CN116162771B - 提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法、装置及设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及轧钢技术领域，揭示了一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法、装置及设备。该方法包括：获取取向硅钢的脱碳退火试样，并将脱碳退火试样置入温度梯度实验炉；通过均温段按照设定退火温度曲线对脱碳退火试样进行加热处理；如果均温段的温度大于预设温度，则将脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理；针对每一个设定中断试验温度，如果均温段的温度升至设定中断试验温度，则取出温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样；通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定中断试样的二次再结晶前沿温度。本申请所提出的技术方案可以实现二次再结晶发生温度捕捉精度达到±2.5℃的目标。
Description
技术领域
本申请涉及轧钢技术领域，揭示了一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法、装置及设备。
背景技术
取向硅钢是重要的软磁功能材料，主要用于电力建设的核心设备-变压器制造。取向硅钢磁性能控制的核心是控制位向准确的Goss晶核在合理的温度条件下发生二次再结晶，因此，二次再结晶的过程研究一直是行业的焦点。二次再结晶发生的温度是二次再结晶控制效果的重要指标表征。比如，日本研究表明低温取向硅钢合理的二次再结晶发生温度为1070℃左右，可以获得最优的电磁性能。实验室研究二次再结晶一般采用高温退火中断实验法，在预设定的不同的温度点间断将试样从均温区炉膛内抽出后进行检测，由于试验条件的限制，这种方式获得二次再结晶温度误差往往超过10℃，误差较大，且不能捕捉二次再结晶前沿信息，不能满足高磁感取向硅钢薄规格高性能化发展的二次再结晶高精度表征需求。基于此，本发明提出一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法，可以实现二次再结晶发生温度捕捉精度达到±2.5℃的目标，同时可以获得二次再结晶发生前沿信息，为高端产品研发提供了重要支持。
发明内容
本申请涉及轧钢技术领域，揭示了一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法、装置及设备。可以解决取向硅钢实验研究二次再结晶温度表征精度不足的问题，并可以满足高磁感取向硅钢性能提升的研究需求。
本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法，所述方法包括：获取取向硅钢的脱碳退火试样，并将所述脱碳退火试样置入温度梯度实验炉，所述温度梯度实验炉用于对所述脱碳退火试样进行加热处理，包括均温段和温度梯度段，所述温度梯度段不同位置的加热程度不同；通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理；如果所述均温段的温度大于预设温度，则将所述脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理，以使所述脱碳退火试样的不同位置产生不同变化；针对每一个设定中断试验温度，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样，所述设定中断试验温度用于指导取出所述中断试样，所述中断试样为所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样；通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，所述获取取向硅钢的脱碳退火试样，包括：获取取向硅钢板，并对所述取向硅钢板进行脱碳处理和渗氮处理，得到中间试样；对所述中间试样进行涂覆处理、干燥处理和加工处理，得到目标试样，并将所述目标试样作为脱碳退火试样。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，所述将所述脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理，包括：按照设定长度比例将所述脱碳退火试样分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分和所述脱碳退火试样的长度比值的取值范围为0.3~0.7；将所述脱碳退火试样的第二部分置入所述温度梯度段，并通过所述温度梯度段对所述第二部分进行加热处理。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，所述通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度，包括：通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，获取所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域；获取温度梯度段入口与所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域的相距距离，并将所述相距距离作为所述中断试样的二次再结晶前沿距离；基于所述二次再结晶前沿距离和所述均温段的温度，确定所述脱碳退火试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，通过如下公式确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度：
其中，T x为二次再结晶前沿温度，为均温段温度，k为温度梯度段变化系数，x为二次再结晶前沿距离。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，在通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理之前，所述方法还包括：向所述温度梯度实验炉通入保护气体，所述保护气体至少包括氮气和氢气中的任意一种。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，所述设定退火温度曲线的升温速率小于或者等于25℃/h。
