CN116341454A - 超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质 - Google Patents

超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质 Download PDF

Info

Publication number
CN116341454A
CN116341454A CN202310337213.2A CN202310337213A CN116341454A CN 116341454 A CN116341454 A CN 116341454A CN 202310337213 A CN202310337213 A CN 202310337213A CN 116341454 A CN116341454 A CN 116341454A
Authority
CN
China
Prior art keywords
inductance
value
coupling
target
coupler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310337213.2A
Other languages
English (en)
Inventor
杨卓琛
余轲辉
晋力京
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Baidu Netcom Science and Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Baidu Netcom Science and Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Baidu Netcom Science and Technology Co Ltd filed Critical Beijing Baidu Netcom Science and Technology Co Ltd
Priority to CN202310337213.2A priority Critical patent/CN116341454A/zh
Publication of CN116341454A publication Critical patent/CN116341454A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/36—Circuit design at the analogue level
    • G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
    • G06N10/40—Physical realisations or architectures of quantum processors or components for manipulating qubits, e.g. qubit coupling or qubit control
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computational Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Mathematical Analysis (AREA)
  • Mathematical Optimization (AREA)
  • Pure & Applied Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

本公开提供了一种超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质，涉及量子计算技术领域，尤其涉及超导量子芯片技术领域。具体实现方案为：获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合；基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间；基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。本公开可以提升仿真效率。

Description

超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质
技术领域
本公开涉及量子计算技术领域，尤其涉及超导量子芯片技术领域，具体涉及一种超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质。
背景技术
作为芯片尺寸突破经典物理极限的逻辑必然，同时也是后摩尔时代的标志性技术，量子计算获得了很大的关注。现如今，无论从应用层面、算法层面、还是硬件层面，量子计算发展都十分迅速。值得特别注意的是，量子算法和应用的实现高度依赖于量子硬件的发展和进步。在量子硬件技术实现上，业界拥有若干种不同的技术方案，如超导电路、离子阱、光量子系统等等。受益于良好的扩展性和成熟的半导体制造工艺，超导电路被认为是目前最有前景的技术路线之一。近些年，随着超导量子计算技术方案和微纳加工工艺的发展，超导量子芯片上集成的量子比特数目越来越多，芯片结构也因此变得更加丰富和全面。
与经典芯片发展路径类似，超导量子芯片中量子比特数目的拓展除了对微纳加工工艺提出更高要求之外，在正式加工之前对量子芯片的仿真也越来越变得不可或缺。量子芯片的仿真旨在尽可能真实地刻画芯片的特征参数，使得研究人员可以在设计阶段更好地预测芯片性能，减少重复实验的物力、人力以及时间成本。
发明内容
本公开提供了一种超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质。
根据本公开的第一方面，提供了一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法，包括：
获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合；
基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，其中，所述目标电感区间为所述初始电感区间的子区间，所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感区间内；在所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同，所述目标电感值为在仿真过程中，所述第一耦合器的电感值，且所述目标电感值位于所述初始电感区间内；
基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
根据本公开的第二方面，提供了一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成装置，包括：
获取模块，用于获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合；
仿真模块，用于基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，其中，所述目标电感区间为所述初始电感区间的子区间，所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感区间内；在所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同，所述目标电感值为在仿真过程中，所述第一耦合器的电感值，且所述目标电感值位于所述初始电感区间内；
生成模块，用于基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
根据本公开的第三方面，提供了一种电子设备，包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述第一方面所述的方法。
根据本公开的第四方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使所述计算机执行上述第一方面所述的方法。
根据本公开的第五方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现第一方面所述的方法。
本公开实施例中，通过基于初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，且每次仿真过程中均选取不同的目标电感值作为耦合器的电感值，如此，可以不断的缩小耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围，从而确定所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。该过程中，由于每一次迭代均可以缩小耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围，因此，可以简化耦合关断点对应的电感值的确定过程，进而提升仿真效率。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
附图用于更好地理解本方案，不构成对本公开的限定。其中：
图1是本公开实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的流程图之一；
图2是本公开实施例中提供的一种QCQ结构的结构示意图之一；
图3是本公开实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的流程图之二；
图4是本公开实施例中提供的一种QCQ结构的结构示意图之二；
图5是本公开实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成装置的结构示意图之一；
图6是本公开实施例中的仿真模块的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成装置的结构示意图之二；
图8本公开实施例提供的用于实现超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的电子设备的框图。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的示范性实施例做出说明，其中包括本公开实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本公开的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
请参见图1，图1为本公开实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的流程示意图，所述方法包括以下步骤：
步骤S101、获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合。
步骤S102、基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，其中，所述目标电感区间为所述初始电感区间的子区间，所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感区间内；在所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同，所述目标电感值为在仿真过程中，所述第一耦合器的电感值，且所述目标电感值位于所述初始电感区间内。
步骤S103、基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
其中，上述超导量子芯片具体为含耦合器的超导量子芯片，上述第一耦合器可以是可调频耦合器，通过调节耦合器频率实现两个量子比特之间等效耦合强度的打开和关闭。当量子比特间耦合强度为0时，对应的耦合器频率称为耦合关断点(该数值也可以等效换算为耦合器的等效电感值)。所述第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特共同形成量子比特-耦合器-量子比特(Qubit-Coupler-Qubit，QCQ)结构。在超导量子芯片的实际设计过程中，QCQ结构耦合关断点的确定主要通过人工判断，为了使所确定的耦合关断点满足精度要求，相关人员通常需要花费大量的时间成本和人力成本才能确定可调频耦合器的耦合关断点。基于此，本公开实施例提供了超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法，以简化可调频耦合器的耦合关断点的确定过程。
请参见图2，为本公开实施例提供的一种QCQ结构的示意版图，在两个量子比特之间置入一个可调频耦合器，即如图2所示，从左至由依次为第一量子比特201、第一耦合器202和第二量子比特203；通过调节耦合器频率，可以实现两个量子比特之间等效耦合强度的打开和关闭。这种耦合架构的基本单元为“量子比特-耦合器-量子比特(量子比特-耦合器-量子比特，QCQ)”，以下简称QCQ结构。在对所述结构版图进行仿真的过程中，可以通过改变所述第一耦合器202的电感值，以实现调节所述第一耦合器202的频率的作用。在实际实验过程中，则可以通过外加磁通，以实现调节所述第一耦合器202的频率的作用。其中，所述第一耦合器202可以采用电容式耦合器。
具体地，在对所述结构版图进行迭代仿真的过程中，可以采用等效电路法对超导量子电路进行仿真，具体可以将量子芯片版图中的连续导体视作等势体，并按照节点电势法进行等效电路建模，节点之间用电容或者电感连接；然后，通过电磁场仿真软件仿真出节点间的电容、电感等参数；对等效电路模型进行量子化得到表征量子芯片体系的完整哈密顿量，并且可以同时获取到相关的特征参数，从而实现对超导量子芯片的仿真验证。
上述初始电感区间可以是在设计阶段确定的较大范围的电感区间，且可以确定所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于初始电感区间内。
由于在所述第一耦合器处于耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，而所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述初始电感区间之内，因此，所述初始电感区间中的最小边界值小于所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值，所述初始电感区间中的最大边界值大于述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值。这样，当所述第一耦合器的电感值为初始电感区间中的最小边界值时，若所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为A。当所述第一耦合器的电感值为初始电感区间中的最大边界值时，若所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为B。则A与B中，一者的值大于0，另一者的值小于0。因此，可以从初始电感区间中选择一个目标电感值，并在仿真软件中将所述第一耦合器的电感值设置为目标电感值，然后，对所述结构版图进行仿真，当计算得到此时所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为C时。若A与C的乘积小于零，则可以确定所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述最小边界值与所述目标电感值；相应地，若B与C的乘积小于零，则可以确定所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感值与所述最大边界值之间，从而可以缩小耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围，如此，经过多次迭代，即可确定所述目标电感区间。
可以理解的是，在经过多次迭代之后，所述耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围将被缩小至一个较小范围，此时，可以从所述目标电感区间中任取一个电感值作为所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值，或者，也可以从所述目标电感区间中选择特定位置的电感值作为所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
其中，由于每次迭代之后，所确定的区间范围将不断减小，因此，每次迭代过程中所选取的目标电感值为上一次迭代之后得到的区间范围中的电感值，即所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同。
上述耦合关断点所对应的电感值具体是指：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
上述耦合关断点信息除了包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值之外，所述耦合关断点信息还可以包括：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，第一量子比特与第二量子比特之间的实际等效耦合强度，以及，所述耦合关断点的频率值。其中，所述实际等效耦合强度可以在仿真过程中确定，所述频率值可以根据所确定的耦合关断点时的电感值确定。
该实施方式中，通过基于初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，且每次仿真过程中均选取不同的目标电感值作为耦合器的电感值，如此，可以不断的缩小耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围，从而确定所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。该过程中，由于每一次迭代均可以缩小耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围，因此，可以简化耦合关断点对应的电感值的确定过程，进而提升仿真效率。
可选地，所述迭代仿真中的第i次仿真包括：
基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，其中，所述第i个仿真信息包括第一耦合强度值，所述第一耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第i个目标电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第i个目标电感值为所述第i个电感区间中除边界值之外的电感值；
基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，所述第i+1个电感区间为所述第i个电感区间的子区间；
其中，在所述i等于1的情况下，所述第i个电感区间为所述初始电感区间。
具体地，所述基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真的具体过程可以包括：在所述第i个电感区间中确定第i个目标电感值，在仿真软件中将所述第一耦合器的电感值修改为第i个目标电感值，然后进行仿真，确定此时所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值，并将所确定的等效耦合强度值作为第一耦合强度值。在获取到第一耦合强度值之后，可以根据所述第一耦合强度值判断耦合关断点对应的电感值与第一耦合强度值之间的相对大小，进而根据判断结果对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间。其中，所述耦合关断点对应的电感值位于所述第i+1个电感区间内，所述i为大于或等于1的整数。
上述计算第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值的具体过程可以是：采用相关技术中常见的计算量子比特之间的等效耦合强度值的方法进行计算。
