CN116247048A - 通讯装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种通讯装置及其制造方法。通讯装置的制造方法包括以下步骤：提供第一基板，其中第一基板包括第一区与第二区，且第一基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面；提供第二基板；以密封元件组合第一基板与第二基板，以使密封元件设置于第一基板的第一表面与第二基板的第三表面之间；在组合第一基板与第二基板之后，对于第一基板的第二表面进行薄化；以及设置第一通讯元件于第一基板的第一区中的第一表面上。

Description

通讯装置及其制造方法

技术领域

本揭露涉及一种通讯装置及其制造方法，尤其涉及一种基板厚度减薄的通讯装置及其制造方法。

背景技术

通讯装置已广泛地应用于同领域中。随着通讯装置蓬勃发展，朝向轻薄化开发，因此对于通讯装置的可靠度或质量要求越高。

发明内容

本揭露是提供一种通讯装置及其制造方法，有助于通讯元件的信号传输。

根据本揭露的实施例，通讯装置的制造方法包括以下步骤：提供第一基板，其中第一基板包括第一区与第二区，且第一基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面；提供第二基板；以密封元件组合第一基板与第二基板，以使密封元件设置于第一基板的第一表面与第二基板的第三表面之间；在组合第一基板与第二基板之后，对于第一基板的第二表面进行薄化；以及设置第一通讯元件于第一基板的第一区中的第一表面上。

根据本揭露的实施例，通讯装置包括基板以及通讯元件。基板包括第一区与第二区，且具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。通讯元件设置于基板的第一区中的第一表面上。基板在第一区具有第一厚度，基板在第二区具有第二厚度，且第一厚度小于第二厚度。

附图说明

包括附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1A至图1D为本揭露一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图；

图1E为图1A的通讯装置的制造方法的上视示意图；

图2A至图2B为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图；

图3A至图3D为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图；

图4A至图4D为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图；

图5A至图5B为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图；

图6为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。

附图标号说明

10C：组合板；

100、100a、200、200a：通讯装置；

110、110’：第一基板；

110a：第一表面；

110b：第二表面；

110P：重叠部分；

111、211：第一区；

112、212：第二区；

120：第一控制元件；

121、221：栅极电极；

122、222：源极电极；

123、223：漏极电极；

124、224：半导体；

130、230：栅极绝缘层；

131、141、142、231、241、242：开口；

140、240：绝缘层；

140H、240H：高点；

150：密封元件；

160：第一通讯元件；

170、270：第一导电件；

172、272：第二导电件；

180、182：光阻层；

190、192：保护层；

210、210’：第二基板；

210a：第三表面；

210b：第四表面；

220：第二控制元件；

260：第二通讯元件；

CR1、CR2：元件区；

D1：方向；

G1、G2：空气间隙；

P1、P2：接合垫；

SR1、SR2：密封区；

T01、T02、T1、T2、T2’、T3、T4、T4’、T5：厚度；

Z：法线方向。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出通讯装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

应了解到，当组件或膜层被称为在另一个组件或膜层“上”或“连接到”另一个组件或膜层时，它可以直接在此另一组件或膜层上或直接连接到此另一组件或层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层(非直接情况)。相反地，当组件被称为“直接”在另一个组件或膜层“上”或“直接连接到”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。

虽然术语“第一”、“第二”、“第三”…可用以描述多种组成组件，但组成组件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成组件与其他组成组件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中组件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成组件在权利要求中可能为第二组成组件。

于文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。

在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接之用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

在本揭露一些实施例中，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪、或其它合适的方式测量各元件的面积、宽度、厚度或高度、或元件之间的距离或间距。详细而言，根据一些实施例，可使用扫描式电子显微镜取得包括欲测量的元件的剖面结构影像，并测量各元件的面积、宽度、厚度或高度、或元件之间的距离或间距。

本揭露的通讯装置可包括天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。通讯装置可为可弯折或可挠式通讯装置。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，通讯装置可为前述之任意排列组合，但不以此为限。下文将以通讯装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A至图1D为本揭露一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。图1E为图1A的通讯装置的制造方法的上视示意图。其中，本实施例的通讯装置100、200的制造方法可包括以下步骤：

首先，请参照图1A与图1E，先提供第一基板110。第一基板110包括多个元件区CR1与多个密封区SR1。每个元件区CR1相邻于对应的密封区SR1，每个元件区CR1被对应的密封区SR1围绕。每个元件区CR1可包括多个第一区111以及多个第二区112。为方便说明，图1E于每个元件区CR1中示意地示出三个第一区111和三个第二区112为例，但本揭露并不对每个元件区CR1中的第一区111的数量和第二区112的数量加以限制。图1E中，为简化说明，第一区111的形状和第二区112的形状以方形为例，但本发明不限于此，第一区111的形状和第二区112的形状并没有限制。

依据一些实施例，如图1D所示，第一区111可为后续制程中的通讯元件160的设置区，第二区112可为后续制程中的控制元件120的设置区。第一区111与第二区112彼此相邻，第二区112位于第一区111与密封区SR1之间，且第一区111可部分重叠于第二区112(即第一区111与第二区112之间有重叠部分110P)。依据一些实施例，第一区111与第二区112的重叠部分110P可为通讯元件160与控制元件120电性连接的区域，但不限于此。在一些实施例中，第一区111也可约略大于或小于通讯元件160的设置区。在一些实施例中，第二区112也可约略大于或小于控制元件120的设置区。依据一些实施例，虽然图未显示，第一区111与第二区112可不具有重叠部分。

如图1A所示，提供第一基板110和第二基板210。第一基板包括第一区111与第二区112，且第一基板具有第一表面110a以及相对于第一表面的第二表面110b。如图1B所示，以密封元件150组合第一基板110与第二基板210，以使密封元件150设置于第一基板110的第一表面110a与第二基板210的第三表面210a之间。如图1C所示，在组合第一基板110与第二基板210之后，对于第一基板110的第二表面110b进行薄化。例如，依据一些实施例，第一基板110的厚度，由图1B的厚度T01减薄为图1C的厚度T1，厚度T1小于厚度T01。如图1D所示，设置第一通讯元件160于第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上。设置第一通讯元件160的顺序，并没有特别限制。依据一些实施例，设置第一通讯元件160的步骤，可在组合第一基板110与第二基板210之后进行。依据一些实施例，设置第一通讯元件160的步骤，可在组合第一基板110与第二基板210之前进行。以下实施例中将再详细说明。

如图1A所示，第一基板110具有第一表面110a以及相对于第一表面110a的第二表面110b。在本实施例中，第一基板110可以包括硬性基板、软性基板或前述的组合。举例来说，第一基板110的材料可以为玻璃，但不限于此。在一些实施例中，第一基板110的材料也可以包括石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不限于此。依据一些实施例，第一基板110的厚度T01可为0.5mm至3mm之间，例如0.7mm至2mm之间。

然后，请继续参照图1A与图1E，在组合第一基板110与第二基板210之前，设置第一控制元件120于第一基板110的第二区112中的第一表面110a上。为方便说明，图1A仅显示一个第一控制元件120为例作说明，但本揭露并不对每个元件区CR1中的第一控制元件120的数量加以限制。在本实施例中，每个第一控制元件120可对应于至少一个接合垫P1。一个元件区CR1中，多个第一控制元件120所对应的多个接合垫P1可彼此电性连接，且多个接合垫P1可电性连接至共享电极或接地。至少部分的接合垫P1可设置在第一基板110的第一区111内。

在本实施例中，第一控制元件120可包括栅极电极121、源极电极122、漏极电极123以及半导体124。具体来说，栅极电极121设置于第一基板110的第二区112上，且接合垫P1设置于第一基板110的第一区111上。依据一些实施例，接合垫P1和第一控制元件120中的一电极可为相同层。例如，接合垫P1和第一控制元件120中的栅极电极121可为相同层，但本发明不以此为限。栅极绝缘层130设置于栅极电极121与接合垫P1上，且栅极绝缘层130可覆盖栅极电极121与接合垫P1。半导体124设置于栅极电极121与栅极绝缘层130上。源极电极122与漏极电极123可分别电性连接至半导体124。例如，源极电极122与漏极电极123可设置于半导体124上。绝缘层140设置于源极电极122与漏极电极123上，且绝缘层140可覆盖源极电极122与漏极电极123。在本实施例中，虽然第一控制元件120的结构可以为底栅极式(bottomgate)晶体管，但本揭露并不对第一控制元件120的形式加以限制。在一些实施例中，第一控制元件的结构也可以为顶栅极式(top gate)晶体管或双栅极式(dual gate或doublegate)晶体管。依据一些实施例，在第一控制元件120为顶栅极式晶体管的情况下，栅极电极121设置在半导体124上方。

然后，请继续参照图1A，提供第二基板210，并在组合第一基板110与第二基板210之前，设置第二控制元件220于第二基板210的第三表面210a上。类似地，接合垫P2可设置在第二基板210的第三表面210a上。至少部分的接合垫P2可设置在第二基板210的第一区211内。和第一基板类似地，第二基板210包括多个元件区CR2与多个密封区SR2，每个元件区CR2相邻于对应的密封区SR2，且每个元件区CR2被对应的密封区SR2围绕。每个元件区CR2可包括多个第一区211以及多个第二区212。其中，第一区211以及第二区212的配置及用途大致相似于第一基板110的第一区111以及第二区112，亦可参照图1E的第一基板110，故不再赘述。

第二基板210具有第三表面210a以及相对于第三表面210a的第四表面210b。第二基板210的材料可参照第一基板的材料，在此不再赘述。第二基板210的材料可与第一基板110的材料相同或不同。依据一些实施例，如图1A所示，第二基板210的厚度T02可为0.5mm至3mm之间，例如0.7mm至2mm之间。在本实施例中，第二控制元件220设置于第二基板210的第二区212中的第三表面210a上，且接合垫P2设置于第二基板210的第一区211中的第三表面210a上。第二控制元件220可包括栅极电极221、源极电极222、漏极电极223以及半导体224。栅极绝缘层230设置于半导体224与栅极电极221之间，且绝缘层240设置于源极电极222与漏极电极223上。其中，第二控制元件220与接合垫P2的配置方式可大致上与第一控制元件120与接合垫P1相同，故不再赘述。

在本实施例中，半导体124与半导体224的材料可包括非晶质硅(amorphoussilicon)、低温多晶硅(LTPS；low temperaturePolysilicon)、金属氧化物、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。金属氧化物例如可为氧化铟镓锌(IGZO；indium galliumzinc oxide)。栅极绝缘层130、栅极绝缘层230、绝缘层140以及绝缘层240可以为单层结构或多层结构，且可例如包括有机材料、无机材料或前述的组合，但不限于此。无机材料例如可为氮化硅、氧化硅、或其组合。此外，在本实施例中，第一控制元件120与第二控制元件220可以为晶体管(thin-film transistor,TFT)或其它合适的开关元件，以将信号传送至通讯元件，但不限于此。

然后，请参照图1B，以密封元件150组合第一基板110与第二基板210，以使密封元件150设置于第一基板110的第一表面110a与第二基板210的第三表面210a之间，而得到一组合板10C。具体而言，将密封元件150涂布于第一基板110的密封区SR1上(或第二基板210的密封区SR2上)以及绝缘层140与绝缘层240之间，以使第一基板110与第二基板210可通过密封元件150组合在一起。请参照图1E，密封元件150设置的区域，可为密封区SR1。具体来说，在本实施例中，先将设置有第一控制元件120的第一基板110上下翻转，以使第一基板110的第一表面110a可面向第二基板210的第三表面210a，使接合垫P1在第一基板110(或第二基板210)的法线方向Z上可重叠于第二控制元件220，并使第一控制元件120在第一基板110(或第二基板210)的法线方向Z上可重叠于接合垫P2。详细而言，依据一些实施例，如图1B所示，将第一基板110的密封区SR1和第二基板210的密封区SR2在第一基板110的法线方向Z上对齐，而使得第一基板和第二基板组合为组合板10C。

详细而言，依据一些实施例，如图1B所示，第一基板110上的栅极电极121与第二基板210上的栅极电极221可在一方向D1上交错设置，以使第一控制元件120与第二控制元件220不会有因两基板组合堆栈而损坏的问题。方向D1可表示第一基板110的表面110a上的一方向，与法线方向Z垂直。另外，依据一些实施例，绝缘层140在法线方向Z上与栅极电极121重叠的高点140H，与绝缘层240在法线方向Z上与栅极电极221重叠的高点240H，可在方向D1上交错设置，以使第一控制元件120与第二控制元件220不会有因堆栈而损坏的问题。换言之，第一基板110上绝缘层140在法线方向Z上的高点140H，与第二基板210上绝缘层240在法线方向Z上的高点240H，在法线方向Z上是不重叠的。高点140H可为绝缘层140最远离第一基板110的位置，高点240H可为绝缘层240最远离第二基板210的位置。

依据一些实施例，如图1B所示，在第一基板110(或第二基板210)的法线方向Z上，密封元件150可重叠密封区SR1，但不重叠于第一控制元件120、第二控制元件220、接合垫P1以及接合垫P2。在本实施例中，密封元件150的材料可包括密封胶或其它防水与耐酸的胶材。在一些实施例中，密封元件150可为光可固化胶、热可固化胶、或其组合。在一些实施例中，密封元件150可通过加热或紫外光照射的方式固化。依据一些实施例，密封元件150可为框胶(sealant)。

在本实施例中，在利用密封元件150组合第一基板110与第二基板210时，可在绝缘层140与绝缘层240之间形成空气间隙(air gap)G1，以使绝缘层140与绝缘层240之间在第一基板110(或第二基板210)的法线方向Z上可相隔一距离，并使绝缘层140不会接触绝缘层240。其中，空气间隙G1可以由绝缘层140、密封元件150以及绝缘层240所围绕并定义。

然后，请参照图1C，在组合第一基板110与第二基板210之后，对于第一基板110的第二表面110b进行薄化。依据一些实施例，可选择性地对于第二基板210的第四表面210b进行薄化。具体来说，在本实施例中，利用蚀刻液对第一基板110与第二基板210进行蚀刻，以使第一基板110与第二基板210的厚度减薄。此时，由于密封元件150的设置可使蚀刻液不会进入到空气间隙G1，因而可以保护第一控制元件120与第二控制元件220，并可减少第一控制元件120与第二控制元件220被蚀刻液损坏的问题。在本实施例中，当第一基板110为玻璃时，蚀刻液可以为玻璃蚀刻液，且玻璃蚀刻液可例如是氢氟酸(hydrogen fluoride,HF)，但不限于此。

此外，在本实施例中，详细而言，在对于第一基板110的第二表面110b进行薄化之后，如图1B和图1C所示，可使得第一基板110的厚度由图1B所示的厚度T01减薄为图1C所示的T1和T2。如图1C所示，在第一基板110的第一区111可具有第一厚度T1，在第一基板110的第二区112可具有第二厚度T2。第一厚度T1可大致上等于第二厚度T2，但不限于此。在本实施例中，对于第二基板210的第四表面210b进行薄化之后，第二基板210的厚度可由图1B所示的厚度T02减薄为图1C所示的T3和T4。如图1C所示，在第二基板210的第一区211可具有第三厚度T3，在第二基板210的第二区212可具有第四厚度T4。其中，且第三厚度T3可大致上等于第四厚度T4，但不限于此。第一厚度T1例如是第一基板110的第一区111沿着法线方向Z进行测量到的厚度。第二厚度T2例如是第一基板110中对应栅极电极121的区域沿着法线方向Z进行测量到的厚度。第三厚度T3例如是第二基板210的第一区211沿着法线方向Z进行测量到的厚度。第四厚度T4例如是第二基板210中对应栅极电极221的区域沿着法线方向Z进行测量到的厚度。上述厚度T1,T2,T3,T4可为上述对应区域中测量到的最小厚度，但不以此为限。

依据一些实施例，减薄之后，第一基板110的第一厚度T1(或第二厚度T2)和第二基板210的第三厚度T3(或第四厚度T4)可减薄至0.1mm至1mm的范围内，例如0.2mm至0.8mm的范围内，例如0.3mm至0.5mm的范围内，但不以此为限。其中，第一基板110(或第二基板210)的厚度例如是第一基板110(或第二基板210)沿着法线方向Z进行测量的厚度。减薄之后，第一基板110的第一厚度T1和第二基板210的第三厚度T3可为相同或不同。

然后，请参照图1D，移除密封元件150，以分离第一基板110与第二基板210。具体来说，例如，如图1C所示，沿着切割线L进行切割，而移除位于密封区SR1的密封元件150。如此，可将组合板10C切割出多个第一基板单元和多个第二基板单元，如图1D所示。为方便说明，图1C仅显示两条切割线L，然而，如图1E所示，切割线L可为多条。详细而言，可沿着第一基板110上的多个切割线L进行切割。如图1D所示，第一基板单元可包括切割后的第一基板110’和第一基板110’上的控制元件120和接合垫P1，第二基板单元可包括切割后的第二基板210’和第二基板210’上的控制元件220和接合垫P2。切割之后，第一基板110可切割出多个第一基板110’，第二基板210可切割出多个第二基板210’。

依据一些实施例，切割的方式例如可利用雷射切割的方式，或是轮刀切割的方式。可依据实际需求，采用多次切割。例如，可先切除组合板10C周围的密封元件150，再切除元件区CR1之间的密封元件，本发明并不以此为限。依据一些实施例，可沿着位于元件区CR1与密封区SR1之间的交界处(或位于元件区CR2与密封区SR2之间的交界处)的切割线L进行切割，以移除位于第一基板110的密封区SR1的密封元件150，进而分离得到切割后的多个第一基板110’与多个第二基板210’。由于第一基板110的密封区SR1和第二基板210的密封区SR2在法线方向Z上是对齐的，因此，换言之，进行切割也是移除位于第二基板210的密封区SR2的密封元件150。

然后，请参照图1D，设置第一通讯元件160在上述切割后的第一基板单元上。详细而言，设置第一通讯元件160于第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上。依据一些实施例，如图1C所示，在进行薄化之后，移除密封元件150以分离第一基板110与第二基板210。然后，如图1D所示，设置第一通讯元件160于分离后的第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上，并且，使得第一通讯元件160与第一控制元件120电性连接。如此，得到图1D所示的通讯装置100。为简化说明，图1D中的通讯装置100仅显示一个第一控制元件120和一个第一通讯元件160，然而，事实上，在通讯装置100中，切割后的第一基板110’上可设置复数个第一控制元件120和复数个第一通讯元件160，每个第一通讯元件160可与对应的第一控制元件120电性连接。

具体来说，在本实施例中，请参照图1D，设置第一通讯元件160的方法可包括但不限于以下步骤：先在绝缘层140中形成开口141与开口142，并在栅极绝缘层130中形成开口131。其中，开口141可暴露出部分的漏极电极123，开口142可连接开口131以暴露出部分的接合垫P1。接着，形成第一导电件170在绝缘层140上以及开口141内，以使第一导电件170可接触漏极电极123；形成第二导电件172在绝缘层140上以及开口142与开口131内，以使第二导电件172可接触接合垫P1。接着，将第一通讯元件160接合至第一导电件170与第二导电件172，以使第一通讯元件160可通过第一导电件170电性连接至第一控制元件120，并使第一通讯元件160可通过第二导电件172电性连接至接合垫P1。其中，第一通讯元件160在第一基板110’的法线方向Z上可重叠于第一区111。第一通讯元件160可以为变容二极管(varactor)或其它合适的高频元件(high-frequency component)，但不限于此。

然后，请继续参照图1D，依据一些实施例，设置第二通讯元件260在上述切割后的第二基板单元上。详细而言，设置第二通讯元件260于第二基板210’的第一区211中的第三表面210a上。依据一些实施例，如图1C所示，在薄化之后，移除密封元件150以分离第一基板110与第二基板210。然后，如图1D所示，设置第二通讯元件260于分离后的第二基板210’的第三表面210a上，并且，使得第二通讯元件260与第二控制元件220电性连接。如此，得到图1D所示的通讯装置200。为简化说明，图1D中的通讯装置200仅显示一个第二控制元件220和一个第二通讯元件260，然而，事实上，在通讯装置200中，切割后的第二基板210’上可设置复数个第二控制元件220和复数个第二通讯元件260，每个第二通讯元件260可与对应的第二控制元件220电性连接。

在本实施例中，请参照图1D，设置第二通讯元件260的方法可大致上与设置第一通讯元件160的方法相似，故不再赘述。具体来说，第一导电件270可设置在绝缘层240上以及绝缘层240的开口241内，且第一导电件270可接触漏极电极223。第二导电件272可设置在绝缘层240上以及绝缘层240的开口242与栅极绝缘层230的开口231内，且第二导电件272可接触接合垫P2。第二通讯元件260可接合至第一导电件270与第二导电件272，第二通讯元件260可通过第一导电件270电性连接至第二控制元件220，且第二通讯元件260可通过第二导电件272电性连接至接合垫P2。其中，第二通讯元件260在第二基板210’的法线方向Z上可重叠于第一区211。第二通讯元件260可以为变容二极管或其它合适的高频元件，以发出高频信号，但不限于此。

在本实施例中，第一控制元件120的栅极电极121的电压可用来控制第一控制元件120的开启或关闭。当第一控制元件120开启时，第一控制元件120可通过漏极电极123将信号传递至第一通讯元件160，以改变第一通讯元件160的特性(例如电容量)，进而调变高频信号的相位。

此外，如图1D所示，第一通讯元件160所发出的信号(例如，高频信号)会通过第一基板110’，且通过第一基板110’后的高频信号可能会有耗损的问题。依据一些实施例，第一基板110’的厚度减薄，可使通过第一基板110’后的高频信号的耗损可以减小，因而有助于通讯元件发出的高频信号通过第一基板110’，有助于通讯元件的信号传输。类似地，第二基板210’的厚度减薄，亦有助于通讯元件260的信号传输。

图6为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。图6所示的实施例与前述图1D所示的实施例类似，因此，相同元件以相同标号表示，而其详细内容将不予赘述。在图6实施例的制造方法中，第二基板210可为单纯的基板，可不设置控制元件和通讯元件于第二基板210表面上。依据一些实施例，如图6所示，可在组合第一基板110与第二基板210之前，设置第一通讯元件160。并且，使得第一通讯元件160与第一控制元件120电性连接。详细而言，提供第一基板110，其上设置有第一控制元件120和第一通讯元件160。如前述类似地，第一通讯元件160可经由第一导电件170而与第一控制元件120电性连接，在此不再赘述。接着，以密封元件150组合第一基板110和第二基板210。接着，进行第一基板110和/或第二基板210的薄化。薄化之后，进行切割以移除密封元件150。移除密封元件150的方式，可见前述，在此不再赘述。

具体来说，请参照图6和图1E，沿着多个切割线L对于组合板10C进行切割之后，可得到多个通讯装置100。为简化说明，图6仅示意地示出2个通讯装置100为例。其中，每个通讯装置100可至少包括1个第一控制元件120、一个第一通讯单元160、与1个接合垫P1。依据一些实施例，每个通讯装置100可包括多个第一控制元件120、多个第一通讯单元160、与多个接合垫P1，其中每个第一通讯单元160与对应的第一控制元件120电性连接。

依据一些实施例，在第二基板上有设置第二通讯元件的情况下，虽然图未显示，可在组合第一基板110与第二基板210之前，设置第二控制元件220和第二通讯元件260。并且，使得第二通讯元件260与第二控制元件220电性连接。如前述类似地，如图1D所示，第二通讯元件260可经由第一导电件270而与第二控制元件220电性连接，在此不再赘述。然后，以密封元件150组合第一基板110和第二基板210。接着，进行第一基板和/或第二基板的薄化。薄化之后，再移除密封元件150。

以下将列举其它实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2A至图2B为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。图2A至图2B为接续图1B并取代图1C至图1D的步骤。图2A至图2B的实施例与图1A至图1D的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。

具体来说，本实施例的通讯装置100a、200的制造方法还包括以下步骤：

请参照图2A，在以密封元件150组合第一基板110与第二基板210之后，且在对于第一基板110的第二表面110b进行薄化之前，设置光阻层180于第一基板110的第二区112中至少一部分的第二表面110b上。接着，再进行薄化，例如，以蚀刻液进行薄化。由于光阻层180可覆盖第一基板110的第二区112并暴露出第一基板110的第一区111，因此在进行薄化(例如蚀刻)时，蚀刻液会蚀刻第一基板110的第一区111以及第二基板210，但却不会蚀刻第一基板110的第二区112。因此，在对于第一基板110的第二表面110b进行薄化之后，第一基板110在第一区111具有第一厚度T1，第一基板110在第二区112具有第二厚度T2’，且第一厚度T1可小于第二厚度T2’。依据一些实施例，第二基板210的第一区211的第三厚度T3可大致上等于第二基板210的第二区212的第四厚度T4。第三厚度T3与第四厚度T4可小于第二厚度T2’。依据一些实施例，在进行上述薄化步骤时，可仅薄化第一基板110的厚度，但不薄化第二基板210的厚度。依据一些实施例，在进行上述薄化步骤时，可同时薄化第一基板110的厚度和第二基板210的厚度。

在本实施例中，减薄后的第一厚度T1、第三厚度T3以及第四厚度T4例如可为0.1mm至1mm的范围内，例如0.2mm至0.8mm的范围内，例如0.3mm至0.5mm的范围内，但不以此为限。第二厚度T2’可为第一基板110未减薄的厚度，且第二厚度T2’可大致上等于前述第一基板110的原始厚度T01，依据一些实施例，第二厚度T2’可为0.5mm至3mm之间，例如0.7mm至2mm之间。第一厚度T1与第二厚度T2’的差值例如可为0.1mm至1mm之间，例如可为0.2mm至0.7mm之间，例如可为0.2mm至0.5mm之间，例如可为约0.4mm(毫米)，但不限于此。其中，第一厚度T1(或第三厚度T3)例如是第一基板110(或第二基板210)的第一区111(或第一区211)沿着法线方向Z进行测量到的厚度，例如，最小厚度。第二厚度T2’(或第四厚度T4)例如是第一基板110(或第二基板210)中对应栅极电极121(或门极电极221)的区域沿着法线方向Z进行测量到的厚度。

然后，请参照图2B，在对于第一基板110的第二表面110b进行薄化以及对于第二基板210的第四表面210b进行薄化之后，移除光阻层180。接着，以和图1C、图1D类似的方式，移除密封元件150，分离得到切割后的第一基板110’与第二基板210’，并分别设置第一通讯元件160与第二通讯元件260于第一基板110’与第二基板210’上，以使第一通讯元件160与第二通讯元件260可分别电性连接第一控制元件120与第二控制元件220。至此，得到本实施例的通讯装置100a与通讯装置200。

在本实施例中，如图2B所示，由于第一基板110’的第一区111的厚度已被减薄，且第一通讯元件160设置于第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上，因而使得第一通讯元件160所发出的高频信号在通过第一基板110’的第一区111后的耗损可以减小或可助于高频信号通过第一基板110’。

在本实施例中，由于第一基板110’的第二区112的厚度不会被减薄，且第一控制元件120设置于第一基板110’的第二区112中的第一表面110a上，因而使得第二区112可以提供较佳的强度来支撑第一控制元件120。

基于上述可知，如图2B的上图所示，本实施例的通讯装置100a可包括第一基板110’与第一通讯元件160。第一基板110’包括第一区111与第二区112。第一基板110具有第一表面110a以及相对于第一表面110a的第二表面110b。第一通讯元件160设置于第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上。第一基板110’在第一区111具有第一厚度T1，第一基板110’在第二区112具有第二厚度T2’，且第一厚度T1小于第二厚度T2’。

依据一些实施例，如图2B所示，通讯元件160设置在基板110’的第一区111，控制元件120设置在基板110’的第二区112，基板110’在第一区111的第一厚度T1小于基板110’在第二区112的第二厚度T2’。如此，基板110’在第一区111的减薄设计有助于通讯元件160的信号传输，基板110’在第二区112有较大的厚度则可对于控制元件120提供较佳的支撑性。

图3A至图3D为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。图3A至图3D为接续图1B并取代图1C至图1D的步骤。图3A至图3D的实施例与图1A至图1D的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。

具体来说，本实施例的通讯装置100a、200a的制造方法还包括以下步骤：

请参照图3A，在以密封元件150组合第一基板110与第二基板210之后，设置光阻层180于第一基板110的第二区112中的第二表面110b上，并设置保护层190于第二基板210的第四表面210b上。接着，进行第一次薄化，例如，以蚀刻液进行薄化。由于光阻层180可覆盖第一基板110的第二区112并暴露出第一基板110的第一区111，且保护层190可覆盖第二基板210的第四表面210b，因此在进行薄化(例如蚀刻)时，蚀刻液会蚀刻第一基板110的第一区111，但却不会蚀刻第一基板110的第二区112与第二基板210。因此，进行第一次薄化之后，第一基板110在第一区111的厚度，可由原始厚度T01减薄为T1，T1小于T01，第一基板110在第二区112的厚度可维持为原始厚度T01，第二基板210可维持原始厚度T02。

然后，请参照图3B，在对于第一基板110的第一区111进行薄化之后，移除光阻层180与保护层190，并将整个结构(即组合的第一基板110与第二基板210)上下翻转。

然后，请参照图3C，设置光阻层182于第二基板210的第二区212中的第四表面210b上，并设置保护层192于第一基板110的第二表面110b上。接着，进行第二次薄化。由于光阻层182可覆盖第二基板210的第二区212并暴露出第二基板210的第一区211，且保护层192可覆盖第一基板110的第二表面110b，因此进行薄化(例如蚀刻)时，蚀刻液会蚀刻第二基板210的第一区211，但却不会蚀刻第二基板210的第二区212与第一基板110。因此，进行第二次薄化之后，第一基板110的厚度可维持第一次薄化后的厚度，亦即，第一基板110在第一区的厚度为T1，在第二区的厚度为原始厚度T01。第二基板210在第一区211的厚度，可由原始厚度T02减薄为T3，T3小于T02，第二基板210在第二区212的第四厚度T4’可维持为原始厚度T02。

然后，请参照图3D，在对于第一基板110的第一区111进行薄化之后，例如，进行上述两次薄化后，移除光阻层182与保护层192。接着，以类似上述图1C、图1D的方式移除密封元件150、分离切割后的第一基板110’与第二基板210’、并分别设置第一通讯元件160与第二通讯元件260于第一基板110’与第二基板210’上，故不再赘述。至此，已大致上制造完成本实施例的通讯装置100a与通讯装置200a。

在本实施例中，由于第二基板210’的第一区211的厚度已被减薄，且第二通讯元件260设置于第二基板210’的第一区211中的第三表面210a上，因而使得第二通讯元件260所发出的高频信号在通过第二基板210’的第一区211后的耗损可以减小或可助于高频信号通过第二基板210。由于第二基板210’在第二区212的厚度没有减薄(维持厚度T02)，第二控制元件220设置于第二基板210’的第二区212中，因而使得第二区212可以提供较佳的强度来支撑第二控制元件220。

在本实施例中，保护层190与保护层192的材料可为抗酸的材料，例如为聚合物。适合的聚合物，例如是聚对苯二甲酸乙二酯(PET；Polyethylene terephthalate)、聚乙烯(PE；Polyethylene)、聚氯乙烯(PVC；Polyvinyl chloride)、或其组合。

图4A至图4D为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。图4A至图4D所示的实施例与图1A至图1D所示的实施例类似，因此，相同元件以相同标号表示，而其详细内容将不予赘述。图4A至图4D所示的实施例与图1A至图1D所示的实施例的差异在于，在本实施例的通讯装置100的制造方法中，不设置第二控制元件与接合垫于第二基板210的第三表面210a上。

具体来说，首先，请参照图4A，以相似于图1A的方式，提供第一基板110，并设置第一控制元件120与接合垫P1于第一基板110的第二区112中的第一表面110a上。

然后，请参照图4B，将密封元件150涂布于第一基板110的密封区SR1上以及绝缘层140与第二基板210之间，以使第一基板110与第二基板210可通过密封元件150组合在一起。在本实施例中，空气间隙G2可以由绝缘层140、密封元件150以及第二基板210所围绕并定义。

然后，请参照图4C，以相似于图1C的方式，利用蚀刻液对于第一基板110的第二表面110b进行薄化，以及对于第二基板210的第四表面210b进行薄化。如此，薄化之后，第一基板110的厚度，可由原始厚度T01减薄为T1、T2。第一厚度T1可为第一基板110在第一区111的厚度，第二厚度T2可为第一基板110在第二区112的厚度，第一厚度T1和第二厚度T2大致相等。第一厚度T1和第二厚度T2小于厚度T01。第二基板210的厚度，可由原始厚度T02减薄为T5，厚度T5小于厚度T02。

然后，请参照图4D，以相似于图1C、图1D的方式，移除密封元件150，分离切割后的第一基板110’与第二基板210’，并设置第一通讯元件160于第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上，以使第一通讯元件160可电性连接第一控制元件120。至此，已大致上制造完成本实施例的通讯装置100。

图5A至图5B为本揭露另一实施例的通讯装置的制造方法的流程的局部剖面图。图5A至图5B为接续图4B并取代图4C至图4D的步骤。图5A至图5B的实施例与图4A至图4D的实施例中相同或相类似的构件得以采用相同的材料或方法来进行，故下文对于两实施例中相同与相似的描述将不再赘述，且主要针对两实施例之间的差异处进行说明。

具体来说，首先，请参照图5A，以相似于图2A的方式，在以密封元件150组合第一基板110与第二基板210之后且在对于第一基板110的第二表面110b进行薄化之前，先设置光阻层180于第一基板110的第二区112中的第二表面110b上。接着，进行薄化，例如，以蚀刻液对于第一基板110的第二表面110b进行薄化以及对于第二基板210的第四表面210b进行薄化，以使第一基板110的第一区111的第一厚度T1可小于第一基板110的第二区112的第二厚度T2’。第二基板210的厚度可由前述的原始厚度T02减薄为T5，厚度T5小于厚度T02。

然后，请参照图5B，以相似于图2B的方式，移除密封元件150，分离切割后的第一基板110’与第二基板210’，并设置第一通讯元件160于第一基板110’的第一区111中的第一表面110a上，以使第一通讯元件160可电性连接第一控制元件120。至此，已大致上制造完成本实施例的通讯装置100a。通讯装置100a可达到的功效，如前实施例所述，在此不再赘述。

综上所述，在本揭露实施例的通讯装置的制造方法中，在以密封元件组合第一基板与第二基板之后，通过第一基板和/或第二基板的减薄，有助于通讯元件的信号传输。依据一些实施例，通讯元件设置在基板的第一区，控制元件设置在基板的第二区，基板在第一区的厚度小于基板在第二区的厚度，如此，基板在第一区的减薄设计有助于通讯元件的信号传输，基板在第二区有较大的厚度则可对于控制元件提供较佳的支撑性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种通讯装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，其中所述第一基板包括第一区与第二区，且所述第一基板具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；

提供第二基板；

以密封元件组合所述第一基板与所述第二基板，以使所述密封元件设置于所述第一基板的所述第一表面与所述第二基板的第三表面之间；

在组合所述第一基板与所述第二基板之后，对于所述第一基板的所述第二表面进行薄化；以及

设置第一通讯元件于所述第一基板的所述第一区中的所述第一表面上。

2.根据权利要求1所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在组合所述第一基板与所述第二基板之前，设置第一控制元件于所述第一基板的所述第二区中的所述第一表面上。

3.根据权利要求2所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在进行薄化之后，移除所述密封元件，以分离所述第一基板与所述第二基板；

设置所述第一通讯元件于所述分离后的第一基板的所述第一区中的所述第一表面上；以及

使得所述第一通讯元件与所述第一控制元件电性连接。

4.根据权利要求2所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在组合所述第一基板与所述第二基板之前，设置该第一通讯元件；以及

使得所述第一通讯元件与所述第一控制元件电性连接。

5.根据权利要求1所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

设置第二通讯元件于所述第二基板的所述第三表面上。

6.根据权利要求5所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在组合所述第一基板与所述第二基板之前，设置第二控制元件于所述第二基板的所述第三表面上。

7.根据权利要求6所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在进行薄化之后，移除所述密封元件，以分离所述第一基板与所述第二基板；

设置所述第二通讯元件于所述分离后的第二基板的所述第三表面上；以及

使得所述第二通讯元件与所述第二控制元件电性连接。

8.根据权利要求6所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在组合所述第一基板与所述第二基板之前，设置该第二通讯元件；以及

使得所述第二通讯元件与所述第二控制元件电性连接。

9.根据权利要求1所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在组合所述第一基板与所述第二基板之后，且在对于所述第一基板的所述第二表面进行薄化之前，设置光阻层于所述第一基板的所述第二区中至少一部分的所述第二表面上；以及

在对于所述第一基板的所述第二表面进行薄化之后，移除所述光阻层，

其中，在薄化所述第一基板的所述第二表面之后，所述第一基板在所述第一区具有第一厚度，所述第一基板在所述第二区具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度。

10.根据权利要求1所述的通讯装置的制造方法，其特征在于，所述第一通讯元件为变容二极管。

11.一种通讯装置，其特征在于，包括：

基板，包括第一区与第二区，且具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；以及

通讯元件，设置于所述基板的所述第一区中的所述第一表面上，

其中所述基板在所述第一区具有第一厚度，所述基板在所述第二区具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度。

12.根据权利要求11所述的通讯装置，其特征在于，所述通讯元件为变容二极管。

13.根据权利要求11所述的通讯装置，其特征在于，还包括：

控制元件，设置于所述基板的所述第二区中的所述第一表面上，其中所述通讯元件与所述控制元件电性连接。

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