CN116348946A - 显示器下传感器操作 - Google Patents

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Abstract

示例方法包括基于多个帧中的帧的图像数据来在该帧的非发射时段期间对计算设备的显示器的多个像素中的像素进行编程；使多个像素中的像素在该帧的发射时段期间发射光，其中，像素在发射时段期间发射的光量是基于编程；以及通过至少使一个或多个传感器在该帧的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射通过显示器来同步一个或多个传感器的操作和多个像素的操作。

Description

显示器下传感器操作
本申请要求2020年7月6日提交的美国临时申请序列号63/048,495的权益，其全部内容通过引用并入本文。
背景技术
诸如蜂窝电话和所谓的智能电话的计算设备可能包括显示器，通过所述显示器来呈现图像(包括形成视频、动画等的图像序列和/或计算机生成的用户界面和其它形式的图像)。由于智能电话和诸如膝上型计算机、智能手表、智能眼镜、智能集线器、扩展现实(XR)设备等的其它类型的电力受限设备可能会消耗来自诸如电池的电力受限源的电力，与普通LED显示器相比，这些电力受限设备可能会采用更电力高效的显示器，诸如有机发光二极管(OLED)显示器(包括有源矩阵OLED-AMOLED显示器)。
此外，为了提供更舒适的观看体验，电力受限设备可能采用更大的显示器。为了增加显示器的尺寸，可能将各种传感器配置成在显示器下方操作(可能被称为“显示器下传感器”)，由此避免减损观看体验的对显示器的槽口、孔或其它修改。虽然与具有槽口、孔或其它修改的显示器(可能被称为“修改的显示器”)相比，允许显示器下传感器的显示器(可能被称为“直通显示器”)的尺寸和形状可能改善，但是与修改的显示器呈现的图像相比，直通显示器可能呈现包含更多噪声的图像。
发明内容
技术的各个方面涉及一种计算设备，该计算设备被配置成使显示器(诸如有机发光二极管——OLED——显示器或有源矩阵OLED——AMOLED——显示器)的操作与位于显示器下方的操作通过显示器的传感器的操作同步。在操作时，位于显示器下方的一个或多个传感器可能会发射直通过显示器的电磁辐射。例如，接近传感器可能发射红外(IR)光通过显示器，接收包括一些发射的光的返回信号，并基于返回信号确定传感器与另一对象之间的距离。一个或多个传感器发射电磁辐射可能会干扰显示器的操作。例如，电磁辐射可能会改变显示器中一个或多个像素的亮度值，这可能对用户而言是不期望看到的。根据本公开的一种或多种技术，计算设备可以将传感器的操作与显示器的操作同步。例如，一个或多个传感器可能在显示器操作的恰当时间(例如，就在显示器的像素将被编程之前)发射电磁辐射，以便最小化亮度值改变的可见影响。
技术的各个方面涉及一种计算设备，该计算设备被配置成使显示器(诸如有机发光二极管——OLED——显示器或有源矩阵OLED——AMOLED——显示器)的操作与位于显示器下方的操作通过显示器的传感器的操作同步。在操作时，位于显示器下方的一个或多个传感器可能会发射直通过显示器的电磁辐射。例如，接近传感器可能发射红外(IR)光通过显示器，接收包括一些发射的光的返回信号，并基于返回信号确定传感器与另一对象之间的距离。一个或多个传感器发射电磁辐射可能会干扰显示器的操作，诸如通过改变显示器中一个或多个像素的亮度值，这可能对用户而言是不期望看到的。取决于电磁辐射的发射定时，亮度值可能会增加或减少。根据本发明的一种或多种技术，计算设备可能将传感器的操作与显示器的操作同步。例如，一个或多个传感器可能在交替时间发射电磁辐射，以便引起像素亮度值的交替增加和减少。亮度降低的交替增加可能在视觉上相互抵消，由此最小化亮度值改变的可见影响。
在一个示例中，技术的各个方面涉及一种计算设备，该计算设备包括：显示器，该显示器包括多个像素；一个或多个传感器，该一个或多个传感器被定位在显示器下方，并被配置成在操作期间发射电磁辐射通过显示器；以及一个或多个处理器，该一个或多个处理器被配置成：基于多个帧中的帧的图像数据，在该帧的非发射时段期间对多个像素中的像素进行编程；使多个像素中的像素在帧的发射时段期间发射光，其中，像素在发射时段期间发射的光量基于编程；以及通过至少使一个或多个传感器在帧的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射来同步一个或多个传感器的操作与多个像素的操作。
在另一示例中，技术的各个方面涉及一种方法，该方法包括：基于多个帧中的帧的图像数据，在该帧的非发射时段期间对计算设备的显示器的多个像素中的像素进行编程；使多个像素中的像素在帧的发射时段期间发射光，其中，像素在发射时段期间发射的光量基于编程；以及通过至少使一个或多个传感器在帧的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射通过显示器来同步一个或多个传感器的操作与多个像素的操作。
本说明书的主题的一个或多个示例的细节在附图和以下描述中阐述。本主题的其他特征、方面和优点将从描述、附图和权利要求中变得显而易见。
附图说明
图1A和1B是图示被配置以执行本公开中所描述的图像修改技术的各个方面的示例计算设备的图。
图2是更详细地图示当被配置以执行本公开中描述的图像修改技术的各个方面时图1A和图1B的示例中所示的计算设备的图。
图3是更详细地图示包括在图2的示例中所示的计算设备中的显示系统的示例像素电路的图。
图4是图示设备的显示器的各种信号的概念图。
图5是图示设备的显示器的各种信号的概念图。
图6是图示设备的显示器的各种信号的概念图。
图7是图示根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。
图8是图示根据本公开的一种或多种技术的使显示器下电磁发射的操作与显示操作同步的设备的组件的框图。
图9是图示根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。
图10A-10C是图示根据本公开的一种或多种技术的用于显示器下电磁发射的同步操作的设备的信号的概念图。
图11是图示根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。
图12是图示根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。
图13是图示根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。
图14是图示根据本公开的一种或多种技术的用于使显示器的操作与显示器下方的传感器的操作同步的方法的流程图。
图15是图示根据本公开的一种或多种技术的用于使显示器的操作与显示器下方的传感器的操作同步的方法的流程图。
具体实施方式
图1A和图1B是示出被配置成执行本公开中所述的图像修改技术的各个方面的示例计算设备100的视图。计算设备100可能包括显示器110和显示器下传感器120(“UDS120”)。图1A示出了计算设备100的前透视图。图1B示出了计算设备100的示例横截面图。
首先参考图1A的示例，计算设备100可能表示任何类型的计算设备，诸如智能电话、智能电视、智能手表、智能眼镜、膝上型计算机、手持游戏控制台、智能集线器、智能显示器等。显示器110可能包括形成显示器面板的发光像素阵列。在操作中，显示器110可能通过根据图像数据激活发光像素来显示图像。显示器110可以是例如有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器或其它类型的OLED显示器、发光二极管(LED)显示器和/或液晶显示器(LCD)。计算设备100包括UDS 120，所述UDS 120当从图1A的示例中所示的前透视图考虑时，被定位在显示器110下方。
参考图1B，计算设备100的横截面的顶层包括显示器110，所述显示器110表示盖板玻璃106、偏光膜108、显示器面板109、透明PET膜111以及(显示器110而非计算设备100的)后盖板112的布置。偏光膜108被布置在盖板玻璃106下方。表示发光像素的阵列的显示器面板109被布置在偏光膜108下方，其中，透明PET膜111(表示一种类型的聚酯膜)被布置在显示器面板109下方。后盖板112被布置在透明PET膜111下方。
UDS 120被至少部分地布置在显示器110下方。例如，从计算设备100的横截面视图来看，UDS 120可能位于显示器面板110下方。在一些示例中，UDS 120可能耦合到计算设备100的主板或其它逻辑电路，而在其它示例中，UDS 120可能耦合到显示器110的后盖板112。
UDS 120可能包括发射器124和接收器114。在操作中，发射器124发射和/或引导电磁辐射通过至少部分地形成显示器面板109的像素阵列，例如，以透射的脉冲122的形式。接收器114可能接收通过至少部分地形成显示器面板109的像素阵列的电磁能量的返回脉冲116。
UDS 120可能表示例如红外(IR)传感器，所述红外(IR)传感器发射和接收电磁光谱的IR频带中的电磁能。因此，UDS 120可能表示近IR传感器或短波长IR传感器。此外，在一些示例中，UDS 120可能表示UV传感器、LIDAR传感器或RADAR传感器。在一些示例中，UDS120可能发射和接收电磁频谱频带范围内的电磁能量。例如，UDS 120发射的电磁辐射可能包括红外辐射、紫外辐射或无线电波辐射中的一种或多种。在一些情况下，UDS 120可能表示多于一个的电磁传感器120。
当表示电磁传感器时，UDS 120可以促进例如对诸如电视、分线盒、声音系统、游戏系统、智能电视、智能扬声器、智能手表、智能眼镜等设备的远程和/或无线控制。在这些电磁示例中，UDS 120可能提供IR照明。当用于IR照明时，UDS 120可能将IR辐射投射到一区域，并接收从该区域中的对象反射的IR辐射。以这种方式，UDS 120可能表示电磁传感器，所述电磁传感器被配置成与可见光相机结合来发射和接收IR辐射，以在黑暗灯光下捕捉区域的图像。
当表示电磁传感器时，UDS 120使用发射器124发射电磁辐射，例如，IR脉冲，所述发射器124被配置成干扰显示器面板109的像素阵列内的电路。IR干扰可以引起视觉显示伪影出现在显示器面板109上。作为一个示例，IR干扰可能引起像素发亮，导致在UDS 120上方的显示器面板110上出现点。点亮度强度可能高于其被编程的水平。作为另一示例，IR干扰可能引起像素变暗，导致在UDS 120上方的显示器面板110上出现点。点亮度强度可能低于其被编程的水平。
亮/暗点的尺寸、形状和强度可能取决于UDS 120的特性。例如，较大尺寸的发射器124可能产生导致出现较大尺寸的点的更多的IR干扰。在一些示例中，较小波长的电磁辐射可能引起附加的干扰，并导致UDS 120附近或上方的像素输出不同的亮度强度。UDS 120可能对显示器面板109的像素阵列内的像素具有不同的影响。例如，位置紧邻UDS 120位置(例如，直接在UDS 120上方或附近)的像素可能比更远离UDS 120的像素受到更大的干扰。在一些示例中，具有更宽视场的发射器124可能由于显示器面板109内更多像素的改变而产生更大的点。
因此，显示器110可以允许一个或多个传感器在显示器110下方操作，其中，传感器信号和其它外部信号可以直通显示器110(可能被表示为“直通显示器110”)的各个层。为了促进直通显示器110的直通性质，在直通显示器110的构造期间，在直通显示器110下方的UDS120位置上方和/或附近的位置处可能省略直通显示器110上的各种后覆盖物。也就是说，直通显示器110可能包括后盖板，该后盖板通过在UDS 120位置上方和/或附近的后盖板112区域中去除的泡沫(或其它类型的垫子)和铜(Cu)膜形成。后盖板112的省略允许传感器信号和其它外部信号(例如，光)直通显示器110，其中，这样的UDS 120的示例包括环境光传感器、相机、指纹传感器、接近传感器或其它类型的光学传感器、电磁传感器等。
根据本公开的一种或多种技术，计算设备100可能使显示器110的操作与UDS 120的操作同步。作为一个示例，UDS 120可能在显示器110的操作中使由发射导致的白点可能可见的时间量最小化的点处发射电磁辐射。例如，如下文进一步详细讨论的，UDS 120可能正好在UDS 120上方的显示器110的像素被编程之前发射电磁辐射。由于显示器110的编程像素可能消除由从UDS 120发射电磁辐射引起的任何改变，因此正好在编程之前发射电磁辐射可能减少由发射导致的白点可能可见的时间量。
作为另一示例，UDS 120可能在显示器110的操作中的点处发射电磁辐射，以便抵消由发射导致的点的视觉影响。如下文进一步详细讨论的，取决于UDS 120何时发射电磁辐射，结果可能是暗点或亮点。因此，UDS 120可能与显示器110的操作同步地在交替的发射点发射电磁定量，从而交替地引起暗点和亮点。交替的暗点和亮点可能在视觉上抵消，由此减少UDS 120的发射影响。
图2是更详细地示出图1A和图1B中所示的、当被配置成执行本公开中所述的图像修改技术的各个方面时的计算设备的视图。如图2的示例中所示，显示器200可能表示显示器110的示例，其中，显示器200表示包括发光像素阵列212的OLED显示系统。每个发光像素包括OLED。
包括SCAN/EM驱动器208和数据驱动器210的驱动器可能驱动OLED显示器200。SCAN/EM驱动器208可能是集成的，即，堆叠的行线驱动器。在一些示例中，SCAN/EM驱动器208识别显示器中的像素行，并且数据驱动器210向选定行中的像素提供数据信号(例如，电压数据)，以使OLED根据图像数据输出光。诸如扫描线、EM线和数据线之类的信号线可能用于控制像素以在显示器上显示图像。虽然图2将OLED显示器200示出为在一侧上具有SCAN/EM驱动器208，但是与这样的驱动器被放置在OLED显示器200的仅左侧或仅右侧上相比，SCAN/EM驱动器208可能被布置在显示器200的左侧和右侧两者上，以改善驱动性能(例如，速度)。
OLED显示器200包括像素阵列212，像素阵列212包括多个发光像素，例如，像素P11至P43。像素是显示器上的一个小元素，可以基于被供应给像素的图像数据而使颜色变化。可以单独寻址像素阵列212内的每个像素以产生各种颜色强度。像素阵列212在平面中延伸，并且包括行和列。
每一行水平地横跨像素阵列212延伸。例如，像素阵列212的第一行220包括像素P11、P12和P13。每一列垂直地向下延伸像素阵列212。例如，像素阵列212的第一列230包括像素P11、P21、P31和P41。为了便于说明的目的，图2中仅示出了像素的子集，OLED显示器200可能包括数百、数千或数百万像素(并且在高分辨率显示器中可能更多)。实际上，像素阵列212中可能有几百万个像素。更多数量的像素可以使分辨率更高。
OLED显示器200包括SCAN/EM驱动器208和数据驱动器210。SCAN/EM驱动器向像素阵列212的行供应SCAN和EM信号。在图2的示例中，SCAN/EM驱动器208经由扫描线S1至S4供应扫描信号并经由EM线E1至E4供应EM信号到相应像素行。数据驱动器210向像素阵列212的列供应信号。在图2的示例中，数据驱动器210经由数据线D1至D4向像素列供应数据信号。
像素阵列212中的每个像素可通过水平扫描线和EM线以及垂直数据线寻址。例如，像素P11可由扫描线S1、EM线E1和数据线D1寻址。在另一示例中，像素P32可由扫描线S3、EM线E3和数据线D2寻址。
SCAN/EM驱动器208和数据驱动器210向像素提供信号，使像素能够再现图像。SCAN/EM驱动器208和数据驱动器210经由扫描线、发射线和数据线向像素提供信号。为了向像素提供信号，SCAN/EM驱动器208选定扫描线并控制像素的发射操作。数据驱动器210向可由选定的扫描线寻址的像素提供数据信号，以根据图像数据点亮选定的OLED。
扫描线按顺序对每一帧寻址。一帧是被显示的一系列图像中的单个图像。扫描方向确定扫描线被寻址的顺序。在OLED显示器200中，扫描方向是从像素阵列212的顶部到底部。例如，扫描线S1首先被寻址，然后是扫描线S2，然后是S3，等等。
OLED显示器200包括控制器206，控制器206接收显示输入数据202。控制器206从显示输入数据202生成扫描控制信号222和数据控制信号224。扫描控制信号222可能驱动SCAN/EM驱动器208。数据控制信号224可能驱动数据驱动器210。控制器206通过扫描控制信号222控制扫描信号和EM信号的定时。控制器206通过数据控制信号224控制数据信号的定时。
控制器206还可以控制UDS 120的定时。控制器206可以通过传感器控制信号226控制UDS 120的定时，传感器控制信号226也可能被称为同步信号。传感器控制信号226可能包括开始和停止信号。控制器206可能向UDS 120发送开始信号以允许UDS 120发射电磁辐射，例如，IR脉冲。控制器206可能向UDS 120发送停止信号，以使UDS120中止发射电磁辐射，或防止UDS 120发射电磁辐射。
控制器206可以同步扫描控制信号222、数据控制信号224和传感器控制信号226，以减少UDS 120发射与像素光发射之间的干扰。例如，控制器206可能使传感器控制信号226与扫描控制信号222同步，以防止UDS 120在位于UDS 120附近的像素行的EM信号脉冲期间发射电磁能量。控制器206还可能使传感器控制信号226与扫描控制信号222同步，以防止UDS 120在针对位于UDS 120附近的像素行的扫描时段期间发射电磁辐射。
图3是更详细地示出图2的示例中所示的计算设备中所包括的显示系统的示例像素电路的示例像素电路视图。在图3的示例中更详细地示出了显示系统200(上文关于图2的示例讨论的)的像素P11。像素P11表示有源矩阵OLED(AMOLED)像素。像素P11可由水平扫描线S1、发射线E1、垂直数据线D1和初始化信号线I1寻址。像素P11接收来自扫描线S1的扫描信号“SCAN”、来自数据线D1的数据电压“DATA”以及来自发射线E1的发射信号“EM”。像素P11还从初始信号线I1接收初始化信号“SINIT”。像素P11接收电源电压VDD和初始参考电压VINIT。像素P11连接到公共地线VSS。
像素P11包括有机发光二极管(OLED)320。OLED 320包括响应于电流IOLED发射光的有机化合物层。有机层被定位在两个电极之间：阳极和阴极。电流源电路310接收供电电压VDD并驱动OLED 320以发射光。
像素P11包括储存电容器CST。储存电容器CST可以在像素P11的照明期间维持栅极电压VG。
像素P11还包括多个p-沟道开关薄膜晶体管(TFT)。开关TFT包括信号TFT(TSW_S)、初始化TFT(TSW_I)和发射TFT(TSW_E)。在一些示例中，开关TFT可以是具有相反极性控制信号的n-沟道晶体管。
在操作期间，开关TFT TSW_S基于从扫描线S1接收到SCAN信号开始和停止对储存电容器CST的充电。在寻址时段期间，扫描线S1接通开关TFT TSW_S。开关TFT TSW_S将数据电压DATA从数据线D1提供给储存电容器CST和电流源电路310。
像素P11由以下控制信号编程：SCAN、SINIT、EM和DATA。OLED电流IOLED随栅极电压VG而变化。当栅极电压VG稳定时，像素P11在整个帧时间内维持稳定亮度，显示的光对应于所编程的所供应图像数据。帧时间或帧时段是一帧开始与下一帧开始之间的时间量。帧时间可以是显示系统的帧速率的倒数。例如，每秒60帧(fps)的帧速率对应于1/60秒或0.0167秒的帧时间。
当电流源电路310通过开关TFT TSW_S接收到数据电压DATA时，电流源电路310基于接收到的数据电压DATA向OLED 320提供指定电流IOLED，使得OLED 320根据电流IOLED发射光。所发射的光的强度或亮度取决于施加的电流IOLED的量。与引起较低的相对亮度的较低的电流相比，较高的电流可以引起更亮的光。因而，从OLED 320发射的光的强度基于对应于各个像素的图像数据的数据电压DATA。储存电容器CST维持像素状态(例如，储存栅极电压电平VG)，使得像素P11在寻址时段之后保持连续照明。
暴露于电磁辐射可能引起泄漏电流Ileakage从储存电容器CST流过TFT TSW_I。泄漏电流Ileakage可能影响OLED电流IOLED，引起像素P11的照明水平发生变化。
虽然图2和图3示出了OLED显示器的示例组件，但是所述技术可能应用于包括像素阵列的任何面板显示器。例如，用于减少由于电磁辐射引起的伪影的过程可以应用于发光二极管(LED)面板、液晶显示器(LCD)和等离子显示面板(PDP)。
图4是示出设备的显示器的各种信号的概念图。针对诸如显示器110的显示器的第n个像素行中的第k个像素，图4的信号EM[n]、SINIT[n]、SCAN[n]和DATA[k]可能对应于来自图3的信号EM、SINIT、SCAN和DATA。如图4中所示，在非发射时段期间(例如，当EM[n]高时)，控制器(例如，生成信号EM[n]、SINIT[n]、SCAN[n]和DATA[k]的一个或多个处理器，诸如图2的控制器206)可以通过将SINIT[n]输出为低来初始化栅极电压电平VG(例如，擦除，变为VINIT)(例如，在TSW_I是p-沟道开关的情况下，在TSW_I是n-沟道开关的情况下控制器可以输出SINIT[n]为高来初始化栅极电压电平)，以便断开开关TSW_I。在初始化之后，控制器可以通过将SCAN[n]输出为低来断开开关TSW_S而编程栅极电压电平VG。以这种方式，控制器可以使电路储存表示特定像素的发射强度的电压电平。当控制器将EM[n]输出为低时，显示器可以在发射时段中操作，其中，发射元件(例如，图3的320)发射具有基于栅极电压电平VG的强度的电磁辐射(例如，可见光)。
图5是示出设备的显示器的各种信号的概念图。图5的信号可能表示计算设备的显示器(诸如图1A的计算设备100的显示器110)的信号。如图5中所示，显示器的操作可以分为非发射时段504A和504B(统称为“非发射时段504”)以及发射时段506A和506B(统称为“发射时段506”)。如上文讨论的(例如，参考图4)，控制器206可能在非发射时段504期间对像素的栅极电压电平进行编程，并且可能使发射元件在发射时段506期间发射具有基于其对应栅极电压电平的强度的电磁辐射。例如，在发射时段506A期间，发射元件可以以在非发射时段504A期间编程的强度(例如，编程的照明水平)发射电磁辐射。类似地，在发射时段506B期间，发射元件可能以在非发射时段504B期间编程的强度发射电磁辐射。非发射时段504可能被称为像素消隐时间/像素关断时间。图像数据的每一帧可能包括在其期间像素被编程的相应非发射时段，以及在其期间像素基于编程发射一定光量的发射时段。
图6是示出设备的显示器的各种信号的概念图。图6可能对应于图5，但添加了传感器发射和由此产生的亮度水平改变。如图6中所示，当诸如UDS 120的传感器在发射时段506的发射时段期间发射电磁辐射时，传感器上方的一个或多个像素的亮度水平可能在发射时段的剩余部分内改变。例如，如上文讨论的，传感器的电磁辐射可以至少部分断开开关TSW_I，这可能导致泄漏电流(例如，图3的ILeakage)增加。该泄漏电流可能导致储存在电容器CST中的栅极电压降低，进而可能导致电流IOLED增加(例如，在图3的电流源电路310为p-沟道的情况下)。这种增加的电流IOLED可能导致发射元件(例如，OLED 320)的亮度值增加。以这种方式，一个或多个传感器发射电磁辐射可能修改所储存的电压电平。
根据本公开的一种或多种技术，控制器(例如，控制器206)可能同步显示器和显示器下方的传感器的操作，以最小化传感器发射引起的亮度改变的视觉外观。例如，控制器可能使一个或多个传感器在帧的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射。作为一个示例，为了使一个或多个传感器在发射时段的特定部分期间发射电磁辐射，控制器可以使一个或多个传感器在发射时段结束的附近发射电磁辐射。图7是示出根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。如图7中所示，通过使一个或多个传感器在发射时段结束附近发射电磁辐射，控制器可以减少发射元件(例如，OLED)以改变的亮度水平发射光的时间量。
在一些示例中，为了使一个或多个传感器在发射时段快结束时发射电磁辐射，控制器可能进行以下中的一个或两者：使一个或多个传感器在发射时段的最终子部分期间发射电磁辐射；和抑制使一个或多个传感器在除了发射时段的最终子时段之外的发射时段的部分期间发射电磁辐射。在一些示例中，最终子部分可能被定义为发射时段的总时间的最后百分比。例如，最终子部分可能是发射时段的最后1％、5％、10％、20％、30％、40％。在一些示例中，最终子部分可能被定义为从发射时段结束的时间偏移。例如，最终子部分可能在离发射时段结束1毫秒(ms)、2ms、5ms、10ms、50ms时开始，并在发射时段结束时终止。
在一些示例中，为了使一个或多个传感器在发射时段结束附近发射电磁辐射，控制器可能进行以下中的一个或两者：使一个或多个传感器在预定延迟时段之后发射电磁辐射；和在预定延迟时段期满之前抑制使一个或多个传感器发射电磁辐射。预定延迟时段可以是从帧中的特定点的时间量。例如，预定延迟时段可以是离发射时段开始的时间量、离发射时段之前的非发射时段开始的时间量，或信号的另一其它特征。
图8是示出根据本公开的一种或多种技术的使显示器下的电磁发射的操作与显示器的操作同步的设备的组件的方框图。如上文讨论的，设备的一个或多个处理器(例如，控制器206)可以使显示器的操作与显示器下方的传感器的操作同步。在一些示例中，一个或多个处理器可以通过向传感器和/或显示器输出引起一些操作的信号来实现同步。例如，在一个或多个处理器包括诸如图8的显示器驱动器集成电路(IC)802的显示器驱动器IC的情况下，一个或多个处理器可以将同步信号(例如，图8的SSYNC)输出到一个或多个传感器(例如，图8的传感器模块806)，所述同步信号使一个或多个传感器发射电磁辐射。显示器驱动器IC 802可以是图2的控制器206的示例。如图8中所示，传感器(例如，传感器模块806)可以位于主系统板上。在这样的示例中，显示器驱动器IC 802可以使用与传感器模块806的任何电连接来提供同步信号。
图9是示出根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下的电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。如上文讨论的，设备的一个或多个处理器可能通过至少使传感器在显示器的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射，来使显示器的操作与显示器下方的传感器的操作同步。根据本公开的一种或多种技术，除了或代替使传感器在显示器的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射，一个或多个处理器可能以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作一个或多个传感器。例如，一个或多个处理器可能使一个或多个传感器在多个帧的第一帧子集期间发射电磁辐射；并且抑制使一个或多个传感器在多个帧的第二帧子集期间发射电磁辐射。因此，在一些示例中，一个或多个传感器可能在连续帧的发射时段期间不发射电磁辐射。作为一个具体示例，传感器频率可能是显示器帧频率的一半(例如，在显示器帧频率为60Hz的情况下，传感器频率可能为30Hz)，使得第一帧子集包括偶数帧或奇数帧之一，并且第二帧子集包括偶数帧或奇数帧中的另一个。其它分数是可能的，诸如三分之一，四分之一…等。以这种方式，一个或多个传感器可能每‘n’个显示器帧发射一次，而不是每帧都发射电磁辐射，其中，‘n’可以是2、3、...、12等帧。通过以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作一个或多个传感器，一个或多个处理器可能减少由于传感器操作而创建的任何点的视觉外观。例如，通过使用为显示器帧频率的一半的传感器操作频率，一个或多个处理器可能将白点的视觉外观减半(例如，平均白点强度减少一半)。
虽然相对于显示器帧频率降低传感器操作频率可能提供优势，但是当传感器操作频率降得太低时，这些优势可能会降低。例如，如果传感器操作频率为1Hz，则导致的亮点可能显现为闪烁，这可能比更亮但静态的点更分散注意力。因此，根据本发明的一种或多种技术，一个或多个处理器可能抑制使用低于阈值(例如，4Hz)的传感器操作频率。
图10至图10C是示出根据本公开的一种或多种技术的用于显示器下方的电磁发射的同步操作的设备信号的概念图。图10至图10C中的每一个示出了一个或多个处理器可能如何同步显示器和发射光通过显示器的传感器的操作的不同示例。如图10A至图10C中所示，诸如图8的显示器驱动器IC 802的控制器可能输出包括使一个或多个传感器发射电磁辐射的脉冲的同步信号。在控制器输出同步脉冲时，一个或多个传感器可能不会立即发射电磁辐射。相反，在一些示例中，一个或多个传感器可能在来自同步脉冲的发射器延迟时间之后发射电磁辐射。控制器可能用该发射器延迟时间(以下称为TDP)进行编程，并且可能在输出同步脉冲时考虑该延迟时间。
如上文讨论的，一个或多个处理器可能使用小于显示器帧频率的传感器操作频率使传感器与显示器同步。图10A至图10C示出了其中传感器操作频率为显示器帧频率的一半的示例，虽然如上文讨论的，其它比率是可能的。在图10A的示例中，一个或多个处理器可能通过每隔一帧输出同步脉冲来实现为显示器帧频率的一半的传感器操作频率。在图10B的示例中，一个或多个处理器可能通过每一帧输出同步脉冲来实现为显示器帧频率的一半的传感器操作频率，并且传感器可能对同步脉冲进行计数并且每X个脉冲发射一次(针对是显示器帧频率的一半的传感器操作频率，每两个脉冲发射一次)。在图10C的示例中，诸如低功率微控制器(uC)的第二控制器可能被定位在输出同步脉冲的第一控制器(例如，DDIC 802)与传感器之间。第二控制器可能从第一控制器接收第一同步脉冲(SSYNC1)(例如，以显示器帧频率)，并且将第二同步脉冲(SSYNC2)输出到传感器(例如，以传感器操作频率)。
图11是示出根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下方的电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。如上文讨论的，取决于传感器(例如，UDS 120)何时发射电磁辐射，传感器上方的像素可能显现为暗点或亮点。例如，在像素的发射时段期间发射电磁辐射可能引起像素显现为亮点。可替选地，在像素的非发射时段期间发射电磁辐射可能引起像素显现为暗点。
根据本公开的一种或多种技术，设备的控制器可能通过至少使传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射电磁辐射来使传感器的操作与显示器的操作同步。通过传感器在像素的发射时段与非发射时段之间交替发射电磁辐射，控制器可能引起交替的暗点和亮点(例如，亮度的交替增加和减少)。交替的暗点和亮点可能在视觉上相互抵消，由此最小化传感器操作的可见影响。
在一些示例中，为了使一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射电磁辐射，控制器可能使一个或多个传感器在多个帧中的一个帧的发射时段期间发射电磁辐射；并且抑制使一个或多个传感器在多个帧中的后续帧的发射时段期间发射电磁辐射，直到在使一个或多个传感器在非发射时段期间发射电磁辐射之后。因此，在一些示例中，传感器可能在两个发射时段期间不发射电磁辐射，而无需在中间的非发射时段期间也发射电磁辐射。
在一些示例中，为了使一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射电磁辐射，控制器可能使一个或多个传感器在特定发射时段期间发射电磁辐射；并且使一个或多个传感器在与特定发射时段时间相邻的非发射时段期间发射电磁辐射。在一些示例中，特定发射时段和与该特定发射时段时间相邻的非发射时段可能在同一帧中。例如，如图12中所示，特定发射时段可能是发射时段506B，并且与特定发射时段时间相邻的非发射时段可能是非发射时段504B)。在一些示例中，特定发射时段和与特定发射时段时间相邻的非发射时段可能在不同的帧中。例如，如图11中所示，特定发射时段可能是发射时段506A，并且与特定发射时段时间相邻的非发射时段可能是非发射时段504C。
在一些示例中，为了使一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射电磁辐射，控制器可能使一个或多个传感器在多个帧中的第N帧的发射时段期间发射电磁辐射；并且使一个或多个传感器在多个帧中的第N+1帧的非发射时段期间发射电磁辐射。
图13示出了根据本公开的一种或多种技术的具有显示器下方的电磁发射的同步操作的设备的显示器的各种信号的概念图。如上文讨论的，在一些示例中，控制器可能以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作一个或多个传感器。在一些示例中，降低传感器操作频率技术可能与交替发射时段/非发射时段操作组合。例如，如图13中所示，控制器可能使传感器在发射时段506A期间发射电磁辐射，然后抑制使传感器发射电磁辐射，直到非发射时段504D。
另外或可替选地，交替发射时段/非发射时段操作技术可能与使一个或多个传感器在帧的发射时段的特定部分期间发射电磁辐射组合。例如，如图11至图13中所示，当使传感器在发射时段期间发射电磁辐射时，控制器可能使传感器在发射时段结束附近发射电磁辐射。
另外或可替选地，交替发射时段/非发射时段操作技术可能与使一个或多个传感器在帧的发射时段的特定部分期间并且降低传感器操作频率发射电磁辐射组合。例如，如图13中所示，在使传感器在选定的发射时段结束附近发射电磁辐射的同时，控制器可能以降低的传感器操作频率在发射时段与非发射时段之间进行传感器的电磁辐射的所有三个交替发射。
图14是示出根据本公开的一种或多种技术的用于使显示器的操作与显示器下方的传感器的操作同步的方法的流程图。虽然是在图1A和图1B的设备100的背景下描述，但是其它设备也可能执行图14的方法。
设备100可能在帧的非发射时段期间对显示器的像素进行编程(1402)。例如，显示器200的控制器206可能在非发射时段504的非发射时段期间对显示器200的一个或多个像素的栅极电压进行编程(例如，经由数据驱动器210)。如上文讨论的，控制器200可能对显示器200的像素进行逐行编程。也如上文讨论的，控制器200可能使控制信号EM在非发射时段期间处于第一逻辑状态(例如，逻辑高)。
设备100可能在帧的发射时段期间使像素发射光(1404)。例如，在发射时段506的发射时段期间，控制器206可能使像素发射基于特定帧的编程的光量(例如，由特定像素发射的光量可能是特定像素的驱动器的栅极电压的函数)。也如上文讨论的，控制器200可能使控制信号EM在非发射时段期间处于第二逻辑状态(例如，逻辑低)。
根据本公开的一种或多种技术，设备100可能同步一个或多个传感器的操作与像素的操作。例如，设备100可能使传感器120在发射时段506的发射时段和非发射时段504的非发射时段期间交替地发射电磁辐射通过显示器200的像素(1406)。通过传感器120在显示器200的发射时段与非发射时段之间交替发射，设备100可能引起交替的黑点和白点(例如，亮度的交替增加和减少)。交替的黑点和白点可能在视觉上相互抵消，由此最小化传感器操作的可见影响。
图15是示出根据本公开的一种或多种技术的用于使显示器的操作与显示器下方的传感器的操作同步的方法的流程图。虽然是在图1A和图1B的设备100的背景下描述，但是其它设备也可能执行图15的方法。
设备100可能在帧的非发射时段期间对显示器的像素进行编程(1502)。例如，显示器200的控制器206可能在非发射时段504的非发射时段期间对显示器200的一个或多个像素的栅极电压进行编程(例如，经由数据驱动器210)。如上文讨论的，控制器200可能对显示器200的像素进行逐行编程。也如上文讨论的，控制器200可能使控制信号EM在非发射时段期间处于第一逻辑状态(例如，逻辑高)。
设备100可能在帧的发射时段期间使像素发射光(1504)。例如，在发射时段506的发射时段期间，控制器206可能使像素发射基于特定帧的编程的光量(例如，由特定像素发射的光量可能是特定像素的驱动器的栅极电压的函数)。也如上文讨论的，控制器200可能使控制信号EM在非发射时段期间处于第二逻辑状态(例如，逻辑低)。
根据本公开的一种或多种技术，设备100可能同步一个或多个传感器的操作与像素的操作。例如，设备100可能使传感器120在发射时段的特定部分期间发射电磁辐射通过显示器200的像素(1506)。例如，如图11至图13中所示，为了使传感器120在发射时段的特定部分期间发射电磁辐射，控制器206可能使传感器120在发射时段的结束附近发射电磁辐射。由于在发射时段期间传感器120发射的亮度值改变效果可能在随后的非发射时段期间被重置或撤销，所以以这种方式同步传感器120和显示器200的操作可能最小化亮度值改变的可见影响。
以下编号示例可能说明本公开的一个或多个方面：
示例1.一种计算设备，包括：显示器，所述显示器包括多个像素；一个或多个传感器，所述一个或多个传感器被定位在所述显示器下方并被配置成在操作期间发射电磁辐射通过所述显示器；以及一个或多个处理器，所述一个或多个处理器被配置成：基于多个帧中的帧的图像数据，在所述帧的非发射时段期间对所述多个像素中的像素进行编程；使所述多个像素中的像素在所述帧的发射时段期间发射光，其中，所述像素在所述发射时段期间发射的光量是基于所述编程；以及通过至少使所述一个或多个传感器在所述帧的所述发射时段的特定部分期间发射所述电磁辐射来同步所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作。
示例2.根据示例1所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成使所述一个或多个传感器与所述发射时段开始时相比在更靠近所述发射时段结束时发射所述电磁辐射。
示例3.根据示例2所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在更靠近所述发射时段结束时发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成执行以下中的一个或两者：使所述一个或多个传感器在所述发射时段的最终子部分期间发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在除了所述发射时段的最终子时段之外的所述发射时段的部分期间发射所述电磁辐射。
示例4.根据示例3所述的计算设备，其中，所述发射时段的所述最终子部分为所述发射时段的最后20％。
示例5.根据示例1所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成执行以下中的一个或两者：使所述一个或多个传感器在预定延迟时段之后发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在所述预定延迟时段期满之前发射所述电磁辐射。
示例6.根据示例5所述的计算设备，其中，所述预定延迟时段为从所述帧中的特定点起的时间量。
示例7.根据示例1所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步，所述一个或多个处理器被配置成以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作所述一个或多个传感器。
示例8.根据示例7所述的计算设备，其中，为了以所述传感器操作频率操作所述一个或多个传感器，所述一个或多个处理器被配置成执行以下中的一个或两者：使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第一帧子集期间发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第二帧子集期间发射所述电磁辐射。
示例9.根据示例7所述的计算设备，其中，所述传感器操作频率是所述显示器帧频率的整数分数。
示例10.根据示例9所述的计算设备，其中，所述传感器频率是所述显示器帧频率的一半，并且其中，所述第一帧子集包括偶数帧或奇数帧中的一个，并且所述第二帧子集包括偶数帧或奇数帧中的另一个。
示例11.根据示例1所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步，所述一个或多个处理器被进一步配置成使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射。
示例12.根据示例11所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成：使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的后续帧的发射时段期间发射所述电磁辐射，直到在使所述一个或多个传感器在非发射时段期间发射所述电磁辐射之后。
示例13.根据示例11所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成：使所述一个或多个传感器在特定发射时段期间发射所述电磁辐射；和使所述一个或多个传感器在与所述特定发射时段在时间上相邻的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
示例14.根据示例13所述的计算设备，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在同一帧中。
示例15.根据示例13所述的计算设备，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在不同的帧中。
示例16.根据示例11所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成：使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N个帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；以及使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N+1个帧的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
示例17.根据示例1所述的计算设备，其中，为了对所述多个像素中的特定像素编程，所述一个或多个处理器被配置成使电路储存表示所述特定像素的发射强度的电压电平，并且其中，由所述一个或多个传感器进行的电磁辐射的所述发射修改所储存的电压电平。
示例18.根据示例1所述的计算设备，其中，所述电磁辐射包括红外辐射、紫外辐射或无线电波辐射中的一个或多个。
示例19.根据示例1所述的计算设备，其中，所述显示器包括有机发光二极管显示器(OLED)。
示例20.一种方法，包括：基于多个帧中的帧的图像数据来在所述帧的非发射时段期间对计算设备的显示器的多个像素中的像素进行编程；使所述多个像素中的像素在所述帧的发射时段期间发射光，其中，所述像素在所述发射时段期间发射的光量是基于所述编程；以及通过至少使所述一个或多个传感器在所述帧的所述发射时段的特定部分期间发射电磁辐射通过所述显示器来同步一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作。
示例21.根据示例20所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射包括使所述一个或多个传感器与所述发射时段开始时相比在更靠近所述发射时段结束时发射所述电磁辐射。
示例22.根据示例21所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在更靠近所述发射时段结束时发射所述电磁辐射包括以下中的一个或两者：使所述一个或多个传感器在所述发射时段的最终子部分期间发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在除了所述发射时段的最终子时段之外的所述发射时段的部分期间发射所述电磁辐射。
示例23.根据示例22所述的方法，其中，所述发射时段的所述最终子部分为所述发射时段的最后20％。
示例24.根据示例20所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射包括以下中的一个或两者：使所述一个或多个传感器在预定延迟时段之后发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在所述预定延迟时段期满之前发射所述电磁辐射。
示例25.根据示例24所述的方法，其中，所述预定延迟时段为从所述帧中的特定点起的时间量。
示例26.根据示例20所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步包括以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作所述一个或多个传感器。
示例27.根据示例26所述的方法，其中，以所述传感器操作频率操作所述一个或多个传感器包括以下中的一个或两者：使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第一帧子集期间发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第二帧子集期间发射所述电磁辐射。
示例28.根据示例26所述的方法，其中，所述传感器操作频率是所述显示器帧频率的整数分数。
示例29.根据示例28所述的方法，其中，所述传感器频率是所述显示器帧频率的一半，并且其中，所述第一帧子集包括偶数帧或奇数帧中的一个，并且所述第二帧子集包括偶数帧或奇数帧中的另一个。
示例30.根据示例20所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步包括使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射。
示例31.根据示例30所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射包括：使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；和抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的后续帧的发射时段期间发射所述电磁辐射，直到在使所述一个或多个传感器在非发射时段期间发射所述电磁辐射之后。
示例32.根据示例30所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射包括：使所述一个或多个传感器在特定发射时段期间发射所述电磁辐射；和使所述一个或多个传感器在与所述特定发射时段在时间上相邻的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
示例33.根据示例32所述的方法，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在同一帧中。
示例34.根据示例32所述的方法，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在不同的帧中。
示例35.根据示例30所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射包括：使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N个帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；和使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N+1个帧的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
示例36.根据示例20所述的方法，其中，对所述多个像素中的特定像素编程包括使电路储存表示所述特定像素的发射强度的电压电平，并且其中，由所述一个或多个传感器进行的电磁辐射的所述发射修改所储存的电压电平。
示例37.根据示例20所述的方法，其中，所述电磁辐射包括红外辐射、紫外辐射或无线电波辐射中的一个或多个。
示例38.根据示例20所述的方法，其中，所述显示器包括有机发光二极管显示器(OLED)。
示例39.一种存储指令的计算机可读存储介质，所述指令在被执行时，使计算设备的一个或多个处理器执行根据示例20至38中的任意一项所述的方法。
示例40.一种设备，包括：显示器，所述显示器包括多个像素；一个或多个传感器，所述一个或多个传感器被定位在所述显示器下方并被配置成在操作期间发射电磁辐射通过所述显示器；以及装置，所述装置用于执行根据示例20至38中的任意一项所述的方法。
本说明书中描述的主题和功能操作的实施例能够在诸如个人计算机、移动电话、智能电话、智能手表、智能电视、移动音频或视频播放器、游戏机或这些设备中的一个或多个的组合的任何合适的电子设备中实现。
计算设备可以包括各种组件，诸如存储器、处理器、显示器和输入/输出单元。输入/输出单元可以包括例如收发器，该收发器能够与一个或多个网络通信以发送和接收数据。显示器可以是任何合适的显示器，包括例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)或发光二极管(LED)显示器，用于显示图像。
这里描述的系统和技术的各种实现能够在数字电子电路、集成电路、专门设计的ASIC(专用集成电路)、计算机硬件、固件、软件和/或它们的组合中实现。这些各种实现能够包括在一个或多个计算机程序中的实现，该计算机程序在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上可执行和/或可解释，该可编程处理器可以是专用或通用的，耦合以从存储系统、至少一个输入设备和至少一个输出设备接收数据和指令以及向其传送数据和指令。
技术的一个或者多个方面可以被实现为一个或多个计算机程序产品，例如，在计算机可读介质上编码的计算机程序指令的一个或多个模块，以用于由数据处理装置执行或控制数据处理装置的操作。计算机可读介质可以是机器可读存储设备、机器可读存储基板、存储器设备、影响机器可读传播信号的物质的组成或者它们中的一种或多种的组合。术语“数据处理装置”包括用于处理数据的所有装置、设备和机器，例如包括可编程处理器、计算机或多个处理器或计算机。除了硬件之外，装置还可以包括创建用于所讨论的计算机程序的执行环境的代码，例如，构成处理器固件、协议栈、数据库管理系统、操作系统或它们中的一个或多个的组合的代码。传播信号是人工生成的信号，例如机器生成的电、光或电磁信号，其被生成以对信息进行编码，以便传输至合适的接收器装置。
计算机程序(也称为程序、软件、软件应用、脚本或代码)可以以任何形式的编程语言编写，包括编译或解释语言，并且它可以以任何形式部署，包括作为独立程序或作为适合在计算环境中使用的模块、组件、子例程或其他单元。计算机程序不一定对应于文件系统中的文件。程序可以存储在保持其他程序或数据(例如，存储在标记语言文档中的一个或多个脚本)的文件的一部分、专用于所讨论的程序的单个文件中或多个协作文件(例如，存储一个或多个模块、子程序或部分代码的文件)中。计算机程序可以部署在一台计算机上执行，也可以部署在位于一个站点或分布在多个站点并且由通信网络互连的多台计算机上执行。
例如，适用于执行计算机程序的处理器包括通用和专用微处理器以及任何类型的数字计算机的任何一个或多个处理器。通常，处理器将从只读存储器或随机存取存储器或两者接收指令和数据。
计算机的元件可以包括用于执行指令的处理器以及用于存储指令和数据的一个或多个存储器设备。通常，计算机还将包括用于存储数据的一个或多个大容量存储设备(例如，磁性光盘、磁光盘或光盘)或可操作地耦合以从其接收数据或向其传输数据或者这两者。然而，计算机可能不具有这些设备。适于存储计算机程序指令和数据的计算机可读介质包括所有形式的非易失性存储器、介质和存储器设备，包括例如半导体存储器设备，例如EPROM、EEPROM和闪存设备；磁盘，例如内部硬盘或可移动磁盘；磁光盘；以及CD ROM和DVD-ROM磁盘。处理器和存储器可以由专用逻辑电路补充或并入。
虽然本说明书包含许多具体实现细节，但这些不应解释为对所要求保护的范围的限制，而应解释为对特定实施例特定的特征的描述。本文中在单独实施例中描述的某些特征也可以在单个实施例中组合实现。相反，在单个实施例中描述的各种特征也可以在多个实施例中单独实现，或者以任何合适的子组合实现。此外，尽管上述特征可以描述为以某些组合起作用，甚至最初如此要求保护，但在某些情况下，可以从组合中删除所要求保护的组合中的一个或多个特征，并且所要求保护的组合可以涉及子组合或子组合的变型。
类似地，虽然在附图中以特定顺序描述了操作，但这不应理解为要求以所示的特定顺序或以连续顺序执行这样的操作，或者要求执行所示出的操作才能达到期望的结果。在某些情况下，多任务和并行处理可能是有利的。此外，上述实施例中的各种系统模块和组件的分离不应理解为在所有实施例中都需要这样的分离，并且应当理解，所描述的程序组件和系统通常可以集成在单个软件产品中或者封装到多个软件产品内。
已经描述了主题的特定实施例。其他实施例也在以下权利要求的范围内。例如，权利要求书中记载的动作可以按照不同的顺序执行，仍然达到期望的结果。作为一个示例，附图中描绘的过程不一定需要所示的特定顺序或连续顺序来实现期望的结果。在一些情况下，多任务和并行处理可能是有利的。

Claims (40)

1.一种计算设备，包括：
显示器，所述显示器包括多个像素；
一个或多个传感器，所述一个或多个传感器被定位在所述显示器下方并被配置成在操作期间发射电磁辐射通过所述显示器；以及
一个或多个处理器，所述一个或多个处理器被配置成：
基于多个帧中的帧的图像数据，在所述帧的非发射时段期间对所述多个像素中的像素进行编程；
使所述多个像素中的像素在所述帧的发射时段期间发射光，其中，所述像素在所述发射时段期间发射的光量基于所述编程；以及
通过至少使所述一个或多个传感器在所述帧的所述发射时段的特定部分期间发射所述电磁辐射来同步所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作。
2.根据权利要求1所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成使所述一个或多个传感器与所述发射时段的开始时相比在更靠近所述发射时段的结束时发射所述电磁辐射。
3.根据权利要求2所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在更靠近所述发射时段的结束时发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成执行以下中的一个或两者：
使所述一个或多个传感器在所述发射时段的最终子部分期间发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在除了所述发射时段的最终子时段之外的所述发射时段的部分期间发射所述电磁辐射。
4.根据权利要求3所述的计算设备，其中，所述发射时段的所述最终子部分为所述发射时段的最后20％。
5.根据权利要求1所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成执行以下中的一个或两者：
使所述一个或多个传感器在预定延迟时段之后发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在所述预定延迟时段期满之前发射所述电磁辐射。
6.根据权利要求5所述的计算设备，其中，所述预定延迟时段为从所述帧中的特定点起的时间量。
7.根据权利要求1-6中的任意一项所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步，所述一个或多个处理器被配置成以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作所述一个或多个传感器。
8.根据权利要求7所述的计算设备，其中，为了以所述传感器操作频率操作所述一个或多个传感器，所述一个或多个处理器被配置成执行以下中的一个或两者：
使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第一帧子集期间发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第二帧子集期间发射所述电磁辐射。
9.根据权利要求7或者权利要求8所述的计算设备，其中，所述传感器操作频率是所述显示器帧频率的整数分数。
10.根据权利要求9所述的计算设备，其中，所述传感器频率是所述显示器帧频率的一半，并且其中，所述第一帧子集包括偶数帧或奇数帧中的一个，并且所述第二帧子集包括偶数帧或奇数帧中的另一个。
11.根据权利要求1-10中的任意一项所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步，所述一个或多个处理器被进一步配置成使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射。
12.根据权利要求11所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成：
