CN116334557A - 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents
一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116334557A CN116334557A CN202310329308.XA CN202310329308A CN116334557A CN 116334557 A CN116334557 A CN 116334557A CN 202310329308 A CN202310329308 A CN 202310329308A CN 116334557 A CN116334557 A CN 116334557A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- erbium
- fluorine
- tin oxide
- doped tin
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 82
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- WLTWUUVPNJUNNU-UHFFFAOYSA-N [F].[Er] Chemical compound [F].[Er] WLTWUUVPNJUNNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 22
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L stannous fluoride Chemical compound F[Sn]F ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- 229960002799 stannous fluoride Drugs 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 59
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- -1 erbium silicate Chemical class 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 150000000917 Erbium Chemical class 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Sn]=O Chemical compound [Si]=O.[Sn]=O SDXHEKVPVRFSRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPVTFQQUVHYQK-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Er] Chemical compound [Sn]=O.[Er] PZPVTFQQUVHYQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002123 erbium compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000004433 infrared transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和在近红外电致发光领域中的应用。制备方法包括：在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％；在氧气或氮气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到氟铒共掺氧化锡薄膜。本发明薄膜用于制作电致发光器件后，在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发光。
Description
技术领域
本发明涉及硅基光电子技术领域，具体涉及一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
随着微电子行业的迅猛发展，基于摩尔定律预测的制程发展趋势已陷入瓶颈，由于芯片特征线宽的不断减小，电学互连技术带来的信号延迟，过高的功耗以及信号串扰等问题制约了晶体管密度的提升。基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的硅基光电子技术由于具有高的传输速度与抗干扰能力，低的传输损耗，已成为集成电路工业发展的未来趋势。
目前，硅基光互连技术在光波导、光信号调制器和放大器等方面都取得了突破性进展，而在光源方面，特别是兼容于成熟CMOS工艺的高效电致发光光源方面，仍存在严重的不足之处。掺铒硅基光源由于Er的1535nm特征发光峰位于光纤传输的最小损耗窗口以及与现有工艺相适配的优点，一直是科研人员关注的重点。
为了进一步提高铒的掺杂浓度和降低器件的工作电压，以获得高效的电致发光光源，科研人员先后将铒掺入硅，硅绝缘化合物如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，铒化合物如硅酸铒，窄带隙半导体如砷化镓、磷化铟中。但硅、砷化镓等窄带隙半导体具有较低的铒离子固溶度，同时由于基体中存在的俄歇复合效应导致了强的能量背传递，这极大削弱了铒的发光效率；在氧化硅和硅酸铒等绝缘性基体中，虽然能量背传递效应被抑制，但器件的工作电压又非常高，不利于发展低功耗的片上集成工艺；此外氮化硅、氮氧化硅基体中存在较多的缺陷也制约了器件效率的进一步提升。
为解决掺铒电致发光器件低工作电压和抑制能量背传递效果不兼得导致器件效率偏低的问题，科研人员将铒掺入宽带隙的半导体诸如氮化镓、氧化镓，氧化钛等中。如Houwei Pang,et al.,Near-infrared luminescence of erbium doped Ga2O3 films anddevices based on silicon:Realization of energy transfer,Optical Materials,Volume 129,2022,112462：完成了铒在氧化镓基体的掺杂，在保持较高铒浓度和较低失配度的同时，首次在氧化镓中实现了基于能量传递机制的电致发光，器件的发光电压约13V，工作场强约1.3MV/cm。然而这些半导体材料都存在不足之处，氮化镓中氮元素的存在会和铒形成没有光学活性的氮化铒化合物，造成器件的效率降低；氧化钛和氧化镓中存在的氧可以和铒形成具有高光学活性的ErO复合体，同时基体存在的氧缺陷亦可以敏化铒离子，但是氧化钛是间接带隙半导体，其发光效率较低，氧化镓中的镓元素属于贵金属，材料的生长成本较高，并且两种半导体材料的电学性能较差，不利于降低电致发光器件的工作电压，此类基于能量传递机制的电致发光器件也难以实现较高的发光功率。
基于此类氧化物掺铒薄膜制备的电致发光器件，已有工作对器件结构进行研究，如Chengtao Xia,et al.,Electroluminescence from Silicon-Based Light-EmittingDevices with Erbium-Doped ZnO Films:Strong Enhancement Effect of TitaniumCodoping,ACS Applied Materials&Interfaces,202214(39),44498-44505，通过在重掺n型硅片上热氧化生长一层薄的SiOx层(约10nm)，通过该层产生的热载流子激发铒离子，并通过共掺Ti元素调控晶体场环境，获得了较高的电致发光强度。但是该类器件需要热氧化工艺在硅片上生长热氧化层，这增加了生产中的工艺步骤，同时其工作电压仍大于10V，依然缺乏对制备简单，成本较低和低发光电压的掺铒电致发光器件的研究。
所以，掺铒硅基电致发光器件目前的瓶颈在于缺少一种优秀的掺铒基体材料，在保证电学性能的前提下，能抑制能量背传递效应实现低工作电压高效率的掺铒近红外电致发光；同时，缺少对较少制备工艺步骤的低成本电致发光器件的研究。
针对本领域存在的不足之处，即①缺乏一种优异的铒离子发光基体，让其制备的掺铒电致发光器件有低的工作电压，同时能避免铒向基体的能量背传递效应，且铒离子在基体中具有较高的光学活性；②缺乏对电致发光器件发光机理的分析和对器件宏观结构的设计，以获得更高效的铒离子近红外电致发光；③缺乏工艺步骤简单，成本较低，生长方式兼容大规模工业化生产的电致发光器件。故本发明提出了一种新型的氟铒共掺氧化锡薄膜，目前没有实现掺铒氧化锡薄膜近红外电致发光的报道，由Dung C,etal.Remarkableenhancement of Er3+emission at 1.54μm in Er/Yb co-doped SiO2-SnO2 glass-ceramics[J].Journal of Alloys&Compounds,2018:S092583881831750X报道了通过在溶胶凝胶法制备的氧化锡-氧化硅微晶玻璃中共掺镱和铒元素，在光致发光测试中，获得了非常强的近红外特征发光。类似的，目前基于氧化锡掺铒薄膜的研究仅仅局限于光致发光中，多为氧化锡掺入其他基体中作为敏化剂去激发铒离子，缺乏对这一优异掺铒基体的探究，同时基于氧化锡薄膜的近红外电致发光器件未得到任何报道，这不能满足最初提出的利用掺铒电致光源解决硅基光电子技术中存在的技术难题的初衷。
发明内容
针对上述技术问题以及本领域存在的不足之处，本发明提供了一种氟铒共掺氧化锡薄膜的制备方法，通过射频磁控溅射可以得到致密的薄膜，通过后续的热处理工艺钝化薄膜内存在的部分缺陷，并使氧化锡薄膜充分晶化，铒离子替位锡离子完成掺杂，同时氟离子取代氧离子进一步优化薄膜的电学性能和铒所处的晶体场对称性，提高了薄膜内的载流子浓度和铒离子的跃迁几率，用于制作电致发光器件后可降低器件的工作电压并提高其工作效率，在施加反向偏压的情况下，基于空间电荷区中发生的电子碰撞离化效应，可以实现较强的电致发光。
一种氟铒共掺氧化锡薄膜的制备方法，包括步骤：
(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；所述掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％，氟掺杂量过高，将会增强电离杂质散射，增加电子的碰撞概率，降低激发铒离子的电子能量；如果采用无氟掺杂的纯氧化锡靶，则薄膜导电性差，用于制作电致发光器件无法获得预期效果；
(2)在氧气或氮气(优选氧气)气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到所述氟铒共掺氧化锡薄膜。
在一优选例中，步骤(1)中，在进行共溅射沉积薄膜前先进行预溅射(时间可以自定，例如5min以上等)，打开样品挡板开始在加热的衬底上沉积薄膜
本发明研究发现，步骤(1)中，如果采用铒靶替代氧化铒靶，所得薄膜中铒容易分相，对薄膜和后续器件产生不利影响。
在一优选例中，步骤(1)中，所述真空指真空度不大于5×10-3Pa。
步骤(1)中，所述氩气和氧气混合气中氩气与氧气比例主要影响薄膜的成膜质量，这是由于溅射气氛中适宜的氧气含量能有效减少薄膜中的氧缺陷。在一优选例中，所述氩气和氧气混合气中氩气体积占比不小于50％。
在一优选例中，步骤(1)中，所述加热的衬底温度在50℃以上。
在一优选例中，步骤(1)中，溅射时，掺氟氧化锡靶功率为10～170瓦，氧化铒靶功率为5～70瓦，溅射腔室的压强为0.1～10Pa。
步骤(1)中，在衬底上溅射沉积薄膜的时间优选为5～120min。
在一优选例中，步骤(2)中不采用随炉升降温，而是采用快速升降温。采用随炉升降温会降低薄膜中的载流子浓度以及易形成铒元素团簇，不利于后续电致发光器件性能的充分发挥。采用快速升降温可有效减少甚至避免铒团簇的形成，维持较高的载流子浓度，从而保证后续制作的器件具有低开启电压和发光电压。进一步优选的，步骤(2)中，所述升温的升温速率大于1℃/s，所述冷却的降温速率大于1℃/s。
溅射生长薄膜后还需进行热处理，促进氟铒共掺氧化锡薄膜的质量优化和铒离子的替位掺杂。一般而言，步骤(2)中，高温热处理的温度越高、停留时间越长，薄膜结晶性越好但电学性能降低越明显；高温热处理的温度越低、停留时间越短，薄膜结晶性越差但电学性能提升越明显，这是由于结晶性提高能够一定程度上钝化缺陷，提高薄膜质量，但过高的结晶性将增强晶界散射效应影响电学输运。因此，可具体根据需要选择合适的高温热处理温度及升降温速度，从而得到所需的结晶性和电学性能，进而获得优异的电致发光强度和器件稳定性。步骤(2)中，所述高温热处理的温度优选为200～1000℃。步骤(2)中，所述高温热处理的停留时间优选为5～120min。
本发明还提供了所述的制备方法制备得到的氟铒共掺氧化锡薄膜，所述氟铒共掺氧化锡薄膜内形成了氟铒共掺氧化锡晶体。
所述氟铒共掺氧化锡薄膜中，铒元素浓度过低，后续制作的器件发光效果差，铒元素浓度过高，易产生浓度猝灭效应，造成不必要的能量损耗。优选的，所述氟铒共掺氧化锡薄膜中，以铒元素和锡元素的总原子数为100％计，铒元素的原子百分占比为1％～5％。铒元素含量可通过共溅射时靶材的溅射功率调控。
所述氟铒共掺氧化锡薄膜的厚度优选为20～500nm，薄膜厚度过薄容易击穿，过厚电学性能下降明显，不利于后续制作电致发光器件。薄膜厚度主要和溅射时间相关。
本发明还提供了所述的氟铒共掺氧化锡薄膜在近红外电致发光领域中的应用，例如，用于制备基于电子碰撞离化效应的电致发光器件。
作为一个总的发明构思，本发明还提供了一种基于雪崩倍增效应提供热电子的近红外电致发光器件，采用所述的氟铒共掺氧化锡薄膜，其中衬底一侧沉积有用于连接电源负极的金属背电极，氟铒共掺氧化锡薄膜一侧沉积有用于连接电源正极的氧化物透明电极。
在一优选例中，所述衬底为硅，进一步优选为p型硅，更进一步优选为电阻率大于0.01Ω·cm的轻掺p型硅。
