CN116334751A - 外延控制方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提出了一种外延控制方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：将衬底装入反应腔；根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例的外延控制方法，基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。
Description
技术领域
本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种外延控制方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
外延即在具有一定晶向的衬底(例如硅衬底)上生长一层与衬底相同晶向、电阻率与厚度不同、晶格结构完整性好的外延层。由于半导体器件通常制作在外延层上，外延层的表面质量严重影响器件的电参数、成品率和稳定性，因此外延层需达到表面缺陷少、晶格缺陷少、晶格完整、低的位错层错密度等工艺要求。
但在实际的高温外延生长过程中，由于生长过程伴随着机械应力，升降温过程伴随着热应力，当外延层内某些点的机械应力和热应力的累加应力超过该生长温度引起晶体滑移的临界应力时，外延层边缘产生大量的滑移位错，即滑移线，它通过晶体管管道效应及结漏电流两种失效模式，导致芯片合格率降低。因此，消除或改善衬底外延生长过程中形成的滑移线成为业界亟待解决的问题。
发明内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题。
为此，本申请的第一个目的在于提出一种外延控制方法。
本申请的第二个目的在于提出一种外延控制装置。
本申请的第三个目的在于提出一种电子设备。
本申请的第四个目的在于提出一种计算机可读存储介质。
为达上述目的，本申请第一方面实施例提出了一种外延控制方法，包括：将衬底装入反应腔；根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
本申请实施例的外延控制方法，将衬底装入反应腔，根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度，控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。
另外，根据本申请上述实施例的一种外延控制方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本申请的一个实施例，所述根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度，包括：根据所述补偿温度和所述目标生长温度，确定所述反应腔各温区的目标控制温度；采用所述目标控制温度，控制所述反应腔的温度升至所述目标生长温度。
根据本申请的一个实施例，本申请实施例的外延控制方法还包括：获取所述衬底外延生长过程中所述反应腔各温区的实际温度；根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
根据本申请的一个实施例，所述根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内，包括：根据所述反应腔各温区的所述实际温度计算所述反应腔各边缘温区与所述反应腔中心温区的第一温度差值；根据所述第一温度差值对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
根据本申请的一个实施例，本申请实施例的外延控制方法还包括：将离子注入片装入所述反应腔；控制所述反应腔的温度升至目标烘烤温度；控制所述反应腔对所述离子注入片烘烤目标时间；测量所述离子注入片各温区的电阻率；根据所述电阻率确定所述离子注入片各温区的温度；根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度。
根据本申请的一个实施例，所述根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度，包括：根据所述离子注入片各温区的温度计算所述离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值；根据所述第二温度差值确定所述补偿温度。
为达上述目的，本申请第二方面实施例提出了一种外延控制装置，包括：装入模块，用于将衬底装入反应腔；第一控制模块，用于根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；第二控制模块，用于控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
本申请实施例的外延控制装置，将衬底装入反应腔，根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度，控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。
另外，根据本申请上述实施例的一种外延控制装置，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本申请的一个实施例，所述第一控制模块进一步用于：根据所述补偿温度和所述目标生长温度，确定所述反应腔各温区的目标控制温度；采用所述目标控制温度，控制所述反应腔的温度升至所述目标生长温度。
根据本申请的一个实施例，所述第一控制模块还用于：获取所述衬底外延生长过程中所述反应腔各温区的实际温度；根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
根据本申请的一个实施例，所述第一控制模块进一步用于：根据所述反应腔各温区的所述实际温度计算所述反应腔各边缘温区与所述反应腔中心温区的第一温度差值；根据所述第一温度差值对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
根据本申请的一个实施例，所述第一控制模块还用于：将离子注入片装入所述反应腔；控制所述反应腔的温度升至目标烘烤温度；控制所述反应腔对所述离子注入片烘烤目标时间；测量所述离子注入片各温区的电阻率；根据所述电阻率确定所述离子注入片各温区的温度；根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度。
根据本申请的一个实施例，所述第一控制模块进一步用于：根据所述离子注入片各温区的温度计算所述离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值；根据所述第二温度差值确定所述补偿温度。
为达上述目的，本申请第三方面实施例提出了一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时，实现如本申请第一方面实施例所述的外延控制方法。
为达上述目的，本申请第四方面实施例提出了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如本申请第一方面实施例所述的外延控制方法。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本申请一实施例的外延控制方法的流程示意图；
图2是根据本申请另一实施例的外延控制方法的流程示意图；
图3是根据本申请另一实施例的外延控制方法的流程示意图；
图4是根据本申请另一实施例的外延控制方法的流程示意图；
图5是根据本申请另一实施例的外延控制方法的流程示意图；
图6是根据本申请另一实施例的外延控制方法的流程示意图；
图7是根据本申请一实施例的外延控制装置的结构示意图；
图8是根据本申请一个实施例的电子设备的示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
下面结合附图来描述本申请实施例的外延控制方法、装置、电子设备及存储介质。
图1是根据本申请一实施例的外延控制方法的流程示意图，如图1所示，本申请实施例的外延控制方法具体可包括以下步骤：
S101，将衬底装入反应腔。
本申请实施例中，本申请实施例的外延控制方法的执行主体为本申请实施例的外延控制装置。将待外延的衬底装入外延炉的反应腔中，其中衬底具体可以是硅衬底等，硅衬底具体可以是重掺砷的硅衬底。
此处需要说明的是，在将衬底装入反应腔之前，还需要对反应腔进行清洁。具体过程可如下：将外延炉反应腔升温至刻蚀温度(刻蚀温度取值范围为1100～1200℃(摄氏度)，例如1170℃)，采用高流量HCl(氯化氢)(HCl的流量取值范围为18-22SLM(Standard Litreper Minute，标准状态下升/分钟)，例如20SLM)、吹扫气H2(氢气)(H2的流量取值范围为10～100SLM，例如10SLM)对反应腔内的石墨组件进行刻蚀清洁例如20s(秒)后，将H2的流量提升至例如60SLM处理例如55s，清除腔体残留的反应物，从而保证腔体内部环境的清洁。将反应腔温度冷却至衬底进入温度(衬底进入温度的取值范围为400～800℃，例如750℃)，将重掺砷的硅衬底装入反应腔中。
S102，根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度。
本申请实施例中，为保证反应腔各温区温度的一致性，预先为各温区设置了补偿温度，其中中心温区的补偿温度为零，其他各边缘温区的补偿温度可通过前期实验确定。衬底装入反应腔中后，基于反应腔各温区的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度。
此处需要说明的是，衬底装入反应腔中后，可以通过程序以预设的升温速率(升温速率取值范围为2～15℃/s，例如15℃/s)结合反应腔各温区的补偿温度，控制反应腔的温度从衬底进入温度(例如750℃)升至预设的目标生长温度，目标生长温度的取值范围为1100～1200℃，例如1150℃，基座转速升至35r/min(转/分)，在60SLM H2的氛围下，通入硅源和掺杂剂。硅源具体可以为TCS(SiHCl3，三氯氢硅)，硅源的流量具体可以为16g/min；掺杂剂具体可以为BH3(硼化氢)、PH3(磷化氢)、AsH3(砷化氢)中的至少一种，掺杂剂的用量根据目标电阻率进行设定。
S103，控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
本申请实施例中，控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率，外延生长时间根据目标厚度和外延生长速率进行设定。外延生长速率可以为1～5μm/min(微米/分)。外延生长完成后，可以将反应腔温度冷却至卸载温度(卸载温度取值范围为880～900℃，例如890℃)，卸载出带有外延层的衬底，即外延片。可以采用颗粒仪等检测外延片内的滑移线情况。在外延生长过程中，可以采用故障检测与分类系统(Fault Detection Classification，简称FDC)记录反应腔各温区的实际温度，对比各温区在外延生长过程中的温度波动，以及各边缘温区与中心温区的温度差值。
本申请实施例提供的外延控制方法，将衬底装入反应腔，根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度，并控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。
图2是根据本申请另一实施例的外延控制方法的流程图，如图2所示，在上述图1所示实施例的基础上，该外延控制方法包括以下步骤：
S201，将衬底装入反应腔。
本申请实施例中，本实施例中的步骤S201与上述实施例中的步骤S101相同，此处不再赘述。
上述实施例中的步骤S102“根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度”，具体可包括以下步骤S202-S203。
S202，根据补偿温度和目标生长温度，确定反应腔各温区的目标控制温度。
本申请实施例中，目标控制温度即程序上控制反应腔升温达到的温度。假设目标生长温度为T，某个温区的补偿温度为ΔT，则确定该温区的目标控制温度为T+ΔT。
S203，采用目标控制温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度。
本申请实施例中，基于步骤S202确定的目标控制温度，控制反应腔升温，此时反应腔升温达到的温度接近或等于目标生长温度。
S204，控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
本申请实施例中，本实施例中的步骤S201与上述实施例中的步骤S101相同，此处不再赘述。
进一步的，为更好的保证反应腔各温区温度的一致性，如图3所示，在衬底外延生长过程中，本申请实施例的外延控制方法还可以包括：
S301，获取衬底外延生长过程中反应腔各温区的实际温度。
本申请实施例中，在衬底外延生长过程中，可以采用FDC记录反应腔各温区的实际温度。
S302，根据反应腔各温区的实际温度对目标控制温度进行调节，以使实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围内。
本申请实施例中，根据步骤S301获取的实际温度对目标控制温度进行闭环调节，以使实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围例如±1℃内。
作为一种可行的实施方式，如图4所示，上述步骤S302“根据反应腔各温区的实际温度对目标控制温度进行调节，以使实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围内”，具体可包括以下步骤：
S401，根据反应腔各温区的实际温度计算反应腔各边缘温区与反应腔中心温区的第一温度差值。
本申请实施例中，可以根据步骤S301获取的反应腔各温区的实际温度，采用PID(Proportional Integral Derivative，比例微分积分)调节对目标控制温度进行调节。具体的，根据步骤S301获取的反应腔各温区的实际温度计算各边缘温区的实际温度与中心温区的实际温度之间的第一温度差值。
S402，根据第一温度差值对目标控制温度进行调节，以使实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围内。
本申请实施例中，根据步骤S401确定的第一温度差值调节目标控制温度，具体的，根据第一温度差值和对应的补偿温度的差值调节目标控制温度，进而调节反应腔各温区的实际温度，最终使得反应腔各温区的实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围内，使得反应腔各边缘温区与中心温区之间的第一温度差值稳定在对应的补偿温度附近。
上述实施例中的反应腔各温区的补偿温度可以通过图5所示的方法确定。如图5所示，本申请实施例的外延控制方法包括：
S501，将离子注入片装入反应腔。
本申请实施例中，将用于温度补偿的离子注入片装入外延炉的反应腔中，其中，离子注入片衬底具体可以是掺磷的离子注入片。
此处需要说明的是，在将离子注入片装入反应腔之前，还需要对反应腔进行清洁。具体过程可如下：将外延炉反应腔升温至刻蚀温度(刻蚀温度取值范围为1100～1200℃(摄氏度)，例如1170℃)，采用高流量HCl(氯化氢)(HCl的流量取值范围为18-22SLM(StandardLitre per Minute，标准状态下升/分钟)，例如20SLM)、吹扫气H2(氢气)(H2的流量取值范围为10～100SLM，例如10SLM)对反应腔内的石墨组件进行刻蚀清洁例如20s(秒)后，将H2的流量提升至例如60SLM处理例如55s，清除腔体残留的反应物，从而保证腔体内部环境的清洁。将反应腔温度冷却至离子注入片进入温度(离子注入片进入温度的取值范围为400～800℃，例如750℃)，将掺磷的离子注入片装入反应腔中。
S502，控制反应腔的温度升至目标烘烤温度。
本申请实施例中，离子注入片装入反应腔中后，可以通过程序以预设的升温速率(升温速率取值范围为2～15℃/s，例如15℃/s)，控制反应腔的温度从离子注入片进入温度(例如750℃)升至预设的目标烘烤温度，目标烘烤温度的取值范围为1100～1200℃，例如1130℃，基座转速为0，在60SLM H2的氛围下，对离子注入片进行恒温烘烤。
S503，控制反应腔对离子注入片烘烤目标时间。
本申请实施例中，控制反应腔对离子注入片烘烤预设的目标时间，目标时间的取值范围为20～180s，例如120s。
S504，测量离子注入片各温区的电阻率。
本申请实施例中，烘烤完成后，可以将反应腔温度冷却至卸载温度(卸载温度取值范围为880～900℃，例如890℃)，卸载出离子注入片。可以采用四点探针(4-Point Probe，4PP)测试系统测量离子注入片各温区的电阻率ρ，例如测量离子注入片中心、前、后、左、右五个温区的电阻率。
S505，根据电阻率确定离子注入片各温区的温度。
本申请实施例中，可以通过温度和电阻率的线性关系，进一步计算出离子注入片各温区的温度。其中，电阻率与温度的线性关系式为：Δρ＝-1.8×ΔT，其中，Δρ为电阻率差值，ΔT为温度差值。
S506，根据离子注入片各温区的温度确定反应腔各温区对应的补偿温度。
本申请实施例中，根据步骤S505确定的离子注入片各温区的温度确定反应腔各温区对应的补偿温度，以保证各温区实际温度一致。
其中，如图6所示，上述步骤S506“根据离子注入片各温区的温度确定反应腔各温区对应的补偿温度”，具体可包括以下步骤：
S601，根据离子注入片各温区的温度计算离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值。
本申请实施例中，根据步骤S505确定的离子注入片各温区的温度，计算离子注入片各边缘温区的温度与中心温区的温度之间的第二温度差值。
S602，根据第二温度差值确定补偿温度。
本申请实施例中，假设各边缘温区与中心温区的第二温度差值为T0，则补偿温度ΔT＝-T0。
本申请实施例提供的外延控制方法，将衬底装入反应腔，根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度，控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。将离子注入片装入反应腔并烘烤，基于离子注入片的电阻率确定离子注入片的各温区的温度，进而确定各温区的补偿温度，保证了反应腔各温区的一致性。
为了实现上述实施例，本申请实施例还提出一种外延控制装置，该外延控制装置可实现上述实施例的外延控制方法。图7为根据本申请一实施例的外延控制装置的框图。如图7所示，本申请实施例提出的外延控制装置700具体可包括：装入模块701、第一控制模块702和第二控制模块703。其中：
装入模块701，用于将衬底装入反应腔。
第一控制模块702，用于根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度。
第二控制模块703，用于控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
在本申请的一个实施例中，第一控制模块702进一步用于：根据补偿温度和目标生长温度，确定反应腔各温区的目标控制温度；采用目标控制温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度。
在本申请的一个实施例中，第一控制模块702还用于：获取衬底外延生长过程中反应腔各温区的实际温度；根据反应腔各温区的实际温度对目标控制温度进行调节，以使实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围内。
在本申请的一个实施例中，第一控制模块702进一步用于：根据反应腔各温区的实际温度计算反应腔各边缘温区与反应腔中心温区的第一温度差值；根据第一温度差值对目标控制温度进行调节，以使实际温度稳定在目标生长温度附近预设的范围内。
在本申请的一个实施例中，第一控制模块702还用于：将离子注入片装入反应腔；控制反应腔的温度升至目标烘烤温度；控制反应腔对离子注入片烘烤目标时间；测量离子注入片各温区的电阻率；根据电阻率确定离子注入片各温区的温度；根据离子注入片各温区的温度确定反应腔各温区对应的补偿温度。
在本申请的一个实施例中，第一控制模块702进一步用于：根据离子注入片各温区的温度计算离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值；根据第二温度差值确定补偿温度。
需要说明的是，前述对外延控制方法实施例的解释说明也适用于该实施例的外延控制装置，此处不再赘述。
本申请实施例提供的外延控制装置，将衬底装入反应腔，根据反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制反应腔的温度升至目标生长温度，并控制衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。本申请实施例基于反应腔各温区对应的补偿温度控制反应腔的温度升至目标生长温度，保证了反应腔各温区的一致性，进而一定程度上消除或改善了衬底外延生长过程中形成的滑移线，提高了外延层的表面质量，进而提高了产品合格率。将离子注入片装入反应腔并烘烤，基于离子注入片的电阻率确定离子注入片的各温区的温度，进而确定各温区的补偿温度，保证了反应腔各温区的一致性。
为了实现上述实施例，本申请实施例还提出一种电子设备800，如图8所示，该电子设备800具体可包括存储器801、处理器802及存储在存储器801上并可在处理器802上运行的计算机程序，处理器802执行程序时，实现如上述实施例所示的外延控制方法。
为了实现上述实施例，本申请实施例还提出一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行，以实现如上述实施例所示的外延控制方法。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (14)
1.一种外延控制方法，其特征在于，包括：
将衬底装入反应腔；
根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；
控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
2.根据权利要求1所述的外延控制方法，其特征在于，所述根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度，包括：
根据所述补偿温度和所述目标生长温度，确定所述反应腔各温区的目标控制温度；
采用所述目标控制温度，控制所述反应腔的温度升至所述目标生长温度。
3.根据权利要求2所述的外延控制方法，其特征在于，还包括：
获取所述衬底外延生长过程中所述反应腔各温区的实际温度；
根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
4.根据权利要求3所述的外延控制方法，其特征在于，所述根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内，包括：
根据所述反应腔各温区的所述实际温度计算所述反应腔各边缘温区与所述反应腔中心温区的第一温度差值；
根据所述第一温度差值对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
5.根据权利要求1所述的外延控制方法，其特征在于，还包括：
将离子注入片装入所述反应腔；
控制所述反应腔的温度升至目标烘烤温度；
控制所述反应腔对所述离子注入片烘烤目标时间；
测量所述离子注入片各温区的电阻率；
根据所述电阻率确定所述离子注入片各温区的温度；
根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度。
6.根据权利要求5所述的外延控制方法，其特征在于，所述根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度，包括：
根据所述离子注入片各温区的温度计算所述离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值；
根据所述第二温度差值确定所述补偿温度。
7.一种外延控制装置，其特征在于，包括：
装入模块，用于将衬底装入反应腔；
第一控制模块，用于根据所述反应腔各温区对应的预设的补偿温度，控制所述反应腔的温度升至目标生长温度；
第二控制模块，用于控制所述衬底外延生长至目标厚度和目标电阻率。
8.根据权利要求7所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块进一步用于：
根据所述补偿温度和所述目标生长温度，确定所述反应腔各温区的目标控制温度；
采用所述目标控制温度，控制所述反应腔的温度升至所述目标生长温度。
9.根据权利要求8所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块还用于：
获取所述衬底外延生长过程中所述反应腔各温区的实际温度；
根据所述反应腔各温区的所述实际温度对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
10.根据权利要求9所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块进一步用于：
根据所述反应腔各温区的所述实际温度计算所述反应腔各边缘温区与所述反应腔中心温区的第一温度差值；
根据所述第一温度差值对所述目标控制温度进行调节，以使所述实际温度稳定在所述目标生长温度附近预设的范围内。
11.根据权利要求7所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块还用于：
将离子注入片装入所述反应腔；
控制所述反应腔的温度升至目标烘烤温度；
控制所述反应腔对所述离子注入片烘烤目标时间；
测量所述离子注入片各温区的电阻率；
根据所述电阻率确定所述离子注入片各温区的温度；
根据所述离子注入片各温区的温度确定所述反应腔各温区对应的所述补偿温度。
12.根据权利要求11所述的外延控制装置，其特征在于，所述第一控制模块进一步用于：
根据所述离子注入片各温区的温度计算所述离子注入片各边缘温区与中心温区的第二温度差值；
根据所述第二温度差值确定所述补偿温度。
13.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时，实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
14.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。
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