CN116190257A - 电子装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种电子装置的制造方法，包括以下步骤。首先，提供基板。接着，设置电路层在基板上。再来，设置多个调谐元件在电路层上。之后，提供逆向偏压或顺向偏压于多个调谐元件，使多个调谐元件可被测试其个别的电性变化或光波特性变化。然后，对多个调谐元件进行电性变化或光波特性变化的分析。本揭露实施例的电子装置的制造方法可提供可靠的电子元件的测试方法。

Description

电子装置的制造方法

技术领域

本揭露涉及一种电子装置的制造方法。

背景技术

为了确保电子装置中的电子元件可正常地运作，在形成电子装置的过程中会对电子元件进行测试，因此，电子元件的测试规划是形成电子装置的过程中重要的部分。

发明内容

本揭露提供一种电子装置的制造方法，其可提供可靠的电子元件的测试方法。

根据本揭露的实施例，电子装置的制造方法包括以下步骤。首先，提供基板。接着，设置电路层在基板上。再来，设置多个调谐元件在电路层上。之后，提供第一逆向偏压于多个调谐元件，使多个调谐元件可被测试其个别的第一电性变化。然后，对多个调谐元件进行第一电性变化的分析。

根据本揭露的实施例，电子装置的制造方法包括以下步骤。首先，提供基板。接着，设置电路层在基板上。再来，设置多个调谐元件在电路层上。之后，提供第一顺向偏压于多个调谐元件，使多个调谐元件可被测试其个别的第一光波特性变化。然后，对多个调谐元件进行第一光波特性变化的分析。

为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1A至图1H为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的剖面示意图；

图2A示出电子装置的电路图的一实施例；

图2B示出电子装置的电路图的另一实施例；

图3为依据图1E的第一实施例的俯视示意图；

图4为依据图1E的第二实施例的俯视示意图；

图5为依据图1E的第三实施例的俯视示意图；

图6为依据图1E的第四实施例的俯视示意图；

图7为依据图1E的第五实施例的俯视示意图；

图8为依据图1E的第六实施例的俯视示意图；

图9为依据图1E的第七实施例的俯视示意图。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。

术语“大约”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的10％以内，或解释为在所给定的值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。

在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、发光装置、或拼接装置，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。电子装置可包括电子元件。电子装置例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管(Light Emitting Diode，LED)。电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容、电阻、电感、可变电容、滤波器、二极管、晶体管(transistors)、感应器、微机电系统元件(MEMS)、液晶芯片(liquid crystal chip)等，但不限于此。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)、量子点发光二极管(quantum dot LED)、萤光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料、或上述组合，但不以此为限。感应器可例如包括电容式感应器(capacitive sensors)、光学式感应器(optical sensors)、电磁式感应器(electromagnetic sensors)、指纹感应器(fingerprint sensor，FPS)、触控感应器(touchsensor)、天线(antenna)、或触控笔(pen sensor)等，但不限于此。下文将以显示装置做为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

以下举例本揭露的示范性实施例，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A至图1H为本揭露一实施例的电子装置的局部制作流程的剖面示意图。图2A示出电子装置的电路图的一实施例，且图2B示出电子装置的电路图的另一实施例。图3为依据图1E的第一实施例的俯视示意图。值得说明的是，图1A至图1H示出的流程图仅为示例，并非用于限制电子装置的制作步骤

首先，请参照图1A，提供基板100。基板100的材料可例如是玻璃、塑料或其组合。举例而言，基板100的材料可包括石英、蓝宝石(sapphire)、硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)或其他适合的材料或上述材料的组合，本揭露不以此为限。在一些实施例中，基板100可为透明基板，且在基板100的其中一表面上可设置有反射金属层，但本揭露不以此为限。

接着，请参照图1B，设置电路层200在基板100上。在本实施例中，电路层200包括有线路层210、线路层220、驱动元件230以及模封层240。线路层210以及线路层220可例如包括具有各种功能的信号线。举例而言，线路层210以及线路层220可包括扫描线、数据线、读取线、工作信号线、共用电极线(common line)以及电源线的组合，但本揭露不以此为限。驱动元件230例如在基板100的俯视方向n上设置于线路层210与线路层220之间且与其电性连接。在一些实施例中，驱动元件230包括驱动芯片、主动元件、被动元件或其他合适的电子元件，本揭露不以此为限。举例而言，驱动元件230可包括有栅极驱动单元、数据驱动单元及电源驱动单元等驱动元件，但本揭露不以此为限。模封层240例如设置于线路层210与线路层220之间，且例如邻近于或围绕于驱动元件230设置。举例而言，模封层240的顶面以及底面可各自与驱动元件230的顶面以及底面共面，使得模封层240可侧向覆盖驱动元件230，但本揭露不以此为限。模封层240可例如用于固定或保护驱动元件230。在一些实施例中，模封层240的材料可包括环氧树脂、硅酮、其他合适的材料或上述的组合。另外，在本实施例中，模封层240包括有多个通孔240v，且第一线路层210与第二线路层220可通过多个通孔240v而彼此电性连接。举例来说，多个通孔240可填充导电材料，且第一线路层210与第二线路层220可通过导电材料电性连接。

再来，请参照图1C，设置多个调谐元件300在电路层200上。调谐元件300可例如是适用于通讯领域、雷达/光达领域、智能超表面(Reconfigurable Intelligent Surface；RIS)技术或其余合适的领域/技术，本揭露不以此为限。在一些实施例中，调谐元件300可包括可变电容、可变电阻、变容二极管、相移器、放大器、天线、生物识别传感器、石墨烯传感器、其余合适的调谐元件或其组合。调谐元件300例如具有用以增加可操作的带宽的功能。在一些实施例中，调谐元件300调整频率的范围可约为3MHz至300THz之间，但本揭露不以此为限。

之后，请参照图1D，提供偏压bias1于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可被测试其个别的电性变化或光波特性变化，且对多个调谐元件300进行电性变化或光波特性变化的分析。

在一些实施例中，提供逆向偏压于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可被测试其个别的电性变化。详细地说，多个调谐元件300可例如通过图2A与图2B各自示出的电子装置的电路图在逆向偏压模式下操作，但本揭露不以此为限。

在图2A示出的实施例中，像素电路PX1包括有主动元件TFT、扫描线SL、数据线DL、调谐元件300、读取线RL以及电容C。主动元件TFT的控制端例如耦接于扫描线SL，以接收来自扫描线SL的扫描信号。主动元件TFT的第一端例如耦接于数据线DL，以接收来自数据线DL的数据信号。主动元件TFT的第二端以及调谐元件300的第一端例如耦接于节点N1，以使调谐元件300根据其的第一端的电压电平而操作。调谐元件300的第二端可例如接地，但本揭露不以此为限。在其他的实施例中，调谐元件300的第二端可被施加逆向的操作电压。电容C耦接于节点N1与读取线RL之间，以通过电容耦合的方式将来自调谐元件300的电性信号传输至读取线RL。

在图2B示出的实施例中，像素电路PX2包括有主动元件TFT1、主动元件TFT2、扫描线SL1、扫描线SL2、数据线DL、调谐元件300以及读取线RL。主动元件TFT1的控制端例如耦接于扫描线SL1，以接收来自扫描线SL1的扫描信号。主动元件TFT1的第一端例如耦接于数据线DL，以接收来自数据线DL的数据信号。主动元件TFT1的第二端以及调谐元件300的第一端例如耦接于节点N2，以使调谐元件300根据其的第一端的电压电平而操作。调谐元件300的第二端可例如接地，但本揭露不以此为限。在其他的实施例中，调谐元件300的第二端可被施加逆向的操作电压。主动元件TFT2的控制端例如耦接于扫描线SL2，以接收来自扫描线SL2的扫描信号。主动元件TFT2的第一端例如耦接于节点N2，且主动元件TFT2的第二端例如耦接于读取线RL，由此当主动元件TFT2导通时，可将来自调谐元件300的电性信号传输至读取线RL。

以图2A示出的像素电路PX1为例，可通过各自给予扫描线SL以及数据线DL相应的扫描信号与数据信号使调谐元件300在逆向偏压模式下操作，其中调谐元件300可将电性信号(例如电子)通过电容C以电容耦合的方式传输至读取线RL，但本揭露不以此为限。

在另一些实施例中，可提供顺向偏压于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可被测试其个别的光波特性变化。举例而言，调谐元件300例如在顺向偏压模式下操作时具有发出光线或反射光线的功能，其中经调谐元件300发出的光线或反射的光线可被测试装置接收。

然后，请参照图1E，对多个调谐元件300进行电性变化或光波特性变化的分析。详细地说，当提供逆向偏压于多个调谐元件300时，可选择性地利用测试装置500提供信号(可为光信号或电信号)给多个调谐元件300，并通过处理芯片400对多个调谐元件300进行电性变化的分析。

图3示出对电子装置10a的调谐元件300进行电性变化的分析的一实施例，在电子装置10a中，其包括有扫描线SL、数据线DL、栅极驱动器GD、数据驱动器DD、调谐元件300、读取线RL以及处理芯片400，其中本实施例利用测试装置500a中的发光元件LE1提供光信号(光线L1)给多个调谐元件300。在一些实施例中，测试装置500a中的发光元件LE1发出的光线的波长为150nm～1500nm，但本揭露不以此为限。扫描线SL例如朝第一方向d1延伸，且数据线DL例如朝第二方向d2延伸，其中第一方向d1与第二方向d2不同，且第一方向d1与第二方向d2可例如垂直，但本揭露不以此为限。栅极驱动器GD例如与扫描线SL连接并经由工作信号线(未示出)驱动，且可通过扫描线SL将相应的扫描信号传输至与扫描线SL耦接的主动元件(例如前述的主动元件TFT、主动元件TFT1或主动元件TFT2)，使此主动元件开启。数据驱动器DD例如与数据线DL连接，且可通过数据线DL将相应的数据信号传输至与数据线SL耦接的主动元件(例如前述的主动元件TFT、主动元件TFT1或主动元件TFT2)。调谐元件300例如与前述的主动元件以及读取线RL耦接。本实施例的调谐元件300可通过相应的扫描信号与数据信号而在逆向偏压模式下操作，并将产生的电性信号传输至读取线RL。读取线RL例如朝第二方向d2延伸，且与设置于基板100上的处理芯片400以及调谐元件300耦接，由此可将来自调谐元件300的电性信号传输至处理芯片400。处理芯片400可例如通过读取线RL读取来自调谐元件300的电性信号，并根据所述电性信号对调谐元件300进行分析。值得说明的是，在其他的实施例中，电子装置10a可不包括处理芯片400而利用外部的处理芯片(未示出)来对调谐元件300进行分析。

在图3示出的实施例中，通过测试装置500a中的发光元件LE1对调谐元件300照射光线L1可使调谐元件300的电性信号产生电性变化，而经电性变化的电性信号可通过与读取线RL耦接的处理芯片400读取，并根据所述电性信号分析调谐元件300是否具有缺陷。在一些实施例中，当对多个调谐元件300进行电性变化的分析而检测到至少一个调谐元件300具有缺陷(例如图1E示出的调谐元件300’)之后，对具有缺陷的所述至少一个调谐元件300’进行修补。对具有缺陷的所述至少一个调谐元件300’进行修补的方式可例如是将调谐元件300’移除，并后续设置新的调谐元件310(例如图1F所示出的调谐元件310)；或者可例如是将新的调谐元件310设置在邻近具有缺陷的调谐元件300’的备用区域中，本揭露不以此为限。值得说明的是，具有缺陷的调谐元件300’可例如是调谐元件300’自身的缺陷；或者调谐元件300与像素电路(例如像素电路PX1或像素电路PX2)之间电性连接不佳的缺陷，本揭露不以此为限。

至此，完成电子装置10a的制作流程。值得说明的是，本实施例的电子装置10a的制造方法虽然是以上述方法为例进行说明，然而本揭露的电子装置10a的制造方法并不以此为限，可根据需求删除上述部分的步骤，或加入其他步骤。另外，上述步骤可根据需求调整顺序。

