CN116325085A - 清洁组合物及其使用方法 - Google Patents

Abstract

本公开关于用于清洁半导体基板的清洁组合物。这些清洁组合物可移除半导体基板上的因先前处理而产生的缺陷/污染物，从而使得该基板适于进一步处理。本文所述的清洁组合物主要含有至少一种pH调节剂及至少一种生物表面活性剂。

Description

清洁组合物及其使用方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年8月28日提交的美国临时申请第63/071,730号的优先权，该案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

通过工艺及集成创新使器件进一步小型化，从而不断推动半导体行业提高芯片性能。化学机械抛光/平坦化(CMP)为一种强大的技术，原因在于其使得许多复杂的晶体管级的集成方案成为可能，从而有助于提高芯片密度。

CMP为一种通过使用基于磨损的物理过程结合基于表面的化学反应移除材料来平坦化或平整化晶圆表面的制程。一般而言，CMP制程包括将CMP浆液(水性化学制剂)施加至晶圆表面，同时使晶圆表面与抛光垫接触，且相对于晶圆移动抛光垫。浆液通常包括磨料组分及溶解的化学组分，这些组分可根据晶圆上存在的将在CMP制程中与浆液及抛光垫相互作用的材料(例如金属、金属氧化物、金属氮化物、介电材料，诸如氧化硅、氮化硅等)而显著变化。

在CMP处理之后，经抛光的晶圆的表面上可能存在各种污染物。污染物可包括例如来自CMP浆液的粒状磨料、来自衬垫或浆液组分的有机残余物，以及在CMP制程中从晶圆移除的材料。这些污染物若留在经抛光的晶圆的表面上，则可能会在进一步的晶圆处理步骤中导致故障及/或降低器件性能。因此，需要有效地移除污染物，使得晶圆能够可预见地进行进一步处理且/或实现最佳器件性能。在CMP之后移除晶圆表面上的这些抛光后的污染物或残余物的过程被称为CMP后清洁。此CMP后清洁过程中所用的制剂称为CMP后(P-CMP)清洁溶液。该P-CMP清洁溶液/制剂将CMP步骤之后残留于晶圆表面上的缺陷溶解或以其他方式弱化缺陷，从而移除这些缺陷，使得晶圆表面清洁。此清洁过程确保晶圆经过进一步的处理后，器件性能及芯片良率能够得到优化。

发明内容

在半导体芯片制造时，晶圆表面的缺陷度为晶圆良率的关键，晶圆良率决定芯片公司在全球范围内的营业收入及净利润。典型晶圆在制成芯片且从晶圆切割成单个晶粒之前要经历约1000个制程。在这些制程中的每一个制程中，要在制程前及制程后监测缺陷度。CMP为芯片制造中的重要步骤。然而，CMP步骤在抛光步骤后引入大量的缺陷。因此，在CMP抛光步骤之后，通常将CMP后(P-CMP)清洁组合物施加至晶圆表面上以减少缺陷。本公开讨论了新颖的P-CMP清洁组合物，其可有效地减少晶圆污染物及缺陷而不腐蚀晶圆的组分，同时显著减少对环境的影响。

本公开关于用于清洁半导体基板的清洁组合物。该清洁组合物可移除半导体基板上因先前处理而产生的缺陷/污染物，从而使得该基板适于进一步处理。

在一个方面，本公开的特征为一种清洁组合物，其包括至少一种pH调节剂；及至少一种选自由糖脂、脂肽及其混合物组成的组的生物表面活性剂，其中该组合物具有约1至约14的pH。

在另一个方面，本公开的特征为一种用于清洁基板的方法，该方法包括：使用CMP组合物对基板(例如，晶圆)进行抛光，以形成经抛光的基板；及使经抛光的基板与本文所述的清洁组合物接触，以清洁经抛光的基板。

提供此发明内容是为了介绍将在下述实施方式中进一步描述的一些概念。此发明内容并非旨在确定所要求的主题的关键或基本特征，亦非旨在用于帮助限制所要求的主题的范围。

具体实施方式

本文公开的实施例大体上关于组合物及使用该组合物清洁基板的方法。特别的，该组合物可用于在CMP制程之后清洁基板。然而，本文所述的清洁组合物也可用于在蚀刻制程之后、在灰化制程之后或在电镀制程之后从基板表面移除残余物及/或污染物。

如本文所定义，残余物及/或污染物可包括已用于抛光待清洁基板的CMP抛光组合物中存在的组分(例如，磨料、分子组分、聚合物、酸、碱、盐、表面活性剂等)、在CMP制程中由于基板与抛光组合物之间及/或抛光组合物的组分之间的化学反应而产生的化合物、抛光垫聚合物颗粒、抛光副产物、(来自CMP浆液或CMP垫的)有机或无机残余物、在CMP制程中释放的基板(或晶圆)颗粒及/或已知可在CMP制程之后沉积在基板上的任何其他可移除材料。

在一个或多个实施例中，本公开关于包括至少一种生物表面活性剂的清洁组合物。如本文所用，术语“生物表面活性剂”旨在表示由生物有机体(例如微生物)产生的两亲有机分子，诸如包括疏水性基团(例如烷基链)与亲水性基团(例如羧酸基)的有机分子。半导体行业中常用的表面活性剂是使用基于石油的前体及/或能量密集型化学反应制成的。相比之下，生物表面活性剂可具有有利的环境及能量特性(例如，可生物降解性及/或通过低能量密集型工艺制成)，同时仍能够提供执行先进半导体操作所必需的性能特征。另外，由于生物表面活性剂独特的化学结构，生物表面活性剂也可在半导体操作期间单独使用或与不是生物表面活性剂的表面活性剂组合使用来赋予增强的性能(例如，增加晶圆上的缺陷移除及/或降低某些介电质及/或金属膜的移除速率)。因此，在半导体行业内使用生物表面活性剂为改善或维持性能以及显著减少对环境的影响提供了机会。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物包括至少一种pH调节剂(例如酸，诸如有机酸)及至少一种生物表面活性剂。在一个或多个实施例中，本公开的清洁组合物可包括约0.00001重量％至约50重量％(例如约0.01重量％至约5重量％)的至少一种pH调节剂、约0.00001重量％至约50重量％(例如约0.005重量％至约10重量％)的至少一种生物表面活性剂，及其余重量百分比(例如约60重量％至约99.99重量％)的溶剂(例如去离子水)。

在一个或多个实施例中，本公开提供一种浓缩P-CMP清洁组合物，其可用水稀释高达20倍、或高达50倍、或高达100倍、或高达200倍、或高达400倍、或高达800倍、或高达1000倍以获得使用点(point-of-use，POU)清洁组合物。在其他实施例中，本公开提供一种可直接用于清洁基板表面的使用点(POU)清洁组合物。

在一个或多个实施例中，POU清洁组合物可包括约0.00001重量％至约5重量％的至少一种pH调节剂(例如至少一种氨基酸或至少一种羧酸)及约0.00001重量％至约5重量％的至少一种生物表面活性剂。在另一个实施例中，POU清洁组合物可包括约0.00001重量％至约5重量％的至少一种氨基酸、约0.00001重量％至约5重量％的至少一种生物表面活性剂，及约0.00001重量％至约5重量％的至少一种羧酸。

在一个或多个实施例中，浓缩P-CMP清洁组合物可包括约0.01重量％至约30重量％(例如约0.05重量％至约20重量％)的至少一种pH调节剂(例如至少一种氨基酸或至少一种羧酸)及约0.005重量％至约15重量％的至少一种生物表面活性剂。在另一个实施例中，浓缩P-CMP清洁组合物可包括约0.005重量％至约20重量％的至少一种氨基酸、约0.005重量％至约15重量％的至少一种生物表面活性剂，及约0.005重量％至约20重量％的至少一种羧酸。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可包括至少一种(例如两种或三种)pH调节剂。在一些实施例中，pH调节剂可为酸(例如，有机酸或无机酸)或碱(例如，有机碱或无机碱)。在一些实施例中，pH调节剂可为有机酸或其盐。在这些实施例中，至少一种pH调节剂可选自由羧酸(例如聚羧酸或丙烯酸)、氨基酸、磺酸、磷酸、膦酸或其盐组成的组。在一些实施例中，至少一种有机酸或其盐可选自由以下组成的组：甲酸、葡萄糖酸、乙酸、丙二酸、柠檬酸、丙酸、苹果酸、己二酸、丁二酸、乳酸、草酸、羟基亚乙基二膦酸、2-膦酰基-1,2,4-丁烷三羧酸、氨基三亚甲基膦酸、六亚甲基二胺四(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺膦酸、氨基乙酸、过氧乙酸、乙酸钾、苯氧基乙酸、甘氨酸、N,N-二羟乙基甘氨酸、二甘醇酸、甘油酸、三(羟甲基)甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸、其盐及其混合物。在一个或多个实施例中，清洁组合物包括至少两种有机酸(例如第一有机酸及第二有机酸)作为pH调节剂。

在一个或多个实施例中，pH调节剂可为碱。例如，至少一种pH调节剂可选自由以下组成的组：氢氧化物(例如氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化铯或氢氧化胆碱)、烷醇胺(例如单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺)、四烷基氢氧化铵(例如四丁基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、二甲基二丙基氢氧化铵、苯甲基三甲基氢氧化铵，或三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵)，及其任何组合。在一些实施例中，pH调节剂可不含任何金属离子。

在一个或多个实施例中，至少一种pH调节剂的含量为清洁组合物的约0.00001重量％至约50重量％。例如，至少一种pH调节剂(例如有机酸或其盐)可为本文所述的清洁组合物的至少约0.00001重量％(例如至少约0.00005重量％、至少约0.0001重量％、至少约0.0005重量％、至少约0.001重量％、至少约0.005重量％、至少约0.01重量％、至少约0.02重量％、至少约0.05重量％、至少约0.1重量％、至少约0.5重量％，或至少约1重量％)至至多约50重量％(例如至多约45重量％、至多约40重量％、至多约35重量％、至多约30重量％、至多约25重量％、至多约20重量％、至多约15重量％、至多约10重量％、至多约5重量％，或至多约1重量％)。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可以是酸性或碱性的。在一些实施例中，抛光组合物可具有至少约1至至多约14范围内的pH。当清洁组合物为酸性时，pH可在至少约1(例如至少约1.5、至少约2、至少约2.5、至少约3、至少约3.5、至少约4、至少约4.5或至少约5)至至多约7(例如至多约6.5、至多约6、至多约5.5、至多约5、至多约4.5或至多约4)范围内。当清洁组合物为碱性时，pH可在至少约7(例如至少约7.5、至少约8、至少约8.5、至少约9、至少约9.5、至少约10、至少约10.5、至少约11、至少约11.5，或至少约12)至至多约14(例如至多约13.5、至多约13、至多约12.5、至多约12、至多约11.5、至多约11、至多约10.5，或至多约10)范围内。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可包括至少两种或三种有机酸(例如氨基酸或羧酸)。在一些实施例中，第一有机酸的含量为清洁组合物的约0.0005重量％至约50重量％。在一些实施例中，第二有机酸的含量为清洁组合物的约0.0005重量％至约30重量％。在一些其他实施例中，第三有机酸的含量为清洁组合物的约0.0005重量％至约10重量％。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可包括至少一种(例如两种或三种)生物表面活性剂。在一个或多个实施例中，至少一种生物表面活性剂可为微生物生长副产物(即，生物表面活性剂可由微生物产生)，诸如微生物代谢物。可经由纯化过程、从所培养的酵母或真菌菌株(即，微生物)收集微生物生长副产物(即，生物表面活性剂)，该纯化过程移除了涉及产生微生物生长副产物的微生物。

在一个或多个实施例中，生物表面活性剂可选自由糖脂、脂肽及其混合物组成的组。在一个或多个实施例中，生物表面活性剂包括选自由以下组成的组的糖脂：鼠李糖脂、槐糖脂、海藻糖脂、甘露糖赤藓糖醇脂，及其混合物。在一个或多个实施例中，生物表面活性剂包括选自由以下组成的组的脂肽：表面活性素(surfactin)、伊枯草菌素(iturin)、丰原素(fengycin)、地衣素(lichenysin)，及其混合物。

