CN116328188A - 射频处理系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种射频处理系统。所述系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，电极组件安装于手柄，用于向目标区域提供射频，目标区域包括至少一层组织，各组织的中心温度对应的深度不同；冷却组件用于为电极组件降低温度；控制面板，与控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，目标组织为目标区域中的任一层组织；控制器分别与电极组件和冷却组件连接，控制器用于根据调节指令，调节电极组件的输出参数，和/或调节冷却组件的冷却参数。采用本系统能够提高目标区域不同组织能量的均匀性，以使射频系统的射频强度达到理想强度。

Description

射频处理系统

技术领域

本申请涉及医疗美容领域，特别是涉及一种射频处理系统。

背景技术

射频(RF，Radio Frequency)表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围为从300kHz～300GHz之间。射频就是射频电流，是一种高频交流变化电磁波的简称。射频可以应用于交通领域、医疗领域、防伪技术领域、物流领域、安全防护领域、管理与数据统计领域等多种领域。例如：在医美领域中，可以采用基于射频的装置进行医美处理。

目前在对目标区域使用基于射频的装置过程中，只能在目标区域中几个深度层次上加热，均匀度差，使得射频装置的射频强度无法达到理想强度。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种射频处理系统，以使目标区域各层次可以均匀加热，射频强度达到理想强度。

第一方面，本申请提供了一种射频处理系统，其特征在于，所述系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，

所述电极组件安装于所述手柄，用于向目标区域提供射频，所述目标区域包括至少一层组织，各所述组织的中心温度对应的深度不同；

所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度；

控制面板，与所述控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的调节指令，所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织；

所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接，所述控制器用于根据所述调节指令，调节所述电极组件的输出参数，和/或调节所述冷却组件的冷却参数。

在一个实施例中，所述冷却参数包括制冷时长和/或制冷量。

在一个实施例中，所述输出参数包括输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率。

在一个实施例中，所述冷却组件包括：

半导体制冷器件，设置于所述电极组件远离所述目标对象的一侧，且与所述控制器连接，所述控制器用于响应于所述调节指令向所述半导体制冷器件输出对应的电流信号，所述半导体制冷器件用于响应于所述电流信号为所述电极组件降温。

在一个实施例中，所述冷却组件包括：冷喷头、冷喷开关、冷媒管和冷媒罐，其中，

所述冷媒罐设置于所述控制器内，通过所述冷媒管与所述冷喷头连接，所述冷媒罐用于通过所述冷媒管向所述冷喷头提供所述冷却源；

所述冷喷头设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，用于喷出所述冷却源以使所述电极组件降温；

所述冷喷开关设置于所述冷媒管上，并与所述控制器连接，用于响应于所述控制器的控制操作，控制所述冷媒管的开启和关闭。

在一个实施例中，在所述目标深度为第一深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的第一调节指令，所述控制器用于响应于所述第一调节指令，执行对应的第一调节操作，所述第一调节操作包括降低所述电极组件的输出功率、缩短所述电极组件输出的脉冲时间、缩短所述冷却组件的制冷时长、降低所述冷却组件的制冷量中的至少一项。

在一个实施例中，在所述目标深度为第二深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的第二调节指令，所述控制器用于响应于所述第二调节指令，执行对应的第二调节操作，所述第二调节操作包括增加所述电极组件的输出功率、延长所述电极组件输出的脉冲时间、延长所述冷却组件的制冷时长、增大所述冷却组件的制冷量中的至少一项，所述第二深度大于所述第一深度。

在一个实施例中，所述系统还包括：

温度传感器，设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，且与所述控制器连接，所述温度传感器用于测量所述电极组件的温度，并将所述电极组件的温度发送给所述控制器；

所述控制器还用于根据所述电极组件的温度，调节所述冷却组件的冷却参数，以将所述电极组件的温度调节到所述目标深度对应的目标温度。

在一个实施例中，所述系统还包括：

阻抗传感器，设置于所述电极组件上，并与所述控制器连接，所述阻抗传感器用于测量所述目标区域的阻抗值信号，并将所述阻抗值信号发送给所述控制器；

所述控制器还用于根据所述阻抗值信号确定所述电极组件的输出参数，和/或确定所述冷却组件的冷却参数。

在一个实施例中，所述系统还包括：

功率传感器，设置于所述控制器和所述电极组件的连接电路中，用于测量所述电极组件的输出功率，并将所述输出功率发送给所述控制器；

所述控制器还用于根据所述阻抗值信号和所述输出功率，确定所述电极组件的输出参数，和/或确定所述冷却组件的冷却参数。

上述射频处理系统，射频系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，所述电极组件安装于所述手柄，用于向目标区域提供射频，所述目标区域包括至少一层组织，各所述组织的中心温度对应的深度不同；所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度；控制面板，与所述控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织；所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接，所述控制器用于根据所述调节指令，调节所述电极组件的输出参数，和/或调节所述冷却组件的冷却参数。本申请提供的射频处理系统，可以通过调节电极组件的输出参数和/或调节所述冷却组件的冷却参数，使得射频处理系统作用到目标深度对应的目标组织上，以便对于目标区域中的各层组织分层独立地进行射频处理，进而可以提高目标区域不同组织能量的均匀性，以使射频系统的射频强度达到理想强度。

附图说明

图1为一个实施例中射频处理系统的示意图；

图2为一个实施例中目标区域中组织的分布情况示意图；

图3为一个实施例中目标区域中能量的扩散分布示意图；

图4为一个实施例中深度与制冷量的关系曲线图；

图5为一个实施例中深度与加热量的关系曲线图；

图6为一个实施例中深度与制冷量和加热量的关系曲线图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

本申请实施例提供一种射频处理系统。如图1所示，射频处理系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器。其中，电极组件安装于手柄，用于向目标区域提供射频，目标区域包括至少一层组织，各组织的中心温度对应的深度不同。冷却组件用于为电极组件降低温度。控制面板与控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，目标组织为目标区域中的任一层组织。控制器分别与电极组件和冷却组件连接，控制器用于根据调节指令，调节电极组件的输出参数，和/或调节冷却组件的冷却参数。

其中，电极组件可以为电极片，在射频处理系统每次使用时手柄上都需要更换一个新的电极组件。电极组件与目标区域接触，向目标区域输出一定强度的射频。目标区域可以为射频处理系统接触并产生作用的区域，示例性的如脸颊区域。目标区域可以包括至少一层组织，示例性的，组织可以为皮肤的各层。中心温度为组织的最高温度，中心温度对应的深度为组织的最高温度所在点的深度，各组织的中心温度对应的深度不同。控制面板可以为设置在控制器中间的显示屏。可以通过控制面板调节的目标深度参数来调节射频处理系统实际上作用的目标组织。控制面板上可以包括多种目标深度的调节挡位，需要说明的是，本申请实施例对针对目标深度的调节操作不做具体限定。例如，可以通过触屏或按键的方式在控制面板上调节目标深度。本申请实施例对控制面板上目标深度的档位数量也不做具体限定。控制器相当于主机，用来给整个射频处理系统提供信号及进行信号处理。

如图2所示，组织的中心温度对应的深度可以为1mm或3mm。需要说明的是，本申请实施例对组织的数量和深度划分不做具体限定，组织的中心温度对应的深度还可以为5mm、10mm等各种深度。若在控制面板上设定1mm的目标深度，则控制面板响应于1mm目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令。控制器用于根据调节指令调节电极组件的输出参数和/或调节冷却组件的冷却参数，以使电极组件向目标区域发出射频，对目标区域进行加热，加热后的最高温度在目标区域1mm深度的位置。此时，目标组织为从1mm深度的中心温度所在点向周围扩散的椭圆状的组织区域，射频处理系统实际上作用到1mm目标深度对应的目标组织上。

控制面板上还可以包括电极组件的输出参数和/或调节冷却组件的冷却参数等调节挡位。操作人员可以直接通过控制面板调节电极组件的输出参数和/或调节冷却组件的冷却参数。

本申请实施例提供的射频处理系统，包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，电极组件安装于手柄，用于向目标区域提供射频，目标区域包括至少一层组织，各组织的中心温度对应的深度不同；冷却组件用于为电极组件降低温度；控制面板，与控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，目标组织为目标区域中的任一层组织；控制器分别与电极组件和冷却组件连接，控制器用于根据调节指令，调节电极组件的输出参数，和/或调节冷却组件的冷却参数。本申请提供的射频处理系统，可以通过调节电极组件的输出参数和/或调节所述冷却组件的冷却参数，使得射频处理系统作用到目标深度对应的目标组织上，以便对于目标区域中的各层组织分层独立地进行射频处理，进而可以提高目标区域不同组织能量的均匀性，以使射频系统的射频强度达到理想强度。

示例性的，以医美领域为例，如图3所示，射频对人体组织有较好的加热效果。射频医美装置通过射频波穿透皮肤并利用热效应使皮肤结构变化，从而达到改善皱纹、紧致肌肤等效果。具体地，频是一种频率在3kHz-300GHz的电磁波，射频电流作用于人体时，人体作为电流的导体，皮肤及皮下组织对电磁波有阻抗性，电磁波经过皮肤和皮下组织时，细胞内的水分子高速振动产生热量，由于细胞温度升高致使细胞遭到破坏，一方面引发胶原收缩、融合重塑，使真皮增厚、皮肤紧致有弹性；另一方面组织的热损伤会触发愈合应答反应，刺激胶原蛋白再生，从而增加容积使皮肤皱纹变浅、表面光滑。根据结构不同，可分为单极、双极、点阵射频等。单极射频由主电极头和贴于皮肤的电极板组成，电流从电极头经人体流向电极板，穿透组织深、疗效佳，在眼周细纹和颊部皮肤松弛方面均有显著疗效。但缺点是疼痛和不良反应较多，现多采用低能量、多回合治疗减轻疼痛。在医疗美容领域，只有超声类治疗仪可以通过聚焦超声技术实现对人体组织定层加热治疗。聚焦超声治疗工作原理是利用超声波的方向性，组织穿透性以及聚焦性，将通过人体的超声波以某一种技术聚焦到某一特定的区域，使这个区域的能量集中，温度瞬间增高，而使该区域的皮肤组织温度升高，达到刺激胶原蛋白的作用，实现对皮肤的抗衰治疗。

目前的射频医美装置由于射频加热皮肤组织的治疗过程中疼痛感很强，射频强度不能提高，不能达到理想效果，而且现有的射频技术热量在皮肤内部分布的不够均匀，对更深层次的皮肤加热不足，若再提高治疗强度，皮肤上层就有烫伤风险，尤其在治疗较厚皮肤的情况下，能量更多的集中在上层，不能深入到皮肤下层，使得深层皮肤的治疗不够。而超声治疗仪只能在某几个皮肤深度层次上可以对皮肤进行加热，均匀度不够，所以不能将治疗强度设置的过高，不然超声瞬间聚焦到某一点后会对皮肤造成烫伤，所以超声美容仪器在临床上危险性很高，烫伤风险很高。在医美领域使用本申请实施例提供的射频处理系统，射频处理系统还可以包括回路贴片，回路贴片贴于人体。射频处理系统可以通过调节电极组件的输出参数和/或调节所述冷却组件的冷却参数，使得射频处理系统作用到目标深度对应的目标组织上，以便对于目标区域中的各层组织分层独立地进行射频处理，进而可以提高目标区域不同组织能量的均匀性，以使射频系统的射频强度达到理想强度。

在一个实施例中，冷却参数包括制冷时长和/或制冷量。

其中，制冷量为使用射频处理系统进行单次处理过程中，冷却组件向电极组件提供的冷却总流量。制冷时长为使用射频处理系统进行单次处理过程中，冷却组件向电极组件提供冷却的时间。

本公开实施例中，在使用射频处理系统时，操作人员可以通过对控制面板进行不同目标深度的调节操作，以使控制器根据控制面板发送的调节指令调节冷却组件的制冷时长和/或制冷量等，可以提高不同组织能量的均匀性，尤其有利于深度较高的目标区域的深层次治疗，降低风险，提高目标区域表面的舒适感，以使射频系统的射频强度达到理想强度。

在一个实施例中，输出参数包括输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率。

其中，输出功率为电极组件的发射功率。一个脉冲通常是指一定时间的射频输出，例如设定一个脉冲为100毫秒的射频输出，1秒处理时间通常有10个脉冲，脉冲时间即为脉冲个数的多少。电极组件输出的脉冲时间为单次处理过程内输出的脉冲个数。电极组件调节的输出参数还包括射频频率。在调节输出功率和脉冲时间时，可以将射频频率同时调整，频率越低，趋肤效应越不明显。趋肤效应是指，交变电流通过导体时，由于感应作用引起导体截面上电流分布不均匀，愈近导体表面电流密度越大，这种现象称“趋肤效应”。频率越高，趋肤效应越显著。目标区域作为一个良导体，在控制面板调节目标深度越大时，可以配合输出射频频率更低，使得电流流向目标区域深层的电荷更多、电流密度更大，对深层的组织的加热效率更高。

本公开实施例中，在使用射频处理系统时，操作人员可以通过对控制面板进行不同目标深度的调节操作，以使控制器根据控制面板发送的调节指令调节电极组件的输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率等，可以提高不同组织能量的均匀性，尤其有利于深度较高的目标区域的深层次治疗，降低风险，提高目标区域表面的舒适感，以使射频系统的射频强度达到理想强度。射频处理通常是恒定频率，本公开实施例中，通过调节射频频率采取变频加热，针对不同组织层次供电频率不同，深层低频供电可以使深层组织的加热效率更高。

在一个实施例中，冷却组件包括：半导体制冷器件，设置于电极组件远离目标对象的一侧，且与控制器连接，控制器用于响应于调节指令向半导体制冷器件输出对应的电流信号，半导体制冷器件用于响应于电流信号为电极组件降温。

其中，半导体制冷器件由控制器提供电流信号，半导体制冷器件的冷端可以安装在电极组件远离人体的一侧，用来为电极组件降温，相应地降低目标区域表面温度。半导体制冷器件可以包括热电冷却模块，热电冷却模块的制冷是通过帕帖尔效应(Peltier)实现的，帕帖尔效应是指当电流通过由两种不同道题联结构成的回路时，在两接触点处吸收和放出热量的现象。半导体制冷器件的优点在于结构简单，体积小，制冷速度快。在冷却组件为半导体制冷器件的情况下，冷却组件的制冷量调节可以通过控制器提供的电流信号的大小，调节冷端温度来实现。冷却组件的制冷时长即为半导体制冷器件的制冷时间。

本公开实施例，基于使用半导体制冷器件对电极组件进行降温，在减小射频处理系统的体积的同时，在控制器的控制下实现目标深度的调节。

在一个实施例中，冷却组件包括：冷喷头、冷喷开关、冷媒管和冷媒罐，其中，冷媒罐设置于控制器内，通过冷媒管与冷喷头连接，冷媒罐用于通过冷媒管向冷喷头提供冷却源。冷喷头设置于电极组件远离目标区域的一侧，用于喷出冷却源以使电极组件降温。冷喷开关设置于冷媒管上，并与控制器连接，用于响应于控制器的控制操作，控制冷媒管的开启和关闭。

其中，冷媒罐位于控制器内，为冷却组件提供冷却源。冷媒罐内有高压液化冷媒，当控制器控制冷媒管开启时，冷媒通过冷媒管传输到冷喷头，冷媒在冷喷头喷出后汽化吸热，对电极组件迅速降温，相应地降低目标区域表面温度。当控制器控制冷媒管关闭时，冷喷头不再喷出冷媒。冷却组件提供的冷却源可以为高压液化冷媒，例如氟利昂、烷烃、氨气、二氧化碳等。此时，冷却组件的制冷量即为冷喷头喷出的制冷流量，冷却组件的制冷时长即为冷媒管的开启时间。

本公开实施例基于控制器控制冷喷开关的开启和关闭，可以控制冷却组件的冷却参数，以在控制器的控制下实现目标深度的调节。

在一个实施例中，在目标深度为第一深度的情况下，控制面板用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的第一调节指令，控制器用于响应于第一调节指令，执行对应的第一调节操作，第一调节操作包括降低电极组件的输出功率、缩短电极组件输出的脉冲时间、缩短冷却组件的制冷时长、降低冷却组件的制冷量中的至少一项。

其中，第一深度为在目标区域中更靠近目标区域表面的目标组织对应的中心温度的深度，例如，第一深度可以为1mm。电极组件对目标区域的深度的影响因素包括加热量和制冷量。加热量增加可以使目标区域温度升高，制冷量增加可以使目标区域表面温度降低，由于温度的热扩散原理，目标区域能量也会由表向里扩散一定深度。在控制面板设定目标深度为第一深度时，向控制器传输对应的第一调节指令，控制器用于响应于第一调节指令，设定较低的加热量和制冷量，使得对目标区域进行射频处理后，最高温度点位于第一深度处。目标组织为从1mm深度的中心温度所在点向周围扩散的椭圆状的组织区域，射频处理系统实际上作用到1mm目标深度对应的目标组织上。第一调节指令对应的第一调节操作可以为降低电极组件的输出功率和/或缩短电极组件输出的脉冲时间，来保持较低的加热量，第一调节指令对应的第一调节操作还可以为缩短冷却组件的制冷时长和/或降低冷却组件的制冷量来同时保持较低制冷量。

本公开实施例，通过对控制面板进行第一深度的调节操作，以使控制器根据控制面板发送的第一调节指令保持较低的加热量和/或制冷量，以对第一深度对应的目标组织进行射频处理。

在一个实施例中，在目标深度为第二深度的情况下，控制面板用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的第二调节指令，控制器用于响应于第二调节指令，执行对应的第二调节操作，第二调节操作包括增加电极组件的输出功率、延长电极组件输出的脉冲时间、延长冷却组件的制冷时长、增大冷却组件的制冷量中的至少一项，第二深度大于第一深度。

其中，第二深度为在目标区域中相比于第一深度更远离目标区域表面的目标组织对应的中心温度的深度，例如，第二深度可以为3mm。第二深度大于第一深度。需要说明的是，本申请实施例对目标区域中各个深度及对应组织的划分个数不作具体限定。在控制面板设定目标深度为第二深度时，向控制器传输对应的第二调节指令，控制器用于响应于第二调节指令，设定较高的加热量和制冷量，使得对目标区域进行射频处理后，最高温度点位于第二深度处。目标组织为从3mm深度的中心温度所在点向周围扩散的椭圆状的组织区域，射频处理系统实际上作用到3mm目标深度对应的目标组织上。第二调节指令对应的第二调节操作可以为增加电极组件的输出功率和/或延长电极组件输出的脉冲时间，来保持较高的加热量，第二调节指令对应的第二调节操作还可以为延长冷却组件的制冷时长和/或增大冷却组件的制冷量来同时保持较低制冷量。

本公开实施例，通过对控制面板进行第二深度的调节操作，以使控制器根据控制面板发送的第二调节指令保持较高的加热量和/或制冷量，以对第二深度对应的目标组织进行射频处理。

需要说明的是，本申请实施例对目标深度的个数不做具体限定，目标深度还可以为第三深度、第四深度等，只需满足目标深度越大，目标深度对应的目标组织离目标区域表面的距离越远。通过控制面板进行更大的目标深度的调节操作时，控制器将根据控制面板发送的调节指令调节更高的加热量和/或制冷量，以对更大的目标深度对应的目标组织进行射频处理。

示例性的，在医美领域中，射频仪器治疗时，皮肤温度由表至里温度呈降低趋势，能量更多的集中在表层，极少数射频仪器增加了液化制冷剂冷喷对电极表面进行降温，皮肤表面温度降低了，但是降低的厚度有限，除表面外还是明显的温度由高至低，导致在治疗范围内，里层聚集的热量不足，尤其是较厚的皮肤，能量多聚集在表层，无法深入，再提高加热功率会导致局部过热或疼痛难忍。超声治疗仪聚焦区域太小，容易烫伤。目标区域为皮肤区域时，目标深度也即皮肤深度随加热量、制冷量的变化可以如图4、5、6所示。本申请实施例提供的射频处理系统通过在控制面板上设定目标深度，以使控制器根据目标深度随加热量、制冷量的变化曲线，调节电极组件的输出参数和/或冷却组件的冷却参数，实现调节目标深度的目标，提高了抗衰治疗能量的均匀性，提高治疗效果，通过分层聚焦，实现一种可调节深度的射频技术。

在一个实施例中，射频处理系统还包括温度传感器。温度传感器设置于电极组件远离目标区域的一侧。温度传感器与控制器连接。温度传感器用于测量电极组件的温度，并将电极组件的温度发送给控制器。控制器还用于根据电极组件的温度，调节冷却组件的冷却参数，以将电极组件的温度调节到目标深度对应的目标温度。

其中，本申请实施例对温度传感器的类型不作具体限定。温度传感器可以设置在电极组件表面。温度传感器可以通过测量电极组件的温度，近似测量目标去区域表面的温度。目标温度为降温后欲使电极组件达到的温度。不同的目标深度对应不同的目标温度。例如控制器内部设置25摄氏度，30摄氏度对应两个目标深度，当控制面板调节目标深度为第一深度时，控制器设置的目标温度为30摄氏度，当控制面板调节目标深度为第二深度时，控制器设置的目标温度为25摄氏度，如图4所示，当电极参数一定时，皮肤温度越低，皮肤的最高温度越低，并且最高温度所在的皮肤深度更深。

本公开实施例中，通过设置温度传感器使得目标深度需要的制冷量有具体的目标温度，更智能化精确化，同时当目标区域温度过高时，可以有效更迅速的降温，提高了舒适感。

在另一个实施例中，温度传感器还可以设置于电极组件靠近目标区域一侧的表面。此时，温度传感器可以直接测得目标区域表面的温度。

在一个实施例中，射频处理系统还包括阻抗传感器，设置于电极组件上，并与控制器连接，阻抗传感器用于测量目标区域的阻抗值信号，并将阻抗值信号发送给控制器。控制器还用于根据阻抗值信号确定电极组件的输出参数，和/或确定冷却组件的冷却参数。

其中，本申请实施例对阻抗传感器的类型不作具体限定。阻抗值信号传给控制器后，控制器根据阻抗值信号给出建议的输出参数和/或冷却参数。不同的目标区域阻抗值不同，如脂肪厚的脸颊比脂肪薄的下颌角阻抗值大。通常阻抗值越大，可以承受更高的射频输出强度，所以根据阻抗值不同，控制器可以给出能承受的最高射频输出参数和应该使用的冷却参数。控制器根据阻抗值信号确定的输出参数和/或冷却参数，可以根据操作人员的经验得到，然后内置到控制器内。若控制器提供的输出参数和/或冷却参数不合适，操作人员还可以在控制面板上进行细微调整。

本公开实施例基于阻抗传感器测量的阻抗值，可以给出建议的输出参数和冷却参数，使射频处理系统更加智能化，使操作人员体验更加便捷。

在一个实施例中，射频处理系统还包括功率传感器。功率传感器设置于控制器和电极组件的连接电路中，用于测量电极组件的输出功率，并将输出功率发送给控制器。控制器还用于根据阻抗值信号和输出功率，确定电极组件的输出参数，和/或确定冷却组件的冷却参数。

其中，功率传感器位于控制器和电极组件的电路中，可以测得电极组件发出的射频功率。本申请实施例对功率传感器的类型不作具体限定。通常功率传感器可以包括电压表和电流表，电压表测得射频的电压(U)，电流表测得通过电极组件的电流(I),控制器通过P＝UI计算得到射频功率P。

传统技术中射频系统大多数功率需手动调整，且设定好功率再进行射频处理时输出功率是恒定的。本申请实施例提供的射频处理系统可以在射频功率(P)前通过阻抗传感器测得目标区域的阻抗值信号，不同目标区域的阻抗值(R1)不同，电极组件及电路本身有电阻(R2)，R1和R2相当于串联电路。电极组件输出一定的脉冲时间(t)，再通过Q＝Pt得到输出的总能量(Q)，Q即为总的输出能量，总能量分为目标组织得到的加热量Q1和电极电路消耗的能量Q2，Q＝Q1+Q2＝IR1²+IR2²。为了使不同目标区域接受的总能量(Q1)相同，需要将总能量Q调整，所以当脉冲时间(t)一定的情况下，实际输出功率也需要调整，即每个目标区域对应的输出功率都有细微调整，所以每一次在使用射频处理系统进行射频处理时都需要测输出功率。根据功率传感器的输出功率信号计算出Q1。

如图6所示，示例性的，控制面板调节目标深度时，若要不同目标深度的温度相近，同一目标区域第一深度对应的目标组织的Q1应该比第二深度对应的目标组织的Q1更低，即加热量更低，同时配合制冷量的变化。第二深度对应的目标组织的Q1受到P、t的影响，即可以提高P，和/或延长t。

本公开实施例中，可以通过控制器内置算法调节目标深度，用功率传感器、阻抗传感器和温度传感器等给出能量、阻抗值和温度信号，在控制器中通过算法加工这些信号，调节电极组件的输出参数和/或冷却组件的冷却参数，实现调节目标深度的目标。阻抗传感器和功率传感器有助于射频处理系统对目标区域的加热量更精确，更智能化的自动调节了输出参数和冷却参数，使得不同深度可以达到的温度相近，即使是较深层次也有很好的加热效果，以及提高射频处理系统的安全性。

在一个实施例中，控制面板上还可以包括不同的射频处理强度档位。控制面板可以直接响应于针对射频处理强度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，以使控制器用于根据调节指令调节电极组件的输出参数。

目标区域需要的加热量不同。不同目标区域的厚度不一样，聚集热量的方式也不一样，实验证明热量更多的集中在密度高的组织，比如较厚的脂肪层和纤维间隔中，原理是电阻高的部位在电流相同的情况下能量更高，Q＝IR²。所以不同目标区域需要在射频处理过程中调节不同的射频处理强度。射频处理强度的影响因素可以包括输出功率和脉冲时间。示例性的，射频处理强度与输出功率相关，若脉冲时间一定下，可设置不同射频处理强度档位，射频处理强度＝N，输出功率＝P，P＝N*k+b(k，b均为系统定额系数)，比如系统设定k＝10，b＝30，如N＝2档，则输出功率P＝2*10+30＝50(瓦)。

需要说明的是，本申请所涉及的用户信息(包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等)和数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种射频处理系统，其特征在于，所述系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，

所述电极组件安装于所述手柄，用于向目标区域提供射频，所述目标区域包括至少一层组织，各所述组织的中心温度对应的深度不同；

所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度；

控制面板，与所述控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的调节指令，所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织；

所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接，所述控制器用于根据所述调节指令，调节所述电极组件的输出参数，和/或调节所述冷却组件的冷却参数。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述冷却参数包括制冷时长和/或制冷量。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述输出参数包括输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述冷却组件包括：

半导体制冷器件，设置于所述电极组件远离所述目标对象的一侧，且与所述控制器连接，所述控制器用于响应于所述调节指令向所述半导体制冷器件输出对应的电流信号，所述半导体制冷器件用于响应于所述电流信号为所述电极组件降温。

5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述冷却组件包括：冷喷头、冷喷开关、冷媒管和冷媒罐，其中，

所述冷媒罐设置于所述控制器内，通过所述冷媒管与所述冷喷头连接，所述冷媒罐用于通过所述冷媒管向所述冷喷头提供所述冷却源；

所述冷喷头设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，用于喷出所述冷却源以使所述电极组件降温；

所述冷喷开关设置于所述冷媒管上，并与所述控制器连接，用于响应于所述控制器的控制操作，控制所述冷媒管的开启和关闭。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，在所述目标深度为第一深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的第一调节指令，所述控制器用于响应于所述第一调节指令，执行对应的第一调节操作，所述第一调节操作包括降低所述电极组件的输出功率、缩短所述电极组件输出的脉冲时间、缩短所述冷却组件的制冷时长、降低所述冷却组件的制冷量中的至少一项。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，在所述目标深度为第二深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的第二调节指令，所述控制器用于响应于所述第二调节指令，执行对应的第二调节操作，所述第二调节操作包括增加所述电极组件的输出功率、延长所述电极组件输出的脉冲时间、延长所述冷却组件的制冷时长、增大所述冷却组件的制冷量中的至少一项，所述第二深度大于所述第一深度。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：

温度传感器，设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，且与所述控制器连接，所述温度传感器用于测量所述电极组件的温度，并将所述电极组件的温度发送给所述控制器；

所述控制器还用于根据所述电极组件的温度，调节所述冷却组件的冷却参数，以将所述电极组件的温度调节到所述目标深度对应的目标温度。

9.根据权利要求1或8所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：

阻抗传感器，设置于所述电极组件上，并与所述控制器连接，所述阻抗传感器用于测量所述目标区域的阻抗值信号，并将所述阻抗值信号发送给所述控制器；

所述控制器还用于根据所述阻抗值信号确定所述电极组件的输出参数，和/或确定所述冷却组件的冷却参数。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：

功率传感器，设置于所述控制器和所述电极组件的连接电路中，用于测量所述电极组件的输出功率，并将所述输出功率发送给所述控制器；

所述控制器还用于根据所述阻抗值信号和所述输出功率，确定所述电极组件的输出参数，和/或确定所述冷却组件的冷却参数。

Images