在一些实施例中，电子装置的制造方法还包括以下步骤，但本揭露不以此为限。

之后，请参照图1F，在一些实施例中，还可设置封装层600在所述多个调谐元件300上。封装层600可例如是利用模压成型工艺、涂布工艺或其余合适的工艺形成，本揭露不以此为限。在一些实施例中，封装层600设置于线路层220上且覆盖多个调谐元件300。封装层600的材料可例如是有机材料或其余合适的材料，本揭露不以此为限。在一些实施例中，封装层600的材料可为环氧树脂。在一些实施例中，封装层600可以是多个层别层堆栈，其中靠近调谐元件300的层别厚度较远离调谐元件300的层别厚度大，本揭露不以此为限。在一些实施例中，封装层600可不包括金属，本揭露不以此为限。在一些实施例中，封装层600的传热效率较模封层240的传热效率高，本揭露不以此为限。

之后，请参照图1G，在一些实施例中，还可包括提供处理芯片700。处理芯片700例如设置于线路层210远离调谐元件300的表面上。举例而言，可将基板100移除而暴露出线路层210远离调谐元件300的表面，之后将处理芯片700设置于线路层210的此表面上，使处理芯片700与多个调谐元件300电性连接，但本揭露不以此为限。在其他的实施例中，可在基板100中形成多个通孔且将处理芯片700设置在基板100远离调谐元件300的表面上，其中处理芯片700通过所述多个通孔与线路层210以及调谐元件300电性连接。在一些实施例中，处理芯片700可包括电源管理芯片(power management integrated circuit；PMIC)、时序控制芯片(timing controller；T-Con)、通讯芯片、Wi-fi天线贴片、蓝芽芯片、内存芯片或其组合，本揭露不以此为限。

之后，请参照图1H，在一些实施例中，还包括再次提供偏压bias2于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可再次被测试其个别的电性变化或光波特性变化。另外，当再次提供偏压bias2于多个调谐元件300时，可选择性地利用测试装置500或另一测试装置再次提供信号(可为光信号或电信号)给多个调谐元件300，并至少通过处理芯片700对多个调谐元件300进行电性变化的分析。

在一些实施例中，再次提供逆向偏压于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可再次被测试其个别的电性变化。详细地说，多个调谐元件300可例如通过图2A与图2B各自示出的电子装置的电路图再次在逆向偏压模式下操作，于此不再赘述。

在一些实施例中，可再次提供顺向偏压于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可再次被测试其个别的光波特性变化。

在本实施例中，处理芯片700用以接收个别调谐元件300再次被测试的电性变化或光波特性变化，且处理芯片700将个别调谐元件300的电性变化或光波特性变化转化成电性数据(例如调谐元件300的变异性)，并存储此电性数据。在一些实施例中，该些经存储的电性资料后续可进行补偿处理，并将补偿信号传输至栅极驱动器GD和/或数据驱动器DD，但本揭露不以此为限。

另外，在进行如图1E示出的对多个调谐元件进行电性变化的分析，而检测到至少一个调谐元件300具有缺陷之后，是在再次提供偏压bias2之前对具有缺陷的至少一个调谐元件300’进行修补。

至此，完成电子装置20的制作流程。值得说明的是，本实施例的电子装置20的制造方法虽然是以上述方法为例进行说明，然而本揭露的电子装置20的制造方法并不以此为限，可根据需求删除上述部分的步骤，或加入其他步骤。另外，上述步骤可根据需求调整顺序。

图4为依据图1E的第二实施例的俯视示意图。须说明的是，图4的实施例可沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图4，本实施例的对电子装置10a中的调谐元件300进行电性变化的分析的方式与图3所述实施例的主要差异在于：在本实施例中，并未利用测试装置500a对调谐元件300照光。详细地说，本实施例的调谐元件300通过相应的扫描信号与数据信号而在逆向偏压模式下操作，并将产生的电性信号传输至读取线RL。读取线RL可例如将来自调谐元件300的电性信号传输至处理芯片400，使处理芯片400根据所述电性信号对调谐元件300进行分析，并判断调谐元件300是否具有缺陷。值得说明的是，在本实施例中，在利用处理芯片400对调谐元件300进行分析之后，可切断用于使处理芯片400与调谐元件300耦接的读取线RL，以减少静电通过读取线RL入侵至设置有调谐元件300的区域的可能性，而起到静电防护的作用。

