CN116192085A - 横向激发体声波谐振器 - Google Patents

横向激发体声波谐振器 Download PDF

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CN116192085A CN202310138148.0A CN202310138148A CN116192085A CN 116192085 A CN116192085 A CN 116192085A CN 202310138148 A CN202310138148 A CN 202310138148A CN 116192085 A CN116192085 A CN 116192085A
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俞振一
傅肃磊
张帅
王为标
刘平
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Wuxi Haoda Electronic Co ltd
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Abstract

本申请关于一种横向激发体声波谐振器。本申请提供的横向激发体声波谐振器的叉指换能器电极,即第一电极指和第二电极指均包括集成于压电层上的第一电极层,以及集成于第一电极层上的第二电极层,当第二电极层的材料密度ρ2大于第一电极层的材料密度ρ1,且满足关系式2×ρ1×H1<ρ2×H2时,可以很好抑制该类声波器件的寄生模式。相应地,包含这种横向激发体声波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以减轻寄生响应带来的性能恶化。本申请提供的技术方案为横向激发声波设备提供了一种抑制寄生模式的简单方法,在设计中易于使用,工艺上也很容易实现,解决了现有技术存在的横向激发体声波谐振器寄生模式恶化器件性能的问题。

Description

横向激发体声波谐振器
技术领域
本申请涉及射频滤波器技术领域,特别涉及一种横向激发体声波谐振器。
背景技术
在限于MEMS加工精度、无法再大幅度调小叉指换能器电极指条宽度的背景下,基于压电材料薄膜的横向激发体声波滤波器具有比常规声表面波滤波器高的多的工作频率,有望满足5G通讯对高频大带宽滤波器的现实需求;而且,该类器件具有更大的机电耦合系数,易于实现更大带宽的滤波器。所以这类器件适宜于Sub-6 GHz通讯频段的应用,如5G通信中用到的N77、N78、N79以及wifi6的频段。
然而,横向激发体声波谐振器通常带有诸多寄生问题,例如高阶杂波响应。横向激发体声波谐振器的这些高阶杂波响应导致由其搭建的滤波器出现带外抑制性能和带内波动性能恶化,甚至导致滤波器不可用。因此,业界正尝试各种手段来抑制这些高阶寄生响应。
发明内容
本申请的目的是提供一种横向激发体声波谐振器,以解决上述现有技术存在的横向激发体声波谐振器横向模式恶化器件性能的问题。
为实现上述目的,本申请采用的技术方案为:
一方面,本申请提供了一种横向激发体声波谐振器,包括基板,位于所述基板上的压电层以及位于所述压电层上的叉指换能器电极;所述叉指换能器电极包括电极指部和汇流条部;所述电极指部包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指;所述汇流条部包括在所述第一电极指和所述第二电极指的延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条;多根所述第一电极指的一端与所述第一汇流条直接连接,另一端与所述第二汇流条间隔对置;多根所述第二电极指的一端与所述第二汇流条直接连接,另一端与所述第一汇流条间隔对置;
所述电极指部包括直接位于所述压电层上的电极指部第一电极层和直接位于所述电极指部第一电极层上的电极指部第二电极层;
其中,所述电极指部第一电极层的材料密度ρ1和膜厚H1、所述电极指部第二电极层的材料密度ρ2和膜厚H2之间满足关系式:
ρ1<ρ2和2×ρ1×H1<ρ2×H2。
在一种可能的实现方式中,所述叉指换能器电极的周期p满足关系式:
p≥10000/f0
其中,f0为所述叉指换能器电极的谐振点频率,f0的单位是赫兹。
在一种可能的实现方式中,所述压电层的下方具有声学反射器,用于反射在所述压电层中传播的声波。
在一种可能的实现方式中,所述声学反射器为空腔。
在一种可能的实现方式中,所述声学反射器为布拉格声学反射器,所述布拉格声学反射器包括多个低声阻抗膜层和多个高声阻抗膜层,多个所述低声阻抗膜层与多个所述高声阻抗膜层间隔布置。
在一种可能的实现方式中,所述电极指部第一电极层和所述电极指部第二电极层的电极层材料为纯金属或合金。
在一种可能的实现方式中,在所述第一电极层和所述第二电极层中,至少有一个电极层的电极材料的电阻率小于1.0×10-6Ω·m。
在一种可能的实现方式中,所述电极指部第一电极层包括分别由不同的金属材料构成的n个子层,其中n≥2;
其中,所述电极指部第一电极层的材料密度ρ1与膜厚H1的乘积,等于所述电极指部第一电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和。
在一种可能的实现方式中,所述电极指部第二电极层包括分别由不同的金属材料构成的n个子层,其中n≥2;
其中,所述电极指部第二电极层的材料密度ρ2与膜厚H2的乘积,等于所述电极指部第二电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和。
另一方面,本申请提供了一种模组,包括如上任一所述的横向激发体声波谐振器。
另一方面,本申请提供了一种滤波器,包括如上任一所述的横向激发体声波谐振器。
另一方面,本申请提供了一种通信装置,包括如上任一所述的横向激发体声波谐振器。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
本申请提供的叉指电极,即第一电极指和第二电极指均包括集成于压电层上的第一电极层,以及集成于第一电极层上的第二电极层,第二电极层的材料密度ρ2大于第一电极层的材料密度ρ1,且当满足上述关系式2×ρ1×H1<ρ2×H2时,可以很好抑制该类声波结构的寄生模式。相应地,包含这种横向激发体声波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以减轻寄生响应带来的性能恶化。本申请提供的技术方案为横向激发声波设备提供了一种抑制寄生模式的简单方法,在设计中易于使用,工艺上也很容易实现,解决了现有技术存在的横向激发体声波谐振器寄生模式恶化器件性能的问题。
附图说明
附图用来提供对本申请的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请,并不构成对本申请的限制。在附图中:
图1示出了现有技术中的横向激发体声波谐振器的结构示意图,图1(b)为俯视图,图1(a)为图1(b)的C-C’方向剖面示意图;
图2示出了图1中的横向激发体声波谐振器的导纳-频率实测图;
图3示出了本申请实施例一提供的横向激发体声波谐振器的结构示意图,图3(b)为俯视图,图3(a)为图3(b)的D-D’方向剖面示意图,图3(c)为图3(b)的A-A’方向剖面示意图;
图4示出了图3中的横向激发体声波谐振器的导纳-频率实测图;
图5示出了本申请实施例二提供的横向激发体声波谐振器的结构示意图,图5(b)为俯视图,图5(a)为图5(b)的E-E’方向剖面示意图,图5(c)为图5(b)的B-B’方向剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
其中,相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是本申请说明书附图中的方向,词语“底面”和“顶面”、“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本申请说明书的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上。
下面结合附图和实施例对本申请作更进一步的说明。
图1示出了现有技术中的横向激发体声波谐振器100的结构示意图,定义图1中的平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向,定义图1中的平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向。
请参阅图1,现有技术中的横向激发体声波谐振器100包括基板101、位于基板101上的压电层102和位于压电层102上的叉指换能器电极;叉指换能器电极具有汇流条部和电极指部;汇流条部具有在电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条103和第二汇流条104;电极指部具有相互交错插入的多根第一电极指105和多根第二电极指106;多根第一电极指105具有两组端部,其中一组端部与第一汇流条103直接连接,另一组端部与第二汇流条104隔着一个间隙而对置;多根第二电极指106具有两组端部,其中一组端部与第二汇流条104直接连接,另一组端部与第一汇流条103隔着一个间隙而对置。更具体地,基板101为单晶硅材料,用于为压电层102提供机械支撑;压电层102为压电铌酸锂单晶薄膜。另外,在压电层102的下方还设置有声学反射器,在图1中的横向激发体声波谐振器100中,该声学反射器实现为空腔107。空腔107可以将声波能量束缚在压电层102中、避免声波能量通过基板101发生泄漏,从而确保横向激发体声波谐振器100获得较高Q值。
在本申请实施例中,具有多根第一电极指105和多根第二电极指106的所述电极指部,通常只有一层直接位于压电层102上的、膜厚为100~300nm之间的金属电极层。当然,有时为了使所述金属电极层更好地固定在压电层102上,也会在压电层102和膜厚为100~300nm之间的金属电极层之间设置一层与所述金属电极层材料不同的、膜厚不超过20nm的金属粘附层。然而,需要说明的是,设置所述金属粘附层只是出于上述工艺考量,而不会带来任何抑制寄生杂波的效果。
需要说明的是,定义多根第一电极指105和多根第二电极指106分别沿电极指排列方向的投影的重叠区域为激发工作区域;定义激发工作区域的沿电极指延伸方向的尺寸为孔径(aperture,A);定义多根第一电极指105和多根第二电极指106的沿电极指排列方向的距离为周期(period,p)。
当在图1中的横向激发体声波谐振器100的第一汇流条103和第二汇流条104之间施加高频交流电信号,可以在压电层102内激发声学工作模式,在该声学工作模式下,压电层102内的质点沿这与压电层102的表面垂直的z轴方向来回振动。
图2示出了图1中的横向激发体声波谐振器100的导纳-频率实测图。可以看出,在该导纳-频率实测曲线上存在一个导纳最大值,该导纳最大值所在的频率点即为横向激发体声波谐振器100的谐振频率f0;同时,在该导纳-频率实测曲线上还存在很多寄生杂波,这些寄生杂波会导致横向激发体声波谐振器100无法被用于设计成具有高的带外抑制性能、低的带内插损性能的滤波器、双工器和多工器。
实施例一
图3示出了本申请实施例一提供的横向激发体声波谐振器200的结构示意图,定义图3中的平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向,定义图3中的平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向。
请参阅图3,本申请实施例一的横向激发体声波谐振器200包括基板201、位于基板201上的压电层202和位于压电层202上的叉指换能器电极;叉指换能器电极具有汇流条部和电极指部;汇流条部具有在电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条203和第二汇流条204;电极指部具有相互交错插入的多根第一电极指205和多根第二电极指206;多根第一电极指205具有两组端部,其中一组端部与第一汇流条203直接连接,另一组端部与第二汇流条204隔着一个间隙而对置;多根第二电极指206具有两组端部,其中一组端部与第二汇流条204直接连接,另一组端部与第一汇流条203隔着一个间隙而对置。
具体地,基板201为单晶硅材料,用于为压电层202提供机械支撑;压电层202为压电铌酸锂单晶薄膜。另外,在压电层202的下方还设置有声学反射器,在图3中的横向激发体声波谐振器200中,该声学反射器实现为空腔207。空腔207可以将声波能量束缚在压电层202中、避免声波能量通过基板201发生泄漏,从而确保横向激发体声波谐振器200获得较高Q值。
值得注意的是,请参阅图3,与现有技术中的横向激发体声波谐振器100不同的是,本申请实施例一的横向激发体声波谐振器200中的汇流条部和电极指部均包括两层金属电极层,即:汇流条部包括直接位于压电层202上的汇流条部第一电极层和直接位于汇流条部第一电极层上的汇流条部第二电极层;电极指部包括直接位于压电层202上的电极指部第一电极层和直接位于电极指部第一电极层上的电极指部第二电极层。
更具体地,请参阅图3,汇流条部第一电极层包括直接位于压电层202上的第一汇流条第一电极层203A和第二汇流条第一电极层204A;汇流条部第二电极层包括直接位于第一汇流条第一电极层203A上的第一汇流条第二电极层203B和直接位于第二汇流条第一电极层204A上的第二汇流条第二电极层204B;电极指部第一电极层包括直接位于压电层202上的第一电极指第一电极层205A和第二电极指第一电极层206A;电极指部第二电极层包括直接位于第一电极指第一电极层205A上的第一电极指第二电极层205B和直接位于第二电极指第一电极层206A上的第二电极指第二电极层206B。
需要说明的是,请参阅图3,汇流条部和电极指部的加工制作过程为:在压电层202上沉积制备膜厚为200nm的第一金属膜;在第一金属膜上沉积制备膜厚为200nm的第二金属膜;使用MEMS剥离工艺同时对第一金属膜和第二金属膜进行图形化处理,从而使得第一金属膜变为汇流条部第一电极层和电极指部第一电极层,第二金属膜变为汇流条部第二电极层和电极指部第二电极层。其中,电极指部第一电极层具有材料密度ρ1和膜厚H1,电极指部第二电极层具有材料密度ρ2和膜厚H2,他们之间满足关系式:
ρ1<ρ2和2×ρ1×H1<ρ2×H2。
如图3所示,定义多根第一电极指205和多根第二电极指206分别沿电极指排列方向的投影的重叠区域为激发工作区域;定义激发工作区域的沿电极指延伸方向的尺寸为孔径(aperture,A);定义多根第一电极指205和多根第二电极指206的沿电极指排列方向的距离为周期(period,p)。
在横向激发体声波谐振器200中,叉指换能器电极的周期p满足关系式:
p≥10000/f0
其中,f0为叉指换能器电极的谐振点频率,f0的单位是赫兹。
图4示出了图3中的横向激发体声波谐振器200的导纳-频率实测图。可以看出,相比现有技术图2的导纳-频率曲线,本申请实施例一图4的导纳-频率曲线上的寄生杂波数量明显减少、强度也明显减弱。也就是说,通过将叉指换能器电极的电极指部设为由电极指部第一电极层和电极指部第二电极层组成,并适当设置电极指部第一电极层的材料密度ρ1和膜厚H1、电极指部第二电极层的材料密度ρ2和膜厚H2、以及叉指换能器电极(IDT电极)的周期p,可以抑制寄生模式的产生。
作为补充,虽然横向激发体声波谐振器200中的汇流条部包括两层金属电极层,但这并不是抑制横向激发体声波谐振器200中的寄生模式的必要条件。研究发现,只要保证电极指部包括两层符合前述条件的金属电极层,即使汇流条部仅有一层金属电极,此时的横向激发体声波谐振器依然具有良好的抑制寄生模式的效果。
作为补充,在设计横向激发体声波谐振器200时,电极指部第一电极层和电极指部第二电极层均可以由不止一层金属薄膜构成,即:
电极指部第一电极层可以包括分别由不同的金属材料构成的n个子层(n≥2),电极指部第一电极层第一子层的材料密度ρ11和膜厚H11、电极指部第一电极层第二子层的材料密度ρ12和膜厚H12、……、电极指部第一电极层第n子层的材料密度ρ1n和膜厚H1n。
其中,电极指部第一电极层的材料密度ρ1与膜厚H1的乘积,由电极指部第一电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和求得:
ρ11×H11+ρ12×H12+……+ρ1n×H1n=ρ1×H1;
相应地,电极指部第二电极层包括分别由不同的金属材料构成的n个子层(n≥2),电极指部第二电极层第一子层的材料密度ρ21和膜厚H21、电极指部第二电极层第二子层的材料密度ρ22和膜厚H22、……、电极指部第二电极层第n子层的材料密度ρ2n和膜厚H2n。
其中,电极指部第二电极层的材料密度ρ2与膜厚H2的乘积,由电极指部第二电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和求得:
ρ21×H21+ρ22×H22+……+ρ2n×H2n=ρ2×H2。
此外,还需要考虑获得尽量小的叉指换能器电极(IDT电极)的电阻率,以降低器件的欧姆损耗。由于叉指电极有两层金属,至少有一层的电阻率较小,最好小于1.0×10-6Ω·m,当至少一层的电阻率小于该值时,器件的欧姆损耗在可以接受的程度之内。
实施例二
图5示出了本申请实施例二提供的横向激发体声波谐振器300的结构示意图,定义图5中的平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向,定义图5中的平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向。
请参阅图5,本申请实施例二的横向激发体声波谐振器300包括基板301、位于基板301上的压电层302和位于压电层302上的叉指换能器电极;叉指换能器电极具有汇流条部和电极指部;汇流条部具有在电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条303和第二汇流条304;电极指部具有相互交错插入的多根第一电极指305和多根第二电极指306;多根第一电极指305具有两组端部,其中一组端部与第一汇流条303直接连接,另一组端部与第二汇流条304隔着一个间隙而对置;多根第二电极指306具有两组端部,其中一组端部与第二汇流条304直接连接,另一组端部与第一汇流条303隔着一个间隙而对置。
具体地,基板301为单晶硅材料,用于为压电层302提供机械支撑;压电层302为压电铌酸锂单晶薄膜。另外,在压电层302的下方还设置有声学反射器,在图5中的横向激发体声波谐振器300中,该声学反射器实现为布拉格声学反射器,该布拉格声学反射器设置在压电层302的下方,也即基板301的上方,布拉格声学反射器包括多个低声阻抗膜层307A和多个高声阻抗膜层307B,多个低声阻抗膜层307A与多个高声阻抗膜层307B间隔布置,当声波从压电层302入射到布拉格反射层时,由于不同声阻抗的交替排列,声波会被反射回压电层302,阻止了声波的能量向下方的泄漏,从而确保横向激发体声波谐振器300获得较高Q值。
值得注意的是,请参阅图5,与现有技术中的横向激发体声波谐振器100不同的是,本申请实施例二的横向激发体声波谐振器300中的汇流条部和电极指部均包括两层金属电极层,即:汇流条部包括直接位于压电层302上的汇流条部第一电极层和直接位于汇流条部第一电极层上的汇流条部第二电极层;电极指部包括直接位于压电层302上的电极指部第一电极层和直接位于电极指部第一电极层上的电极指部第二电极层。
更具体地,请参阅图5,汇流条部第一电极层包括直接位于压电层302上的第一汇流条第一电极层303A和第二汇流条第一电极层304A;汇流条部第二电极层包括直接位于第一汇流条第一电极层303A上的第一汇流条第二电极层303B和直接位于第二汇流条第一电极层304A上的第二汇流条第二电极层304B;电极指部第一电极层包括直接位于压电层302上的第一电极指第一电极层305A和第二电极指第一电极层306A;电极指部第二电极层包括直接位于第一电极指第一电极层305A上的第一电极指第二电极层305B和直接位于第二电极指第一电极层306A上的第二电极指第二电极层306B。
需要说明的是,请参阅图5,汇流条部和电极指部的加工制作过程为:在压电层302上沉积制备膜厚为200nm的第一金属膜;在第一金属膜上沉积制备膜厚为200nm的第二金属膜;使用MEMS剥离工艺同时对第一金属膜和第二金属膜进行图形化处理,从而使得第一金属膜变为汇流条部第一电极层和电极指部第一电极层,第二金属膜变为汇流条部第二电极层和电极指部第二电极层。其中,电极指部第一电极层具有材料密度ρ1和膜厚H1,电极指部第二电极层具有材料密度ρ2和膜厚H2,他们之间满足关系式:
ρ1<ρ2和2×ρ1×H1<ρ2×H2。
如图5所示,定义多根第一电极指305和多根第二电极指306分别沿电极指排列方向的投影的重叠区域为激发工作区域;定义激发工作区域的沿电极指延伸方向的尺寸为孔径(aperture,A);定义多根第一电极指305和多根第二电极指306的沿电极指排列方向的距离为周期(period,p)。
在横向激发体声波谐振器300中,叉指换能器电极的周期p满足关系式:
p≥10000/f0
其中,f0为叉指换能器电极的谐振点频率,f0的单位是赫兹。
作为补充,在设计横向激发体声波谐振器300时,电极指部第一电极层和电极指部第二电极层均可以由不止一层金属薄膜构成,即:
电极指部第一电极层可以包括分别由不同的金属材料构成的n个子层(n≥2),电极指部第一电极层第一子层的材料密度ρ11和膜厚H11、电极指部第一电极层第二子层的材料密度ρ12和膜厚H12、……、电极指部第一电极层第n子层的材料密度ρ1n和膜厚H1n。
其中,电极指部第一电极层的材料密度ρ1与膜厚H1的乘积,由电极指部第一电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和求得:
ρ11×H11+ρ12×H12+……+ρ1n×H1n=ρ1×H1;
同样地,电极指部第二电极层包括分别由不同的金属材料构成的n个子层(n≥2),电极指部第二电极层第一子层的材料密度ρ21和膜厚H21、电极指部第二电极层第二子层的材料密度ρ22和膜厚H22、……、电极指部第二电极层第n子层的材料密度ρ2n和膜厚H2n。
其中,电极指部第二电极层的材料密度ρ2与膜厚H2的乘积,由电极指部第二电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和求得:
ρ21×H21+ρ22×H22+……+ρ2n×H2n=ρ2×H2。
此外,还需要考虑获得尽量小的叉指换能器电极(IDT电极)的电阻率,以降低器件的欧姆损耗。由于叉指电极有两层金属,至少有一层的电阻率较小,最好小于1.0×10-6Ω·m,当至少一层的电阻率小于该值时,器件的欧姆损耗在可以接受的程度之内。
综上所述,本申请提供的叉指电极,即第一电极指和第二电极指均包括集成于压电层上的第一电极层,以及集成于第一电极层上的第二电极层,第二电极层的材料密度ρ2大于第一电极层的材料密度ρ1,且当满足上述关系式2×ρ1×H1<ρ2×H2时,可以很好抑制该类声波结构的寄生模式。相应地,包含这种横向激发体声波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以减轻寄生响应带来的性能恶化。本申请提供的技术方案为横向激发声波设备提供了一种抑制寄生模式的简单方法,在设计中易于使用,工艺上也很容易实现,解决了现有技术存在的横向激发体声波谐振器寄生模式恶化器件性能的问题。
在本申请公开的实施例中,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;“相连”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明公开的实施例中的具体含义。
以上所述仅是本申请的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种横向激发体声波谐振器,包括基板,位于所述基板上的压电层以及位于所述压电层上的叉指换能器电极;所述叉指换能器电极包括电极指部和汇流条部;所述电极指部包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指;所述汇流条部包括在所述第一电极指和所述第二电极指的延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条;多根所述第一电极指的一端与所述第一汇流条直接连接,另一端与所述第二汇流条间隔对置;多根所述第二电极指的一端与所述第二汇流条直接连接,另一端与所述第一汇流条间隔对置;
其特征在于:
所述电极指部包括直接位于所述压电层上的电极指部第一电极层和直接位于所述电极指部第一电极层上的电极指部第二电极层;
其中,所述电极指部第一电极层的材料密度ρ1和膜厚H1、所述电极指部第二电极层的材料密度ρ2和膜厚H2之间满足关系式:
ρ1<ρ2和2×ρ1×H1<ρ2×H2。
2.根据权利要求1所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述叉指换能器电极的周期p满足关系式:
p≥10000/f0
其中,f0为所述叉指换能器电极的谐振点频率,f0的单位是赫兹。
3.根据权利要求1所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述压电层的下方具有声学反射器,用于反射在所述压电层中传播的声波。
4.根据权利要求3所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述声学反射器为空腔。
5.根据权利要求3所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述声学反射器为布拉格声学反射器,所述布拉格声学反射器包括多个低声阻抗膜层和多个高声阻抗膜层,多个所述低声阻抗膜层与多个所述高声阻抗膜层间隔布置。
6.根据权利要求1所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述电极指部第一电极层和所述电极指部第二电极层的电极层材料为纯金属或合金。
7.根据权利要求1所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,在所述第一电极层和所述第二电极层中,至少有一个电极层的电极材料的电阻率小于1.0×10-6Ω·m。
8.根据权利要求1所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述电极指部第一电极层包括分别由不同的金属材料构成的n个子层,其中n≥2;
其中,所述电极指部第一电极层的材料密度ρ1与膜厚H1的乘积,等于所述电极指部第一电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和。
9.根据权利要求1所述的横向激发体声波谐振器,其特征在于,所述电极指部第二电极层包括分别由不同的金属材料构成的n个子层,其中n≥2;
其中,所述电极指部第二电极层的材料密度ρ2与膜厚H2的乘积,等于所述电极指部第二电极层每个子层的材料密度与膜厚的乘积之和。
10.一种滤波器,其特征在于,包括如权利要求1至9任一所述的横向激发体声波谐振器。
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