CN116156954A - 发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光显示装置，根据一实施例的发光显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上方；第一绝缘层，位于所述晶体管上方；分离线，位于所述第一绝缘层上方；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上方，并具有与所述分离线重叠的第一开口；第一像素电极和第二像素电极，在所述第二绝缘层上方位于所述分离线的两侧；像素定义层，位于所述第二绝缘层上方，并具有与所述分离线重叠的第二开口；以及发光部件，位于所述第一像素电极、所述第二像素电极、所述像素定义层和所述分离线上方。所述发光部件包括第一发光部、位于所述第一发光部上方的电荷产生层以及位于所述电荷产生层上方的第二发光部，所述发光部件借由所述分离线而分离。

Description

发光显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更详细地涉及一种包括发光二极管的发光显示装置。
背景技术
发光显示装置可以包括对应于像素的发光二极管(light emitting diodes)，通过控制各个发光二极管的亮度来显示影像。发光显示装置与液晶显示装置之类的受光型显示装置不同，不需要诸如背光(backlight)之类的光源，因此能够减少厚度和重量。并且，发光显示装置具有高亮度、高明暗对比度、高色彩再现性、高反应速度等的特性，从而可以显示高品质的影像。
由于这些优点，发光显示装置可以应用于诸如智能电话、平板之类的移动装置、显示器、电视等各种电子装置，并且作为汽车用显示装置受到关注。
发明内容
发光显示装置可以包括构成发光二极管的像素电极、发光部件以及公共电极。发光部件可以包括多个层，多个层中的至少一部分可以跨越多个像素。据此，一个像素的电流可能泄漏到相邻的像素，并且相邻的像素可能无意地发光或增加亮度。
实施例旨在提供一种防止在相邻的像素之间发生泄漏发光的发光显示装置。
根据一实施例的发光显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上方；第一绝缘层，位于所述晶体管上方；分离线，位于所述第一绝缘层上方；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上方，并具有与所述分离线重叠的第一开口；第一像素电极和第二像素电极，在所述第二绝缘层上方位于所述分离线的两侧；像素定义层，位于所述第二绝缘层上方，并具有与所述分离线重叠的第二开口；以及发光部件，位于所述第一像素电极、所述第二像素电极、所述像素定义层以及所述分离线上方。所述发光部件包括第一发光部、位于所述第一发光部上方的电荷产生层以及位于所述电荷产生层上方的第二发光部，其中，所述发光部件借由分离线而分离。
所述电荷产生层可以包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，所述电荷产生层可以在所述分离线的两侧被分离。
所述电荷产生层可以包括位于所述分离线上方的部分。
所述分离线可以包括依次层叠的第一导电层、第二导电层以及第三导电层。所述电荷产生层可以与所述第一导电层的侧表面接触。
所述电荷产生层可以与所述第二导电层的侧表面接触。
所述第三导电层的宽度可以大于所述第二导电层的宽度。
所述第三导电层可以包括透明导电性氧化物层。
所述第三导电层可以包括依次层叠的透明导电性氧化物层、金属层以及透明导电性氧化物层。
所述第三导电层可以与所述第一像素电极和所述第二像素电极在同一工序中利用相同的材料形成。
所述发光显示装置还可以包括连接器，位于所述第一绝缘层上方，所述连接器是所述晶体管的一个电极或者所述连接器与所述一个电极连接。所述连接器可以包括依次层叠的第一导电层、第二导电层以及第三导电层。所述分离线的第一导电层和第二导电层可以分别利用与所述连接器的第一导电层和第二导电层相同的物质而构成。所述分离线的第三导电层可以利用与所述连接器的第三导电层不同的物质而构成。
所述分离线的第二导电层可以薄于所述连接器的第二导电层。
所述像素定义层可以具有与所述连接器重叠的开口。所述第一像素电极可以通过所述像素定义层的开口连接到所述连接器。
所述第一发光部和所述第二发光部可以分别包括：空穴传输层；电子传输层，位于所述空穴传输层上方；以及第一发光层和第二发光层，所述第一发光层位于所述空穴传输层与所述电子传输层之间，并与所述第一像素电极重叠，所述第二发光层位于所述空穴传输层与所述电子传输层之间，并与所述第二像素电极重叠。
所述发光显示装置还可以包括位于所述发光部件上方的公共电极。所述公共电极可以借由所述分离线而分离。
所述公共电极可以与所述第二导电层的侧表面接触。
所述公共电极可以包括位于所述分离线上方的部分。
根据一实施例的发光显示装置包括：基板；晶体管，位于所述基板上方；第一绝缘层，位于所述晶体管上方；旁路线，位于所述第一绝缘层上方；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上方，并具有与所述旁路线重叠的孔；第一像素电极和第二像素电极，在所述第二绝缘层上方位于所述旁路线的两侧；像素定义层，位于所述第二绝缘层上方，并具有与所述旁路线重叠的开口；发光部件，位于所述第一像素电极、所述第二像素电极、所述像素定义层及所述旁路线上方；以及公共电极，位于所述发光部件上方。所述发光部件横跨所述第一像素电极和所述第二像素电极而连续地形成，所述发光部件与所述旁路线面对面地接触。
与施加于所述公共电极的电压相同的电压可以被施加到所述旁路线。
所述旁路线可以包括依次层叠的第一导电层、第二导电层以及第三导电层。所述第三导电层可以包括透明导电性氧化物层。
所述发光部件可以与所述第三导电层接触。所述第三导电层可以与所述第一像素电极和所述第二像素电极在同一工序中利用相同的材料形成。
根据实施例，可以防止在相邻的像素之间发生泄漏发光，据此可以改善发光显示装置的显示质量。并且，根据实施例，具有可以在整个说明书中认识到的有利效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据一实施例的发光显示装置的立体图。
图2是根据一实施例的发光显示装置中布置在显示区域的像素的示意性的平面图。
图3是沿图2中的A-A'线截取的根据一实施例的发光显示装置的剖面图。
图4是根据一实施例的发光显示装置中的发光部件的示意性的剖面图。
图5至图10是示出根据一实施例的发光显示装置的制造方法的工序剖面图。
图11和图12分别是沿图2中的A-A'线截取的根据一实施例的发光显示装置的剖面图。
图13、图14和图15分别是根据一实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性的剖面图。
附图标记说明：
10：显示面板 BL：旁路线
CGL：电荷产生层 n-CGL：n型电荷产生层
p-CGL：p型电荷产生层 CL：连接器
Ca：第一导电层 Cb：第二导电层
Cc：第三导电层 DA：显示区域
E1、E1a、E1b、E1c：像素电极
E2：公共电极 EM：发光部件
ETL：电子传输层 H：接触孔
H1：孔 HIL：空穴注入层
HTL：空穴传输层 IL1：第一绝缘层
IL2：第二绝缘层
LED、LEDa、LEDb、LEDc：发光二极管
LEa、LEb、LEc：发光层 LUa：第一发光部
LUb：第二发光部 NA：非显示区域
OP1、OP2：开口 PDL：像素定义层
PX：像素 SB：基板
SL：分离线 Sa：第一导电层
Sb：第二导电层 Sc：第三导电层
TR：晶体管 VIA：平坦化层
具体实施方式
参照附图对实施例进行详细说明，以使在本发明所属技术领域中具有基本知识的人可以容易地实施。
当提及层、膜、区域、板等部分位于另一部分“上方”或者“之上”时，其不仅包括位于另一构成“紧邻的上方”的情形，还包括在两者中间还有其他构成的情形。与此相反，当提及到某一构成位于另一构成“紧邻的上方”时，表示在两者中间没有其他构成。
在整个说明书中，提及某一部分“包括”某一构成要素时，除非有相反的记载，否则其表示还可以包括其他构成要素。
在整个说明书中，当提及“连接”时，其不仅可以表示两个以上的构成要素直接连接的情形，还包括两个以上构成要素之间通过其他构成要素而间接连接的情形、物理连接的情形或电连接的情形，除此之外，还包括虽然根据位置或功能而以不同的名称被命名但实质上为一体的各个部分彼此连接的情形。
在附图中，用“x”、“y”以及“z”表示方向，其中“x”为第一方向，“y”为与第一方向垂直的第二方向，“z”为与第一方向和第二方向垂直的第三方向。
图1是示意性地示出根据一实施例的发光显示装置的立体图。
参照图1，发光显示装置(以下，简称为“显示装置”)可以包括显示面板10、接合于显示面板10的柔性印刷电路膜20以及包括集成电路芯片30等的驱动装置。
显示面板10可以包括与显示影像的画面相对应的显示区域(display area)DA、布置有用于产生和/或传输施加于显示区域DA的各种信号的电路和/或信号线的非显示区域(non-display area)NA。非显示区域NA可以围绕显示区域DA。在图1中，虚线四边形的内侧和外侧可以分别对应于显示区域DA和非显示区域NA。
在显示面板10的显示区域DA中像素PX可以以矩阵布置。并且，在显示区域DA中可以布置有诸如栅极线(gate line)(也称为扫描线(scan line))、数据线(data line)、驱动电压线(driving voltage line)之类的信号线。栅极线、数据线、驱动电压线等连接于各个像素PX，从而各个像素PX可以从这些信号线接收栅极信号(也称为扫描信号)、数据电压、驱动电压(也称为第一电源电压或者高电位电源电压)等。像素PX可以由发光二极管之类的发光元件实现。
在显示区域DA中可以布置有用于感知用户的接触和/或非接触触摸的触摸传感器。虽然示出了大致四边形的显示区域DA，但是显示区域DA可以具有除了四边形之外的多边形、圆形、椭圆形等各种形状。
垫部(pad portion)PP可以位于显示面板10的非显示区域NA，在所述垫部PP排列有用于从显示面板10的外部接收信号的垫。垫部PP可以沿显示面板10的一边缘在第一方向x上长长地布置。柔性印刷电路膜20可以接合(bonding)于垫部PP，并且柔性印刷电路膜20的垫可以电连接于垫部PP的垫。
产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动装置(driving unit)可以位于显示面板10的非显示区域NA。驱动装置可以包括向数据线施加数据电压的数据驱动部(data driver)、向栅极线施加栅极信号的栅极驱动部(gate driver)以及控制数据驱动部和栅极驱动部的信号控制部(signal controller)。像素PX可以根据在栅极驱动部产生的栅极信号而在预定时间接收数据电压。栅极驱动部可以集成于显示面板10，可以位于显示区域DA的至少一侧。数据驱动部和信号控制部可以以集成电路芯片(也称为驱动IC芯片)30提供，集成电路芯片30可以贴装在显示面板10的非显示区域NA。集成电路芯片30也可以贴装于柔性印刷电路膜20等而电连接于显示面板10。
