CN116193938A - 显示基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示基板和显示面板，属于显示技术领域。本公开的显示基板划分显示区和周边区；所述显示基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的发光器件和光电转换器件；所述发光器件位于所述显示区，所述光电转换器件位于所述周边区，且所述光电转换器件被配置为对外界环境光进行检测，将光信号转化为电信号传输给驱动电路板，以供所述驱动电路板对所述发光器件的发光亮度进行调整；其中，所述发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光层和第二电极；所述光电转换器件包括沿靠近所述衬底基板方向依次设置的第三电极、光电转换材料层和第四电极，且所述第二电极和第四电极同层设置且材料相同。

Description

显示基板和显示面板

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板和显示面板。

背景技术

显示设备通常设置有光电传感器，光电传感器用于检测环境光，显示设备可以通过检测的环境光亮度对显示的亮度进行调整。现有技术中，光电传感器通常设置在显示基板的显示区，为了不影响显示效果，光电传感器通常位于多个像素单元的下方，光线需要穿过各像素单元之间的间隔才能照射到光电传感器上。然而，随着显示设备的像素密度越来越大，其像素单元之间的距离也越来越近，光线透过率降低，位于像素单元下方的光电传感器无法接收足够的光线，导致光电传感器无法正常工作。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板和显示面板。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，所述显示基板划分显示区和周边区；所述显示基板包括：

衬底基板，位于所述衬底基板上的发光器件和光电转换器件；所述发光器件位于所述显示区，所述光电转换器件位于所述周边区，且所述光电转换器件被配置为对外界环境光进行检测，将光信号转化为电信号传输给驱动电路板，以供所述驱动电路板对所述发光器件的发光亮度进行调整；其中，

所述发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光层和第二电极；所述光电转换器件包括沿靠近所述衬底基板方向依次设置的第三电极、光电转换材料层和第四电极，且所述第二电极和第四电极同层设置且材料相同。

其中，所述周边区包括位于所述显示区一侧的扇出区；所述光电转换器件的第三电极通过贯穿所述扇出区的扇出走线与所述驱动电路板电连接。

其中，在所述光电转换器件的第四电极靠近所述衬底基板的一侧设置有转接电极，所述转接电极位于扇出区，所述第三电极通过贯穿所述光电转换材料层和所述第四电极的第一过孔与所述转接电极电连接，并通过所述转接电极电连接所述扇出走线。

其中，所述第三电极具有与所述第一过孔对应的第二过孔，且所述第二过孔具有沿背离衬底方向相对设置的第一口部和第二口部，所述第一口部和第二口部与所述连接电极接触。

其中，所述连接电极位于所述扇出区远离所述显示区的一个拐角处。

其中，还包括设置在所述第一电极靠近所述衬底基板一侧的驱动电路层；所述驱动电路层包括多层导电层，所述转接电极包括至少一个子转接部，一个所述子转接部位于一层所述导电层。

其中，所述周边区环绕所述显示区设置，所述光电转换器件的第三电极、光电转换材料层和第四电极均环绕所述显示区设置。

其中，所述第二电极和所述第四电极为一体成型结构。

其中，在所述周边区还设置有栅极驱动电路。

第二方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，其包括上述中任一所述的显示基板。

附图说明

图1为现有技术中显示基板的结构示意图；

图2为图1中A-A’部分的截面图；

图3为本公开实施例提供的一种显示基板示意图；

图4为图3的B-B’部分截面图；

图5为本公开中的光电转换器件的结构示意图；

图6为本公开中的发光器件的结构示意图；

图7为本公开实施例提供的另一种显示基板示意图；

图8为本公开实施例提供的一种光电转换器件连接方式示意图；

图9为本公开实施例提供的另一种光电转换器件连接方式示意图；

图10为本公开实施例提供的扇出区截面示意图；

图11为一种示例性的像素驱动电路的结构示意图；

图12为图11所示的像素驱动电路的一种驱动时序图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

显示设备通常设置有光电传感器，光电传感器用于检测环境光，显示设备可以通过检测的环境光亮度对显示的亮度进行调整。图1为现有技术中显示基板的结构示意图，图2为图1中A-A’部分的截面图，如图1、2所示，光电传感器3’设置在显示基板1的显示区Q1，为了不影响显示效果，光电传感器3’通常位于多个像素单元的下方，光线需要穿过各像素单元之间的间隔才能照射到光电传感器3’上。具体的，像素单元包括位于衬底基板10依次设置的像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路设置在驱动电路层8上；发光器件包括沿背离衬底基板10方向依次设置的第一电极21、发光层23和第二电极22，环境光光线需要穿过显示面板上的偏光层POL，像素单元中发光器件的第二电极22以及像素驱动电路才可以照射到光电传感器3’上。随着显示设备的像素密度越来越大，其像素单元之间的距离也越来越近，像素驱动电路和第一电极21的面积也会随之增大，导致光线透过率降低。显示基板1的白光透过率已经不足以使光电传感器3’正常工作，会导致显示设备检测环境光失败或不准确。将光电传感器3’在显示基板1上制作时，需要对部分膜层进行打孔，例如对散热膜进行打孔，会导致显示基板1的可靠性降低，并且光电传感器3’会占用显示基板1的部分空间，导致其他组件在制作时可能会减少可用空间，例如减小电池，导致显示设备最大电量下降等问题。光电传感器3’通常采用无机材料构成，例如由光电二极管集成的光电传感器3’，其需要一个驱动电路并且可检测区域较小，因此采用无机的光电传感器3’增加了电路的复杂程度并且达不到良好的检测效果。

鉴于此，本公开实施例提供一种显示基板1，其包括显示区Q1和周边区Q2，将用于检测环境光的器件制作在周边区Q2，用有机光伏材料制作的光电转换器件3替代现有的光电传感器3’，并且光电转换器件3的阴极可以和发光器件的阴极共用同一个导电层并制作成一体结构，因此在对结构进行改进的过程中不会增加制作难度和成本。

以下结合具体实施例和附图对本公开中的显示基板和显示面板进行进一步具体说明。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，图3为本公开实施例提供的一种显示基板示意图，图4为图3的B-B’部分截面图，如图3、4所示，显示基板1划分显示区Q1和周边区Q2，显示基板1包括：衬底基板10，位于衬底基板10上的发光器件和光电转换器件3；发光器件位于显示区Q1，光电转换器件3位于周边区Q2，且光电转换器件3被配置为对外界环境光进行检测，将光信号转化为电信号传输给驱动电路板4，以供驱动电路板4对发光器件的发光亮度进行调整。其中，驱动电路板4通过转接板与显示基板1连接，并且通过连接焊盘和引出导线将扇出走线5和驱动电路板4电连接(图中未示出)。将发光器件和光电转换器件3分区设置，光电转换器件3制作在周边区Q2，其不会受到显示区Q1透过率的影响，直接接收环境光，显示区Q1也无需在部分膜层打孔，导致整体结构被破坏。当环境光的强度较大时，光电转换器件3转换得到的电压相对较大，当环境光的强度较小时，光电转换器件3转换得到的电压相对较小，驱动电路板4接收到光电转换器件3转换的电压，根据电压大小判断出环境光照的强度，进而对显示亮度进行调整。具体的，发光器件包括沿背离衬底基板10方向依次设置的第一电极21、发光层23和第二电极22；光电转换器件3包括沿靠近衬底基板10方向依次设置的第三电极、光电转换材料层和第四电极，且第二电极22和第四电极同层设置且材料相同。在衬底基板10上，沿背离衬底基板10方向依次设置第一电极21、发光层23、第二电极22/第四电极、光电转换材料层和第三电极。在制作过程中，将光电转换器件3的第四电极与发光器件的第二电极22同层设置，可以减少掩膜版和绝缘层材料的成本，也不会增加过多的额外工艺。

需要说明的是，第三电极的材料可以是银，也可以是其他一种或者几种可透光金属用作第三电极的材料。在本公开实施例中，不对第一电极21、第二电极22、第三电极和第四电极的具体材料做具体的限定，相关领域技术人员可以根据产品的实际情况进行调整。

进一步的，将发光器件的第二电极22和光电转换器件3的第四电极制作成一体成型结构。显示区Q1的各个发光器件可以共用第二电极22，并且延伸至周边区Q2，用于与周边区Q2的扇出走线5电连接，并接收加载在阴极的参考电压。在制作过程中，在制作第二电极22的同时制作第四电极，使其为一体结构；又或者在制作第二电极22时，一定程度的预留出一部分电极，预留的部分用作第四电极；在第四电极上直接制作光电转换材料层和第三电极。通常在第四电极上采用蒸镀的方式制作光电转换材料层和第三电极，其有较大的覆盖面积，且宽度达到了毫米级，在蒸镀的过程中，对位难度低，因此不需要昂贵的制造费用。

图5为本公开中的光电转换器件的结构示意图，如图5所示，光电转换器件3中除了沿靠近衬底基板10依次设置的第三电极、光电转换材料层和第四电极之外，还包括其他有机功能层，例如电子传输层ETL和空穴传输层HTL。光电转换材料层通常采用光伏材料，其可以是吡啶，嘧啶，三嗪环类物质等任一有机材料用作主体材料，在主体材料中掺杂富勒烯衍生物或酞菁类化合物等任一物质用作客体材料，其中主体材料用作电子的给体，客体材料用作电子的受体。光电转换器件3在光照下将光信号转换为电信号，在第四电极施加的参考电压的作用下，形成回路，将由光信号转换的电信号从第三电极输出。其中，第三电极用作光电转换器件3的阳极，第四电极用作光电转换器件3的阴极。

图6为本公开中的发光器件的结构示意图，如图6所示，发光器件除了沿背离衬底基板10设置的第一电极21、发光层23和第二电极22还包括其他有机功能层，沿第一电极21至第二电极22依次设置有空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL和电子传输层ETL。其中，发光层23的材料包括主体材料和用于改善发光效果的客体材料。其中，第一电极21用作发光器件的阳极，第二电极22用作发光器件的阴极。

需要说明的是，本公开实施例中给出的发光器件的结构和光电转换装置的结构仅仅起到示例作用，不对发光器件的结构和光电转换装置的结构以及发光层23材料和光电转换材料层的材料进行具体限定，相关领域技术人员可以根据实际的情况进行调整。

在一些示例中，继续参考图3，显示基板1的周边区Q2环绕显示区Q1设置，位于周边区Q2的光电转换器件3的第三电极、光电转换材料层和第四电极均环绕显示区Q1设置。光电转换器件3设置在显示基板1的四周，增大了光电转换器件3的面积，当部分区域被遮挡的时，其他区域依旧可以接收环境光线，并且接收的光线更加的均匀，使驱动电路板4更加准确的根据接收到的电压大小调整显示亮度。

需要说明的是，驱动电路板4上包括用于读取光电转换器件3转换的电信号并根据电信号调整显示亮度的处理器；还包括用于指纹识别的处理器、用于向显示基板1提供电源信号或参考信号的可编译电源管理模块等各种功能模块；上述模块可以是分开设计，也可以集成在一块芯片上。在本公开实施例中，不对驱动电路板4上的具体设计进行限定，相关领域技术人员可以根据实际情况进行调整。

在一些示例中，继续参考图3，显示基板1的周边区Q2包括位于显示区Q1一侧的扇出区Q3；光电转换器件3的第三电极通过贯穿扇出区Q3的扇出走线5与驱动电路板4电连接。扇出区Q3除了用于将光电转换器件3的第三电极和驱动电路板4电连接的扇出走线5，还包括用于将第二电极22/第四电极和驱动电路板4电连接并传输参考电压信号的扇出走线(图中未示出)。

进一步的，如图7、8所示，在光电转换器件3的第四电极靠近衬底基板10的一侧设置有转接电极6，转接电极6位于扇出区Q3，第三电极通过贯穿光电转换材料层和第四电极的第一过孔71与转接电极6电连接，并通过转接电极6电连接扇出走线5。为了使第三电极和扇出走线5可以有一个稳定且可靠的连接，在第三电极和扇出走线5之间设置一个转接电极6，第三电极通过第一过孔71与转接电极6接触并实现与扇出走线5电连接。不对第三电极设置开口，直接制作贯穿光电转换材料层和第四电极的第一过孔71，可以简化工艺，方便制作。

在一些示例中，如图3、9所示，第三电极具有与第一过孔71对应的第二过孔72，且第二过孔72具有沿背离衬底方向相对设置的第一口部72a和第二口部72b，第一口部72a和第二口部72b与连接电极接触。在第一过孔71上对应设置一个第二过孔72，第二过孔72可以为第三电极在制作时预留的开口部。第二过孔72相对设置第一口部72a和第二口部72b，其中第一口部72a和第二口部72b对应环状结构的第三电极的两端。

进一步的，连接电极位于扇出区Q3远离显示区Q1的一个拐角处。将转接电极6设置在扇出区Q3的拐角处，在既不会影响到各条扇出走线5的设计，并且不会占用扇出走线5空间的前提下，方便扇出走线5和光电转换器件3的第三电极电连接，用于将第三电极和驱动电路板4电连接的扇出走线5无需设置太长。

在显示基板1的制作过程中，先在扇出区Q3的拐角处制作一个转接电极6；制作完成转接电极6后，制作发光器件的第二电极22和光电转换器件3的第四电极，第二电极22和第四电极可以制作成一体结构，在使用掩膜版制作第二电极22/第四电极时，在转接电极6的正上方不制作第四电极，第四电极位于衬底基板10的正投影与连接电极位于衬底基板10的正投影无重叠；通过蒸镀制作光电转换材料层，光电转换材料层在制作时，同样不制作在转接电极6的正上方，光电转换材料层位于衬底基板10的正投影与连接电极位于衬底基板10的正投影无重叠；第三电极在制作时，其环状结构的两端位于衬底基板10的正投影与转接电极6位于衬底基板10的正投影重叠，第三电极形成的环状结构的两端对应第一口部72a和第二口部72b，其中第一口部72a和第二口部72b通过下搭接的方式和转接电极6电连接。

可理解的是，第一过孔71用于第三电极和扇出走线5电连接，在制作中，第一过孔71中下搭接的电极不与第四电极接触，二者之间设置有绝缘层；或者，光电转换材料层在制作时，在第一过孔71区域将部分光电转换材料沉淀在第四电极对应的第一过孔71区域的侧壁，用做绝缘层。

在一些示例中，如图10所示，显示基板1在上述结构的基础上还包括设置在第一电极21靠近衬底基板10一侧的驱动电路层8。驱动电路层8包括多层导电层，转接电极6包括至少一个子转接部6’，一个子转接部6’位于一层导电层。驱动电路层8设置有像素驱动电路，像素驱动电路和发光器件的第一电极21电连接，用于向发光器件提供驱动电压，驱动电路层8通过至少一条扇出走线5和驱动电路板4电连接。

需要说明的是，驱动电路层8的结构可以根据像素驱动电路的具体结构进行设计，除多个导电层之外，还包括至少一个半导体层，半导体层用于制作晶体管的有源层，在导电层上制作晶体管的栅极、电源信号线、电容的极板等结构。相邻的导电层或导电层和半导体层之间还包括绝缘层用于防止短路。在本公开实施例中，不对驱动电路层8具体结构进行限定，相关领域技术人员可以根据实际情况进行设计和调整。

进一步的，当驱动电路层8包括的导电层的层数较多时，第三电极和用于和驱动电路板4电连接的扇出走线5的落差较大，连接电极需要穿过多个膜层设置，因此可能会影响到结构的稳定性，提高短路的风险。因此，将转接电极6制作成叠层结构，由至少一个转接部6’构成，一个转接部6’对应一个导电层，相邻转接部6’之间设置有绝缘层，且相邻两个转接部6’通过连接过孔连接。扇出走线5与转接电极6中其中一个转接部6’电连接，优选的，扇出走线5与位于最靠近衬底基板10的转接部6’电连接；或者根据扇出走线5的位置设置转接电极6，使转接电极6尽可能穿过较少膜层，减少电信号的损耗。

图11为一种示例性的像素驱动电路的结构示意图，如图11所示，该像素驱动电路包括：第一复位晶体管T1、第二复位晶体管T2、数据写入晶体管T3、驱动晶体管T4、存储电容C、阈值补偿晶体管T5、第一发光控制晶体管T6、第二发光控制晶体管T7和发光器件D。

具体地，第一复位晶体管T1的栅极连接复位信号端Reset，源极连接初始化信号端Vint，漏极连接第一节点N1；第一节点N1为第一复位晶体管T1、驱动晶体管T4、存储电容C、阈值补偿晶体管T5之间的连接点。第二复位晶体管T2的栅极连接复位信号端Reset，源极连接初始化信号端Vint，漏极连接发光器件D的阳极。数据写入晶体管T3的栅极连接扫描信号端Gate，源极连接数据信号端Data，漏极连接驱动晶体管T4的源极。驱动晶体管T4的栅极连接第一节点N1，源极连接数据写入晶体管T3的漏极和第一发光控制晶体管T6的漏极，漏极连接阈值补偿晶体管T5的源极和第二发光控制晶体管T7的源极。存储电容C的一端连接第一电源电压端VDD，另一端连接第一节点N1。阈值补偿晶体管T5的栅极连接扫描信号端Gate，源极连接驱动晶体管T4的漏极，漏极连接第一节点N1。第一发光控制晶体管T6的栅极连接发光控制端EM，源极连接第一电源电压端VDD，漏极连接驱动晶体管T4的源极。第二发光控制晶体管T7的栅极连接发光控制端EM，源极连接驱动晶体管T4的漏极，漏极连接发光器件D的阳极。发光器件D的阳极连接第二发光控制晶体管T7的漏极和第二复位晶体管T2的漏极，阴极连接第二电源电压端VSS。

图12为图11所示的像素驱动电路的一种驱动时序图，如图12所示，像素驱动电路的工作过程分为：复位阶段S1、数据写入阶段S2和发光阶段S3。

在复位阶段S1，复位信号端Reset输入低电平信号，第一复位晶体管T1、第二复位晶体管T2在低电平信号的控制下打开，利用初始化信号端Vint输入的初始化信号(低电平信号)分别对第一节点N1和发光器件D的阳极进行复位，使得第一节点N1和发光器件D的阳极的恢复至较低电位，避免上一帧显示画面输入的高电平数据信号对第一节点N1和发光器件D的阳极造成干扰，影响本次输入的数据信号的准确度。

在数据写入阶段S2，扫描信号端Gate输入低电平信号，数据写入晶体管T3在低电平信号的控制下打开，将数据信号写入驱动晶体管T4的源极，存储电容C将该数据信号进行存储。同时，阈值补偿晶体管T5在低电平信号的控制下打开，驱动晶体管T4在存储电容C存储的数据信号的控制下打开，使得驱动晶体管T4的栅极和漏极连接，驱动晶体管T4处于自饱和状态，此时第一节点N1被写入数据信号和驱动晶体管T4的阈值电压，实现对驱动晶体管T4的阈值电压的补偿。

在发光阶段S3，开关控制信号端EM输入低电平信号，第一发光控制晶体管T6和第二光控制晶体管T7在低电平信号的控制下打开，驱动晶体管T4可以将第一电源电压端VDD的电压转换为驱动电流，使得第一电源电压端VDD与第二电源电压端VSS之间的发光器件D形成电流回路，驱动发光器件D进行发光。

需要说明的是，按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本公开的技术方案，也就是说，在本公开的描述中，第一复位晶体管T1、第二复位晶体管T2、数据写入晶体管T3、驱动晶体管T4、阈值补偿晶体管T5、第一发光控制晶体管T6、第二发光控制晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型MOS晶体管)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。

需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。

需要说明的是，在本公开实施例中，子像素的像素电路除了可以为图11所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管的结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构，本公开实施例对此不作限定。

在一些示例中，显示基板1的周边区Q2还设置有栅极驱动电路，栅极驱动电路通常设置在周边区Q2的侧边部位，其制作是与驱动电路层8同层，栅极驱动电路与驱动电路层8电连接，用于向驱动电路层8中的像素驱动电路提供控制信号，例如，向驱动电路层8中的像素驱动电路中晶体管的控制极提供控制信号，以控制晶体管的开启和关闭。

在一些示例中，显示基板1的周边区Q2还包括在光电转换器件3远离显示区Q1一侧设置的至少一个阻挡壁9，阻挡壁9制作在光电转换器件3远离显示区Q1一侧。阻挡壁9的高度需至少大于发光器件的发光层23的高度，阻挡壁9可以用于阻挡水汽，氧气等，以防止发光器件的发光层23受到影响。在周边区Q2采用化学气象沉积法进行封装，用于封装的的材料可以是亚克力等材料，在此不做具体的限定。

第二方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，其包括上述中任一显示基板1，显示面板可以用于手机、手表、平板和笔记本电脑等显示设备。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板划分显示区和周边区；所述显示基板包括：

衬底基板，位于所述衬底基板上的发光器件和光电转换器件；所述发光器件位于所述显示区，所述光电转换器件位于所述周边区，且所述光电转换器件被配置为对外界环境光进行检测，将光信号转化为电信号传输给驱动电路板，以供所述驱动电路板对所述发光器件的发光亮度进行调整；其中，

所述发光器件包括沿背离所述衬底基板方向依次设置的第一电极、发光层和第二电极；所述光电转换器件包括沿靠近所述衬底基板方向依次设置的第三电极、光电转换材料层和第四电极，且所述第二电极和第四电极同层设置且材料相同。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述周边区包括位于所述显示区一侧的扇出区；所述光电转换器件的第三电极通过贯穿所述扇出区的扇出走线与所述驱动电路板电连接。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在所述光电转换器件的第四电极靠近所述衬底基板的一侧设置有转接电极，所述转接电极位于扇出区，所述第三电极通过贯穿所述光电转换材料层和所述第四电极的第一过孔与所述转接电极电连接，并通过所述转接电极电连接所述扇出走线。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第三电极具有与所述第一过孔对应的第二过孔，且所述第二过孔具有沿背离衬底方向相对设置的第一口部和第二口部，所述第一口部和第二口部与所述连接电极接触。

5.根据权利要求3或4所述的显示基板，其特征在于，所述连接电极位于所述扇出区远离所述显示区的一个拐角处。

6.根据权利要求3或4所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第一电极靠近所述衬底基板一侧的驱动电路层；所述驱动电路层包括多层导电层，所述转接电极包括至少一个子转接部，一个所述子转接部位于一层所述导电层。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述周边区环绕所述显示区设置，所述光电转换器件的第三电极、光电转换材料层和第四电极均环绕所述显示区设置。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极和所述第四电极为一体成型结构。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述周边区还设置有栅极驱动电路。

10.一种显示面板，其包括权利要求1-9中任一项所述的显示基板。

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