在一个或多个实施例中，糖脂为鼠李糖脂生物表面活性剂，其选自单鼠李糖脂、二鼠李糖脂及其混合物。鼠李糖脂生物表面活性剂为微生物释放的表面活性化合物。其为生物可降解、无毒且对生态友好的材料。其生产依赖于发酵条件、环境因素及营养物可获得性。在一些实施例中，鼠李糖脂具有醣基头基团(即，鼠李糖部分)及脂肪酸尾(例如含有一个或多个(例如两个或三个)C₁₀-C₁₄ 3-羟基烷酸或酯基)。根据发酵详情，鼠李糖脂的脂肪酸尾可具有10-28(例如20-28或24-28)个碳长度。在一些实施例中，脂肪酸尾可包括3-(羟基烷酰氧基)烷酸(HAA)基团。例如，脂肪酸尾可包括式(A)基团：-R₁-C(O)O-R₂-COOH，其中R₁及R₂各自独立地为C₁₀-C₁₄直链或支链亚烷基。

式I展示了典型单鼠李糖脂RLL或R1(α-L-吡喃鼠李糖基-β-羟基癸酰基-β-羟基癸酸酯，C₂₆H₄₈O₉(504g/mol))的结构：

式II展示了另一种典型二鼠李糖脂RRLL或R2(2-O-α-L-吡喃鼠李糖基-α-L-吡喃鼠李糖基-β-羟基癸酰基-β-羟基癸酸酯，C₃₂H₅₈O₁₃(650g/mol))的结构：

如上文所述，存在两大类鼠李糖脂：单鼠李糖脂及二鼠李糖脂。单鼠李糖脂具有单个鼠李糖糖环。单鼠李糖脂RLL(最常由铜绿假单胞菌产生)的通用名称为：L-鼠李糖基-β-羟基癸酰基-β-羟基癸酸酯(通常称为Rha-C10-C10)，具有式C₂₆H₄₈O₉。IUPAC名称为3-[3-[(2R,3R,4R,5R,6S)-3,4,5-三羟基-6-甲基氧杂环己-2-基]氧基癸酰基氧基]癸酸。

二鼠李糖脂具有两个鼠李糖糖环。二鼠李糖脂RRLL的通用名称为：L-鼠李糖基-L-鼠李糖基-β-羟基癸酰基-β-羟基癸酸酯(通常称为Rha-Rha-C10-C10)，具有式C₃₂H₅₈O₁₃。IUPAC名称为：3-[3-[4,5-二羟基-6-甲基-3-(3,4,5-三羟基-6-甲基氧杂环己-2-基)氧基恶烷-2-基]氧基癸酰基氧基]癸酸。较常见的二鼠李糖脂的一些其他形式或名称包括：L-吡喃鼠李糖基-L-吡喃鼠李糖基-β-羟基癸酰基-β-羟基癸酸酯(通常称为Rha-Rha-C10-C10)、L-吡喃鼠李糖基-L-吡喃鼠李糖基-β-羟基癸酰基-β-羟基十二烷酸酯(通常称为Rha-Rha-C10-C12)，及L-吡喃鼠李糖基-L-吡喃鼠李糖基-β-羟基十四烷酰基-β-羟基十四烷酸酯(通常称为Rha-Rha-C14-C14)。

在本文所述的清洁组合物中用作生物表面活性剂的鼠李糖脂制剂可为粗鼠李糖脂或高度纯化的鼠李糖脂。粗鼠李糖脂制剂包含具有许多杂质的鼠李糖脂，这些杂质可包括外部杂质(例如，由生物制造方法产生的那些杂质)；及/或对制剂产生减少效应的各种不同鼠李糖脂混合物。高度纯化的鼠李糖脂制剂包含外部杂质已移除的鼠李糖脂，及/或为了满足某些参数以对制剂产生增加效应而已纯化的鼠李糖脂混合物(例如二鼠李糖脂、单鼠李糖脂或其混合物)。在一个或多个实施例中，清洁组合物中的单鼠李糖脂相对于二鼠李糖脂的重量％比率分别在约0.1:99.9与99.9:0.1范围内。例如，抛光组合物中的单鼠李糖脂相对于二鼠李糖脂的重量％比率可为至少约0.1:99.9(例如至少约0.5:99.5、至少约1:99、至少约5:95、至少约10:90、至少约15:85、至少约20:80、至少约25:75、至少约30:70、至少约35:65、至少约40:60、至少约45:55，或至少约50:50)至至多约99.9:0.1(例如至多约99.5:0.5、至多约99:1、至多约95:5、至多约90:10、至多约85:15、至多约80:20、至多约75:25、至多约70:30、至多约65:35、至多约60:40、至多约55:45，或至多约50:50)。

在一个或多个实施例中，鼠李糖脂制剂通过如下制备：从获自微生物的初始混合物排除不需要的杂质，然后确定存在于最终清洁组合物中的鼠李糖脂的百分比及类型，且以用于清洁组合物的溶剂简单地稀释鼠李糖脂制剂。粗鼠李糖脂制剂及高度纯化的鼠李糖脂制剂可通过本领域技术人员熟知的方法制备。在一些实施例中，在本文所述的抛光组合物中用作生物表面活性剂的鼠李糖脂制剂可包括至少约50重量％(例如至少约55重量％、至少约65重量％、至少约70重量％、至少约75重量％、至少约80重量％、至少约85重量％、至少约90重量％、至少约95重量％、至少约98重量％、至少约99重量％、至少约99.5重量％，或至少约99.9重量％)的鼠李糖脂。

在一个或多个实施例中，糖脂为槐糖脂生物表面活性剂。槐糖脂(也称为槐二糖脂质或SL)为由二聚糖(槐二糖)与羟基脂肪酸经β-醣苷键连接而组成的一类生物表面活性剂。存在两种类型的SL，即，酸性(非内酯酸)SL及内酯酸SL。酸性SL的羟基脂肪酸部分具有自由的羧酸官能基，而内酯酸SL的羟基脂肪酸部分与槐二糖的4"-羟基通过分子内酯化形成巨环内酯环。槐二糖脂质通常可分类成两种形式：(1)由下式(III)表示的内酯形式：

其中R₁及R₂各自表示H或COCH₃；R₃表示H或CH₃；当R₃为H时，R₄表示饱和或不饱和C_12-16烃基(例如，任选地含有一个或多个(例如2、3、4或5个)双键的C_12-16亚烷基)，当R₃为CH₃时，R₄表示饱和或不饱和C_11-15烃基(例如，任选地含有一个或多个(例如2、3、4或5个)双键的C_11-15亚烷基)；以及(2)由下式(IV)表示的酸形式：