图2是根据一实施例的发光显示装置中布置在显示区域的像素的示意性的平面图，图3是沿图2中的A-A'线截取的根据一实施例的发光显示装置的剖面图。
图2示出了布置在显示面板10的显示区域DA的像素PXa、PXb、PXc。虽然示出了六个像素，但像素PXa、PXb、PXc可以沿行列方向规则地布置在显示区域DA。像素PXa、PXb、PXc可以包括第一像素PXa、第二像素PXb以及第三像素PXc。第一像素PXa、第二像素PXb以及第三像素PXc可以显示彼此不同的颜色，可以显示各个基本色中的一个。例如，第一像素PXa、第二像素PXb以及第三像素PXc中的一个可以显示红素，另一个可以显示绿色，剩下的一个可以显示蓝色。作为一示例，第一像素PXa可以显示红色，第二像素PXb可以显示绿色，第三像素PXc可以显示蓝色。
第一像素PXa、第二像素PXb以及第三像素PXc可以布置为均匀地分布。如图所示，第一像素PXa和第二像素PXb可以沿第二方向y交替并反复地布置。第一像素PXa以及第二像素PXb和第三像素PXc可以沿第一方向x交替并反复地布置。像素PXa、PXb、PXc的布置可以多样地改变。
分离线SL可以位于第一像素PXa与第二像素PXb之间。分离线SL也可以位于第一像素PXa与第三像素PXc之间以及第二像素PXb与第三像素PXc之间。分离线SL可以沿第一方向x延伸，或者可以沿第二方向y延伸。
参照图2和图3，显示面板10可以包括基板SB和位于基板SB上的层和元件。具体地，第一绝缘层IL1可以位于基板SB上方。虽未图示，但用于驱动像素PXa、PXb、PXc的晶体管、电容器等可以位于基板SB与第一绝缘层IL1之间，对此将在后述说明。
分离线SL和连接器CL可以位于第一绝缘层IL1上方。分离线SL可以处于浮置(floating)状态，或者可以传输公共电压(也称为第二电源电压或者低电位电源电压)。连接器CL可以电连接于晶体管的一个电极。连接器CL也可以对应于晶体管的一个电极。
分离线SL和连接器CL可以分别具有多层结构，并且可以包括多个导电层。分离线SL可以包括依次层叠的第一导电层Sa、第二导电层Sb以及第三导电层Sc。连接器CL可以包括依次层叠的第一导电层Ca、第二导电层Cb以及第三导电层Cc。分离线SL的第一导电层Sa和第二导电层Sb可以分别利用与连接器CL的第一导电层Ca和第二导电层Cb相同的物质构成。分离线SL的第三导电层Sc可以利用与连接器CL的第三导电层Cc不同的物质构成。例如，第一导电层Sa、Ca可以利用钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)等的耐火性金属(refractorymetal)构成，第二导电层Sb、Cb可以利用铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等电阻率小的金属构成。第三导电层Sc可以利用与像素电极E1a、E1b、E1c相同的物质构成，第三导电层Cc可以利用钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)等的耐火性金属构成。分离线SL的第三导电层Sc可以具有多层结构。例如，第三导电层Sc可以是依次层叠有透明导电氧化物层(例如，铟锡氧化物(ITO)层)、金属层(例如，银(Ag)层)以及透明导电性氧化物层(例如，ITO层)的三层。
在分离线SL中，第三导电层Sc的宽度可以大于第二导电层Sb的宽度。分离线SL可以具有第三导电层Sc的侧表面从第二导电层Sb的侧表面突出的形状。分离线SL整体上可以具有倒锥形(reverse taper)结构，即可以具有第三导电层Sc的宽度大于其下部的第二导电层Sb的宽度的结构。分离线SL的第二导电层Sb可以薄于连接器CL的第二导电层Cb。
第二绝缘层IL2可以位于第一绝缘层IL1上方。第二绝缘层IL2可以覆盖连接器CL的一部分，但不覆盖分离线SL。第二绝缘层IL2可以具有与分离线SL重叠的开口OP1，开口OP1的宽度可以大于分离线SL的宽度。开口OP1可以沿分离线SL的长度方向而如同沟槽(trench)一样长长地形成。开口OP1可以沿第三方向z贯通第二绝缘层IL2。
像素电极E1a、E1b、E1c可以位于第二绝缘层IL2上方。像素电极E1a、E1b、E1c可以通过分别形成于第二绝缘层IL2的接触孔H而与所对应的连接器CL连接。相邻的像素电极E1a、E1b、E1c可以位于分离线SL的两侧。
具有分别与像素电极E1a、E1b、E1c重叠的开口Oa、Ob、Oc的像素定义层PDL可以位于第二绝缘层IL2上方。像素定义层PDL可以覆盖像素电极E1a、E1b、E1c的边缘。像素定义层PDL可以不覆盖分离线SL。像素定义层PDL可以具有与分离线SL重叠的开口OP2，开口OP2的宽度可以大于分离线SL的宽度，并且可以小于开口OP1的宽度。开口OP2可以沿第三方向z贯通像素定义层PDL。
发光部件EM可以位于像素电极E1a、E1b、E1c和像素定义层PDL上方。发光部件EM可以包括多个层。多个层中的一部分可以在整个显示区域DA中实质上形成为一个层，一部分可以与各个像素电极E1a、E1b、E1c对应地形成为单独的层。发光部件EM的详细构成将在后面说明。发光部件EM可以位于分离线SL上方。然而，发光部件EM可以借由倒锥形结构的分离线SL而分离。例如，第一像素PXa的发光部件EM和第二像素PXb的发光部件EM可以分离于分离线SL的两侧。据此，可以防止相邻的像素之间的电流通过发光部件EM泄漏，并且可以防止由泄漏电流导致的低色阶像素的亮度的增加。
公共电极E2可以位于发光部件EM上方。公共电极E2也可以位于分离线SL上方。公共电极E2可以借由倒锥形结构的分离线SL而分离于分离线SL的两侧。
在各个像素PXa、PXb、PXc中，像素电极E1a、E1b、E1c、发光部件EM和公共电极E2可以构成发光二极管LEDa、LEDb、LEDc。像素电极E1a、E1b、E1c和公共电极E2可以分别为阳极(anode)和阴极(cathode)。
覆盖层(未示出)可以位于公共电极E2上方，并且封装层(未示出)可以位于覆盖层上方。
图4是根据一实施例的发光显示装置中的发光部件的示意性的剖面图。
参照图4，示出了像素PXa、PXb、PXc的发光部件EM的层叠结构。发光部件EM可以位于像素电极E1a、E1b、E1c与公共电极E2之间。发光部件EM可以包括多个发光部(例如，第一发光部LUa和第二发光部LUb)。当显示装置显示影像时，第一发光部LUa和第二发光部LUb同时发光，从而可以提高显示装置的影像显示特性。
第一发光部LUa可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层LEa、LEb、LEc以及电子传输层ETL。
空穴注入层HIL、空穴传输层HTL以及电子传输层ETL中的每一个可以横跨多个像素PXa、PXb、PXc而形成为一个层。即，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL以及电子传输层ETL不仅可以位于像素定义层PDL的开口Oa、Ob、Oc内，还可以在开口Oa、Ob、Oc外部位于像素定义层PDL上方。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL以及电子传输层ETL可以位于分离线SL上方，但在分离线SL的两侧被分离。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和/或电子传输层ETL也可以被省略。
发光层LEa、LEb、LEc可以与对应的像素电极E1a、E1b、E1c重叠地设置。发光层LEa、LEb、LEc可以主要位于像素定义层PDL对应的开口Oa、Ob、Oc内。发光层LEa、LEb、LEc可以与相邻的像素PXa、PXb、PXc的发光层LEa、LEb、LEc分离。发光层LEa、LEb、LEc可以不位于分离线SL上方。发光层LEa、LEb、LEc可以包括发出各个像素PXa、PXb、PXc显示的基本色的光的有机物。
在各个像素PXa、PXb、PXc中，在发光层LEa、LEb、LEc与空穴传输层HTL之间还可以设置有辅助层ALa、ALb、ALc。辅助层ALa、ALb、ALc可以具有将在像素电极E1a、E1b、E1c与公共电极E2之间往复的光的路径的长度调节为符合谐振条件的厚度。并且，辅助层ALa、ALb、ALc中的至少一部分，例如，第三像素PXc的辅助层ALc可以阻断电子以防止电子转移至空穴传输层HTL。在第一像素PXa显示红色、第二像素PXb显示绿色以及第三像素PXc显示蓝色的情况下，第一像素PXa的辅助层Ala的厚度可以是最厚，并且第三像素PXc的辅助层Alc的厚度可以是最薄。辅助层ALa、ALb、ALc可以被省略。
第二发光部LUb可以包括空穴传输层HTL、发光层LEa、LEb、LEc、缓冲层BUF以及电子传输层ETL。
第二发光部LUb的发光层LEa、LEb、LEc可以具有与第一发光部LUa的发光层LEa、LEb、LEc相同的功能和特征。
在各个像素PXa、PXb、PXc中，在发光层LEa、LEb、LEc与空穴传输层HTL之间还可以设置有辅助层ALa、ALb、ALc。辅助层ALa、ALb、ALc可以具有与第一发光部LUa的辅助层ALa、ALb、ALc相同的功能和特征。
空穴传输层HTL、缓冲层BUF以及电子传输层ETL中的每一个可以横跨多个像素PXa、PXb、PXc而形成为一个层。即，空穴传输层HTL、缓冲层BUF以及电子传输层ETL中的每一个不仅可以位于像素定义层PDL的开口Oa、Ob、Oc内，还可以在开口Oa、Ob、Oc外部位于像素定义层PDL上方。空穴传输层HTL、缓冲层BUF以及电子传输层ETL可以位于分离线SL上方，但在分离线SL的两侧被分离。缓冲层BUF可以包括绝缘物质。缓冲层BUF和/或电子传输层ETL也可以被省略。
电荷产生层CGL可以位于第一发光部LUa和第二发光部LUb之间。电荷产生层CGL可以包括n型电荷产生层n-CGL和p型电荷产生层p-CGL。在各个像素PXa、PXb、PXc中，n型电荷产生层n-CGL和p型电荷产生层p-CGL可以彼此相接而形成PN结。通过PN结，在n型电荷产生层n-CGL与p型电荷产生层p-CGL之间可以同时产生电子和空穴。产生的电子可以通过n型电荷产生层n-CGL传输至第一发光部LUa，并且产生的空穴可以通过p型电荷产生层p-CGL传输至第二发光部LUb。n型电荷产生层n-CGL的电导率可以低于p型电荷产生层p-CGL的电导率。
n型电荷产生层n-CGL可以横跨多个像素PXa、PXb、PXc而形成为一个层。即，n型电荷产生层n-CGL不仅可以位于像素定义层PDL的开口Oa、Ob、Oc内，还可以在开口Oa、Ob、Oc外部位于像素定义层PDL上方。n型电荷产生层n-CGL可以位于分离线SL上方，但在分离线SL的两侧被分离。
p型电荷产生层p-CGL可以横跨多个像素PXa、PXb、PXc而形成为一个层。即，p型电荷产生层p-CGL不仅可以位于像素定义层PDL的开口Oa、Ob、Oc内，还可以在开口Oa、Ob、Oc外部位于像素定义层PDL上方。p型电荷产生层p-CGL可以位于分离线SL上方，但在分离线SL的两侧被分离。
若横跨多个像素PXa、PXb、PXc而形成有一个连续的n型电荷产生层n-CGL，则在驱动显示装置时，一个像素PXa、PXb、PXc的电流可能通过连续的n型电荷产生层n-CGL流向相邻的像素PXa、PXb、PXc，从而导致非预期的像素发光或者增加亮度。并且，若横跨多个像素PXa、PXb、PXc而形成有一个连续的p型电荷产生层p-CGL，则在驱动显示装置时，一个像素PXa、PXb、PXc的电流可能通过连续的p型电荷产生层p-CGL流向相邻的像素PXa、PXb、PXc，从而导致非预期的像素发光或者增加亮度。如上所述，电流通过相邻的n型电荷产生层n-CGL和/或p型电荷产生层p-CGL流向相邻的像素而使相邻的像素发光或亮度增加，将这样的情形称为泄漏发光。但是，根据一实施例，n型电荷产生层n-CGL和p型电荷产生层p-CGL可以借由位于相邻的像素PXa、PXb、PXc之间的第一绝缘层IL1上方的分离线SL而被分离。因此，可以减少或防止一个像素的电流通过n型电荷产生层n-CGL和/或p型电荷产生层p-CGL流向相邻的像素，并且可以减少或防止泄漏发光。
以下，将对根据一实施例的发光显示装置(尤其，显示面板)的制造方法进行说明。
图5至图10是示出根据一实施例的发光显示装置的制造方法的工序剖面图。
参照图5，在基板SB上方可以形成第一绝缘层IL1。在第一绝缘层IL1上方形成导电物质层后进行图案化(patterning)，从而可以形成分离线SL和连接器CL。在此，图案化可以表示通过光刻(photolithography)工序等去除层的一部分来形成预定的图案的动作。最初形成的分离线SL和连接器CL可以具有与最终形成的分离线SL和连接器CL不同的结构。分离线SL和连接器CL可以为多层，例如，可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)或者钼(Mo)/铝(Al)/钛(Ti)的三层结构。然后，在第一绝缘层IL1上方可以形成覆盖分离线SL和连接器CL的第二绝缘层IL2。第二绝缘层IL2例如可以通过涂布感光性聚酰亚胺(PSPI：photosensitivepolyimide)来形成。
参照图6，可以使用光掩模选择性地照射光并显影来图案化第二绝缘层IL2，并可以硬化第二绝缘层IL2。通过第二绝缘层IL2的图案化，可以去除第二绝缘层IL2的与分离线SL和连接器CL重叠的部分。通过第二绝缘层IL2的图案化，在第二绝缘层IL2中可以形成与连接器CL重叠的接触孔H。并且，第二绝缘层IL2的位于分离线SL的两侧的部分也可以被去除，从而可以形成与分离线SL重叠的孔H1。孔H1可以沿分离线SL的长度方向如同沟槽一样且长长地形成。当图案化第二绝缘层IL2时，可以去除分离线SL的整个最上层和连接器CL的最上层的一部分。并且，分离线SL的中间层的表面可以被蚀刻，使得中间层的厚度减小。位于分离线SL的两侧的第二绝缘层IL2在第三方向上z未被完全去除，可以以与去除最上层的分离线SL的厚度大致相同的厚度残留。
参照图7，在第二绝缘层IL2上方形成导电物质层后进行图案化，从而可以形成像素电极E1a、E1b、E1c和分离线SL的第三导电层Sc。更加详细地说明导电物质层的图案化，在导电物质层上方涂覆(例如，涂布)光致抗蚀剂(photoresist)后，使用光掩模选择性地照射光并显影来形成感光膜图案PR，并且利用感光膜图案PR作为掩模，对导电物质层进行湿式蚀刻，从而可以形成像素电极E1a、E1b、E1c和第三导电层Sc。因此，分离线SL的第三导电层Sc可以与像素电极E1a、E1b、E1c在同一工序中利用相同的材料形成。
参照图8，将感光膜图案PR作为掩模进行干式蚀刻，从而可以完全去除位于分离线SL两侧的第二绝缘层IL2，并且可以形成与分离线SL重叠的开口OP1。此时，分离线SL的第二导电层Sb的侧表面一并被蚀刻，从而可以减小第二导电层Sb的宽度，并且分离线SL可以形成倒锥形结构。
参照图9，剥离感光膜图案PR，涂布绝缘物质层之后，再进行图案化，从而可以形成具有与像素电极E1a、E1b、E1c重叠的开口Oa、Ob、Oc以及与分离线SL重叠的开口OP2的像素定义层PDL。
参照图10，在像素电极E1a、E1b、E1c、分离线SL以及像素定义层PDL上方可以形成发光部件EM。在发光部件EM中，发光层LEa、LEb、LEc和辅助层ALa、ALb、ALc可以使用精细金属掩模(fine metal mask)而选择性地沉积于与各个像素PXa、PXb、PXc对应的区域。因此，发光层LEa、LEb、LEc和辅助层ALa、ALb、ALc可以不位于位于相邻的像素PXa、PXb、PXc之间的分离线SL上方。在发光部件EM中，电荷产生层CGL、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL以及缓冲层BUF可以使用开口掩模(open mask)而被沉积为横跨整个显示区域DA。因此，电荷产生层CGL、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL以及缓冲层BUF可以位于分离线SL上方，但是可以借由分离线SL的倒锥形结构而在分离线SL的两侧被断开。据此，可以减少或防止由电荷产生层CGL引起的相邻的像素PXa、PXb、PXc之间的电流泄漏以及由此导致的泄漏发光。另外，被断开的电荷产生层CGL等也可以与分离线SL的第一导电层Sa的侧表面接触而通过第一导电层Sa被电连接，但是第一导电层Sa的电阻率大于第二导电层Sb的电阻率且第一导电层Sa比第二导电层Sb形成得薄，因此由通过第一导电层Sa的泄漏电流产生的影响可能是微乎其微的。用于分离发光部件EM(特别是，电荷产生层CGL)的分离线SL的倒锥形结构可以通过在进行用于形成像素电极E1a、E1b、E1c和第三导电层Sc的湿式蚀刻之后不追加掩模的情况下仅进行干式蚀刻来形成。
然后，参照图3，公共电极E2可以位于发光部件EM上方。公共电极E2可以使用开口掩模而沉积为横跨整个显示区域DA。因此，公共电极E2虽然可以位于分离线SL上方，但是可以借由分离线SL的倒锥形结构而在分离线SL的两侧被断开。
图11和图12分别是沿图2中的A-A'线截取的根据一实施例的发光显示装置的剖面图。
参照图11，与图3所示的实施例相同，发光部件EM和公共电极E2可以借由分离线SL的倒锥形结构而在分离线SL的两侧被断开。然而，与图3所示的实施例不同，公共电极E2连接于分离线SL的第二导电层Sb。即，公共电极E2与电阻率小且较厚地形成的第二导电层Sb的侧表面接触。这种结构，例如可以倾斜地沉积公共电极E2或利用所沉积的层之间的厚度差来形成。当将公共电压施加到分离线SL时，可以将公共电压横跨整个显示区域DA而通过分离线SL施加于公共电极E2，因此可以改善由公共电极E2的电阻引起的电压降。
如图11所示，发光部件EM(尤其是，电荷产生层CGL)可以与第二导电层Sb的侧表面接触，但也可以不接触。当发光部件EM与第二导电层Sb的侧表面接触时，断开的电荷产生层CGL可以通过第二导电层Sb而被电连接，因此可能在相邻的像素PXa、PXb、PXc之间发生通过电荷产生层CGL的泄漏电流。然而，通过向分离线SL施加公共电压等的预定的电压，从而可以使通过电荷产生层CGL泄漏的电流通过分离线SL绕流。
参照图12，类似于上述的实施例的分离线SL，在相邻的像素PXa、PXb、PXc之间布置有旁路线BL。旁路线BL可以具有与分离线SL相同的层叠结构。第二绝缘层IL2可以不覆盖旁路线BL的上表面，并且可以具有与旁路线BL重叠的孔H1。旁路线BL附近的第二绝缘层IL2的厚度可以与旁路线BL的第一导电层Sa的厚度和第二导电层Sb的厚度之和相同或者几乎相同。像素定义层PDL可以具有与旁路线BL重叠的开口OP2。开口OP2的宽度可以大于旁路线BL的宽度，并且可以小于孔H1的宽度。
发光部件EM和公共电极E2不被旁路线BL断开，可以在相邻的像素PXa、PXb、PXc之间连续地形成。发光部件EM可以与旁路线BL的第三导电层Sc面对面地接触。这样的结构例如可以在上述的制造方法中通过在进行用于形成像素电极E1a、E1b、E1c和第三导电层Sc的湿式蚀刻后不进行干式蚀刻的情况下形成像素定义层PDL来形成(即，省略图8中所示的工序)。
发光部件EM不被旁路线BL断开而连接于相邻的像素PXa、PXb、PXc之间，并横跨像素电极E1a、E1b、E1c而连续地形成，因此电流可能通过电荷产生层CGL泄漏。然而，发光部件EM与旁路线BL面对面地接触，因此若向旁路线BL中施加公共电压等的预定的电压，则可以使通过电荷产生层CGL泄漏的电流通过旁路线BL绕流。
图13、图14和图15分别是根据一实施例的显示面板中的一个像素区域的示意性的剖面图。
图13是示意性地示出根据一实施例的显示面板的层叠结构的剖面图。在图13中示出的剖面可以大致对应于一个像素区域。
显示面板基本上可以包括基板SB、形成在基板SB上的晶体管TR以及与晶体管TR连接的发光二极管LED。发光二极管LED可以对应于像素PX。在图13中，位于基板SB与第一平坦化层VIA1之间的构成可以对应于在图3、图11和图12中基板SB与第一绝缘层IL1之间的图示被省略的构成。
基板SB可以由玻璃之类的材料构成。基板SB也可以是包括酰亚胺、聚酰胺(polyamide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)等高分子树脂的柔性(flexible)基板。
缓冲层BFL可以位于基板SB上方。缓冲层BFL在形成半导体层时，从基板SB阻断杂质来提高半导体层的特性，并且可以通过使基板SB的表面平坦化来缓解半导体层的应力。缓冲层BFL可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等无机绝缘物质，并且可以是单层或多层。缓冲层BFL也可以包括非晶硅(Si)。
晶体管TR的半导体层AL可以位于缓冲层BFL上方。半导体层AL可以包括第一区域、第二区域以及它们区域之间的沟道区域。半导体层AL可以包括非晶硅、多晶硅以及氧化物半导体中的任意一种。作为一示例，半导体层AL可以包括低温多晶硅(LTPS)，或者可以包括氧化物半导体物质，该氧化物半导体物质包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)以及锡(Sn)中的至少一种。作为一示例，半导体层AL可以包括氧化铟镓锌(IGZO：Indium-Gallium-Zinc Oxide)。
第一栅极绝缘层GI1可以位于半导体层AL上方。第一栅极绝缘层GI1可以包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质，且可以是单层或者多层。
第一栅极导电层可以位于第一栅极绝缘层GI1上方，该第一栅极导电层可以包括晶体管TR的栅极电极GE、电容器CS的第一电极C1等。第一栅极导电层可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，且可以是单层或者多层。
第二栅极绝缘层GI2可以位于第一栅极导电层上方。第二栅极绝缘层GI2可以包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质，且可以是单层或者多层。
第二栅极导电层可以位于第二栅极绝缘层GI2上方，该第二栅极导电层可以包括电容器CS的第二电极C2等。第二栅极导电层可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，且可以是单层或者多层。
层间绝缘层ILD可以位于第二栅极绝缘层GI2和第二栅极导电层上方。层间绝缘层ILD可以包括硅氮化物、硅氧化物、硅氮氧化物等的无机绝缘物质，且可以是单层或者多层。
第一数据导电层可以位于层间绝缘层ILD上方，该第一数据导电层可以包括晶体管TR的第一电极SE和第二电极DE等。第一电极SE和第二电极DE可以通过形成于绝缘层GI1、GI2、ILD的接触孔而分别与半导体层AL的第一区域和第二区域连接。第一电极SE和第二电极DE中的一个可以是源极电极，另一个可以是漏极电极。第一数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)等，且可以是单层或者多层。例如，第一数据导电层可以包括：下部层，包括钼、铬、钽、钛等的耐火性金属；中间层，包括铝、铜、银等的电阻率低的金属；上部层，包括耐火性金属。作为一示例，第一数据导电层可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)之类的三层结构。
第一平坦化层VIA1可以位于第一数据导电层上方。第一平坦化层VIA1可以是有机绝缘层。例如，第一平坦化层VIA1可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methylmethacrylate))、聚苯乙烯(polystyrene)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、亚胺类高分子(例如，聚酰亚胺)、硅氧烷类高分子等的有机绝缘物质。图3、图11和图12所示的第一绝缘层IL1可以对应于第一平坦化层VIA1。
包括连接器CL等的第二数据导电层可以位于第一平坦化层VIA1上方。连接器CL可以通过形成于第一平坦化层VIA1的接触孔而与晶体管TR的第二电极DE连接。第二数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)等，且可以是单层或者多层。例如，第二数据导电层可以具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)之类的三层结构。
第二平坦化层VIA2可以位于第二数据导电层上方。第二平坦化层VIA2可以是有机绝缘层。例如，第二平坦化层VIA2可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、亚胺类高分子、硅氧烷类高分子等的有机绝缘物质。图3、图11和图12所示的第二绝缘层IL2可以对应于第二平坦化层VIA2。
发光二极管LED的像素电极E1可以位于第二平坦化层VIA2上方。像素电极E1可以通过形成于第二平坦化层VIA2的接触孔而与连接器CL连接。因此，像素电极E1可以电连接于晶体管TR的第二电极DE，以接收控制发光二极管LED的亮度的驱动电流。连接于像素电极E1的晶体管TR可以是驱动晶体管(driving transistor)或者与驱动晶体管电连接的晶体管。像素电极E1可以由反射性导电物质或者半透射性导电物质形成，也可以由透明的导电物质形成。像素电极E1可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类的透明导电物质。像素电极E1可以包括锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)之类的金属或者金属合金。像素电极E1可以是多层，例如，ITO/银(Ag)/ITO之类的三层结构。
可以是有机绝缘层的像素定义层PDL可以位于第二平坦化层VIA2上方。像素定义层PDL可以具有与像素电极E1重叠的开口。
发光二极管LED的发光部件EM可以位于像素电极E1上方，而发光二极管LED的公共电极E2可以位于发光部件EM上方。公共电极E2利用钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)等的功函数小的金属或者金属合金形成较薄的层，据此可以具有光透射性。公共电极E2可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类的透明导电性氧化物。公共电极E2可以被施加公共电压。
各个像素PX的像素电极E1、发光部件EM以及公共电极E2构成有机发光二极管或者无机发光二极管之类的发光二极管LED。像素电极E1可以是发光二极管LED的阳极(anode)，公共电极E2可以是发光二极管LED的阴极(cathode)。
覆盖层CPL可以位于公共电极E2上方。覆盖层CPL可以通过调整折射率来增加光效率。覆盖层CPL可以设置为整体地覆盖公共电极E2。覆盖层CPL可以包括有机绝缘物质，也可以包括无机绝缘物质。
封装层EN可以位于覆盖层CPL上方。封装层EN可以封装发光二极管LED来防止水分或氧气从外部渗透。封装层EN可以是包括一个以上的无机层EIL1、EIL2和一个以上的有机层EOL的薄膜封装层。
包括触摸电极的触摸传感器层(未示出)可以位于封装层EN上方。触摸电极可以是具有与发光二极管LED重叠的开口的网络(mesh)形状。用于减少外界光反射的防反射层(未示出)可以位于触摸传感器层上方。
与图13所示的实施例相比，根据图14的实施例的显示面板中，在第二平坦化层VIA2上方还设置有可以包括第二连接器CL2的第三数据导电层和第三平坦化层VIA3。第二连接器CL2可以通过形成于第二平坦化层VIA2的接触孔而连接于与图13所示的连接器CL对应的第一连接器CL1，像素电极E1可以通过形成于第三平坦化层VIA3的接触孔而与第二连接器CL2连接。第三数据导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)等，且可以是单层或者多层。例如，第二数据导电层可以具有钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)之类的三层结构。第三平坦化层VIA3可以是有机绝缘层。例如，第三平坦化层VIA3可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、亚胺类高分子、硅氧烷类高分子等的有机绝缘物质。
在图14中，位于基板SB与第二平坦化层VIA2之间的构成可以对应于在图3、图11和图12中基板SB与第一绝缘层IL1之间的图示被省略的构成。图3、图11和图12所示的第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2以及连接器CL可以分别对应于第二平坦化层VIA2、第三平坦化层VIA3以及第二连接器CL2。
与图13所示的实施例相比，图15所示的显示面板不包括第二平坦化层VIA2和第二数据导电层。像素电极E1可以通过形成于与图13所示的第一平坦化层VIA1对应的平坦化层VIA的接触孔而与晶体管TR的第二电极DE连接。
在图15中，位于基板SB与平坦化层VIA之间的构成可以对应于在图3、图11和图12中基板SB与第一绝缘层IL1之间的图示被省略的构成。图3、图11和图12所示的第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2以及连接器CL可以分别对应于层间绝缘层ILD、平坦化层VIA以及第二电极DE。
以上对本发明的实施例进行了详细说明，然而本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中所定义的本发明的基本概念而进行的多种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，包括：
基板；
晶体管，位于所述基板上方；
第一绝缘层，位于所述晶体管上方；
分离线，位于所述第一绝缘层上方；
第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上方，并具有与所述分离线重叠的第一开口；
第一像素电极和第二像素电极，在所述第二绝缘层上方位于所述分离线的两侧；
像素定义层，位于所述第二绝缘层上方，并具有与所述分离线重叠的第二开口；以及
发光部件，位于所述第一像素电极、所述第二像素电极、所述像素定义层和所述分离线上方，
其中，所述发光部件包括第一发光部、位于所述第一发光部上方的电荷产生层以及位于所述电荷产生层上方的第二发光部，
所述发光部件借由所述分离线而分离。
2.如权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层，
所述电荷产生层在所述分离线的两侧被分离。
3.如权利要求2所述的发光显示装置，其中，
所述电荷产生层包括位于所述分离线上方的部分。
4.如权利要求3所述的发光显示装置，其中，
所述分离线包括依次层叠的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，
所述电荷产生层与所述第一导电层的侧表面接触。
5.如权利要求4所述的发光显示装置，其中，
所述电荷产生层与所述第二导电层的侧表面接触。
6.如权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述分离线包括依次层叠的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，
所述第三导电层的宽度大于所述第二导电层的宽度。
7.如权利要求6所述的发光显示装置，其中，
所述第三导电层包括透明导电性氧化物层。
8.如权利要求6所述的发光显示装置，其中，
所述第三导电层包括依次层叠的透明导电性氧化物层、金属层以及透明导电性氧化物层。
9.如权利要求6所述的发光显示装置，其中，
所述第三导电层与所述第一像素电极及所述第二像素电极在同一工序中利用相同的材料形成。
10.如权利要求6所述的发光显示装置，还包括：
连接器，位于所述第一绝缘层上方，所述连接器是所述晶体管的一个电极或者所述连接器与所述一个电极连接，
其中，所述连接器包括依次层叠的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，
所述分离线的第一导电层和第二导电层分别利用与所述连接器的第一导电层和第二导电层相同的物质而构成，
所述分离线的第三导电层利用与所述连接器的第三导电层不同的物质构成。
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