CN116264259A - 寻址转移设备和寻址转移方法 - Google Patents

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CN116264259A CN202111532689.9A CN202111532689A CN116264259A CN 116264259 A CN116264259 A CN 116264259A CN 202111532689 A CN202111532689 A CN 202111532689A CN 116264259 A CN116264259 A CN 116264259A
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Abstract

本发明实施例提供了一种寻址转移设备和寻址转移方法。所述寻址转移设备包括：转移基板；驱动基板，设置在所述转移基板的一侧；多个解粘光源，相互间隔地设置在所述驱动基板远离所述转移基板的一侧，所述多个解粘光源电连接所述驱动基板，所述驱动基板用于点亮或关闭所述多个解粘光源中的目标解粘光源；以及光解粘胶转移头，设置在所述驱动基板上且覆盖所述多个解粘光源，所述光解粘胶转移头用于粘附微电子元件、并在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。本实施例的寻址转移设备可以实现微电子元件的选择性转移，提升了转移效率和转移良率。

Description

寻址转移设备和寻址转移方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种寻址转移设备和一种寻址转移方法。
背景技术
Micro-LED(Micro light-emitting diode，微型发光二极管)显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求新一代显示技术的研究热点。目前Micro-LED难以在玻璃基板上直接生长出来，需要依靠转移技术将载体基板上的Micro-LED转移到玻璃基板上。现有技术中常用的转移技术有印章转移、激光转移等转移技术，但是印章转移技术只能进行固定位置转移，无法针对随机缺陷进行巨量修复转移，激光转移技术需要逐点转移，无法进行选择性转移，转移效率和转移良率较低。
发明内容
因此，为克服现有技术中存在的至少部分缺陷和不足，本发明实施例提供一种寻址转移设备和一种寻址转移方法。
具体地，一方面，本发明实施例提供的一种寻址转移设备，包括：转移基板；驱动基板，设置在所述转移基板的一侧；多个解粘光源，相互间隔地设置在所述驱动基板远离所述转移基板的一侧，所述多个解粘光源电连接所述驱动基板，所述驱动基板用于点亮或关闭所述多个解粘光源中的目标解粘光源；以及光解粘胶转移头，设置在所述驱动基板上且覆盖所述多个解粘光源，所述光解粘胶转移头用于粘附微电子元件、并在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。
在本发明的一个具体实施例中，所述光解粘胶转移头包括相互间隔设置的多个凸起，所述多个凸起与所述多个解粘光源一一对应。
在本发明的一个具体实施例中，所述目标基板上的两个相邻所述微电子元件间的距离为所述寻址转移设备上两个相邻所述解粘光源间的距离的整数倍。
在本发明的一个具体实施例中，每个所述解粘光源的出光角度α为：α<90°-arcsin(1/n)，其中α为出光角度，n为所述光解粘胶转移头的折射率。
在本发明的一个具体实施例中，所述多个解粘光源为红外光LED光源，所述光解粘胶转移头为红外光解粘胶转移头。
在本发明的一个具体实施例中，所述多个解粘光源为紫外光LED光源，所述光解粘胶转移头为紫外光解粘胶转移头。
另一方面，本发明实施例还提供的一种寻址转移方法，包括：提供载体基板，所述载体基板上设置有微电子元件；利用寻址转移设备的光解粘胶转移头将所述微电子元件从所述载体基板上粘附；利用所述寻址转移设备的驱动基板点亮所述寻址转移设备上多个解粘光源中的目标解粘光源，在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。
在本发明的一个具体实施例中，所述目标基板上的两个相邻所述微电子元件间的距离是两个相邻所述解粘光源间的距离的整数倍。
在本发明的一个具体实施例中，所述寻址转移方法还包括：对所述目标基板上的所述微电子元件进行性能检测，以获取所述目标基板上的缺陷位置；根据所述缺陷位置确定对应的冗余位置；利用所述寻址转移设备转移所述载体基板上的所述微电子元件至所述目标基板上的所述冗余位置。
在本发明的一个具体实施例中，每个所述解粘光源的出光角度α为：α<90°-arcsin(1/n)，其中α为出光角度，n为所述光解粘胶转移头的折射率。
由上可知，本发明实施例通过在寻址转移设备上设置驱动基板、多个解粘光源和光解粘胶转移头，通过驱动基板控制点亮或关闭多个解粘光源中的目标解粘光源，在所述目标解粘光源被点亮时照射光解粘胶转移头，来释放对应的微电子元件，实现微电子元件的选择性转移，提升转移效率和转移良率，实现选择性缺陷修补，减少修补次数和降低修补时间，节省芯片使用，降低制程成本和材料。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种寻址转移设备的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的寻址转移设备的另一结构示意图；
图3A-图3C为寻址转移的过程示意图；
图4为本申请实施例提供的寻址转移方法的流程示意图；
图5为本申请实施例提供的寻址转移方法的部分流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明描述的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、顶、底)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，在发明实施例及权利要求书中所涉及的术语“垂直”是指两个元件之间的夹角为90°或者存在-5°～+5°的偏差，所涉及的术语“平行”是指两个元件之间的夹角为0°或者存在-5°～+5°的偏差。
在本发明实施例中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
【第一实施例】
参见图1和图2，本发明第一实施例提供的一种寻址转移设备10，包括：转移基板100、驱动基板200、多个解粘光源300和光解粘胶转移头400。
具体地，转移基板100可例如为硬性材料的基板，可例如为玻璃基板、聚合物基板、蓝宝石基板、陶瓷基板等；驱动基板200可例如为TFT阵列基板(也即一种主动式开关阵列基板)，还可例如为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)阵列基板，驱动基板200设置在转移基板100的一侧；多个解粘光源300可例如为LED发光阵列，解粘光源300具体可例如为红外光LED光源，也可例如为紫外光LED光源，多个解粘光源300相互间隔地设置在驱动基板200远离转移基板100的一侧，多个解粘光源300电连接驱动基板200，驱动基板200可选择性的控制多个解粘光源300中的任意解粘光源300，例如通过驱动基板200点亮或者关闭多个解粘光源300中的目标解粘光源，所述目标解粘光源可为一个解粘光源或者多个解粘光源，具体根据需要转移的微电子元件的位置确定，所述微电子元件可例如为Micro-LED，当然也可以为其他微型电子器件，本发明实施例并不以此为限；光解粘胶转移头400可例如为红外光解粘胶转移头或紫外光解粘胶转移头，光解粘胶转移头400的类型与解粘光源300的类型对应，举例来说，当解粘光源300为红外光LED光源，光解粘胶转移头400即为红外光解粘胶转移头，当解粘光源300为紫外光LED光源，光解粘胶转移头400即为紫外光解粘胶转移头，光解粘胶转移头400设置在驱动基板200上且覆盖多个解粘光源300，解粘光源300在驱动基板200的控制下可例如发出近红外光或近紫外光，光解粘胶转移头400在解粘光源300发出的光源的照射下，降低了光解粘胶转移头400的粘度，从而可以实现对待转移的微电子元件的释放。这样一来，通过驱动基板200对解粘光源300的选择性点亮，使得对应位置的光解粘胶转移头400的粘度降低，以使对应的微电子元件被释放，从而实现了微电子元件的选择性转移，提升了微电子元件的转移效率，并且在释放时针对存在缺陷的微电子元件可以选择不进行释放，以进一步提升微电子元件的转移良率，通过微电子元件的选择性转移，也可以实现选择性的缺陷修补，从而减少修补次数、降低修补时间，节省了芯片使用，也降低了工艺制程成本和材料。
在本发明实施例的一个具体实施方式中，光解粘胶转移头400可例如为如图1所示的平面结构，即光解粘胶转移头400为设置在驱动基板200远离转移基板100的一侧、并覆盖多个解粘光源300的光解粘胶层，由于多个解粘光源300相互间隔设置，当选择的目标解粘光源被点亮时所述光解粘胶层的与所述目标解粘光源对应的位置粘性降低，以释放粘附在所述位置上的微电子元件。
在本发明实施例的一个具体实施方式中，光解粘胶转移头400还可例如包括如图2所示的多个凸起410，多个凸起410向远离驱动基板200的一侧延伸，多个凸起410可例如相互间隔设置，且与多个解粘光源一一对应。举例来说，光解粘胶转移头400可包括光解粘胶平面层(图2中未示出)和多个凸起410，所述光解粘胶平面层设置在驱动基板200远离转移基板100的一侧、并覆盖多个解粘光源300，多个凸起410相互间隔地设置在所述光解粘胶平面层远离驱动基板200的一侧、并向远离驱动基板200的一侧延伸；光解粘胶转移头400可例如包括多个凸起410，多个凸起410对应的覆盖在多个解粘光源300上、并向远离驱动基板200的一侧延伸，当然，此处仅为举例说明，本发明实施例并不以此为限。通过将光解粘胶转移头400设置为包括多个凸起410的结构，多个凸起410相互间隔设置，由于多个凸起410之间的间隔设置，使得凸起410与凸起410之间具有空气层，这样一来，可以减少解粘光源300照射时光解粘胶转移头400相邻凸起410之间的热传递或者光源照射串扰到相邻的凸起410，以提高微电子元件转移的可靠性。
可优选的，每个解粘光源300的出光角度α为：α<90°-arcsin(1/n)，其中α为出光角度，n为所述光解粘胶转移头的折射率。这样一来，解粘光源300发光时，避免了光源照射范围过大，影响光解粘胶转移头400除目标位置的其他位置的粘度，以进一步提高微电子元件转移的可靠性。
参见图3A至3B，如图3A所示，载体基板500上设置有多个待转移的微电子元件510，多个微电子元件510相互间隔地设置在载体基板500上，相邻的两个解粘光源300之间的距离可例如与载体基板500上相邻的微电子元件510之间的距离相等，当然，具体可根据实际情况进行设置，本发明实施例并不以此为限。如图3B所示，寻址转移设备10通过光解粘胶转移头400粘附待转移的微电子元件510，微电子元件510可例如粘附在光解粘胶转移头400与解粘光源300对应的位置上。如图3C所示，可例如需要将微电子元件510转移到目标基板600的目标位置上，通过寻址转移设备10的驱动基板200控制对应的目标解粘光源300点亮，目标解粘光源300被点亮后，在光源的照射下，与所述目标解粘光源300对应的光解粘胶转移头400的位置的粘度降低，粘附在光解粘胶转移头400对应位置的微电子元件510被释放在目标基板600的目标位置上，即完成了微电子元件510的转移。优选的，目标基板600上的两个相邻微电子元件510间的距离为寻址转移设备10上两个相邻解粘光源300间的距离的整数倍，以图3C为例，目标基板600上的相邻的两个微电子元件510之间的距离可例如为寻址转移设备10上两个相邻解粘光源300间的距离的三倍，即目标基板600上微电子元件510的位置上还设置有冗余位置，在冗余位置还可以放置两个微电子元件510，这样一来，当目标基板600上放置的微电子元件510存在缺陷时，还可以通过寻址转移设备10在所述冗余位置重新放置新的微电子元件510，以保证目标基板600上的微电子元件的质量，进一步提升转移良率。
综上所述，本发明实施例通过在寻址转移设备10上设置驱动基板200、多个解粘光源300和光解粘胶转移头400，通过驱动基板200控制点亮或关闭多个解粘光源300中的目标解粘光源，在所述目标解粘光源被点亮时照射光解粘胶转移头400，来释放对应的微电子元件510，实现微电子元件的选择性转移，提升转移效率和转移良率，实现选择性缺陷修补，减少修补次数和降低修补时间，节省芯片使用，降低制程成本和材料。此外，通过将光解粘胶转移头400设置为包括多个凸起410的结构，多个凸起410相互间隔设置，由于多个凸起410之间的间隔设置，使得凸起410与凸起410之间具有空气层，这样一来，可以减少解粘光源300照射时光解粘胶转移头400相邻凸起410之间的热传递或者光源照射串扰到相邻的凸起410，以提高微电子元件转移的可靠性。
【第二实施例】
参见图4，本发明第二实施例提供的一种寻址转移方法，可例如包括步骤：
S10，提供载体基板，所述载体基板上设置有微电子元件；
S20，利用寻址转移设备的光解粘胶转移头将所述微电子元件从所述载体基板上粘附；
S30，利用所述寻址转移设备的驱动基板点亮所述寻址转移设备上多个解粘光源中的目标解粘光源，在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。
参见图5，在步骤S30之后还包括以下步骤：
S40，对所述目标基板上的所述微电子元件进行性能检测，以获取所述目标基板上的缺陷位置；
S50，根据所述缺陷位置确定对应的冗余位置；
S60，利用所述寻址转移设备转移所述载体基板上的所述微电子元件至所述目标基板上的所述冗余位置。
为了便于更清楚地说明本实施例提供的寻址转移方法，下面结合图3A至3C对本实施例的寻址转移方法进行详细描述。
具体地，参见图3A，本实施例通过寻址转移设备对载体基板500上的微电子元件510进行转移。寻址转移设备可例如包括转移基板100、驱动基板200、多个解粘光源300和光解粘胶转移头400。其中，转移基板100可例如为硬性材料的基板，可例如为玻璃基板、聚合物基板、蓝宝石基板、陶瓷基板等；驱动基板200可例如为TFT阵列基板(也即一种主动式开关阵列基板)，还可例如为CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)阵列基板，驱动基板200设置在转移基板100的一侧；多个解粘光源300可例如为LED发光阵列，解粘光源300具体可例如为红外光LED光源，也可例如为紫外光LED光源，多个解粘光源300相互间隔地设置在驱动基板200远离转移基板100的一侧，多个解粘光源300电连接驱动基板200，驱动基板200可选择性的控制多个解粘光源300中的任意解粘光源300，例如通过驱动基板200点亮或者关闭多个解粘光源300中的目标解粘光源，所述目标解粘光源可为一个解粘光源或者多个解粘光源，具体根据需要转移的微电子元件的位置确定，本发明实施例并不以此为限；光解粘胶转移头400可例如为红外光解粘胶转移头或紫外光解粘胶转移头，光解粘胶转移头400的类型与解粘光源300的类型对应，光解粘胶转移头400设置在驱动基板200上且覆盖多个解粘光源300，解粘光源300在驱动基板200的控制下可例如发出近红外光或近紫外光。光解粘胶转移头400可例如平面结构，或者包括多个凸起410，多个凸起410可例如相互间隔设置，且与多个解粘光源一一对应。可优选的，每个解粘光源300的出光角度α为：α<90°-arcsin(1/n)，其中α为出光角度，n为所述光解粘胶转移头的折射率。
在寻址转移过程中，首先提供载体基板500，载体基板500上可例如有多个待转移的微电子元件510，微电子元件510可例如为Micro-LED，当然也可以为其他微型电子器件，多个微电子元件510可例如相互间隔地设置在载体基板500上，寻址转移设备上相邻的两个解粘光源300之间的距离可例如与载体基板500上相邻的微电子元件510之间的距离相等，当然，具体可根据实际情况进行设置，本发明实施例并不以此为限。
如图3B所示，寻址转移设备10通过光解粘胶转移头400粘附待转移的微电子元件510，光解粘胶转移头400为光解粘胶材料，具有粘度，可粘附微电子元件510，微电子元件510可例如粘附在光解粘胶转移头400与解粘光源300对应的位置上，以光解粘胶转移头400包括多个凸起410为例，多个微电子元件510粘附在多个凸起410上。
如图3C所示，可例如需要将微电子元件510转移到目标基板600的目标位置上，通过寻址转移设备的驱动基板200控制多个解粘光源300中与所述目标位置对应的凸起410上粘附的微电子元件510对应的目标解粘光源300点亮，目标解粘光源300被点亮后，在光源的照射下，与所述目标解粘光源300对应的光解粘胶转移头400的位置(例如与目标解粘光源对应的凸起410)的粘度降低，粘附在光解粘胶转移头400对应位置的微电子元件510被释放在目标基板600的目标位置上，即完成了微电子元件510的转移。这样一来，通过驱动基板200对解粘光源300的选择性点亮，使得对应位置的光解粘胶转移头400的粘度降低，以使对应的微电子元件被释放，从而实现了微电子元件的选择性转移，提升了微电子元件的转移效率，并且在释放时针对存在缺陷的微电子元件可以选择不进行释放，以进一步提升微电子元件的转移良率。
优选的，目标基板600上的两个相邻微电子元件510间的距离为寻址转移设备10上两个相邻解粘光源300间的距离的整数倍，以图3C为例，目标基板600上的相邻的两个微电子元件510之间的距离可例如为寻址转移设备10上两个相邻解粘光源300间的距离的三倍，即目标基板600上微电子元件510的位置上还设置有冗余位置，在冗余位置还可以放置两个微电子元件510。
承上述，可例如对目标基板600上的微电子元件510进行性能检测，以微电子元件510为Micro-LED为例，具体可例如对目标基板600上的Micro-LED进行点亮，以检测Micro-LED的性能，当然，此处仅为举例说明，本发明实施例并不以此为限，可根据实际情况选择其他检测方式。进行性能检测后，可例如得到目标基板600上的缺陷位置，然后可例如根据所述缺陷位置确定对应的冗余位置，再利用寻址转移设备按照上述方法将载体基板500上的微电子元件510转移至目标基板600上的所述冗余位置。这样一来，当目标基板600上放置的微电子元件510存在缺陷时，还可以通过寻址转移设备10在所述冗余位置重新放置新的微电子元件510，以保证目标基板600上的微电子元件的质量，进一步提升转移良率，通过微电子元件的选择性转移，也可以实现选择性的缺陷修补，从而减少修补次数、降低修补时间，节省了芯片使用，也降低了工艺制程成本和材料。
综上所述，本发明实施例提供的寻址转移方法通过寻址转移设备上的驱动基板200控制点亮或关闭寻址转移设备上的多个解粘光源300中的目标解粘光源，在所述目标解粘光源被点亮时照射寻址转移设备上的光解粘胶转移头400，来释放对应的微电子元件510，实现微电子元件的选择性转移，提升转移效率和转移良率，实现选择性缺陷修补，减少修补次数和降低修补时间，节省芯片使用，降低制程成本和材料。此外，通过将光解粘胶转移头400设置为包括多个凸起410的结构，多个凸起410相互间隔设置，由于多个凸起410之间的间隔设置，使得凸起410与凸起410之间具有空气层，这样一来，可以减少解粘光源300照射时光解粘胶转移头400相邻凸起410之间的热传递或者光源照射串扰到相邻的凸起410，以提高微电子元件转移的可靠性。再者，当目标基板600上放置的微电子元件510存在缺陷时，还可以通过寻址转移设备10在所述冗余位置重新放置新的微电子元件510，以保证目标基板600上的微电子元件的质量，进一步提升转移良率，通过微电子元件的选择性转移，也可以实现选择性的缺陷修补，从而减少修补次数、降低修补时间，节省了芯片使用，也降低了工艺制程成本和材料。
此外，可以理解的是，前述各个实施例仅为本发明的示例性说明，在技术特征不冲突、结构不矛盾、不违背本发明的发明目的前提下，各个实施例的技术方案可以任意组合、搭配使用。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种寻址转移设备，其特征在于，包括：
转移基板；
驱动基板，设置在所述转移基板的一侧；
多个解粘光源，相互间隔地设置在所述驱动基板远离所述转移基板的一侧，所述多个解粘光源电连接所述驱动基板，所述驱动基板用于点亮或关闭所述多个解粘光源中的目标解粘光源；以及
光解粘胶转移头，设置在所述驱动基板上且覆盖所述多个解粘光源，所述光解粘胶转移头用于粘附微电子元件、并在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。
2.如权利要求1所述的寻址转移设备，其特征在于，所述光解粘胶转移头包括相互间隔设置的多个凸起，所述多个凸起与所述多个解粘光源一一对应。
3.如权利要求2所述的寻址转移设备，其特征在于，所述目标基板上的两个相邻所述微电子元件间的距离为所述寻址转移设备上两个相邻所述解粘光源间的距离的整数倍。
4.如权利要求1所述的寻址转移设备，其特征在于，每个所述解粘光源的出光角度α为：α<90°-arcsin(1/n)，其中α为出光角度，n为所述光解粘胶转移头的折射率。
5.如权利要求1所述的寻址转移设备，其特征在于，所述多个解粘光源为红外光LED光源，所述光解粘胶转移头为红外光解粘胶转移头。
6.如权利要求1所述的寻址转移设备，其特征在于，所述多个解粘光源为紫外光LED光源，所述光解粘胶转移头为紫外光解粘胶转移头。
7.一种寻址转移方法，其特征在于，包括：
提供载体基板，所述载体基板上设置有微电子元件；
利用寻址转移设备的光解粘胶转移头将所述微电子元件从所述载体基板上粘附；
利用所述寻址转移设备的驱动基板点亮所述寻址转移设备上多个解粘光源中的目标解粘光源，在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。
8.如权利要求7所述的寻址转移方法，其特征在于，所述目标基板上的两个相邻所述微电子元件间的距离是两个相邻所述解粘光源间的距离的整数倍。
9.如权利要求8所述的寻址转移方法，其特征在于，还包括：
对所述目标基板上的所述微电子元件进行性能检测，以获取所述目标基板上的缺陷位置；
根据所述缺陷位置确定对应的冗余位置；
利用所述寻址转移设备转移所述载体基板上的所述微电子元件至所述目标基板上的所述冗余位置。
10.如权利要求7所述的寻址转移方法，其特征在于，每个所述解粘光源的出光角度α为：α<90°-arcsin(1/n)，其中α为出光角度，n为所述光解粘胶转移头的折射率。
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