上述第i个目标电感值可以是从所述第i个电感区间中随机选取的电感值，此外，所述第i个目标电感值也可以是所述第i个电感区间中特定位置点的电感值，例如，所述第i个目标电感值也可以是所述第i个电感区间的中点处的电感值，或者，所述第i个目标电感值也可以是所述第i个电感区间的三等分点处的电感值等。
该实施方式中，通过基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，并基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，如此，在每次迭代仿真过程中，均可以对上一次仿真得到的电感区间进一步进行分割，从而实现不断的缩小耦合关断点所对应的电感值所属的区间的范围，进而有利于快速确定耦合关断点对应的电感值，以提升仿真效率。
可选地，所述第i个仿真信息还包括第二耦合强度值和第三耦合强度值，所述第二耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第一电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第三耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第二电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；
其中，所述第一电感值和所述第二电感值为所述第i个电感区间的两个边界值。
上述第一电感值和第二电感值为所述第i个电感区间的两个边界值即：所述第一电感值和所述第二电感中，一者为所述第i个电感区间中的最大值，另一者为所述第i个电感区间中的最小值。
可以理解的是，在上述基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间之前，所述方法还可以包括：
确定第四耦合强度值和第五耦合强度值，所述第四耦合强度值为在所述第一耦合器的电感值为第三电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第五耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第四电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；其中，所述第三电感值和所述第四电感值为所述初始电感区间的两个边界值。
这样，在进行第1次仿真过程中，由于所述第四耦合强度值和第五耦合强度值已知，如此，仅需计算得到第1个目标电感值对应的耦合强度值，并直接将所述第四耦合强度值、第五耦合强度值和第1个目标电感值对应的耦合强度值作为第1个仿真信息，然后，基于所述第1个仿真信息确定耦合关断点对应的电感值所属区间。若确定所述耦合关断点对应的电感值位于第三电感值与所述第1个目标电感值之间，则将以第三电感值与所述第1个目标电感值为边界值的区间作为第2个电感区间。则进一步在第2个电感区间内确定第2个目标电感值，然后，仅需计算得到第2个目标电感值对应的耦合强度值，由于上一次迭代过程已经确定出第2个电感区间的两个边界值对应的耦合强度值，因此，可以将第2个电感区间的两个边界值对应的耦合强度值和第2个目标电感值对应的耦合强度值作为第2个仿真信息，然后，基于所述第2个仿真信息确定耦合关断点对应的电感值所属区间，如此，不断的迭代，直至确定所述目标电感区间。
该实施方式中，由于当前电感区间的两个边界值对应的耦合强度值已经在上一次迭代过程中求得，因此，每次迭代仅需计算一个目标电感值所对应的耦合强度值，即可对当前电感区间仅需分割，从而有利于进一步提高确定耦合关断点对应的电感值的速度，进而进一步提升仿真效率。
可选地，所述第二耦合强度值为小于0的值，所述第三耦合强度值为大于0的值，所述基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，包括：
在所述第一耦合强度值为大于0的值的情况下，将所述第一电感值和所述第i个目标电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值；
在所述第一耦合强度值为小于0的值的情况下，将所述第i个目标电感值和所述第二电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值。
其中，由于上述耦合关断点对应的电感值位于所述第i个电感区间内，因此，第一耦合强度值和第二耦合强度值中，一者大于0，另一者小于0。基于此，本公开实施例以所述第一耦合强度值为小于0的值，所述第二耦合强度值为大于0的值为例，进一步对如何进行区间分割的过程进行解释说明：
具体地，当所述第一耦合强度值为大于0的值时，可以确定耦合强度值为0的点位于第一耦合强度值与第二耦合强度值之间，而所述第一耦合强度值为在所述第一耦合器的电感值为第i个目标电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值。所述第二耦合强度值为在所述第一耦合器的电感值为第一电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值。因此，可以确定所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值位于所述第i个目标电感值与所述第一电感值之间，进而可以将所述第一电感值和所述第i个目标电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值，从而得到第i+1个电感区间。
相应地，当所述第一耦合强度值为小于0的值时，可以确定所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值位于所述第i个目标电感值与所述第二电感值之间，进而可以将所述第二电感值和所述第i个目标电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值，从而得到第i+1个电感区间。
可以理解的是，在进行迭代仿真过程中，在所述i等于1的情况下，所述第二耦合强度值和所述第三耦合强度值中，一者为上述第四耦合强度值，另一者为上述第五耦合强度值。在所述i大于1的情况下，所述第二耦合强度值和所述第三耦合强度值，可以直接基于第i-1次仿真过程获取得到。即在进行第i次仿真过程中，所述第二耦合强度值和所述第三耦合强度值为已知量。
该实施方式中，通过基于第一耦合强度值、第二耦合强度值和第三耦合强度值，确定耦合强度值为0的位置点所处区间，进而可以基于耦合强度值为0的位置点所处区间确定第i+1个电感区间，如此，可以确保每次对电感区间进行分割之后，所述耦合关断点所对应的电感值始终位于所确定的第i+1个电感区间内。
可选地，所述基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，包括：
在所述第一耦合器的电感值为所述第i个目标电感值的情况下，对所述结构版图进行仿真，得到仿真过程中的状态信息，所述状态信息包括电场分布信息、磁场分布信息和本征频率信息；
基于所述状态信息，计算所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合强度，得到所述第一耦合强度值。
在本公开一个实施例中，可以器件电感能量占比(inductance EnergyPariticipation Ratio，iEPR)的方法，利用所述状态信息，计算所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合强度值。其具体操作是通过选取不同耦合器电感值下QCQ系统进行仿真得到不同电感值下的电磁场信息，然后，使用iEPR方法对这些信息进行后处理来计算QQ等效耦合强度。每次计算得到的结果将用于自动调整下一次迭代的电感值，逐步逼近到QQ等效耦合强度为0的耦合器电感值，最终得出所需的电感值。这种方法不仅可以快速准确地计算QQ等效耦合强度，而且对于不同的耦合器电感值也能够适应，无需人为干预。下文对该部分计算等效耦合强度所依赖的基本理论作进一步的说明：
1、器件电感能量占比(iEPR)的定义与计算方法
器件的电感能量占比(iEPR)定义为：
Figure BDA0004158513220000121
其中，pmn为本征模式m下器件n中的电感能量占比；
Figure BDA0004158513220000122
为本征模式m中存储在器件n中的电感能量；/>
Figure BDA0004158513220000123
为本征模式m中存储的总电感能。
如公式(1)所示为iEPR的定义式，在仿真中，该式中的参量可以通过如下步骤求得：
1)计算本征模式m下器件n中的约瑟夫森结上的电感能：
Figure BDA0004158513220000124
其中，
Figure BDA0004158513220000125
为本征模式m下，器件n中的约瑟夫森结上的电感能；/>
Figure BDA0004158513220000126
为器件n中的约瑟夫森节的电感；Imn为本征模式m下流过第n个器件的约瑟夫森结上的电流；/>
Figure BDA0004158513220000131
为器件n的约瑟夫森结，在版图中表示为等效集总电感时的长度；/>
Figure BDA0004158513220000132
为本征模式m对应的电磁场在金属层的表面电流密度；/>
Figure BDA0004158513220000133
表示积分面积为版图中约瑟夫森结等效电感的面积，以上参量均为已知量。
2)计算本征模式m下空间中总的电场能：
Figure BDA0004158513220000134
其中，
Figure BDA0004158513220000135
为本征模式m下空间中总的电场能；/>
Figure BDA0004158513220000136
表示电场强度峰值的复共轭，
Figure BDA00041585132200001320
示空间中不同位置处的介电张量，/>
Figure BDA0004158513220000138
为电场强度峰值，V表示空间体积，以上均为已知量。
3)计算本征模式m下空间中总的磁场能：
Figure BDA0004158513220000139
其中，
Figure BDA00041585132200001310
表示本征模式m下空间中总的磁场能，/>
Figure BDA00041585132200001311
表示磁场强度峰值的复共轭，/>
Figure BDA00041585132200001312
表示空间中不同位置处的磁导率张量，V表示空间体积，/>
Figure BDA00041585132200001313
表示磁场强度峰值，E电场分布，H磁场分布，以上均为已知量。
4)在本征模式m中按照约瑟夫森结的电感能量比例分配空间中的磁场能：
空间中的磁场能分配比例：
Figure BDA00041585132200001314
其中，
Figure BDA00041585132200001315
为器件1上分配的磁场能，/>
Figure BDA00041585132200001316
为器件2上分配的磁场能，/>
Figure BDA00041585132200001317
为器件1在约瑟夫森结上的电感能，/>
Figure BDA00041585132200001318
为器件2在约瑟夫森结上的电感能。
不同器件上分配的磁场能之和等于本征模式m中总的磁场能：
Figure BDA00041585132200001319
其中，
Figure BDA0004158513220000141
为器件1上分配的磁场能，/>
Figure BDA0004158513220000142
为器件2上分配的磁场能，/>
Figure BDA0004158513220000143
为本征模式m中总的磁场能。
5)将本征模式m中器件n在约瑟夫森结上的电感能量与分配的磁场能进行求和，得到本征模式m中储存在器件n中的电感能：
Figure BDA0004158513220000144
其中，
Figure BDA0004158513220000145
为本征模式m中器件n上分配的磁场能；/>
Figure BDA0004158513220000146
为本征模式m中器件n在约瑟夫森结上的电感能量；/>
Figure BDA0004158513220000147
本征模式m中储存在器件n中的电感能。
6)计算iEPR，利用公式(1)计算iEPR：
Figure BDA0004158513220000148
其中，
Figure BDA0004158513220000149
为本征模式m下空间中总的磁场能；/>
Figure BDA00041585132200001410
为本征模式m中储存在器件n中的电感能；/>
Figure BDA00041585132200001411
为本征模式m下空间中总的能量。
通过以上步骤，我们已经可以计算出iEPR，下面我们将进一步介绍符号矩阵的计算方法。
2符号矩阵的计算方法
(1)符号矩阵是我们用来表示约瑟夫森结上电流方向的方法，定义如下：
smn表示在本征模式m中量子比特n的约瑟夫森结上的电流与参考方向的正反关系：
电流与参考方向同向：smn＝1
电流与参考方向反向，smn＝-1
(2)符号矩阵smn的计算方法
计算模式m中量子比特n的约瑟夫森结上的电流：
Figure BDA00041585132200001412
其中，Imn为本征模式m下流过第n个器件的约瑟夫森结上的电流；
Figure BDA00041585132200001413
为器件n的约瑟夫森结，在版图中表示为等效集总电感时的长度；/>
Figure BDA0004158513220000151
为本征模式m对应的电磁场在金属层的表面电流密度；/>
Figure BDA0004158513220000152
表示积分面积为版图中约瑟夫森结等效电感的面积，以上参量均为已知量。
以上积分均在标准笛卡尔坐标系下进行计算，因此默认参考方向就是坐标系的各个正方向，对于所有的器件默认参考方向均统一。
Imn>0时，smn＝1，Imn<0时，smn＝-1
3、器件间耦合强度的计算方法
对于一个含有多个器件的量子芯片版图，其器件两两之间的耦合强度可以用iEPR表示为，
Figure BDA0004158513220000153
上式中，gan表示器件a与器件n之间的耦合强度，sma为本征模式m下器件a中的电流方向；smn为本征模式m下器件n中的电流方向；pma为本征模式m下器件a中的电感能量占比；pmn为本征模式m下器件n中的电感能量占比；ω′m为本征模式m的本征频率；pkn为本征模式k下器件n中的电感能量占比；ω′k为本征模式k的本征频率。根据该式，即可从仿真中计算出耦合强度。本征模式m和本征模式k为任意两个不同的本征模式。
上述计算原理应用在本公开实施例中，可以求解出QCQ结构中量子比特间的耦合强度，再根据后续的自动化迭代流程，得到量子比特等效耦合强度的耦合关断点。具体地，上述电场分布信息可以包括电场分布E；上述磁场分布信息可以包括磁场分布H；上述本征频率信息可以包括：本征模式m的本征频率ω′m和本征模式k的本征频率ω′k。其中，基于电场分布E可以确定电场强度峰值
Figure BDA0004158513220000154
电场强度峰值的复共轭/>
Figure BDA0004158513220000155
和本征模式m下空间中总的电场能/>
Figure BDA0004158513220000156
基于磁场分布H可以确定磁场强度峰值/>
Figure BDA0004158513220000157
磁场强度峰值的复共轭
Figure BDA0004158513220000161
本征模式m下空间中总的磁场能/>
Figure BDA0004158513220000162
空间中不同位置处的磁导率张量/>
Figure BDA0004158513220000163
这样，根据所获取的状态信息，利用上述公式，即可计算出第一量子比特与第二量子比特之间实时的耦合强度。
该实施方式中，通过对两个量子比特之间耦合强度的计算原理进行设计，如此，仅需获取仿真过程中的状态信息，即可利用所获取的状态信息计算得到第一量子比特与第二量子比特之间实时的耦合强度。
可选地，所述基于初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，包括：
在所述第i+1个电感区间中的两个边界值之间的差值小于或等于预设精度值的情况下，将所述第i+1个电感区间确定为所述目标电感区间。
其中，上述预设精度值可以是设计阶段确定的精度值，例如，可以为0.1nH、0.15nH、0.2nH等相对较小的取值。该精度值可以用于控制所确定的耦合关断点信息中的电感值的精度，即最终所确定的耦合关断点信息中的电感值的误差小于所述预设精度值。
该实施方式中，由于在迭代仿真过程中，随着迭代次数的增多，所确定的电感区间的范围将逐渐缩小，因此，当所确定的电感区间的范围缩小至小于或等于所述预设精度值时，将此时的电感区间确定为目标电感区间。由于所述耦合关断点对应的电感值位于目标电感区间内，而目标电感区间中任意两个电感值之间的差值小于或等于所述预设精度值，因此，所确定的耦合关断点对应的电感值的误差也将小于所述预设精度值。如此，通过将预设精度值确定为迭代仿真过程的收敛条件，有利于控制所确定的耦合关断点信息的精度。
可选地，所述第i个目标电感值为所述第i+1个电感区间中的中点处的电感值。
具体地，由于每次仿真过程均取的是上一次迭代仿真获取到的电感区间的中点处的电感值作为目标电感值，如此，每一次迭代仿真过程中均是将上一次迭代仿真获取到的电感区间划分为两等分。即上述迭代仿真过程为对电感区间进行分割的方法为二分法。
该实施方式中，通过采用二分法实现上述电感区间的分割过程，如此，每次仿真之后，所确定的电感区间的范围将缩小一半，从而有利于快速得到所述目标电感区间，进而提升仿真效率。
可选地，所述基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，包括：
将所述目标电感区间的中点处的电感值确定为：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
该实施方式中，通过将目标电感区间的中点处的电感值确定为：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值，如此，由于所确定的所述耦合关断点处的电感值与所述目标电感区间中任意电感值之间的差值均小于或等于二分之一预设精度值，即所确定的所述耦合关断点处的电感值的误差进一步缩小为二分之一预设精度值，从而有利于进一步提高所确定的耦合关断点信息中电感值的精度。
可选地，所述超导量子芯片还包括目标器件，所述目标器件为所述第一量子比特、所述第一耦合器和所述第二量子比特之外的其他器件，所述基于初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间之前，所述方法还包括：
将所述目标器件的电感值配置为所述目标电感值之外的其他电感值。
其中，由于超导量子芯片中除了包括上述QCQ结构之外，通常还会包括其他器件，例如，还可以包括其他量子比特或者耦合器等。因此，所述目标器件可以包括除所述第一量子比特和第二量子比特之外的其他量子比特，同时，所述目标器件也可以包括处所述第一耦合器之外的其他耦合器。可以理解的是，所述目标器件的数量可以为1个，也可以为多个，当所述目标器件的数量为多个时，可以同时将多个目标器件的电感值配置为所述目标电感值之外的其他电感值。
在本公开一个实施例中，可以将所述目标器件的电感值调高或者调低，例如，可以将所述目标器件的电感值调低至1nh-2nh，或者，也可以将所述目标器件的电感值调高至100nH。
该实施方式中，通过将QCQ结构之外的其他器件的电感值调开，这样，在仿真参数设置中，仅需要仿真两个模数即可，即能刚好仿真到待仿真的两个量子比特，而且仿真速度较快，从而有利于进一步提升仿真效率。
请参见图3，为本公开一个实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的流程示意图。所述方法包括以下步骤：
第一步，输入超导量子芯片版图和基础信息。输入任意含有一个QCQ结构的超导量子芯片版图，以及待仿真的耦合器名称记为nameCoupler，对于耦合关断点结果的精确度(即上述实施例中的预设精度值，精确度含义：耦合关断点处耦合器电感值小数点后的位数)要求和初始耦合器电感值a，b。a，b的间距设置需要满足：耦合关断点对应的耦合器电感值在a，b之间，其中，a为上述第一电感值，b为上述第二电感值。
第二步，计算电感值a，b对应的QQ间等效耦合强度。通过设置名称为nameCoupler对应的耦合器的电感值为a，运行版图的电磁仿真后，通过iEPR计算得到这一耦合器相邻的两个量子比特间的耦合强度(即第一量子比特与第二量子比特之间的耦合强度)，记为g_a。之后同理，对电感值为b时进行同样的处理，得到对应的耦合强度记为g_b。当g_a*g_b<0时，即零点(耦合关断点)在a，b之间；当g_a*g_b>0时，a，b之间不存在零点，再仿真下去没有意义，需要重新设置电感值的起始点(即重新设置a和b的取值)。
第三步，二分法自动迭代过程。取a，b电感值的中点(中心值)，记为m，m＝(a+b)/2，通过程序设置名称为nameCoupler对应的耦合器的电感值为m，调节版图中其他耦合器的电感值为一个较低值，调节此QCQ结构中的两个量子比特为设计的工作值，调节其余量子比特为低于工作值的电感值，此举的目的是为了将待仿真器件的电感值与其他器件的电感值调开，这样在仿真参数设置中，仅需要仿真两个模数即可。这样，能刚好仿真到待仿真的两个量子比特，而且仿真速度较快，以下仿真迭代过程设置同理。运行整体版图的仿真后，通过iEPR计算得到这一耦合器相邻的两个量子比特间的耦合强度，记为g_m。当g_m*g_a<0时，说明耦合关断点的电感值在a，m之间，于是将另外的端点b的值设为m，再进行第三步；当g_m*g_b<0时，说明耦合关断点的电感值在m，b之间，于是将另外的端点a的值设为m，再进行第三步。当ab之间的距离小于精度要求时，说明结果满足收敛要求，自动迭代结束。其中，在仿真过程中，当g_m＝0时，则说明频率为m是所述第一耦合器的耦合关断点的频率，因此，可以直接结束仿真过程，并将所述第一耦合器的耦合关断点的频率确定为m。
第四步，输出耦合关断点的近似值及其对应耦合强度。
请参见图4，为本公开一个实施例需要仿真的结构版图，所述结构包括包括3个器件，从左至右分别为第一量子比特201、第一耦合器202和第二量子比特203，其中，两个量子比特为十字型结构，第一耦合器为双箭头型结构。其具体仿真过程包括以下步骤：
第一步，输入版图和基础信息。如图4所示为需要仿真的结构版图，包含3个器件，从左到右分别为第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，其中，两个量子比特为十字型结构，第一耦合器为双箭头型结构。待仿真的第一耦合器的名称记为“Coupler”，对于耦合关断点结果的精确度要求设置为0.1，和初始电感值a，b分别是1.5nH,10nH。
第二步，计算两端电感值对应的QQ间耦合强度。通过程序设置名称为“Coupler”对应的耦合器的电感值为a(1.5nH)，运行整体版图的仿真后，通过iEPR计算得到这一耦合器相邻的两个量子比特间的耦合强度g_a，为-37.2MHz。之后同理，对电感值为b(10nH)时进行同样的处理，得到对应的耦合强度记为g_b＝3.16MHz。g_a*g_b<0，即零点(耦合关断点)在a，b之间。
第三步，二分法自动迭代过程。取a，b电感值的中点(中心值)，记为m，m＝(a+b)/2＝5.75nH，通过程序设置名称为“Coupler”对应的耦合器的电感值为m(5.75nH)，运行整体版图的仿真后，通过iEPR计算得到这一耦合器相邻的两个量子比特间的耦合强度，记为g_m＝-8.5nH。当g_m*g_a<0时，说明耦合关断点在a，m之间，于是将另外的端点b的值设为m，即b＝5.75，再进行第三步。当ab之间的距离小于精度要求时，说明结果满足收敛要求，自动迭代结束。为了演示以上数据流的传递方式，如下表所示，将相关数据演算通过表格的方式来展示。
Figure BDA0004158513220000202
第四步，输出耦合关断点的近似值及其对应耦合强度。耦合关断点近似为2.96nH，对应的耦合强度是0.09MHz。
观察上述自动迭代法的仿真流程，只需要8次仿真(2次起始点，6次迭代过程)就可以得到满足精度要求的结果。而如果使用手动设置区间法，设置的区间流程大致如下：[1,3,5,7,9],仿真之后发现耦合关断点在1和3之间，继续设定区间为[1.5,2,2.5],仿真之后发现耦合关断点在2.5和3之间，再进行区间细化，设定为[2.6,2.7,2.8,2.9],仿真后耦合关断点在2.9和3之间，再进行区间细化[2.92,2.94,2.96,2.98],得到耦合强度最接近0时的耦合关断点电感值为2.96，该过程共进行了14次仿真，人工重新设置了三次仿真区间，对比本公开的自动迭代法流程而言，本公开提供的方法操作更简便，只需要一次参数设置，仿真8组数据，操作更加简便，仿真时间短，极大的缩减了版图的迭代周期。
本公开提供的超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法至少具有如下有益效果：
显著提速。与人为划分区间进行仿真相比，本公开通过自动迭代快速收敛到耦合关断点，并且每个值都有意义、都向着耦合关断点靠拢。这显著提升了QQ耦合关断点的仿真速度，节省了计算资源。
自动化程度高。在仿真QCQ系统的耦合关断点时，通常先设置间隔较大的电感值区间进行仿真，再逐步细化电感值区间，直到达到精度要求为止。但这一过程中每次人为设计电感值区间都会耗费时间，并且由于精度要求可能需要多次更改。相比之下，本公开的二分法自动迭代求耦合关断点过程无需太多人为干预，仅需设置起始点，对于量子芯片的自动化设计有重要作用。
操作简便。当版图规模增大时，QCQ结构也会相应增加，需要仿真更多的耦合关断点。手动调节电感参数进行仿真工作量非常大。但是采用本公开的方法，可以流水线式地进行自动化仿真，不需要太多人为操作，就可以得到所有QCQ结构的耦合关断点。此外，还可以采用高性能分布式计算进一步减少操作难度和提升仿真效率。
请参见图5，为本公开实施例提供的一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成装置500的结构示意图，所述装置包括：
获取模块501，用于获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合；
仿真模块502，用于基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，其中，所述目标电感区间为所述初始电感区间的子区间，所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感区间内；在所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同，所述目标电感值为在仿真过程中，所述第一耦合器的电感值，且所述目标电感值位于所述初始电感区间内；
生成模块503，用于基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
可选地，请参见图6，所述仿真模块502，包括：
仿真子模块5021，用于基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，其中，所述第i个仿真信息包括第一耦合强度值，所述第一耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第i个目标电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第i个目标电感值为所述第i个电感区间中除边界值之外的电感值；
分割子模块5022，用于基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，所述第i+1个电感区间为所述第i个电感区间的子区间；
其中，在所述i等于1的情况下，所述第i个电感区间为所述初始电感区间。
可选地，所述第i个仿真信息还包括第二耦合强度值和第三耦合强度值，所述第二耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第一电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第三耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第二电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；
其中，所述第一电感值和所述第二电感值为所述第i个电感区间的两个边界值。
可选地，所述第二耦合强度值为小于0的值，所述第三耦合强度值为大于0的值，所述分割子模块5022，具体用于在所述第一耦合强度值为大于0的值的情况下，将所述第一电感值和所述第i个目标电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值；
所述分割子模块5022，具体还用于在所述第一耦合强度值为小于0的值的情况下，将所述第i个目标电感值和所述第二电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值。
可选地，所述仿真子模块5021，具体用于在所述第一耦合器的电感值为所述第i个目标电感值的情况下，对所述结构版图进行仿真，得到仿真过程中的状态信息，所述状态信息包括电场分布信息、磁场分布信息和本征频率信息；
请参见图6，所述仿真模块502，还包括：
计算子模块5023，用于基于所述状态信息，计算所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合强度，得到所述第一耦合强度值。
可选地，所述仿真模块502，还包括：
确定子模块5024，用于在所述第i+1个电感区间中的两个边界值之间的差值小于或等于预设精度值的情况下，将所述第i+1个电感区间确定为所述目标电感区间。
可选地，所述第i个目标电感值为所述第i+1个电感区间中的中点处的电感值。
可选地，所述生成模块503，具体用于将所述目标电感区间的中点处的电感值确定为：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
可选地，所述超导量子芯片还包括目标器件，所述目标器件为所述第一量子比特、所述第一耦合器和所述第二量子比特之外的其他器件，请参见图7，所述装置还包括：
配置模块504，用于将所述目标器件的电感值配置为所述目标电感值之外的其他电感值。