图5为依据图1E的第三实施例的俯视示意图。须说明的是，图5的实施例可沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图5，本实施例的对电子装置10a中的调谐元件300进行电性变化的分析的方式与图3所述实施例的主要差异在于：在本实施例中，利用测试装置500b对电子装置10a的调谐元件300进行电性变化的分析。详细地说，本实施例的测试装置500b包括有高压电容Ch1，且高压电容Ch1与调谐元件300耦接。高压电容Ch1例如可用于存储来自测试装置500b中的电压电源(未示出)的高电压，提供一电压基准。之后，在逆向偏压模式下操作的调谐元件300可将产生的电性信号传输至读取线RL。读取线RL可例如将来自调谐元件300的电性信号(调谐元件300与高压电容Ch1的电压差)传输至处理芯片400，使处理芯片400根据所述电性信号对调谐元件300进行分析，并判断调谐元件300是否具有缺陷。

图6为依据图1E的第四实施例的俯视示意图。须说明的是，图6的实施例可沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图6，图6示出对电子装置10b的调谐元件300进行电性变化的分析的一实施例，在电子装置10b中，其包括有扫描线SL、数据线DL、栅极驱动器GD、数据驱动器DD以及调谐元件300，其中本实施例利用测试装置500c接收来自多个调谐元件300的电性信号。详细地说，本实施例的测试装置500c包括有高压电容Ch2，且高压电容Ch2与调谐元件300耦接。高压电容Ch2例如可用于存储来自在逆向偏压模式下操作的调谐元件300的电性信号，并将此电性信号传输至与高压电容Ch2耦接的处理芯片400’。处理芯片400’可根据所述电性信号对调谐元件300进行分析，并判断调谐元件300是否具有缺陷。此外，经处理芯片400’设置于测试装置500c中可减少电子装置10b的制造程序。

图7为依据图1E的第五实施例的俯视示意图。须说明的是，图7的实施例可沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图7，本实施例的对电子装置10a中的调谐元件300进行电性变化的分析的方式与图3所述实施例的主要差异在于：在本实施例中，利用测试装置500d对调谐元件300发出射频信号以对电子装置10a进行电性变化的分析。详细地说，本实施例的测试装置500d包括有射频发射器RFT以及射频接收器RFR。射频发射器RFT可例如接收来自编码器(未示出)的编码信号以产生射频输出信号，并将射频输出信号发射至调谐元件300。当调谐元件300接收射频输出信号OS之后，其会反馈射频输入信号IS至射频接收器RFR，且射频接收器RFR可例如将射频输入信号IS传输至处理器(未示出)进行译码。另外，在逆向偏压模式下操作的调谐元件300在接收至射频输出信号OS之后可将产生的电性信号传输至读取线RL。读取线RL可例如将来自调谐元件300的电性信号传输至处理芯片400。因此，处理芯片400根据所述电性信号和/或处理器(未示出)根据射频发射器RFT接收的射频输出信号对调谐元件300进行分析，并判断调谐元件300是否具有缺陷。

图8为依据图1E的第六实施例的俯视示意图。须说明的是，图8的实施例可沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

图8示出对电子装置10b的调谐元件300进行光波特性变化的分析的一实施例，在电子装置10b中，其包括有扫描线SL、数据线DL、栅极驱动器GD、数据驱动器DD以及调谐元件300，其中本实施例利用测试装置500e接收来自多个调谐元件300的光信号。详细地说，在本实施例中，提供顺向偏压于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可被测试其个别的光波特性变化。举例而言，测试装置500e包括有发光元件LE2、感光元件SE1以及处理芯片(未示出)，发光元件LE2用以对调谐元件300照射光线L2，当光线L2照射至调谐元件300之后，调谐元件300会将其反射，经反射的光线L2’会被感光元件SE1感测，其中光线L2在被调谐元件300反射后其能量衰减，因此被感光元件SE1感测到的光线L2’的波长会大于光线L2的波长。因此，通过侦测经调谐元件300反射的光线L2’的光波特性变化(例如波长变化)，处理芯片(未示出)可根据所述光波特性变化分析调谐元件300是否具有缺陷。在一些实施例中，光波特性变化可包括波长变化、振幅变化、光强度变化或其他光学特性的变化，本揭露不以此为限。

