CN116149127B - 一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法。掩膜版包括：第一图形区，第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；至少一个第二图形区，第二图形区内包括第二掩膜图案；其中第一掩膜图案不透光，第二掩膜图案透光。利用上述掩膜版对平片衬底进行光刻工艺流程后，平片衬底中被第一掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的多个胶柱，被第二掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的至少一个空缺位置。在后续对平片衬底表面的胶柱进行观测时，待观测胶柱可从空缺位置处暴露，进而在不对衬底进行破坏性切片的情况下，实现对胶柱形貌尺寸参数的准确测量。

Description

一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法。

背景技术

光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，在部分半导体工艺制程中，需要在衬底上形成阵列排布的图形结构。光刻工艺是指对衬底进行涂胶、软烘、曝光和显影等一系列工艺，以在衬底表面制备出胶柱阵列，后续以胶柱阵列为掩膜，利用其他刻蚀工艺制备出图形阵列。可见，光刻工艺后形成的胶柱的参数与最终图形化衬底的图形参数息息相关。因此，需要对光刻工艺制备的胶柱的尺寸等参数进行监控测量。

发明内容

本发明提供一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法，以降低胶柱的观测难度，实现对衬底的无损检测。

第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜版，用于对平片衬底进行光刻，以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置，所述掩膜版包括：

第一图形区，所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；

至少一个第二图形区，所述第二图形区内包括第二掩膜图案；其中，所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光，所述第一掩膜图案用于形成所述多个胶柱，所述第二掩膜图案用于形成所述至少一个空缺位置。

第二方面，本发明实施例还提供了一种图形化衬底的光刻方法，利用本发明第一方面所述的掩膜版完成，

所述光刻方法包括：

提供平片衬底；

在所述平片衬底的一侧表面形成光刻胶层，所述光刻胶层采用正性光刻胶制备；

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中，并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光；其中，且所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以通过所述第一掩膜图案在所述平片衬底上形成多个胶柱，通过所述第二掩膜图案在所述平片衬底上形成至少一个空缺位置；其中，多个所述胶柱中包括至少一个待观测胶柱，沿所述图形化衬底的至少一个观测方向，所述待观测胶柱从所述空缺位置暴露；所述观测方向为所述待观测胶柱侧壁的任意位置指向所述待观测胶柱底部中心的方向。

第三方面，本发明实施例还提供了一种图形化衬底，利用本发明第二方面所述的图形化衬底的光刻方法制备而成。

本发明实施例提供的掩膜版包括：第一图形区，第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；至少一个第二图形区，第二图形区内包括第二掩膜图案；其中，第一掩膜图案不透光，第二掩膜图案透光。利用本申请提供的掩膜版对平片衬底进行光刻工艺流程后，平片衬底中被第一掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的多个胶柱，被第二掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的至少一个空缺位置。在后续对平片衬底表面的胶柱进行观测时，待观测胶柱可从空缺位置处暴露，进而在不对衬底进行破坏性切片的情况下，实现对胶柱形貌尺寸参数的准确测量。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视图；

图2为本发明实施例提供的一种黄光片的局部结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种平片衬底的区域划分示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种掩膜版的俯视图；

图5为本发明实施例提供的一种图形化衬底的光刻方法的流程图；

图6为本发明实施例提供的一种图形化衬底的光刻方法的示意图；

图7为本发明实施例提供的一种平片衬底的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

本申请提供的掩膜版，可适用于需要在衬底表面形成阵列图形结构的任意半导体制备工艺流程中，本发明对此不做限定。示例性的，在图形化蓝宝石衬底(PSS)的制备流程中，需要在平整蓝宝石加工出具有一定形状、且尺寸在微纳米量级的图形阵列，此时可利用本申请提供的掩膜版进行光刻。本申请中以制备PSS为例对掩膜版及其使用方法进行介绍，实际不限于此。

光刻工艺后得到的表面设置有阵列排布的胶柱的衬底称为黄光片，目前，对于黄光片的观测方法主要包括以下两种，第一种是基于反射率的自动化光学检测方法，但自动化光学检测只能对胶柱的尺寸进行大致测量，不能对胶柱尺寸和形貌等进行准确测量。第二种是利用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)对胶柱进行观测，但衬底上的胶柱是密集的周期性排布，由于其他胶柱的遮挡使得SEM无法直接测量某一或某些胶柱的侧面及底部信息。现有方法是对黄光片切片暴露胶柱侧面后再进行测量，但切片测量后黄光片报废，图形化衬底的制备成本大大提高。

基于上述缺陷，本发明实施例提供了一种掩膜版，用于对平片衬底进行光刻，以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置，所述掩膜版包括：第一图形区，所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；至少一个第二图形区，所述第二图形区内包括第二掩膜图案；其中，所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光，所述第一掩膜图案用于形成所述多个胶柱，所述第二掩膜图案用于形成所述至少一个空缺位置。

利用本申请实施例提供的掩膜版对平片衬底进行光刻工艺流程后，平片衬底中被第一掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的多个胶柱，被第二掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的至少一个空缺位置。在后续对平片衬底表面的胶柱进行观测时，待观测胶柱可从空缺位置处暴露，进而在不对衬底进行破坏性切片的情况下，实现对胶柱形貌尺寸参数的准确测量。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视图，该掩膜版用于对平片衬底进行光刻，以在平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置。参考图1，掩膜版1包括：第一图形区2，第一图形区2内包括阵列排布的多个第一掩膜图案21；至少一个第二图形区3，第二图形区3内包括第二掩膜图案31；其中，第一掩膜图案21不透光，第二掩膜图案31透光，第一掩膜图案21用于形成多个胶柱(图中未示出)，第二掩膜图案31用于形成至少一个空缺位置(图中未示出)。

具体地，参考图1，掩膜版1由第一图形区2和至少一个第二图形区3构成，第一图形区2中设置有阵列排布第一掩膜图案21，第一掩膜图案21不透光。其中，第一图形区2中除第一掩膜图案21外，还包括任意相邻第一掩膜图案21之间的透光图案。第二图形区3中设置有第二掩膜图案31，第二掩膜图案31透光。

光刻工艺一般包括涂胶、软烘、曝光和显影等步骤。涂胶是指在平片衬底表面制备一层光刻胶层。软烘是指对涂覆有光刻胶层的平片衬底进行高温处理，以去除光刻胶中的溶剂、增强光刻胶粘附性等。曝光是指将掩膜版1置于平片衬底的上方，在光刻系统中利用曝光光束照射掩膜版1的第一图形区2和第二图形区3。在显影步骤中，利用显影液将光刻胶层中的曝光区溶解，非曝光区保留。

其中，由于第一掩膜图案21不透光、第二掩膜图案31透光，经曝光和显影后，光刻胶层中被第一掩膜图案21遮挡过的区域即为非曝光区，非曝光区内的光刻胶层保留，保留的图形即形成平片衬底表面的多个胶柱。多个胶柱中包括待观测胶柱。同时，光刻胶层中被第二掩膜图案31遮挡过的区域为曝光区，曝光区内的光刻胶层溶解，形成平片衬底表面的至少一个空缺位置。图2为本发明实施例提供的一种黄光片的局部结构示意图，参考图2，待观测胶柱4周围设置有空缺位置5，按图2中所示方位，观测方向即为待观测胶柱4右侧、前侧以及右前侧区域指向待观测胶柱4任意位置的方向，沿观测方向，待观测胶柱4从空缺位置5处暴露。

第一掩膜图案21的俯视图形形状即为后续得到的胶柱的俯视形状。图1中示例性的示出了第一掩膜图案21和第二掩膜图案31均为圆形，实际设置方式不限于此。第一掩膜图案21也可以为矩形、椭圆等任意形状。当第一掩膜图案21为圆形时，平片衬底上的胶柱为圆柱胶柱。图1中以点状填充圆形表示透光的第二掩膜图案31，白色填充圆形表示不透光的第一掩膜图案21。

另外，本申请不限定第二掩膜图案的具体形状和尺寸等，保证在第二掩膜图案的掩膜下，可去除对待观测胶柱造成遮挡的胶柱，形成空缺位置即可。可定义会对待观测胶柱4造成遮挡的胶柱为待去除胶柱，示例性的，第二掩膜图案31的俯视图形的形状和尺寸等可与第一掩膜图案21相同(如图1所示)，如此，受到第二掩膜图案31掩膜的区域对应待去除胶柱所在的区域；或者，第二掩膜图案31的俯视图形的尺寸也可大于或等于第一掩膜图案21的俯视图形的尺寸，如此，受到第二掩膜图案31掩膜的区域对应待去除胶柱及其周围原本未形成胶柱的部分区域；或者，也可设置第二图形区3整体透光，也即第二图形区整体为一个第二掩膜图案31，如此，受到第二图形区3掩膜的区域可对应多个待去除胶柱以及其周围的区域，该区域形成多个空缺位置5。

需要说明的一点是，被第二掩膜图案31遮挡过的曝光区并非第一图形区2中的不透光图案所对应的曝光区。第二掩膜图案31对应的曝光区是指可能对待观测胶柱4造成遮挡的胶柱原本所在的位置，也可以理解为，若掩膜板上未设置第二图形区3，仅通过第一图形区2对光刻胶层进行曝光，则第二掩膜图案31对应的平片衬底表面会形成一个或多个胶柱，该一个或多个胶柱会遮挡待观测胶柱4，使得从任意观测方向均无法完整观察到待观测胶柱4的形貌和尺寸。

第二掩膜图案31的不同设置方式下，掩膜版的应用方法可能不同。示例性的，当第二掩膜图案31与第一掩膜图案21的形状相同时，若沿某个观测方向，仅有一个胶柱会对待观测胶柱4造成遮挡，则第二图形区3中可仅包括一个透光的第二掩膜图案31。在曝光时，调节掩膜版1与平片衬底的相对位置关系，令第二掩膜图案31与待去除胶柱的位置正对，使得显影后，待去除胶柱被去除，形成空缺位置5。若沿某个观测方向，有多个胶柱会对待观测胶柱4造成遮挡，则第二图形区3中可包括多个透光的第二掩膜图案31。在曝光时，调节掩膜版1与平片衬底的相对位置关系，令第二掩膜图案31与多个待去除胶柱的位置一一正对，使得显影后，多个待去除胶柱被去除，形成多个空缺位置5(如图1和图2中所示)。后续在对黄光片进行观测时，调节至观测方向，即可从空缺位置5处观测到待观测胶柱4的形貌以及尺寸。

当第二掩膜图案31的尺寸大于第一掩膜图案21的尺寸或第二图形区2整体透光时，若沿某个观测方向，有一个或多个胶柱会对待观测胶柱4造成遮挡，则在曝光时，可调节掩膜版1与平片衬底的相对位置关系，令第二掩膜图案31与一个或多个待去除胶柱的位置重合，形成多个空缺位置5。后续在对黄光片进行观测时，调节至观测方向，即可从空缺位置5处观测到待观测胶柱4的形貌以及尺寸。

