CN116169020A - 提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法 - Google Patents

提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，包括：步骤一、提供一件式结构的第一聚焦环；步骤二、在刻蚀腔中采用刻蚀膜层的刻蚀工艺对第一聚焦环进行劳损测试并得到第一聚焦环的受损范围；步骤三、根据受损范围设置二件式结构的第二聚焦环，第二聚焦环由第一集中环和第二外侧保护环组成，第一集中环的材料和第一聚焦环的材料相同；第一集中环的外侧边缘位于第二外侧保护环的内外侧边缘之间，第一集中环的外侧边缘的直径延伸到至少将受损范围完全包覆；步骤四、采用设置有第二聚焦环的刻蚀腔对形成有刻蚀膜层的晶圆进行刻蚀工艺。本发明能采用二件式结构的聚焦环从而能降低工艺成本，还能满足刻蚀速率稳定性的要求。

Description

提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法
技术领域
本发明涉及一半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法。
背景技术
随着集成电路技术进入超大规模集成电路时代，半导体晶圆工艺逐步过渡至12英寸甚至更大尺寸；随着晶圆尺寸的不断增大，对真空反应工艺腔体的稳定性要求也越来越高；在刻蚀工艺腔体即刻蚀腔设计中，为了确保刻蚀片内均匀性，通常会在晶圆周围设计聚焦环，采用材质近似但结构差异的材料用于制造聚焦环；材质近似是确保边缘的刻蚀均匀性得以保持，结构差异主要是确保刻蚀选择性以保障聚焦环部件的寿命。
聚焦环包括一件式(one piece)结构和两件式(two pieces)结构。
如图1所示，是现有一件式结构聚焦环的结构示意图，；聚焦环101上设置有晶圆放置部，所述晶圆放置部设置在靠近聚焦环101的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆104放置在所述第一聚焦环101的所述晶圆放置部上。图1仅示意出了聚焦环101的沿半径方向上的剖面图，在俯视面上，聚焦环101呈环形结构。
所述刻蚀腔中具有基座。所述第一聚焦环101套设在所述基座上。图1中，所述基座上还设置有下电极102以及绝缘环103。
如图2A所示，是现有二件式结构聚焦环的结构示意图；聚焦环201的两件式结构由第一集中环201a和第二外侧保护环201b组成。图2A仅示意出了聚焦环201的沿半径方向上的剖面图，在俯视面上，聚焦环201呈环形结构。
聚焦环201上设置有晶圆放置部，所述晶圆放置部设置在靠近聚焦环201的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆204放置在所述第一聚焦环201的所述晶圆放置部上。
所述刻蚀腔中具有基座。所述第一聚焦环201套设在所述基座上。图1中，所述基座上还设置有下电极202以及绝缘环203。
第一集中环201a的材料根据刻蚀膜层的材料选定，所述第一聚焦环201a的材料要在保证在对所述刻蚀膜层的材料进行刻蚀时满足边缘的刻蚀速率偏差满足第一要求值。
所述第二外侧保护环201b则是为了提高整个聚焦环201的使用寿命，以降低成本。
以前端工艺(FEOL)刻蚀工艺为例，主要以刻蚀Si和SiN膜质为主，主要采用电感耦合(ICP)腔体来实现，聚焦环则采用石英聚焦环。也即：在图1所示结构中，所述第一聚焦环101的材料为石英。
在图2A所示结构中，所述第一集中环201a的材料为石英；所述第二外侧保护环201b的材料则采用陶瓷，陶瓷的组成材料又包括氧化铝(Al2O3)或氧化钇(Y2O3)。
图2A所示结构中，由于所述第二外侧保护环201b的寿命较长，故可以大幅度降低部件成本。但是图2A所示的聚焦环会带来刻蚀工艺的刻蚀速率不稳定的问题。
在机台的实际生产过程中，二件式结构聚焦环设计在高偏置电压工艺中，刻蚀速率出现刻蚀速率稳定性差的异常如偏差>10％。主要原因在于等离子体在高偏置电压驱动下会轰击所述第二外侧保护环201b的陶瓷材料，陶瓷材料中的金属会沉积在腔体内壁从而影响刻蚀速率。
如图2B所示，是现有二件式结构聚焦环在刻蚀工艺中出现的沉积现象的示意图；刻蚀腔还包括等离子集中罩205和上电极206，等离子体207的离子会在上电极206和下电极202的作用下向下轰击，在晶圆204的边缘处，等离子体207密度保持一致；等离子体207的密度会在所述第一集中环201a的中间区域上方逐渐降低到零。这样，位于所述第一集中环201a外侧的所述第二外侧保护环201b也会受到等离子体207的离子轰击作用，且随着偏置电压增加，离子轰击作用增加。如箭头线208所示，离子轰击作用下，所述第二外侧保护环201b的材料如标记209所示的金属钇会被轰出并沉积在刻蚀腔的内侧表面如等离子集中罩205和上电极206的表面上。随着，刻蚀腔所经历的刻蚀工艺时间增加沉积在刻蚀腔中的金属钇的量会增加，最后会影响刻蚀速率的稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，能采用二件式结构的聚焦环从而能降低工艺成本，同时能使聚焦环的结构调节到满足刻蚀速率稳定性的要求。
为解决上述技术问题，本发明提供的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法包括如下步骤：
步骤一、提供第一聚焦环，所述第一聚焦环为一件式结构，所述第一聚焦环的材料根据刻蚀膜层的材料选定，所述第一聚焦环的材料要在保证在对所述刻蚀膜层的材料进行刻蚀时满足边缘的刻蚀速率偏差满足第一要求值。
步骤二、在刻蚀腔中采用所述刻蚀膜层的刻蚀工艺对所述第一聚焦环进行劳损测试并得到所述第一聚焦环的受损范围。
步骤三、根据所述受损范围设置第二聚焦环，所述第二聚焦环采用二件式结构，所述第二聚焦环的两件式结构由第一集中环和第二外侧保护环组成，所述第一集中环的材料和所述第一聚焦环的材料相同。
所述第二外侧保护环的材料的使用寿命大于所述第一集中环的材料。
所述第一集中环的外侧边缘位于所述第二外侧保护环的外侧边缘和内侧边缘之间，所述第一集中环的延伸到所述第二外侧保护环的内侧边缘外的部分位于所述第二外侧保护环的表面之上。
所述第一集中环的外侧边缘的直径延伸到至少将所述受损范围完全包覆，使所述第二外侧保护环暴露的表面位于所述受损范围的外侧。
步骤四、采用设置有所述第二聚焦环的所述刻蚀腔对形成有刻蚀膜层的晶圆进行刻蚀工艺，在所述晶圆的刻蚀工艺过程中，利用所述第二外侧保护环暴露的表面位于所述受损范围的外侧的特点防止所述第二外侧保护环表面受损并从而提高刻蚀速率稳定性。
进一步的改进是，步骤一中，所述刻蚀膜层的材料包括Si或SiN，所述第一聚焦环的材料采用石英。
进一步的改进是，步骤一中，所述刻蚀膜层的材料包括LK材料、SiO2、Si、SiN或SiCN，所述第一聚焦环的材料采用多晶硅。
进一步的改进是，步骤一中，所述刻蚀膜层的材料包括Al或TiN，所述第一聚焦环的材料采用陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化铝或氧化钇。
进一步的改进是，步骤二中，所述劳损测试中，所述刻蚀膜层的刻蚀工艺的偏置电压采用最高偏置电压。
进一步的改进是，步骤二中，所述劳损测试中，所述刻蚀膜层的刻蚀工艺的总时长采用一个MTBC周期，所述MTBC周期表示所述刻蚀腔的两次清洗间的平均时间(mean timebetween clean)。
进一步的改进是，步骤二中，所述受损范围通过对完成所述劳损测试后的所述第一聚焦环的厚度进行测量得到，厚度减少越大，受损越大，所述受损范围内为所述第一聚焦环中厚度小于第二要求值的范围。
进一步的改进是，所述第二要求值要求保证所述步骤四中，边缘的刻蚀速率偏差满足所述第一要求值。
进一步的改进是，所述第一要求值为3％。
进一步的改进是，步骤三中，所述第一集中环的外侧边缘的半径是在所述受损范围的外侧边缘的半径的基础上增加冗余窗口实现，所述冗余窗口为所述第一集中环的外侧边缘和所述受损范围的外侧边缘之间的间距。
进一步的改进是，所述冗余窗口为所述第一聚焦环的外侧边缘和所述受损范围的外侧边缘之间的间距的50％。
进一步的改进是，所述第一聚焦环设置有第一晶圆放置部，所述第一晶圆放置部设置在靠近所述第一聚焦环的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆放置在所述第一聚焦环的所述第一晶圆放置部上。
进一步的改进是，所述第二聚焦环的所述第一集中环上设置有第二晶圆放置部，所述第二晶圆放置部设置在靠近所述第一集中环的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆放置在所述第一集中环的所述第二晶圆放置部上。
进一步的改进是，步骤三中，所述第二外侧保护环的材料采用陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化铝或氧化钇。
进一步的改进是，所述刻蚀腔中具有基座。
步骤一中，所述第一聚焦环套设在所述基座上。
步骤四中，所述第二聚焦环套设在所述基座上。
本发明首先利用一件式结构的第一聚焦环进行劳损测试并得到刻蚀工艺对应的受损范围，之后再根据受损范围设置二件式结构的第二聚焦环，将第二聚焦环中第二外侧保护环的暴露表面设置在受损范围外部，这样就能防止在刻蚀工艺中第二外侧保护环的材料被刻蚀出来并沉积在刻蚀腔的内侧表面上，从而能防止由于第二外侧保护环的材料沉积在刻蚀腔的内侧表面上之后对刻蚀工艺的刻蚀速率的稳定性的不利影响，从而能保证第二聚焦环能满足刻蚀速率稳定性的要求，所以，本发明能采用二件式结构的聚焦环从而能降低工艺成本，同时能使聚焦环的结构调节到满足刻蚀速率稳定性的要求。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有一件式结构聚焦环的结构示意图；