需要说明地，本实施例提供的超导量子芯片的耦合关断点信息的生成装置500能够实现上述超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法实施例的全部技术方案，因此至少能够实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
本公开的技术方案中，所涉及的用户个人信息的获取，存储和应用等，均符合相关法律法规的规定，且不违背公序良俗。
根据本公开的实施例，本公开还提供了一种电子设备、一种可读存储介质和一种计算机程序产品。
图8示出了可以用来实施本公开的实施例的示例电子设备800的示意性框图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本公开的实现。
如图8所示，电子设备800包括计算单元801，其可以根据存储在只读存储器(ROM)802中的计算机程序或者从存储单元808加载到随机访问存储器(RAM)803中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 803中，还可存储设备800操作所需的各种程序和数据。计算单元801、ROM 802以及RAM 803通过总线804彼此相连。输入/输出(I/O)接口805也连接至总线804。
电子设备800中的多个部件连接至I/O接口805，包括：输入单元806，例如键盘、鼠标等；输出单元807，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元808，例如磁盘、光盘等；以及通信单元809，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元809允许设备800通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
计算单元801可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。计算单元801的一些示例包括但不限于中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、各种专用的人工智能(AI)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的计算单元、数字信号处理器(DSP)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。计算单元801执行上文所描述的各个方法和处理，例如超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法。例如，在一些实施例中，超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法可被实现为计算机软件程序，其被有形地包含于机器可读介质，例如存储单元808。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 802和/或通信单元809而被载入和/或安装到设备800上。当计算机程序加载到RAM 803并由计算单元801执行时，执行上文描述的超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，计算单元801可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法。
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统的系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
用于实施本公开的方法的程序代码可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些程序代码可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器或控制器，使得程序代码当由处理器或控制器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。程序代码可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
在本公开的上下文中，机器可读介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的程序。机器可读介质可以是机器可读信号介质或机器可读储存介质。机器可读介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
为了提供与用户的交互，可以在计算机上实施此处描述的系统和技术，该计算机具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给计算机。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)和互联网。
计算机系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，也可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本公开中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本公开公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本公开保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本公开的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本公开保护范围之内。

Claims (21)

1.一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法，包括：
获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合；
基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，其中，所述目标电感区间为所述初始电感区间的子区间，所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感区间内；在所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同，所述目标电感值为在仿真过程中，所述第一耦合器的电感值，且所述目标电感值位于所述初始电感区间内；
基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述迭代仿真中的第i次仿真包括：
基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，其中，所述第i个仿真信息包括第一耦合强度值，所述第一耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第i个目标电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第i个目标电感值为所述第i个电感区间中除边界值之外的电感值；
基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，所述第i+1个电感区间为所述第i个电感区间的子区间；
其中，在所述i等于1的情况下，所述第i个电感区间为所述初始电感区间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第i个仿真信息还包括第二耦合强度值和第三耦合强度值，所述第二耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第一电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第三耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第二电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；
其中，所述第一电感值和所述第二电感值为所述第i个电感区间的两个边界值。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二耦合强度值为小于0的值，所述第三耦合强度值为大于0的值，所述基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，包括：
在所述第一耦合强度值为大于0的值的情况下，将所述第一电感值和所述第i个目标电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值；
在所述第一耦合强度值为小于0的值的情况下，将所述第i个目标电感值和所述第二电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，包括：
在所述第一耦合器的电感值为所述第i个目标电感值的情况下，对所述结构版图进行仿真，得到仿真过程中的状态信息，所述状态信息包括电场分布信息、磁场分布信息和本征频率信息；
基于所述状态信息，计算所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合强度，得到所述第一耦合强度值。
6.根据权利要求2至5中任意一项所述的方法，其中，所述基于初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，包括：
在所述第i+1个电感区间中的两个边界值之间的差值小于或等于预设精度值的情况下，将所述第i+1个电感区间确定为所述目标电感区间。
7.根据权利要求2至5中任意一项所述的方法，其中，所述第i个目标电感值为所述第i+1个电感区间中的中点处的电感值。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，包括：
将所述目标电感区间的中点处的电感值确定为：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述超导量子芯片还包括目标器件，所述目标器件为所述第一量子比特、所述第一耦合器和所述第二量子比特之外的其他器件，所述基于初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间之前，所述方法还包括：
将所述目标器件的电感值配置为所述目标电感值之外的其他电感值。
10.一种超导量子芯片的耦合关断点信息的生成装置，包括：
获取模块，用于获取超导量子芯片的结构版图，所述超导量子芯片包括第一量子比特、第一耦合器和第二量子比特，所述第一量子比特通过所述第一耦合器与所述第二量子比特耦合；
仿真模块，用于基于预设的初始电感区间中的电感值对所述结构版图进行迭代仿真，得到目标电感区间，其中，所述目标电感区间为所述初始电感区间的子区间，所述第一耦合器处于耦合关断点时的电感值位于所述目标电感区间内；在所述第一耦合器处于所述耦合关断点时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度为零，所述迭代仿真中的不同次仿真所对应的目标电感值不同，所述目标电感值为在仿真过程中，所述第一耦合器的电感值，且所述目标电感值位于所述初始电感区间内；
生成模块，用于基于所述目标电感区间，生成耦合关断点信息，所述耦合关断点信息包括所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述仿真模块，包括：
仿真子模块，用于基于第i个电感区间中的电感值对所述结构版图进行仿真，得到第i个仿真信息，其中，所述第i个仿真信息包括第一耦合强度值，所述第一耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第i个目标电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第i个目标电感值为所述第i个电感区间中除边界值之外的电感值；
分割子模块，用于基于所述第i个仿真信息对所述第i个电感区间进行分割，得到第i+1个电感区间，所述第i+1个电感区间为所述第i个电感区间的子区间；
其中，在所述i等于1的情况下，所述第i个电感区间为所述初始电感区间。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第i个仿真信息还包括第二耦合强度值和第三耦合强度值，所述第二耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第一电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；所述第三耦合强度值为：在所述第一耦合器的电感值为第二电感值的情况下进行仿真时，所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的等效耦合强度值；
其中，所述第一电感值和所述第二电感值为所述第i个电感区间的两个边界值。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述第二耦合强度值为小于0的值，所述第三耦合强度值为大于0的值，所述分割子模块，具体用于在所述第一耦合强度值为大于0的值的情况下，将所述第一电感值和所述第i个目标电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值；
所述分割子模块，具体还用于在所述第一耦合强度值为小于0的值的情况下，将所述第i个目标电感值和所述第二电感值确定为所述第i+1个电感区间的两个边界值。
14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述仿真子模块，具体用于在所述第一耦合器的电感值为所述第i个目标电感值的情况下，对所述结构版图进行仿真，得到仿真过程中的状态信息，所述状态信息包括电场分布信息、磁场分布信息和本征频率信息；
所述仿真模块，还包括：
计算子模块，用于基于所述状态信息，计算所述第一量子比特和所述第二量子比特耦合强度，得到所述第一耦合强度值。
15.根据权利要求11至14中任意一项所述的装置，其中，所述仿真模块，还包括：
确定子模块，用于在所述第i+1个电感区间中的两个边界值之间的差值小于或等于预设精度值的情况下，将所述第i+1个电感区间确定为所述目标电感区间。
16.根据权利要求11至14中任意一项所述的装置，其中，所述第i个目标电感值为所述第i+1个电感区间中的中点处的电感值。
17.根据权利要求10所述的装置，其中，所述生成模块，具体用于将所述目标电感区间的中点处的电感值确定为：所述第一耦合器处于所述耦合关断点时的电感值。
18.根据权利要求10所述的装置，其中，所述超导量子芯片还包括目标器件，所述目标器件为所述第一量子比特、所述第一耦合器和所述第二量子比特之外的其他器件，所述装置还包括：
配置模块，用于将所述目标器件的电感值配置为所述目标电感值之外的其他电感值。
19.一种电子设备，包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-9中任一项所述的超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的步骤。
20.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求1-9中任一项所述的超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的步骤。
21.一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现权利要求1-9中任一项所述的超导量子芯片的耦合关断点信息的生成方法的步骤。
CN202310337213.2A 2023-03-31 2023-03-31 超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质 Pending CN116341454A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310337213.2A CN116341454A (zh) 2023-03-31 2023-03-31 超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310337213.2A CN116341454A (zh) 2023-03-31 2023-03-31 超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116341454A true CN116341454A (zh) 2023-06-27

Family

ID=86883825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310337213.2A Pending CN116341454A (zh) 2023-03-31 2023-03-31 超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116341454A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116522853A (zh) * 2023-06-28 2023-08-01 苏州浪潮智能科技有限公司 一种数据处理方法、装置及介质

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080274898A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 Johnson Mark W Systems, devices, and methods for controllably coupling qubits
US20090140738A1 (en) * 2007-12-04 2009-06-04 Herve Desvaux Method for adjusting an excitation and detection circuit for nuclear magnetic resonance, and circuit adapted for carrying out said method
CN106919877A (zh) * 2015-12-25 2017-07-04 中国科学院上海高等研究院 一种超高频射频识别读写器及方法
CN109495077A (zh) * 2018-11-08 2019-03-19 苏州全波通信技术股份有限公司 自适应数字调幅调相系统
CN111788588A (zh) * 2017-12-20 2020-10-16 D-波系统公司 量子处理器中耦合量子位的系统和方法
CN111989686A (zh) * 2018-01-22 2020-11-24 D-波系统公司 用于提高模拟处理器的性能的系统和方法
US20210192380A1 (en) * 2019-12-24 2021-06-24 Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co., Ltd. Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer
WO2021178562A1 (en) * 2020-03-03 2021-09-10 Rigetti & Co., Inc. Controlling a tunable floating coupler device in a superconducting quantum processing unit
CN114139372A (zh) * 2021-11-29 2022-03-04 杭州电子科技大学 一种使用高效自适应频率扫描的宽带电磁仿真方法
CN114201883A (zh) * 2021-12-15 2022-03-18 杭州电子科技大学 一种使用高效自适应插值的宽带电磁仿真方法
