动栅电极DG可以连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD。例如，开关漏电极SD可以通过穿透覆盖驱动栅电极DG的栅极绝缘层GI的漏极接触孔DH而连接到驱动栅电极DG。驱动源电极DS可以连接到驱动电流线VSS，并且驱动漏电极DD可以连接到发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG与发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。

驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD的驱动栅电极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流向发光二极管OLE的电流的量。

发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发射层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发光。换言之，发光二极管OLE可以由在由驱动薄膜晶体管DT控制的低电平电压与高电平电压之间的电压差来驱动。

参考图4，将描述根据本公开的第一实施例的电致发光显示器的截面结构。遮光层LS形成在基板110上。遮光层LS可以用作数据线DL和驱动电流线VDD。此外，遮光层LS还可以被设置为岛状，与半导体层SA和DA重叠并且与数据线DL和驱动电流线VDD分开预定距离。不用于线的遮光层LS可以阻挡外部光侵入半导体层SA和DA中，以防止半导体层SA和DA的特性劣化。特别地，优选的是遮光层LS与半导体层SA和DA的沟道区域重叠，该沟道区域与栅电极SG和DG重叠。此外，优选的是遮光层LS还与源漏电极SS、SD、DS和DD的连接到半导体层SA和DA的一部分重叠。

缓冲层BUF沉积在基板110的整个表面上并且在遮光层LS上。开关半导体层SA和驱动半导体层DA形成在缓冲层BUF上。特别地，优选的是半导体层SA和DA的沟道区域与遮光层LS重叠。

栅极绝缘层GI沉积在具有半导体层SA和DA的基板110的表面上。与开关半导体层SA重叠的开关栅电极SG和与驱动半导体层DA重叠的驱动栅电极DG形成在栅极绝缘层GI上。此外，开关源电极SS和开关漏电极SD分别形成在开关栅电极SG的两侧。开关源电极SS可以接触开关半导体层SA的一侧并且与开关栅电极SG分离。开关漏电极SD可以接触开关半导体层SA的另一侧并且与开关栅电极SG分离。类似地，驱动源电极DS和驱动漏电极DD分别形成在驱动栅电极DG的两侧。驱动源电极DS可以接触驱动半导体层DA的一侧并且与驱动栅电极DG分离。驱动漏电极DD可以接触驱动半导体层DA的另一侧并且与驱动栅电极DG分离。

栅电极SG和DG以及源-漏电极SS、SD、DS和DD可以形成在同一层上，但是它们彼此分离。此外，开关源电极SS可以经由穿透栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔连接到由遮光层LS的一部分形成的数据线DL。类似地，驱动源电极DS可以经由穿透栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的另一个接触孔连接到由遮光层LS的另一部分形成的驱动电流线VDD。因此，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT形成在基板110上。

钝化层PAS沉积在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110上。优选地，钝化层PAS包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。滤色器CF可以形成在钝化层PAS上。滤色器CF可以是表示被分配给每个像素的颜色的元件。例如，滤色器CF可以具有对应于一个像素的整个区域的形状和尺寸。又例如，滤色器CF具有的尺寸可以比稍后形成的发光二极管OLE的尺寸稍大，并且可以被设置为与发光二极管OLE重叠。

平坦化层PL形成在滤色器CF上。平坦化层PL可以是用于平坦化在其上形成薄膜晶体管ST和DT的基板110的非均匀(或非平坦)表面的薄膜。为了使高度差均匀，平坦化层PL可以由有机材料形成。像素接触孔PH可以形成在钝化层PAS和平坦化层PL处以暴露驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD的一部分。

阳极电极ANO形成在平坦化层PL的顶表面上。阳极电极ANO可以经由像素接触孔PH而接触驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。阳极电极ANO可以根据发光二极管OLE的发光类型而具有不同的构造。在沿基板110的方向提供光的底部发射型的情况下，阳极电极ANO可以由透明导电材料形成。在沿基板110的相反方向提供光的顶部发射型的情况下，阳极电极ANO可以由具有优异的光反射率的金属材料形成。

在诸如电视机等大面积显示器的情况下，阴极电极CAT在大面积上形成为一层，并且需要在阴极电极CAT的大面积上维持均匀的低电压。因此，在大面积显示器的情况下，优选的是由不透明的金属材料形成阴极电极CAT。在底部发射型的情况下，优选的是由透明导电材料制成阳极电极ANO。例如，阳极电极ANO可以包括氧化物导电材料，例如氧化铟锌或氧化铟锡。

堤部BA形成在阳极电极ANO上。堤部BA可以覆盖阳极电极ANO的周边区域，并暴露阳极电极ANO的大部分的中间部分。阳极电极ANO的由堤部BA暴露的区域可以被定义为像素的发射区域OA。

发射层EL沉积在阳极电极ANO上。发射层EL可以形成在基板110的整个显示区域AA上以覆盖阳极电极ANO和堤部BA。

对于另一实施例，发射层EL可以包括蓝色发射层、绿色发射层和红色发射层中的任何一个，以用于提供在像素处分配的彩色光。在该情况下，发射层EL可以被设置为在由堤部BA限定的每个发射区域内被隔离。此外，发光二极管OLE还可以包括用于提高发射层EL的发射效率和/或使用寿命的功能层。

阴极电极CAT沉积在发射层EL上，与发射层EL表面接触。阴极电极CAT被沉积为覆盖基板110的整个表面，与设置在所有像素处的发射层EL连接。对于底部发射型，阴极电极CAT优选包括具有优异的光反射率的金属材料。例如，阴极电极CAT可以包括铝Al、银Ag、钼Mo、金Au、镁Mg、钙Ca和钡Ba中的至少一种或它们中的任何两种的合金。

在下文中，将参考附图详细描述驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD连接阳极电极ANO的像素接触孔PH的结构的各种实施例。

<第一实施例>

在下文中，参考图5和图6，将解释本公开的第一实施例。图5是示出根据本公开的第一实施例的图3中的虚线圆部分“V1”的详细结构的放大平面图。图6是沿图5中的切割线II-II’的截面图，其用于示出根据本公开的第一实施例的电致发光显示器的结构。

在以下描述中，将一起描述平面图结构和截面结构。像素接触孔PH是用于将发光二极管OLE的阳极电极ANO连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD的接触孔。像素接触孔PH用于暴露驱动漏电极DD，并且穿过覆盖驱动漏电极DD的钝化层PAS和平坦化层PL。因此，像素接触孔PH可以包括穿透钝化层PAS的第一接触孔H1和穿透平坦化层PL的第二接触孔H2。第一接触孔H1可以具有圆形、矩形、六边形或八边形中的任何一种形状。这里，在平面图中，不管形状如何，都将使用具有至少四侧的多边形来进行解释。

由于第二接触孔H2稍后形成，第二接触孔H2可以具有比第一接触孔H1大的尺寸。此外，第一接触孔H1和第二接触孔H2可以形成其中在截面图中第一接触孔H1的中心点和第二接触孔H2的中心点重合的同心形状。在平面图中，第一接触孔H1被包括在第二接触孔H2中，并且第一接触孔H1的四侧与第二接触孔H2的每一侧间隔开相同距离。例如，第一接触孔H1可以包括第一侧10、第二侧20、第三侧30和第四侧40。类似地，第二接触孔H2可以包括第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80。

第一接触孔H1和第二接触孔H2之间的距离可以考虑工艺裕量等来设定。例如，第二接触孔H2可以形成为完全打开第一接触孔H1。优选地，第二接触孔H2可以具有足以暴露钝化层PAS的顶表面的设置在第一接触孔H1周围的一部分的尺寸。利用这种结构，第一侧10可以与第五侧50间隔开第一距离d1，并且第一侧10可以平行于第五侧50。第二侧20可以与第六侧60间隔开第二距离d2，并且可以平行于第六侧60。第三侧30可以与第七侧70间隔开第三距离d3，并且可以平行于第七侧70。第四侧40可以与第八侧80间隔开第四距离d4，并且可以平行于第八侧80。这里，第一距离d1、第二距离d2、第三距离d3和第四距离d4可以具有相同的长度。

在对平坦化层PL进行图案化以形成第二接触孔H2时，蚀刻的侧壁可以具有倾斜表面，因此第一接触孔H1和第二接触孔H2之间的分隔长度可以是用于确保倾斜表面的裕量空间。一个蚀刻的侧壁可以设置在构成第二接触孔H2的第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80中的每一个上。图6仅示出了形成在第五侧50上的第一侧壁SW1和形成在第八侧80上的第二侧壁SW2。

第一接触孔H1可以具有第一宽度H1W。第二接触孔H2可以具有第二宽度H2W。第一接触孔H1可以设置在第二接触孔H2内，与第二接触孔H2相距预定距离。在如图6所示的截面图的各方面中，第一接触孔H1可以与第二接触孔H2相距第一距离d1和第四距离d4。也就是说，第二宽度H2W可以与第一宽度H1W、第一距离d1和第四距离d4的总和相同。

此外，优选地，像素接触孔PH可以设置在距滤色器CF预定距离处。在对滤色器CF进行沉积和图案化时，优选去除要形成像素接触孔PH的位置处的滤色器CF，以使像素接触孔PH不穿过滤色器CF。特别地，优选的是滤色器CF与第二接触孔H2间隔开接触裕量宽度HMW，该接触裕量宽度HMW是距第二接触孔H2的预定距离。例如，滤色器CF可以设置为分别与第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80中的每一个间隔开裕量宽度HMW。

随着显示器的分辨率增加，像素区域PA的尺寸减小。此外，发射区域OA也减小。因此，可以减小像素接触孔PH的尺寸。否则，像素接触孔PH的面积比增加，因此像素接触孔PH的面积是降低发射面积比(即孔径比)的重要因素。为了防止孔径比降低，像素接触孔PH的尺寸应该减小。然而，像素接触孔PH的尺寸可能不会根据像素区域PA的减小率而减小。原因是因为，当像素接触孔PH的尺寸太小时，阳极电极ANO与驱动漏电极DD之间的连接性可能出现问题。因此，优选的是不将像素接触孔PH减小到预定的最小尺寸或更小。结果，即使在像素区域PA的尺寸随着分辨率增加而减小的情况下，像素接触孔PH的尺寸与像素区域PA的尺寸之比可能反而增加。

考虑到与滤色器CF的分隔距离(或长度)，为了维持像素接触孔PH所占据的面积比，在形成第二接触孔H2的过程中可以增加蚀刻的侧壁SW1和SW2的倾斜度。然而，当蚀刻的侧壁的倾斜度增加时，阳极电极ANO可能变得非常薄，甚至可能在第二接触孔H2的底端发生断裂，如图7所示。例如，优选的是第二接触孔H2的第一侧壁SW1和第二侧壁SW2的倾斜角θ可以小于60度。当第一侧壁SW1和第二侧壁SW2的倾斜角θ超过60度时，阳极电极ANO可能断开或变得非常薄而增加电阻。结果，阳极电极ANO可能变得不可操作。

<第二实施例>

在下文中，在参考图7和图8的第二实施例中，图7是示出根据本公开的第二实施例的图3中的虚线圆部分“V1”的详细结构的放大平面图。图8是沿图6中的切割线III-III’的截面图，用于示出根据本公开的第二实施例的电致发光显示器的结构。

像素接触孔PH可以包括穿透钝化层PAS的第一接触孔H1和穿透平坦化层PL的第二接触孔H2。在平面图中，第一接触孔H1和第二接触孔H2可以具有至少具有四侧的多边形。

由于第二接触孔H2晚于第一接触孔H1形成，第二接触孔H2可以具有比第一接触孔H1大的尺寸。在第二实施例中，第一接触孔H1可以被布置成在第二接触孔H2内偏向一侧。在平面图中，第一接触孔H1可以被设置为被包括在第二接触孔H2中。第一接触孔H1可以包括第一侧10、第二侧20、第三侧30和第四侧40。类似地，第二接触孔H2可以包括第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80。

第一接触孔H1和第二接触孔H2之间的分隔距离可以考虑工艺裕量来设置。例如，第一侧10与第五侧50间隔开第一距离d1并且可以彼此平行。第二侧20可以与第六侧60间隔开第二距离d2并且可以彼此平行。第三侧30可以与第七侧70间隔开第三距离d3并且可以彼此平行。第四侧40可以与第八侧80间隔开第四距离d4并且可以彼此平行。这里，第一距离d1、第二距离d2和第三距离d3可以彼此相同。然而，第四距离d4可以比第一距离d1长。结果，第一接触孔H1可以具有在第二接触孔H2内偏向更靠近第五侧50的布置结构。从另一方面来看，可以仅将第二接触孔H2的第八侧80设置为与第四侧40间隔开比其他侧更长的距离。

第一接触孔H1不限于在第二接触孔H2内仅偏向更靠近第五侧50。第一接触孔H1可以偏向第五侧50至第八侧80中任一个。即，第一距离d1至第四距离d4中的任一个可以比其他三个距离长。

第一接触孔H1可以具有第一宽度H1W。第二接触孔H2可以具有第二宽度H2W。第一接触孔H1可以设置在第二接触孔H2内，与第二接触孔H2相距预定距离。在如图8所示的截面图的各方面中，第一接触孔H1可以与第二接触孔H2相距第一距离d1和第四距离d4。也就是说，第二宽度H2W可以与第一宽度H1W、第一距离d1和第四距离d4的总和相同。

当平坦化层PL被图案化以形成第二接触孔H2时，蚀刻的侧壁可以具有倾斜表面。因此，第一接触孔H1和第二接触孔H2之间的分隔距离可以是用于确保侧壁的倾斜表面的裕量空间。每个蚀刻的侧壁可以设置在构造第二接触孔H2的第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80中的每一个处。在图8中，示出了形成在第五侧50上的第一侧壁SW1和形成在第八侧80上的第二侧壁SW2。

此外，优选地，像素接触孔PH可以设置成与滤色器CF相距预定距离。在堆叠滤色器CF并且然后对其进行图案化时，通过去除在形成像素接触孔PH的位置处的滤色器CF，优选形成了不穿过滤色器CF的像素接触孔PH。特别地，优选的是滤色器CF与第二接触孔H2间隔开接触孔裕量宽度HMW，其是距第二接触孔H2的预定距离。例如，滤色器CF可以设置为与形成第二接触孔H2的第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80中的每一个相距相同距离，即接触孔裕量宽度HMW。例如，滤色器CF可以设置为与构成第二接触孔H2的第五侧50、第六侧60、第七侧70和第八侧80中的每一个间隔开接触孔裕量宽度HMW，其是相同的距离。

如第一实施例所述，在形成用于高分辨率显示的第二接触孔H2的过程中，蚀刻的侧壁的倾斜度可以具有高倾斜度。例如，第一侧壁可以具有第一倾斜角。这里，第一倾斜角θ可以大于50度。例如，第一倾斜角θ可以优选地是60度和80度之间的一个角度。在第二实施例中，第一倾斜角θ可以与第一实施例的倾斜角θ相同。优选地，在第二实施例中，第一倾斜角θ可以大于第一实施例的倾斜角θ。因此，对于第二实施例，像素接触孔PH和滤色器CF之间的距离可以在第一侧壁SW1的方向上被最小化。

然而，当蚀刻的侧壁的倾斜度增加时，与阳极电极ANO的连接性可能劣化。因此，优选地，第二侧壁SW2可以具有小于第一倾斜角θ的第二倾斜角

例如，第二倾斜角/>

可以是30度至50度的任一个。结果，阳极电极ANO可以沉积在第二接触孔H2的第八侧80处具有平缓斜率的平坦化层PL上，因此不会发生阳极电极ANO的断开或变薄。

然而，不限于第二侧壁SW2具有小于第一倾斜角θ的第二倾斜角

在图7中，第二侧壁SW2可以是对应于第八侧80的侧壁，其是形成在构成第一接触孔H1的四侧中距构成第二接触孔H2的四侧最远的一侧上的侧壁。因此，第二侧壁SW2可以是第一侧10到第四侧40中的任一个。另一方面，在其上第一距离d1到第四距离d4中的任一个具有比其他三个距离长的分隔距离的侧壁可以具有小于第一倾斜角θ的第二倾斜角/>

并且其余三个侧壁可以具有第一倾斜角θ。

根据本公开的第二实施例，当分辨率增加时，即使像素接触孔PH与发射区域OA的面积比增加，驱动漏电极DD和阳极电极ANO之间通过像素接触孔PH的连接性也没有出现缺陷或问题。为了防止阳极电极ANO的连接性出现缺陷，当构成第二接触孔H2的四侧的蚀刻侧壁具有30度至50度的蚀刻侧壁时，难以确保像素接触孔PH的面积比为最小比率。

本公开的上述示例中所描述的特征、结构、效果等均包括在本公开的至少一个示例中，而不仅限于一个示例。此外，本公开所属领域的技术人员可以针对其他示例以组合或修改的形式实施在至少一个示例中解释的特征、结构、效果等。因此，与这些组合和变化相关的内容应被解释为包括在本公开的范围内。

对于本领域的技术人员显而易见的是，可以对本公开进行各种修改和变化而不脱离本公开的精神或范围。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。可以根据以上详细描述对实施例进行这些和其他改变。一般而言，在以下权利要求中，所F22-0280CN001

使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求中公开的特定实施例，而应被解释为包括所有可能的实施例以及为这种权利要求赋予权利的等同物的完整范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (11)

1.一种电致发光显示器，包括：

设置在基板上的像素区域，所述像素区域包括发射区域和非发射区域；

设置在所述非发射区域中的驱动元件；

位于所述驱动元件上的钝化层；

设置在所述像素区域中的所述钝化层上的滤色器；

位于所述滤色器上的平坦化层；

穿透所述钝化层并暴露所述驱动元件的第一接触孔；

穿透所述平坦化层并暴露所述第一接触孔的第二接触孔；以及

设置在所述发射区域处的所述平坦化层上的发光元件，所述发光元件通过所述第二接触孔和所述第一接触孔连接到所述驱动元件，

其中，所述第一接触孔设置在所述第二接触孔中并被设置为偏向第一侧。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述滤色器与所述第二接触孔间隔开预定距离。

3.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第二接触孔包括：

具有第一倾斜角的第一侧；以及

具有小于所述第一倾斜角的第二倾斜角的第二侧，

其中，所述第一侧设置在所述第二接触孔的第一侧处，所述第一侧距所述第一接触孔最近，并且

其中，所述第二侧设置在所述第二接触孔的第二侧处，所述第二侧距所述第一接触孔最远。

4.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述第一倾斜角在60度和80度之间，并且

所述第二倾斜角在30度和50度之间。

5.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第一接触孔包括第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，

其中，所述第二接触孔包括平行于所述第一侧并与所述第一侧间隔开第一距离的第五侧、平行于所述第二侧并与所述第二侧间隔开第二距离的第六侧、平行于所述第三侧并与所述第三侧间隔开第三距离的第七侧、以及平行于所述第四侧并与所述第四侧间隔开第四距离的第八侧，

其中，所述第一距离与所述第二距离与所述第三距离相同，并且

其中，所述第四距离长于所述第一距离。

6.根据权利要求5所述的电致发光显示器，其中，所述第二接触孔包括：

设置在所述第五侧的第一倾斜侧壁；以及

设置在所述第八侧的第二倾斜侧壁，并且

其中，所述第二倾斜侧壁具有小于所述第一倾斜侧壁的第一倾斜角的第二倾斜角。

7.根据权利要求6所述的电致发光显示器，其中，所述第一倾斜角在60度和80度之间，并且

所述第二倾斜角在30度和50度之间。

8.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述发光元件包括：

连接到所述驱动元件的第一电极；

设置在所述第一电极上的发射层；以及

设置在所述发射层上的第二电极。

9.根据权利要求8所述的电致发光显示器，其中，所述第一电极包括透明导电材料，所述透明导电材料具有氧化铟锌和氧化铟锡中的一种。

10.根据权利要求8所述的电致发光显示器，其中，所述第二电极包括反射金属材料，所述反射金属材料具有铝、银、钼、金、镁、钙和钡中的一种。

11.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述驱动元件包括：

位于所述基板上的半导体层；

位于所述半导体层上的栅极绝缘层；

位于所述栅极绝缘层上的栅电极，所述栅电极与所述半导体层的中间部分重叠；

位于所述栅极绝缘层上的源电极，所述源电极接触所述半导体层的一侧；以及

位于所述栅极绝缘层上的漏电极，所述漏电极接触所述半导体层的另一侧。

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