CN116194983A - 像素电路、驱动方法、显示基板和显示装置 - Google Patents

像素电路、驱动方法、显示基板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开提供一种像素电路、驱动方法、显示基板和显示装置。像素电路包括驱动电路、发光元件、第一发光控制电路、第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、数据写入电路和储能电路；第一控制电路在第一控制信号的控制下，控制第一电压线与发光元件的第一电极之间连通；第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制参考电压线与发光元件的第二电极之间连通；第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与驱动电路的控制端之间连通。解决能在延长发光元件的寿命的同时节省功耗。

Description

像素电路、驱动方法、显示基板和显示装置 技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、驱动方法、显示基板和显示装置。
背景技术
OLED(有机发光二极管)显示产品的最大的缺点是寿命不足，在发光阶段之前给OLED器件的阳极间歇性施加一定的负电压，可以消除OLED材料内部的正电荷，以延长发光材料的寿命，该驱动方式被简称为PCV驱动。
在车载电脑和笔记本等中尺寸产品中，OLED的阴极接入的低电压信号的电压值为-5V，需要给OLED的阳极提供-7V至-9V的电压，另外p型晶体管输出-9V的电压需要-11V的栅极电压(在所述p型晶体管的阈值电压为-2V的情况下)，该方案会增加提供GOA(Gate On Array，设置于阵列基板上的栅极驱动电路)电路的功耗，以及信号传输过程中的delay time(延迟时间)，另外，过高的负压会降低TFT的BTS(Bias Temperature Stability，偏置电压稳定性)信赖性。
发明内容
在一个方面中，本公开实施例提供了一种像素电路，包括驱动电路、发光元件、第一发光控制电路、第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、数据写入电路和储能电路；
所述第一控制电路分别与第一控制线、第一电压线和所述驱动电路的第二端电连接，用于在所述第一控制线提供的第一控制信号的控制下，控制所述第一电压线与所述发光元件的第一电极之间连通；
第一发光控制电路分别与第一发光控制线、所述发光元件的第二电极和第一电压线电连接，用于在第一发光控制线提供的第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件的第二电极与所述第一电压线之间连通；
所述第二控制电路分别与第二控制线、参考电压线和所述发光元件的第 二电极电连接，用于在所述第二控制线提供的第二控制信号的控制下，控制所述参考电压线与所述发光元件的第二电极之间连通；
所述第三控制电路分别与第三控制线、所述储能电路的第一端和所述驱动电路的控制端电连接，用于在所述第三控制线提供的第三控制信号的控制下，控制所述储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通；
所述数据写入电路分别与扫描线、数据线和所述储能电路的第一端电连接，用于在所述扫描线提供的扫描信号的控制下，控制将所述数据线上的数据电压写入所述储能电路的第一端；
所述储能电路的第二端与所述驱动电路的第一端电连接，所述储能电路用于储存电能；
所述驱动电路的第二端与所述发光元件的第一电极电连接；所述驱动电路用于在其控制端的电位的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间连通。
在本公开至少一实施例中，所述的像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；
所述第二发光控制电路分别与第二发光控制线、第二电压线和所述驱动电路的第一端电连接，用于在所述第二发光控制线提供的第二发光控制信号的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述第二电压线之间连通；
所述初始控制电路分别与初始控制线、所述驱动电路的控制端与所述参考电压线电连接，用于在所述初始控制线提供的初始控制信号的控制下，控制所述参考电压线与所述驱动电路的控制端之间连通。
可选的，所述像素电路包括的晶体管都为p型晶体管，所述第三控制线和所述第一发光控制线为同一信号线；所述第一控制线、所述第二控制线、所述扫描线和所述初始控制线为同一信号线。
可选的，所述第一发光控制电路包括的晶体管和所述第二发光控制电路包括的晶体管为p型晶体管；所述第三控制电路包括的晶体管为p型晶体管，所述第二控制电路包括的晶体管为n型晶体管；第一发光控制线、第二发光控制线、第二控制线和第三控制线为同一信号线；
所述数据写入电路包括的晶体管为n型晶体管，所述初始控制电路包括 的晶体管为n型晶体管，所述扫描线和所述初始控制线为同一信号线。
可选的，所述第一控制电路包括第一晶体管，所述第二控制电路包括第二晶体管，所述第一发光控制电路包括第三晶体管；
所述第一晶体管的控制极与所述第一控制线电连接，所述第一晶体管的第一电极与所述第一电压线电连接，所述第一晶体管的第二电极与所述驱动电路的第二端电连接；
所述第二晶体管的控制极与所述第二控制线电连接，所述第二晶体管的第一电极与所述参考电压线电连接，所述第二晶体管的第二电极与所述发光元件的第二电极电连接；
所述第三晶体管的控制极与所述第一发光控制线电连接，所述第三晶体管的第一电极与所述第一电压线电连接，所述第三晶体管的第二电极与所述发光元件的第二电极电连接。
可选的，所述第三控制电路包括第四晶体管，所述数据写入电路包括第五晶体管，所述储能电路包括存储电容；
所述第四晶体管的控制极与所述第三控制线电连接，所述第四晶体管的第一电极与所述存储电容的第一端电连接，所述第四晶体管的第二电极与所述驱动电路的控制端电连接；
所述第五晶体管的控制极与所述扫描线电连接，所述第五晶体管的第一电极与所述数据线电连接，所述第五晶体管的第二电极与所述存储电容的第一端电连接；
所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第一端电连接。
可选的，所述第二发光控制电路包括第六晶体管，所述初始控制电路包括第七晶体管；
所述第六晶体管的控制极与所述第二发光控制线电连接，所述第六晶体管的第一电极与所述第二电压线电连接，所述第六晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极电连接；
所述第七晶体管的控制极与所述初始控制线电连接，所述第七晶体管的第一电极与所述参考电压线电连接，所述第七晶体管的第二电极与所述驱动电路的控制端电连接。
可选的，所述驱动电路包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一电极为所述驱动电路的第一端，所述驱动电路的第二电极为所述驱动电路的第二端。
在第二个方面中，本公开实施例提供一种驱动方法，应用于上述的像素电路，显示周期包括先后设置的数据写入阶段和发光阶段，所述驱动方法包括：
在所述数据写入阶段，数据写入电路在扫描信号的控制下，将数据电压写入储能电路的第一端，第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线提供参考电压至发光元件的第二电极；第一控制电路在第一控制信号的控制下，将第一电压线提供的第一电压信号写入发光元件的第一电极；
在所述发光阶段，第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通，第一发光控制电路在第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件的第二电极与所述第一电压线之间连通，驱动电路在其控制端的电位的控制下，驱动发光元件发光。
可选的，所述像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；显示周期还包括设置于所述数据写入阶段之前的复位阶段；所述驱动方法还包括：
在复位阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通；
在数据写入阶段，初始控制电路在初始控制信号的控制下，控制将参考电压写入所述驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路能够在其控制端的电位的控制下，导通所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间的连接，以改变所述驱动电路的第一端的电位，直至所述驱动电路关断；
在发光阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通。
在第三个方面中，本公开实施例提供了一种驱动方法，应用于上述的像素电路，显示周期包括先后设置的复位阶段、数据写入阶段和发光阶段，所述驱动方法包括：
在复位阶段和数据写入阶段，第一控制电路在第一控制信号的控制下，控制将第一电压信号写入发光元件的第一电极，第二控制电路在第二控制信号的控制下，将参考电压写入发光元件的第二电极；
在数据写入阶段，数据写入电路在扫描信号的控制下，将数据电压写入储能电路的第一端；
在发光阶段，第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通；第一发光控制电路在第一发光控制信号的控制下，控制发光元件的第二电极与第一电压线之间连通，驱动电路驱动发光元件发光。
可选的，所述像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；所述驱动方法还包括：
在数据写入阶段，初始控制电路在初始控制信号的控制下，将参考电压写入驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路能够在其控制端的电位的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间连通，以改变所述驱动电路的第一端的电位，直至所述驱动电路关断；
在发光阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通。
在第四个方面中，本公开实施例还提供了一种显示基板，包括上述的像素电路。
在第五个方面中，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示基板。
附图说明
图1是本公开实施例所述的像素电路的结构图；
图2是本公开至少一实施例所述的像素电路的结构图；
图3是本公开至少一实施例所述的像素电路的电路图；
图4A是本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例的工作时序图；
图4B是本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例的另一工作时序图；
图4C是本公开至少一实施例所述的像素电路的电路图；
图4D是本公开如图4C所示的像素电路的至少一实施例的工作时序图；
图5A是本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在复位阶段t1的工作状态示意图；
图5B是本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在数据写入阶段t2的工作状态示意图；
图5C是本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在发光阶段t3的工作状态示意图；
图6是本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例的仿真工作时序图；
图7是本公开至少一实施例所述的像素电路的电路图；
图8是本公开如图7所示的像素电路的至少一实施例的工作时序图；
图9是本公开如图7所示的像素电路的至少一实施例的仿真工作时序图；
图10是本公开至少一实施例所述的显示基板的膜层堆叠图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本公开实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一电极，另一极称为第二电极。
在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述第一电极可以为漏极，所述第二电极可以为源极；或者，所述第一电极可以为源极，所述第二电极可以为漏极。
如图1所示，本公开实施例所述的像素电路包括驱动电路11、发光元件10、第一发光控制电路12、第一控制电路13、第二控制电路14、第三控制电路15、数据写入电路16和储能电路17；
所述第一控制电路13分别与第一控制线S1、第一电压线V1和所述驱动 电路11的第二端电连接，用于在所述第一控制线S1提供的第一控制信号的控制下，控制所述第一电压线V1与所述发光元件10的第一电极之间连通；
第一发光控制电路12分别与第一发光控制线E1、所述发光元件10的第二电极和第一电压线V1电连接，用于在第一发光控制线E1提供的第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件10的第二电极与所述第一电压线V1之间连通；
所述第二控制电路14分别与第二控制线S2、参考电压线R0和所述发光元件10的第二电极电连接，用于在所述第二控制线S2提供的第二控制信号的控制下，控制所述参考电压线R0与所述发光元件10的第二电极之间连通；
所述第三控制电路15分别与第三控制线S3、所述储能电路17的第一端和所述驱动电路11的控制端电连接，用于在所述第三控制线S3提供的第三控制信号的控制下，控制所述储能电路17的第一端与所述驱动电路11的控制端之间连通；
所述数据写入电路16分别与扫描线S0、数据线D0和所述储能电路17的第一端电连接，用于在所述扫描线S0提供的扫描信号的控制下，控制将所述数据线D0上的数据电压Vd写入所述储能电路17的第一端；
所述储能电路17的第二端与所述驱动电路11的第一端电连接，所述储能电路17用于储存电能；
所述驱动电路11的第二端与所述发光元件10的第一电极电连接；所述驱动电路11用于在其控制端的电位的控制下，控制所述驱动电路11的第一端与所述驱动电路11的第二端之间连通。
在本公开至少一实施例中，所述第一电压线可以为低电压线，所述第一电压信号可以为低电压信号，但不以此为限。
可选的，所述发光元件10可以为有机发光二极管，但不以此为限。
本公开如图1所示的像素电路的实施例在工作时，显示周期可以包括先后设置的数据写入阶段和发光阶段；
在所述数据写入阶段，数据写入电路16在扫描信号的控制下，将数据电压Vd写入储能电路17的第一端，第二控制电路14在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线R0提供参考电压Vr至发光元件10的第二电极；第一 控制电路13在第一控制信号的控制下，将第一电压线V1提供的第一电压信号写入发光元件10的第一电极；
在所述发光阶段，第三控制电路15在第三控制信号的控制下，控制储能电路17的第一端与所述驱动电路11的控制端之间连通，第一发光控制电路12在第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件10的第二电极与所述第一电压线V1之间连通，驱动电路11在其控制端的电位的控制下，驱动发光元件10发光。
在数据写入阶段，所述发光元件10的第一电极接入第一电压信号，所述发光元件10的第二电极接入参考电压Vr；在发光阶段，所述发光元件10的第二电极接入第一电压信号。
本公开实施例在发光元件10的两极引入H桥状电路，在发光阶段，所述发光元件10能够正常发光，在数据写入阶段，第一电压信号流入发光元件10的第一电极，参考电压Vr流入发光元件10的第二电极，所述参考电压Vr的电压值大于所述第一电压信号的电压值，所述第一电极可以为阳极，所述第二电极可以为阴极，以使得在数据写入阶段实现对阳极正电荷和阴极负电荷的消除，以延长发光元件的寿命。
在本公开至少一实施例中，利用辅助阴极的工艺，使得第一电压线与像素电路在同一背板上制作，并所述第一电压线可以设置于有效显示区域，从而使得第一电压线可以参与到像素电路的补偿。
在实际操作时，所述第一电压线可以从源漏金属层向上依次搭接阳极层和阴极层，但不以此为限。
通过辅助阴极的工艺，使得在本公开至少一实施例所述的像素电路中，第一电压线提供的第一电压信号能够通过第一控制电路13写入所述发光元件10的第一极；
在数据写入阶段，第一电压信号通过第一控制电路13写入发光元件10的第一极，参考电压Vr通过第二控制电路14写入发光元件的第二极，仅需提供电压值较低的参考电压Vr即可使得所述发光元件10处于反向偏置状态，能够节省功耗，提升TFT的信赖性。
在本公开至少一实施例中，第一电压信号的电压值可以为-3V或-4V，参 考电压Vr的电压值可以为0V，但不以此为限。
在本公开至少一实施例中，参考电压Vr的电压值可以大于或等于-3V而小于或等于3V，所述第一电压信号的电压值可以大于或等于-5V而小于或等于-2V；但不以此为限；
第一电压信号的电压值与参考电压Vr的电压值之间的差值可以大于或等于-8V而小于或等于-2V，但不以此为限。
在本公开至少一实施例中，所述的像素电路还可以包括第二发光控制电路和初始控制电路；
所述第二发光控制电路分别与第二发光控制线、第二电压线和所述驱动电路的第一端电连接，用于在所述第二发光控制线提供的第二发光控制信号的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述第二电压线之间连通；
所述初始控制电路分别与初始控制线、所述驱动电路的控制端与所述参考电压线电连接，用于在所述初始控制线提供的初始控制信号的控制下，控制所述参考电压线与所述驱动电路的控制端之间连通。
在具体实施时，所述第二发光控制电路可以在发光阶段控制驱动电路的第一端与第二电压线之间连通，初始控制电路可以在数据写入阶段，将参考电压写入所述驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路能够在其控制端的电位的控制下，导通所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间的连接。
在本公开至少一实施例中，所述第二电压线可以为高电压线，但不以此为限。
如图2所示，在图1所示的像素电路的实施例的基础上，本公开至少一实施例所述的像素电路还可以包括第二发光控制电路21和初始控制电路22；
所述第二发光控制电路21分别与第二发光控制线E2、第二电压线V2和所述驱动电路11的第一端电连接，用于在所述第二发光控制线E2提供的第二发光控制信号的控制下，控制所述驱动电路11的第一端与所述第二电压线V2之间连通；
所述初始控制电路22分别与初始控制线I1、所述驱动电路11的控制端与所述参考电压线R0电连接，用于在所述初始控制线I1提供的初始控制信 号的控制下，控制所述参考电压线R0与所述驱动电路11的控制端之间连通。
本公开如图2所示的像素电路的至少一实施例在工作时，显示周期还可以包括设置于所述数据写入阶段之前的复位阶段；
在复位阶段，第二发光控制电路21在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线V2与所述驱动电路11的第一端之间连通；
在数据写入阶段，初始控制电路22在初始控制信号的控制下，控制将R0提供的参考电压Vr写入所述驱动电路11的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路11能够在其控制端的电位的控制下，导通所述驱动电路11的第一端与所述驱动电路11的第二端之间的连接，以改变所述驱动电路11的第一端的电位，直至所述驱动电路11关断；
在发光阶段，第二发光控制电路21在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线V2与所述驱动电路11的第一端之间连通，驱动电路11驱动发光元件10发光。
可选的，所述像素电路包括的晶体管都为p型晶体管，所述第三控制线S3和所述第一发光控制线E1可以为同一信号线；所述第一控制线S1、所述第二控制线S2、所述扫描线S0和所述初始控制线I1可以为同一信号线，以减少本公开至少一实施例所述的像素电路采用的信号线的数目，进而可以减少采用的GOA(Gate On Array，阵列基板行驱动)电路(所述GOA电路用于提供发光控制信号和扫描信号)的个数。
可选的，所述第一发光控制电路12包括的晶体管和所述第二发光控制电路21包括的晶体管为p型晶体管；所述第三控制电路13包括的晶体管为p型晶体管，所述第二控制电路14包括的晶体管为n型晶体管；第一发光控制线E1、第二发光控制线E2、第二控制线S2和第三控制线S3为同一信号线；
所述数据写入电路16包括的晶体管为n型晶体管，所述初始控制电路22包括的晶体管为n型晶体管，所述扫描线S0和所述初始控制线I1为同一信号线。
通过以上的对晶体管的类型的设置，第一发光控制线、第二发光控制线、第二控制线和第三控制线可以为同一信号线，所述扫描线和所述初始控制线可以为同一信号线，以减少本公开至少一实施例所述的像素电路采用的信号 线的数目，进而可以减少采用的GOA(Gate On Array，阵列基板行驱动)电路(所述GOA电路用于提供发光控制信号和扫描信号)的个数。
可选的，所述第一控制电路包括第一晶体管，所述第二控制电路包括第二晶体管，所述第一发光控制电路包括第三晶体管；
所述第一晶体管的控制极与所述第一控制线电连接，所述第一晶体管的第一电极与所述第一电压线电连接，所述第一晶体管的第二电极与所述驱动电路的第二端电连接；
