CN116224465A - 断背斜型圈闭体积校正系数确定方法、装置、设备及介质 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法、装置、设备及介质。其中，该方法包括：确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；所述标准横截面用于代表所述待测断背斜型圈闭的底面所在平面；根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数；所述参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数。本技术方案，能够基于断背斜型圈闭的标准横截面，快速、准确地求取逼近地下真实情况的断背斜型圈闭的体积校正系数，有助于提高断背斜型圈闭的资源量预测速度和预测精度。

Description

断背斜型圈闭体积校正系数确定方法、装置、设备及介质

技术领域

本发明涉及地质研究技术领域，尤其涉及一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法、装置、设备及介质。

背景技术

断背斜型圈闭体积是预测断背斜型圈闭内储存的油气资源潜力的直接参数，一般通过底面积与储层厚度的乘积计算断背斜型圈闭体积。但是，这种方式确定的断背斜型圈闭体积与实际情况存在较大误差，通常引入体积校正系数对计算得到的断背斜型圈闭体积进行校正。因此，如何准确求取断背斜型圈闭的体积校正系数，成为制约断背斜型圈闭资源量预测精度的最大瓶颈。

现有技术中，通常直接依据个人经验或者采用专家打分法在断背斜型圈闭资源量预测时赋予断背斜型圈闭体积校正系数，甚至直接忽略该参数对资源量预测结果的影响。由此得到的断背斜型圈闭资源量通常高估或者低估断背斜型圈闭体积，结果存在明显误差，因而无法真实反映地下真实资源潜力，直接影响了断背斜型圈闭的勘探潜力评价和勘探方案部署。

发明内容

本发明提供了一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法、装置、设备及介质，能够基于断背斜型圈闭的标准横截面，快速准确地求取逼近地下真实情况的断背斜型圈闭的体积校正系数，有助于提高断背斜型圈闭的资源量预测速度和预测精度。

根据本发明的一方面，提供了一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法，所述方法包括：

确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；所述标准横截面用于代表所述待测断背斜型圈闭的底面所在平面；

根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数；所述参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；

根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数；

其中，所述幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第一横截面积基于第一参考面积确定，所述第一参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，所述第二横截面积基于第二参考面积确定，所述第二参考面积是指所述待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，所述理想角度是指储层倾角为0度，所述断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第三横截面积基于第三参考面积确定，所述第三参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积，所述储层校正系数根据第四横截面积与所述第二横截面积的比值确定，所述第四横截面积基于第四参考面积确定，所述第四参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。

根据本发明的另一方面，提供了一种断背斜型圈闭体积校正系数确定装置，包括：

目标参数信息确定模块，用于确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；所述标准横截面用于代表所述待测断背斜型圈闭的底面所在平面；

参考校正系数确定模块，用于根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数；所述参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；

体积校正系数确定模块，用于根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数；

其中，所述幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第一横截面积基于第一参考面积确定，所述第一参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，所述第二横截面积基于第二参考面积确定，所述第二参考面积是指所述待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，所述理想角度是指储层倾角为0度，所述断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第三横截面积基于第三参考面积确定，所述第三参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积，所述储层校正系数根据第四横截面积与所述第二横截面积的比值确定，所述第四横截面积基于第四参考面积确定，所述第四参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。

根据本发明的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

至少一个处理器；以及

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本发明任一实施例所述的断背斜型圈闭体积校正系数确定方法。

根据本发明的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本发明任一实施例所述的断背斜型圈闭体积校正系数确定方法。

本发明实施例的技术方案，确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；标准横截面用于代表待测断背斜型圈闭的底面所在平面；根据目标参数信息确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数；参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；根据参考校正系数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数。本技术方案，能够基于断背斜型圈闭的标准横截面，快速、准确地求取逼近地下真实情况的断背斜型圈闭的体积校正系数，有助于提高断背斜型圈闭的资源量预测速度和预测精度。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例一提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法的流程图；

图2是根据本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭标准横截面的示意图；

图3是根据本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭第一横截面积的示意图；

图4是根据本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭第三横截面积的示意图；

图5是根据本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭第四横截面积的示意图；

图6是根据本发明实施例二提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法的流程图；

图7是根据本发明实施例三提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定装置的结构示意图；

图8是实现本发明实施例的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”“目标”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法的流程图，本实施例可适用于对断背斜型圈闭体积校正系数进行快速准确求取的情况，该方法可以由断背斜型圈闭体积校正系数确定装置来执行，该断背斜型圈闭体积校正系数确定装置可以采用硬件和/或软件的形式实现，该断背斜型圈闭体积校正系数确定装置可配置于具有数据处理能力的电子设备中。如图1所示，该方法包括：

S110，确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；标准横截面用于代表待测断背斜型圈闭的底面所在平面。

其中，待测断背斜型圈闭可以是指等待检测的断背斜型构造圈闭。其中，构造圈闭可以是指储集岩层及其上盖层因某种局部构造形变而形成的圈闭。目标参数信息可作为确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数的依据。标准横截面可以是指一种为确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数选取的具有代表性的横截面，可用于代表待测断背斜型圈闭的底面所在平面。

本实施例中，首先选取待测断背斜型圈闭的标准横截面，并确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息。可选的，标准横截面根据待测断背斜型圈闭范围内的目标线段所在的横截面进行确定，目标线段为待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的线段，目标线段的长度等于参考线段长度的一半，参考线段为待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的最长线段。

其中，其中，目标线段可以作为选取标准横截面的直接依据。具体的，标准横截面根据待测断背斜型圈闭范围内的目标线段所在的横截面进行确定。参考线段可以是指待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的最长线段。

图2为本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭标准横截面的示意图。如图2中左图所示，aa^′表示目标线段，bb^′表示断背斜型构造圈闭范围内与控圈断层垂直的最长线段(即参考线段)，其中，aa^′与断背斜型构造圈闭范围内的控圈断层垂直，且aa^′长度等于bb^′长度的一半。如图2中右图所示，L_r和H_r分别表示理想角度下标准横截面上断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度。需要说明的是，目标线段aa^′所在的位置是体现L_r对断背斜型构造圈闭底面积影响的均值位置，因而所选取的标准横截面具有代表性。

S120，根据目标参数信息确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数；参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数。

其中，参考校正系数可以作为确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数的依据。具体的，参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数。其中，幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，第一横截面积基于第一参考面积确定，第一参考面积是指待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，第二横截面积基于第二参考面积确定，第二参考面积是指待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，理想角度是指储层倾角为0度，断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，第三横截面积基于第三参考面积确定，第三参考面积是指待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积，储层校正系数根据第四横截面积与第二横截面积的比值确定，第四横截面积基于第四参考面积确定，第四参考面积是指待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。

本实施例中，确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息之后，可以根据目标参数信息确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数，即确定幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数。

本实施例中，可选的，根据目标参数信息确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数，包括：根据目标参数信息中的幅度参数信息和预设幅度函数确定待测断背斜型圈闭的幅度校正系数；其中，幅度参数信息包括理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角；预设幅度函数用于描述幅度参数信息与幅度校正系数的映射关系；根据目标参数信息中的断层参数信息和预设断层函数确定待测断背斜型圈闭的断层校正系数；其中，断层参数信息包括理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角；预设断层函数用于描述断层参数信息与断层校正系数的映射关系；根据目标参数信息中的储层参数信息和预设储层函数确定待测断背斜型圈闭的储层校正系数；其中，储层参数信息包括待测断背斜型圈闭内的储层倾角，预设储层函数用于描述储层参数信息与储层校正系数的映射关系。

其中，幅度参数信息可以是指在待测断背斜型圈闭的目标参数信息中与确定幅度校正系数相关联的参数信息。具体的，幅度参数信息包括理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角。预设幅度函数可以是指预先设定的确定待测断背斜型圈闭幅度校正系数的函数关系，可以用于描述幅度参数信息与幅度校正系数的映射关系。可选的，预设幅度函数的表达式如下：C＝H_r cotα/2L_r；其中，C为幅度校正系数，L_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度，H_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面厚度，α为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角。

具体的，如图2中右图所示，断背斜型构造圈闭在理想角度下的横截面积(即第二横截面积)可以表示为L_r×H_r。图3为本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭第一横截面积的示意图。其中，第一横截面积可用于表征断背斜型构造圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积。如图3所示，第一横截面积可表示为1/2×H_r×H_r×cotα。因此，根据第一横截面积与第二横截面积的比值，可以得到预设幅度函数的表达式如下：C＝1/2×H_r×H_r×cotα/(L_r×H_r)＝H_r cotα/2L_r。在得到目标参数信息之后，可以将目标参数信息中的幅度参数信息代入预设幅度函数中，经计算得到断背斜型构造圈闭的幅度校正系数。

其中，断层参数信息可以是指在待测断背斜型圈闭的目标参数信息中与确定断层校正系数相关联的参数信息。具体的，断层参数信息包括理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角。预设断层函数可以是指预先设定的确定待测断背斜型圈闭断层校正系数的函数关系，可用于描述断层参数信息与断层校正系数的映射关系。可选的，预设断层函数的表达式如下：F＝H_r tanβ/2L_r；其中，F为断层校正系数，L_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度，H_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面厚度，β为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角。

具体的，如图2中右图所示，待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积(即第二横截面积)可以表示为L_r×H_r。图4为本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭第三横截面积的示意图。其中，第三横截面积可以用于表征断背斜型构造圈闭受控圈断层影响导致的横截面积。如图4所示，第三横截面积可以表示为1/2×H_r×H_r×tanβ。因此，根据第三横截面积与第二横截面积的比值，可以得到预设断层函数的表达式如下：F＝1/2×H_r×H_r×tanβ/(L_r×H_r)＝H_r tanβ/2L_r。在得到目标参数信息之后，可以将目标参数信息中的断层参数信息代入预设断层函数中，经计算得到待测断背斜型构造圈闭的断层校正系数。

其中，储层参数信息可以是指在待测断背斜型圈闭的目标参数信息中与确定储层校正系数相关联的参数信息。具体的，储层参数信息包括待测断背斜型圈闭内的储层倾角。预设储层函数可以是指预先设定的确定待测断背斜型圈闭储层校正系数的函数关系，可用于描述储层参数信息与储层校正系数的映射关系。可选的，预设储层函数的表达式如下：R＝1/cosγ-1；其中，R为储层校正系数，γ为待测断背斜型圈闭内的储层倾角。

具体的，如图2中右图所示，待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积(即第二横截面积)可以表示为L_r×H_r。图5为本发明实施例一提供的一种断背斜型构造圈闭第四横截面积的示意图。其中，理想状态可以是指处于理想角度的状态，第四横截面积可以用于表征断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。如图5所示，第四横截面积可以表示为L_rt×(H_r-L_r)×H_r＝L_r/cosγ×H_r-L_r×H_r＝L_r×H_r×(1/cosγ-1)，其中，L_rt表示断背斜型圈闭范围内因储层产状倾斜导致的真实储层横截面长度。根据第四横截面积与第二横截面积的比值，可以得到预设储层函数的表达式为R＝L_r×H_r×(1/cosγ-1)/(L_r×H_r)＝1/cosγ-1。得到目标参数信息之后，可以将目标参数信息中的储层参数信息代入预设储层函数中，经计算得到待测断背斜型圈闭的储层校正系数。

S130，根据参考校正系数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数。

本实施例中，在确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数之后，可以进一步根据参考校正系数确定出待测断背斜型圈闭的体积校正系数。可选的，根据参考校正系数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数，包括：通过预设体积函数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数，预设体积函数的表达式如下：V_FA＝1-C-F+R；其中，V_FA为体积校正系数，C为幅度校正系数，F为断层校正系数，R为储层校正系数。

其中，预设体积函数可以是指预先设定的用于确定断背斜型构造圈闭体积校正系数的函数关系。其中，预设体积函数表示为V_FA＝1-C-F+R。

本实施例中，本实施例中，确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数时，只需将待测断背斜型圈闭的参考校正系数(幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数)代入预设体积函数中，经过简单计算即可得到体积校正系数。其中，预设体积函数可以具体表示为V_FA＝1-C-F+R＝1-H_r cotα/2L_r-H_r tanβ/2L_r+1/cosγ-1＝1/cosγ-H_r(cotα+tanβ)/2L_r。其中，L_r和H_r分别为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，α为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角，β为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角，γ为待测断背斜型圈闭内的储层倾角。

示例性的，首先根据断背斜型构造圈闭范围内的目标线段所在的横截面确定断背斜型构造圈闭的标准横截面。其中，目标线段aa′为断背斜型构造圈闭范围内与控圈断层垂直的线段，并且目标线段aa′长度等于第三参考线段bb′长度的一半，参见图2。假设根据待测断背斜型圈闭的构造图得到bb′长度为500m，由此可以得到L_r＝500m/2＝250m。根据断背斜型构造圈闭的顶面构造图可以计算得到α＝30°，根据断背斜型构造圈闭周边邻井的测井解释结果可查询得到H_r＝50m。此时，根据预设幅度函数可以得到断背斜型构造圈闭的幅度校正系数为C＝H_r cotα/2L_r＝50m×cot30°/(2×250m)＝0.173。通过查询断背斜型构造圈闭的地震剖面可以计算得到β＝35°，此时根据预设断层函数可以得到断背斜型圈闭的断层校正系数为F＝H_r tanβ/2L_r＝50m×tan 35°/(2×250m)＝0.070。通过查询断背斜型构造圈闭的地震剖面可以计算得到γ＝10°，此时根据预设储层函数可以得到断背斜型构造圈闭的储层校正系数为R＝1/cosγ-1＝1/cos 10°-1＝0.015。由此，可以根据预设体积函数确定断背斜型构造的体积校正系数为V_FA＝1-C-F+R＝1-0.173-0.070+0.015＝0.772。

本发明实施例的技术方案，确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；标准横截面用于代表待测断背斜型圈闭的底面所在平面；根据目标参数信息确定待测断背斜型圈闭的参考校正系数；参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；根据参考校正系数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数。本技术方案，能够基于断背斜型圈闭的标准横截面，快速、准确地求取逼近地下真实情况的断背斜型圈闭的体积校正系数，有助于提高断背斜型圈闭的资源量预测速度和预测精度。

实施例二

图6为本发明实施例二提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法的流程图，本实施例以上述实施例为基础进行优化。

如图6所示，本实施例的方法具体包括如下步骤：

S210，确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；标准横截面用于代表待测断背斜型圈闭的底面所在平面。

其中，标准横截面根据待测断背斜型圈闭范围内的目标线段所在的横截面进行确定，目标线段为待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的线段，目标线段的长度等于参考线段长度的一半，参考线段为待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的最长线段。

S220，根据目标参数信息中的幅度参数信息和预设幅度函数确定待测断背斜型圈闭的幅度校正系数。

其中，幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，第一横截面积基于第一参考面积确定，第一参考面积是指待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，第二横截面积基于第二参考面积确定，第二参考面积是指待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，理想角度是指储层倾角为0度。幅度参数信息包括理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角；预设幅度函数用于描述幅度参数信息与幅度校正系数的映射关系。

S230，根据目标参数信息中的断层参数信息和预设断层函数确定待测断背斜型圈闭的断层校正系数。

其中，断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，第三横截面积基于第三参考面积确定，第三参考面积是指待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积。断层参数信息包括理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角；预设断层函数用于描述断层参数信息与断层校正系数的映射关系。

S240，根据目标参数信息中的储层参数信息和预设储层函数确定待测断背斜型圈闭的储层校正系数。

其中，储层校正系数根据第四横截面积与第二横截面积的比值确定，第四横截面积基于第四参考面积确定，第四参考面积是指待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。储层参数信息包括待测断背斜型圈闭内的储层倾角，预设储层函数用于描述储层参数信息与储层校正系数的映射关系。

S250，根据幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数。

示例性的，通过预设体积函数确定待测断背斜型圈闭的体积校正系数，预设体积函数的表达式如下：V_FA＝1-C-F+R；其中，V_FA为体积校正系数，C为幅度校正系数，F为断层校正系数，R为储层校正系数。

本发明实施例的技术方案，能够基于断背斜型圈闭的标准横截面，快速准确地求取逼近地下真实情况的断背斜型圈闭的体积校正系数，有助于提高断背斜型圈闭的资源量预测速度和预测精度。

实施例三

图7为本发明实施例三提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定装置的结构示意图，该装置可执行本发明任意实施例所提供的断背斜型圈闭体积校正系数确定方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。如图7所示，该装置包括：

目标参数信息确定模块310，用于确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；所述标准横截面用于代表所述待测断背斜型圈闭的底面所在平面；

参考校正系数确定模块320，用于根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数；所述参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；

体积校正系数确定模块330，用于根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数；

其中，所述幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第一横截面积基于第一参考面积确定，所述第一参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，所述第二横截面积基于第二参考面积确定，所述第二参考面积是指所述待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，所述理想角度是指储层倾角为0度，所述断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第三横截面积基于第三参考面积确定，所述第三参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积，所述储层校正系数根据第四横截面积与所述第二横截面积的比值确定，所述第四横截面积基于第四参考面积确定，所述第四参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。

可选的，所述标准横截面根据所述待测断背斜型圈闭范围内的目标线段所在的横截面进行确定，所述目标线段为所述待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的线段，所述目标线段的长度等于参考线段长度的一半，所述参考线段为所述待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的最长线段。

可选的，所述参考校正系数确定模块320，用于：

根据目标参数信息中的幅度参数信息和预设幅度函数确定所述待测断背斜型圈闭的幅度校正系数；其中，所述幅度参数信息包括理想角度下所述标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及所述待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角；所述预设幅度函数用于描述所述幅度参数信息与所述幅度校正系数的映射关系；

根据目标参数信息中的断层参数信息和预设断层函数确定所述待测断背斜型圈闭的断层校正系数；其中，所述断层参数信息包括理想角度下所述标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及所述待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角；所述预设断层函数用于描述所述断层参数信息与所述断层校正系数的映射关系；

根据目标参数信息中的储层参数信息和预设储层函数确定所述待测断背斜型圈闭的储层校正系数；其中，所述储层参数信息包括所述待测断背斜型圈闭内的储层倾角，所述预设储层函数用于描述所述储层参数信息与所述储层校正系数的映射关系。

可选的，所述预设幅度函数的表达式如下：

C＝H_r cotα/2L_r；

其中，C为幅度校正系数，L_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度，H_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面厚度，α为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角。

可选的，所述预设断层函数的表达式如下：

F＝H_r tanβ/2L_r；

其中，F为断层校正系数，L_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度，H_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面厚度，β为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角。

可选的，所述预设储层函数的表达式如下：

R＝1/cosγ-1；

其中，R为储层校正系数，γ为待测断背斜型圈闭内的储层倾角。

可选的，所述体积校正系数确定模块330，用于：

通过预设体积函数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数，所述预设体积函数的表达式如下：

V_FA＝1-C-F+R；

其中，V_FA为体积校正系数，C为幅度校正系数，F为断层校正系数，R为储层校正系数。

本发明实施例所提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定装置可执行本发明任意实施例所提供的一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。

实施例四

图8示出了可以用来实施本发明的实施例的电子设备10的结构示意图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备(如头盔、眼镜、手表等)和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本发明的实现。

如图8所示，电子设备10包括至少一个处理器11，以及与至少一个处理器11通信连接的存储器，如只读存储器(ROM)12、随机访问存储器(RAM)13等，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，处理器11可以根据存储在只读存储器(ROM)12中的计算机程序或者从存储单元18加载到随机访问存储器(RAM)13中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 13中，还可存储电子设备10操作所需的各种程序和数据。处理器11、ROM 12以及RAM 13通过总线14彼此相连。输入/输出(I/O)接口15也连接至总线14。

电子设备10中的多个部件连接至I/O接口15，包括：输入单元16，例如键盘、鼠标等；输出单元17，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元18，例如磁盘、光盘等；以及通信单元19，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元19允许电子设备10通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。

处理器11可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器11的一些示例包括但不限于中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、各种专用的人工智能(AI)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器(DSP)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器11执行上文所描述的各个方法和处理，例如断背斜型圈闭体积校正系数确定方法。

在一些实施例中，断背斜型圈闭体积校正系数确定方法可被实现为计算机程序，其被有形地包含于计算机可读存储介质，例如存储单元18。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 12和/或通信单元19而被载入和/或安装到电子设备10上。当计算机程序加载到RAM 13并由处理器11执行时，可以执行上文描述的断背斜型圈闭体积校正系数确定方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，处理器11可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行断背斜型圈闭体积校正系数确定方法。

本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。

用于实施本发明的方法的计算机程序可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些计算机程序可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器，使得计算机程序当由处理器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。计算机程序可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。

在本发明的上下文中，计算机可读存储介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的计算机程序。计算机可读存储介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。备选地，计算机可读存储介质可以是机器可读信号介质。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。

为了提供与用户的交互，可以在电子设备上实施此处描述的系统和技术，该电子设备具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给电子设备。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。

可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)、区块链网络和互联网。

计算系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，又称为云计算服务器或云主机，是云计算服务体系中的一项主机产品，以解决了传统物理主机与VPS服务中，存在的管理难度大，业务扩展性弱的缺陷。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种断背斜型圈闭体积校正系数确定方法，其特征在于，所述方法包括：

确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；所述标准横截面用于代表所述待测断背斜型圈闭的底面所在平面；

根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数；所述参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；

根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数；

其中，所述幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第一横截面积基于第一参考面积确定，所述第一参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，所述第二横截面积基于第二参考面积确定，所述第二参考面积是指所述待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，所述理想角度是指储层倾角为0度，所述断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第三横截面积基于第三参考面积确定，所述第三参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积，所述储层校正系数根据第四横截面积与所述第二横截面积的比值确定，所述第四横截面积基于第四参考面积确定，所述第四参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标准横截面根据所述待测断背斜型圈闭范围内的目标线段所在的横截面进行确定，所述目标线段为所述待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的线段，所述目标线段的长度等于参考线段长度的一半，所述参考线段为所述待测断背斜型圈闭范围内与控圈断层垂直的最长线段。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数，包括：

根据目标参数信息中的幅度参数信息和预设幅度函数确定所述待测断背斜型圈闭的幅度校正系数；其中，所述幅度参数信息包括理想角度下所述标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及所述待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角；所述预设幅度函数用于描述所述幅度参数信息与所述幅度校正系数的映射关系；

根据目标参数信息中的断层参数信息和预设断层函数确定所述待测断背斜型圈闭的断层校正系数；其中，所述断层参数信息包括理想角度下所述标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度和储层横截面厚度，以及所述待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角；所述预设断层函数用于描述所述断层参数信息与所述断层校正系数的映射关系；

根据目标参数信息中的储层参数信息和预设储层函数确定所述待测断背斜型圈闭的储层校正系数；其中，所述储层参数信息包括所述待测断背斜型圈闭内的储层倾角，所述预设储层函数用于描述所述储层参数信息与所述储层校正系数的映射关系。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设幅度函数的表达式如下：

C＝H_rcotα/2L_r；

其中，C为幅度校正系数，L_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度，H_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面厚度，α为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的顶面倾角。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设断层函数的表达式如下：

F＝H_rtanβ/2L_r；

其中，F为断层校正系数，L_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面长度，H_r为理想角度下标准横截面上待测断背斜型圈闭范围内的储层横截面厚度，β为待测断背斜型圈闭在标准横截面上的控圈断层倾角。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设储层函数的表达式如下：

R＝1/cosγ-1；

其中，R为储层校正系数，γ为待测断背斜型圈闭内的储层倾角。

7.根据权利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于，根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数，包括：

通过预设体积函数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数，所述预设体积函数的表达式如下：

V_FA＝1-C-F+R；

其中，V_FA为体积校正系数，C为幅度校正系数，F为断层校正系数，R为储层校正系数。

8.一种断背斜型圈闭体积校正系数确定装置，其特征在于，所述装置包括：

目标参数信息确定模块，用于确定待测断背斜型圈闭在标准横截面上的目标参数信息；所述标准横截面用于代表所述待测断背斜型圈闭的底面所在平面；

参考校正系数确定模块，用于根据所述目标参数信息确定所述待测断背斜型圈闭的参考校正系数；所述参考校正系数是指幅度校正系数、断层校正系数和储层校正系数；

体积校正系数确定模块，用于根据所述参考校正系数确定所述待测断背斜型圈闭的体积校正系数；

其中，所述幅度校正系数根据第一横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第一横截面积基于第一参考面积确定，所述第一参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受顶面幅度影响导致的横截面积，所述第二横截面积基于第二参考面积确定，所述第二参考面积是指所述待测断背斜型圈闭在理想角度下的横截面积，所述理想角度是指储层倾角为0度，所述断层校正系数根据第三横截面积与第二横截面积的比值确定，所述第三横截面积基于第三参考面积确定，所述第三参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受控圈断层影响导致的横截面积，所述储层校正系数根据第四横截面积与所述第二横截面积的比值确定，所述第四横截面积基于第四参考面积确定，所述第四参考面积是指所述待测断背斜型圈闭受储层产状倾斜影响导致的横截面积。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

至少一个处理器；以及

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-7中任一项所述的断背斜型圈闭体积校正系数确定方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的断背斜型圈闭体积校正系数确定方法。

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