CN116364816A - 一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法，该制作方法包括以下步骤：在GaAs基板上生长外延片；在外延片上沉积介质层并制作出接触孔；沉积第一键合层金属；制作高导热绝缘层金属基板；在高导热绝缘层金属基板上沉积第二键合层金属；圆晶键合并去除GaAs基板；进行芯片前段工艺和后段工艺，完成AlGaInP LED芯片制作。本发明通过在金属基板上，添加绝缘层，并且在绝缘层中添加导热材料，形成高导热绝缘层金属基板，实现芯片端热电分离，不仅可以减少封装成本、提升出光效率，还能提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，易于加工。

Description

一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法
技术领域
本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法。
背景技术
现有的AlGaInP LED，多为垂直结构芯片，在芯片端无法实现热电分离，特别是在大功率LED应用领域，LED芯片在高功率应用时会产生很大的热量，不能实现热电分离就会导致产生的热量无法及时散出，严重影响LED的出光效率与可靠性。如果在封装端去实现热电分离，又会大幅度的提高封装的复杂性，引起封装成本大幅度上升。这在很大程度上限制AlGaInP LED芯片的应用。
使用氮化铝（AlN）或者金刚石一类的材料，作为转移衬底，可以实现很好的热电分离。但是氮化铝基板晶体难以获得，需要专用设备，不利于LED器件降低成本。金刚石材料导热性能很好，但是无缺陷的高品质金刚石难以获得，并且由于金刚石材料本身的性质，加工也非常困难。
因此，开发一种操作简单且能在芯片制作过程中实现热电分离的技术显得很有必要。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法，通过应用金属材料添加导热绝缘层的技术，利用带有绝缘层的金属基板，来实现LED芯片热电分离的目的，提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，易于加工。
本发明的第一目的是提供一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，包括以下步骤：
在GaAs基板上生长AlGaInP LED的外延结构，形成外延片；
在所述外延片上沉积介质层，并利用光刻掩膜做出接触孔图形，使用化学腐蚀方法制作出接触孔；
在做好接触孔的外延片上，沉积第一键合层金属；
将旋涂胶旋涂在金属基板上，并进行固化，形成高导热绝缘层金属基板；
在所述高导热绝缘层金属基板上沉积第二键合层金属；
利用金属键合技术，将所述外延片与所述高导热绝缘层金属基板键合在一起，并且腐蚀掉原有的GaAs基板；
进行芯片前段工艺，制作P接触电极、N接触电极以及钝化层、P焊盘电极和N焊盘电极；
进行芯片后段工艺，进行减薄、切割、劈裂、测试等工艺，形成AlGaInP LED芯片。
金属材料是很好的散热材料，并且易于获得，而且成本很低。但是金属具有导热性能的同时，还具有导电性。因此，本技术方案中通过在金属基板上，添加绝缘层，并且在绝缘层中添加导热材料，不仅可以实现金属基板的绝缘，还可达到电绝缘的目的。本发明应用金属材料添加导热绝缘层的技术，利用带有绝缘层的金属基板，来实现LED芯片热电分离的目的，提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，且易于加工。
进一步的，上述技术方案中，所述介质层的材料为SiO2或MgF2。
进一步的，上述技术方案中，所述接触孔均匀排列在整个外延片上且彼此不相连。本技术方案中通过在外延片上布置均匀的接触孔，可确保外延片与后续金属之间的电流导通性，保证电流均匀分布。
进一步的，上述技术方案中，所述第一键合层金属共两层，其中第一层为AuZn合金或AuBe合金，厚度为200nm-220nm，第二层为Au，厚度为400nm-500nm。本技术方案中第一键合层金属在形成合金前在其表面沉积一层SiO2作为保护层，其中SiO2与金属层组成全方位反射层，可以很好的将光进行反射，提升出光效果。
进一步的，上述技术方案中，所述旋涂胶的制备方法为：（1）先将连接剂、有机溶剂加入到搅拌器，在800r/min-1200r/min速度下，搅拌15min-25min，使充分均匀接触，然后加入无机导热颗粒总量6%-7%的量，继续超声搅拌20min-25min，得到混合液A；（2）将环氧树脂加入到另一搅拌器中，加入偶联剂，在800r/min-1200r/min速度下，搅拌15min-25min，得到液体B；（3）将液体A和液体B混合搅拌均匀，添加剩余无机导热颗粒、固化剂、固化剂促进剂，在800r/min-1000r/min速度下，搅拌20min-25min，静置2-3h，脱泡后，即得。本技术方案中，通过在旋涂胶中添加高导热的无机陶瓷粒子材料，然后涂敷在铝或者铜等金属基板上，形成绝缘膜层，形成绝缘导热金属衬底，可实现热电分离，减少封装成本、提升出光效率，提高可靠性。具体地，旋涂胶的配方，按重量份计，包括环氧树脂115份-125份、无机导热颗粒23份-24份、固化剂6份-6.1份、固化剂促进剂0.05份-0.07份、连接剂1份-2份、有机溶剂35-45份、偶联剂1份-2份。
进一步的，上述技术方案中，所述环氧树脂为E44、E12、E03中的一种或几种；所述无机导热颗粒为BN、AlN、Al2O3中的一种或几种，其颗粒粒径为500nm-1000nm；所述固化剂包括低温固化剂和高温固化剂；所述固化剂促进剂为三氟化硼单乙胺或乙酰丙酮铝中的任意一种；所述偶联剂为硅烷偶联剂；所述连接剂为极性氧化物；所述有机溶剂为混合二元酸酯、丁酮、丙酮、乙醇N,N-二甲基甲酰胺中的一种或几种。本技术方案中，采用环氧树脂作为粘合剂，可以在比较低的温度下进行固化，固化后耐高温，内聚力大，介电常数小、成本低，并且容易进行改性，可通过添加不同的固化剂或者与其他树脂进行复配，根据实际需求进行优化配比，满足使用场景需求；添加的无机导热颗粒材料为高导热的无机陶瓷粒子材料，可以是BN、AlN、Al2O3、MgO、SiN、SiC等，导热率均满足要求，但是考虑成本、材料稳定性、填充量等因素，优选使用BN或AlN或Al2O3材料。具体地，低温固化剂为咪唑类固化剂，高温固化剂为二氨基二苯砜，两者质量比为0.01:1。
进一步的，上述技术方案中，所述第二键合层金属共三层，其中第一层为Ti，厚度为30nm-50nm，第二层为Pt，厚度为50nm-100nm，第三层为Au，厚度为400nm-500nm。
进一步的，上述技术方案中，所述P焊盘电极和N焊盘电极的结构均为Ti100nm/Al30nm，循环3次-5次，然后Ni100nm，Ti300nm，Pt500nm，Au1500nm。
本发明的第二目的是还提供一种由上述制作方法制作的热电分离的AlGaInP LED芯片。
进一步的，上述技术方案中，所述AlGaInP LED芯片自下而上依次包括高导热绝缘层金属基板、第二键合层金属、第一键合层金属、介质层、接触孔、P接触电极、有源层、N接触电极、钝化层、P焊盘电极、N焊盘电极，所述P接触电极在所述介质层上并通过介质层上的接触孔与第一键合层金属接触，且与所述N接触电极相独立；所述N接触电极在有源层上，其中，所述有源层是GaAs欧姆接触层至GaP窗口层的外延层的总称。
本发明与现有技术相比，其有益效果有：
1.本发明通过在金属基板上，添加绝缘层，并且在绝缘层中添加导热材料，形成的高导热绝缘层金属基板不仅可以实现金属基板的绝缘，还可达到电绝缘的目的，在芯片实现热电分离；以环氧树脂为粘合剂，可以在较低温度下固化，提高绝缘材料的耐高温性、内聚力，降低介电常数和成本；所选高导热无机陶瓷粒子材料作为添加剂，导热性、稳定性好，通过互配可满足使用现场要求，工艺自由性大。
2.本发明应用金属材料添加导热绝缘层的技术，利用带有绝缘层的金属基板代替常规AlGaInP LED应用的GaAs或Si等导电基板，实现了LED芯片热电分离，不仅可以减少封装成本、提升出光效率，还能提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，易于加工。
附图说明
图1为本发明热电分离的AlGaInP LED芯片的结构示意图；
图2为本发明热电分离的AlGaInP LED芯片GaAs接触点处截面示意图。
示意图中标号说明：
1、高导热绝缘层金属基板；2、第二键合层金属；3、第一键合层金属；4、介质层；5、P接触电极；6、有源层；7、N接触电极；8、钝化层；9、P焊盘电极；10、N焊盘电极；11、接触孔；12、GaAs接触点。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
本发明的实施例中提供一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，包括以下具体步骤：
1、制作外延片。在GaAs基板上，使用MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术，依次外延生长GaAs缓冲层、GaInP腐蚀截止层、GaAs欧姆接触层、GaInP保护层、AlGaInP电流扩展层、第一AlInP限制层、第一AlGaInP波导层、多量子阱结构（MQW）、第二AlGaInP波导层、第二AlInP限制层、过渡层、GaP窗口层。其中，AlGaInP电流扩展层的厚度需要在3μm-3.5μm之间，第一AlGaInP波导层的厚度为100nm±5nm，第二AlGaInP波导层的厚度为90nm±5nm，GaP窗口层的厚度为7μm -9μm。为了后续描述方便，将GaAs欧姆接触层至GaP窗口层的外延层，统称为有源层。
2、制作介质层。在外延片上，使用PECVD（等离子体增强化学的气相沉积法）技术沉积SiO2或MgF2介质层，其中SiO2或MgF2的厚度控制在150nm±15nm。
3、制作接触孔。在沉积好介质层的外延片上，利用光刻掩膜技术制作出接触孔图形，其中，接触孔图形按照一定间距，间距可以有变化，但必须均匀排列在整个外延片上，彼此不能够相连，然后利用HF腐蚀液，将接触孔图形中的SiO2或MgF2腐蚀掉，露出有源层中的GaP窗口层。具体地，HF腐蚀液可以进行稀释，也可以使用氟化铵腐蚀液等任何可以腐蚀SiO2或MgF2的溶液；腐蚀完成后去除表面光刻胶并进行清洗。
4、制作第一键合层金属。蒸镀外延片上的第一键合层金属。将清洗后的带有接触孔的外延片，在其表面蒸镀键合层金属。具体地，第一键合层金属共两层，第一层为AuZn合金或AuBe合金，厚度为200nm-220nm，第二层为Au，厚度为400nm-500nm。蒸镀完成后，表面沉积SiO2作为合金保护层，厚度为150nm-200nm；之后在N2环境下合金，合金温度区间在450℃-470℃，时间为15min；合金完成后，去除表面合金保护层；SiO2与金属层组成全方位反射层，可以很好的将光进行反射，提升出光效果。而接触孔可保证外延片与金属之间的电流导通，同时由于接触孔均匀分布在外延片上，电流分布均匀，稳定性好。
5、配置绝缘旋涂胶。
（1）先将连接剂、有机溶剂加入到搅拌器，在800r/min-1200r/min速度下，搅拌15min-25min，使充分均匀接触，然后加入无机导热颗粒总量6%-7%的量，继续超声搅拌20min-25min，得到混合液A；（2）将环氧树脂加入到另一搅拌器中，加入偶联剂，在800r/min-1200r/min速度下，搅拌15min-25min，得到液体B；（3）将液体A和液体B混合搅拌均匀，添加剩余无机导热颗粒、固化剂、固化剂促进剂，在800r/min-1000r/min速度下，搅拌20min-25min，静置2-3h，脱泡后，即得。
具体地，旋涂胶的基体材料可以选择多种环氧树脂，优选但不限于环氧E44、E12、E03，优选苯氧基树脂、聚苯氧基树脂或其他材料作为增强剂，无机导热颗粒优选使用BN或AlN或Al2O3材料，可以是一种或是两种以及以上的复合添加，其颗粒粒径为500nm-1000nm；固化剂包含低温固化剂咪唑类固化剂，高温固化剂二氨基二苯砜，以及固化剂促进剂三氟化硼单乙胺或乙酰丙酮铝中的任意一种；偶联剂选取硅烷偶联剂，其为无色透明液体；有机溶剂为混合二元酸酯、丁酮、丙酮、乙醇N,N-二甲基甲酰胺中的一种或两种以上；连接剂为极性氧化物，其在环氧树脂与无机导电颗粒之间形成分子间作用力，形成“无机导电颗粒-连接剂-环氧树脂”的结构体系，最终实现将无机导电颗粒定位的导热网链。
在一些具体实施例中，可以先将1.5g极性氧化物连接剂、40g丁酮加入到搅拌器，在1000r/min速度下，搅拌20min，使充分均匀接触，然后添加1.5g氮化硼颗粒，继续在1000r/min下超声搅拌20min，得到液体A；将120g环氧树脂E03、1.5g硅烷偶联剂加入到另一搅拌器，在1000r/min速度下，搅拌20min，得到液体B；将液体 A和液体B混合搅拌均匀，添加22g氮化硼颗粒、6g高温固化剂二氨基二苯砜（DDS）以及0.06g固化剂促进剂三氟化硼单乙胺、0.06g低温固化剂咪唑，在搅拌速度为900r/min的转速下搅拌20min，静置3 h脱泡后，即得。
6、制作高导热绝缘层金属基板。将配置好的绝缘旋涂胶，使用旋涂或者其他方式，涂覆在金属衬底表面上，通风30min-40min，表面溶剂初步挥发后，在N2环境中，100℃-120℃条件下，烘干1h，胶膜固化在金属衬底上，形成高导热绝缘层金属基板。
7、制作第二键合层金属。在高导热绝缘层金属基板上蒸镀第二键合层金属。先对高导热绝缘层金属基板进行清洗，清洗步骤为：酒精超声5min，去离子水冲洗干净，热氮气吹干表面；其中，第二键合层金属共三层，第一层为Ti，厚度为30nm-50nm，第二层为Pt，厚度为50nm-100nm，第三层为Au，厚度为400nm-500nm。
8、晶圆键合。将镀好第一键合层金属的外延片与高导热绝缘层金属基板上的第二键合金属的金属面对金属面贴合在一起，键合温度控制在320℃±10℃，压力为9000kg-12000kg，持续时间30min，完成键合。通过使用低温金属键合工艺，工艺简单良率高，可避免金刚石或者氮化铝基板需要进行的抛光等工艺，工序简单。
9、GaAs衬底去除。使用NH4OH：H2O2：H2O=1:5:5（体积比）溶液进行GaAs衬底去除，反应直到GaInP腐蚀截止层截止，其中截止层去除使用盐酸漂洗，截止层去除后，露出GaAs欧姆接触层。至此，有源层转移至高导热绝缘层金属基板上。
10、台面制作。首先利用光刻掩膜技术制作出台面图形，利用光刻胶作为掩膜，ICP（感应耦合等离子体）蚀刻出台面，蚀刻气体为Cl2/BCl3，一直将有源层蚀刻完，露出介质层。
11、制作P接触电极。首先用光刻胶作出P接触电极图形，然后使用HF腐蚀掉没有光刻胶保护的介质层，露出第一键合层金属，接着使用电子束蒸发技术，将金属蒸发至wafer表面，再去除光刻胶。光刻胶上的金属随着光刻胶被移除，从而留下特定图形的金属作为电极，负胶剥离的好处是电极图形均匀一致。其中，电极材料为Au，厚度为700nm-1000nm。
12、制作GaAs接触点12。首先使用光刻掩膜蚀刻技术，将表面的GaAs欧姆接触层腐蚀出特定的形状，用H3PO4：H2O2：H2O=1:1:3（体积比）溶液腐蚀。其中，GaAs接触点12的排列与接触孔的排列有对应关系，即GaAs接触点与接触孔相间排列，每个GaAs接触点距离最近的接触孔的距离均一致，示意图如图2所示。这样可以保证电流均匀扩散至整个芯片表面，而不会集中在某个局部区域，稳定性好。
13、制作N接触电极。使用负胶剥离，结合电子束蒸发技术，制作N接触电极，其流程与P接触电极过程一致。具体地，电极材料包括Au/AuGeNi或AuGe，厚度500nm-1000nm。N接触电极制作后需要进行合金，合金温度为320℃-350℃，时间5min；N接触电极做成叉指电极形式（示意图如图2所示），可以把所有GaAs接触点都连接起来，最后汇总到集中区，集中区位置与P接触电极位置对称，大小一致。
14、制作钝化层。使用PECVD技术沉积SiO2，厚度要求在2μm-5μm之间，折射率控制在1.45-1.46之间。具体地，PECVD使用的反应气体为SiH4与N2O，流量比1:4，载气使用的是N2，占总体气流量的50%，射频功率为50W-60W，腔体压力90Pa-110Pa。
15、制作P焊盘电极和N焊盘电极。首先利用光刻掩膜技术制作出电极接触孔图形，利用光刻胶作为掩膜，ICP蚀刻出电极接触孔，一直蚀刻到P接触电极和N接触电极，其中蚀刻气体为CF4/BCl3；利用胶剥离技术与电子束蒸镀技术，制作焊盘电极，其制作过程与P接触电极和N接触电极一致。具体地，电极结构均为Ti100nm/Al30nm，循环3次-5次，然后Ni100nm，Ti300nm，Pt500nm，Au1500nm。至此，芯片正面工艺完成。
16、完成AlGaInP LED芯片制作。对高导热绝缘层金属基板减薄至厚度为80μm-100μm，然后进行切割、劈裂，完成芯粒制作。
本发明的另一实施例还提供一种热电分离的AlGaInP LED芯片，其结构示意图如图1所示，自下而上依次包括高导热绝缘层金属基板1、第二键合层金属2、第一键合层金属3、介质层4、接触孔11、P接触电极5、有源层6、N接触电极7、钝化层8、P焊盘电极9、N焊盘电极10，所述P接触电极5在所述介质层4上并通过介质层上的接触孔11与第一键合层金属3接触，且与所述N接触电极7相独立；所述N接触电极7在有源层6上，其中，所述有源层6是GaAs欧姆接触层至GaP窗口层的外延层的总称。
综上所述，本发明通过在金属基板上，添加绝缘层，并且在绝缘层中添加导热材料，形成的高导热绝缘层金属基板,实现了热电分离，不仅可以减少封装成本、提升出光效率，还能提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，易于加工。
最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在GaAs基板上生长AlGaInP LED的外延结构，形成外延片；
在所述外延片上沉积介质层，并利用光刻掩膜做出接触孔图形，使用化学腐蚀方法制作出接触孔；
在做好接触孔的外延片上，沉积第一键合层金属；
将旋涂胶旋涂在金属基板上，并进行固化，形成高导热绝缘层金属基板；
在所述高导热绝缘层金属基板上沉积第二键合层金属；
利用金属键合技术，将所述外延片与所述高导热绝缘层金属基板键合在一起，并且腐蚀掉原有的GaAs基板；
进行芯片前段工艺，制作P接触电极、N接触电极以及钝化层、P焊盘电极和N焊盘电极；
进行芯片后段工艺，进行减薄、切割、劈裂、测试等工艺，形成AlGaInP LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料为SiO2或MgF2。
3.根据权利要求1所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述接触孔均匀排列在整个外延片上且彼此不相连。
4.根据权利要求1所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一键合层金属共两层，其中第一层为AuZn合金或AuBe合金，厚度为200nm-220nm，第二层为Au，厚度为400nm-500nm。
5.根据权利要求1所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述旋涂胶的制备方法为：
（1）先将连接剂、有机溶剂加入到搅拌器，在800r/min-1200r/min速度下，搅拌15min-25min，使充分均匀接触，然后加入无机导热颗粒总量6%-7%的量，继续超声搅拌20min-25min，得到混合液A；
（2）将环氧树脂加入到另一搅拌器中，加入偶联剂，在800r/min-1200r/min速度下，搅拌15min-25min，得到液体B；
（3）将液体A和液体B混合搅拌均匀，添加剩余无机导热颗粒、固化剂、固化剂促进剂，在800r/min-1000r/min速度下，搅拌20min-25min，静置2-3h，脱泡后，即得。
6.根据权利要求5所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述环氧树脂为E44、E12、E03中的一种或几种，其颗粒粒径为500nm-1000nm；所述无机导热颗粒材料为BN、AlN、Al2O3中的一种或几种；所述固化剂包括低温固化剂和高温固化剂；所述固化剂促进剂为三氟化硼单乙胺或乙酰丙酮铝中的任意一种；所述偶联剂为硅烷偶联剂；所述连接剂为极性氧化物；所述有机溶剂为混合二元酸酯、丁酮、丙酮、乙醇N,N-二甲基甲酰胺中的一种或几种。
7.根据权利要求5所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述旋涂胶的配方，按重量份计，包括环氧树脂115份-125份、无机导热颗粒23份-24份、固化剂6份-6.1份、固化剂促进剂0.05份-0.07份、连接剂1份-2份、有机溶剂35-45份、偶联剂1份-2份。
8.根据权利要求1所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二键合层金属共三层，其中第一层为Ti，厚度为30nm-50nm，第二层为Pt，厚度为50nm-100nm，第三层为Au，厚度为400nm-500nm。
9.根据权利要求1所述的一种热电分离的AlGaInP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述P焊盘电极和N焊盘电极的结构均为Ti100nm/Al30nm，循环3次-5次，然后Ni100nm，Ti300nm，Pt500nm，Au1500nm。
10.一种由权利要求1-9任一项所述的制作方法制作的AlGaInP LED芯片，其特征在于，所述AlGaInP LED芯片自下而上依次包括高导热绝缘层金属基板、第二键合层金属、第一键合层金属、介质层、接触孔、P接触电极、有源层、N接触电极、钝化层、P焊盘电极、N焊盘电极，所述P接触电极在所述介质层上并通过介质层上的接触孔与第一键合层金属接触，且与所述N接触电极相独立；所述N接触电极在有源层上，其中，所述有源层是GaAs欧姆接触层至GaP窗口层的外延层的总称。
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