在本申请的一个实施例中，基于前述方案，所述温度梯度段的最高温度和最低温度的温度差的取值范围为5~50℃。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的装置，所述装置包括：获取单元，被用于获取取向硅钢的脱碳退火试样，并将所述脱碳退火试样置入温度梯度实验炉，所述温度梯度实验炉用于对所述脱碳退火试样进行加热处理，包括均温段和温度梯度段，所述温度梯度段不同位置的加热程度不同；第一加热单元，被用于通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理；第二加热单元，被用于如果所述均温段的温度大于预设温度，则将所述脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理，以使所述脱碳退火试样的不同位置产生不同变化；取出单元，被用于针对每一个设定中断试验温度，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样，所述设定中断试验温度用于指导取出所述中断试样，所述中断试样为所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样；确定单元，被用于通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括一个或多个处理器和一个或多个存储器，所述一个或多个存储器中存储有至少一条程序代码，所述至少一条程序代码由所述一个或多个处理器加载并执行以实现如上述任一实施例所述的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法。
在本申请提出的技术方案中，将已经准备好的脱碳退火试样放入温度梯度实验炉进行高温退火中断试验，并使试样的一部分处于温度梯度段内发生二次再结晶晶粒长大，在均温段升温至预设定的温度点对脱碳退火试样进行中断抽出，得到中断试样，然后对抽出的中断试样进行酸洗处理和检验显示低倍组织，根据低倍组织二次再结晶晶粒分布状态测量计算二次再结晶前沿温度。本申请提出的技术方案可以实现二次再结晶发生温度捕捉精度达到±2.5℃的目标。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1示出了本申请实施例中的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法的流程图；
图2示出了本申请一个具体实施例中的温度梯度实验炉的示意图；
图3示出了本申请实施例中的温度梯度实验炉的均温段和温度梯度段的温度分布图；
图4示出了本申请实施例中的中断试样的二次再结晶晶粒前沿的示意图；
图5示出了本申请实施例中的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的装置的框图；
图6示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图；
附图标记说明如下：
| 200—温度梯度实验炉， | 201—炉膛， |
| 202—炉体， | 203—热电偶， |
| 500—提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的装置， | 501—获取单元； |
| 502—第一加热单元， | 503—第二加热单元， |
| 504—取出单元， | 505—确定单元， |
| 600—计算机系统， | 601—中央处理单元CPU， |
| 602—只读存储器ROM， | 603—随机访问存储器RAM， |
| 604—总线， | 605—I/O接口， |
| 606—输入部分， | 607—输出部分， |
| 608—存储部分， | 609—通信部分， |
| 610—驱动器， | 611—可拆卸介质。 |
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
需要说明的是：在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要注意的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的对象在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在图示或描述的那些以外的顺序实施。
以下对本申请实施例的技术方案的实现细节进行详细阐述：
图1示出了本申请实施例中的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法的流程图。
如图1所示，该提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法至少包括步骤110至步骤190。
下面将对图1所示步骤110至步骤190进行详细说明：
在步骤110中，获取取向硅钢的脱碳退火试样，并将所述脱碳退火试样置入温度梯度实验炉，所述温度梯度实验炉用于对所述脱碳退火试样进行加热处理，包括均温段和温度梯度段，所述温度梯度段不同位置的加热程度不同。
在本申请中，所述温度梯度实验炉包括均温段和温度梯度段，所述均温段出口和所述温度梯度段入口相连接，所述均温段中各个位置的加热能力相同，所述温度梯度段中各个位置与所述温度梯度段入口的相距距离越远，则对应位置的加热能力越弱。
在本申请中，所述温度梯度实验炉的长度和宽度可以根据实际需要进行设置，所述均温段和所述温度梯度段的长度可以根据所述温度梯度实验炉的长度进行设置。
在本申请中，可以在所述温度梯度实验炉中设置多个热电偶，以准确获取所述脱碳退火试样在所述温度梯度实验炉内的温度。
继续参考图1，在步骤130中，通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理。
在本申请中，所述设定退火温度曲线可以根据退火过程的升温次数和保温次数进行设置，所述设定退火温度曲线的升温速率、升温时间和保温时间等参数可以根据退火要求进行调整。
继续参考图1，在步骤150中，如果所述均温段的温度大于预设温度，则将所述脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理，以使所述脱碳退火试样的不同位置产生不同变化。
在本申请中，所述预设温度可以设定为1000℃，也可以设定为1020℃，还可以根据实际需要进行设置。
在本申请中，如果所述均温段的温度大于预设温度，则可以将所述脱碳退火试样往右移，以使部分脱碳退火试样进入所述温度梯度段，则所述脱碳退火试样分为两部分，其中一部分通过所述均温段进行加热处理，另一部分通过所述温度梯度段进行加热处理。
在本申请中，当所述脱碳退火试样位于所述温度梯度段时，位于温度梯度段入口的脱碳退火试样温度和均温段温度相同，且为温度梯度段的最高温度，所述脱碳退火试样与所述温度梯度段入口的相距距离越远，则所述脱碳退火试样的温度越低。
继续参考图1，在步骤170中，针对每一个设定中断试验温度，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样，所述设定中断试验温度用于指导取出所述中断试样，所述中断试样为所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样。
在本申请中，可以设置多个设定中断试验温度，相邻设定中断试验温度的温度差大于或者等于10℃。
在本申请中，所述脱碳退火试样在所述温度梯度实验炉中进行高温退火中断试验，则所述脱碳退火试样在所述温度梯度实验炉中未实现高温退火，则将所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样作为中断试样。
在本申请中，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样，直至取出所有中断试样，可以停止所述温度梯度实验炉的加热，并将取出的所有中断试样进行酸洗处理，以去除所述中断试样表面的氧化物。
继续参考图1，在步骤190中，通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请的一个实施例中，所述获取取向硅钢的脱碳退火试样，包括：获取取向硅钢板，并对所述取向硅钢板进行脱碳处理和渗氮处理，得到中间试样；对所述中间试样进行涂覆处理、干燥处理和加工处理，得到目标试样，并将所述目标试样作为脱碳退火试样。
在本申请中，将获取到的取向硅钢板按照设定的参数进行脱碳处理和渗氮处理，得到中间试样，对所述中间试样进行涂覆处理、干燥处理，其中，可以通过涂布MgO隔离剂对所述中间试样进行涂覆处理。
在本申请中，对干燥处理后的中间试样进行加工处理，得到目标试样，其中目标试样的宽度大于或者等于30mm，长度可以根据所述均温段和所述温度梯度段的长度进行设定，并将加工得到的目标试样作为脱碳退火试样。
在本申请中，通过生产工艺的不同可以获取多种取向硅钢板，并对所述取向硅钢板进行脱碳处理、渗氮处理、涂覆处理、干燥处理和加工处理，得到多片目标试样，可以按照设定数量将多片目标试样叠放成一组，并将得到的一组目标试样作为一个脱碳退火试样，可以达到在一次实验中获取多个工艺条件下的取向硅钢的二次再结晶前沿温度的效果。例如，获取3种不同工艺条件下的取向硅钢的目标试样，每种目标试样有5片，则每3片不同目标试样叠放成一组，可以得到5组脱碳退火试样。
在本申请的一个实施例中，所述将所述脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理，包括：按照设定长度比例将所述脱碳退火试样分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分和所述脱碳退火试样的长度比值的取值范围为0.3~0.7；将所述脱碳退火试样的第二部分置入所述温度梯度段，并通过所述温度梯度段对所述第二部分进行加热处理。
在本申请中，所述脱碳退火试样的第一部分位于所述均温段，所述脱碳退火试样的第二部分位于温度梯度段，两个部分分别通过均温段和温度梯度段进行加热处理，其中所述第二部分的温度小于或者等于所述第一部分的温度。
在本申请中，所述第二部分和所述脱碳退火试样的长度比值的取值范围为0.3~0.7，以使得在对所述脱碳退火试样进行低倍检验处理时，可以清晰地获取所述脱碳退火试样的二次再结晶晶粒生长区域。
在本申请的一个实施例中，所述通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度，包括：通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，获取所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域；获取温度梯度段入口与所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域的相距距离，并将所述相距距离作为所述中断试样的二次再结晶前沿距离；基于所述二次再结晶前沿距离和所述均温段的温度，确定所述脱碳退火试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请中，可以通过显微镜或者其他检测设备对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，获取中断试样的二次再结晶晶粒生长区域，针对中断试样中位于温度梯度段的第二部分，可以通过检测设备观察到所述中断试样不同位置呈现不同状态，并可以精准的捕捉到二次再结晶发生的临界状态。
在本申请中，基于所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域，可以通过测量工具获取二次再结晶前沿距离，通过所述二次再结晶前沿距离和均温段温度，可以确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请的一个实施例中，通过如下公式确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度：
其中，T x为二次再结晶前沿温度，为均温段温度，k为温度梯度段变化系数，x为二次再结晶前沿距离。
在本申请中，所述均温段温度为所述中断试样抽出时对应的均温段温度。
在本申请中，所述温度梯度段变化系数的取值范围为0.01~1.2，基于所述温度梯度实验炉的温度梯度段的构造，可以确定所述温度梯度段变化系数。
在本申请中，所述二次再结晶前沿距离的取值范围为0.3L0~0.7L0，其中，L0为所述脱碳退火试样的长度。
在本申请的一个实施例中，在通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理之前，所述方法还包括：向所述温度梯度实验炉通入保护气体，所述保护气体至少包括氮气和氢气中的任意一种。
在本申请中，通入的保护气体可以是氮气和氢气的混合气体，可以通入20%N2和80%H2的混合气体，也可以通入25%N2和75%H2的混合气体，通入的氮气和氢气的比例可以根据实际需要进行调整。
在本申请的一个实施例中，所述设定退火温度曲线的升温速率小于或者等于25℃/h。
在本申请的一个实施例中，所述温度梯度段的最高温度和最低温度的温度差的取值范围为5~50℃。
在本申请中，温度梯度段入口的温度为所述温度梯度段的最高温度，温度梯度段出口的温度为所述温度梯度段的最低温度，即温度梯度段入口温度和温度梯度段出口温度的温度差的取值范围为5~50℃。
为了使本领域技术人员更加容易的理解本申请，下面将结合图2~4以一个具体的实施例来说明本申请。
图2示出了本申请一个具体实施例中的温度梯度实验炉的示意图。
图3示出了本申请实施例中的温度梯度实验炉的均温段和温度梯度段的温度分布图。
图4示出了本申请实施例中的中断试样的二次再结晶晶粒前沿的示意图。
脱碳退火试样采用低温取向硅钢成分及工艺，轧制至实验研究所用产品厚度为0.23mm。
温度梯度实验炉如图2所示，所述温度梯度实验炉200包括炉膛201、炉体202和热电偶203，其中，AB段为均温段：均热段温度表示为（A点温度为/>）、均温段长度L1为350mm；BC段为温度梯度段：B点温度为Tb，C点温度为Tc，/>，设定温度/>-Tc＝20℃，温度梯度段BC长度L2为200mm。
如图3所示，在均温段AB中，各个位置的温度相同，都为；在温度梯度段BC中，温度梯度段入口B的温度为Tb，温度梯度段出口C的温度为Tc，温度梯度段中的任意位置X的温度为Tx，且Tx=/>-k·x，其中x为二次再结晶前沿距离，k为温度梯度段变化系数。
具体步骤如下所示：
步骤1，将取向硅钢板按照设定的参数进行脱碳、渗氮、涂布MgO隔离剂及干燥，并加工成脱碳退火试样，其中脱碳退火试样的规格为长300mm，宽50mm；脱碳退火试样为5组（每组3片试样叠放在一起，每组包括3个不同脱碳退火温度工艺的试样）；
步骤2，将脱碳退火试样放入炉膛201均温段，向炉膛201内通入25%N2和75%H2混合气氛，均温段温度在升温至700℃后以15℃/h的升温速率升温至1200℃，设定中断试验温度分别为1050℃，1060℃，1070℃，1080℃，1090℃；
步骤3，当均温段温度升温至预设温度1020℃后，将脱碳退火试样向右移，使脱碳退火试样部分进入温度梯度区域，脱碳退火试样进入温度梯度段部分的长度Lx为100mm；
步骤4，均温段继续按照设定温度曲线升温至第一个设定中断试验温度时取出任意一个中断试样，并对其进行空冷处理，后续按照设定中断试验温度重复此操作，直到取出所有中断试样，试验结束；
步骤5，对所有中断试样进行酸洗处理，并通过检测设备显示其低倍组织，并找出含有二次再结晶晶粒生长区域的中断试样，测量温度梯度段入口B点至二次再结晶晶粒生长区域的二次再结晶前沿距离x，并获取该中断试样取出时的均温段温度Ta=1070℃，并获取温度梯度段变化系数为0.3，将数值带入二次再结晶前沿温度式Tx=Ta–0.3·x，便可获得二次再结晶前沿温度值Tx。
所述中断试样的二次再结晶晶粒前沿的示意图如图4所示，其中第3组三个试样的二次再结晶温度分别为：1079℃、1072℃、1067℃，如表1所示。
表1
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案中，至少具有如下技术效果或优点：
本发明采用退火炉温度梯度结构设计，使脱碳退火试样不同位置产生一定的温度渐变过渡，使得同一片试样表现出抑制剂的熟化速度渐变，精准的捕捉到二次再结晶发生的临界状态，从而捕捉得到二次再结晶发生的前沿温度和状态。
本发明提出的一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法，可以解决取向硅钢实验研究二次再结晶温度表征精度不足的问题，并可以满足高磁感取向硅钢性能提升的研究需求。
本发明提出的一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法，可以实现二次再结晶发生温度捕捉精度达到±2.5℃的目标，同时可以获得二次再结晶发生前沿信息，为高端产品研发提供了重要支持。
以下介绍本申请的装置实施例，可以用于执行本申请上述实施例中第一方面的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法。对于本申请装置实施例中未披露的细节，请参照本申请上述第一方面的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法的实施例。
图5示出了本申请实施例中的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的装置的框图。
如图5所示，本申请实施例中的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的装置500，所述装置包括：获取单元501，第一加热单元502，第二加热单元503，取出单元504和确定单元505。
其中，获取单元501，被用于获取取向硅钢的脱碳退火试样，并将所述脱碳退火试样置入温度梯度实验炉，所述温度梯度实验炉用于对所述脱碳退火试样进行加热处理，包括均温段和温度梯度段，所述温度梯度段不同位置的加热程度不同；第一加热单元502，被用于通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理；第二加热单元503，被用于如果所述均温段的温度大于预设温度，则将所述脱碳退火试样置入所述温度梯度段进行加热处理，以使所述脱碳退火试样的不同位置产生不同变化；取出单元504，被用于针对每一个设定中断试验温度，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样，所述设定中断试验温度用于指导取出所述中断试样，所述中断试样为所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样；确定单元505，被用于通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述获取单元501配置为：获取取向硅钢板，并对所述取向硅钢板进行脱碳处理和渗氮处理，得到中间试样；对所述中间试样进行涂覆处理、干燥处理和加工处理，得到目标试样，并将所述目标试样作为脱碳退火试样。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述第二加热单元503配置为：按照设定长度比例将所述脱碳退火试样分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分和所述脱碳退火试样的长度比值的取值范围为0.3~0.7；将所述脱碳退火试样的第二部分置入所述温度梯度段，并通过所述温度梯度段对所述第二部分进行加热处理。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述确定单元505配置为：通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，获取所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域；获取温度梯度段入口与所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域的相距距离，并将所述相距距离作为所述中断试样的二次再结晶前沿距离；基于所述二次再结晶前沿距离和所述均温段的温度，确定所述脱碳退火试样的二次再结晶前沿温度。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述确定单元505还配置为：
其中，T x为二次再结晶前沿温度，为均温段温度，k为温度梯度段变化系数，x为二次再结晶前沿距离。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述装置还包括输入单元，被用于向所述温度梯度实验炉通入保护气体，所述保护气体至少包括氮气和氢气中的任意一种。
本申请还提供了一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中，且适于由处理器读取并执行，以使得具有所述处理器的计算机设备执行如上述任一实施例中所述的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法。
本申请还提供了一种计算机可读介质，该计算机可读介质可以是电子设备中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入电子设备中。所述计算机可读存储介质中存储有至少一条程序代码，所述至少一条程序代码由处理器加载并执行以实现上述任一实施例中所述的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法。
本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括一个或多个处理器和一个或多个存储器，所述一个或多个存储器中存储有至少一条程序代码，所述至少一条程序代码由所述一个或多个处理器加载并执行以实现上述任一实施例所述的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法。
图6示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
需要说明的是，图6示出的电子设备的计算机系统600仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图6所示，计算机系统600包括中央处理单元（Central Processing Unit，CPU）601，其可以根据存储在只读存储器（Read-Only Memory，ROM）602中的程序或者从存储部分608加载到随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）603中的程序而执行各种适当的动作和处理，例如执行上述实施例中所述的方法。在RAM 603中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。CPU 601、ROM 602以及RAM 603通过总线604彼此相连。输入/输出（Input/Output，I/O）接口605也连接至总线604。
以下部件连接至I/O接口605：包括键盘、鼠标等的输入部分606；包括诸如阴极射线管（Cathode Ray Tube，CRT）、液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）等以及扬声器等的输出部分607；包括硬盘等的存储部分608；以及包括诸如LAN（Local Area Network，局域网）卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分609。通信部分609经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器610也根据需要连接至I/O接口605。可拆卸介质611，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器610上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分608。
特别地，根据本申请的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本申请的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分609从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质611被安装。在该计算机程序被中央处理单元（CPU）601执行时，执行本申请的系统中限定的各种功能。
需要说明的是，本申请实施例所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦式可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）、闪存、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器（Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM）、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本申请中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本申请中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、有线等等，或者上述的任意合适的组合。
附图中的流程图和框图，图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。其中，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本申请实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本申请的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本申请实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质（可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等）中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备（可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等）执行根据本申请实施方式的方法。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实施方式后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。
此外，上述附图仅是根据本申请示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围执行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (6)
1.一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取取向硅钢板，并对所述取向硅钢板进行脱碳处理和渗氮处理，得到中间试样；
对所述中间试样进行涂覆处理、干燥处理和加工处理，得到目标试样，并将所述目标试样作为脱碳退火试样，并将所述脱碳退火试样置入温度梯度实验炉，所述温度梯度实验炉用于对所述脱碳退火试样进行加热处理，包括均温段和温度梯度段，所述温度梯度段不同位置的加热程度不同；
通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理；
如果所述均温段的温度大于预设温度，则按照设定长度比例将所述脱碳退火试样分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分和所述脱碳退火试样的长度比值的取值范围为0.3~0.7；
将所述脱碳退火试样的第二部分置入所述温度梯度段，并通过所述温度梯度段对所述第二部分进行加热处理，以使所述脱碳退火试样的不同位置产生不同变化；
针对每一个设定中断试验温度，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样，所述设定中断试验温度用于指导取出所述中断试样，所述中断试样为所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样；
通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，获取所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域；
获取温度梯度段入口与所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域的相距距离，并将所述相距距离作为所述中断试样的二次再结晶前沿距离；
基于所述二次再结晶前沿距离和所述均温段的温度，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度，其中，通过如下公式确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度：
其中，Tx为二次再结晶前沿温度，Ta为均温段温度，k为温度梯度段变化系数，x为二次再结晶前沿距离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理之前，所述方法还包括：
向所述温度梯度实验炉通入保护气体，所述保护气体至少包括氮气和氢气中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定退火温度曲线的升温速率小于或者等于25℃/h。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度梯度段的最高温度和最低温度的温度差的取值范围为5~50℃。
5.一种提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的装置，其特征在于，所述装置执行如权利要求1~4任一项所述的方法，所述装置包括：
获取单元，被用于获取取向硅钢板，并对所述取向硅钢板进行脱碳处理和渗氮处理，得到中间试样；对所述中间试样进行涂覆处理、干燥处理和加工处理，得到目标试样，并将所述目标试样作为脱碳退火试样，并将所述脱碳退火试样置入温度梯度实验炉，所述温度梯度实验炉用于对所述脱碳退火试样进行加热处理，包括均温段和温度梯度段，所述温度梯度段不同位置的加热程度不同；
第一加热单元，被用于通过所述均温段按照设定退火温度曲线对所述脱碳退火试样进行加热处理；
第二加热单元，被用于如果所述均温段的温度大于预设温度，则按照设定长度比例将所述脱碳退火试样分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分和所述脱碳退火试样的长度比值的取值范围为0.3~0.7；将所述脱碳退火试样的第二部分置入所述温度梯度段，并通过所述温度梯度段对所述第二部分进行加热处理，以使所述脱碳退火试样的不同位置产生不同变化；
取出单元，被用于针对每一个设定中断试验温度，如果所述均温段的温度升至所述设定中断试验温度，则取出所述温度梯度实验炉中的任意一个中断试样并进行酸洗处理，直至取出最后一个中断试样，所述设定中断试验温度用于指导取出所述中断试样，所述中断试样为所述脱碳退火试样通过所述温度梯度实验炉得到的试样；
确定单元，被用于通过对酸洗处理后的中断试样进行低倍检验处理，获取所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域；
获取温度梯度段入口与所述中断试样的二次再结晶晶粒生长区域的相距距离，并将所述相距距离作为所述中断试样的二次再结晶前沿距离；
基于所述二次再结晶前沿距离和所述均温段的温度，确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度，其中，通过如下公式确定所述中断试样的二次再结晶前沿温度：
其中，Tx为二次再结晶前沿温度，Ta为均温段温度，k为温度梯度段变化系数，x为二次再结晶前沿距离。
6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括一个或多个处理器和一个或多个存储器，所述一个或多个存储器中存储有至少一条程序代码，所述至少一条程序代码由所述一个或多个处理器加载并执行以实现如权利要求1至4任一项所述的提高取向硅钢二次再结晶捕捉精度的方法。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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Address after: 064400 No. 025 Zhao'an Street, Qian'an Economic Development Zone, Tangshan City, Hebei Province Patentee after: Shougang Zhixin Electromagnetic Materials (Qian'an) Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 025 Zhao'an Street, Qian'an Economic Development Zone, Tangshan City, Hebei Province, 064400 Patentee before: SHOUGANG ZHIXIN QIAN'AN ELECTROMAGNETIC MATERIALS Co.,Ltd. Country or region before: China |
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| CP03 | Change of name, title or address |