CN116249399A - 电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

电致发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116249399A
CN116249399A CN202211500211.2A CN202211500211A CN116249399A CN 116249399 A CN116249399 A CN 116249399A CN 202211500211 A CN202211500211 A CN 202211500211A CN 116249399 A CN116249399 A CN 116249399A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
auxiliary
bank
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211500211.2A
Other languages
English (en)
Inventor
金刚铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN116249399A publication Critical patent/CN116249399A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开涉及电致发光显示装置及其制造方法。一种电致发光显示装置包括：基板；在基板上的第一电极；在基板上的连接图案，该连接图案包括与第一电极相同的材料；堤，其覆盖第一电极和连接图案的边缘；辅助堤，其位于堤上并且与连接图案对应；在第一电极上的发光层；以及在发光层、堤和辅助堤上的第二电极，其中，辅助堤具有反向倾斜侧表面，并且其中，发光层包括空穴辅助层、发光材料层和电子辅助层，该电子辅助层具有暴露连接图案的开口，并且第二电极通过该开口接触连接图案。

Description

电致发光显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种电致发光显示装置及其制造方法。
背景技术
作为平板显示装置之一，电致发光显示装置与液晶显示装置相比具有宽视角，因为它是自发光的。由于不需要背光单元，所以电致发光显示装置还具有纤薄、重量轻且低功耗的优点。
另外，电致发光显示装置由低电压的直流(DC)驱动，并且具有快速响应时间。此外，电致发光显示装置对外部冲击有强抵抗力，并且在广泛的温度范围内使用，因为其组件是坚固的。另外，电致发光显示装置可以低成本制造。
发明内容
在一些情况下，一种电致发光显示装置包括多个像素，各个像素具有红色、绿色和蓝色子像素，并且通过允许红色、绿色和蓝色子像素选择性地发射光来显示各种颜色图像。红色、绿色和蓝色子像素分别具有红色、绿色和蓝色发光层。各个发光层可通过真空热蒸发工艺形成，其中使用精细金属掩模(FMM)选择性地沉积发光材料。然而，由于制备精细金属掩模，真空热蒸发工艺可能使制造成本增加，并且由于掩模的制造变化、松垂、阴影效应等，在应用于大尺寸和高清晰度显示装置时可能有问题。
因此，本公开涉及一种基本上消除了由于上述限制和缺点而引起的一个或更多个问题的电致发光显示装置。
本公开的技术益处在于提供一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置及其制造方法。
附加特征和方面将在以下描述中阐述，并且部分地将从该描述显而易见，或者可通过本文所提供的本公开的实践来学习。本发明构思的其它特征和方面可由所撰写的描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得，或者可从其推导。
为了实现本公开的这些和其它方面，如本文中具体实现并广义描述的，一种电致发光显示装置包括：基板；在基板上的第一电极；在基板上的连接图案，该连接图案包括与第一电极相同的材料；堤，其覆盖第一电极和连接图案的边缘；辅助堤，其位于堤上并且与连接图案对应；在第一电极上的发光层；以及在发光层、堤和辅助堤上的第二电极，其中，辅助堤具有反向倾斜侧表面，并且其中，发光层包括空穴辅助层、发光材料层和电子辅助层，电子辅助层具有暴露连接图案的孔，并且第二电极通过该孔接触连接图案。
在另一方面，一种制造电致发光显示装置的方法包括以下步骤：在基板上形成第一电极和连接图案；在第一电极和连接图案上形成堤；与连接图案对应地在堤上形成辅助堤；在第一电极上形成发光层；以及在发光层、堤和辅助堤上形成第二电极，其中，辅助堤具有反向倾斜侧表面。
附图说明
附图被包括以提供本公开的进一步理解，并且被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出本公开的各方面并与描述一起用于说明本公开的各种原理。
在附图中：
图1是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图；
图2是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图；
图3是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的示意性横截面图；
图4是图3的区域A1的放大横截面图；
图5A至图5G是示意性地示出根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的制造工艺的步骤中的电致发光显示装置的横截面图；
图6是根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图；以及
图7是根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的示意性横截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的示例性实施方式，其示例示出于附图中。
根据本公开的实施方式的电致发光显示装置可包括多个像素以显示图像，并且多个像素中的每一个可包括红色、绿色和蓝色子像素。与各个子像素对应的像素区域可具有图1的示例中所示的配置。
图1是根据本公开的实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图。
在图1中，根据本公开的实施方式的电致发光显示装置可包括彼此交叉以限定多个像素区域的多条选通线和多条数据线。例如，在图1的示例中，选通线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。可在各个像素区域P中形成开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。
例如，开关薄膜晶体管Ts的栅电极可连接到选通线GL，并且开关薄膜晶体管Ts的源电极可连接到数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅电极可连接到开关薄膜晶体管Ts的漏电极，并且驱动薄膜晶体管Td的源电极可连接到高压电源VDD(例如，1.5V或3.3V)。发光二极管De的阳极可连接到驱动薄膜晶体管Td的漏电极，并且发光二极管De的阴极可连接到低压电源VSS(例如，0V)。存储电容器Cst可连接到驱动薄膜晶体管Td的栅电极和漏电极。
电致发光显示装置可被驱动以显示图像。例如，当开关薄膜晶体管Ts通过经由选通线GL施加的选通信号而导通时，来自数据线DL的数据信号可通过开关薄膜晶体管Ts施加到驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的电极。
当驱动薄膜晶体管Td通过数据信号而导通时，可控制流过发光二极管De的电流，从而显示图像。由于通过驱动薄膜晶体管Td从高压电源VDD供应的电流，发光二极管De可发射光。
例如，流过发光二极管De的电流量可与数据信号的大小成比例，并且发光二极管De所发射的光的强度可与流过发光二极管De的电流量成比例。因此，像素区域P可根据数据信号的大小显示不同的灰度。结果，电致发光显示装置可显示图像。
另外，当开关薄膜晶体管Ts截止时，存储电容器Cst可将与数据信号对应的电荷维持达一帧。因此，即使开关薄膜晶体管Ts截止，存储电容器Cst也可允许流过发光二极管De的电流量恒定，并且维持发光二极管De所显示的灰度直至下一帧。
除了开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管Td以及存储电容器Cst之外，可在像素区域P中添加一个或更多个薄膜晶体管和/或电容器。例如，在电致发光显示装置中，驱动薄膜晶体管Td可导通相对长的时间，而数据信号可被施加到驱动薄膜晶体管Td的栅电极并且发光二极管De可发射光，从而显示灰度。由于数据信号施加较长时间，驱动薄膜晶体管Td会劣化。因此，驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压Vth可随时间改变。因此，电致发光显示装置的像素区域P可相对于相同的数据信号显示不同的灰度。这可能导致不均匀的亮度，从而降低电致发光显示装置的图像质量。
因此，为了补偿驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压的变化，可在像素区域P中进一步添加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可连接到用于施加参考电压并输出感测电压的参考线。
在根据本公开的实施方式的电致发光显示装置中，发光二极管De可包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极、发光层和第二电极可依次形成在基板上方，并且开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst可形成在基板和第一电极之间。根据本公开的实施方式的电致发光显示装置可为顶部发射型，其中来自发光二极管De的发光层的光朝着与基板相反的方向输出，即，通过第二电极输出到外部。顶部发射型显示装置可具有比相同尺寸的底部发射型显示装置更宽的发射区域，这可改进亮度并降低功耗。
为了传输光，第二电极可由具有较薄厚度的金属材料形成或由透明导电材料形成。据此，第二电极的电阻可增加，并且由于该电阻而会发生电压降，从而导致亮度不均匀的问题。
因此，在本公开中，第二电极可电连接到辅助电极以减小第二电极的电阻。第二电极可通过连接图案电连接到辅助电极，并且可在连接图案和第二电极之间去除有机层，从而可通过减小连接图案和第二电极之间的接触电阻来改进电接触性质。
第一实施方式
图2是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图。图2主要示出堤配置。
在图2的示例中，根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的一个像素可包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的每一个可具有图1的示例的像素区域P的电路配置。
红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B可沿着第一方向(例如，X轴方向)依次布置，在附图的上下文中，第一方向可以是水平方向。相同颜色的子像素R、G和B可沿着第二方向(例如，Y轴方向)布置，第二方向可垂直于第一方向(例如，X轴方向)。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B被示出为各自具有大致成角度拐角的矩形形状，但实施方式不限于此。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的每一个可具有各种形状，例如大致圆角的矩形形状、椭圆形状等。
红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B可具有相同的尺寸。另选地，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B可具有不同的尺寸。红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B的尺寸可通过考虑设置在各个子像素处的发光二极管的寿命来确定。例如，绿色子像素G的尺寸可大于红色子像素R的尺寸，并且小于蓝色子像素B的尺寸。然而，本公开的实施方式不限于此。
在一些情况下，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B可由堤限定。堤可包括具有亲水性的第一堤172和具有疏水性的第二堤174。
例如，第一堤172可设置在相邻的相同颜色子像素R、G和B之间以及相邻的不同颜色子像素R、G和B之间。第一堤172可围绕子像素R、G和B中的每一个。
另选地，在相邻的不同颜色子像素R、G和B之间可省略第一堤172。即，第一堤172可沿着第一方向(例如，X轴方向)延伸，并且可沿着第二方向(例如，Y轴方向)仅形成在相邻的相同颜色子像素R、G和B之间。
第二堤174可设置在第一堤172上。第二堤174可具有与相同颜色的子像素列对应的开口174a，并且可沿着第一方向(例如，X轴方向)设置在相邻的不同颜色子像素R、G和B之间。
因此，开口174a可在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸，并且开口174a的第二方向(例如，Y轴方向)的长度可比第一方向(例如，X轴方向)的长度(例如，宽度)更长。开口174a可具有平行于第一方向(例如，X轴方向)的短边和平行于第二方向(例如，Y轴方向)的长边。沿着第一方向(例如，X轴方向)，在相邻的不同颜色子像素R、G和B之间，第二堤174的宽度可比第一堤172的宽度更窄。
另外，第二堤174可沿着第二方向(例如，Y轴方向)在相邻的相同颜色子像素R、G和B之间具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的延伸部174c。例如，延伸部174c可沿着第二方向(例如，Y轴方向)设置在相邻的红色子像素R之间，并且可与第一堤172交叠。然而，延伸部174c的位置不限于此。另选地，延伸部174c可沿着第二方向(例如，Y轴方向)设置在相邻的绿色子像素G之间或者沿着第二方向(例如，Y轴方向)设置在相邻的蓝色子像素B之间。
第一堤172和第二堤174可分别具有与延伸部174c对应的第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b。
尽管图中未示出，辅助电极和连接图案可形成为与形成有第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b的延伸部174c对应，并且连接图案可通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露。因此，发光二极管的第二电极可通过连接图案电连接到辅助电极。
另外，辅助堤200可形成在第二堤174上，即，延伸部174c上，以与第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b对应。辅助堤200可围绕第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b并暴露第二堤174的顶表面。
辅助堤200可具有环形状并且可具有与第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b基本上相同的平面形状。例如，如图2所示，当在平面图中第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b具有矩形形状时，辅助堤200可具有矩形环形状。另选地，当在平面图中第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b具有圆形形状时，辅助堤200可具有圆环形状。
在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置中，可使用辅助堤200去除连接图案和第二电极之间的有机层，以使得第二电极可与连接图案直接接触，并且可改进连接图案和第二电极之间的电接触性质。
将参照附图详细描述根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的示例配置。
图3是根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的示意性横截面图。图3示出与图2的线I-I′对应的横截面，并且将参照图2一起描述。
如图3的示例中所示，在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置1000中，可在基板100上形成第一导电材料(例如，金属)的遮光图案112和第一辅助电极114。基板100可以是玻璃基板或塑料基板。例如，聚酰亚胺可用于塑料基板，但实施方式不限于此。
遮光图案112和第一辅助电极114可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)及其合金中的一种或更多种形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，遮光图案112和第一辅助电极114可具有包括钼钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构，并且上层可比下层更厚。
第一辅助电极114可在平面中沿平行于基板100的第一方向(例如，X轴方向)和/或第二方向(例如，Y轴方向)延伸。例如，第一辅助电极114可在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，并且可对应于沿着第一方向(例如，X轴方向)布置的多个像素区域。否则，第一辅助电极114可在与第一方向(例如，X轴方向)交叉的第二方向(例如，Y轴方向)上延伸，并且可对应于沿着第二方向(例如，Y轴方向)布置的多个像素区域。另选地，第一辅助电极114可在第一方向和第二方向(X轴方向和Y轴方向)上延伸，并且可具有栅格结构。然而，本公开的实施方式不限于此。
缓冲层120可基本上在基板100的整个表面上形成在遮光图案112和第一辅助电极114上。缓冲层120可由诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成，并且可形成为单层或多层。
缓冲层120可在遮光图案112上具有缓冲孔120a。遮光图案112的顶表面可通过缓冲孔120a部分地暴露。
半导体层122和电容器电极124可被构图并形成在缓冲层120上。半导体层122和电容器电极124可在遮光图案112上方彼此间隔开。遮光图案112可阻挡入射在半导体层122上的光，并且可减少或防止半导体层122由于光而劣化。
半导体层122和电容器电极124可由多晶硅形成。在这种情况下，电容器电极124和半导体层122的两端可掺杂有杂质。另选地，半导体层122和电容器电极124可由氧化物半导体材料形成。
绝缘材料的栅极绝缘层130和第二导电材料的栅电极132可依次形成在半导体层122上。栅极绝缘层130和栅电极132可被设置为与半导体层122的中央对应。
栅极绝缘层130可由诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。当半导体层122由氧化物半导体材料制成时，栅极绝缘层130可由氧化硅(SiO2)形成。
栅电极132可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)及其合金中的一种或更多种形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，栅电极132可具有包括钼钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构，并且上层可比下层更厚。
如图3所示，栅极绝缘层130可被构图为具有与栅电极132相同的形状。栅极绝缘层130的宽度可大于栅电极132的宽度。因此，栅极绝缘层130的顶表面的边缘可暴露。另选地，栅极绝缘层130的宽度可与栅电极132的宽度相同。否则，栅极绝缘层130可不被构图并且可基本上形成在基板100的整个表面上。
选通线(未示出)可进一步由与栅电极132相同的材料形成在同一层上。选通线可在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。当第一辅助电极114在第一方向(例如，X轴方向)上延伸时，选通线和第一辅助电极114可彼此平行。
由绝缘材料制成的层间绝缘层140可基本上在基板100的整个表面上方形成在栅电极132上。层间绝缘层140可由诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。另选地，层间绝缘层140可由诸如光丙烯或苯并环丁烯的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层140可具有第一接触孔140a、第二接触孔140b、第三接触孔140c和第四接触孔140d。第一接触孔140a和第二接触孔140b可暴露半导体层122的两端。
第三接触孔140c可部分地暴露遮光图案112的顶表面，并且可位于缓冲孔120a中。另选地，缓冲孔120a可被省略，并且第三接触孔140c可形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中，以部分地暴露遮光图案112的顶表面。第四接触孔140d可形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中，以部分地暴露第一辅助电极114的顶表面。
由诸如金属的第三导电材料制成的源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可形成在层间绝缘层140上。源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、钨(W)及其合金中的一种或更多种形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可具有钼钛合金(MoTi)的下层和铜(Cu)的上层的双层结构，并且上层可比下层更厚。另选地，例如，源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可具有三层结构。
源电极142和漏电极144可基本上彼此间隔开，栅电极132位于其间。源电极142和漏电极144可分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两端。此外，漏电极144可通过第三接触孔140c接触遮光图案112，并且可与电容器电极124交叠。电容器电极124可与遮光图案112和漏电极144交叠以形成存储电容器。
此外，第二辅助电极146可通过第四接触孔140d与第一辅助电极114交叠并接触。第二辅助电极146可在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸，并且可对应于沿着第二方向(例如，Y轴方向)布置的多个像素区域。然而，本公开的实施方式不限于此。
另外，数据线(未示出)和高压电源线(未示出)可进一步形成在层间绝缘层140上，并且可由第三导电材料制成。数据线和高压电源线可在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。因此，数据线、高压电源线和第二辅助电极146可彼此平行。
半导体层122、栅电极132与源电极142和漏电极144可形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T可具有栅电极132与源电极142和漏电极144可相对于半导体层122位于同一侧的共面结构。
另选地，薄膜晶体管T可具有栅电极与源电极和漏电极可相对于半导体层位于不同侧的倒置交错结构。即，栅电极可设置在半导体层下方，并且源电极和漏电极可设置在半导体层上方。在这种情况下，半导体层可由氧化物半导体或非晶硅形成。
薄膜晶体管T可对应于图1的驱动薄膜晶体管Td，并且图1的具有与驱动薄膜晶体管T相同的结构的开关薄膜晶体管Ts可进一步形成在基板100上。驱动薄膜晶体管的栅电极132可连接到开关薄膜晶体管的漏电极，并且驱动薄膜晶体管的源电极142可连接到电源线。另外，开关薄膜晶体管的栅电极和源电极可分别连接到选通线和数据线。
绝缘材料的钝化层150可基本上在基板100的整个表面上方形成在源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146上。钝化层150可由诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。
接下来，绝缘材料的外涂层155可基本上在基板100的整个表面上方形成在钝化层150上。外涂层155可由诸如光丙烯或苯并环丁烯的有机绝缘材料形成。外涂层155可消除由于下层而引起的水平差，并且可具有基本上平坦的顶表面。
钝化层150和外涂层155之一可被省略。例如，钝化层150可被省略，但实施方式不限于此。
钝化层150和外涂层155可具有暴露漏电极144的漏极接触孔155a。此外，钝化层150和外涂层155可具有暴露第二辅助电极146的第五接触孔155b。
具有相对高的功函数的第一电极160可形成在外涂层155上。第一电极160可通过漏极接触孔155a与漏电极144接触。
第一电极160可包括第一层160a和第二层160b，并且第二层160b可设置在第一层160a和基板100之间(例如，第一层160a和外涂层155之间)。
第一层160a可由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一层160a可由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成。第二层160b可由具有相对高的反射率的金属材料形成。例如，第二层160b可由银(Ag)或铝(Al)形成，但实施方式不限于此。第一层160a的功函数可高于第二层160b的功函数。
第二层160b的厚度可大于第一层160a的厚度。例如，第二层160b的厚度可为80nm至100nm，并且第一层160a的厚度可为10nm至80nm。然而，本公开的实施方式不限于此。
另外，第一电极还可包括在第二层160b和外涂层155之间的第三层160c。因此，第一电极160可具有三层结构。例如，第三层160c可由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成，但实施方式不限于此。
第三层160c的厚度可小于第一层160a的厚度，并且可小于或等于第二层160b的厚度。例如，第三层160c的厚度可为10nm，但实施方式不限于此。
可形成第三层160c以改进第二层160b和外涂层155之间的粘附性质。第三层160c可被省略，并且在这种情况下，第一电极160可具有双层结构。
另外，连接图案162可形成在外涂层155上，并且可由与第一电极160相同的材料形成。因此，连接图案162可包括第一层162a、第二层162b和第三层162c。第二层162b可设置在第一层162a和第三层162c之间，并且第三层162c可设置在第二层162b和基板100之间(例如，第二层162b和外涂层155之间)。连接图案162可通过第五接触孔155b与第二辅助电极146接触。
如上所述，当第一电极160的第三层160c被省略并且第一电极160被配置成具有两层时，连接图案162的第三层162c也可被省略，并且连接图案162可具有双层结构。
绝缘材料的堤可形成在第一电极160上。堤可包括具有亲水性的第一堤172和具有疏水性的第二堤174。
例如，第一堤172可交叠并覆盖第一电极160的边缘，并且可暴露第一电极160的中央部分。第一堤172可与第一电极160的边缘接触。第一堤172还可形成在连接图案162上，并且可交叠并覆盖连接图案162的边缘。第一堤172可具有暴露连接图案162的中央部分的第一辅助接触孔172b。
第一堤172可由具有亲水性的材料形成，例如，诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料。另选地，第一堤172可由聚酰亚胺形成。
第二堤174可形成在第一堤172上。第二堤174的至少顶表面可为疏水的，并且第二堤174的侧表面可为疏水的或亲水的。
第二堤174可具有暴露第一电极160的中央部分的开口174a。如上所述，第二堤174可形成在相邻的不同颜色子像素之间，并且第二堤174的开口174a可形成为与相同颜色的子像素列对应。
第二堤174可按窄于第一堤172的宽度设置在第一堤172上，并且可暴露第一堤172的边缘。另外，第二堤174的厚度可大于第一堤172的厚度。例如，第二堤174的厚度可为1μm至2μm，但实施方式不限于此。
如上所述，可在相邻的不同颜色的子像素之间省略第一堤172。在这种情况下，第二堤174可与第一电极160的边缘交叠并接触。
第二堤174可由具有疏水性的有机绝缘材料形成。另选地，第二堤174可由具有亲水性的有机绝缘材料形成并经受疏水处理。
此外，第二堤174可具有与第一辅助接触孔172b对应的第二辅助接触孔174b。连接图案162可通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露。这里，第二辅助接触孔174b可具有大于第一辅助接触孔172b的面积和宽度。
在一个实施方式中，仅第一堤172可设置在图中未示出的第一电极160的其它边缘上。
另外，第一堤172和第二堤174可由不同的材料形成，并且可在图3中彼此分离。然而，亲水的第一堤172和疏水的第二堤174可由相同的材料形成，并且可形成为一体。例如，具有疏水顶表面的有机材料层可基本上形成在基板100的整个表面上，可通过包括透光部分、遮光部分和半透光部分的半色调掩模暴露于光，并且可被构图，从而形成具有不同宽度和不同厚度的亲水的第一堤172和疏水的第二堤174。
辅助堤200可与连接图案162对应形成在第二堤174上。辅助堤200可具有反向倾斜侧表面，并且第二堤174的顶表面可在辅助堤200和第二辅助接触孔174b之间暴露。辅助堤200将在下面详细描述。
接下来，可在通过第一堤172、第二堤174和辅助堤200暴露的第一电极160上形成发光层180。发光层180可包括可依次位于第一电极160上方的第一电荷辅助层182、发光材料层184和第二电荷辅助层186。发光材料层184可由红色、绿色和蓝色发光材料中的任一种形成，但实施方式不限于此。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物的有机发光材料，或者可以是诸如量子点的无机发光材料。
第一电荷辅助层182可以是空穴辅助层，并且空穴辅助层可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。另外，第二电荷辅助层186可以是电子辅助层，并且电子辅助层可包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。第一电荷辅助层182和第二电荷辅助层186可具有有机层。然而，本公开的实施方式不限于此。
这里，第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个可通过溶液工艺形成。因此，工艺可简化，并且可提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。旋涂方法、喷墨印刷方法或丝网印刷方法可用作溶液工艺，但本公开的实施方式不限于此。在一些情况下，第一电荷辅助层182和发光材料层184可仅形成在开口174a中，并且第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个的至少一个侧表面可由第一堤172和第二堤174围绕。
如上所述，由于第二堤174的开口174a可形成为与相同颜色的子像素列对应，所以通过不同喷嘴滴入与相同颜色的子像素列对应的各个像素区域中的溶液可彼此连接，并且第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个可通过使溶液干燥来形成。因此，与相同颜色的子像素列对应的相邻像素区域中的第一电荷辅助层182或发光材料层184可彼此连接并形成为一体。因此，喷嘴的滴加量之间的偏差可减小或最小化，并且形成在各个像素区域中的薄膜的厚度可为均匀的。
当溶液被干燥时，与第二堤174相邻的区域中的溶剂的干燥速度可不同于其它区域。即，与第二堤174相邻的区域中的溶剂的干燥速度可比其它区域中更快。因此，随着更靠近第二堤174，与第二堤174相邻的区域中的第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个的高度可上升。
另一方面，第二电荷辅助层186可通过热蒸发工艺来形成。因此，第二电荷辅助层186可基本上形成在基板100的整个表面上方。即，第二电荷辅助层186可形成在第二堤174的顶表面上以及开口174a中，并且还可形成在连接图案162上。在这种情况下，连接图案162上的第二电荷辅助层186可具有暴露连接图案162的开口186a，并且开口186a可设置在第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b中。第二电荷辅助层186的开口186a可使用辅助堤200来形成。
开口186a形成在如图4所示的接触区域中。该接触区域是第二辅助电极146、连接图案162和第二电极彼此电接触的地方。在一些实施方式中，如图4所示，第二电荷辅助层186还与该接触区域中的连接图案162直接物理接触。此外，第二电荷辅助层186还可形成在辅助堤200上。辅助堤200上的第二电荷辅助层186可与第二堤174上的第二电荷辅助层186和连接图案162上的第二电荷辅助层186分离。在这种情况下，第二电荷辅助层186可不形成在辅助堤200的侧表面和与辅助堤200相邻的第二堤174的顶表面上，这将在下面详细描述。
接下来，可基本上在基板100的整个表面上方在发光层180上形成具有相对低的功函数的导电材料的第二电极190。具体地，第二电极190可形成在第二电荷辅助层186上，并且还可形成在第二堤174的顶表面和辅助堤200的侧表面上未形成第二电荷辅助层186的地方。因此，第二电极190可与第二堤174的顶表面和辅助堤200的侧表面接触。
第二电极190可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)及其合金中的一种或更多种形成。第二电极190可相对薄，使得来自发光层180的光可透射通过。例如，第二电极190可具有5nm至10nm的厚度，但实施方式不限于此。另选地，第二电极190可由诸如铟镓氧化物(IGO)或IZO的透明导电材料形成。
第二电极190可通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接到连接图案162。因此，第二电极190可通过连接图案162电连接到第一辅助电极114和第二辅助电极146。第二电荷辅助层186可设置在连接图案162和第二电极190之间。由于第二电荷辅助层186可具有绝缘性质并且可充当电阻器，所以第二电极190和连接图案162之间的接触性质可降低。
然而，根据实施方式的暴露连接图案162的开口186a可形成在第二电荷辅助层186中，并且第二电极190可通过开口186a与连接图案162直接接触。因此，第二电极190和连接图案162之间的接触性质可增加。
第一电极160、发光层180和第二电极190可构成发光二极管De。第一电极160可用作阳极，并且第二电极190可用作阴极，但实施方式不限于此。
如上所述，根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置1000可为顶部发射型，其中来自发光二极管De的发光层180的光可朝着与基板100相反的方向输出，即，通过第二电极190输出到外部。
各个像素区域的发光二极管De可具有与所发射的光的波长对应的用于微腔效应的元件厚度，从而增加光效率。
尽管图中未示出，封盖层可基本上在基板100的整个表面上方形成在第二电极190上。封盖层可由具有相对高的折射率的绝缘材料形成。沿着封盖层传播的光的波长可通过表面等离子体谐振来放大。因此，峰强度可增加，从而改进顶部发射型电致发光显示装置中的光效率。例如，封盖层可形成为有机层或无机层的单层，或者可形成为有机/无机层叠层。
如上所述，在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置1000中，通过经由溶液工艺形成一些发光层180，可省略掩模。从而制造成本可降低，并且可实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
另外，根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置1000可被配置成顶部发射型，从而改进亮度并降低功耗。第二电极190可相对薄或者可由透明导电材料形成以透射光，并且其电阻可增加。然而，第二电极190可通过连接图案162连接到第一辅助电极114和第二辅助电极146，以使得第二电极190的电阻可减小。
可使用辅助堤200在第二电荷辅助层186中形成开口186a，并且第二电极190可与连接图案162直接接触，以使得第二电极190与连接图案162之间的接触性质可改进。第一辅助电极114和第二辅助电极146之一可被省略。
根据本公开的第一实施方式的辅助堤200、第二电荷辅助层186和第二电极190的配置将参照图4详细描述。
图4是图3的区域A1的放大横截面图。
如图4的示例中所示，辅助堤200可与连接图案162对应形成在第二堤174上。辅助堤200可由绝缘材料形成。例如，辅助堤200可由聚酰亚胺或丙烯酸抗蚀剂形成。
辅助堤200可用于在第二电荷辅助层186中形成开口186a。辅助堤200可切断第二电荷辅助层186以暴露具有疏水性的第二堤174的顶表面，并且可允许第二电极190连续地连接。
这里，有利地，通过第二电荷辅助层186暴露的第二堤174的顶表面的宽度w1可为5μm至8μm。为此，辅助堤200可具有预定厚度和反向倾斜侧表面。即，辅助堤200的顶表面比底表面更宽并且具有更大的表面积，并且辅助堤200的侧表面相对于平行于图3的基板100的平面具有超过90度的反向倾斜角a1。因此，辅助堤向下渐缩(类似圆锥)，在下端处较小。
随着辅助堤200的厚度增加并且反向倾斜角a1增加，覆盖特性降低，以使得膜可被切断。
通常，要沉积的材料的沉积速率越快，覆盖特性越低，并且要沉积的材料的厚度越小，覆盖特性越低。与由金属或透明导电材料形成的第二电极190相比，包括有机层的第二电荷辅助层186具有更低的覆盖特性。
例如，第二电荷辅助层186的厚度可为20nm至25nm，并且第二电极190的厚度可为10nm至15nm。
因此，为了断开第二电荷辅助层186并连接第二电极190，可取的是，辅助堤200的厚度可大于1.5μm且小于2.0μm。如果辅助堤200的厚度等于或小于1.5μm，则第二电荷辅助层186无法断开，从而第二堤174的顶表面无法暴露。如果辅助堤200的厚度等于或大于2.0μm，则第二电极190会断开，从而无法向第二电极190施加电压。
此外，可取的是，反向倾斜角a1可大于120度且小于150度。如果反向倾斜角a1等于或小于120度，则第二电荷辅助层186无法断开，从而第二堤174的顶表面无法暴露。如果反向倾斜角a1等于或大于150度，则第二电极190会断开，从而无法向第二电极190施加电压。
此外，第一堤172和第二堤174可具有规则倾斜的侧表面。即，第一堤172和第二堤174的侧表面可相对于平行于图3的基板100的平面具有小于90度的倾斜角。
由于第二电荷辅助层186可基本上不形成在辅助堤200的侧表面上，所以形成在辅助堤200上的第二电荷辅助层186可与形成在连接图案162上的第二电荷辅助层186断开并分离，以使得第二堤174的顶表面可暴露。这里，第二电荷辅助层186可仅形成在辅助堤200的侧表面的上部。
另外，第二电荷辅助层186可具有暴露第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b中的连接图案162的开口186a。开口186a可使用通过第二电荷辅助层186暴露的辅助堤200和第二堤174来形成。
接下来，可基本上在图3的基板100的整个表面上方在第二电荷辅助层186上形成第二电极190。第二电极190也可形成在辅助堤200的侧表面和第二堤174的顶表面上，并且可与辅助堤200的侧表面和第二堤174的顶表面接触。这里，辅助堤200的侧表面上的第二电极190的厚度可向下(即，更靠近第二堤174)变薄。
第二电极190可与通过开口186a暴露的连接图案162直接接触。因此，第二电极190与连接图案162之间的接触性质可增加。
根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置1000的制造方法将参照图5A至图5G来详细描述。
图5A至图5G是示意性地示出根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置的制造工艺的步骤中的电致发光显示装置的横截面图。图5A至图5G对应于图2的线I-I′。
在图5A中，可通过沉积第一导电材料并通过第一掩模工艺对其进行构图来在绝缘基板100上形成遮光图案112和第一辅助电极114。
接下来，可通过基本上在基板100的整个表面上方沉积无机绝缘材料来在遮光图案112和第一辅助电极114上形成缓冲层120并且可通过第二掩模工艺来对缓冲层120进行构图，从而形成部分地暴露遮光图案112的顶表面的缓冲孔120a。
然后，可通过沉积半导体材料并通过第三掩模工艺对其进行构图来在缓冲层120上形成半导体层122和电容器电极124。半导体层122和电容器电极124可在遮光图案112上方彼此间隔开。
半导体材料可以是多晶硅，并且在这种情况下，半导体层122和电容器电极124的两端可稍后掺杂杂质。另选地，半导体材料可以是氧化物半导体材料。
可通过在半导体层122和电容器电极124上依次沉积无机绝缘材料和第二导电材料并通过第四掩模工艺对其进行构图来形成栅极绝缘层130和栅电极132。栅极绝缘层130和栅电极132可被设置为与半导体层122的中央对应。
然后，可通过基本上在基板100的整个表面上方沉积无机绝缘材料或施加有机绝缘材料来在栅电极132和电容器电极124上形成层间绝缘层140并且可通过第五掩模工艺来对层间绝缘层140进行构图，从而形成第一接触孔140a、第二接触孔140b、第三接触孔140c和第四接触孔140d。此时，缓冲层120也可被选择性地去除。
第一接触孔140a和第二接触孔140b可暴露半导体层122的两端。第三接触孔140c可部分地暴露与缓冲孔120a对应的遮光图案112的顶表面。这里，缓冲孔120a可被省略，并且第三接触孔140c可形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中，以部分地暴露遮光图案112的顶表面。在这种情况下，第二掩模工艺可被省略。另外，第四接触孔140d可形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中以部分地暴露第一辅助电极114的顶表面。
接下来，可通过沉积第三导电材料并通过第六掩模工艺对其进行构图来在层间绝缘层140上形成源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146。
源电极142和漏电极144可分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b与半导体层122的两端接触。此外，漏电极144可通过第三接触孔140c接触遮光图案112并且可与电容器电极124交叠。
此外，第二辅助电极146可通过第四接触孔140d接触第一辅助电极114。
接下来，可通过沉积无机绝缘材料来在源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146上形成钝化层150，并且可通过施加有机绝缘材料来在钝化层150上形成外涂层155。然后，可通过第七掩模工艺对钝化层150和外涂层155进行构图，从而形成漏极接触孔155a和第五接触孔155b。
漏极接触孔155a可部分地暴露漏电极144，并且第五接触孔155b可部分地暴露第二辅助电极146。
这里，已描述了钝化层150和外涂层155可通过相同的掩模工艺来构图，但钝化层150和外涂层155可通过不同的掩模工艺来构图。例如，在可通过沉积无机绝缘材料形成钝化层150并通过掩模工艺对钝化层150进行构图之后，可通过施加有机绝缘材料来形成外涂层155并且可通过另一掩模工艺来对外涂层155进行构图。
接下来，可通过依次沉积第一导电层、第二导电层和第三导电层并通过第八掩模工艺对其进行构图来在外涂层155上形成第一电极160和连接图案162。
这里，第一导电层和第三导电层可由ITO或IZO形成，并且第二导电层可由银(Ag)、铝(Al)或钼(Mo)形成。
第一电极160和连接图案162各自可包括第一层160a和162a、第二层160b和162b以及第三层160c和162c。第二层160b和162b可设置在第一层160a和162a与第三层160c和162c之间，并且第三层160c和162c可设置在第二层160b和162b与外涂层155之间。
第一电极160可通过漏极接触孔155a与漏电极144接触。另外，连接图案162可通过第五接触孔155b与第二辅助电极146接触。
接下来，可通过沉积或施加绝缘材料并通过一个掩模工艺或两个掩模工艺对其进行构图来在第一电极160和连接图案162上形成暴露第一电极160和连接图案162的堤。堤可包括亲水性的第一堤172和疏水性的第二堤174。
第一堤172可覆盖第一电极160的边缘，并且可暴露第一电极160的中央部分。第二堤174可具有暴露第一电极160的中央部分的开口174a。另外，第一堤172和第二堤174可分别具有暴露连接图案162的第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b。第一堤172可具有亲水性，并且第二堤174的至少顶表面可具有疏水性。
接下来，在图5B中，可与连接图案162对应在第二堤174上形成绝缘材料的辅助堤200。辅助堤200可与第二辅助接触孔174b间隔开并且可围绕第二辅助接触孔174b。辅助堤200可具有反向倾斜侧表面。在一些情况下，辅助堤200可包括具有倒锥形轮廓的一个或更多个绝缘材料结构。第二堤174的疏水顶表面可在辅助堤200和第二辅助接触孔174b之间暴露。辅助堤200可具有亲水性。
有利的是，辅助堤200和第二辅助接触孔174b之间暴露的第二堤174的顶表面的图4的宽度w1可为5μm至8μm，辅助堤200的厚度可大于1.5μm且小于2.0μm，并且辅助堤200的侧表面的图4的反向倾斜角a1可大于120度且小于150度。
在图5C中，可通过滴加第一溶液然后对其进行干燥来在通过开口174a暴露的第一电极160上形成第一电荷辅助层182。第一电荷辅助层182的至少一个侧表面可由第二堤174围绕。当第一溶液被干燥时，与第二堤174相邻的区域中的溶剂的干燥速度可与其它区域中不同。因此，随着更靠近第二堤174，与第二堤174相邻的区域中的第一电荷辅助层182的高度可上升。第一电荷辅助层182可包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。
然后，可通过滴加第二溶液然后对其进行干燥来在第一电荷辅助层182上形成发光材料层184。发光材料层184的至少一个侧表面可由第二堤174围绕。当第二溶液被干燥时，与第二堤174相邻的区域中的溶剂的干燥速度可与其它区域中不同。因此，随着更靠近第二堤174，与第二堤174相邻的区域中的发光材料层184的高度可上升。
接下来，在图5D中，可通过沉积有机材料和/或无机材料来在发光材料层184上形成第二电荷辅助层186。可基本上在基板100的整个表面上方形成第二电荷辅助层186。因此，第二电荷辅助层186也可形成在第二堤174、连接图案162和辅助堤200上。在这种情况下，由于具有反向倾斜侧表面的辅助堤200，第二电荷辅助层186可基本上不形成在辅助堤200的侧表面和与辅助堤200相邻的第二堤174的顶表面上，以使得辅助堤200和第二辅助接触孔174b之间的第二堤174的顶表面可暴露，并且辅助堤200上的第二电荷辅助层186可与连接图案162上的第二电荷辅助层186断开并分离。第二电荷辅助层186可包括电子注入层(EIL)和/或电子传输层(ETL)。
第一电荷辅助层182、发光材料层184和第二电荷辅助层186可构成发光层180。
接下来，在图5E中，可使用注入设备213向第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b中施加有机溶剂212。有机溶剂212可用于溶解第二电荷辅助层186的有机层并部分地去除它。例如，有机溶剂212可包括包含苯环的醚或酯基材料。
这里，由于第二堤174的暴露的顶表面具有疏水性，所以所施加的有机溶剂212可基本上仅设置在第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b中的第二电荷辅助层186上。
如果不存在辅助堤200，则第二堤174的顶表面可被第二电荷辅助层186完全覆盖。第二电荷辅助层186可具有亲水性，因此无法施加有机溶剂212以仅设置在第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b中的第二电荷辅助层186上。即，可向第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b以外的区域上施加有机溶剂212，并且第二电荷辅助层186无法被部分去除。这在第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b的面积相对小的高分辨率显示装置中可能更成问题。
接下来，在图5F中，可通过对图5E的有机溶剂212进行干燥来部分地去除第二电荷辅助层186，从而形成暴露连接图案162的开口186a。
在这种情况下，由于咖啡渍效应或咖啡环效应，开口186a可基本上形成在第一辅助接触孔172a和第二辅助接触孔174b的中央处。咖啡渍效应或咖啡环效应是这样一种现象：当凸球形液体被干燥时，与中央处相比蒸发更多发生在边缘处，并且固体层叠在边缘上。由于咖啡渍效应或咖啡环效应，图5E的有机溶剂212中溶解的第二电荷辅助层186的材料可层叠在第一辅助接触孔172a和第二辅助接触孔174a的边缘处，并且不会层叠在第一辅助接触孔172a和第二辅助接触孔174a的中央。因此，可基本上在第一辅助接触孔172a和第二辅助接触孔174a的中央处形成开口186a。
接下来，在图5G中，可通过沉积诸如金属的导电材料在具有开口186a的第二电荷辅助层186上形成第二电极190。第二电极190可基本上形成在基板100的整个表面上方。因此，第二电极190也可形成在辅助堤200上，并且也可形成在辅助堤200的侧表面上。
此外，第二电极190也可形成在连接图案162上。第二电极190可通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接到连接图案162。这里，由于连接图案162可通过第二电荷辅助层186的开口186a暴露，所以第二电极190可通过开口186a与连接图案162直接接触。
第一电极160、发光层180和第二电极190可构成发光二极管De。第一电极160可用作阳极，并且第二电极190可用作阴极。
如上所述，在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示装置1000中，具有反向倾斜侧表面的辅助堤200可形成在第二堤174上，并且第二堤174的顶表面可暴露。可通过有机溶剂212部分地去除连接图案162上的第二电荷辅助层186，并且第二电极190可与连接图案162直接接触。因此，第二电极190与连接图案162之间的电接触性质可改进。
尽管在本公开的第一实施方式中描述了辅助堤200应用于包括第一堤172和第二堤174的双堤结构，但本公开的辅助堤200可应用于单堤结构。
第二实施方式
图6是根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图，图7是根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置的示意性横截面图。图6主要示出堤配置，图7示出与图6的线II-II′对应的横截面。除了堤结构之外，根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式基本上相同的配置。与第一实施方式相同的部分由相同的标号指代，可缩短或省略对相同部分的说明。
如图6和图7的示例中所示，在根据本公开的第二实施方式的电致发光显示装置2000中，堤374可沿着第一方向(例如，X轴方向)设置在相邻的不同颜色子像素R、G和B之间并且沿着第二方向(例如，Y轴方向)设置在相邻的相同颜色子像素R、G和B之间。堤374可具有与红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中的每一个对应的开口374a。
堤374可覆盖第一电极160的边缘，并且可通过开口374a暴露第一电极160的中央部分。
另外，堤374可覆盖连接图案162的边缘，并且可具有暴露连接图案162的中央部分的辅助接触孔374b。辅助接触孔374b可沿着第二方向(例如，Y轴方向)形成在相邻的红色子像素R之间。
堤374的至少顶表面3741可具有疏水性，并且堤374的侧表面可具有亲水性或疏水性。堤374的厚度可为1μm至2μm，但实施方式不限于此。
辅助堤200可与辅助接触孔374b对应形成在堤374上。辅助堤200可围绕辅助接触孔374b并且可暴露堤374的疏水的顶表面3741。辅助堤200可具有反向倾斜侧表面。
在这种情况下，可取的是，辅助堤200和辅助接触孔374b之间暴露的堤374的顶表面3741的宽度可为5μm至8μm，辅助堤200的厚度可大于1.5μm且小于2.0μm，并且辅助堤200的侧表面可具有大于120度且小于150度的反向倾斜角。
在本公开的实施方式中，通过经由溶液工艺形成各个子像素的至少一些发光层，可省略掩模。因此，制造成本可降低，并且可实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
另外，相同颜色的子像素的发光层可彼此连接并形成为一体，从而减小或最小化喷嘴之间的滴加量的偏差，并且均匀地形成各个子像素的发光层的厚度。因此，可减少或防止斑点或不均匀性，从而有效地改善或防止显示装置的图像质量下降。
此外，第二电极可通过连接图案连接到辅助电极，从而降低第二电极的电阻。
另外，具有反向倾斜侧表面的辅助堤可形成在堤上，并且第二电极可与连接图案直接接触，从而改进第二电极和连接图案之间的电接触性质。
对于本领域技术人员而言将显而易见，在不脱离本公开的技术思想或范围的情况下，可对本公开进行各种修改和变化。
上述各种实施方式可被组合以提供另外的实施方式。本说明书中参考和/或在申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公布、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公布整体通过引用并入本文。如果需要，可修改实施方式的各方面以采用各种专利、申请和公布的概念来提供另外的实施方式。
可根据上述描述对实施方式进行这些和其它改变。通常，在以下权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于本说明书和权利要求中公开的特定实施方式，而是应该被解释为包括所有可能实施方式以及这些权利要求享有的完整等同范围。因此，这些权利要求不受本公开限制。
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年12月8日提交的韩国专利申请No.10-2021-0174585的优先权，其整体通过引用并入本文中。

Claims (23)

1.一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置包括：
基板；
在所述基板上的第一电极；
在所述基板上的连接图案，该连接图案包括与所述第一电极相同的材料；
堤，该堤覆盖所述第一电极和所述连接图案的边缘；
在所述堤上的辅助堤；
在所述第一电极上的发光层；以及
在所述发光层、所述堤和所述辅助堤上的第二电极，
其中，所述辅助堤具有反向倾斜侧表面，并且
其中，所述发光层包括空穴辅助层、发光材料层和电子辅助层，该电子辅助层具有暴露所述连接图案的开口，并且所述第二电极通过所述开口接触所述连接图案。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述第二电极接触所述辅助堤的侧表面。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述辅助堤的侧表面具有大于120度且小于150度的反向倾斜角。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中，所述辅助堤的厚度大于1.5μm且小于2.0μm。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述堤具有暴露所述连接图案的接触开口，并且所述堤的顶表面在所述接触开口和所述辅助堤之间暴露。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中，所述第二电极与所述堤的在所述接触开口和所述辅助堤之间暴露的顶表面接触。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述空穴辅助层和所述发光材料层中的每一个的至少一个侧表面由所述堤围绕，并且
其中，所述电子辅助层设置在所述堤、所述辅助堤和所述连接图案上，并且
其中，所述辅助堤上的电子辅助层与所述堤上的电子辅助层和所述连接图案上的电子辅助层分离。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，该电致发光显示装置还包括：
在所述基板和所述第一电极之间的至少一个薄膜晶体管，
其中，所述第一电极连接到所述至少一个薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述堤包括具有亲水性的第一堤和具有疏水性的第二堤。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第一堤和所述第二堤形成为一体。
11.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，沿着一个方向的相邻像素区域中的发光层彼此连接为一体。
12.一种制造电致发光显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成第一电极和连接图案；
在所述第一电极和所述连接图案上形成堤；
形成具有反向倾斜侧壁的辅助堤，该辅助堤位于所述堤上；
在所述第一电极上形成发光层；以及
在所述发光层、所述堤和所述辅助堤上形成第二电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述发光层的步骤包括以下步骤：形成接触开口辅助层，形成发光材料层，并且形成电子辅助层，
其中，所述接触开口辅助层和所述发光材料层中的每一个的至少一个侧表面由所述堤围绕，并且
其中，所述电子辅助层设置在所述堤、所述辅助堤和所述连接图案上，并且
其中，所述辅助堤上的电子辅助层与所述堤上的电子辅助层和所述连接图案上的电子辅助层分离。
14.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：在形成所述电子辅助层的步骤与形成所述第二电极的步骤之间，通过去除所述电子辅助层的一部分来形成暴露所述连接图案的开口；并且
形成所述第二电极的步骤包括以下步骤：形成通过所述开口与所述连接图案接触的所述第二电极。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一电极和所述连接图案使用相同的工艺步骤同时形成，并且包括相同的材料。
16.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在发光材料层上方形成电荷辅助层；以及
在所述电荷辅助层内形成开口以暴露所述连接图案，
其中，形成所述第二电极的步骤包括以下步骤：在所述开口内形成与所述连接图案接触的所述第二电极。
17.一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置包括：
设置在基板上方的第一电极，该第一电极包括材料层的第一部分；
设置在所述基板上方的连接图案，该连接图案包括所述材料层的第二部分；
堤，该堤设置在所述第一电极的至少一部分与所述连接图案的至少一部分之间；
辅助堤，该辅助堤设置在所述堤上方，该辅助堤具有反向倾斜侧表面；
发光材料层，该发光材料层设置在所述第一电极上方；以及
第二电极，该第二电极设置在所述发光材料层、所述堤和所述辅助堤上方。
18.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，其中，
所述辅助堤包括具有倒锥形轮廓的绝缘材料结构；
所述材料层包括导电材料层；并且
所述堤设置在所述材料层的所述第一部分与所述材料层的所述第二部分之间。
19.根据权利要求18所述的电致发光显示装置，其中，
所述导电材料层包括铟锡氧化物。
20.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，该电致发光显示装置还包括：
电荷辅助层，该电荷辅助层设置在所述发光材料层上方并在像素的区域中与所述发光材料层接触，并且该电荷辅助层设置在所述第一电极上方并在接触区域中与所述第一电极接触；以及
开口，该开口在所述接触区域中在所述电荷辅助层中，所述第二电极在所述接触区域中直接连接到所述连接图案。
21.根据权利要求20所述的电致发光显示装置，其中，
所述电荷辅助层包括电子注入层或电子传输层之一。
22.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，该电致发光显示装置还包括：
电荷辅助层，该电荷辅助层位于所述发光材料层和所述第二电极之间。
23.根据权利要求22所述的电致发光显示装置，其中，
所述第二电极通过所述电荷辅助层中的开口接触所述连接图案。
CN202211500211.2A 2021-12-08 2022-11-28 电致发光显示装置及其制造方法 Pending CN116249399A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210174585A KR20230086182A (ko) 2021-12-08 2021-12-08 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR10-2021-0174585 2021-12-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116249399A true CN116249399A (zh) 2023-06-09

Family

ID=86607319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211500211.2A Pending CN116249399A (zh) 2021-12-08 2022-11-28 电致发光显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230180531A1 (zh)
JP (1) JP7451657B2 (zh)
KR (1) KR20230086182A (zh)
CN (1) CN116249399A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011216250A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ素子用基板の製造方法
US9859345B2 (en) 2014-09-17 2018-01-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device including a partition wall and method of manufacturing the same
KR101640803B1 (ko) 2014-09-26 2016-07-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
JP6805221B2 (ja) 2017-12-15 2020-12-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および、その製造方法
JP2020030933A (ja) 2018-08-22 2020-02-27 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230180531A1 (en) 2023-06-08
JP2023085220A (ja) 2023-06-20
KR20230086182A (ko) 2023-06-15
JP7451657B2 (ja) 2024-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11398535B2 (en) Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels
CN111326549B (zh) 电致发光显示装置及其制造方法
US11605681B2 (en) Electroluminescent display device
CN112928142B (zh) 电致发光显示装置及其制造方法
US11903235B2 (en) Transparent display device
US11839108B2 (en) Transparent display device
US11864440B2 (en) Electroluminescent display device
US11917847B2 (en) Electroluminescent display device including a conductive bank disposed between a second electrode and a connection pattern
CN116249399A (zh) 电致发光显示装置及其制造方法
US20220173179A1 (en) Electroluminescent display device
US11825693B2 (en) Transparent display device
KR20230089304A (ko) 발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination