CN116251266A - 雾化状态识别方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种雾化状态识别方法、装置、电子设备及存储介质，雾化状态识别方法包括：获取雾化器的雾化片的升温速率；根据升温速率判断雾化器的雾化状态，可以及时的识别雾化器是否干烧，并及时对雾化器的干烧进行处理。并且在识别雾化器的雾化状态过程中，无需使用探针等传感器接触药液，检测更加准确。

Description

雾化状态识别方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及电子雾化技术领域，尤其涉及一种雾化状态识别方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

随着医疗技术的发展，出现了雾化吸入治疗，常用于呼吸系统疾病的治疗，采用电子雾化装置的雾化片将药液雾化成微小颗粒，患者通过呼吸将雾化后的药物吸入呼吸道和肺部沉积，能够直达病灶，加快药物作用，达到无痛、迅速且有效的治疗目的。

干烧是电子雾化装置在使用过程中最常见的问题，长时间的干烧会损坏雾化片，导致雾化片性能下降，雾化量减小甚至失去雾化功能。

发明内容

本申请提供的雾化状态识别方法、装置、电子设备及存储介质，解决现有技术中如何检测电子雾化装置干烧的技术问题。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种雾化状态识别方法，包括：

获取雾化器的雾化片的升温速率；

根据所述升温速率判断所述雾化器的雾化状态。

其中，所述根据所述升温速率判断雾化器的雾化状态具体包括：

获取所述升温速率在预定雾化时间内的变化趋势：

响应于所述升温速率在所述预定雾化时间内呈上升趋势，则判定所述雾化片异常或所述雾化器处于干烧状态；

响应于所述升温速率在所述预定雾化时间内呈下降趋势，则判定所述雾化器在所述预定雾化时间内进入稳定雾化区间。

其中，所述判定所述雾化器在所述预定雾化时间后进入稳定雾化区间之后，进一步包括：

判断所述稳定雾化区间内的升温速率是否大于等于预设阈值；

响应于所述稳定雾化区间内的升温速率大于等于所述预设阈值，则判定所述雾化器处于干烧状态。

其中，所述判断所述稳定雾化区间内的升温速率是否大于等于预设阈值具体包括：

判断所述稳定雾化区间内的不同子区间内的升温速率是否大于等于所述子区间对应的预设阈值。

其中，所述预定雾化时间为从所述雾化器启动开始计时，雾化4-12s的时间段。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种雾化状态识别装置，包括获取模块和处理模块；所述获取模块用于获取雾化器的雾化片的升温速率；所述处理模块用于根据所述升温速率判断所述雾化器的雾化状态。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种电子设备，包括：存储器和处理器，其中，所述存储器存储有程序指令，所述处理器从所述存储器调取所述程序指令以执行上述任一项所述的雾化状态识别方法。

其中，所述电子设备为电子雾化装置，所述电子雾化装置包括所述雾化片和温度特性器件，所述温度特性器件连接所述处理器并用于检测所述雾化片的温度。

其中，所述温度特性器件为正温度系数热敏电阻或负温度系数热敏电阻。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第四个技术方案为：提供一种计算机可读存储介质，存储有程序文件，所述程序文件能够被执行以实现如上述任一项所述的雾化状态识别方法。

本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请公开了一种雾化状态识别方法、装置、电子设备及存储介质，雾化状态识别方法包括：获取雾化器的雾化片的升温速率；根据升温速率判断雾化器的雾化状态，可以及时的识别雾化器是否干烧，并及时对雾化器的干烧进行处理。并且在识别雾化器的雾化状态过程中，无需使用探针等传感器接触药液，检测更加准确。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请提供的雾化状态识别方法的第一实施例的流程示意图；

图2是图1提供的雾化状态识别方法中步骤S2的流程示意图；

图3是本申请提供的雾化片正常雾化时的温升曲线图；

图4是是本申请提供的雾化状态识别方法的第二实施例中步骤S2的流程示意图；

图5是本申请提供的雾化片不同雾化状态下的温升曲线比较图；

图6是本申请提供的加热识别方法第三实施例的流程示意图；

图7是本申请提供的雾化状态识别装置一实施例的结构示意图；

图8是本申请提供的电子设备一实施例的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的电子雾化装置的方框示意图；

图10是本申请实施例提供的计算机可读存储介质的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。

本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果所述特定姿态发生改变时，则所述方向性指示也相应地随之改变。本申请实施例中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或组件。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。

电子雾化装置通常采用在储液腔中设置探针等传感器，通过探针等传感器与待雾化基质接触，检测待雾化基质的液位来判断储液腔中是否还存有待雾化基质，以此来判断雾化器是否干烧。可以理解，发明人分析认为，电子雾化装置的雾化器处于干烧状态，可能的原因包括：1、雾化器中存储的待雾化基质消耗完了造成的；2、待雾化基质供液不畅造成的；3、雾化片的驱动模式不适配当前雾化基质的状态。处于干烧状态的雾化片，一方面雾化片干烧会损坏雾化片，另一方面雾化片的温度在干烧状态可能升高，会使待雾化基质(例如，药液)失效。但是，目前待雾化基质供液不畅造成的干烧是使用现有的检测方式无法检测到的。基于现有技术存在的问题，本申请提供一种雾化状态识别方法，以更加精确的检测雾化器的雾化状态是否为干烧。

请参阅图1，图1是本申请提供的雾化状态识别方法的第一实施例的流程示意图。

本申请提供的雾化状态识别方法，具体包括：

S1：获取雾化器的雾化片的升温速率。

具体地，获取雾化片的温度；根据雾化片的温度及其对应的雾化时间得出雾化片的升温速率。其中，可以通过在雾化片上设置温度特性器件来检测雾化片的温度，温度特性器件可以是正温度系数热敏电阻、负温度系数热敏电阻等，能够检测雾化片的温度即可。可以理解，雾化片通常包括压电陶瓷片和金属基片，也可以通过将金属基片设置为具有TCR性能，以此获取金属基片的温度来得出雾化片的温度。获取的雾化片温度为其实时温度。

S2：根据升温速率判断雾化器的雾化状态。

具体地，根据升温速率判断雾化器的雾化状态的原理如下。本申请发明人研究发现雾化片处于干烧状态时，雾化片的温度会迅速上升，其温度上升速率远大于正常雾化时的温度上升速率；且在不同温度段，雾化片干烧时温度上升速率不同，因此，可以通过雾化器的升温速率来判断雾化器的雾化状态是否为干烧。

请参阅图2，图2是图1提供的雾化状态识别方法中步骤S2的流程示意图。根据升温速率判断雾化器的雾化状态具体包括：

S21：获取升温速率在预定雾化时间内的变化趋势。

其中，以包括安瓿瓶微孔雾化片的电子雾化装置为例进行实验，通过对该电子雾化装置进行正常雾化测试，获取雾化片正常雾化过程中的温升曲线，实验结果如图3所示，图3是本申请提供的雾化片正常雾化时的温升曲线图。图3中，X轴为采样点数，Y轴为采样点对应的采样温度；在该次实验中，单次采样时间间隔为1s，共采97个采样点。图3中，雾化片正常雾化时的温升曲线分为识别区间和稳定雾化区间。

从图3可知，在识别区间升温速率的变为规律为：在电子雾化装置启动后，开始对待雾化基质进行加热雾化，随着雾化的进行，待雾化基质出现温差，靠近雾化片部分的待雾化基质的温度高，远离雾化片部分的待雾化基质的温度低，低温区的待雾化基质会给高温区的待雾化基质降温，限制了高温区的待雾化基质的升温速率，此时，雾化片的升温速率较快；进一步随着雾化的进行，待雾化基质的温度基本一致，且接近雾化片的温度，雾化片的升温速率逐渐趋于平缓，雾化进入稳定雾化区间。其中，雾化片的升温速率逐渐趋于平缓指的是升温速率的变化趋势趋于平缓，即，升温速率的增长呈下降趋势。

从图3可知，在电子雾化装置启动开始雾化后，雾化10s左右，雾化片的升温速率趋于平缓，进入稳定雾化区间。即，若电子雾化装置处于正常雾化状态，在雾化了预定雾化时间(例如，上述描述的10s)内会进入稳定雾化区间，雾化片的升温速率逐渐趋于平缓。其中，预定雾化时间为识别区间所对应的时间。因此，可以通过获取雾化片的升温速率在预定雾化时间内的变化趋势来判断雾化状态是否为干烧。由于不同的电子雾化装置的雾化参数设置不同，进入稳定雾化区间所需的预定雾化时间不同，将预定雾化时间设置为从雾化器启动开始计时，雾化4-12s的时间段。

S22：响应于升温速率在预定雾化时间内呈上升趋势，则判定雾化片异常或雾化器处于干烧状态。

电子雾化装置在雾化了预定雾化时间，雾化片的升温速率仍处于上升趋势，说明雾化没有或不会进入稳定雾化区间，因此，认为雾化片异常或处于干烧状态。可以理解，雾化片异常时，无法按照预先设定加热方式对待雾化基质进行加热，在雾化预定雾化时间后，是无法进入稳定雾化区间的；若在电子雾化装置启动时，储液腔中无待雾化基质或待雾化基质很少，在还未进入稳定雾化区间，就会出现干烧。

S23：响应于升温速率在预定雾化时间内呈下降趋势，则判定雾化器在预定雾化时间内进入稳定雾化区间。

电子雾化装置在雾化了预定雾化时间，雾化片的升温速率呈下降趋势，说明雾化片的升温速率趋于平缓，雾化进入稳定雾化区间。在进入稳定雾化区间之前为识别区间，即识别是否在电子雾化装置启动时，雾化片异常或雾化器处于干烧状态。

可以理解，在雾化进入稳定雾化区间后，随着雾化的进行，待雾化基质被消耗，也可能出现干烧的现象，因此，进入稳定雾化区间后需要继续对雾化片的升温速率进行检测，以判断其雾化状态是否为干烧。基于此，本申请提供了雾化状态识别方法的另一实施例，请参阅图4，图4是是本申请提供的雾化状态识别方法的第二实施例中步骤S2的流程示意图。

雾化状态识别方法第二实施例中，步骤S1以及步骤S2与雾化状态识别方法第一实施例中步骤S1以及步骤S2相同，在此不再赘述。区别在于，本实施例在步骤S23之后还包括：

S24：判断稳定雾化区间内的升温速率是否大于等于预设阈值。

当雾化片处于干烧状态时，雾化片的温度会迅速上升，即，可以通过设置预设阈值，将雾化片的升温速率与预设阈值进行比较，判断雾化片的雾化状态是否为干烧。可以理解，是将实时的雾化片升温速率与预设阈值进行比较。

由图3可知，当雾化片处于正常雾化状态下时，进入稳定雾化区间后，不同温度子区间对应的升温速率不同；为了能够准确的检测雾化片的雾化状态是否为干烧，对于不同的温度子区间设置不同的预设阈值进行比较。即，在一实施方式中，可以通过判断稳定雾化区间内的不同子区间内的升温速率是否大于等于其子区间对应的预设阈值来检测雾化状态是否为干烧。

具体地，以包括安瓿瓶微孔雾化片的电子雾化装置为例进行实验，通过对该电子雾化装置在定功率下进行正常雾化测试和干烧雾化测试；获取雾化片正常雾化过程中的温升曲线和干烧时的温升曲线变化趋势，选择正常雾化的升温速率与干烧时的升温速率之间的中间值作为干烧识别预设阈值，对正常雾化状态过程中的温升曲线、干烧时的温升曲线变化趋势、按预设阈值设定的温升曲线变化趋势进行绘图，得到图5，图5是本申请提供的雾化片不同雾化状态下的温升曲线比较图。图5中，X轴为采样点数，Y轴为采样点对应的采样温度；在该次实验中，单次采样时间间隔为1s，共采97个采样点。其中，对雾化片雾化温度区间20℃-60℃条件下进行测试。

示例性的，将稳定雾化区间以30℃-35℃、35℃-40℃、40℃-50℃、50℃-60℃为例划分成四个不同的子区间。首先，通过正常雾化测试获取雾化片雾化过程中的温升曲线，计算上述四个不同的子区间的升温速率；再者，通过干烧测试获取雾化片干烧时在上述四个不同的子区间的升温速率；然后，对于其中一个子区间，取正常雾化的升温速率与干烧时的升温速率的中间值作为该子区间对应的预设阈值。雾化片的温度为30℃-35℃对应的升温速率的预设阈值为2℃/S，雾化片的温度为35℃-40℃对应的升温速率的预设阈值为1.5℃/S，雾化片的温度为40℃-50℃对应的升温速率的预设阈值为1.2℃/S，雾化片的温度为50℃-60℃对应的升温速率的预设阈值为1℃/S。

可以理解，上述测试中，电子雾化装置的启动后，雾化了4-12s后，雾化片的温度达到了30℃，同时进入了稳定雾化区间。稳定雾化区间内的不同子区间的划分可以根据需要进行设计，预设阈值只需高于正常雾化的升温速率且低于干烧时的升温速率即可。

S25：响应于稳定雾化区间内的升温速率大于等于预设阈值，则判定雾化器处于干烧状态。

在稳定雾化区间内，雾化片的升温速率大于等于预设阈值，而预设阈值是大于正常雾化状态下的升温速率的，说明雾化片的迅速上升，处于干烧状态。

当通过判断稳定雾化区间内的不同子区间内的升温速率是否大于等于其子区间对应的预设阈值来检测雾化状态是否为干烧时，不同子区域内的实时升温速率大于其子区间对应的预设阈值，则判定雾化器处于干烧状态。

请参阅图6，图6是本申请提供的加热识别方法第三实施例的流程示意图。

在加热识别方法第三实施例中，具体包括：

S01：检测雾化片的温度，并保存到数组中。

可以通过在雾化片上设置温度特性器件来检测雾化片的温度，温度特性器件可以是正温度系数热敏电阻、负温度系数热敏电阻等，能够检测雾化片的温度即可。也可以通过雾化片自身具有的TCR性能，得出雾化片的温度。

S02：根据数组计算雾化片的升温速率。

对数组中的雾化片的温度与其对应的雾化时间进行计算，得出雾化片的升温速率。

S03：根据升温速率判断雾化是否进入稳定雾化区间。

当电子雾化装置启动预定雾化时间，升温速率呈下降趋势，则判定雾化进入稳定雾化区间，进行步骤S04；当电子雾化装置启动预定雾化时间，升温速率呈上升趋势，则判定雾化器的雾化状态为干烧或雾化片异常。

S04：判断雾化片的实时升温速率是否大于预设阈值。

若是，则进行步骤S05；若否，则继续判断实时升温速率是否大于预设阈值。

在稳定雾化区间内，雾化片的升温速率大于等于预设阈值，而预设阈值是大于正常雾化状态下的升温速率的，说明雾化片的迅速上升，处于干烧状态。

当通过判断稳定雾化区间内的不同子区间内的升温速率是否大于等于其子区间对应的预设阈值来检测雾化状态是否为干烧时，不同子区域内的实时升温速率大于其子区间对应的预设阈值，则判定雾化器处于干烧状态。

S05：设立温度保护标记。

在判定雾化器处于干烧状态设立温度保护标记，例如使雾化器停止工作，以避免长时间的干烧损坏雾化片而导致雾化片性能下降，进而影响电子雾化装置的性能。

请参阅图7，图7是本申请提供的雾化状态识别装置一实施例的结构示意图。

雾化状态识别装置包括获取模块11和处理模块12；获取模块11用于获取雾化器的雾化片的升温速率，处理模块12用于根据升温速率判断雾化器的雾化状态。雾化状态识别装置可以用于实现上述任一项的雾化状态识别方法，实现准确的检测雾化器的雾化状态。

请参见图8，图8是本申请提供的电子设备一实施例的结构示意图。电子设备包括相互连接的存储器20和处理器21。

存储器20用于存储实现上述任意一项的雾化状态识别方法的程序指令。

处理器21用于执行存储器20存储的程序指令；即处理器21从存储器20调取存储器20存储的程序指令以执行上述任意一项的雾化状态识别方法。

其中，处理器21还可以称为CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)。处理器21可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。处理器21还可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

存储器20可以为内存条、TF卡等，可以存储设备的电子设备中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器20，电子设备才有记忆功能，才能保证正常工作。电子设备的存储器20按用途可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存)，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和装置，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施方式仅仅是示意性的，例如，模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，系统服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施方式方法的全部或部分步骤。

在一实施方式中，电子设备为电子雾化装置，以电子雾化装置为例详细介绍电子设备的结构。请参阅图9，图9是本申请实施例提供的电子雾化装置的方框示意图。

电子雾化装置包括雾化器31和主机32。雾化器31和主机32可以是可拆卸连接，也可以是一体成型，具体根据需要进行选择。

雾化器31包括储液腔311和雾化片312，储液腔311用于储存待雾化基质，雾化片312用于雾化待雾化基质。主机32包括处理器321和电池322，电池322为雾化片312提供电能，处理器321控制电池322是否给雾化片312提供电能。

在一实施方式中，雾化器31还包括设置于雾化片312上的温度特性器件(未图示)，温度特性器件连接处理器321并用于检测雾化片312的温度。温度特性器件可以是正温度系数热敏电阻、负温度系数热敏电阻等，能够检测雾化片的温度即可。

在另一实施方式中，雾化片312包括压电陶瓷片(未图示)和金属基片(未图示)，金属基片具有TCR性能，以此获取金属基片的温度来得出雾化片312的温度。

电子雾化装置可用于含尼古丁的溶液、药液等液态基质的雾化。可以理解，储液腔311中储存的待雾化基质可以为含尼古丁的溶液、药液等液态基质，根据需要进行选择。

请参阅图10，图10是本申请实施例提供的计算机可读存储介质的结构示意图。本申请的存储介质存储有能够实现上述所有雾化状态识别方法的程序文件40，其中，该程序文件40可以以软件产品的形式存储在上述存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(processor)执行本申请各个实施方式方法的全部或部分步骤。而前述的存储装置包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质，或者是计算机、服务器、手机、平板等终端设备。

以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种雾化状态识别方法，其特征在于，包括：

获取雾化器的雾化片的升温速率；

根据所述升温速率判断所述雾化器的雾化状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述升温速率判断雾化器的雾化状态具体包括：

获取所述升温速率在预定雾化时间内的变化趋势：

响应于所述升温速率在所述预定雾化时间内呈上升趋势，则判定所述雾化片异常或所述雾化器处于干烧状态；

响应于所述升温速率在所述预定雾化时间内呈下降趋势，则判定所述雾化器在所述预定雾化时间内进入稳定雾化区间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判定所述雾化器在所述预定雾化时间后进入稳定雾化区间之后，进一步包括：

判断所述稳定雾化区间内的升温速率是否大于等于预设阈值；

响应于所述稳定雾化区间内的升温速率大于等于所述预设阈值，则判定所述雾化器处于干烧状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述判断所述稳定雾化区间内的升温速率是否大于等于预设阈值具体包括：

判断所述稳定雾化区间内的不同子区间内的升温速率是否大于等于所述子区间对应的预设阈值。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定雾化时间为从所述雾化器启动开始计时，雾化4-12s的时间段。

6.一种雾化状态识别装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取雾化器的雾化片的升温速率；

处理模块，用于根据所述升温速率判断所述雾化器的雾化状态。

7.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，其中，所述存储器存储有程序指令，所述处理器从所述存储器调取所述程序指令以执行如权利要求1-5任一项所述的雾化状态识别方法。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为电子雾化装置，所述电子雾化装置包括所述雾化片和温度特性器件，所述温度特性器件连接所述处理器并用于检测所述雾化片的温度。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述温度特性器件为正温度系数热敏电阻或负温度系数热敏电阻。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有程序文件，所述程序文件能够被执行以实现如权利要求1-5任一项所述的雾化状态识别方法。

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