所述第二晶体管的控制极与所述第二控制线电连接，所述第二晶体管的第一电极与所述参考电压线电连接，所述第二晶体管的第二电极与所述发光元件的第二电极电连接；
所述第三晶体管的控制极与所述第一发光控制线电连接，所述第三晶体管的第一电极与所述第一电压线电连接，所述第三晶体管的第二电极与所述发光元件的第二电极电连接。
可选的，所述第三控制电路包括第四晶体管，所述数据写入电路包括第五晶体管，所述储能电路包括存储电容；
所述第四晶体管的控制极与所述第三控制线电连接，所述第四晶体管的第一电极与所述存储电容的第一端电连接，所述第四晶体管的第二电极与所述驱动电路的控制端电连接；
所述第五晶体管的控制极与所述扫描线电连接，所述第五晶体管的第一电极与所述数据线电连接，所述第五晶体管的第二电极与所述存储电容的第一端电连接；
所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第一端电连接。
可选的，所述第二发光控制电路包括第六晶体管，所述初始控制电路包括第七晶体管；
所述第六晶体管的控制极与所述第二发光控制线电连接，所述第六晶体管的第一电极与所述第二电压线电连接，所述第六晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极电连接；
所述第七晶体管的控制极与所述初始控制线电连接，所述第七晶体管的第一电极与所述参考电压线电连接，所述第七晶体管的第二电极与所述驱动 电路的控制端电连接。
可选的，所述驱动电路包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一电极为所述驱动电路的第一端，所述驱动电路的第二电极为所述驱动电路的第二端。
如图3所示，在图2所示的像素电路的至少一实施例的基础上，所述第一控制电路13包括第一晶体管T1，所述第二控制电路14包括第二晶体管T2，所述第一发光控制电路12包括第三晶体管T3；所述第三控制电路15包括第四晶体管T4，所述数据写入电路16包括第五晶体管T5，所述储能电路17包括存储电容C1；所述第二发光控制电路21包括第六晶体管T6，所述初始控制电路22包括第七晶体管T7；所述驱动电路11包括驱动晶体管T0；所述发光元件为有机发光二极管O1；
所述第一晶体管T1的栅极与扫描线S0电连接，所述第一晶体管T1的源极与低电压线VSS电连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述驱动晶体管T0的漏极电连接；
所述第二晶体管T2的栅极与扫描线S0电连接，所述第二晶体管T2的源极与所述参考电压线R0电连接，所述第二晶体管T2的漏极与所述有机发光二极管的阴极电连接；
所述第三晶体管T3的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第三晶体管T3的漏极与所述有机发光二极管O1的阴极电连接，所述第三晶体管T3的源极与所述低电压线VSS电连接；
所述第四晶体管T4的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第四晶体管T4的源电极与所述存储电容C1的第一端电连接，所述第四晶体管T4的漏极与所述驱动晶体管T0的栅极电连接；
所述第五晶体管T5的栅极与所述扫描线S0电连接，所述第五晶体管T5的源极与所述数据线D0电连接，所述第五晶体管T5的漏极与所述存储电容C1的第一端电连接；
所述存储电容C1的第二端与所述驱动晶体管T0的源极电连接；
所述第六晶体管T6的栅极与所述第二发光控制线E2电连接，所述第六 晶体管T6的源极与高电压线VDD电连接，所述第六晶体管T6的漏极与所述驱动晶体管T0的源极电连接；
所述第七晶体管T7的栅极与所述扫描线S0电连接，所述第七晶体管T7的源极与所述参考电压线R0电连接，所述第七晶体管T7的漏极与所述驱动晶体管T0的栅极电连接；
所述驱动晶体管T0的栅极与第一节点N1电连接，所述驱动晶体管T0的源极与第三节点N3电连接，所述驱动晶体管T0的漏极与第四节点N4电连接；
C1的第一端与第二节点N2电连接，O1的阴极与第五节点N5电连接。
在图3所示的像素电路的至少一实施例中，所述的晶体管可以都为低温多晶硅薄膜晶体管，所有的晶体管都为p型晶体管，但不以此为限。
在图3所示的像素电路的至少一实施例中，所述参考电压线R0用于提供参考电压Vr，所述低电压线VSS用于提供低电压信号，Vr的电压值可以为0V，所述低电压信号的电压值可以为-3V或-4V，但不以此为限。
如图4A所示，本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在工作时，显示周期可以包括先后设置的复位阶段t1、数据写入阶段t2和发光阶段t3；
在复位阶段t1，E1提供高电压信号，E2提供低电压信号，S0提供高电压信号，如图5A所示，T6打开，VDD提供的高电压信号通过T0流入O1，使得O1发光，此时O1的发光亮度为上一帧的发光亮度，随后E2提供高电压信号，T6关断，O1停止发光，但是N3的电位仍然保持为所述高电压信号的电压值VD；
在数据写入阶段t2，E1提供高电压信号，E2提供高电压信号，S0提供低电压信号，D0提供数据电压Vd，R0提供参考电压Vr，如图5B所示，T5打开，将Vd写入N2，T7、T2和T1打开，以将Vr写入N1和N5，T0打开，通过向VSS放电而逐渐降低N3的电压，直至N3的电位变为Vr-Vth，T0关断，此时N4的电位为VS，N5的电位为Vr，N4的电位小于N5的电位，实现逆向充电的过程；其中，Vth为T0的阈值电压；
在发光阶段t3，E1和E2都提供低电压信号，S0提供高电压信号，如图5C所示，T4打开，T3和T6打开，N3的电位恢复到VD(VD为VDD提供 的高电压信号的电压值)，由于电容自举的作用，N3的电位的变化量为Vr-Vth+VD，N2的电位变为Vd-Vr+Vth+VD，由于T4打开，N1的电位与N2的电位相同；
在发光阶段t3，T0驱动O1发光的驱动电路的电流值I的计算公式如下：
I＝K(V N1-V N3-Vth) 2＝K(Vd-Vr+Vth+VD-VD-Vth) 2
＝K(Vd-Vr) 2；
其中，V N1为N1在发光阶段t3的电位，V N2为N2在发光阶段t3的电位，K为T0的电流系数；
Figure PCTCN2021121743-APPB-000001
μ为空穴载流子的迁移率，Cox为栅绝缘层单位面积电容，W/L为T0的宽长比。
由以上公式可知，I仅与Vd和Vr相关，与VD和Vth无关。
在本公开至少一实施例中，Vth例如可以为-2V，但不以此为限。
在本公开至少一实施例中，VDD提供的高电压信号的电压值可以大于0V而小于等于7V；Vth可以大于或等于-2.5V而小于或等于-1.5V；但不以此为限。
本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在工作时，
在复位阶段t1，N1的电位和N2的电位为上一帧电压，N3的电位为VD，N4的电位为V oled_AND，N5的电位为VS(VS为VSS提供的低电压信号的电压值)；其中，V oled_AND为O1的阳极的电压；
在数据写入阶段t2，N1的电位为Vr，N2的电位为Vd，N3的电位为Vr-Vth，N4的电位为VS，N5的电位为Vr；
在发光阶段t3，N1的电位和N2的电位都为Vd-Vr+Vth+VD，N3的电位为VD，N4的电位为V oled_AND，N5的电位为VS。
对本公开图3所示的像素电路的至少一实施例进行仿真，将Vd设计为-1V，VD为4.6V，Vr的电压值为0V，Vth为-2.5V，计算得到在发光阶段，N1的电位为1.1V，与仿真结果一致；
如图6所示，在数据写入阶段t2，N4的电位与N5的电位之间的电压差为-4V，可以很好的实现PCV驱动的效果，并该负压可以保持至发光阶段开始前。
在图6中，VN4为N4的电位，VN5为N5的电位，VN1为N1的电位，V N3为N3的电位。
在本公开至少一实施例中，可以采用LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)方案，LTPO方案既有多晶硅载流子运动速度快，又有氧化物晶体管低漏电的优点，从而可以满足低频率和高频率的驱动方式，在H桥驱动电路的基础上，本公开至少一实施例将氧化物晶体管引入至像素电路中，可以实现高低频驱动的同时，还能延长PCV驱动时间，进一步提升发光元件的寿命。
本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在工作时，E1提供的第一发光控制信号和E2提供的第二发光控制信号可以为同一发光控制信号。
如图4B所示，本公开如图3所示的像素电路的至少一实施例在工作时，
显示周期可以包括先后设置的复位阶段t1、数据写入阶段t2和发光阶段t3；
在复位阶段t1，E1提供高电压信号，E2提供高电压信号，S0提供高电压信号，T6关断，O1停止发光；
在数据写入阶段t2，E1提供高电压信号，E2提供高电压信号，S0提供低电压信号，D0提供数据电压Vd，R0提供参考电压Vr，T5打开，将Vd写入N2，T7、T2和T1打开，以将Vr写入N1和N5，T0打开，通过向VSS放电而逐渐降低N3的电压，直至N3的电位变为Vr-Vth，T0关断，此时N4的电位为VS，N5的电位为Vr，N4的电位小于N5的电位，实现逆向充电的过程；其中，Vth为T0的阈值电压；
在发光阶段t3，E1和E2都提供低电压信号，S0提供高电压信号，T4打开，T3和T6打开，N3的电位恢复到VD(VD为VDD提供的高电压信号的电压值)，由于电容自举的作用，N3的电位的变化量为Vr-Vth+VD，N2的电位变为Vd-Vr+Vth+VD，由于T4打开，N1的电位与N2的电位相同；
在发光阶段t3，T0驱动O1发光的驱动电路的电流值I的计算公式如下：
I＝K(V N1-V N3-Vth) 2＝K(Vd-Vr+Vth+VD-VD-Vth) 2
＝K(Vd-Vr) 2；
其中，V N1为N1在发光阶段t3的电位，V N2为N2在发光阶段t3的电位， K为T0的电流系数；
Figure PCTCN2021121743-APPB-000002
μ为空穴载流子的迁移率，Cox为栅绝缘层单位面积电容，W/L为T0的宽长比。
由以上公式可知，I仅与Vd和Vr相关，与VD和Vth无关。
如图4C所示，在图2所示的像素电路的至少一实施例的基础上，所述第一控制电路13包括第一晶体管T1，所述第二控制电路14包括第二晶体管T2，所述第一发光控制电路12包括第三晶体管T3；所述第三控制电路15包括第四晶体管T4，所述数据写入电路16包括第五晶体管T5，所述储能电路17包括存储电容C1；所述第二发光控制电路21包括第六晶体管T6，所述初始控制电路22包括第七晶体管T7；所述驱动电路11包括驱动晶体管T0；所述发光元件为有机发光二极管O1；
所述第一晶体管T1的栅极与扫描线S0电连接，所述第一晶体管T1的源极与低电压线VSS电连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述驱动晶体管T0的漏极电连接；
所述第二晶体管T2的栅极与扫描线S0电连接，所述第二晶体管T2的源极与所述参考电压线R0电连接，所述第二晶体管T2的漏极与所述有机发光二极管的阴极电连接；
所述第三晶体管T3的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第三晶体管T3的漏极与所述有机发光二极管O1的阴极电连接，所述第三晶体管T3的源极与所述低电压线VSS电连接；
所述第四晶体管T4的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第四晶体管T4的源电极与所述存储电容C1的第一端电连接，所述第四晶体管T4的漏极与所述驱动晶体管T0的栅极电连接；
所述第五晶体管T5的栅极与所述扫描线S0电连接，所述第五晶体管T5的源极与所述数据线D0电连接，所述第五晶体管T5的漏极与所述存储电容C1的第一端电连接；
所述存储电容C1的第二端与所述驱动晶体管T0的源极电连接；
所述第六晶体管T6的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第六晶体管T6的源极与高电压线VDD电连接，所述第六晶体管T6的漏极与所 述驱动晶体管T0的源极电连接；
所述第七晶体管T7的栅极与所述扫描线S0电连接，所述第七晶体管T7的源极与所述参考电压线R0电连接，所述第七晶体管T7的漏极与所述驱动晶体管T0的栅极电连接；
所述驱动晶体管T0的栅极与第一节点N1电连接，所述驱动晶体管T0的源极与第三节点N3电连接，所述驱动晶体管T0的漏极与第四节点N4电连接；
C1的第一端与第二节点N2电连接，O1的阴极与第五节点N5电连接。
在图4C所示的像素电路的至少一实施例中，所述的晶体管可以都为低温多晶硅薄膜晶体管，所有的晶体管都为p型晶体管，但不以此为限。
在图4C所示的像素电路的至少一实施例中，所述参考电压线R0用于提供参考电压Vr，所述低电压线VSS用于提供低电压信号，Vr的电压值可以为0V，所述低电压信号的电压值可以为-3V或-4V，但不以此为限。
在图4C所示的像素电路的至少一实施例中，所述第二发光控制线可以为第一发光控制线E1，也即第一发光控制线与第二发光控制线为同一发光控制线。
如图4D所示，本公开如图4C所示的像素电路的至少一实施例在工作时，
显示周期可以包括先后设置的复位阶段t1、数据写入阶段t2和发光阶段t3；
在复位阶段t1，E1提供高电压信号，S0提供高电压信号，T6关断，O1停止发光；
在数据写入阶段t2，E1提供高电压信号，S0提供低电压信号，D0提供数据电压Vd，R0提供参考电压Vr，T5打开，将Vd写入N2，T7、T2和T1打开，以将Vr写入N1和N5，T0打开，通过向VSS放电而逐渐降低N3的电压，直至N3的电位变为Vr-Vth，T0关断，此时N4的电位为VS，N5的电位为Vr，N4的电位小于N5的电位，实现逆向充电的过程；其中，Vth为T0的阈值电压；
在发光阶段t3，E1低电压信号，S0提供高电压信号，T4打开，T3和T6打开，N3的电位恢复到VD(VD为VDD提供的高电压信号的电压值)， 由于电容自举的作用，N3的电位的变化量为Vr-Vth+VD，N2的电位变为Vd-Vr+Vth+VD，由于T4打开，N1的电位与N2的电位相同；
在发光阶段t3，T0驱动O1发光的驱动电路的电流值I的计算公式如下：
I＝K(V N1-V N3-Vth) 2＝K(Vd-Vr+Vth+VD-VD-Vth) 2
＝K(Vd-Vr) 2；
其中，V N1为N1在发光阶段t3的电位，V N2为N2在发光阶段t3的电位，K为T0的电流系数；
Figure PCTCN2021121743-APPB-000003
μ为空穴载流子的迁移率，Cox为栅绝缘层单位面积电容，W/L为T0的宽长比。
由以上公式可知，I仅与Vd和Vr相关，与VD和Vth无关。
如图7所示，在图2所示的像素电路的至少一实施例的基础上，所述第一控制电路13包括第一晶体管T1，所述第二控制电路14包括第二晶体管T2，所述第一发光控制电路12包括第三晶体管T3；所述第三控制电路15包括第四晶体管T4，所述数据写入电路16包括第五晶体管T5，所述储能电路17包括存储电容C1；所述第二发光控制电路21包括第六晶体管T6，所述初始控制电路22包括第七晶体管T7；所述驱动电路11包括驱动晶体管T0；所述发光元件为有机发光二极管O1；
所述第一晶体管T1的栅极与第一发光控制线E1电连接，所述第一晶体管T1的源极与低电压线VSS电连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述驱动晶体管T0的漏极电连接；
所述第二晶体管T2的栅极与第一发光控制线E1电连接，所述第二晶体管T2的源极与所述参考电压线R0电连接，所述第二晶体管T2的漏极与所述有机发光二极管的阴极电连接；
所述第三晶体管T3的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第三晶体管T3的漏极与所述有机发光二极管O1的阴极电连接，所述第三晶体管T3的源极与所述低电压线VSS电连接；
所述第四晶体管T4的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第四晶体管T4的源电极与所述存储电容C1的第一端电连接，所述第四晶体管T4的漏极与所述驱动晶体管T0的栅极电连接；
所述第五晶体管T5的栅极与所述扫描线S0电连接，所述第五晶体管T5的源极与所述数据线D0电连接，所述第五晶体管T5的漏极与所述存储电容C1的第一端电连接；
所述存储电容C1的第二端与所述驱动晶体管T0的源极电连接；
所述第六晶体管T6的栅极与所述第一发光控制线E1电连接，所述第六晶体管T6的源极与高电压线VDD电连接，所述第六晶体管T6的漏极与所述驱动晶体管T0的源极电连接；
所述第七晶体管T7的栅极与所述扫描线S0电连接，所述第七晶体管T7的源极与所述参考电压线R0电连接，所述第七晶体管T7的漏极与所述驱动晶体管T0的栅极电连接；
所述驱动晶体管T0的栅极与第一节点N1电连接，所述驱动晶体管T0的源极与第三节点N3电连接，所述驱动晶体管T0的漏极与第四节点N4电连接；
C1的第一端与第二节点N2电连接，O1的阴极与第五节点N5电连接。
在图7所示的像素电路的至少一实施例中，T7、T5、T1和T2都为氧化物薄膜晶体管，T0、T3、T4和T6都为低温多晶硅薄膜晶体管；
T7、T5、T1和T2为n型晶体管，T0、T3、T4和T6为p型晶体管。
在图7所示的像素电路的至少一实施例中，T7与N1电连接，T5与存储电容C1电连接，将T7和T5替换为氧化物薄膜晶体管后漏电流减小，可以实现低频驱动；
将T1和T2替换为氧化物薄膜晶体管后，T1的栅极和T2的栅极改为与第一发光控制线E1电连接，由于实际应用过程中，E1提供的第一发光控制信号的脉宽远远长于S0提供的扫描信号的脉宽，因而给O1的阳极施加负电压的时间会延长，更有利于提高O1的寿命。
在图7所示的像素电路的至少一实施例中，VDD提供的高电压信号的电压值为VD，VSS提供的低电压信号的电压值为VS，T0的阈值电压为Vth。
如图8所示，本公开如图7所示的像素电路的至少一实施例在工作时，显示周期可以包括先后设置的复位阶段t1、数据写入阶段t2和发光阶段t3，
在复位阶段t1开始前，E1提供低电压信号，T6打开，以使得N3的电 位为VD；
在复位阶段t1，E1提供高电压信号，T6关断；S0提供低电压信号，T1和T2打开，以将VSS提供的低电压信号写入N4，将R0提供的参考电压Vr写入N5，所述低电压信号的电压值VS小于Vr的电压值，从而逆向充电；
在数据写入阶段t2，E1和S0都提供高电压信号，D0提供数据电压Vd，T5打开，以将Vd写入N2，T7、T1和T2都打开，以将Vr写入N1和N5，将VSS提供的低电压信号写入N4，所述低电压信号的电压值VS小于Vr的电压值，实现逆向充电的过程；
在数据写入阶段t2，N1接入Vr，T0打开，T1打开，通过向VSS放电而逐渐降低N3的电压，直至N3的电位变为Vr-Vth，T0关断，以完成阈值电压补偿；
在发光阶段t3，E1提供低电压信号，S0提供低电压信号，T4打开，T6、T0和T3打开，T0驱动O1发光；
在发光阶段t3，N3的电位由Vr-Vth恢复至VD，由于存储电容C1的自举作用，N2的电位变为Vd-Vr+Vth+VD，由于T4打开，N1的电位也为Vd-Vr+Vth+VD；
在发光阶段t3，T0驱动O1发光的驱动电路的电流值I的计算公式如下：
I＝K(V N1-V N3-Vth) 2＝K(Vd-Vr+Vth+VD-VD-Vth) 2＝K(Vd-Vr) 2；
其中，V N1为N1在发光阶段t3的电位，V N2为N2在发光阶段t3的电位，K为T0的电流系数；
Figure PCTCN2021121743-APPB-000004
μ为空穴载流子的迁移率，Cox为栅绝缘层单位面积电容，W/L为T0的宽长比。
由以上公式可知，I仅与Vd和Vr相关，与VD和Vth无关。
本公开如图7所示的像素电路的至少一实施例在工作时，在数据写入阶段t2与发光阶段t3之间的间隔阶段，E1提供高电压信号，S0提供低电压信号，T1和T2都打开，以将Vr写入N5，将VSS提供的低电压信号写入N4，所述低电压信号的电压值VS小于Vr的电压值，实现逆向充电的过程。
如图9所示，对图7所示的像素电路的至少一实施例进行仿真而得到的N4的电位VN4和N6的电位VN5可知，在E1提供的第一发光控制信号的电 位为高电压时，O1的阳极电压小于O1的阴极电压，O1的反向电压施加时间更长，更有利于提高O1的寿命。
本公开至少一实施例所述的驱动方法，应用于上述的像素电路，显示周期包括先后设置的数据写入阶段和发光阶段，所述驱动方法包括：
在所述数据写入阶段，数据写入电路在扫描信号的控制下，将数据电压写入储能电路的第一端，第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线提供参考电压至发光元件的第二电极；第一控制电路在第一控制信号的控制下，将第一电压线提供的第一电压信号写入发光元件的第一电极；
在所述发光阶段，第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通，第一发光控制电路在第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件的第二电极与所述第二电压线之间连通，驱动电路在其控制端的电位的控制下，驱动发光元件发光。
在本公开至少一实施例所述的驱动方法中，在数据写入阶段，第一控制电路在第一控制信号的控制下，将第一电压线提供的第一电压信号写入发光元件的第一电极，第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线提供参考电压至发光元件的第二电极，所述发光元件的第一电极可以为阳极，所述发光元件的第二电极可以为阴极，通过将第一电压信号的电压值设置为小于所述参考电压的电压值，可以控制向发光元件时间反向电压，实现逆向充电的过程，利于提升发光元件的寿命。
在本公开至少一实施例中，所述像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；显示周期还包括设置于所述数据写入阶段之前的复位阶段；所述驱动方法还包括：
在复位阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通；
在数据写入阶段，初始控制电路在初始控制信号的控制下，控制将参考电压写入所述驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路能够在其控制端的电位的控制下，导通所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间的连接，以改变所述驱动电路的第一端的电位，直至所述驱动电路关断，以完成阈值电压补偿；
在发光阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通。
在本公开至少一实施例所述的驱动方法中，在数据写入阶段，第一控制电路在第一控制信号的控制下，将第一电压线提供的第一电压信号写入发光元件的第一电极，第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线提供参考电压至发光元件的第二电极，所述发光元件的第一电极可以为阳极，所述发光元件的第二电极可以为阴极，通过将第一电压信号的电压值设置为小于所述参考电压的电压值，可以控制向发光元件时间反向电压，实现逆向充电的过程，利于提升发光元件的寿命。
本公开至少一实施例所述的驱动方法，应用于上述的像素电路，显示周期包括先后设置的复位阶段、数据写入阶段和发光阶段，所述驱动方法包括：
在复位阶段和数据写入阶段，第一控制电路在第一控制信号的控制下，控制将第一电压信号写入发光元件的第一电极，第二控制电路在第二控制信号的控制下，将参考电压写入发光元件的第二电极；
在数据写入阶段，数据写入电路在扫描信号的控制下，将数据电压写入储能电路的第一端；
在发光阶段，第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通；第一发光控制电路在第一发光控制信号的控制下，控制发光元件的第二电极与第一电压线之间连通，驱动电路驱动发光元件发光。
在本公开至少一实施例所述的驱动方法中，在复位阶段和数据写入阶段，第一控制电路在第一控制信号的控制下，将第一电压线提供的第一电压信号写入发光元件的第一电极，第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线提供参考电压至发光元件的第二电极，所述发光元件的第一电极可以为阳极，所述发光元件的第二电极可以为阴极，通过将第一电压信号的电压值设置为小于所述参考电压的电压值，可以控制向发光元件时间反向电压，实现逆向充电的过程，利于提升发光元件的寿命。
在本公开至少一实施例中，所述像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；所述驱动方法还包括：
在数据写入阶段，初始控制电路在初始控制信号的控制下，将参考电压写入驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路能够在其控制端的电位的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间连通，以改变所述驱动电路的第一端的电位，直至所述驱动电路关断，以完成阈值电压补偿；
在发光阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通。
本公开实施例所述的显示基板包括上述的像素电路。
图10是本公开至少一实施例所述的显示基板的膜层堆叠图。本公开至少一实施例采用现有的堆叠结构和技术工艺，成本无变化。
如图10所示，本公开至少一实施例所述的显示基板包括第一基底901、第一绝缘层911、第二基底902、第二绝缘层912、缓冲层92、第一半导体层93、第一栅绝缘层94、第一栅金属层95、第二栅绝缘层96、第二栅金属层97、层间介质层98、源漏金属层99、平坦层910、阳极层911、像素界定层912、发光材料层913和阴极层914；
在图10中，标号为915的为隔垫柱。
如图10所示，源漏金属层99中的电流可以留到阳极层，然后施加到发光元件的阳极，源漏金属层99中的电流也可以流入阳极层，再流入到发光元件的阴极，从而实现TFT(薄膜晶体管)同时控制发光元件的阳极电压和发光元件的阴极电压。
在图10所示的显示基板的至少一实施例中，第一基底901和第二基底902可以为柔性PI(聚酰亚胺)膜；
所述第一绝缘层911和所述第二绝缘层912可以为无机层，例如，所述第一绝缘层911和所述第二绝缘层912可以由SiOx制成；
所述第一半导体层93可以由P-Si(多晶硅)制成；
所述第一栅绝缘层94和所述第二栅绝缘层96可以为无机层，例如，所述第一栅绝缘层94和所述第二栅绝缘层96可以由SiO2制成；
所述第一栅金属层95和所述第二栅金属层97可以由Mo制成；
所述层间介质层98可以为无机层，例如，所述层间介质层98可以由SiO2 或SiOx制成；
所述平坦层910可以为有机层，例如，所述有机层可以为PI层。
在图10所示的显示基板的至少一实施例中，低电压线可以形成于源漏金属层99，但不以此为限。
在本公开至少一实施例中，所述无机层可以是氮化硅，氧化硅，氮氧化硅中的一层或者多层叠层，但不以此为限。
本公开实施例所述的显示装置包括上述的显示基板。
本公开实施例所提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本公开的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。

Claims (14)

  1. 一种像素电路，包括驱动电路、发光元件、第一发光控制电路、第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路、数据写入电路和储能电路；
    所述第一控制电路分别与第一控制线、第一电压线和所述驱动电路的第二端电连接，用于在所述第一控制线提供的第一控制信号的控制下，控制所述第一电压线与所述发光元件的第一电极之间连通；
    第一发光控制电路分别与第一发光控制线、所述发光元件的第二电极和第一电压线电连接，用于在第一发光控制线提供的第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件的第二电极与所述第一电压线之间连通；
    所述第二控制电路分别与第二控制线、参考电压线和所述发光元件的第二电极电连接，用于在所述第二控制线提供的第二控制信号的控制下，控制所述参考电压线与所述发光元件的第二电极之间连通；
    所述第三控制电路分别与第三控制线、所述储能电路的第一端和所述驱动电路的控制端电连接，用于在所述第三控制线提供的第三控制信号的控制下，控制所述储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通；
    所述数据写入电路分别与扫描线、数据线和所述储能电路的第一端电连接，用于在所述扫描线提供的扫描信号的控制下，控制将所述数据线上的数据电压写入所述储能电路的第一端；
    所述储能电路的第二端与所述驱动电路的第一端电连接，所述储能电路用于储存电能；
    所述驱动电路的第二端与所述发光元件的第一电极电连接；所述驱动电路用于在其控制端的电位的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间连通。
  2. 如权利要求1所述的像素电路，其中，还包括第二发光控制电路和初始控制电路；
    所述第二发光控制电路分别与第二发光控制线、第二电压线和所述驱动电路的第一端电连接，用于在所述第二发光控制线提供的第二发光控制信号的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述第二电压线之间连通；
    所述初始控制电路分别与初始控制线、所述驱动电路的控制端与所述参考电压线电连接，用于在所述初始控制线提供的初始控制信号的控制下，控制所述参考电压线与所述驱动电路的控制端之间连通。
  3. 如权利要求2所述的像素电路，其中，所述像素电路包括的晶体管都为p型晶体管，所述第三控制线和所述第一发光控制线为同一信号线；所述第一控制线、所述第二控制线、所述扫描线和所述初始控制线为同一信号线。
  4. 如权利要求2所述的像素电路，其中，所述第一发光控制电路包括的晶体管和所述第二发光控制电路包括的晶体管为p型晶体管；所述第三控制电路包括的晶体管为p型晶体管，所述第二控制电路包括的晶体管为n型晶体管；第一发光控制线、第二发光控制线、第二控制线和第三控制线为同一信号线；
    所述数据写入电路包括的晶体管为n型晶体管，所述初始控制电路包括的晶体管为n型晶体管，所述扫描线和所述初始控制线为同一信号线。
  5. 如权利要求1至4中任一权利要求所述的像素电路，其中，所述第一控制电路包括第一晶体管，所述第二控制电路包括第二晶体管，所述第一发光控制电路包括第三晶体管；
    所述第一晶体管的控制极与所述第一控制线电连接，所述第一晶体管的第一电极与所述第一电压线电连接，所述第一晶体管的第二电极与所述驱动电路的第二端电连接；
    所述第二晶体管的控制极与所述第二控制线电连接，所述第二晶体管的第一电极与所述参考电压线电连接，所述第二晶体管的第二电极与所述发光元件的第二电极电连接；
    所述第三晶体管的控制极与所述第一发光控制线电连接，所述第三晶体管的第一电极与所述第一电压线电连接，所述第三晶体管的第二电极与所述发光元件的第二电极电连接。
  6. 如权利要求1至4中任一权利要求所述的像素电路，其中，所述第三控制电路包括第四晶体管，所述数据写入电路包括第五晶体管，所述储能电路包括存储电容；
    所述第四晶体管的控制极与所述第三控制线电连接，所述第四晶体管的 第一电极与所述存储电容的第一端电连接，所述第四晶体管的第二电极与所述驱动电路的控制端电连接；
    所述第五晶体管的控制极与所述扫描线电连接，所述第五晶体管的第一电极与所述数据线电连接，所述第五晶体管的第二电极与所述存储电容的第一端电连接；
    所述存储电容的第二端与所述驱动电路的第一端电连接。
  7. 如权利要求2至4中任一权利要求所述的像素电路，其中，所述第二发光控制电路包括第六晶体管，所述初始控制电路包括第七晶体管；
    所述第六晶体管的控制极与所述第二发光控制线电连接，所述第六晶体管的第一电极与所述第二电压线电连接，所述第六晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极电连接；
    所述第七晶体管的控制极与所述初始控制线电连接，所述第七晶体管的第一电极与所述参考电压线电连接，所述第七晶体管的第二电极与所述驱动电路的控制端电连接。
  8. 如权利要求1至4中任一权利要求所述的像素电路，其中，所述驱动电路包括驱动晶体管；
    所述驱动晶体管的控制极为所述驱动电路的控制端，所述驱动晶体管的第一电极为所述驱动电路的第一端，所述驱动电路的第二电极为所述驱动电路的第二端。
  9. 一种驱动方法，应用于如权利要求1至8中任一权利要求所述的像素电路，显示周期包括先后设置的数据写入阶段和发光阶段，所述驱动方法包括：
    在所述数据写入阶段，数据写入电路在扫描信号的控制下，将数据电压写入储能电路的第一端，第二控制电路在第二控制信号的控制下，控制将参考电压线提供参考电压至发光元件的第二电极；第一控制电路在第一控制信号的控制下，将第一电压线提供的第一电压信号写入发光元件的第一电极；
    在所述发光阶段，第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通，第一发光控制电路在第一发光控制信号的控制下，控制所述发光元件的第二电极与所述第一电压线之间 连通，驱动电路在其控制端的电位的控制下，驱动发光元件发光。
  10. 如权利要求9所述的驱动方法，其中，所述像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；显示周期还包括设置于所述数据写入阶段之前的复位阶段；所述驱动方法还包括：
    在复位阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通；
    在数据写入阶段，初始控制电路在初始控制信号的控制下，控制将参考电压写入所述驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路能够在其控制端的电位的控制下，导通所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间的连接，以改变所述驱动电路的第一端的电位，直至所述驱动电路关断；
    在发光阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通。
  11. 一种驱动方法，应用于如权利要求1至8中任一权利要求所述的像素电路，显示周期包括先后设置的复位阶段、数据写入阶段和发光阶段，所述驱动方法包括：
    在复位阶段和数据写入阶段，第一控制电路在第一控制信号的控制下，控制将第一电压信号写入发光元件的第一电极，第二控制电路在第二控制信号的控制下，将参考电压写入发光元件的第二电极；
    在数据写入阶段，数据写入电路在扫描信号的控制下，将数据电压写入储能电路的第一端；
    在发光阶段，第三控制电路在第三控制信号的控制下，控制储能电路的第一端与所述驱动电路的控制端之间连通；第一发光控制电路在第一发光控制信号的控制下，控制发光元件的第二电极与第一电压线之间连通，驱动电路驱动发光元件发光。
  12. 如权利要求11所述的驱动方法，其中，所述像素电路还包括第二发光控制电路和初始控制电路；所述驱动方法还包括：
    在数据写入阶段，初始控制电路在初始控制信号的控制下，将参考电压写入驱动电路的控制端，以使得在所述数据写入阶段开始时，所述驱动电路 能够在其控制端的电位的控制下，控制所述驱动电路的第一端与所述驱动电路的第二端之间连通，以改变所述驱动电路的第一端的电位，直至所述驱动电路关断；
    在发光阶段，第二发光控制电路在第二发光控制信号的控制下，控制第二电压线与所述驱动电路的第一端之间连通。
  13. 一种显示基板，包括如权利要求1至8中任一权利要求所述的像素电路。
  14. 一种显示装置，包括如权利要求13所述的显示基板。
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