衬底电阻率的选取将影响器件的电学性质和电致发光性能，这取决于空间电荷区的宽度和场强主要由衬底和薄膜的掺杂浓度决定，例如：若选择电阻率不超过0.01Ω·cm的重掺p型硅作衬底则后续电致发光器件的击穿电压将会降低，这是由于硅衬底的掺杂浓度过高，在空间电荷区中主要发生齐纳击穿，齐纳击穿的电压和电子能量较低，不能充分激发铒离子。考虑到电学性能和发生雪崩倍增效应的条件，本发明优选电阻率大于0.01Ω·cm的轻掺p型硅为衬底，制备低发光电压高光功率的电致发光器件。
本发明所述基于雪崩倍增效应提供热电子的近红外电致发光器件的开启电压低于5V，发光电压低于10V，具有较高的电致发光效率和长的器件寿命，可应用于硅基集成光源、半导体发光、光通信等领域。
上述近红外电致发光器件中的氧化物透明电极、金属背电极的沉积方式可以采用现有的沉积技术，如磁控溅射、电子束蒸发等。
本发明与现有技术相比，有益效果有：
1、本发明制备方式简单，兼容微电子产业制造工艺，原材料成本较低，在硅基集成光源、半导体发光、光通信等领域具有广阔应用前景。按照本发明方法制备得到的氟铒共掺氧化锡薄膜为高度结晶态，铒元素的分布均匀。
2、本发明采用射频磁控溅射-高温快速热处理制备方法制备得到的氟铒共掺氧化锡薄膜作为掺铒电致发光器件的基体，①氧化锡具有较宽的带隙(3.9eV)能够避免俄歇效应造成的能量背传递，提高了器件的电致发光强度和效率；②氧化锡具有较低的成本以及良好的电学性能，通过共掺氟元素制备的氟掺杂氧化锡材料具有高的载流子浓度和电导率，其与商用的氧化铟锡、氟氧化锡透明电极具有更高的晶格匹配度，制备的电致发光器件具有较高的性能，并能降低器件的开启电压和发光电压；③氧化锡具有优异的光学性能，其紫外-可见-近红外透过率均大于80％，在保证高的载流子浓度的前提下仍具有良好的光学性能，作为发光层材料，其内部光损耗较低，出光效率较高；④氧化锡的结构为四方金红石结构，铒替位掺杂了锡离子的位点，通过共掺氟元素，影响了铒离子所处的晶体场环境，晶格对称性降低，铒的光学活性得到了提升；⑤通过对器件结构的设计，得到基于雪崩倍增效应的电致发光器件，基于该机制的发光器件电学性能优异，开启电压和发光电压较低，少子电子从p型硅侧由金属背电极注入到氟铒共掺氧化锡发光层，而空穴从氧化物透明电极一侧注入氟铒共掺氧化锡发光层，且由本发明所述射频磁控溅射得到的氟铒共掺氧化锡薄膜相比于传统的PLD(脉冲激光沉积)和旋涂制备方法缺陷少，均匀性好，电子在空间电荷区的加速下直接碰撞铒离子，从而得到较强的近红外波段特征电致发光；该机制基于二极管在反向偏压下空间电荷区发生的雪崩倍增效应来获取高能量的热电子碰撞激发铒离子，与传统依赖热氧化层获得高能电子的方式相比，其工艺步骤简单，能够降低工业化生产中的成本，由于氟铒共掺氧化锡发光层优异的电学性能，其开启电压和发光电压较低，工作时流过器件的电流较小，器件具有较高的寿命和光功率，相较于能量传递机制的电致发光器件又具有较高的发光强度。
3、本发明通过射频磁控溅射-高温快速热处理方法利用氟铒共掺氧化锡作为铒发光基体并通过器件结构的设计成功制备了基于电子碰撞离化的电致发光器件。该型器件具有较少的制备步骤，较低的原料成本，其制备和测试方法与现有工艺高度兼容，技术成熟，生产环节简单并具有一定的工业化应用前景；其较低的开启电压也能保证器件的工作寿命和稳定性。
4、由于氟元素的共掺，本发明薄膜的电学性能得到了增强，开启电压显著降低，在8V的电压下便可探测到电致发光，同时铒离子所处的晶体场对称性降低，器件具有强的近红外电致发光强度和工作稳定性，输出光功率可达2.37μW/cm2。
附图说明
图1为制备薄膜的卢瑟福背散射元素含量谱。
图2为薄膜的紫外-可见-红外透射光谱。
图3为薄膜在热处理后的X射线衍射图谱，图中标注的是氧化锡对应的晶面。
图4为薄膜在热处理之后的扫描电子显微镜(左图)和原子力显微镜(右图)照片。
图5为热处理薄膜的高角环形暗场像(HAADF，左图)和对应位置的能量色散谱图(右图)。
图6为基于雪崩倍增效应的氟铒共掺氧化锡近红外电致发光器件的结构示意图(图中小图)和伏安特性曲线图。
图7为氟铒共掺氧化锡近红外电致发光器件的电致发光光谱图，图中标签代表电致发光测试的电流、电压条件。
图8为氟铒共掺氧化锡近红外电致发光器件在1550nm处的近红外光功率密度图。
图9为对比例1采用铒靶溅射制备薄膜的X射线衍射图谱。
图10为采用纯氧化锡靶和掺氟氧化锡靶制备器件的电致发光强度对比图。
图11为未掺氟(左图)和掺氟(右图)氧化锡掺铒薄膜的理论模型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明具体条件的操作方法，通常按照常规条件，或按照制造厂商所建议的条件。以下各实施例和对比例中的原材料均为市售产品，未经其他任何额外处理。
实施例
本实施例中，基于氟铒共掺氧化锡薄膜电致发光器件的制备采用射频磁控共溅射在(100)晶向单面抛光电阻率ρ为0.15～0.3Ω·cm的p型直拉单晶硅片上生长薄膜，溅射薄膜时衬底加热温度200℃，射频磁控溅射设备的背底真空度为2×10-3Pa，溅射气体为氧气和氩气的混合气，气体通入速率为氧气和氩气体积比1:1，流量总计为50sccm，氧化锡靶材采用氟化亚锡进行掺杂，氟化亚锡含量为5wt％，氟掺杂氧化锡靶材的溅射功率为90瓦，共溅射的氧化铒靶溅射功率为50瓦，溅射腔室压强为1.0Pa，在预溅射15min后移开样品挡板开始溅射，溅射沉积薄膜的时间为20min。溅射之后薄膜按升温速度30℃/s的速率在900℃氧气气氛下热处理停留15min，然后按7.5℃/s的降温速度快速冷却。随后利用直流磁控溅射在p型硅背面溅射金电极，然后在薄膜一侧生长ITO透明电极，制备完成的薄膜在300℃氮气气氛下保温30min，以获得良好的欧姆接触，得到Au/p-Si/SnO2:F:Er/ITO结构的电致发光器件，其中ITO透明电极和Au电极厚度分别为100nm、氟铒共掺氧化锡薄膜(SnO2:F:Er)厚度为70nm。
具体制备方法如下：
(1)对于p型硅片而言，在加工完成后已进行标准RCA清洗，在溅射前首先使用无水乙醇超声去除表面的有机污染物，随后使用稀氢氟酸溶液(10wt％)去除硅片表面的氧化层，并使用去离子水漂洗硅片，去除残余的氢氟酸；将p型硅片放入射频磁控溅射设备，然后将真空抽至2×10-3Pa，并同时将衬底硅片加热至200℃；在通入氧气和氩气(氧气和氩气的通入速率均为25sccm)、溅射压强1.0Pa的条件下，共溅射氟化亚锡靶材和氧化铒靶材，用样品挡板挡住衬底，进行15min预溅射，然后再打开挡板在硅衬底上溅射沉积氟铒共掺氧化锡薄膜。如图1所示，氟和铒元素成功掺入氧化锡基体中，其中铒元素含量占阳离子含量的3.64at％；共掺薄膜的光学透过率如图2所示，薄膜在300-1700nm范围内均具有高的透过率，其中1550nm处的透过率约90％，光学带隙约3.72eV，符合文献报道，具有优异的性能。
(2)通过高温管式炉，在氧气气氛下对前述溅射得到的氟铒共掺氧化锡薄膜进行热处理，快速升温，然后在900℃保温15min，之后快速冷却，从而让铒均匀分布于薄膜中并使氧化锡充分结晶。如图3所示。热处理薄膜具有高的结晶性，未检测到铒和氧化铒的衍射峰，说明铒元素充分掺入了基体中；如图4所示，薄膜的表面十分平整，无开裂和起伏现象，其表面均方根粗糙度仅为0.42nm；如图5中左图所示，氟铒共掺薄膜厚度约70nm，相同位置处的能量色散谱图成像如图5中右图所示，各元素都均匀分布于薄膜内部，高的铒元素含量也并未造成铒团簇的产生，这表明本发明的掺氟氧化锡是铒的优异掺杂基体。
(3)在热处理后的样品背面(硅片一侧)涂上少量稀氢氟酸去除表面氧化层后，用氮气气枪清洁背面，将样品放入射频磁控溅射腔体内，抽真空至真空度为3×10-3Pa，在通入氩气(50sccm)、溅射压强为3.0Pa的条件下，利用高纯金靶，在样品背面溅射沉积一层金电极。
(4)将热处理后的样品正面(氟铒共掺氧化锡薄膜一侧)放入直流磁控溅射腔体内，抽真空至2×10-3Pa，并同时将样品加热至150℃；在通入氩气(50sccm)、溅射压强为0.2Pa的条件下，利用氧化铟锡靶，在样品正面溅射沉积一层ITO透明电极，随后将样品置于氮气气氛下300℃保温30min即完成电致发光器件的制备。
(5)进一步测试基于氟铒共掺氧化锡薄膜的电致发光器件，器件结构如图6小图所示，在反向偏压下，即金电极接负，ITO电极接正，测试了器件的伏安特性曲线，如图6所示，器件在反向偏压下的电学开启电压为4.3V(电流达到1mA/cm2)。霍尔效应测试显示氟铒共掺氧化锡薄膜的载流子浓度约为1019cm-3，属于重掺n型半导体，因此器件的电压将集中在轻掺的硅衬底一侧，硅衬底将发生雪崩击穿，使得反偏状态的异质结器件导通。
(6)将制备好的器件进行电致发光测试，测试结果如图7所示，可以看到器件在近红外波段产生了基于铒离子的特征发光峰，对应于4I13/2到4I15/2能级的跃迁，随着电压的增加，电致发光器件的发光强度也随之上升，发光电压可低至8V。器件在工作时的输出光功率密度如图8所示，光功率计的探测下限略高于光谱仪，因此从10V开始侦测发光。器件输出的光功率密度随着电压增加而上升，在达到饱和时，近红外波段的发光功率可达2.37μW/cm2，该型器件具有较低的开启电压，低于绝大多数已报道的基于电子碰撞激发的电致发光体系，在8V的电压下便监测到了较强的电致发光。
采用本发明制备的氟铒共掺氧化锡薄膜在保证优异光学和电学性能的同时有着较高的铒掺杂浓度和抑制能量背传递效应的能力，该型薄膜具有获得高输出光功率，低开启电压和发光电压，兼容CMOS制造工艺和低应用成本的潜力。这一发明有望应用于硅基集成光源、半导体发光、光通信等领域。
对比例1
与实施例的区别仅在于使用金属铒靶替代氧化铒靶，其余操作条件均相同。热处理薄膜的X射线衍射结果如图9所示，可观察到氧化铒(Er2O3)的衍射峰，这意味着铒靶溅射导致铒没有完全掺入到掺氟氧化锡基体中，而是形成了铒团簇，这在电致发光测试中将产生严重的浓度淬灭效应，故优选氧化铒靶作为靶材。
对比例2
与实施例的区别仅在于采用纯氧化锡靶替代掺氟氧化锡靶，其余操作条件均相同。图10展示了实施例制备的Au/p-Si/SnO2:F:Er/ITO结构的电致发光器件和对比例2制备的Au/p-Si/SnO2:Er/ITO结构的电致发光器件的电致发光强度对比，可以看到，在掺杂氟元素后，达到相同注入电流(约28毫安)时，两种器件的注入电压相差约4倍，这是由于氟掺入提高器件电学性能所致，同时掺氟后样品的电致发光强度提升了约245倍。
图11是使用VESTA软件构建超晶胞中的ErO6(未掺氟)和ErO4F2(掺氟)结构示意图，模型的掺杂量由实施例中卢瑟福背散射元素含量谱确定。通过广义梯度近似理论模拟了掺氟后铒周围的键长变化，用以描述晶体场对称性，结果如表1所示。在掺杂后，铒元素周围的键长发生了明显变化，键长的标准差提高了约6.2倍，这说明铒元素所处的晶体场对称性下降，这能够增加铒的跃迁发光几率。因此氟元素的掺入能够提高器件的电学性能和发光强度，故优选掺氟氧化锡靶作为靶材。
表1
此外应理解，在阅读了本发明的上述描述内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
Claims (10)
1.一种氟铒共掺氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
(1)在真空下，通入氩气和氧气混合气，利用射频磁控溅射方法对掺氟氧化锡靶和氧化铒靶进行共溅射沉积薄膜；所述掺氟氧化锡靶中氟化亚锡的质量百分占比不大于20％；
(2)在氧气或氮气气氛下，将共溅射沉积得到的薄膜升温至200℃以上进行高温热处理，冷却得到所述氟铒共掺氧化锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中：所述真空指真空度不大于5×10-3Pa；
所述氩气和氧气混合气中氩气体积占比不小于50％；
所述加热的衬底温度在50℃以上；
溅射时，掺氟氧化锡靶功率为10～170瓦，氧化铒靶功率为5～70瓦，溅射腔室的压强为0.1～10Pa。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中：
所述升温的升温速率大于1℃/s，所述冷却的降温速率大于1℃/s；
所述高温热处理的温度为200～1000℃。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法制备得到的氟铒共掺氧化锡薄膜，其特征在于，所述氟铒共掺氧化锡薄膜内形成了氟铒共掺氧化锡晶体。
5.根据权利要求4所述的氟铒共掺氧化锡薄膜，其特征在于，所述氟铒共掺氧化锡薄膜中，以铒元素和锡元素的总原子数为100％计，铒元素的原子百分占比为1％～5％。
6.根据权利要求4所述的氟铒共掺氧化锡薄膜，其特征在于，所述氟铒共掺氧化锡薄膜的厚度为20～500nm。
7.根据权利要求4～6任一项所述的氟铒共掺氧化锡薄膜在近红外电致发光领域中的应用。
8.一种基于雪崩倍增效应提供热电子的近红外电致发光器件，其特征在于，采用权利要求4～6任一项所述的氟铒共掺氧化锡薄膜，其中衬底一侧沉积有用于连接电源负极的金属背电极，氟铒共掺氧化锡薄膜一侧沉积有用于连接电源正极的氧化物透明电极。
9.根据权利要求8所述的基于雪崩倍增效应提供热电子的近红外电致发光器件，其特征在于，所述衬底为硅。
10.根据权利要求8所述的基于雪崩倍增效应提供热电子的近红外电致发光器件，其特征在于，所述基于雪崩倍增效应提供热电子的近红外电致发光器件的开启电压低于5V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310329308.XA CN116334557A (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310329308.XA CN116334557A (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116334557A true CN116334557A (zh) | 2023-06-27 |
Family
ID=86883777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310329308.XA Pending CN116334557A (zh) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116334557A (zh) |
-
2023
- 2023-03-30 CN CN202310329308.XA patent/CN116334557A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE112011101329T5 (de) | Multi-layer SiN für funktional und optische abgestufte Arc-Schichten auf kristallinen Solarzellen | |
| CN110767745A (zh) | 复合金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用 | |
| CN111304739B (zh) | 一种硅酸铒晶体和硅纳米晶共镶嵌二氧化硅薄膜及其制备方法和应用 | |
| US20230246115A1 (en) | The Preparation Method and Application of An Er Doped Ga2O3 Film | |
| CN110444644B (zh) | 一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法 | |
| US7585690B2 (en) | Process for producing group III nitride compound semiconductor light emitting device, group III nitride compound semiconductor light emitting device and lamp | |
| CN111653652A (zh) | 一种硅基铒掺杂镓酸锌薄膜电致发光器件及其制备方法 | |
| CN109509819B (zh) | 一种基于铒、氟共掺杂ZnO薄膜的电致发光器件及制备方法 | |
| CN109082631B (zh) | 一种Ga2O3基透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN101299513A (zh) | 电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法 | |
| KR100421800B1 (ko) | 아연산화물 반도체 제조 방법 | |
| CN104993018A (zh) | 控制cigs薄膜中钠含量的方法、太阳能电池及结构 | |
| CN109686826B (zh) | 一种基于Er、Zr共掺杂TiO2薄膜的电致发光器件及其制备方法 | |
| CN116334557A (zh) | 一种氟铒共掺氧化锡薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN100547123C (zh) | 一种氧化锌单晶纳米薄膜材料的制备方法 | |
| KR100870837B1 (ko) | 산화아연 박막의 수분 제거 방법 | |
| CN110165001B (zh) | 一种稀土掺杂的光伏薄膜材料及其制备方法 | |
| EP2725082B1 (en) | Titanium doped ternary system silicate film, preparation method and application thereof | |
| CN101964375A (zh) | 太阳能电池的电极制作方法 | |
| KR20100036382A (ko) | 태양전지의 제조 방법 | |
| CN104681682A (zh) | 一种基于铒掺杂CeO2薄膜的电致发光器件及其制备方法 | |
| JP2001040348A (ja) | シリコンナノ結晶発光素子及びその製造方法 | |
| KR20070024095A (ko) | 마그네트론 코스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ＺｎＯ박막의 제조방법 | |
| CN109449224B (zh) | 一种硅基光电材料及其制备方法 | |
| CN117727848A (zh) | 基于绝缘加速层效应提供热电子的电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |