CN116324545A - 多芯光纤 - Google Patents
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Abstract
MCF是具备多个芯和包层的MCF，多个芯分别沿着沿中心轴的方向延伸，包层覆盖多个芯中的各个芯。包层包括低折射率屏障。低折射率屏障包含碱金属元素。低折射率屏障的相对折射率比包层整体上的相对折射率的平均值低。芯间隔被设定为使多个芯中特定的芯与剩余的全部芯各自的功率耦合系数的总和为2.3×10‑4/km以下。
Description
技术领域
本公开涉及多芯光纤(以下，记为MCF)。
本申请要求以2020年11月4日申请的日本申请第2020-184275号为基础的优先权，援引上述日本申请中记载的全部记载内容。
背景技术
在海底线缆等用于长距离传输的光纤中，要求降低传输损耗。在专利文献1及专利文献2中公开了为抑制传输损耗而在MCF的芯及包层的一部分中添加碱金属元素的技术。
在非耦合型MCF中，在芯间距离短的情况下，在各芯中传播的模式的干扰即芯间串扰(以下，记为XT)增大。另一方面，在芯间距离长的情况下，相同直径的光纤中能够容纳的芯数减少。在非专利文献1中记载了为抑制芯间XT而在芯间设置折射率低的区域的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/152507号
专利文献2：日本特开2017-161705号公报
非专利文献
非专利文献1：Saki Nozoe,et al.,"Low Crosstalk 125μm-Cladding Multi-Core Fiber with Limited Air-Holes Fabricated with Over-Cladding Bundled RodsTechnique",OFC 2017,Th1H.6
非专利文献2：Masanori Koshiba,et al.,"Multi-core fiber design andanalysis:coupled-mode theory and coupled-power theory",OPTICS EXPRESS,Vol.19,No.26,B102
发明内容
本公开的MCF是具备多个芯和包层的MCF，多个芯分别沿着沿中心轴的方向延伸，包层覆盖多个芯中的各个芯。包层包括低折射率屏障。低折射率屏障包含碱金属元素。低折射率屏障的相对折射率比包层整体上的相对折射率的平均值低。芯间隔被设定为使多个芯中特定的芯与剩余的全部芯各自的功率耦合系数的总和为2.3×10-4/km以下。
附图说明
图1是示出实施方式所涉及的MCF的截面结构的图，并且是示出用于制造该MCF的母材的截面结构的图。
图2是示出平均相对折射率之差、传输损耗及芯间XT的关系的图表。
图3是示出在低折射率屏障部中未添加碱金属元素的情况下的折射率分布及残留应力分布的图。
图4是示出在低折射率屏障部中添加有碱金属元素的情况下的折射率分布及残留应力分布的图。
图5是示出能够应用于包括芯和该芯周边的包层的一部分的区域的各种折射率分布的图。
图6是示出第一变形例所涉及的MCF的截面结构的图，并且是示出用于制造该MCF的母材的截面结构的图。
图7是示出第二变形例所涉及的MCF的截面结构的图，并且是示出用于制造该MCF的母材的截面结构的图。
具体实施方式
[本公开要解决的技术问题]
在非耦合型的MCF中，仅是在芯及包层的一部分中添加碱金属元素、并在芯间设置折射率低的区域的话，有时会难以兼顾芯间XT的降低和传输损耗的降低。
本公开的目的在于，提供能够兼顾芯间XT的降低和传输损耗的降低的非耦合型的MCF。
[本公开的效果]
根据本公开，提供能够兼顾芯间XT的降低和传输损耗的降低的非耦合型的MCF。
[本公开的实施方面的说明]
首先，列出本公开的实施方面进行说明。一实施方面所涉及的MCF是具备多个芯和包层的MCF，多个芯分别沿着沿中心轴的方向延伸，包层覆盖多个芯中的各个芯。包层包括低折射率屏障。低折射率屏障包含碱金属元素。低折射率屏障的相对折射率比包层整体上的相对折射率的平均值低。芯间隔被设定为使多个芯中特定的芯与剩余的全部芯各自的功率耦合系数的总和为2.3×10-4/km以下。
在低折射率屏障中，与其周边的包层相比，有时会由于氟浓度的差异而产生折射率的差异。在这种情况下，由于氟浓度的差异，在拉丝时会在低折射率屏障与其周边的包层之间产生粘性的差异。因此，在通过拉丝而得到的MCF中，由于粘性的差异的影响，会在低折射率屏障与其周边的包层之间产生残留应力之差。其结果，MCF的传输损耗增加。在上述实施方面所涉及的MCF中，低折射率屏障包含碱金属元素。碱金属元素具有降低拉丝时的粘性的效果。因此，抑制在低折射率屏障与其周边的包层之间形成由拉丝时的粘性差引起的残留应力差。其结果，能够兼顾芯间XT的降低和传输损耗的降低。需要说明的是，在本说明书中，“相对折射率”是指以纯二氧化硅的折射率标准化后的折射率。
在与沿中心轴的方向正交的截面中，低折射率屏障也可以设置于与包层的中心重叠的位置。在这种情况下，能够有效地降低芯间XT。
在与沿中心轴的方向正交的截面中，低折射率屏障也可以设置于与连结多个芯中相邻的两个芯的中心的线段重叠且不与两个芯重叠的位置。在这种情况下，能够有效地降低芯间XT。
在将包层直径设为125μm的情况下，优选芯间隔为50μm以下。在使芯间隔比50μm大的情况下，难以在避免传输光向包层外泄漏的同时将多个芯征用于一个光纤。
低折射率屏障的相对折射率也可以比包层整体上的相对折射率的平均值低0.05％以上。在这种情况下，能够有效地降低芯间XT。
低折射率屏障的相对折射率也可以比包层整体上的相对折射率的平均值低0.2％以上。在这种情况下，能够更有效地降低芯间XT。
多个芯中的一个以上的芯也可以包含碱金属元素。在这种情况下，在对光纤母材进行纺丝时，降低芯的粘性，促进玻璃的重排。因此，起因于瑞利散射的传输损耗低。
低折射率屏障中的碱金属元素的平均质量分率也可以为0.2ppm以上且500ppm以下。通过添加0.2ppm以上，与未添加碱金属元素的情况相比，能够占优地降低传输损耗。另外，若碱金属元素的浓度比500ppm高，则会在母材的阶段发生结晶化不良，成品率下降。在0.2ppm以上且500ppm以下的情况下，能够有效地降低传输损耗。
低折射率屏障也可以包含选自锂、钠、钾及铷的组中的一种以上的碱金属元素。在这种情况下，能够有效地降低传输损耗。
也可以是，多个芯分别由GeO2的质量分率为1％以下的SiO2玻璃构成，包层包含氟，多个芯各自在波长1550nm下的传输损耗为0.18dB/km以下。在这种情况下，容易兼顾芯间XT的降低和传输损耗的降低。
[本公开的实施方式的详情]
以下参照附图对MCF及MCF母材的具体例进行说明。需要说明的是，本发明并不限定于这些示例，而是由权利要求示出，旨在包括与权利要求等同的含义及范围内的所有变更。在附图的说明中，对相同的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
图1是示出实施方式所涉及的MCF20A的截面结构的图，并且是示出用于制造MCF20A的母材10A的截面结构的图。在图1中，示出了母材10A的与中心轴AX正交的截面(以下，记为“母材10A的截面”)。中心轴AX的方向与母材10A的长度方向一致。母材10A具备分别沿中心轴AX延伸的多个芯部11和覆盖多个芯部11中的各个芯部11的包层部12。在本实施方式中，母材10A具备一对芯部11。在母材10A的截面中，一对芯部11配置于相对于中心轴AX相互为点对称的位置。
多个芯部11由二氧化硅(SiO2)玻璃构成。多个芯部11中的一个以上的芯部11包含选自锂、钠、钾、铷的组中的一种以上的碱金属元素。在本实施方式中，各芯部11包含碱金属元素。若由二氧化硅玻璃构成的芯部11包含碱金属元素，则在对母材10A进行纺丝时，降低芯部11的粘性，并且促进玻璃的重排。因此，在所得到的MCF20A中，降低起因于瑞利散射的传输损耗。
各芯部11还包含卤素元素。作为卤素元素，各芯部11可以仅包含Cl(氯)，也可以包含Cl及F(氟)。卤素元素是残留在各芯部11中的起因于在母材制造工序中为除去杂质而使用的卤素化合物的卤素元素，或者是有意添加的卤素元素。在各芯部11中的卤素元素浓度过低的情况下，在母材制造工序中利用卤素元素除去杂质不充分，因而起因于杂质引起的吸收，传输损耗增加。另一方面，在卤素元素浓度过高的情况下，生成碱金属元素的卤素化合物，并作为晶体的生成核发挥作用。若生成晶体，则由母材阶段中的不良引起的成品率降低、光纤化后的传输损耗增加。通过使各芯部11中的卤素元素的质量分率(以下记载为浓度)为100ppm以上且20000ppm以下，能够得到低传输损耗的MCF20A，而不会产生上述问题。
包层部12是将多个芯部11全部覆盖的公共包层部。包层部12由二氧化硅玻璃构成。包层部12包含氟。包层部12具有比芯部11的折射率低的折射率。包层部12具有至少一个低折射率屏障部13。低折射率屏障部13的折射率比也将低折射率屏障部13包含在内的包层部12整体上的折射率的平均值低。低折射率屏障部13上的折射率的平均值比包层部12整体上的折射率的平均值低。
低折射率屏障部13包含选自锂、钠、钾、铷的组中的一种以上的碱金属元素。低折射率屏障部13中包含的碱金属元素的种类可以与芯部11中包含的碱金属元素的种类相同，也可以不同。碱金属元素例如添加在低折射率屏障部13的中央。
低折射率屏障部13包含浓度比包层部12的平均氟浓度高的氟。通过添加高浓度的氟，能够使低折射率屏障部13的折射率比包层部12的其他区域低。低折射率屏障部13在母材10A的截面中设置于与中心轴AX重叠的位置。在母材10A中，设置有低折射率屏障部13的位置在母材10A的截面中是与连结多个芯部11中相邻的两个芯部11的中心的线段重叠的位置，而且还是不与两个芯部11重叠的位置。在本实施方式中，包层部12具有一个低折射率屏障部13。
这里，平均浓度例如如果是包层部12的平均氟浓度，则是由下式表示的浓度。
[数学式1]
在上式中，F表示局部的氟浓度。对包层部12整体进行积分。局部的浓度在母材10A的某端面中作为沿通过中心轴AX的直线的各位置处的浓度而使用电子探针显微分析仪(EPMA：Electron Probe Micro Analyzer)来进行测定。通过中心轴AX的直线被设定为不与芯部11重叠。使用EPMA进行测定的条件例如是加速电压为20kV，探针光束直径为0.5μm以上且1μm以下，测定间隔为100nm以下。
相对折射率的平均值是指由下式表示的相对折射率。
[数学式2]
在上式中，Δn表示局部的相对折射率，在加工前的材料的阶段中的圆柱状的状态下，使用市售的测定光纤母材的折射率分布的测定器求出折射率，取其值与纯二氧化硅的折射率之比来进行计算。在包层部12整体的相对折射率的平均值的情况下，对包层部12整体进行积分。在低折射率屏障部13的相对折射率的平均值的情况下，对低折射率屏障部13整体进行积分。
MCF20A是通过对母材10A进行纺丝而得到的。MCF20A的截面结构与母材10A的截面结构具有相似关系。即，MCF20A具备分别沿着沿中心轴的方向延伸的多个芯21和覆盖多个芯21中的各个芯21的包层22。芯21相当于芯部11。包层22相当于包层部12。在本实施方式中，MCF20A具备一对芯21。MCF20A也可以还具备在纺丝后设置于包层22的外周面上的包覆树脂(未图示)。
在MCF20A的与规定方向正交的截面(以下，记为“MCF20A的截面”)中，一对芯21配置于相对于中心轴AX相互为点对称的位置。MCF20A是非耦合型的MCF，多个芯21各自能够进行单模传输。在单模传输中，在各芯21中传播的模数为一个。多个芯21的直径(芯直径)例如彼此相等，为8μm以上且15μm以下。多个芯21的折射率(进而传播常数)例如彼此相等，但也可以彼此不同。
光功率从一根芯耦合到其他芯的效率能够使用功率耦合系数来表现。功率耦合系数在非专利文献2中进行了解说。援引非专利文献2作为本说明书的一部分。芯间隔被设定为使多个芯21中特定的芯与剩余的全部芯各自的功率耦合系数的总和h_total为2.3×10-4/km以下。这里所说的特定的芯是功率耦合系数的总和h_total为最大的芯。芯间隔在MCF20A的截面中被规定为多个芯21中相邻的两个芯21的最短中心间距离。芯间隔例如为50μm以下。功率耦合系数的总和h_total是光功率从特定的芯以外的剩余的全部芯各自耦合到该特定的芯的效率的总和。功率耦合系数的总和h_total越小，从特定的芯到其他芯的起因于XT的泄漏损耗越小。
多个芯21由二氧化硅玻璃构成。多个芯21中的一个以上的芯21包含选自锂、钠、钾、铷的组中的一种以上的碱金属元素。在本实施方式中，各芯21包含碱金属元素。由此，降低MCF20A的起因于瑞利散射的传输损耗。各芯21可以包含一种碱金属元素，也可以包含两种以上的碱金属元素。
各芯21也可以还包含卤素元素。作为卤素元素，各芯21可以仅包含Cl，也可以包含Cl及F。各芯21中的氯浓度为100ppm以上且15000ppm以下。通过使氯浓度在该范围内，能够降低传输损耗。各芯21也可以还包含GeO2。在构成各芯21的二氧化硅玻璃中，GeO2的浓度为1％以下。一般而言，GeO2是为了提高芯的折射率而添加的，但起因于浓度波动，可能产生散射。在由实质上未添加GeO2的二氧化硅玻璃构成的芯中，由于起因于GeO2的浓度波动的散射得到抑制，因而能够抑制传输损耗。在多个芯21中，例如添加物质彼此相同，但也可以彼此不同。
多个芯21中相邻的两个芯21之间的使规定波长的光传播一定长度时的XT在波长1550nm下例如优选为-16dB/km以下。
包层22是将多个芯21全部覆盖的公共包层。包层22由二氧化硅玻璃构成。包层22包含氟。包层22中的氟浓度为25000ppm以下。由此，能够降低传输损耗。在包层22包含氟的构成中，多个芯21各自在波长1550nm下的传输损耗为0.18dB/km以下。包层22的直径例如为124μm以上且126μm以下。
包层22包括相当于低折射率屏障部13的低折射率屏障23。低折射率屏障23在MCF20A的截面中设置于与中心轴AX重叠的位置。设置有低折射率屏障23的位置在MCF20A的截面中是与连结多个芯21中相邻的两个芯21的中心的线段重叠的位置，而且还是不与两个芯21重叠的位置。在本实施方式中，包层22具有一个低折射率屏障23。低折射率屏障23的直径例如为5μm以上且40μm以下。
低折射率屏障23的相对折射率比包层22整体上的相对折射率的平均值低。低折射率屏障23的相对折射率例如比包层22整体上的相对折射率的平均值低0.05％以上。由此，能够有效地降低芯间XT。低折射率屏障23的相对折射率也可以比包层22整体上的相对折射率的平均值低0.2％以上。在这种情况下，能够更有效地降低芯间XT。
低折射率屏障23包含选自锂、钠、钾、铷的组中的一种以上的碱金属元素。低折射率屏障23中的碱金属元素的平均浓度例如为0.2ppm以上且500ppm以下。
表1是汇总所制造并评价的实验例1至4所涉及的四种非耦合型MCF的规格的表。表1中示出了芯数、芯的碱金属元素以外的掺杂剂、芯直径、包层的直径、芯间距离、母材中包层部整体上的相对折射率的平均值与低折射率屏障部上的相对折射率的平均值之差(以下，记为平均相对折射率之差)、波长1550nm下的传输损耗、有效截面积(Aeff)、线缆截止波长(λcc)、波长1550nm下的芯间XT、以及有无对母材的低折射率屏障部添加碱金属元素。芯直径、传输损耗、Aeff及λcc是关于两个芯的平均值。
[表1]
实验例1至4所涉及的非耦合型MCF是使包层部与低折射率屏障部的平均相对折射率之差在0.1％至1.0％之间变化，并且使除此以外的条件(芯数、芯的掺杂剂、芯直径、包层的直径、芯间距离、Aeff及λcc)一致而制造的。在实验例1至4所涉及的非耦合型MCF的任一母材中，均未对低折射率屏障部添加碱金属元素。
图2是示出平均相对折射率之差、传输损耗及芯间XT的关系的图表。图2的横轴表示平均相对折射率之差，左纵轴表示传输损耗，右纵轴表示芯间XT。如图2所示可知，若平均相对折射率之差变大，则能够抑制芯间XT，而传输损耗变大。
表2是汇总所制造并评价的实验例5至10所涉及的六种非耦合型MCF的规格的表。表2中示出了芯数、芯的碱金属元素以外的掺杂剂、芯直径、包层的直径、芯间距离、波长1550nm下的传输损耗、有效截面积(Aeff)、线缆截止波长(λcc)、波长1550nm下的芯间XT、有无对母材的低折射率屏障部添加碱金属元素、以及母材的低折射率屏障部中的碱金属元素的浓度。芯直径是关于两个芯的平均值。包层部与低折射率屏障部的平均相对折射率之差在成对的实验例5和6、实验例7和8、实验例9和10中相等。
[表2]
在实验例5、6的对中，芯的掺杂剂为氯。在实验例7、8的对中，芯的掺杂剂为氯、氟及钾。在实验例9、10的对中，芯的掺杂剂为锗。这样，在实验例5、6的对、实验例7、8的对、实验例9、10的对中，芯所包含的掺杂剂的种类不同。各对彼此进行比较可知，在低折射率屏障部中添加碱金属元素能够在保持芯间XT值的状态下降低传输损耗。
参照图3及图4说明由有无对低折射率屏障部13添加碱金属元素引起的差异。图3是示出如实验例5、7、9那样在低折射率屏障部中未添加碱金属元素的情况下的折射率分布及残留应力分布的图。图4是示出如实验例6、8、10那样在低折射率屏障部中添加有碱金属元素的情况下的折射率分布及残留应力分布的图。在图3及图4中，折射率分布是母材的折射率分布，残留应力分布是MCF的残留应力分布。图4所示的碱添加部是在低折射率屏障部中添加有碱金属元素的部分。在图4中，碱添加部的高度与碱金属元素的浓度对应。虽然图4中未示出，但在芯部中也添加有碱金属元素。
在未添加碱金属元素的情况下，如图3所示，在低折射率屏障部13与包层部12之间产生折射率的差异。该折射率的差异是由低折射率屏障部13与包层部12之间的氟浓度的差异所引起的。在母材的拉丝时，氟浓度的差异在低折射率屏障部13与包层部12之间带来粘性的差异。在通过拉丝而得到的MCF中，由于粘性的差异的影响，在低折射率屏障与其周边的包层之间产生残留应力之差。其结果，MCF的传输损耗增加。
即使在添加有碱金属元素的情况下，如图4所示，也会在低折射率屏障部13与包层部12之间产生由氟浓度的差异引起的折射率的差异。然而，在这种情况下，具有降低粘性的效果的碱金属元素被添加到低折射率屏障部13中。碱金属元素在母材的拉丝时向低折射率屏障部13及其周边的包层部12扩展，抑制由氟浓度的差异引起的粘性的差异。其结果，抑制MCF中的残留应力之差，抑制传输损耗的增加。
如以上所说明的，在MCF20A中，低折射率屏障23包含碱金属元素。碱金属元素具有拉丝时降低粘性的效果。因此，抑制在低折射率屏障23与其周边的包层22之间形成由拉丝时的粘性差引起的残留应力差。其结果，能够兼顾芯间XT的降低和传输损耗的降低。
以上，对实施方式进行了说明，但本发明无须限定于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各式各样的变更。
图5是示出能够应用于包括芯21和该芯21周边的包层22的一部分的区域R的各种折射率分布的图。在区域R(参照图1)中，如图5所示，能够应用各种折射率分布。关于各芯21的折射率分布，能够根据用途选择适当的结构。芯21各自的结构可以全都一样，此外也可以是各自不同的结构。MCF20A的截面内的芯21的数量没有限制。根据所容纳的芯21的数量，可以适当地设定该MCF20A的玻璃直径(包层的直径)及设置于包层22的外周面上的包覆树脂的外径。
具体而言，作为包括各芯21的区域R的折射率分布的形状，阶跃型(图5所示的图案(a))、环型(图5所示的图案(b))、双阶跃型(图5所示的图案(c))、渐变型(图5所示的图案(d))等均能够应用于相当于芯21的区域。另外，阶跃型(图5所示的图案(a))、凹陷型(图5所示的图案(e))、凸型(图5所示的图案(f))、沟槽型(图5所示的图案(g))等均能够应用于相当于包层22的区域。
图6是示出第一变形例所涉及的MCF20B的截面结构的图，并且是示出用于制造MCF20B的母材10B的截面结构的图。如图6所示，第一变形例所涉及的母材10B在具备三个芯部11这一点上与母材10A不同。多个芯部11例如等间隔地配置于以中心轴AX为中心的圆的圆周上。第一变形例所涉及的MCF20B在具备三个芯21这一点上与MCF20A不同。多个芯21的折射率(进而传播常数)例如彼此相等，但也可以彼此不同。
图7是示出第二变形例所涉及的MCF20C的截面结构的图，并且是示出用于制造MCF20C的母材10C的截面结构的图。如图7所示，第二变形例所涉及的母材10C在具备四个芯部11这一点上与母材10A不同。多个芯部11例如等间隔地配置于以中心轴AX为中心的圆的圆周上。第二变形例所涉及的MCF20C在具备四个芯21这一点上与MCF20A不同。多个芯21的折射率例如彼此相等，但也可以彼此不同。例如，四个芯21中隔着中心轴AX相互对置的两个芯21的折射率与剩余两个芯21的折射率也可以彼此不同。
芯部11及芯21的数量也可以分别为五个以上。另外，包层部12也可以构成为包括将多个芯部11全部覆盖的内侧包层部和包围内侧包层部的周围的外侧包层部。在这种情况下，包层22构成为包括与内侧包层部对应的内侧包层和与外侧包层部对应的外侧包层部。
附图标记说明
10A、10B、10C…母材
11…芯部
12…包层部
13…低折射率屏障部
20A、20B、20C…MCF
21…芯
22…包层
23…低折射率屏障
AX…中心轴
R…包括芯21和芯21周边的包层22的一部分的区域。
Claims (15)
1.一种多芯光纤，具备：
多个芯，分别沿着沿中心轴的方向延伸；以及
包层，覆盖所述多个芯中的各个芯，
所述包层包括低折射率屏障，所述低折射率屏障具有比所述包层整体上的相对折射率的平均值低的相对折射率，所述低折射率屏障包含碱金属元素，
芯间隔被设定为使所述多个芯中特定的芯与剩余的全部芯各自的功率耦合系数的总和为2.3×10-4/km以下。
2.根据权利要求1所述的多芯光纤，其中，
在与所述沿中心轴的方向正交的截面中，所述低折射率屏障设置于与所述包层的中心重叠的位置。
3.根据权利要求1或2所述的多芯光纤，其中，
在与所述沿中心轴的方向正交的截面中，所述低折射率屏障设置于与连结所述多个芯中相邻的两个芯的中心的线段重叠且不与所述两个芯重叠的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述芯间隔为50μm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述低折射率屏障的相对折射率比所述包层整体上的相对折射率的平均值低0.05％以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述低折射率屏障的相对折射率比所述包层整体上的相对折射率的平均值低0.2％以上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述多个芯中的一个以上的芯包含碱金属元素。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述低折射率屏障中的碱金属元素的平均质量分率为0.2ppm以上且500ppm以下。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述低折射率屏障包含选自锂、钠、钾及铷的组中的一种以上的碱金属元素。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述多个芯分别由GeO2的质量分率为1％以下的SiO2玻璃构成，所述包层包含氟，
所述多个芯各自在波长1550nm下的传输损耗为0.18dB/km以下。
11.根据权利要求10所述的多芯光纤，其中，
所述包层中的氟的质量分率为25000ppm以下。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述多个芯各自的直径为8μm以上且15μm以下。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述低折射率屏障的直径为5μm以上且40μm以下。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述多个芯中的一个以上的芯包含卤素元素。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的多芯光纤，其中，
所述多个芯中相邻的两个芯间的串扰在波长1550nm下为-16dB/km以下。
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