可以理解的是，为准确且完整的观测到待观测胶柱4的侧面形貌并对其进行尺寸测量，当从空缺位置5观测待观测胶柱4时，应保证沿观测方向，待观测胶柱4的侧面以及底部露出。也可以理解为，观测方向为待观测胶柱4的侧壁任意位置指向底部中心的方向(如图2中所示)，至少一个观测方向即为待观测胶柱4侧部的其中一个位置指向胶柱底部中心的位置。在至少一个观测方向上，保证待观测胶柱4的侧壁和底部从空缺位置5处暴露。其中，本申请实施例中所说的待观测胶柱4的底部并非待观测胶柱4的底部一周边缘，而是指沿观测方向，待观测胶柱4的底部部分边缘(可以是半周边缘)，确保能够观察到底部形，测量出胶柱底部半径即可。

可以理解的是，利用SEM进行观测时，观测方向可指SEM的观测视野。对于观测方向的具体设置方式，本发明实施例不做限定，本领域技术人员可根据实际观测情况进行调整。例如观测方向可指相对与平片衬底表面斜俯视0～80°的方向，也即，与平片衬底表面延伸方向呈0～80°的方向，但不限于此。当沿多个观测方向待观测胶柱4均能从空缺位置5暴露时，在观测过程中，可通过调节不同的观测方向对待观测胶柱4的形貌进行整体性测量。

另外可选的，对于不同黄光片来说，需要观测的胶柱的位置可能存在区别，相应的待去除胶柱的位置也存在区别。待观测胶柱4位置不同时，空缺位置5也不同，曝光工艺中掩膜版1的第一掩膜图案21和第二掩膜图案31的对应的曝光区域也就不同。本发明实施例不限定曝光过程中第一掩膜图案21与第二掩膜图案31在掩膜版1中的相对位置关系，保证显影之后，利用第二掩膜图案31曝光得到的空缺位置5与利用第一掩膜图案21的得到的待观测胶柱4满足对待观测胶柱4的观测条件即可。

其中，可在光刻工艺之前，预先对设置有阵列排布的胶柱的黄光片进行观察，确定至少一个待观测胶柱4的在平片衬底上的第一位置坐标以及沿至少一个观测方向会对待观测胶柱4造成遮挡的待去除胶柱的数量和第二位置坐标。进而在曝光步骤中，调节掩膜版1和平片衬底的相对位置关系，使得第一掩膜图案21遮挡的区域与待观测胶柱4的第一位置坐标对应，第二掩膜图案31遮挡的区域与待去除胶柱的第二位置坐标对应。最终显影过后，即可得到多个胶柱以及至少一个空缺位置5。在对黄光片进行测量时，输入待观测胶柱4的第一位置坐标，定位至待观测胶柱4，通过调节观测方向，即可从空缺位置5处观察到待观测胶柱4的基本形貌参数。

需要指出的一点是，黄光片上胶柱的数量很多，去除某些位置的1～5个胶柱不会影响后续图形化衬底的实际应用。

本发明实施例提供的掩膜版包括：第一图形区，第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；至少一个第二图形区，第二图形区内包括第二掩膜图案；其中，第一掩膜图案不透光，第二掩膜图案透光。利用上述掩膜版对平片衬底进行光刻工艺流程后，平片衬底中被第一掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的多个胶柱，被第二掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的至少一个空缺位置。在后续对平片衬底表面的胶柱进行观测时，待观测胶柱可从空缺位置处暴露，进而在不对衬底进行破坏性切片的情况下，实现对胶柱形貌尺寸参数的准确测量。

可选的，可继续参考图1，在可能的实施例中，第一图形区2可位于掩膜版1的中心，第二图形区3位于第一图形区2远离掩膜版1的中心的至少一侧。

具体地，正常黄光片上会形成阵列排布的多个胶柱，待观测胶柱4为其中的一个或多个胶柱。根据待观测胶柱4位置的不同，第一图形区2和第二图形区3的排布方式也可能不同。如图1所示，本申请实施例中，第一图形区2可设置在掩膜版1的中心，第二图形区3可设置在第一图形区2的外围至少一侧边缘。第一图形区2和第二图形区3之间为不透光的掩膜版本体。

可以理解的是，一般情况下，第一图形区2的尺寸大于第二图形区3的尺寸，设置第一图形区2位于掩膜版1的中心，第二图形区3位于第一图形区2周围，能够实现掩膜版1上掩膜图案的合理化设置。

本实施例中的掩膜版1适用于对光刻胶层进行逐次曝光时使用，采用逐次曝光的方式对光刻胶层的不同区域进行曝光。可以理解的是，由于光刻胶层涂覆于平片衬底表面，光刻胶层的不同区域即为平片衬底的不同区域。图3为本发明实施例提供的一种平片衬底的区域划分示意图。结合参考图1和图3，平片衬底6上覆盖有光刻胶层7，光刻胶层7可按位置划分为多个边缘相接的曝光场8，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向(即图3中由面外指向面内的方向)，掩膜版1的第一图形区2的投影图形的尺寸与光刻胶层7的任意曝光场8的投影图形的尺寸相同。曝光场8包括至少一个第一曝光场81以及多个第二曝光场82，第二曝光场82与第一曝光场81的任意边缘相接；第一曝光场81中包括目标区域811，空缺位置5形成于目标区域811。

具体地，可定义曝光光束照射光刻胶层7的方向为俯视方向，在光刻工艺中，首先调节掩膜版1和平片衬底的相对位置关系，使得沿俯视方向，掩膜版1的第一图形区2与光刻胶层的第二曝光场82的投影重合、第二图形区3位于第一曝光场81的投影覆盖范围内。随后控制曝光光束的光照范围(照射范围)同时覆盖第一图形区2和第二图形区3，即可同时对第二曝光场82和第一曝光场81中的目标区域811进行曝光。

可选的，图4为本发明实施例提供的另一种掩膜版的俯视图，参考图4，在可能的实施例中，包括多个第二图形区3，第二图形区3均匀围绕在第一图形区2周围。

具体地，如图4所示，第二图形区3均匀围绕第一图形区2是指，第一图形区2每侧边缘周围设置的第二图形区3的数量相同。图4中示例性示出了第一图形区2的外围形状为矩形，第一图形区2的每侧设置有2个第二图形区3，且同一侧的两个第二图形区3由掩膜版1中心向边缘依次排列，实际设置方式不限于此。

此种设置方式下，当空缺位置5的数量较多时，可逐次调整掩膜版1上的第一图形区2和第二图形区3与光刻胶层不同曝光场的俯视投影的相对位置关系，并在调整位置过后设置适当的曝光光束照射范围，进而逐次完成对多个第二曝光场以及多个目标区域的曝光。由于第二图形区3数量较多，利用同一掩膜版1，即可实现对光刻胶层不同目标区域的曝光。

基于同一构思，本发明还提供了一种图形化衬底的光刻方法，利用本发明任意实施例提供的掩膜版完成；图5为本发明实施例提供的一种图形化衬底的光刻方法的流程图，图6为本发明实施例提供的一种图形化衬底的光刻方法的示意图，可结合参考图1～图6：光刻方法包括：

S110、提供平片衬底6。

平片衬底6可为蓝宝石平片基板，但不限于此，平片衬底6的尺寸可根据需要自行选择，在此不做限定。

可选的，平片衬底6在使用之前对其进行清洗，清洗方式可以为化学常规清洗和等离子体清洗等，化学常规清洗是指使用化学试剂将蓝宝石平片基板上的杂质及污渍；等离子体清洗是指利用等离子态物质中活性组分的性质来处理样品表面，以改善平片衬底6的表面晶质。

S120、在平片衬底6的一侧表面形成光刻胶层7，光刻胶层7采用正性光刻胶制备。

进一步地，将正性光刻胶均匀涂覆于平片衬底6的表面，形成光刻胶层7。其中，涂胶的具体操作流程可根据实际需求进行，本实施例对此不赘述也不限定。

可选的，涂胶后还可包括软烘等步骤，软烘等的具体操作流程也可根据实际需求进行，本实施例对此不赘述也不限定。

S130、将平片衬底6和掩膜版1置于光刻系统中，并利用掩膜版1对光刻胶层7进行曝光。

进一步地，将涂覆有光刻胶层7的平片衬底6以及本申请任意实施例提供的掩膜版1置于光刻系统(图中未示出)中。并将掩膜版1置于平片衬底6的上方，进而利用掩膜版1对光刻胶层7进行曝光。

其中，参考图1，掩膜版1上包括第一图形区2，第一图形区2内包括阵列排布的多个第一掩膜图案21；至少一个第二图形区3，第二图形区3内包括第二掩膜图案31；其中，第一掩膜图案21不透光，第二掩膜图案31透光。

由于第一掩膜图案21不透光、第二掩膜图案31透光，平片衬底6中被第一掩膜图案21遮挡过的区域即为非曝光区；平片衬底6中被第二掩膜图案31遮挡过的区域为曝光区。图6中虚线箭头表示曝光光束。

S140、对曝光后的光刻胶层7进行显影，以通过第一掩膜图案21在平片衬底上6形成多个胶柱71，通过第二掩膜图案32在平片衬底6上形成至少一个空缺位置5。

进一步地，经显影后，平片衬底6中被第一掩膜图案21遮挡过的区域内的光刻胶层7保留，保留的图形形成平片衬底6表面的多个胶柱71。同时，平片衬底6中被第二掩膜图案31遮挡过的区域内的光刻胶层7溶解，形成平片衬底6表面的至少一个空缺位置5。其中，多个胶柱71中包括至少一个待观测胶柱4，沿图形化衬底的至少一个观测方向，待观测胶柱4从空缺位置5暴露；观测方向为待观测胶柱4侧壁的任意位置指向待观测胶柱4底部中心的方向。待观测胶柱4在平片衬底6表面的分布情况可参考图2，待观测胶柱4周围设置有空缺位置5，沿图2中所示观测方向，待观测胶柱4从空缺位置5处暴露。

可选的，对于不同黄光片来说，需要观测的胶柱71的位置可能存在区别，相应的待去除胶柱的位置也存在区别。待观测胶柱4位置不同时，空缺位置5也不同，曝光工艺中掩膜版1的第一掩膜图案21和第二掩膜图案31的对应的曝光区域也就不同。本发明实施例不限定曝光过程中第一掩膜图案21与第二掩膜图案31在掩膜中的相对位置关系，保证显影之后，利用第二掩膜图案31曝光得到的空缺位置5与利用第一掩膜图案21的得到的待观测胶柱4满足对待观测胶柱4的观测条件即可。

可选的，在可能的实施例中，对曝光后的光刻胶层7进行显影，以通过第一掩膜图案21在平片衬底6上形成多个胶柱71，通过第二掩膜图案31在平片衬底6上形成至少一个空缺位置5，可包括：利用显影液将光刻胶层7中受到曝光的区域溶解，未受到曝光的区域保留；其中，光刻胶层7中，受到掩膜版1的第一掩膜图案21掩膜的区域形成多个胶柱，受到掩膜版1的第二掩膜图案31掩膜的区域形成至少一个空缺位置5。

具体地，受到第一掩膜图案21掩膜的区域即为被第一掩膜图案21遮挡的区域，也即非曝光区；受到第二掩膜图案31掩膜的区域即为被第二掩膜图案31遮挡的区域，也即曝光区。本实施例中，可利用正性光刻胶用显影液将光刻胶层7的曝光区溶解，非曝光区保留，以在非曝光区形成多个胶柱71，在受到第二掩膜图案31掩膜的曝光区形成至少一个空缺位置5。

需要说明的一点是，受到第二掩膜图案31掩膜的曝光区并非第一图形区2中的不透光图案所对应的曝光区。第二掩膜图案31对应的曝光区是指可能对待观测胶柱4造成遮挡的胶柱原本所在的位置，也可以理解为，若掩膜板上未设置第二图形区3，仅通过第一图形区2对光刻胶层7进行曝光，则第二掩膜图案31对应的平片衬底6表面会形成一个或多个胶柱71，该一个或多个胶柱71会遮挡待观测胶柱4，使得从任意观测方向均无法完整观察到待观测胶柱4的形貌和尺寸。

采用本发明实施例提供的图形化衬底的光刻方法，平片衬底6中被第一掩膜图案21遮挡过的区域会形成平片衬底6表面的多个胶柱71，被第二掩膜图案31遮挡过的区域会形成平片衬底6表面的至少一个空缺位置5。在后续对黄光片进行观测时，待观测胶柱4可从空缺位置5处暴露，进而在不对衬底进行破坏性切片的情况下，实现对胶柱形貌尺寸参数的准确测量。

本发明实施例提供的图形化衬底的光刻方法，包括本发明任意实施例提供的掩膜版的全部技术特征及相应有益效果。

可选的，可继续参考图1～图6，在可能的实施例中，光刻胶层7包括多个边缘相接的曝光场8，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，掩膜版1的第一图形区2的投影图形的尺寸与光刻胶层7的任意曝光场8的投影图形的尺寸相同；曝光场8包括至少一个第一曝光场81以及多个第二曝光场82，第二曝光场82与第一曝光场81的任意边缘相接；第一曝光场81中包括目标区域811，空缺位置5形成于目标区域811；

将平片衬底6和掩膜版1置于光刻系统中，并利用掩膜版1对光刻胶层7进行曝光，包括：将平片衬底6和掩膜版1置于光刻系统中；调整掩膜版1和平片衬底6的相对位置，使得沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，掩膜版1的第一图形区2与光刻胶层7的第二曝光场82的投影重合，掩膜版1的第二图形区3与光刻胶层7的第一曝光场81交叠；其中，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，第二图形区3中的第二掩膜图案31的投影覆盖第一曝光场81中的目标区域811的投影；控制曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2和第二图形区3，同时对第二曝光场82以及第一曝光场81中的目标区域811进行曝光。

具体地，本申请中，可采用逐次曝光的方式对光刻胶层7的不同区域进行曝光。其中，本实施例中，在掩膜版1上，第一图形区2位于掩膜版1的中心，第二图形区3位于第一图形区2的至少一侧边缘，第一图形区2和第二图形区3之间为不透光的掩膜版本体。可将光刻胶层7划分为不同的曝光场8，曝光场8的边缘依次相接，掩膜版1上的第一图形区2的尺寸与曝光场8的尺寸相同。可定义曝光光束照射的方向为俯视方向，第一图形区2在俯视方向上的面积可与曝光场8在俯视方向的面积相同。

进一步地，参考图3，可将曝光场8划分为第一曝光场81和第二曝光场82，第一曝光场81和第二曝光场82相接，也即，第一曝光场81和第二曝光场82为相邻的两个曝光场8。其中，第一曝光场81中包括目标区域811，目标区域811即为后续要形成空缺位置5的区域。上述实施例中有所提及，可在光刻工艺之前确定空缺位置5的第二位置坐标，目标区域811所在位置即可为第二位置坐标。当空缺位置5的数量为一个时，第一曝光场81的数量可为一个；当空缺位置5的数量为多个时，第一曝光场81的数量可为一个或多个，多个空缺位置5可分别位于相同或不同第一曝光场81中。

此种设置方式下，将平片衬底6和掩膜版1置于光刻系统中，并利用掩膜版1对光刻胶层7进行曝光，可进一步细化为：首先，将平片衬底6和掩膜版1置于光刻系统中；其次，调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得沿俯视方向，掩膜版1的第一图形区2与光刻胶层7的第二曝光场82的投影重合、第二图形区3位于第一曝光场81的投影覆盖范围内。其中，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，第二掩膜图案31的投影覆盖目标区域811的投影。随后，控制曝光光束的光照范围(照射范围)同时覆盖第一图形区2和第二图形区3，即可同时对第二曝光场82和第一曝光场81中的目标区域811曝光。

若第一曝光场81和空缺位置5的数量均为一个，则曝光完第一组第一曝光场81和第二曝光场82后，可调节掩膜版1与平片衬底6的相对位置，使得第一图形区2分别与不同第二曝光场82正对，并控制曝光光束的光照范围仅覆盖第二曝光场82，以对不同第二曝光场82进行曝光。若第一曝光场81和空缺位置5的数量均为多个，则曝光完第一组第一曝光场81和第二曝光场82后，可调节掩膜版1与平片衬底6的相对位置，使得第一图形区2与第二组第二曝光场82正对，第二图形区3与第二组第一曝光场81中的目标区域811交叠，控制曝光光束的光照范围覆盖第一图形区2和第二图形区3，并以此类推。直至对不同组第一曝光场81和第二曝光场82均完成曝光。

后续显影步骤后，光刻胶层7上除第二曝光场82中的目标区域811以外，其他区域形成阵列排布的多个胶柱71，目标区域811处形成空缺位置5。多个胶柱71中即包括待观测胶柱4，后续观测时，待观测胶柱4可从空缺位置5处暴露。

可选的，本领域技术人员可知，一般情况下，光刻系统的最上方设置有挡板(图中未示出)，通过控制挡板的大小可控制曝光光束的光照范围。也即，通过调整挡板可控制第二图形区3是否参与曝光。当然，曝光光束的光照范围的调节方式不限于此，本发明对此不赘述也不限定。通过调节曝光光束的照射范围控制第二图形区3是否参与曝光，可在不更换掩膜版1的情况下实现衬底生产制备与衬底观察测量的切换。

另外，本实施例中，当同一曝光场的不同位置设置有多个待观测胶柱时，还可通过测量同一曝光场内不同位置待观测胶柱尺寸来监控曝光场内均匀性。

可选的，在可能的实施例中，光刻方法还可包括：调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置，使得沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，掩膜版1的第一图形区2与光刻胶层7的第一曝光场81的投影重合；控制曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2，且第二图形区3位于曝光光束的照射范围之外，对第一曝光场81进行曝光。

具体地，在上述实施例的基础上，本申请提供的图形化衬底的光刻方法还可包括：调整掩膜版1与平片衬底6的相对位置关系，使得掩膜版1的第一图形区2和光刻胶层7的第一曝光场81沿俯视方向上投影重合。进而控制曝光光束的光照范围仅覆盖第一图形区2，以对第一曝光场81进行曝光。

可以理解的是，第一曝光场81中除空缺位置5外，还应包括多个胶柱71，本实施例中，利用第一图形区2对第一曝光场81进行曝光，在显影后即可在光刻胶层7处目标区域811外的其他位置形成多个胶柱71，保证空缺位置5周围的胶柱71正常制备。

其中，本发明实施例不限定利用第一图形区2对第一曝光场81进行曝光的执行顺序，该过程既可在整个曝光步骤的最前阶段进行，也可在整个曝光步骤的最后阶段进行。

可选的，图7为本发明实施例提供的一种平片衬底的俯视图，可结合参考图4和图7，在可能的实施例中，在掩膜版1上，第二图形区3的数量大于或等于2；在曝光场8中，目标区域811的数量大于或等于2。

调整掩膜版1和平片衬底6的相对位置，使得沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，掩膜版1的第一图形区2与光刻胶层7的第二曝光场82的投影重合，掩膜版1的第二图形区3与光刻胶层7的第一曝光场81交叠；其中，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，第二图形区3中的第二掩膜图案31的投影覆盖第一曝光场81中的目标区域811的投影，包括：逐次调整掩膜版1和平片衬底6的相对位置，使得每次调整过后，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，存在掩膜版1的第一图形区2与任意一个未被曝光过的光刻胶层7的第二曝光场82的投影重合，掩膜版1的至少一个第二图形区3与光刻胶层7的第一曝光场81交叠；其中，每次调整过后，沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，至少一个第二图形区3中的第二掩膜图案31的投影覆盖第一曝光场81中的至少一个目标区域811的投影；

控制曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2和第二图形区3，同时对第二曝光场82以及第一曝光场81中的目标区域811进行曝光，包括：每次控制曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2以及与至少一个目标区域811交叠的第二图形区3，以逐次对不同第二曝光场82以及第一曝光场81中不同的目标区域811曝光。

具体地，本实施例中光刻方法可利用图4实施例中示出的掩膜版1完成，掩膜版1的设置方式可参考图4所示实施例，此处不再赘述。如上述实施例中所述，当第一曝光场81和目标区域811的数量为多个时，可逐次对不同组的第一曝光场81和第二曝光场82进行曝光。本实施例中，调整掩膜版1和平片衬底6的相对位置，使得沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，掩膜版1的第一图形区2与光刻胶层7的第二曝光场82的投影重合，掩膜版1的第二图形区3与光刻胶层7的第一曝光场81交叠，可进一步细化为：逐次调整掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得每次调整过后，存在一个第一图形区2与未被曝光过的第二曝光场82沿俯视方向重合。同时，每次调整过后，至少一个第二图形区3位于第一曝光场81沿俯视方向的投影覆盖区域内，并且沿俯视方向，该第二图形区3中的第二掩膜图案31覆盖第一曝光场81中的目标区域811。

进一步地，控制曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2和第二图形区3，同时对第二曝光场82以及第一曝光场81中的目标区域811进行曝光，可细化为：每次调整掩膜版1和平片衬底6的相对位置后，控制曝光光束的光照范围同时覆盖第一图形区2以及与目标区域811投影交叠的第二图形区3，以逐次对多个第二曝光场82以及多个目标区域811进行曝光。显影步骤后，即可在平片衬底6表面形成多个胶柱71以及多个空缺位置5。

可选的，本实施例中，也可利用第一图形区2对第一曝光场81进行曝光，在显影后即可在光刻胶层7处目标区域811外的其他位置形成多个胶柱71，保证空缺位置5周围的胶柱71正常制备。

其中，上述实施例中，空缺位置5形成于第一曝光场81中，待观测胶柱(图中未示出)既可形成于第一曝光场81中，也可形成于第二曝光场82中。当待观测胶柱形成于第一曝光场81中时，待观测胶柱在第一图形区2与第一曝光场81正对时曝光得到；当待观测胶柱形成于第二曝光场82中时，待观测胶柱在第一图形区2与第二曝光场82正对时曝光得到。

可选的，可继续参考图4和图7，在可能的实施例中，待观测胶柱位于第一曝光场81或第二曝光场82中，曝光场8还包括第三曝光场83，第三曝光场83用于形成多个胶柱71，光刻方法还可包括：调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置，使得沿曝光光束照射光刻胶层7的方向，第一图形区2与第三曝光场83正对；控制曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2，且第二图形区3位于曝光光束的照射范围之外，对第三曝光场83进行曝光。

具体地，当待观测胶柱形成于第一曝光场81或第二曝光场82中时，光刻胶层7中还可包括第三曝光场83，第三曝光场83位于第二曝光场82远离第一曝光场81的一侧，换句话说是第三曝光场83位于第二曝光场82未与第一曝光场81相接的任意一侧。曝光显影过后，第三曝光场83中形成阵列排布的多个胶柱71，且多个胶柱71中不包括待观测胶柱。在上述实施例的基础上，本实施例中的光刻方法还可包括：调节掩膜版1的第一图形区2和光刻胶层7的第三曝光场83沿俯视方向投影重合，并控制曝光光束的光照范围仅覆盖第一图形区2，对第三曝光场83进行曝光。显影过后，在第一掩膜图案21的掩膜下，第三曝光场83中形成阵列排布的多个胶柱71。

可以理解的是，平片衬底6上，除待观测胶柱4外，还包括数量较多的阵列排布的胶柱71，该部分阵列排布的胶柱71周围无需形成空缺位置5，该部分胶柱71所在区域即为第三曝光场83。可仅利用掩膜版1的第一图形区2对第三曝光场83进行曝光，以在阵列排布的第一掩膜图案21的掩膜下，形成阵列排布的多个胶柱71。

下面以一具体实施例，对本发明提供的光刻方法进行介绍，示例性的，可结合参考图4和图7，平片衬底6表面涂覆有光刻胶层7。图7中示出了一个第一曝光场81、第一曝光场81中的6个空缺位置5、第一曝光场81周围的四个第二曝光场82以及第二曝光场82远离第一曝光场81一侧的多个第三曝光场83。沿图7所示方位，第二曝光场82-1位于第一曝光场81的上方，第二曝光场82-2位于第一曝光场81的左侧，第二曝光场82-3位于第一曝光场81的右侧，第二曝光场82-4位于第一曝光场81的下方。其中，以掩膜版1中心为圆心，可按照半径划分出不同光照范围，与掩膜版1中心距离不同的第二图形区3分别位于不同光照范围内。如图4所示，沿掩膜版1中心指向边缘的方向，光照范围Z1～光照范围Z4到圆心的距离逐渐增加。

利用图4所示实施例示出的掩膜版1对图7所示平片衬底6和光刻胶层7进行曝光显影，以形成包括待观测胶柱以及6个空缺位置5的黄光片。具体光刻方法如下：首先，调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得沿曝光光束照射方向，掩膜版1的第一图形区2与第二曝光场82-1正对，第二图形区3-1中的第二掩膜图案31与目标区域811-1正对；可控制第二曝光场82-1左右及上方为“曝光范围Z1”，下方为“曝光范围Z2”，使得曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2和第二图形区3-1，对第二曝光场82-1和目标区域811-1进行曝光。

进一步地，调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得沿曝光光束照射方向，掩膜版1的第一图形区2与第二曝光场82-2正对，第二图形区3-2中的第二掩膜图案31与目标区域811-2正对；可控制第二曝光场82-2的上下及右方为“曝光范围Z1”，左方为“曝光范围Z2”，使得曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2和第二图形区3-2，对第二曝光场82-2和目标区域811-2进行曝光。

进一步地，调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得沿曝光光束照射方向，掩膜版1的第一图形区2与第二曝光场82-3正对，第二图形区3-3中的第二掩膜图案31与目标区域811-3正对，第二图形区3-4中的第二掩膜图案31与目标区域811-4正对；可控制第二曝光场82-3的上下及左方为“曝光范围Z1”，右方为“曝光范围Z3”，使得曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2和第二图形区3-3以及第二图形区3-4，对第二曝光场82-3、目标区域811-3和目标区域811-4进行曝光。

进一步地，调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得沿曝光光束照射方向，掩膜版1的第一图形区2与第二曝光场82-4正对，第二图形区3-5中的第二掩膜图案31与目标区域811-5正对，第二图形区3-6中的第二掩膜图案31与目标区域811-6正对；可控制第二曝光场82-4的左右及下方为“曝光范围Z1”，上方为“曝光范围Z3”，使得曝光光束的照射范围覆盖第一图形区2、第二图形区3-5和第二图形区3-6，对第二曝光场82-4、目标区域811-5和目标区域811-6进行曝光。

进一步地，逐次调节掩膜版1和平片衬底6的相对位置关系，使得沿曝光光束照射方向，掩膜版1的第一图形区2分别与不同第三曝光场83正对；并控第三曝光场83的上、下、左和右均为“曝光范围Z1”，使得曝光光束的照射范围仅覆盖第一图形区2，对第一图形区2进行曝光。

曝光完成后，利用显影液将光刻胶层7的曝光区溶解，非曝光区保留，即可在平片衬底6表面形成多个胶柱(图中未示出)以及6个空缺位置(图中未示出)。

本发明实施例还提供了一种图形化衬底，利用本发明任意实施例提供的图形化衬底的光刻方法制备而成。可以理解的是，利用光刻方法得到的是包括胶柱的平片衬底(即黄光片)，后续还需对黄光片执行本领域技术人员可知的任意工艺流程，例如干法刻蚀和湿法刻蚀等，最终得到所需的图形化衬底。干法刻蚀和湿法刻蚀的具体工艺可由本领域技术人员根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不赘述也不限定。

由于本申请实施例中的光刻方法可实现在进行破坏性切片的情况下的胶柱形貌尺寸参数的准确测量。在对黄光片进行刻蚀时，还可分别对刻蚀前、刻蚀中和刻蚀后(干法刻蚀和湿法刻蚀)衬底表面的形貌结构进行准确表征测量，以研究图形化衬底表面凸起结构在刻蚀过程中的演化过程。例如，不同或相同刻蚀条件下，测量同一胶柱(刻蚀前)的形貌尺寸与凸起结构(刻蚀后)的形貌尺寸，用较为准确地确定刻蚀条件或者胶柱形貌尺寸对成品图形化衬底凸起结构形貌尺寸的影响。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，用于对平片衬底进行光刻，以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置，所述掩膜版包括：

第一图形区，所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案；

至少一个第二图形区，所述第二图形区内包括第二掩膜图案；其中，所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光，所述第一掩膜图案用于形成所述多个胶柱，所述第二掩膜图案用于形成所述至少一个空缺位置；

利用所述掩膜版对平片衬底进行光刻工艺流程后，平片衬底中被第一掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的多个胶柱，被第二掩膜图案遮挡过的区域形成平片衬底表面的至少一个空缺位置，待观测胶柱从所述空缺位置暴露。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形区位于所述掩膜版的中心，所述第二图形区位于所述第一图形区远离所述掩膜版的中心的至少一侧。

3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，包括多个所述第二图形区，所述第二图形区均匀围绕在所述第一图形区周围。

4.一种图形化衬底的光刻方法，其特征在于，利用上述权利要求1~3任一项所述的掩膜版完成；

所述光刻方法包括：

提供平片衬底；

在所述平片衬底的一侧表面形成光刻胶层，所述光刻胶层采用正性光刻胶制备；

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中，并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光；其中，所述第一掩膜图案不透光，所述第二掩膜图案透光；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以通过所述第一掩膜图案在所述平片衬底上形成多个胶柱，通过所述第二掩膜图案在所述平片衬底上形成至少一个空缺位置；其中，多个所述胶柱中包括至少一个待观测胶柱，沿所述图形化衬底的至少一个观测方向，所述待观测胶柱从所述空缺位置暴露；所述观测方向为所述待观测胶柱侧壁的任意位置指向所述待观测胶柱底部中心的方向。

5.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻胶层包括多个边缘相接的曝光场，沿曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述掩膜版的所述第一图形区的投影图形的尺寸与所述光刻胶层的任意所述曝光场的投影图形的尺寸相同；所述曝光场包括至少一个第一曝光场以及多个第二曝光场，所述第二曝光场与所述第一曝光场的任意边缘相接；所述第一曝光场中包括目标区域，所述空缺位置形成于所述目标区域；

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中，并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，包括：

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中；

调整所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置，使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述掩膜版的所述第一图形区与所述光刻胶层的所述第二曝光场的投影重合，所述掩膜版的所述第二图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场交叠；其中，沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述第二图形区中的所述第二掩膜图案的投影覆盖所述第一曝光场中的所述目标区域的投影；

控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区和所述第二图形区，同时对所述第二曝光场以及所述第一曝光场中的所述目标区域进行曝光。

6.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，在掩膜版上，所述第二图形区的数量大于或等于2；在曝光场中，所述目标区域的数量大于或等于2；

调整所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置，使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述掩膜版的所述第一图形区与所述光刻胶层的所述第二曝光场的投影重合，所述掩膜版的所述第二图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场交叠；其中，沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述第二图形区中的所述第二掩膜图案的投影覆盖所述第一曝光场中的所述目标区域的投影，包括：

逐次调整所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置，使得每次调整过后，沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，存在所述掩膜版的所述第一图形区与任意一个未被曝光过的所述光刻胶层的所述第二曝光场的投影重合，所述掩膜版的至少一个所述第二图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场交叠；其中，每次调整过后，沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，至少一个所述第二图形区中的所述第二掩膜图案的投影覆盖所述第一曝光场中的至少一个所述目标区域的投影；

控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区和所述第二图形区，同时对所述第二曝光场以及所述第一曝光场中的所述目标区域进行曝光，包括：

每次控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区以及与至少一个所述目标区域交叠的所述第二图形区，以逐次对不同所述第二曝光场以及所述第一曝光场中不同的所述目标区域曝光。

7.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，还包括：

调节所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置，使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述掩膜版的所述第一图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场的投影重合；

控制曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区，且所述第二图形区位于所述曝光光束的照射范围之外，对所述第一曝光场进行曝光。

8.根据权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述待观测胶柱位于所述第一曝光场或所述第二曝光场中，所述曝光场还包括第三曝光场，所述第三曝光场用于形成多个胶柱，所述光刻方法还包括：

调节所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置，使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向，所述第一图形区与所述第三曝光场正对；

控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区，且所述第二图形区位于所述曝光光束的照射范围之外，对所述第三曝光场进行曝光。

9.根据权利要求4所述的光刻方法，其特征在于；对曝光后的所述光刻胶层进行显影，以通过所述第一掩膜图案在所述平片衬底上形成多个胶柱，通过所述第二掩膜图案在所述平片衬底上形成至少一个空缺位置，包括：

利用显影液将所述光刻胶层中受到曝光的区域溶解，未受到曝光的区域保留；其中，所述光刻胶层中，受到所述掩膜版的所述第一掩膜图案掩膜的区域形成多个胶柱，受到所述掩膜版的所述第二掩膜图案掩膜的区域形成至少一个空缺位置。

10.一种图形化衬底，其特征在于，利用上述权利要求4~9任一项所述的图形化衬底的光刻方法制备而成。