图2A是现有二件式结构聚焦环的结构示意图；
图2B是现有二件式结构聚焦环在刻蚀工艺中出现的沉积现象的示意图；
图3是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法的流程图；
图4是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法中采用的第一聚焦环的结构示意图；
图5是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法中在完成劳损测试后对第一聚焦环的厚度测量曲线；
图6是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法中采用的第二聚焦环的结构示意图；
图7是采用本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法的第二聚焦环的刻蚀工艺的刻蚀速率随刻蚀腔所经过的刻蚀工艺时间的曲线以及采用图2A所示的现有二件式结构聚焦环的刻蚀工艺的刻蚀速率随刻蚀腔所经过的刻蚀工艺时间的曲线。
具体实施方式
如图3所示，是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法的流程图；如图4所示，是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法中采用的第一聚焦环301的结构示意图；如图5所示，是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法中在完成劳损测试后对第一聚焦环301的厚度测量曲线；如图6所示是本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法中采用的第二聚焦环401的结构示意图；本发明实施例提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法包括如下步骤：
步骤一、如图4所示，提供第一聚焦环301，所述第一聚焦环301为一件式结构，所述第一聚焦环301的材料根据刻蚀膜层的材料选定，所述第一聚焦环301的材料要在保证在对所述刻蚀膜层的材料进行刻蚀时满足边缘的刻蚀速率偏差满足第一要求值。图4仅示意出了所述第一聚焦环301的沿半径方向上的剖面图，在俯视面上，所述第一聚焦环301呈环形结构。
在一些实施例中，所述第一要求值为3％。
在一些实施例中，所述刻蚀膜层的材料包括Si或SiN，所述第一聚焦环301的材料采用石英。
在另一些实施例中，所述刻蚀膜层的材料包括LK材料、SiO2、Si、SiN或SiCN，所述第一聚焦环301的材料采用多晶硅。
在另一些实施例中，所述刻蚀膜层的材料包括Al或TiN，所述第一聚焦环301的材料采用陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化铝或氧化钇。
以FEOL为例，FEOL中的刻蚀膜层通常以Si和SiN膜层为主，刻蚀腔主要采用ICP腔体实现，所述第一聚焦环301的材料采用石英，也即所述第一聚焦环301为石英聚焦环。
所述第一聚焦环301设置有第一晶圆放置部，所述第一晶圆放置部设置在靠近所述第一聚焦环301的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆304放置在所述第一聚焦环301的所述第一晶圆放置部上。
所述刻蚀腔中具有基座。所述第一聚焦环301套设在所述基座上。图4中，所述基座上还设置有下电极302以及绝缘环303。
步骤二、在刻蚀腔中采用所述刻蚀膜层的刻蚀工艺对所述第一聚焦环301进行劳损测试并得到所述第一聚焦环301的受损范围。
在一些实施例中，所述劳损测试中，所述刻蚀膜层的刻蚀工艺的偏置电压采用最高偏置电压。最高偏置电压能达1000V以上。
所述劳损测试中，所述刻蚀膜层的刻蚀工艺的总时长采用一个MTBC周期，所述MTBC周期表示所述刻蚀腔的两次清洗间的平均时间。
所述受损范围通过对完成所述劳损测试后的所述第一聚焦环301的厚度进行测量得到，厚度减少越大，受损越大，所述受损范围内为所述第一聚焦环301中厚度小于第二要求值的范围。所述第二要求值要求保证后续步骤四中，边缘的刻蚀速率偏差满足所述第一要求值。如图5所示，曲线501a和501b为沿所述第一聚焦环301的不同半径方向上的厚度曲线，如，曲线501a对应的半径和曲线501b对应的半径方向垂直或者相差180度。可以看出，曲线501a和501b基本重合，所述受损范围位于所述第一聚焦环301的标记502对应的半径范围以内。标记502对应半径以外的区域中，所述第一聚焦环301的厚度基本不变或者损失很小，如果在标记502对应半径以外的区域中设置后续的第二外侧保护环401b时，边缘的刻蚀速率偏差会满足所述第一要求值。图5中，标记502对应的半径为167mm。
步骤三、如图6所示，根据所述受损范围设置第二聚焦环401，所述第二聚焦环401采用二件式结构，所述第二聚焦环401的两件式结构由第一集中环401a和第二外侧保护环401b组成，所述第一集中环401a的材料和所述第一聚焦环301的材料相同。
图6仅示意出了所述第二聚焦环401的沿半径方向上的剖面图，在俯视面上，所述第二聚焦环401呈环形结构。
所述第二外侧保护环401b的材料的使用寿命大于所述第一集中环401a的材料，例如：所述第二外侧保护环401b的使用寿命为所述第一集中环401a的使用寿命的10倍以上。同样以前道工艺(FEOL)为例，所述第一集中环401a的材料采用石英，所述第二外侧保护环401b的材料采用陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化铝或氧化钇；此时，所述第一集中环401a的使用寿命为500小时，所述第二外侧保护环401b的使用寿命为5000小时。
所述第一集中环401a的外侧边缘位于所述第二外侧保护环401b的外侧边缘和内侧边缘之间，所述第一集中环401a的延伸到所述第二外侧保护环401b的内侧边缘外的部分位于所述第二外侧保护环401b的表面之上。
所述第一集中环401a的外侧边缘的直径延伸到至少将所述受损范围完全包覆，使所述第二外侧保护环401b暴露的表面位于所述受损范围的外侧。
在一些实施例中，所述第一集中环401a的外侧边缘的半径是在所述受损范围的外侧边缘的半径的基础上增加冗余窗口实现，所述冗余窗口为所述第一集中环401a的外侧边缘和所述受损范围的外侧边缘之间的间距。较佳为，所述冗余窗口为所述第一聚焦环301的外侧边缘和所述受损范围的外侧边缘之间的间距的50％。
所述第二聚焦环401的所述第一集中环401a上设置有第二晶圆放置部，所述第二晶圆放置部设置在靠近所述第一集中环401a的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆304放置在所述第一集中环401a的所述第二晶圆放置部上。
所述第二聚焦环401套设在所述基座上。图6中的所述基座和图4中的所述基座相同。
步骤四、采用设置有所述第二聚焦环401的所述刻蚀腔对形成有刻蚀膜层的晶圆进行刻蚀工艺，在所述晶圆的刻蚀工艺过程中，利用所述第二外侧保护环401b暴露的表面位于所述受损范围的外侧的特点防止所述第二外侧保护环401b表面受损并从而提高刻蚀速率稳定性。
如图7所示，是采用本发明实施例提高刻刻蚀腔的蚀速率稳定性的方法的第二聚焦环401的刻蚀工艺的刻蚀速率随刻蚀腔所经过的刻蚀工艺时间的曲线601以及采用图2A所示的现有二件式结构聚焦环的刻蚀工艺的刻蚀速率随刻蚀腔所经过的刻蚀工艺时间的曲线602，刻蚀工艺对应的所述刻蚀膜层的材料都以SiN为例，图7中的横坐标的单位RFH表示射频累积使用小时数，可以看出，随着刻蚀腔所经过的刻蚀工艺时间增加，曲线602的值会下降，而曲线601则会保持较高值。
本发明实施例首先利用一件式结构的第一聚焦环301进行劳损测试并得到刻蚀工艺对应的受损范围，之后再根据受损范围设置二件式结构的第二聚焦环401，将第二聚焦环401中第二外侧保护环401b的暴露表面设置在受损范围外部，这样就能防止在刻蚀工艺中第二外侧保护环401b的材料被刻蚀出来并沉积在刻蚀腔的内侧表面上，从而能防止由于第二外侧保护环401b的材料沉积在刻蚀腔的内侧表面上之后对刻蚀工艺的刻蚀速率的稳定性的不利影响，从而能保证第二聚焦环401能满足刻蚀速率稳定性的要求，所以，本发明实施例能采用二件式结构的聚焦环从而能降低工艺成本，同时能使聚焦环的结构调节到满足刻蚀速率稳定性的要求。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供第一聚焦环，所述第一聚焦环为一件式结构，所述第一聚焦环的材料根据刻蚀膜层的材料选定，所述第一聚焦环的材料要在保证在对所述刻蚀膜层的材料进行刻蚀时满足边缘的刻蚀速率偏差满足第一要求值；
步骤二、在刻蚀腔中采用所述刻蚀膜层的刻蚀工艺对所述第一聚焦环进行劳损测试并得到所述第一聚焦环的受损范围；
步骤三、根据所述受损范围设置第二聚焦环，所述第二聚焦环采用二件式结构，所述第二聚焦环的两件式结构由第一集中环和第二外侧保护环组成，所述第一集中环的材料和所述第一聚焦环的材料相同；
所述第二外侧保护环的材料的使用寿命大于所述第一集中环的材料；
所述第一集中环的外侧边缘位于所述第二外侧保护环的外侧边缘和内侧边缘之间，所述第一集中环的延伸到所述第二外侧保护环的内侧边缘外的部分位于所述第二外侧保护环的表面之上；
所述第一集中环的外侧边缘的直径延伸到至少将所述受损范围完全包覆，使所述第二外侧保护环暴露的表面位于所述受损范围的外侧；
步骤四、采用设置有所述第二聚焦环的所述刻蚀腔对形成有刻蚀膜层的晶圆进行刻蚀工艺，在所述晶圆的刻蚀工艺过程中，利用所述第二外侧保护环暴露的表面位于所述受损范围的外侧的特点防止所述第二外侧保护环表面受损并从而提高刻蚀速率稳定性。
2.如权利要求1所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤一中，所述刻蚀膜层的材料包括Si或SiN，所述第一聚焦环的材料采用石英。
3.如权利要求1所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤一中，所述刻蚀膜层的材料包括LK材料、SiO2、Si、SiN或SiCN，所述第一聚焦环的材料采用多晶硅。
4.如权利要求1所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤一中，所述刻蚀膜层的材料包括Al或TiN，所述第一聚焦环的材料采用陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化铝或氧化钇。
5.如权利要求1所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤二中，所述劳损测试中，所述刻蚀膜层的刻蚀工艺的偏置电压采用最高偏置电压。
6.如权利要求5所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤二中，所述劳损测试中，所述刻蚀膜层的刻蚀工艺的总时长采用一个MTBC周期，所述MTBC周期表示所述刻蚀腔的两次清洗间的平均时间。
7.如权利要求6所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤二中，所述受损范围通过对完成所述劳损测试后的所述第一聚焦环的厚度进行测量得到，厚度减少越大，受损越大，所述受损范围内为所述第一聚焦环中厚度小于第二要求值的范围。
8.如权利要求7所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：所述第二要求值要求保证所述步骤四中，边缘的刻蚀速率偏差满足所述第一要求值。
9.如权利要求8所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：所述第一要求值为3％。
10.如权利要求7所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤三中，所述第一集中环的外侧边缘的半径是在所述受损范围的外侧边缘的半径的基础上增加冗余窗口实现，所述冗余窗口为所述第一集中环的外侧边缘和所述受损范围的外侧边缘之间的间距。
11.如权利要求10所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：所述冗余窗口为所述第一聚焦环的外侧边缘和所述受损范围的外侧边缘之间的间距的50％。
12.如权利要求1所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：所述第一聚焦环设置有第一晶圆放置部，所述第一晶圆放置部设置在靠近所述第一聚焦环的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆放置在所述第一聚焦环的所述第一晶圆放置部上。
13.如权利要求12所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：所述第二聚焦环的所述第一集中环上设置有第二晶圆放置部，所述第二晶圆放置部设置在靠近所述第一集中环的内侧边缘，在刻蚀工艺中，所述晶圆放置在所述第一集中环的所述第二晶圆放置部上。
14.如权利要求2所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：步骤三中，所述第二外侧保护环的材料采用陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化铝或氧化钇。
15.如权利要求13所述的提高刻蚀腔刻蚀速率稳定性的方法，其特征在于：所述刻蚀腔中具有基座；
步骤一中，所述第一聚焦环套设在所述基座上；
步骤四中，所述第二聚焦环套设在所述基座上。
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