CN114491859A (zh) * 2022-01-28 2022-05-13 苏州浪潮智能科技有限公司 超导量子芯片读出腔的自动化设计方法、装置及存储介质
CN114832237A (zh) * 2022-03-30 2022-08-02 深圳磁利晟科技有限公司 动态磁场发生方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN114861576A (zh) * 2022-05-06 2022-08-05 北京百度网讯科技有限公司 超导量子芯片版图的仿真方法及装置、电子设备和介质
CN115329973A (zh) * 2022-08-04 2022-11-11 北京百度网讯科技有限公司 仿真方法、装置、设备及存储介质
CN115329974A (zh) * 2022-08-04 2022-11-11 北京百度网讯科技有限公司 仿真方法、装置、设备及存储介质
CN115425010A (zh) * 2022-08-15 2022-12-02 合肥本源量子计算科技有限责任公司 一种硅通孔测试电路和倒装芯片
CN115511095A (zh) * 2022-10-11 2022-12-23 北京百度网讯科技有限公司 含耦合器超导量子比特结构的设计信息输出方法及装置
CN115577778A (zh) * 2022-10-24 2023-01-06 北京百度网讯科技有限公司 超导量子芯片版图中量子器件间的等效耦合强度确定方法及装置
CN115577779A (zh) * 2022-10-24 2023-01-06 北京百度网讯科技有限公司 超导量子芯片版图中多体系统的裸态信息确定方法及装置
CN115660093A (zh) * 2022-10-17 2023-01-31 北京百度网讯科技有限公司 含耦合器超导量子比特结构的性能检验信息输出方法及装置

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080274898A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 Johnson Mark W Systems, devices, and methods for controllably coupling qubits
US20090140738A1 (en) * 2007-12-04 2009-06-04 Herve Desvaux Method for adjusting an excitation and detection circuit for nuclear magnetic resonance, and circuit adapted for carrying out said method
CN106919877A (zh) * 2015-12-25 2017-07-04 中国科学院上海高等研究院 一种超高频射频识别读写器及方法
CN111788588A (zh) * 2017-12-20 2020-10-16 D-波系统公司 量子处理器中耦合量子位的系统和方法
CN111989686A (zh) * 2018-01-22 2020-11-24 D-波系统公司 用于提高模拟处理器的性能的系统和方法
CN109495077A (zh) * 2018-11-08 2019-03-19 苏州全波通信技术股份有限公司 自适应数字调幅调相系统
US20210192380A1 (en) * 2019-12-24 2021-06-24 Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co., Ltd. Superconducting circuit structure, superconducting quantum chip and superconducting quantum computer
WO2021178562A1 (en) * 2020-03-03 2021-09-10 Rigetti & Co., Inc. Controlling a tunable floating coupler device in a superconducting quantum processing unit
CN114139372A (zh) * 2021-11-29 2022-03-04 杭州电子科技大学 一种使用高效自适应频率扫描的宽带电磁仿真方法
CN114201883A (zh) * 2021-12-15 2022-03-18 杭州电子科技大学 一种使用高效自适应插值的宽带电磁仿真方法
CN114491859A (zh) * 2022-01-28 2022-05-13 苏州浪潮智能科技有限公司 超导量子芯片读出腔的自动化设计方法、装置及存储介质
CN114832237A (zh) * 2022-03-30 2022-08-02 深圳磁利晟科技有限公司 动态磁场发生方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN114861576A (zh) * 2022-05-06 2022-08-05 北京百度网讯科技有限公司 超导量子芯片版图的仿真方法及装置、电子设备和介质
CN115329973A (zh) * 2022-08-04 2022-11-11 北京百度网讯科技有限公司 仿真方法、装置、设备及存储介质
CN115329974A (zh) * 2022-08-04 2022-11-11 北京百度网讯科技有限公司 仿真方法、装置、设备及存储介质
CN115425010A (zh) * 2022-08-15 2022-12-02 合肥本源量子计算科技有限责任公司 一种硅通孔测试电路和倒装芯片
CN115511095A (zh) * 2022-10-11 2022-12-23 北京百度网讯科技有限公司 含耦合器超导量子比特结构的设计信息输出方法及装置
CN115660093A (zh) * 2022-10-17 2023-01-31 北京百度网讯科技有限公司 含耦合器超导量子比特结构的性能检验信息输出方法及装置
CN115577778A (zh) * 2022-10-24 2023-01-06 北京百度网讯科技有限公司 超导量子芯片版图中量子器件间的等效耦合强度确定方法及装置
CN115577779A (zh) * 2022-10-24 2023-01-06 北京百度网讯科技有限公司 超导量子芯片版图中多体系统的裸态信息确定方法及装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
郑伟帅: "基于STM32的频率自动跟踪与振幅恒定的超声电源的研制", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库》, no. 2, pages 022 - 622 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116522853A (zh) * 2023-06-28 2023-08-01 苏州浪潮智能科技有限公司 一种数据处理方法、装置及介质
CN116522853B (zh) * 2023-06-28 2023-11-03 苏州浪潮智能科技有限公司 一种数据处理方法、装置及介质

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112529201B (zh) 纠缠量子态转换方法、装置、设备、存储介质及产品
CN114580647B (zh) 量子系统的模拟方法、计算设备、装置及存储介质
CN115169569A (zh) 超导量子芯片设计方法及装置、电子设备和介质
CN116341454A (zh) 超导量子芯片的耦合关断点信息生成方法、装置和介质
CN115018079A (zh) 量子电路、仿真方法、装置、设备及存储介质
CN114925840A (zh) 模拟方法、设备及存储介质
US20240046140A1 (en) Simulation method, electronic device, and storage medium
CN115577779B (zh) 超导量子芯片版图中多体系统的裸态信息确定方法及装置
CN115577778B (zh) 超导量子芯片版图中量子器件间的等效耦合强度确定方法及装置
CN115577777B (zh) 超导量子芯片版图中器件电感能量占比的确定方法及装置
CN115511095B (zh) 含耦合器超导量子比特结构的设计信息输出方法及装置
CN115660093B (zh) 含耦合器超导量子比特结构性能检验信息输出方法及装置
CN115329973B (zh) 仿真方法、装置、设备及存储介质
CN114418103B (zh) 基态能量的确定方法、装置、设备及存储介质
CN114580645A (zh) 随机量子测量的模拟方法、装置、设备及存储介质
CN115659905B (zh) 超导量子芯片版图中量子器件间的耦合强度确定方法及装置
CN116776810A (zh) 量子芯片版图的仿真方法、装置、设备及存储介质
CN115329976A (zh) 仿真方法、装置、设备及存储介质
CN115660094B (zh) 含耦合器超导量子比特结构的特征参数确定方法及装置
CN117473934A (zh) 版图结构确定方法、装置、设备及存储介质
Zhang et al. A moment-matching scheme for the passivity-preserving model order reduction of indefinite descriptor systems with possible polynomial parts
CN114418107B (zh) 酉算子编译方法、计算设备、装置及存储介质
CN116108926A (zh) 量子计算方法、装置、设备及存储介质
CN117669751A (zh) 量子电路模拟方法、装置及电子设备
CN116090573A (zh) 非局域量子操作的模拟方法、装置、设备以及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination