CN116364600A - 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 - Google Patents

用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116364600A
CN116364600A CN202211716243.6A CN202211716243A CN116364600A CN 116364600 A CN116364600 A CN 116364600A CN 202211716243 A CN202211716243 A CN 202211716243A CN 116364600 A CN116364600 A CN 116364600A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flow rate
liquid
substrate
error
feedback
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211716243.6A
Other languages
English (en)
Inventor
金宰弘
赵亨濬
孙相睍
河相民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020220158095A external-priority patent/KR20230101704A/ko
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN116364600A publication Critical patent/CN116364600A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0623—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the set value given to the control element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/66—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by measuring frequency, phase shift or propagation time of electromagnetic or other waves, e.g. using ultrasonic flowmeters
    • G01F1/667—Arrangements of transducers for ultrasonic flowmeters; Circuits for operating ultrasonic flowmeters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
    • F17D3/01—Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F15/00—Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
    • G01F15/005—Valves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F25/00—Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume
    • G01F25/10—Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume of flowmeters
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0688—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by combined action on throttling means and flow sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于处理基板的方法。所述用于处理基板的方法包括：监测步骤，其计算液体的流量，将计算出的液体的测量流量与正常状态下液体的设定流量进行比较，并确定所述测量流量是否发生错误；以及当在监测步骤中确定所述测量流量发生错误时进行的反馈步骤，所述反馈步骤对排放到基板的液体的排放流量进行反馈控制，其中所述反馈步骤确定所述错误的类型，并且根据错误的所确定的类型来不同地执行所述反馈控制。

Description

用于处理基板的设备和用于处理基板的方法
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的设备和一种用于处理基板的方法，并且更具体地，涉及一种向基板供应液体并处理基板的用于处理基板的设备和一种用于处理基板的方法。
背景技术
通常，执行诸如光学工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和沉积工艺的各种工艺以制造半导体器件。在每个工艺中，向基板供应液体以执行预定处理。
在用于向基板供应液体的液体供应装置中，设置实时监测液体的流量的测量单元以稳定地向基板供应液体。基于测量单元监测到的液体的流量来确定当前供应到基板的液体的流量。另外，基于测量单元监测到的液体的流量，当调节安装在液体流动通过的管道中的阀的开闭比率时，根据方案调节供应到基板的液体的流量。
如上所述，由于阀的开闭比率是基于测量单元测量的液体的流量来调节的，因此如果测量单元未能准确地测量流动通过管道的液体的流量(如果发生错误)，则不能向基板供应具有适合所述方案的流量的液体。另外，当由于各种原因无法测量管道中流动的液体的流量时，会出现流量波动现象。例如，当所测得的流体流量由于测量错误而为零时，确定液体在管道中的流动停止并且大量液体暂时供应到基板。由于这使得难以准确地确定供应到基板的液体的当前状态，因此难以根据所述方案处理基板。此外，当发生流量波动现象时，这可能导致工艺失败。
发明内容
本发明致力于提供能够有效地处理基板的用于处理基板的设备和用于处理基板的方法。
本发明还致力于提供能够根据方案有效地供应液体的用于处理基板的设备和用于处理基板的方法。
本发明的目的不限于此，并且本领域的普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其它目的。
本发明的示例性实施例提供了一种用于处理基板的方法，包括：监测步骤，其计算液体的流量，将计算出的液体的测量流量与正常状态下液体的设定流量进行比较，并且确定所述测量流量是否发生错误；以及当在所述监测步骤中确定所述测量流量发生错误时进行的反馈步骤，所述反馈步骤对排放到所述基板的液体的排放流量进行反馈控制，所述反馈步骤确定所述错误的类型，并且根据错误的所确定的类型来不同地执行所述反馈控制。
根据示例性实施例，所述错误的类型可以包括：第一错误状态，在所述第一错误状态下，所述测量流量偏离所述设定流量的范围，但计算所述测量流量；和第二错误状态，在所述第二错误状态下，不计算所述测量流量。
根据示例性实施例，所述反馈步骤可以包括在所述第一错误状态下执行的第一反馈模式，并且所述第一反馈模式可以改变反馈控制的周期、所述设定流量的范围、以及配置为控制所述排放流量的阀的开闭比率中的至少一者。
根据示例性实施例，在所述第一反馈模式中，反馈控制的周期可以被调整为比所述正常状态下的反馈控制的周期更短。
根据示例性实施例，在所述第一反馈模式中，可以降低所述设定流量范围的上限并且可以提高所述设定流量范围的下限。
根据示例性实施例，在所述第一反馈模式中，所述阀的开闭比率可以调整为比所述正常状态下所述阀的开闭比率更小。
根据示例性实施例，所述反馈步骤还可以包括在所述第二错误状态下执行的第二反馈模式，并且所述第二种反馈模式可以基于所述设定流量来计算液体的当前预测流量数据，并且基于所述预测流量数据执行对所述排放流量的反馈控制。
根据示例性实施例，在所述监测步骤中，所述测量流量可以在液体流动通过的管道的一个点处振荡超声波，在所述管道的另一点处接收所述超声波，并且测量和计算所述超声波从一个点到另一点的到达时间。
根据示例性实施例，当所述液体中存在气泡时可能发生所述错误。
根据示例性实施例，所述第一错误状态可以包括振荡到所述管道中的超声波被气泡折射并且被接收，并且所述超声波的信号被延迟的状态。
根据示例性实施例，所述第二错误状态可以包括振荡到所述管道中的超声波被气泡折射，但未接收到所述超声波的信号的状态。
根据示例性实施例，所述液体可以包括清洁所述基板的清洁液。
本发明的另一示例性实施例提供了一种用于控制流量的方法，所述方法包括：监测步骤，其在液体流动通过的管道中的一个点处振荡超声波，在所述管道的另一点处接收所述超声波，测量所述超声波从一个点到另一点的到达时间以计算所述管道中流动的液体的测量流量，并且通过将所述测量流量与正常状态下所述液体的设定流量进行比较来确定所述测量流量的错误；反馈模式设定步骤，其确定错误的类型；以及反馈步骤，其根据在所述反馈模式设定步骤中确定的错误的类型，不同地执行对排放到目标的液体的排放流量的反馈控制，并且所述反馈步骤包括：在第一错误状态下执行的第一反馈模式，在所述第一错误状态下，所述测量流量在所述测量流量偏离所述设定流量的范围的状态下被计算；和在第二错误状态下执行的第二反馈模式，在所述第二错误状态下，不计算所述测量流量。
根据示例性实施例，所述第一反馈模式可以改变所述反馈控制的周期、所述设定流量的范围、以及调节所述排放流量的阀的开闭比率中的至少一者。
根据示例性实施例，所述第二反馈模式基于所述正常状态下的所述设定流量来计算预测流量数据，并且基于所述预测流量数据来执行对所述排放流量的反馈控制。
根据示例性实施例，所述错误是所述管道中存在的所产生的气泡。
本发明的又一示例性实施例包括：支撑单元，所述支撑单元配置为支撑所述基板；喷嘴，所述喷嘴配置为将液体排放到由所述支撑单元支撑的基板；管道，所述管道连接到所述喷嘴以允许所述液体在内部流动；传感器，所述传感器配置为在所述管道内的一个点处振荡超声波并且在所述管道内的另一点处接收所述超声波；阀，所述阀安装在所述管道中并且配置为控制所述管道的开闭比率；以及控制器，所述控制器配置为测量所述超声波从一个点到另一点的到达时间以计算所述管道中流动的液体的测量流量，并且根据所述测量流量执行对所述阀的开闭比率的反馈控制,并且所述控制器通过将所述测量流量与正常状态下所述液体的设定流量进行比较来确定所述测量流量的错误，并且根据所确定的错误的类型不同地执行对所述阀的开闭比率的反馈控制。
根据示例性实施例，当所述测量流量偏离所述设定流量的范围但不计算所述测量流量时，所述控制器改变所述反馈控制的周期、所述设定流量的范围、以及所述阀的开闭比率中的至少一者。
根据示例性实施例，当不计算所述测量流量时，所述控制器基于所述正常状态下所述液体的设定流量来计算当前液体的预测流量数据，并且基于所述预测流量数据来执行对所述阀的开闭比率的反馈控制。
根据示例性实施例，所述传感器是压电元件。
根据本发明的示例性实施例，可以有效地处理基板。
根据本发明的示例性实施例，即使在测量液体的流量时发生错误，也可以根据方案供应液体。
根据本发明的示例性实施例，即使未测量液体的流量，也可以根据方案供应液体。
本发明的效果不限于前述效果，并且本领域技术人员将根据本说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据一个实施例的用于处理基板的设备的截面图。
图2是示意性地示出根据一个实施例的工艺室的截面图。
图3是示意性地示出安装根据一个实施例的传感器的状态的截面图。
图4是根据一个实施例的用于处理基板的方法的流程图。
图5是示意性地示出根据一个实施例的由于管道中存在气泡而导致所接收的超声波信号延迟的状态的视图。
图6是示意性地示出发生图5的第一错误的区段中的测量流量的曲线图。
图7是示意性地示出根据一个实施例的在执行第一反馈模式之后发生第一错误的区段中的排放流量的曲线图。
图8是示意性地示出根据一个实施例的由于管道中存在气泡而导致未接收到超声波信号的状态的视图。
图9是示意性地示出发生图8的第二错误的区段中的测量流量的曲线图。
图10是示意性地示出根据一个实施例的在执行第二反馈模式之后发生第二错误的区段中的排放流量的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施例。本发明的示例性实施例可以以各种形式进行修改，并且本发明的范围不应被解释为限于下面描述的示例性实施例。提供本示例性实施例是为了向本领域技术人员更完整地解释本发明。因此，图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。
虽然术语第一、第二等可以用于描述各个元件，但应理解这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离示例性实施例的范围的情况下，下面将描述的第一元件可以称为第二元件。
图1是示意性地示出根据一个实施例的用于处理基板的设备的截面图。
参考图1，用于处理基板的设备1包括转位模块10和处理模块20。根据一个实施例，转位模块10和处理模块20设置在一个方向上。在下文中，转位模块10和处理模块20设置的方向被定义为第一方向2。进一步地，当从顶部观察时，垂直于第一方向2的方向被定义为第二方向4，并且垂直于包括第一方向2和第二方向4两者的平面的方向被定义为第三方向6。例如，第三方向6可以是垂直于地面的方向。
转位模块10在容器C与处理模块20之间传送基板。转位模块10将在处理模块20中处理过的基板传送到容器C。另外，转位模块10将在容器C中安排有预定处理的基板传送到处理模块20。转位模块10具有平行于第二方向4的纵向方向。转位模块10具有装载端口120和转位框架140。
容纳基板的容器C安置在装载端口120中。装载端口120基于转位框架140而设置在处理模块20的相反侧。另外，可以设置多个装载端口120。多个装载端口120沿第二方向4成排布置。可以根据处理模块20的工艺效率和占用面积情况来增加或减少装载端口120的数量。
在容器C内形成用于容纳基板的多个狭槽(未示出)。诸如前开式统一吊舱(FOUP)的密封容器可以用作容器C。容器C可以由操作者或通过传送装置(未示出)(例如，高处传送装置、高处输送器或自动引导载具)设置在装载端口120中。
在转位框架140内设置转位轨道142和转位机器人144。转位轨道142具有与第二方向4水平的纵向方向。转位机器人144传送基板。转位机器人144在容器C与下面描述的缓冲单元220之间传送基板。转位机械人144设置在转位轨道142上，并且沿转位轨道142的纵向方向向前或向后移动。
转位机器人144具有转位手146。基板可以设置在转位手146中。转位手146围绕作为轴线的第三方向6旋转，并且沿第三方向6向上和向下移动。可以设置多个转位手146。多个转位手146中的每一个可以在竖直方向上彼此间隔开。多个转位手146可以向前或向后移动，并且彼此独立地旋转。
处理模块20可以包括缓冲单元220、传送框架240和工艺室300。
缓冲单元220提供供基板临时停留的空间。更具体地，缓冲单元220提供供放入处理模块20的基板和从处理模块20取出的基板临时停留的空间。缓冲单元220设置在转位框架140与下面描述的传送框架240之间。因此，转位框架140、缓冲单元220和传送框架240在第一方向2上依次布置。
在缓冲单元220内设置安置基板的多个狭槽(未示出)。缓冲单元220的前面和后面是敞开的。前面是面向转位框架140的表面，并且后面是面向传送框架240的表面。转位机器人144可以通过缓冲单元220的前面将基板安置在设置在缓冲单元220中的狭槽(未示出)中。另外，下面将描述的传送机器人244可以通过缓冲单元220的后面将基板安置在设置在缓冲单元220中的狭槽(未示出)中。
传送框架240提供用于在缓冲单元220与工艺室300之间传送基板的空间。另外，传送框架240提供用于在工艺室300之间传送基板的空间。
传送框架240具有平行于第一方向2的纵向方向。工艺室300可以设置在传送框架240的相反侧上。传送框架240和工艺室300沿第二方向4设置。
导轨242和传送机器人244设置在传送框架240内。导轨242具有平行于传送框架240的纵向方向的纵向方向。传送机器人244设置在导轨242上。传送机器人244在导轨242上沿导轨242的纵向方向线性地移动。传送机器人244在缓冲单元220与工艺室300之间以及在工艺室300之间传送基板。传送机器人244具有传送基板的传送手246。由于传送手246的结构与上面描述的转位手146的结构大多相同或相似，因此将省略对其的重复描述。
可以设置多个工艺室300。根据一个实施例，工艺室300可以设置在传送框架240的相反侧。另外，工艺室300可以在传送框架240的一侧上沿第一方向2和第三方向6以A×B(A和B分别是1或大于1的自然数)的阵列来布置。这里，A是沿第一方向2成排布置的工艺室300的数量，B是沿第三方向6成排布置的工艺室300的数量。例如，当在传送框架240的一侧上设置四个或六个工艺室300时，工艺室300可以以2×2或3×2的阵列来布置。上述示例只是为了便于理解，并且工艺室300的数量可以增加或减少。与上述示例不同，工艺室300可以仅设置在传送框架240的一侧上。另外，工艺室300可以在传送框架240的一侧和两侧上以单个层设置。
在工艺室300中，可以执行通过向基板供应液体来处理基板的液体处理工艺。根据一个实施例，液体处理工艺可以是通过向基板供应清洁液来清洁基板的清洁工艺。例如，工艺室300可以是执行去除附着到基板的工艺副产物的清洁工艺的室。另外，在工艺室300中，可以执行对基板的化学处理、漂洗处理和干燥处理。与上述布置不同，干燥和处理基板的工艺室可以与执行液体处理的工艺室分开设置。工艺室300可以根据用于处理基板的工艺的类型而具有不同的结构。或者，工艺室300可以具有相同的结构。
图2是示意性地示出根据一个实施例的工艺室的截面图。
参考图2，工艺室300可以包括壳体310、处理容器320、支撑单元330和液体供应单元400。
壳体310具有内部空间。壳体310可以具有大致矩形平行六面体形状。在
壳体310的一侧中形成开口(未示出)。开口(未示出)用作入口，通过该入口5将基板W放入内部空间或者通过该入口从内部空间取出基板W。虽然未示出，
但是可以在壳体310的顶板上安装向内部空间供应气流的风扇过滤器单元，并且可以在壳体310的底部上形成用于排出内部空间的空气的孔。处理容器320和支撑单元330设置在内部空间中。
根据一个实施例，处理容器320可以是上部部分敞开的碗部。即，处理容0器320可以具有上部部分敞开的杯形状。处理容器320的内部用作处理基板W的处理空间。处理空间可以是下面描述的支撑单元330支撑基板W并使基板W旋转的空间。另外，处理空间可以是下面描述的液体供应单元400向基板W供应液体并处理基板W的空间。
处理容器320的底部部分可以形成为具有中空的盘形状。下面描述的支撑5轴336可以插入处理容器320的底部部分中形成的中空中。回收管线322连接
到处理容器320的底部部分。回收管线322回收供应到基板W的液体。回收管线322回收的液体可以由外部再生系统(未示出)重新使用。
处理容器320的侧部部分从底部部分向上延伸。另外，处理容器320的侧
部部分具有大致环形状。处理容器320的侧部部分可以环绕下面描述的主体3320和支撑轴336。处理容器320的倾斜部分从处理容器320的侧部部分延伸。更具
体地，处理容器320的倾斜部分可以在从处理容器320的侧部部分的上端到支撑轴336的中心轴线的方向上延伸。另外，处理容器320的倾斜部分可以朝向支撑轴336向上倾斜。
与上述示例不同，处理容器320可以具有多个杯体。例如，处理容器3205可以具有外杯、中间杯和内杯。内杯可以具有对应于上面描述的处理容器320的形状的形状。另外，中间杯可以具有从内杯的外部环绕内杯的形状。此外，外杯可以具有从中间杯的外部环绕中间杯的形状。另外，与上述示例不同，排出处理空间的空气的排气管线(未示出)可以连接到处理容器320的底部。
升降单元324联接到处理容器320。升降单元324可以使处理容器320升降。升降单元324可以是用于传递驱动力的已知电机中的任一种。根据一个实施例，在处理基板W时，升降单元324可以使处理容器320向上移动。另外，在完成对基板W的处理之后或在处理基板W之前，升降单元324可以使处理容器320向下移动。
支撑单元330支撑基板W并使基板W旋转。支撑单元330可以包括主体332、支撑轴336和驱动器338。
基板W安置在主体332的上表面中。当从顶部观察时，主体332的上表面具有大致圆形形状。主体332的上表面可以具有大于基板W的直径的直径。
在主体332的上部部分中设置支撑销333。设置多个支撑销333。支撑销333可以在主体332的边缘区域中以规则间隔彼此间隔开。多个支撑销333设置成通过其组合整体上具有环形状。另外，支撑销333从主体332的上表面向上突出。因此，支撑销333支撑基板W的后边缘区域，使得基板W与主体332的上表面间隔开。
卡盘销334设置在主体332的上部部分上。设置多个卡盘销334。卡盘销334设置成比支撑销333更靠近主体332的边缘区域。卡盘销334从主体332的上表面向上突出。卡盘销334支撑基板W的侧部部分使得当基板W旋转时，基板W在横向方向上不会偏离给定位置。
支撑轴336联接到主体332。更具体地，支撑轴336联接到主体332的下端。而且，支撑轴336的下端可以插入上面描述的处理容器320的底部部分中形成的中空中。支撑轴336具有竖直纵向方向。驱动器338联接到支撑轴336。驱动器338使支撑轴336围绕作为轴线的支撑轴336的纵向方向旋转。驱动器338可以是传递旋转力的已知电机。
液体供应单元400向基板W供应液体。更具体地，液体供应单元400向支撑单元330支撑的基板W供应液体。液体供应单元400可以向基板W供应至少一种清洁液。例如，清洁液可以是化学品、纯水(或去离子水)和有机溶剂(例如，异丙醇)中的至少一种。而且，清洁液可以是含有聚合物和溶剂的液体。根据一个实施例的液体包括上面未示出的各种类型的液体。也就是说，根据一个实施例的液体包括在处理基板W时使用的所有各种类型的液体。
图3是示意性地示出安装根据一个实施例的传感器的状态的截面图。
在下文中，将参考图2和图3描述根据一个实施例的液体供应单元400。
液体供应单元400可以包括液体供应源410、管道420、喷嘴430、泵440、传感器450、阀460和控制器470。
液体供应源410储存液体。液体供应源410连接到管道420。管道420的一端连接到液体供应源410，并且管道420的另一端连接到喷嘴430。喷嘴430设置在壳体310的内部空间中。另外，喷嘴430设置在支撑单元330上方。喷嘴430将从液体供应源410接收到的液体排放到支撑单元330支撑的基板W。尽管图2示出设置了一个喷嘴430，但是可以设置多个喷嘴430。例如，多个喷嘴430的数量可以根据供应到基板W的液体的类型来确定。
泵440、传感器450和阀460可以安装在管道420中。泵440将流动压力供应到管道420中，使得液体供应源410中储存的液体沿管道420流动。例如，泵440可以是使用流动压力的波纹管型泵。然而，本发明不限于此，并且泵440可以是能够在管道420中供应流动性的已知装置中的任一种。
根据一个实施例的传感器450可以是压电换能器。传感器450安装在管道420外部。传感器450可以成对形成。例如，传感器450可以包括振荡器452和接收器454。振荡器452和接收器454设置成彼此面对。振荡器452利用所施加的电力共振以将超声波振荡到管道420中。另外，振荡器452在与管道420内流动的液体的流动方向相同的方向上振荡超声波。也就是说，振荡器452将超声波从管道420的一个点振荡到管道420的安装接收器454的另一点。接收器454接收振荡到管道420中的超声波。
根据一个实施例的阀460可以是流量调节阀。例如，阀460可以通过调节开闭比率来调节管道420中流动的液体的流量。阀460可以以无线或有线方式连接到下面描述的控制器470。阀460可以根据控制器470的信号调节开闭比率。
另外，还可以在管道420中安装打开/关闭阀(未示出)。例如，打开/关闭阀可以比阀460安装在管道420的更下游。当打开/关闭阀(未示出)打开时，管道420中的液体被输送到喷嘴430并被排放到基板W。当打开/关闭阀(未示出)关闭时，输送到喷嘴430的液体的流动被阻挡。
控制器470控制液体供应单元400。控制器470可以控制液体供应单元400中包括的部件，以便执行下面描述的用于处理基板的方法。控制器470可以包括：由微处理器(计算机)组成的工艺控制器，该工艺控制器配置为执行控制；键盘，操作员通过该键盘执行命令输入操作以管理用于处理基板的设备1；由显示器组成的用户界面，该用户界面使用于处理基板的设备1的操作状态可视化并显示所述操作状态；以及数据库，所述数据库存储处理方案或图像，或者控制程序，用于根据各种数据和处理条件对每个部件执行处理的程序，或确定所存储的图像是否与获取的图像匹配的匹配程序。此外，用户界面和数据库可以连接到工艺控制器。
控制器470可以以无线或有线方式连接到泵440、传感器450和阀460。
控制器470可以存储关于根据所述方案确定的设定流量的数据。设定流量数据可以是根据所述方案必须供应到基板W的液体的流量数据。控制器470将设定流量数据输送至泵440。泵440基于输送的设定流量数据来供应管道420内的流动压力。因此，在正常状态下，管道420中流动的液体可以在具有设定流量时通过喷嘴430排放到基板W。正常状态可以指管道420内不存在异物或气泡的情况。因此，在正常状态下，设定流量可以与下面描述的测量流量一致。另外，在正常状态下，设定流量、测量流量以及从喷嘴430排放的液体的排放流量可以彼此一致。也就是说，在正常状态下，设定流量可以不变地恢复成排放流量。
控制器470连接到传感器450以计算管道420中流动的液体的测量流量。下面将描述对其的详细描述。另外，控制器470连接到阀460以调节阀460的开闭比率。例如，控制器470基于计算出的测量流量数据来调节阀460的开闭比率。
在下文中，将描述根据本发明的一个实施例的用于处理基板的方法。由于下面描述的用于处理基板的方法由用于处理基板的设备1执行，因此图1至图3中使用的附图标记以与以下相同的方式应用。
图4是根据一个实施例的用于处理基板方法的流程图。
参考图4，根据一个实施例的用于处理基板的方法包括监测步骤S10和反馈步骤S20。
在监测步骤S10中，测量管道420中流动的液体的流量。如上所述，振荡器452将超声波振荡到管道420中，并且接收器454接收经振荡的超声波。振荡器452和接收器454分别传输关于超声波被振荡的时间的数据和关于超声波被接收到控制器470的时间的数据。控制器470可以使用预先存储的振荡器452与接收器454之间的直线距离和接收到的时间数据实时计算管道420中流动的液体的测量流量。
在监测步骤S10中，控制器470将计算出的测量流量与正常状态下的设定流量进行比较。更具体地，控制器470可以确定计算出的测量流量是否偏离正常状态下的设定流量的范围(在下文中称为设定流量范围)。可以通过对设定流量进行加权来确定设定流量范围。例如，当设定流量为1,000(毫升/分钟)时，设定流量范围可以设定为800(毫升/分钟)至1,200(毫升/分钟)。然而，这仅是为了理解而示出，并且本发明的范围不限于此。
随后，当由控制器470计算出的测量流量偏离设定流量范围时，控制器470可以确定计算出的测量流量已发生错误。当确定测量流量已发生错误时，控制器470执行反馈步骤S20。
在反馈步骤S20中，对排放到基板W的液体的排放流量进行反馈控制。更具体地，在反馈步骤S20中，可以通过调节阀460的开闭比率来对排放到基板W的液体的排放流量进行反馈控制。
根据一个实施例，反馈步骤S20可以包括反馈模式设定步骤S210、第一反馈模式S220和第二反馈模式S230。
在反馈模式设定步骤S210中，控制器470确定测量流量中发生的错误的类型。根据一个实施例的错误的类型可以包括第一错误状态和第二错误状态。第一错误状态可以指测量流量偏离设定流量范围，但计算测量流量数据的情况。另外，第二错误状态可以指测量流量不仅偏离设定流量范围，测量流量还被计算为零的情况。也就是说，在第二错误状态下，可能无法计算测量流量数据。
可以根据在反馈模式设定步骤S210中确定的错误的类型不同地执行反馈控制。根据一个实施例，当错误被确定为第一错误状态时，可以执行第一反馈模式S220。另外，当错误被确定为第二错误状态时，可以执行第二反馈模式S230。第一反馈模式S220和第二反馈模式S230可以具有不同的控制目标和控制方法。根据一个实施例，第一反馈模式S220可以改变设定流量范围、反馈控制周期和阀460的开闭比率中的至少一者。根据一个实施例，第二反馈模式S230可以通过使用基于设定流量计算出的液体的当前流量数据来改变阀460的开闭比率。
图5是示意性地示出根据一个实施例的由于管道中存在气泡而导致所接收的超声波信号延迟的状态的视图。图6是示意性地示出发生图5的第一错误的区段中的测量流量的曲线图。
参考图4至图6，液体在管道420中流动。另外，管道420中可能存在异物。例如，管道420中可能存在气泡B。当管道420中存在气泡B时，从振荡器452振荡出的超声波可能受到气泡B的干扰。受到气泡B干扰的超声波可以被折射并被接收器454接收。在这种情况下，接收到超声波的时间的数据存在错误。也就是说，存在超声波的信号延迟错误。也就是说，有错误的时间数据被传输到控制器470。
如图6所示，在区段T1中，当管道420中存在气泡B时，区段T1中的测量流量可以计算为700(毫升/分钟)。例如，根据控制器470中的方案确定的设定流量范围的范围可以是800(毫升/分钟)至1,200(毫升/分钟)。在这种情况下，区段T1中计算出的测量流量偏离设定流量范围，但是测量流量计算为700(毫升/分钟)，因此，控制器470确定超声波信号被延迟的第一错误状态。因此，控制器470执行第一反馈模式S220。
在第一反馈模式S220中，可以改变设定流量范围。更具体地，在第一反馈模式S220中，可以降低设定流量范围的上限，并且可以提高设定流量范围的下限。例如，当在正常状态下设定流量范围为800(毫升/分钟)至1,200(毫升/分钟)时，在第一反馈模式S220中，设定流量范围可以改变为900(毫升/分钟)至1,100(毫升/分钟)。然而，这仅是为了理解，并且本发明并不局限于所示出的图的解释。
另外，通过应用较窄地改变设定流量范围的保守参数，可以有效地确定错误是由于气泡暂时发生还是由于其它原因持续发生。具体地，在第一反馈模式S220中，可以通过较窄地改变设定流量范围来有效地确定错误是由于气泡暂时发生还是由于其它原因持续发生。当计算出的测量流量持续偏离设定流量范围时，则确定错误是由于其它原因造成的，并且可以执行对液体供应单元400的维护任务。相反，当计算出的测量流量暂时偏离设定流量范围时，可以解除第一反馈模式S220以使设定流量范围改变回到正常状态所属的范围。
另外，在第一反馈模式S220中，可以改变反馈控制周期。例如，在第一反馈模式S220中，反馈控制周期可以改变为比正常状态下的反馈控制周期更短。例如，当在正常状态下以1秒的间隔执行反馈控制周期时，在第一反馈模式S220中，可以以0.5秒的间隔执行反馈控制。因此，可以快速确定错误是由于气泡暂时发生还是根据其它原因持续发生。然而，这仅是为了理解，并且本发明并不局限于所示出的图的解释。
在第一反馈模式S220中，可以改变阀460的开闭比率。更具体地，在第一反馈模式S220中，阀460的开闭比率可以调整为比正常状态下阀460的开闭比率更小。通过改变阀460的开闭比率，可以对从喷嘴430排放的液体的排放流量进行反馈控制。因此，基于第一区段T1中的有错误(由管道中的气泡造成)的测量流量，不能快速改变排放到基板W的排放流量。也就是说，考虑到第一错误状态是由于气泡而暂时的，阀的开闭比率可以改变很小。
图7是示意性地示出根据一个实施例的在执行第一反馈模式之后发生第一错误的区段中的排放流量的曲线图。
参考图4、6和7，在大多数区段中，排放到基板W的排放流量与测量流量相同或相似。但是，如上所述，当在第一区段T1中管道420中存在气泡，并且错误的类型被确定为第一错误状态时，测量流量可以快速降低。
因此，根据本发明的一个实施例，阀460的开闭比率改变为比正常状态下阀460的开闭比率更小，从而防止流量由于气泡造成的暂时错误而快速变化。也就是说，即使测量流量由于气泡而快速降低，也可以对液体的排放流量进行反馈控制，使得排放到基板W的排放流量具有与设定流量相似的流量(例如，1,000毫升/分钟)。换句话说，由于错误被确定为第一错误状态，因此可以执行第一反馈模式S220，从而使第一区段T1中的排放流量的快速变化降至最低。
另一方面，即使阀460的开闭比率改变很小，当测量流量持续偏离设定流量范围时，也可以执行对液体供应单元400的维护任务。换句话说，可以防止基于有错误的测量流量对排放流量进行反馈控制，从而使供应至基板W的液体的流量的快速变化降至最低。
图8是示意性地示出根据一个实施例的由于管道中存在气泡而导致未接收到超声波信号的状态的视图。图9是示意性地示出发生图8的第二错误的区段中的测量流量的曲线图。图10是示意性地示出根据一个实施例的在执行第二反馈模式之后发生第二错误的区段中的排放流量的曲线图。
参考图4和图8至10，由于管道420中存在气泡B，因此从振荡器452振荡出的超声波可能受到气泡B干扰。受到气泡B干扰的超声波可以被折射，但不被接收器454接收。在这种情况下，控制器470可能不传输关于超声波被接收的时间的数据。在这种情况下，控制器470将测量流量计算为零。也就是说，可能不计算测量流量数据。
例如，如图9所示，控制器470可计算出在第二区段T2和第三区段T3中测量流量为零(毫升/分钟)。因此，控制器470将错误确定为未接收到超声波信号的第二错误状态，并执行第二反馈模式S230。
在第二反馈模式S230中，控制器470基于设定流量来计算管道420中流动的液体的当前预测流量数据。可以基于设定流量来计算液体的当前预测流量数据。例如，如果根据所述方案确定的设定流量为1,000(毫升/分钟)，则当前预测流量数据可以为1,000(毫升/分钟)。基于计算出的预测流量数据改变阀460的开闭比率。通过改变阀460的开闭比率，对排放到基板W的液体的排放流量进行反馈控制。例如，如图10所示，如果基于当前泵流动压力数据计算出的预测流量数据是1,000(毫升/分钟)，则控制器470可以改变阀460的开闭比率，使得在第二区段T2和第三区段T3中排放流量是1,000(毫升/分钟)。换句话说，可以防止基于有错误的测量流量对排放流量进行反馈控制，从而使供应至基板W的液体的流量的快速变化降至最低。
当测量流量计算为0并且基于该计算对阀460的开闭比率进行反馈控制时，控制器470可以确定管道420中没有液体流动。在这种情况下，当大量流动压力被供应到管道420中以具有设定流量时，发生流量波动的可能性非常高。也就是说，即使管道420中存在单纯的气泡B，由于气泡B的缘故，测量流量也计算为零，并且可能频繁地发生流量波动。
因此，根据上面描述的本发明的一个实施例，当测量流量计算为零时，基于预测流量数据主动对液体的排放流量进行反馈控制，以便防止快速变化性。随后，当与正常状态下的流量类似地改变测量流量时，可以继续向基板W供应液体同时防止流量波动。相反地，随后，当测量流量持续计算为零时，确定液体供应单元400由于其它原因而出现异常，并且可以执行对液体供应单元400的维护任务。根据上述实施例，可以通过根据错误的类型改变反馈控制来根据情况有效地确定合适的反馈控制方法。
与上述示例不同，在根据所述方案确定的设定流量的基础上，可以基于泵440的流动压力数据计算预测流量数据。
在上述示例中，已经作为示例描述了通过改变阀460的开闭比率来执行对排放流量的反馈控制的情况，但是本发明并不限于此。例如，控制器470可以通过控制泵440来控制设定流量。
另外，在上述示例中，已经作为示例描述了执行在工艺室300中清洁基板的清洁工艺的情况，但是本发明并不限于此。例如，上述实施例可以同等地或类似地应用于使用液体的各种工艺，例如通过向基板供应光致抗蚀剂来在基板的表面上形成涂膜的涂覆工艺。
前述详细描述示出了本发明。并且，以上内容示出和描述了本发明的示例性实施例，并且本发明可以用于各种其它组合、修改和环境。也就是说，在本说明书公开的本发明的构思的范围、与本公开的范围等同的范围，和/或本领域的技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或更改。前述示例性实施例描述了实现本发明的技术精神的最佳状态，并且在本发明的特定应用领域和用途中所需的各种变化是可能的。因此，以上对本发明的详细描述并非旨在将本发明限于所公开的示例性实施例。此外，所附权利要求也应被解释为包括其它示例性实施例。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的方法，包括：
监测步骤，其计算液体的流量，将计算出的所述液体的测量流量与正常状态下所述液体的设定流量进行比较，并且确定所述测量流量是否发生错误；以及
当在所述监测步骤中确定所述测量流量发生错误时进行的反馈步骤，所述反馈步骤对排放到所述基板的所述液体的排放流量执行反馈控制，
其中，所述反馈步骤确定所述错误的类型，并且根据所述错误的所确定的类型来不同地执行所述反馈控制。
2.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中，所述错误的所述类型包括：
第一错误状态，在所述第一错误状态下，所述测量流量偏离所述设定流量的范围，但计算所述测量流量；和
第二错误状态，在所述第二错误状态下，不计算所述测量流量。
3.根据权利要求2所述的用于处理基板的方法，其中，所述反馈步骤包括在所述第一错误状态下执行的第一反馈模式，
其中，所述第一反馈模式改变反馈控制的周期、所述设定流量的范围、以及配置为控制所述排放流量的阀的开闭比率中的至少一者。
4.根据权利要求3所述的用于处理基板的方法，其中，在所述第一反馈模式中，所述反馈控制的周期被调整为比所述正常状态的反馈控制的周期更短。
5.根据权利要求3所述的用于处理基板的方法，其中，在所述第一反馈模式中，降低所述设定流量范围的上限并且提高所述设定流量范围的下限。
6.根据权利要求3所述的用于处理基板的方法，其中，在所述第一反馈模式中，所述阀的开闭比率被调整为比所述正常状态的所述阀的开闭比率更小。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的用于处理基板的方法，其中，所述反馈步骤还包括在所述第二错误状态下执行的第二反馈模式，并且
所述第二种反馈模式基于所述设定流量来计算所述液体的当前预测流量数据，并且基于所述预测流量数据执行对所述排放流量的反馈控制。
8.根据权利要求7所述的用于处理基板的方法，其中，在所述监测步骤中，所述测量流量在所述液体流动通过的管道的一个点处振荡超声波，在所述管道的另一点处接收所述超声波，并且测量和计算所述超声波从所述一个点到所述另一点的到达时间。
9.根据权利要求8所述的用于处理基板的方法，其中，当所述液体中存在气泡时发生所述错误。
10.根据权利要求9所述的用于处理基板的方法，其中，所述第一错误状态包括振荡到所述管道中的所述超声波被所述气泡折射并被接收，并且所述超声波的信号被延迟的状态。
11.根据权利要求9所述的用于处理基板的方法，其中，所述第二错误状态包括振荡到所述管道中的超声波被所述气泡折射，但未接收到所述超声波的信号的状态。
12.根据权利要求1所述的用于处理基板的方法，其中，所述液体包括清洁所述基板的清洁液。
13.一种用于控制流量的方法，所述方法包括：
监测步骤，其在液体流动通过的管道中的一个点处振荡超声波，在所述管道的另一点处接收所述超声波，测量所述超声波从所述一个点到所述另一点的到达时间以计算所述管道中流动的所述液体的测量流量，并且通过将所述测量流量与正常状态下所述液体的设定流量进行比较来确定所述测量流量的错误；
反馈模式设定步骤，其确定错误的类型；以及
反馈步骤，其根据在所述反馈模式设定步骤中确定的错误的所述类型，不同地执行对排放到目标的所述液体的排放流量的反馈控制，
其中，所述反馈步骤包括：
在第一错误状态下执行的第一反馈模式，在所述第一错误状态下，所述测量流量在所述测量流量偏离所述设定流量的范围的状态下被计算；和
在第二错误状态下执行的第二反馈模式，在所述第二错误状态下，不计算所述测量流量。
14.根据权利要求13所述的用于控制流量的方法，其中，所述第一反馈模式改变所述反馈控制的周期、所述设定流量的所述范围、以及调节所述排放流量的阀的开闭比率中的至少一者。
15.根据权利要求13所述的用于控制流量的方法，其中，所述第二反馈模式基于所述正常状态下的所述设定流量来计算预测流量数据，并且基于所述预测流量数据来执行对所述排放流量的反馈控制。
16.根据权利要求13所述的用于控制流量的方法，其中，所述错误是所述管道中存在的所产生的气泡。
17.一种用于处理基板的设备，包括：
支撑单元，所述支撑单元配置为支撑所述基板；
喷嘴，所述喷嘴配置为将液体排放到由所述支撑单元支撑的基板；
管道，所述管道连接到所述喷嘴以允许所述液体在内部流动；
传感器，所述传感器配置为在所述管道内的一个点处振荡超声波并且在所述管道内的另一点处接收所述超声波；
阀，所述阀安装在所述管道中并且配置为控制所述管道的开闭比率；以及
控制器，所述控制器配置为测量所述超声波从一个点到另一点的到达时间以计算所述管道中流动的液体的测量流量，并且根据所述测量流量执行对所述阀的开闭比率的反馈控制,
其中，所述控制器配置为通过将所述测量流量与正常状态下所述液体的设定流量进行比较来确定所述测量流量的错误，并且根据所确定的错误的类型而不同地执行对所述阀的所述开闭比率的反馈控制。
18.根据权利要求17所述的用于处理基板的设备，其中，当所述测量流量偏离所述设定流量的范围但不计算所述测量流量时，所述控制器配置为改变所述反馈控制的周期、所述设定流量的范围、以及所述阀的所述开闭比率中的至少一者。
19.根据权利要求17所述的用于处理基板的设备，其中，当不计算所述测量流量时，所述控制器配置为基于所述正常状态下所述液体的设定流量来计算当前液体的预测流量数据，并且基于所述预测流量数据来执行对所述阀的所述开闭比率的反馈控制。
20.根据权利要求17所述的用于处理基板的设备，其中，所述传感器是压电元件。
CN202211716243.6A 2021-12-29 2022-12-29 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 Pending CN116364600A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210191439 2021-12-29
KR10-2021-0191439 2021-12-29
KR10-2022-0158095 2022-11-23
KR1020220158095A KR20230101704A (ko) 2021-12-29 2022-11-23 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116364600A true CN116364600A (zh) 2023-06-30

Family

ID=86897743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211716243.6A Pending CN116364600A (zh) 2021-12-29 2022-12-29 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230205235A1 (zh)
CN (1) CN116364600A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11975343B1 (en) * 2022-10-31 2024-05-07 Illinois Tool Works Inc. Automated pressure control system and method for a cleaner

Also Published As

Publication number Publication date
US20230205235A1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6158447A (en) Cleaning method and cleaning equipment
KR102063322B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN109545704B (zh) 药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置
CN106328490B (zh) 用于处理基板的方法和装置
JP2007123393A (ja) 基板処理装置
KR19990029867A (ko) 처리장치
KR20110098619A (ko) 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체, 기판 처리 장치 및 차압식 유량계의 이상 검출 방법
CN116364600A (zh) 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法
KR20220068923A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102222456B1 (ko) 처리액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR102149485B1 (ko) 약액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR20160148464A (ko) 처리 장치, 처리 방법 및 기억 매체
US7549428B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20120015928A (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
US20080163900A1 (en) Ipa delivery system for drying
KR102375623B1 (ko) 유량 측정 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고 유량 측정 방법
KR102193669B1 (ko) 압력 측정 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230101704A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102103508B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20100046811A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US11772115B2 (en) Substrate treating apparatus and treatment liquid dispensing method for controlling a temperature of treatment liquid
KR102096953B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
US20230207306A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
US20240128101A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11869778B2 (en) Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination