CN116208121A - 小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器及其参数生成方法 - Google Patents

Abstract

本说明书公开了一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器及其参数生成方法，包括：石英晶体谐振器包括2个格形网络，格形网络包括1个高频晶体谐振器和1个低频晶体谐振器，用于输入和输出信号的频率控制；1个级间耦合电容，设置于2个格形网络之间，用于滤波器通带带宽的展宽；2个差接变量器电感线圈和2个耦合电容，分别设置于2个格形网络边缘，用于格形网络特性阻抗与端接阻抗的匹配，差接变量器用于阻抗变换，耦合电容与电感线圈谐振，使输入端的电信号需要保留的部分通过输出端无失真的输出。本发明通过确定的设计流程及设计方法，有效提高了晶体滤波器的通带带宽，减小了电压驻波比，实现了一种高性能小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器。

Description

小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器及其参数生成方法

技术领域

本文件涉及滤波器领域，尤其涉及一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器及其参数生成方法。

背景技术

分立式晶体滤波器是由多只石英晶体谐振器加工而成的滤波器器件，由于分立式晶体滤波器具有体积小、重量轻、频率选择性好、温度稳定性好等一系列优良的电气性能，被广泛应用于通信、航空航天、武器装备等行业及领域中。

电压驻波比就是当滤波器的特性阻抗与负载阻抗不一致时，产生的入射波与反射波在滤波器的输入输出端形成驻波，其相邻电压的最大值和最小值之比。它是检验信号传输效率的依据。电压驻波比过大，将会使滤波信号失真，影响滤波器的正常工作。

因此，设计一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，是本领域亟待解决的问题。

发明内容

本说明书提供了一种智能路由方法，用以解决现有小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器通常利用经验设计，设计类型和参数不固定，导致滤波器性能不稳定的问题。

本发明的第一方面，提出了一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，包括：

石英晶体谐振器包括2个格形网络，所述格形网络包括1个高频晶体谐振器和1个低频晶体谐振器，用于进行输入信号和输出信号的频率控制；

1个级间耦合电容，设置于所述2个格形网络之间，用于通带带宽的展宽；

2个差接变量器和2个耦合电容，分别设置于所述2个格形网络的边缘，用于格形网络的特性阻抗与端接阻抗的匹配；所述差接变量器用于阻抗变换，所述耦合电容用于与电感线圈产生谐振，使输入端的电信号需要保留的部分通过输出端无失真的输出；

所述石英晶体谐振器、所述电感线圈和所述耦合电容通过印制电路板连接在金属基座上，所述金属基座和小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的金属外壳通过锡进行密封。

在一些优选的实施例中，所述晶体滤波器为中等带宽范围，B₃/f₀>0.3％，其中，B₃代表晶体滤波器的3dB通带带宽，f₀代表晶体滤波器的中心频率。

在一些优选的实施例中，所述高频晶体谐振器和所述低频晶体谐振器，其电压驻波比SAW<2.0。

电压驻波比是指在信号的传输与反射系数的比值。具体到晶体滤波器中就是指端接阻抗的匹配效果。滤波器内部的特性阻抗与端接阻抗越接近，阻抗匹配越好，表现在滤波器的性能中就是电压驻波比越小。滤波器的性能越好。

在一些优选的实施例中，所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其通带波动小于设定阈值。

通带波动也是反映晶体滤波器的端接阻抗匹配的重要指标。晶体滤波器内部的特性阻抗与端接阻抗越接近，阻抗匹配越好，表现在滤波器的性能中就是通带波动越小。滤波器的性能越好。

在一些优选的实施例中，所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其矩形系数K＝B₄₀/B₃＜4.0，其中，B₃代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的3dB通带带宽，B₄₀代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的40dB阻带带宽。

在金属基座的中间增加金属隔板，通过将两个格形网络隔开，从而达到增大阻带衰减，增加衰减陡度的效果，从而达到减小滤波器矩形系数的效果，提高了滤波器的电性能。

本发明的第二方面，提出了一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法，基于上述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，所述参数生成方法包括：

生成小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的设计参数、电路形式和电路设计参数；所述设计参数包括产品的封装形式、中心频率、寄生抑制、通带带宽、电压驻波比、端接阻抗；所述电路设计参数包括晶体的串联谐振频率、石英谐振器参数、差接变量器参数。

在一些优选的实施例中，所述电路形式为四级点二节级联带通晶体滤波器的电路结构。

在一些优选的实施例中，所述晶体的串联谐振频率，根据晶体串联谐振频率进行计算，其方法为：

f_si+＝f₀-B₃(k₂₃-k_i，i+1)/2

f_si-＝f₀-B₃(k₂₃+k_i，i+1)/2

f′_si+＝f₀-B₃(k_{n′-2，n′-1}-k_{n′-i，n′+1-i})/2

f′_si-＝f₀-B₃(k_{n′-2，n′-1}+k_{n′-i，n′+1-i})/2

其中，f_si+和f_si+分别代表高频晶体谐振器的串联谐振频率，f_si-和f_si-分别代表低频晶体谐振器的串联谐振频率，f₀代表晶体滤波器的中心频率，B₃代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的3dB通带带宽，k₂₃代表第2节到第3节的低通耦合系数，k_i，i+1代表第i节到第i+1节的低通耦合系数，k_{n′-2，n′-1}代表第n′-2节到第n′-1节的低通耦合系数，k_{n′-i，n′+1-i}代表第n′-i节到第n′+1-i节的低通耦合系数，n′代表极点数，i代表节数。

所有的低通耦合系数都可以通过确定的滤波器类型和极点数查表得出。

在一些优选的实施例中，所述石英谐振器参数包括基于石英晶片的泛音次数获取石英晶片的外形尺寸、电极尺寸，以及基于石英振子的串联谐振频率获取频率返回量；

t＝1670n/f

φ_s/t＞50

φ_e/t≤2.8(1/Δ)^1/2/n

其中，t代表石英晶片的厚度，n代表石英晶片的泛音次数，f代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的中心频率，φ_s代表石英晶片的直径，φ_e代表石英晶片上石英谐振器电极的直径，Δ代表石英晶体谐振器的镀回频率系数。

在一些优选的实施例中，所述差接变量器，其感应线圈计算方法为：

(n₀/n₁)²＝R_H/R_T

其中，n₀代表差接变量器次级感应线圈的圈数，n₁代表差接变量器初级感应线圈的圈数，R_H代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的外部端接阻抗，R_T代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的特性阻抗；

所述特性阻抗R_T，其计算方法为：

R_T＝1.14πB₃L₁

其中，L₁代表石英谐振器的动态电感。

L₁可以通过网络分析仪测试得到。

由于滤波器的中心频率越高，电路中的电路中的电感越小，由于NXO-10磁芯的导磁率较小，而且由于滤波器体积的限制，不能选用大尺寸的磁芯，因此差接变量器用导磁率NXO-10，

磁芯，由于导线线径越细电感线圈的圈数越多，初级线圈的圈数越多，对应的次级线圈的圈数就多，电感量越容易调节，端接阻抗越容易匹配，表现在晶体滤波器上就是电压驻波比越小。因此用导线线径最细的/>

漆包线绕制成。为减小分布电容中心抽头端用双线并绕。调整差接变量器与并联电容器组成的谐振回路，使其谐振在滤波器的中心频率上，且端接阻抗匹配。

本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

本发明小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，由于滤波器的中心频率越高，电路中的电路中的电感越小，由于NXO-10磁芯的导磁率较小，而且由于滤波器体积的限制，不能选用大尺寸的磁芯，因此差接变量器用导磁率NXO-10，

磁芯，由于导线线径越细电感线圈的圈数越多，初级线圈的圈数越多，对应的次级线圈的圈数就多，电感量越容易调节，端接阻抗越容易匹配，表现在晶体滤波器上就是电压驻波比越小。因此用导线线径最细的/>

漆包线绕制成。为减小分布电容中心抽头端用双线并绕。调整差接变量器与并联电容器组成的谐振回路，使其谐振在滤波器的中心频率上，且端接阻抗匹配。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本说明书一实施例提供的一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的组成示意图；

图2为本说明书一实施例提供的一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的电路结构示意图；

图3为本说明书一实施例提供的一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的差接变量器的电路结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。

图1为本说明书一实施例提供的一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的组成示意图，所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器包括：

石英晶体谐振器、电感线圈、耦合电容和电路板、金属基座和金属外壳。

其中，金属基座用于放置石英晶体谐振器、电感线圈、电容和电路板，并对各个部分进行电气连接和提供最终输入输出端口。

石英晶体谐振器包括2个格形网络，所述格形网络包括1个高频晶体谐振器和1个低频晶体谐振器，用于进行输入信号和输出信号的频率控制；

1个级间耦合电容，设置于所述2个格形网络之间，用于通带带宽的展宽；

2个差接变量器和2个耦合电容，分别设置于所述2个格形网络的边缘，用于格形网络的特性阻抗与端接阻抗的匹配；所述差接变量器用于阻抗变换，所述耦合电容用于与电感线圈产生谐振，使输入端的电信号需要保留的部分通过输出端无失真的输出；

所述石英晶体谐振器、所述电感线圈和所述耦合电容通过印制电路板连接在金属基座上，所述金属基座和小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的金属外壳通过锡进行密封。

所述晶体滤波器为中等带宽范围，B₃/f₀>0.3％，其中，B₃代表晶体滤波器的3dB通带带宽，f₀代表晶体滤波器的中心频率。

所述高频晶体谐振器和所述低频晶体谐振器，其电压驻波比SAW＜2.0。

电压驻波比是指在信号的传输与反射系数的比值。具体到晶体滤波器中就是指端接阻抗的匹配效果。滤波器内部的特性阻抗与端接阻抗越接近，阻抗匹配越好，表现在滤波器的性能中就是电压驻波比越小。滤波器的性能越好。

所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其通带波动小于设定阈值。

通带波动也是反映晶体滤波器的端接阻抗匹配的重要指标。晶体滤波器内部的特性阻抗与端接阻抗越接近，阻抗匹配越好，表现在滤波器的性能中就是通带波动越小。滤波器的性能越好。

所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其矩形系数K＝B₄₀/B₃＜4.0，其中，B₃代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的3dB通带带宽，B₄₀代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的40dB阻带带宽。

在金属基座的中间增加金属隔板，通过将两个格形网络隔开，从而达到增大阻带衰减，增加衰减陡度的效果，从而达到减小滤波器矩形系数的效果，提高了滤波器的电性能。

图2为本说明书一实施例提供的一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的电路结构示意图，晶体的串联谐振频率，根据晶体串联谐振频率进行计算，其方法为：

f_si+＝f₀-B₃(k₂₃-k_i，i+1)/2

f_si-＝f₀-B₃(k₂₃+k_i，i+1)/2

f′_si+＝f₀-B₃(k_{n′-2，n′-1}-k_{n′-i，n′+1-i})/2

f′_si-＝f₀-B₃(k_{n′-2，n′-1}+k_{n′-i，n′+1-i})/2

其中，f_si+和f_si+分别代表高频晶体谐振器的串联谐振频率，f_si-和f_si-分别代表低频晶体谐振器的串联谐振频率，f₀代表晶体滤波器的中心频率，B₃代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的3dB通带带宽，k₂₃代表第2节到第3节的低通耦合系数，k_i，i+1代表第i节到第i+1节的低通耦合系数，k_{n′-2，n′-1}代表第n′-2节到第n′-1节的低通耦合系数，k_{n′-i，n′+1-i}代表第n′-i节到第n′+1-i节的低通耦合系数，n′代表极点数，i代表节数。

所有的低通耦合系数都可以通过确定的滤波器类型和极点数查表得出。

本发明提出了一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器设计方法，并确定了一套针对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的设计流程，此设计流程缩短了设计步骤，提高了设计的效率和准确性。通过此方法的应用，达到了在设计过程中提高器件设计精确度和准确性的目的，有效提高了晶体滤波器的通带带宽，减小了电压驻波比，实现了一种高性能小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器。

小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法包括：生成小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的设计参数、电路形式和电路设计参数；所述设计参数包括产品的封装形式、中心频率、通带带宽、电压驻波比、矩形系数、带内波动、端接阻抗；所述电路设计参数包括晶体的串联谐振频率、石英谐振器参数、差接变量器参数。

步骤1、对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的设计参数进行确认。通常需要对产品的封装形式、中心频率、通带带宽、电压驻波比、矩形系数、带内波动、端接阻抗等参数进行确认。

步骤2、对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的电路形式进行设计。根据滤波器的电气性能指标，由于带宽属于中等带宽范围且电压驻波比较小，宜采用分立式晶体滤波器电路形式，具体选用四级点二节级联带通晶体滤波器的电路结构。

步骤3、对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的电路中各设计参数进行确认。包括设计晶体的串联谐振频率、石英谐振器、差接变量器。

步骤31、设计晶体的串联谐振频率。根据频率和带宽公式设计石英振子的串联谐振频率频率，例如，12.76MHz分立式晶体滤波器可以采用12466.273kHz和12796.385kHz。

步骤32、设计石英谐振器。包括对石英晶片的泛音次数、外形尺寸和切型切角进行设计。对石英振子的串联谐振频率、电极尺寸和频率返回量进行设计。中等带宽石英晶片采用基频晶片，晶片的尺寸和切型切角和晶体滤波器的工作温度稳定度有很大关系。随着石英谐振器尺寸的小型化，由于边界效应的影响，其频率温度特性也不同于大尺寸的石英谐振器。例如，12.76MHz分立式晶体滤波器需要选用石英晶片尺寸的大小能满足底座的放置和结构强度的要求，又要满足小型化和工作温度特性的要求，经计算，晶片的外形尺寸采用圆形Φ5.5mm，角度可以采用AT切型35°17′左右。经计算，电极的尺寸采用圆形Φ3mm，石英谐振器的频率返回量是84kHz左右。

步骤33、设计差接变量器。包括对磁芯的尺寸和导磁率、导线线径进行设计。差接变量器用导磁率NXO-10，

磁芯，导线线径用/>

漆包线绕制成。为减小分布电容中心抽头端用双线并绕。调整差接变量器与并联电容器组成的谐振回路，使其谐振在滤波器的中心频率上。

步骤4、在设计完成晶体的串联谐振频率、石英谐振器、差接变量器后，需对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器电路中各设计参数对应的原材料进行选取。包括对晶体、晶体谐振器基座外壳、晶体滤波器基座外壳、磁芯、导线、电容等材料进行选取。

步骤5、对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器中各元件间的连接和组装进行设计。选取好各设计参数对应的原材料后，需设计合适的印制电路板对晶体滤波器中的各元件进行连接和组装。包括印制电路板尺寸大小和连线的布局布线等，应能使晶体滤波器内部元件应能很好地与外部的输入输出端口进行连接。

步骤6、对组装好的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的电压驻波比和通带带宽进行调试。通过对级间耦合电容、差接变量器电感线圈的调节，以及谐振器外壳充分接地、印制板大面积接地等调试方法，得到电压驻波比小于2.0的中等带宽晶体滤波器。若仍不能得到电压驻波比和通带带宽的要求。则需要重复步骤4～步骤6，直至电性能指标达到电压驻波比和通带带宽的要求。

步骤7、对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的基座外壳的尺寸和封接形式进行设计。四级点二节级联带通晶体滤波器选用外形尺寸为其长×宽×高：45mm×21mm×14mm(max)，的基座，晶体滤波器外壳与基座采用锡焊封。由于在封接过程中产品内部易产生虚焊和锡球，造成产品内部的电路发生缓慢氧化引起频率飘移即频率变化，或因锡球掉落发生短路等电气故障，为了消除上述情况对产品性能的影响，采取高温快速焊接的封接形式。

步骤8、对小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的电性能进行测试。包括中心频率、电压驻波比、通带带宽、带内波动、矩形系数、阻带衰减等。若测试和试验验证满足一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器设计参数要求，进行步骤9结束设计流程。若调试和试验验证不满足一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器设计参数要求，需重复步骤2～步骤8。测试是在一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器加工完成后，对常温工作温度状态下电性能指标进行测试，淘汰电性能指标不合格的产品，使小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的常温电性能、工作温度达到目标要求。

步骤9、测试和试验验证满足小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器设计参数要求。

石英谐振器参数包括基于石英晶片的泛音次数获取石英晶片的外形尺寸、电极尺寸，以及基于石英振子的串联谐振频率获取频率返回量；

t＝1670n/f

φ_s/t＞50

φ_e/t≤2.8(1/Δ)^1/2/n

其中，t代表石英晶片的厚度，n代表石英晶片的泛音次数，f代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的中心频率，φ_s代表石英晶片的直径，φ_e代表石英晶片上石英谐振电极的直径，Δ代表石英晶体谐振器的镀回频率系数。

图3为本说明书一实施例提供的一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的差接变量器的电路结构示意图，差接变量器的感应线圈计算方法为：

(n₀/n₁)²＝R_H/R_T

其中，n₀代表差接变量器次级感应线圈的圈数，n₁代表差接变量器初级感应线圈的圈数，R_H代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的外部端接阻抗，R_T代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的特性阻抗。

所述特性阻抗R_T，其计算方法为：

R_T＝1.14πB₃L₁

其中，L₁代表石英谐振器的动态电感。

L₁可以通过网络分析仪测试得到。

由于滤波器的中心频率越高，电路中的电路中的电感越小，由于NXO-10磁芯的导磁率较小，而且由于滤波器体积的限制，不能选用大尺寸的磁芯，因此差接变量器用导磁率NXO-10，

磁芯，由于导线线径越细电感线圈的圈数越多，初级线圈的圈数越多，对应的次级线圈的圈数就多，电感量越容易调节，端接阻抗越容易匹配，表现在晶体滤波器上就是电压驻波比越小。因此用导线线径最细的/>

漆包线绕制成。为减小分布电容中心抽头端用双线并绕。经计算，n₀＝3，n₁＝27，在滤波器的调试阶段调整差接变量器与并联电容器组成的谐振回路，使其谐振在滤波器的中心频率上，且端接阻抗匹配。

通过上述过程可以实现一种高性能的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，表1为应用本发明设计方法实验验证的中心频率为12.76MHz的分立式的晶体滤波器的设计成果：

表1

从表1可以看出，该晶体滤波器的3dB的通带带宽大于60kHz，B₃/f₀>0.3％，满足中等带宽设计要求，电压驻波比小于2.0，满足小电压驻波比的设计要求，且通带波动小于0.5，矩形系数小于3.0，可以得出，本发明设计方法简单灵活，使用方便，且设计生产效果比较好，理论与实际比较一致。应用本发明设计方法可以高效、准确的设计出性能优良的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其特征在于，包括：

石英晶体谐振器包括2个格形网络，所述格形网络包括1个高频晶体谐振器和1个低频晶体谐振器，用于进行输入信号和输出信号的频率控制；

1个级间耦合电容，设置于所述2个格形网络之间，用于通带带宽的展宽；

2个差接变量器和2个耦合电容，分别设置于所述2个格形网络的边缘，用于格形网络的特性阻抗与端接阻抗的匹配；所述差接变量器用于阻抗变换，所述耦合电容用于与电感线圈产生谐振，使输入端的电信号需要保留的部分通过输出端无失真的输出；

所述石英晶体谐振器、所述电感线圈和所述耦合电容通过印制电路板连接在金属基座上，所述金属基座和小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的金属外壳通过锡进行密封。

2.根据权利要求1所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其特征在于，所述晶体滤波器为中等带宽范围，B₃/f₀>0.3％，其中，B₃代表晶体滤波器的3dB通带带宽，f₀代表晶体滤波器的中心频率。

3.根据权利要求1所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其特征在于，所述高频晶体谐振器和所述低频晶体谐振器，其电压驻波比SAW<2.0。

4.根据权利要求1所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其特征在于，所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其通带波动小于设定阈值。

5.根据权利要求1所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其特征在于，所述小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，其矩形系数K＝B₄₀/B₃<4.0，其中，B₃代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的3dB通带带宽，B₄₀代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的40dB阻带带宽。

6.一种小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法，其特征在于，基于权利要求1～5任一项所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器，所述参数生成方法包括：

生成小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的设计参数、电路形式和电路设计参数；所述设计参数包括产品的封装形式、中心频率、通带带宽、电压驻波比、通带波动、矩形系数、端接阻抗；所述电路设计参数包括晶体的串联谐振频率、石英谐振器参数、差接变量器参数。

7.根据权利要求6所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法，其特征在于，所述电路形式为四级点二节级联带通晶体滤波器的电路结构。

8.根据权利要求6所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法，其特征在于，所述晶体的串联谐振频率，根据晶体串联谐振频率进行计算，其方法为：

f_si+＝f₀-B₃(k₂₃-k_i，i+1)/2

f_si-＝f₀-B₃(k₂₃+k_i，i+1)/2

f′_si+＝f₀-B₃(k_{n′-2，n′-1}-k_{n′-i，n′+1-i})/2

f′_si-＝f₀-B₃(k_{n′-2，n′-1}+k_{n′-i，n′+1-i})/2

其中，f_si+和f′_si+分别代表高频晶体谐振器的串联谐振频率，f_si-和f′_si-分别代表低频晶体谐振器的串联谐振频率，f₀代表晶体滤波器的中心频率，B₃代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的3dB通带带宽，k₂₃代表第2节到第3节的低通耦合系数，k_i，i+1代表第i节到第i+1节的低通耦合系数，k_{n′-2，n′-1}代表第n′-2节到第n′-1节的低通耦合系数，k_{n′-i，n′+1-i}代表第n′-i节到第n′+1-i节的低通耦合系数，n′代表极点数，i代表节数。

9.根据权利要求6所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法，其特征在于，所述石英谐振器参数包括基于石英晶片的泛音次数获取石英晶片的外形尺寸、电极尺寸，以及基于石英振子的串联谐振频率获取频率返回量；

t＝1670n/f

φ_s/t＞50

φ_e/t≤2.8(1/Δ)^1/2/n

其中，t代表石英晶片的厚度，n代表石英晶片的泛音次数，f代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的中心频率，φ_s代表石英晶片的直径，φ_e代表石英晶片上石英谐振器电极的直径，Δ代表石英晶体谐振器的镀回频率系数。

10.根据权利要求6所述的小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的参数生成方法，其特征在于，所述差接变量器，其感应线圈计算方法为：

(n₀/n₁)²＝R_H/R_T

其中，n₀代表差接变量器次级感应线圈的圈数，n₁代表差接变量器初级感应线圈的圈数，R_H代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的外部端接阻抗，R_T代表小电压驻波比的中等带宽晶体滤波器的特性阻抗；

所述特性阻抗R_T，其计算方法为：

R_T＝1.14πB₃L₁

其中，L₁代表石英谐振器的动态电感。

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