图9为依据图1E的第七实施例的俯视示意图。须说明的是，图9的实施例可沿用图8的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。

请参照图9，本实施例的对电子装置10b中的调谐元件300进行电性变化的分析的方式与图8所述实施例的主要差异在于：在本实施例中，利用测试装置500f接收来自多个调谐元件300的光信号。详细地说，在本实施例中，提供顺向偏压于多个调谐元件300，使多个调谐元件300可被测试其个别的光波特性变化。举例而言，测试装置500f包括有感光元件SE2以及处理芯片(未示出)，感光元件SE2用以感测在顺向偏压操作下经调谐元件300发出的光线L3。因此，通过侦测经调谐元件300发出的光线L3的光波特性变化，处理芯片(未示出)可根据所述光波特性变化分析调谐元件300是否具有缺陷。值得说明的是，当调谐元件300发出的光线L3为红外光时，测试装置500f可包括热像仪，本揭露不以此为限。

根据上述，本揭露实施例提供一种电子装置的测试方法。本揭露实施例通过提供逆向偏压或顺向偏压于多个调谐元件，使多个调谐元件可被测试其个别的电性变化或光波特性变化，在对多个调谐元件进行电性变化或光波特性变化的分析之后，可判断多个调谐元件中是否存在具有缺陷的调谐元件，以适时对其进行修补。再者，在调谐元件经封装层封装后，可再次通过提供逆向偏压或顺向偏压于多个调谐元件，使多个调谐元件再次被测试其个别的电性变化或光波特性变化，之后通过将个别调谐元件的电性变化转化成电性数据(例如调谐元件的变异性)并存储，以使后续可依据该些经存储的电性资料进行补偿处理。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。各实施例间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

Claims (13)

1.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

设置电路层在所述基板上；

设置多个调谐元件在所述电路层上；

提供第一逆向偏压于所述多个调谐元件，使所述多个调谐元件可被测试其个别的第一电性变化；以及

对所述多个调谐元件进行所述第一电性变化的分析。

2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在对所述多个调谐元件进行所述第一电性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后，对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。

3.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括设置封装层在所述多个调谐元件上。

4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括提供处理芯片，其中所述处理芯片与所述多个调谐元件电性连接。

5.根据权利要求4所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括提供第二逆向偏压于所述多个调谐元件，使所述多个调谐元件可被测试其个别的第二电性变化。

6.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述处理芯片用以接收所述第二电性变化，且所述处理芯片将所述第二电性变化转化成电性数据并存储所述电性数据。

7.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在对所述多个调谐元件进行所述第一电性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后，在提供所述第二逆向偏压之前对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。

8.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

设置电路层在所述基板上；

设置多个调谐元件在所述电路层上；

提供第一顺向偏压于所述多个调谐元件，使所述多个调谐元件可被测试其个别的第一光波特性变化；以及

对所述多个调谐元件进行所述第一光波特性变化的分析。

9.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在对所述多个调谐元件进行所述第一光波特性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后，对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。

10.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括设置封装层在所述多个调谐元件上。

11.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括提供第二顺向偏压于所述多个调谐元件，使所述多个调谐元件可被测试其个别的第二光波特性变化。

12.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法，其特征在于，还包括提供处理芯片，其中所述处理芯片用以接收所述第二光波特性变化，且所述处理芯片将所述第二光波特性变化转化成电性数据并存储所述电性数据。

13.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在对所述多个调谐元件进行所述第一光波特性变化的分析而检测到至少一个调谐元件具有缺陷之后，在提供所述第二顺向偏压之前对具有缺陷的所述至少一个调谐元件进行修补。

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