使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的后续帧的发射时段期间发射所述电磁辐射，直到在使所述一个或多个传感器在非发射时段期间发射所述电磁辐射之后。
13.根据权利要求11或者权利要求12所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成：
使所述一个或多个传感器在特定发射时段期间发射所述电磁辐射；和
使所述一个或多个传感器在与所述特定发射时段在时间上相邻的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
14.根据权利要求13所述的计算设备，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在同一帧中。
15.根据权利要求13所述的计算设备，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在不同的帧中。
16.根据权利要求11或者权利要求12所述的计算设备，其中，为了使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射，所述一个或多个处理器被配置成：
使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N个帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；以及
使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N+1个帧的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
17.根据权利要求1-16中的任意一项所述的计算设备，其中，为了对所述多个像素中的特定像素编程，所述一个或多个处理器被配置成使电路储存表示所述特定像素的发射强度的电压电平，并且其中，由所述一个或多个传感器进行的所述电磁辐射的发射修改所储存的电压电平。
18.根据权利要求1-17中的任意一项所述的计算设备，其中，所述电磁辐射包括红外辐射、紫外辐射或无线电波辐射中的一个或多个。
19.根据权利要求1-18中的任意一项所述的计算设备，其中，所述显示器包括有机发光二极管显示器(OLED)。
20.一种方法，包括：
基于多个帧中的帧的图像数据在所述帧的非发射时段期间对计算设备的显示器的多个像素中的像素进行编程；
使所述多个像素中的像素在所述帧的发射时段期间发射光，其中，所述像素在所述发射时段期间发射的光量基于所述编程；以及
通过至少使所述一个或多个传感器在所述帧的所述发射时段的特定部分期间发射电磁辐射通过所述显示器来同步一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射包括使所述一个或多个传感器与所述发射时段的开始时相比在更靠近所述发射时段的结束时发射所述电磁辐射。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在更靠近所述发射时段的结束时发射所述电磁辐射包括以下中的一个或两者：
使所述一个或多个传感器在所述发射时段的最终子部分期间发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在除了所述发射时段的最终子时段之外的所述发射时段的部分期间发射所述电磁辐射。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述发射时段的所述最终子部分为所述发射时段的最后20％。
24.根据权利要求20所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在所述发射时段的所述特定部分期间发射所述电磁辐射包括以下中的一个或两者：
使所述一个或多个传感器在预定延迟时段之后发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在所述预定延迟时段期满之前发射所述电磁辐射。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述预定延迟时段为从所述帧中的特定点起的时间量。
26.根据权利要求20-25中的任意一项所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步包括以小于显示器帧频率的传感器操作频率操作所述一个或多个传感器。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，以所述传感器操作频率操作所述一个或多个传感器包括以下中的一个或两者：
使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第一帧子集期间发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的第二帧子集期间发射所述电磁辐射。
28.根据权利要求26或权利要求27所述的方法，其中，所述传感器操作频率是所述显示器帧频率的整数分数。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述传感器频率是所述显示器帧频率的一半，并且其中，所述第一帧子集包括偶数帧或奇数帧中的一个，并且所述第二帧子集包括偶数帧或奇数帧中的另一个。
30.根据权利要求20-29中的任意一项所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器的操作与所述多个像素的操作同步包括使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射包括：
使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；和
抑制使所述一个或多个传感器在所述多个帧的后续帧的发射时段期间发射所述电磁辐射，直到在使所述一个或多个传感器在非发射时段期间发射所述电磁辐射之后。
32.根据权利要求30或权利要求31所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射包括：
使所述一个或多个传感器在特定发射时段期间发射所述电磁辐射；和
使所述一个或多个传感器在与所述特定发射时段在时间上相邻的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在同一帧中。
34.根据权利要求32所述的方法，其中，所述特定发射时段和与所述特定发射时段在时间上相邻的所述非发射时段在不同的帧中。
35.根据权利要求30或权利要求31所述的方法，其中，使所述一个或多个传感器在发射时段和非发射时段期间交替地发射所述电磁辐射包括：
使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N个帧的发射时段期间发射所述电磁辐射；和
使所述一个或多个传感器在所述多个帧中的第N+1个帧的非发射时段期间发射所述电磁辐射。
36.根据权利要求20-35中的任意一项所述的方法，其中，对所述多个像素中的特定像素编程包括使电路储存表示所述特定像素的发射强度的电压电平，并且其中，由所述一个或多个传感器进行的所述电磁辐射的发射修改所储存的电压电平。
37.根据权利要求20-36中的任意一项所述的方法，其中，所述电磁辐射包括红外辐射、紫外辐射或无线电波辐射中的一个或多个。
38.根据权利要求20-37中的任意一项所述的方法，其中，所述显示器包括有机发光二极管显示器(OLED)。
39.一种存储指令的计算机可读存储介质，所述指令在被执行时使计算设备的一个或多个处理器执行根据权利要求20至38中的任意一项所述的方法。
40.一种设备，包括：
显示器，所述显示器包括多个像素；
一个或多个传感器，所述一个或多个传感器被定位在所述显示器下方并被配置成在操作期间发射电磁辐射通过所述显示器；以及
用于执行根据权利要求20至38中的任意一项所述的方法的装置。
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