其中R₁至R₄如上文所定义。槐糖脂生物表面活性剂的市售实例为获自赢创(Evonik)(德国埃森(Essen,Germany))的REWOFERM SL ONE，其包括通过使葡萄糖、脂肪酸及C18不饱和酯与甘油在酵母假丝酵母菌(Candida Bombicola)存在下发酵而产生的槐糖脂混合物(即，内酯及酸形式)，且包括约30-50wt％的槐糖脂。

从上文可以看出，槐二糖脂质具有通过以下表征的多种衍生物：乙酰基的位置及数目、脂肪酸侧链中存在或不存在双键、脂肪酸侧链的碳链长度、脂肪酸侧链中醣苷醚键的位置、作为内酯环一部分的槐二糖部分上的羟基位置，及其他结构参数。槐二糖脂质通常以这些化合物的混合物形式存在。一般而言，槐二糖脂质是以难以处理的高黏性油形式产生的。然而，疏水性相对较高的二乙酰基内酯形式的槐二糖脂质可以固体形式产生。在一个或多个实施例中，糖脂为槐糖脂，该槐糖脂包括至少约5重量％(例如至少约10重量％、至少约15重量％、至少约20重量％、至少约25重量％、至少约30重量％、至少约35重量％、至少约40重量％、至少约45重量％或至少约50重量％)至至多约95重量％(例如至多约90重量％、至多约85重量％、至多约80重量％、至多约75重量％、至多约70重量％、至多约65重量％、至多约60重量％、至多约55重量％、至多约50重量％)的酸型槐糖脂。

在一个或多个实施例中，生物表面活性剂的含量为本文所述的清洁组合物的至少约0.00001重量％(例如至少约0.00005重量％、至少约0.0001重量％、至少约0.0005重量％、至少约0.001重量％、至少约0.002重量％、至少约0.004重量％、至少约0.005重量％、至少约0.006重量％、至少约0.008重量％、至少约0.01重量％、至少约0.02重量％、至少约0.03重量％、至少约0.04重量％、至少约0.05重量％、至少约0.1重量％、至少约0.5重量％，或至少约1重量％)至至多约50重量％(例如至多约45重量％、至多约40重量％、至多约35重量％、至多约30重量％、至多约25重量％、至多约20重量％、至多约15重量％、至多约10重量％、至多约5重量％、至多约1重量％、至多约0.5重量％、至多约0.1重量％，或至多约0.05重量％)。

在一个或多个实施例中，一种或多种(例如两种或三种)生物表面活性剂为本文所述的清洁组合物中仅有的表面活性剂。然而，在一些实施例中，清洁组合物还可包括不同于生物表面活性剂的一种或多种(例如两种或三种)其他表面活性剂，这些表面活性剂选自由以下组成的组：阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂、阳离子表面活性剂及其混合物。

适合的阳离子表面活性剂的实例包括(但不限于)脂族胺盐及脂族铵盐。

适合的非离子表面活性剂的实例包括(但不限于)醚型表面活性剂、醚酯型表面活性剂、酯型表面活性剂及基于乙炔的表面活性剂。醚型表面活性剂的实例包括聚乙二醇单-4-壬基苯基醚、聚乙二醇单油醚，及三乙二醇单十二烷基醚。醚酯型表面活性剂的实例为甘油酯的聚氧乙烯醚。酯型表面活性剂的实例包括聚乙二醇脂肪酸酯、甘油酯及去水山梨醇酯。基于乙炔的表面活性剂的实例包括乙炔醇、乙炔甘醇及乙炔二醇的环氧乙烷加合物。

适合的两性表面活性剂的实例包括(但不限于)基于甜菜碱的表面活性剂。

适合的阴离子表面活性剂的实例包括(但不限于)羧酸盐、磺酸盐、硫酸盐及磷酸盐。羧酸盐的实例包括脂肪酸盐(例如肥皂)及烷基醚羧酸盐。磺酸盐的实例包括烷基苯磺酸盐、烷基萘磺酸盐及α-烯烃磺酸盐。硫酸盐的实例包括高碳醇硫酸盐及烷基硫酸盐。磷酸盐的实例包括磷酸烷酯及烷基酯磷酸盐。

当本文所述的清洁组合物包括如上文所述的第二表面活性剂时，第二表面活性剂的含量可在清洁组合物的总质量的至少约0.001重量％(例如至少约0.002重量％、至少约0.0003重量％、至少约0.0005重量％、至少约0.01重量％、至少约0.05重量％，或至少约0.1重量％)至至多约1重量％(例如至多约0.8重量％、至多约0.6重量％、至多约0.5重量％、至多约0.4重量％、至多约0.2重量％，或至多约0.1重量％)范围内。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可包括至少一种(例如两种或三种)阴离子聚合物。在一个或多个实施例中，至少一种阴离子聚合物可包括一种或多种阴离子基团，诸如羧酸基、硫酸基及磷酸基。在一个或多个实施例中，至少一种阴离子聚合物由选自由以下组成的组的一种或多种单体形成：(甲基)丙烯酸、顺丁烯二酸、丙烯酸、乙烯基膦酸、乙烯基磷酸、乙烯基磺酸、烯丙基磺酸、苯乙烯磺酸、丙烯酰胺、丙烯酰胺丙基磺酸及亚膦酸钠(sodium phosphinite)。在更具体的实施例中，至少一种阴离子聚合物可选自由以下组成的组：聚(4-苯乙烯基磺酸)(PSSA)、聚丙烯酸(PAA)、聚(乙烯基膦酸)(PVPA)、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸)、聚(N-乙烯基乙酰胺)(PNVA)、聚乙烯亚胺(PEI)、阴离子聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、阴离子聚丙烯酰胺(PAM)、聚天冬氨酸(PASA)、阴离子聚(乙烯丁二酸酯)(PES)、阴离子聚丁二酸丁二醇酯(PBS)、聚(乙烯醇)(PVA)、2-丙烯酸与2-甲基-2-((1-侧氧基(oxo)-2-丙烯基)氨基)-1-丙磺酸单钠盐及亚膦酸钠的共聚物、2-丙烯酸与2-甲基-2-((1-侧氧基-2-丙烯基)氨基)-1-丙磺酸单钠盐及亚硫酸氢钠钠盐的共聚物，及2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸-丙烯酸共聚物、聚(4-苯乙烯磺酸-共-丙烯酸-共-乙烯基膦酸)三元共聚物，及其混合物。不希望受理论束缚，据信阴离子聚合物可在CMP后清洁过程中溶解晶圆表面上的疏水性抛光材料及/或缺陷且促进其移除。

在一个或多个实施例中，至少一种阴离子聚合物的重均分子量范围可为至少约250g/mol(例如至少约500g/mol、至少约1000g/mol、至少约2,000g/mol、至少约5,000g/mol、至少约10,000g/mol、至少约50,000g/mol、至少约100,000g/mol、至少约200,000g/mol、或至少约250,000g/mol)至至多约500,000g/mol(例如至多约400,000g/mol、至多约300,000g/mol、至多约200,000g/mol、至多约100,000g/mol，或至多约50,000g/mol，或至多约10,000g/mol)。在一些实施例中，至少一种阴离子聚合物的重均分子量可在至少约1000g/mol至至多约10,000g/mol范围内。在一些实施例中，至少一种阴离子聚合物的重均分子量可在至少约2000g/mol至至多约6,000g/mol范围内。在一些实施例中，至少一种阴离子聚合物可具有约5,000g/mol的重均分子量。

在一些实施例中，本文所述的清洁组合物包括一种阴离子聚合物，诸如聚(乙烯基膦酸)、2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸-丙烯酸共聚物，或聚(4-苯乙烯磺酸-共-丙烯酸-共-乙烯基膦酸)三元共聚物。在一些实施例中，本文所述的清洁组合物包括两种阴离子聚合物，诸如(1)聚(4-苯乙烯基磺酸)及聚(丙烯酸)或(2)2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸-丙烯酸共聚物及聚(丙烯酸)。

在一个或多个实施例中，至少一种阴离子聚合物的含量为本文所述的清洁组合物的约0.00001重量％至约50重量％。例如，至少一种阴离子聚合物可为本文所述的清洁组合物的至少约0.00001重量％(例如至少约0.00005重量％、至少约0.0001重量％、至少约0.0005重量％、至少约0.001重量％、至少约0.005重量％、至少约0.01重量％、至少约0.05重量％、至少约0.1重量％、至少约0.5重量％，或至少约1重量％)至至多约50重量％(例如至多约45重量％、至多约40重量％、至多约35重量％、至多约30重量％、至多约25重量％、至多约20重量％、至多约15重量％、至多约10重量％、至多约5重量％，或至多约1重量％)。

在一些实施例中，清洁组合物可包括至少两种或三种阴离子聚合物。在一些实施例中，第一阴离子聚合物的含量为本文所述的清洁组合物的约0.0005重量％至约50重量％。在一些实施例中，第二阴离子聚合物的含量为本文所述的清洁组合物的约0.0005重量％至约30重量％。在一些其他实施例中，第三阴离子聚合物的含量为本文所述的清洁组合物的约0.0005重量％至约10重量％。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可进一步包括至少一种(例如两种、三种或四种)任选的添加剂，该添加剂选自由以下组成的组：唑类化合物、二烯酸、腐蚀抑制剂、螯合剂及水溶性聚合物。

唑类化合物没有特别限制，但其具体实例包括经取代或未经取代的三唑(例如苯并三唑)、经取代或未经取代的四唑、经取代或未经取代的二唑(例如咪唑、苯并咪唑、噻二唑及吡唑)，及经取代或未经取代的苯并噻唑。本文中，经取代的二唑、三唑或四唑是指二唑、三唑或四唑中的一个或两个或更多个氢原子经例如羧基、烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基)、卤代(例如F、Cl、Br或I)、氨基或羟基取代而获得的产物。在一个或多个实施例中，唑类化合物可选自由以下组成的组：四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、甲基苯并三唑(例如1-甲基苯并三唑、4-甲基苯并三唑及5-甲基苯并三唑)、乙基苯并三唑(例如1-乙基苯并三唑)、丙基苯并三唑(例如1-丙基苯并三唑)、丁基苯并三唑(例如1-丁基苯并三唑及5-丁基苯并三唑)、戊基苯并三唑(例如1-戊基苯并三唑)、己基苯并三唑(例如1-己基苯并三唑及5-己基苯并三唑)、二甲基苯并三唑(例如5,6-二甲基苯并三唑)、氯苯并三唑(例如5-氯苯并三唑)、二氯苯并三唑(例如5,6-二氯苯并三唑)、氯甲基苯并三唑(例如1-(氯甲基)-1-H-苯并三唑)、氯乙基苯并三唑、苯基苯并三唑、苯甲基苯并三唑、氨基三唑、氨基苯并咪唑、吡唑、咪唑、氨基四唑、腺嘌呤、苯并咪唑、噻苯唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1-羟基苯并三唑、2-甲基苯并噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-氨基-5-乙基-1,3,4-噻二唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-5-甲基吡唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑，和其组合。不希望受理论束缚，据信唑类化合物可用作本文所述的清洁组合物中的腐蚀抑制剂，以在清洁过程中减少某些材料(例如金属或介电质材料)的移除。

在一些实施例中，唑类化合物可为清洁组合物的重量的至少约0.001重量％(例如至少约0.002重量％、至少约0.004重量％、至少约0.005重量％、至少约0.006重量％、至少约0.008重量％、至少约0.01重量％、至少约0.02重量％、至少约0.04重量％、至少约0.05重量％、至少约0.06重量％、至少约0.08重量％、或至少约0.1重量％)至至多约0.2重量％(例如至多约0.18重量％、至多约0.16重量％、至多约0.15重量％、至多约0.14重量％、至多约0.12重量％、至多约0.1重量％、至多约0.08重量％、至多约0.06重量％、至多约0.05重量％、至多约0.04重量％、至多约0.03重量％、至多约0.02重量％，或至多约0.01重量％)。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可任选地包括二烯酸(即，含有二烯烃的酸)。在一些实施例中，二烯酸可具有5至22个碳(例如5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21或22个碳)。在一些实施例中，二烯酸可具有5至12(例如5、6、7、8、9、10、11或12)个碳。在一些实施例中，二烯酸可为含有二烯烃的羧酸，诸如2,4-戊二烯酸、5-苯基戊-2,4-二烯酸、2-羟基戊-2,4-二烯酸、2,4-己二烯酸(山梨酸)、4,5-己二烯酸、4,6-庚二烯酸、2,6-二甲基庚-2,5-二烯酸、(3E,5E)-庚-3,5-二烯酸、(2E,5Z)-庚-2,5-二烯酸、辛-3,5-二烯酸、(Z)-3,7-二甲基-2,6-辛二烯酸、5,7-壬二烯酸、(E,Z)-2,4-癸二烯酸、2,5-癸二烯酸、十一碳二烯酸、十二碳二烯酸、十三碳二烯酸、十四碳二烯酸、十五碳二烯酸、十六碳二烯酸、十七碳二烯酸、(9Z,12E)-十八碳-9,12-二烯酸、十八碳-10,12-二烯酸、(10E,15Z)-9,12,13-三羟基十八碳-10,15-二烯酸、13(S)-羟基十八碳-9Z,11E-二烯酸、十九碳二烯酸、二十一碳二烯酸、二十二碳二烯酸，及二十碳-11,14-二烯酸。在一些实施例中，至少一种有机酸可包括本文所述的(例如两种或三种)二烯酸的混合物。不希望受理论所束缚，据信包括二烯酸可在CMP后清洁过程中改善基板上的某些金属及含金属膜(例如W、Cu、TaN或TiN)的腐蚀抑制。

在一个或多个实施例中，二烯酸可为本文所述的清洁组合物的至少约0.0001重量％(例如至少约0.0005重量％、至少约0.001重量％、至少约0.005重量％、至少约0.01重量％、至少约0.02重量％、至少约0.04重量％、或至少约0.05重量％)至至多约0.5重量％(例如至多约0.4重量％、至多约0.3重量％、至多约0.2重量％、至多约0.1重量％、至多约0.08重量％、至多约0.06重量％、至多约0.05重量％、至多约0.04重量％、至多约0.03重量％、至多约0.02重量％、至多约0.01重量％、或至多约0.005重量％)。

在一些实施例中，本文所述的清洁组合物可任选地包括非唑类腐蚀抑制剂。非唑类腐蚀抑制剂的实例包括二烯酸、烷基胺(例如乙胺、丙胺或丁胺)及有机膦酸(例如乙基膦酸)。

在一些实施例中，非唑类腐蚀抑制剂可为本文所述的清洁组合物的至少约0.001重量％(例如至少约0.002重量％、至少约0.004重量％、至少约0.005重量％、至少约0.006重量％、至少约0.008重量％、至少约0.01重量％、至少约0.02重量％、至少约0.04重量％、至少约0.05重量％、至少约0.06重量％、至少约0.08重量％、或至少约0.1重量％)至至多约0.2重量％(例如至多约0.18重量％、至多约0.16重量％、至多约0.15重量％、至多约0.14重量％、至多约0.12重量％、至多约0.1重量％、至多约0.08重量％、至多约0.06重量％、至多约0.05重量％、至多约0.04重量％、至多约0.03重量％、至多约0.02重量％、或至多约0.01重量％)。

在一个或多个实施例中，螯合剂可选自由以下组成的组：葡萄糖酸、乳酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、乙醇酸、丙二酸、甲酸、草酸、乙酸、丙酸、过氧乙酸、丁二酸、乳酸、氨基乙酸、苯氧基乙酸、N,N-二羟乙基甘氨酸(bicine)、二甘醇酸、甘油酸、三(羟甲基)甲基甘氨酸(tricine)、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸、氨、1,2-乙二磺酸、4-氨基-3-羟基-1-萘磺酸、8-羟基喹啉-5-磺酸、氨基甲磺酸、苯磺酸、羟胺O-磺酸、甲烷磺酸、间二甲苯-4-磺酸、聚(4-苯乙烯磺酸)、聚茴香磺酸、对甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、其盐，及其混合物。不希望受理论所束缚，据信螯合剂可充当移除速率增强剂以促进基板上的某些材料的移除。

在一些实施例中，螯合剂可为本文所述的清洁组合物的至少约0.1重量％(例如至少约0.2重量％、至少约0.3重量％、至少约0.4重量％、至少约0.5重量％、至少约0.6重量％、至少约0.7重量％、至少约0.8重量％、至少约0.9重量％、或至少约1重量％)至至多约10重量％(例如至多约8重量％、至多约6重量％、至多约5重量％、至多约4重量％、至多约2重量％、至多约1重量％、至多约0.8重量％、至多约0.6重量％、或至多约0.5重量％)。

水溶性聚合物没有特别限制，其具体实例包括聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸及羟乙基纤维素。不希望受理论所束缚，据信水溶性聚合物可充当移除速率抑制剂，以减小基板上不确定的暴露材料的移除速率，这些材料在清洁过程中不希望被移除或应以较低的移除速率移除。

在一些实施例中，水溶性聚合物可为本文所述的清洁组合物的至少约0.01重量％(例如至少约0.02重量％、至少约0.03重量％、至少约0.04重量％、至少约0.05重量％、至少约0.06重量％、至少约0.07重量％、至少约0.08重量％、至少约0.09重量％、或至少约0.1重量％)至至多约1重量％(例如至多约0.8重量％、至多约0.6重量％、至多约0.5重量％、至多约0.4重量％、至多约0.2重量％、至多约0.1重量％、至多约0.08重量％、至多约0.06重量％、或至多约0.05重量％)。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物可基本上不含某些成分中的一种或多种，诸如有机溶剂、pH调节剂(例如酸或碱)、季铵化合物(例如季铵盐或氢氧化季铵)、胺、碱金属碱(诸如碱金属氢氧化物)、含氟化合物(例如氟化物或氟化聚合物/表面活性剂)；含硅化合物，诸如硅烷(例如烷氧基硅烷)；含氮化合物(例如氨基酸、胺或亚胺(例如脒，诸如1,8-二氮杂双环[5.4.0]-7-十一烯(DBU)及1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯(DBN)))、盐(例如卤化物盐或金属盐)；聚合物(例如非离子、阳离子或阴离子聚合物)，诸如多元醇、无机酸(例如盐酸、硫酸、磷酸或硝酸)、表面活性剂(例如阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂，或除本文所述的生物表面活性剂之外的那些表面活性剂)、增塑剂、氧化剂(例如H₂O₂)、腐蚀抑制剂(例如唑类或非唑类腐蚀抑制剂)、电解质(例如聚电解质)，及/或磨料(例如二氧化硅/二氧化铈磨料、非离子磨料、表面改性磨料，或带负/正电的磨料)。可从清洁组合物中排除的卤化物盐包括碱金属卤化物(例如卤化钠或卤化钾)或卤化铵(例如氯化铵)，并且可以是氟化物、氯化物、溴化物或碘化物。如本文所用，清洁组合物中“基本上不含”的成分是指不是有意添加至清洁组合物中的成分。在一些实施例中，本文所述的清洁组合物可具有至多约1000ppm(例如至多约500ppm、至多约250ppm、至多约100ppm、至多约50ppm、至多约10ppm或至多约1ppm)的清洁组合物中基本上不含的一种或多种上述成分。在一些实施例中，本文所述的清洁组合物可完全不含一种或多种上述成分。

在应用于CMP后清洁操作时，本文所述的清洁组合物有效地用于在CMP处理步骤之后清洁存在于基板表面上的污染物。在一个或多个实施例中，污染物可为选自由以下组成的组的至少一个：磨料、颗粒、有机残余物、抛光副产物、浆液副产物、浆液导致的有机残余物、抛光基板的无机残余物等。在一个或多个实施例中，本公开的清洁组合物可用于移除由有机颗粒构成的有机残余物，这些有机颗粒不溶于水，因此在CMP抛光步骤后残留在基板表面上。不希望受理论所束缚，据信有机颗粒是由抛光组合物的组分产生的，这些组分在抛光之后沉积在基板表面上，且是不可溶的，因此作为污染物粘附在晶圆表面上。这些污染物的存在导致晶圆表面上的缺陷计数。当在缺陷测量工具(诸如来自KLA Tencor公司的AIT-XUV工具)上分析这些缺陷计数时，得到所有单个缺陷计数的总和的总缺陷计数(TDC)。在一个或多个实施例中，本文所述的清洁组合物将抛光/CMP制程之后残留在基板表面上的总缺陷计数(TDC)的至少约30％、或至少约50％、或至少约75％、或至少约80％、或至少约90％、或至少约95％、或至少约98％、或至少约99％、或至少约99.5％、或至少约99.9％移除。

在一个或多个实施例中，本公开的特征为一种清洁基板(例如晶圆)的方法。该方法可包括：使用CMP组合物对基板进行抛光以形成经抛光的基板，及使经抛光的基板与本文所述的清洁组合物接触，以清洁经抛光的基板。在一些实施例中，CMP组合物可包括溶剂(例如水)、pH调节剂(例如酸或碱)，及磨料颗粒。在一些实施例中，对基板进行抛光可通过如下执行：将抛光组合物施加于基板的表面上；且使垫与基板的表面接触，并将垫相对于基板移动。

在CMP后清洁应用中，可以任何适合方式将清洁组合物施加至待清洁的基板上。例如，清洁组合物可与多种常规清洁工具及技术(例如压板抛光/清洁、刷洗、旋转冲洗干燥等)一起使用。在一些实施例中，基板可包括以下中的至少一种：硅氧化物(例如正硅酸四乙酯(TEOS)、高密度等离子体氧化物(HDP)、高纵横比工艺氧化物(HARP)或硼磷硅酸盐玻璃(BPSG))、旋涂膜(例如基于无机颗粒的膜或基于可交联碳聚合物的膜)、氮化硅、碳化硅、高K介电质(例如铪、铝或锆的金属氧化物)、硅(例如多晶硅(p-Si)、单晶硅或非晶硅)、碳、金属(例如钨、铜、钴、钌、钼、钛、钽或铝)、金属氮化物(例如氮化钛或氮化钽)，及其混合物或组合。

在一个或多个实施例中，本文所述的清洁方法包括以下步骤：(A)提供含有CMP后残余物的基板；(B)使基板与本文所述的清洁组合物接触；(C)用适合的冲洗溶剂冲洗基板；及(D)任选地，通过移除冲洗溶剂且无损于基板完整性的任何适合方式干燥基板。

可通过任何适合的方法使基板与清洁组合物接触，诸如将清洁组合物放入槽中且将基板浸入及/或浸没于清洁组合物中、将清洁组合物喷涂于基板上、使清洁组合物流动至基板上，或其任何组合。

本公开的清洁组合物可在高至约90℃(例如约25℃至约80℃、约30℃至约60℃，或约40℃至约60℃)的温度下有效地使用。

类似地，取决于具体的清洁方法及所用温度，清洁时间可在宽范围内变化。当以分批型浸没法进行清洁时，适合的时间范围为例如至多约60分钟(例如约1分钟至约60分钟、约3分钟至约20分钟，或约4分钟至约15分钟)。单晶圆制程的清洁时间可在约10秒至约5分钟(例如约15秒至约4分钟、约15秒至约3分钟，或约20秒至约2分钟)范围内。

为了进一步提高本公开的清洁组合物的清洁能力，可采用机械搅动方式。适合的搅动方式的实例包括：使清洁组合物在基板上循环、将清洁组合物流动或喷涂于基板上，及在清洁过程中进行超声波或兆声波搅动。半导体基板相对于地面的取向可呈任何角度。较佳为水平或竖直取向。

清洁之后，可在使用或不使用搅动方式的情况下用适合的冲洗溶剂冲洗基板约5秒至约5分钟。适合的冲洗溶剂的实例包括(但不限于)去离子(DI)水、甲醇、乙醇、异丙醇、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯、二甲亚砜、乳酸乙酯及丙二醇单甲醚乙酸酯。或者，可采用pH＞8的水性冲洗液(诸如稀氢氧化铵水溶液)。冲洗溶剂的较佳实例包括(但不限于)稀氢氧化铵水溶液、去离子水、甲醇、乙醇及异丙醇。可使用与用于施加本文所述的清洁组合物类似的方式来施加溶剂。在冲洗步骤开始之前，清洁组合物可已从基板移除；或在冲洗步骤开始时，清洁组合物仍与基板接触。较佳地，冲洗步骤所采用的温度在16℃与27℃之间。

任选地，在冲洗步骤之后使半导体基板干燥。可采用本领域中已知的任何适合干燥方式。适合干燥方式的实例包括旋转干燥、使干燥气体在半导体基板上流动，或用诸如加热板或红外灯的加热装置加热半导体基板、马兰哥尼干燥(Maragoni drying)、旋转干燥(Rotagoni drying)、IPA干燥或其任何组合。干燥时间将取决于所采用的具体方法，但通常为约30秒至数分钟。

在一个或多个实施例中，使用本文所述的清洁组合物的方法可进一步包括：通过一个或多个步骤由经清洁组合物处理的基板生产半导体器件(例如集成电路器件，诸如半导体芯片)。例如，可使用光刻、离子植入、干式/湿式蚀刻、等离子体蚀刻、沉积(例如PVD、CVD、ALD、ECD)、晶圆贴片(wafer mounting)、晶粒切割、封装及测试，以由经本文所述的清洁组合物处理的基板生产半导体器件。

实例

在以下实例中，首先使用抛光浆液及硬垫将200mm氮化硅晶圆抛光。随后，使用AMAT Mirra工具及软垫结合实例中所述的清洁组合物、利用压板抛光/清洁对晶圆执行CMP后清洁。CMP后清洁完成之后，晶圆用去离子水冲洗且使用Sematech SRD(旋转冲洗干燥)工具干燥。接着使用KLA Tencor公司的AIT-XUV工具测量晶圆上的总缺陷计数。

实例1

在此实例中，测试了生物表面活性剂提高市售CMP后清洁剂的清洁能力的能力。在此实例中测试了以下CMP后清洁组合物：(1)单独的水(比较例1)；(2)市售CMP后清洁剂(比较例2)；及(3)具有两种生物表面活性剂负载量的相同市售CMP后清洁剂(比较例3及4)。测试结果总结于表1。

表1

BS＝生物表面活性剂

结果表明，相较于不含生物表面活性剂的市售p-CMP清洁剂，将生物表面活性剂添加至市售p-CMP清洁剂中使得总缺陷计数与SiN移除速率均降低。具体而言，相较于不含生物表面活性剂的市售p-CMP清洁剂(即，组合物2)所得的值，在组合物4中添加约160ppm生物表面活性剂使得TDC降低约63％且使SiN移除速率降低约14％。此结果非常重要，原因在于，在p-CMP清洁期间将TDC及材料移除率最小化对于实现高良率的可用基板以进行进一步处理是极其重要的。

尽管上文仅详细描述了几个示例性实施例，但本领域技术人员将容易了解，在不实质背离本公开的情况下，可以对示例性实施例进行诸多修改。因此，所有此类修改旨在包括在如以下权利要求中所界定的本公开的范围内。

Claims (19)

1.一种清洁组合物，包含：

至少一种pH调节剂；及

至少一种生物表面活性剂，其选自由糖脂、脂肽及其混合物组成的组；

其中，所述组合物具有约1至约14的pH。

2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种pH调节剂包含羧酸、氨基酸、磺酸、磷酸，或膦酸。

3.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种pH调节剂包含至少一种羧酸。

4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种pH调节剂选自由以下组成的组：甲酸、乙酸、丙二酸、柠檬酸、丙酸、苹果酸、己二酸、丁二酸、乳酸、草酸、羟基亚乙基二膦酸、2-膦酰基-1,2,4-丁烷三羧酸、氨基三亚甲基膦酸、六亚甲基二胺四(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺膦酸、氨基乙酸、过氧乙酸、乙酸钾、苯氧基乙酸、甘氨酸、N,N-二羟乙基甘氨酸、二甘醇酸、甘油酸、三(羟甲基)甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸，及其混合物。

5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种pH调节剂的含量为所述组合物的约0.00001重量％至约50重量％。

6.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含至少两种pH调节剂。

7.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种生物表面活性剂包含选自由以下组成的组的糖脂：鼠李糖脂、槐糖脂、海藻糖脂、甘露糖赤藓糖醇脂，及其混合物。

8.如权利要求7所述的组合物，其中，所述糖脂为选自由以下组成的组的鼠李糖脂：单鼠李糖脂、二鼠李糖脂，及其混合物。

9.如权利要求7所述的组合物，其中，所述至少一种生物表面活性剂包含式(III)的槐糖脂：

其中，R₁及R₂各自表示H或COCH₃；R₃表示H或CH₃；当R₃为H时，R₄表示饱和或不饱和C_12-16烃基，当R₃为CH₃时，R₄表示饱和或不饱和C_11-15烃基。

10.如权利要求7所述的组合物，其中，所述至少一种生物表面活性剂包含式(IV)的槐糖脂：

其中，R₁及R₂各自表示H或COCH₃；R₃表示H或CH₃；当R₃为H时，R₄表示饱和或不饱和C_12-16烃基，当R₃为CH₃时，R₄表示饱和或不饱和C_11-15烃基。

11.如权利要求7所述的组合物，其中，所述糖脂包含至少约5重量％至至多约95重量％的酸型槐糖脂。

12.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种生物表面活性剂包含选自由以下组成的组的脂肽：表面活性素、伊枯草菌素、丰原素、地衣素、及其混合物。

13.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种生物表面活性剂的含量为所述组合物的约0.00001重量％至约50重量％。

14.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种生物表面活性剂为所述组合物中仅有的表面活性剂。

15.如权利要求1所述的组合物，进一步包含：

不同于所述至少一种生物表面活性剂的第二表面活性剂，

所述第二表面活性剂选自由以下组成的组：阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂及阳离子表面活性剂。

16.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种阴离子聚合物。

17.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种二烯酸。

18.一种用于清洁基板的方法，包括：

使用CMP组合物对基板进行抛光，以形成经抛光的基板；及

使所述经抛光的基板与如权利要求1所述的组合物接触，以将所述经抛光的基板清洁。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述基板为具有表面的晶圆，其包含SiN、SiC、TiN、TaN、W、氧化硅、Cu、Co、Ru、Mo、Ti、Ta、Al、碳、硅、氧化铪、氧化铝、氧化锆、p-Si，或其组合。