CN116133480A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，包括：包括衬底和设置于衬底一侧的阵列层，阵列层包括第一金属层、有源层和第二金属层，沿第一方向，第一金属层和第二金属层位于有源层的两侧，第一方向垂直于衬底；阵列层包括至少一个第一晶体管，第一晶体管包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，第一子晶体管包括位于有源层的第一有源层，第二子晶体管包括位于有源层的第二有源层，第一有源层和第二有源层相连；沿第一方向，第一金属层与第一有源层和第二有源层均交叠，第二金属层与第二有源层交叠，且与第一有源层不交叠。如此可有效提升第二子晶体管的开态电流，提升第一晶体管的响应速度，进而有利于提升产品的整体响应速度。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

从CRT(CathodeRayTube，阴极射线管)时代到LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示)时代，再到现在到来的OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示时代和发光二极管显示时代，显示行业经历了几十年的发展，变得日新月异。显示产业已经与我们的生活息息相关，从传统的手机、平板、电视、电脑，再到现在的智能穿戴设备、虚拟现实设备、车载显示等电子设备都离不开显示技术。

相关技术的显示面板中，通常设置有驱动电路来控制显示面板的显示，现阶段，显示面板的响应速度与驱动电路中晶体管的响应速度息息相关，如何有效提升晶体管的响应速度成为现阶段亟待解决的技术问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及显示装置，用以提升晶体管的响应速度，进而提升显示面板的整体响应速度。

第一方面，本发明提供一种显示面板，包括衬底和设置于衬底一侧的阵列层，阵列层包括第一金属层、有源层和第二金属层，沿第一方向，第一金属层和第二金属层位于有源层的两侧，第一方向垂直于衬底；

阵列层包括至少一个第一晶体管，第一晶体管包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，第一子晶体管包括位于有源层的第一有源层，第二子晶体管包括位于有源层的第二有源层，第一有源层和第二有源层相连；

沿第一方向，第一金属层与第一有源层和第二有源层均交叠，第二金属层与第二有源层交叠，且与第一有源层不交叠。

第二方面，基于同一发明构思，本发明提供一种显示装置，包括本发明第一方面所提供的显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明所提供的显示面板及显示装置中，阵列层包括至少一个第一晶体管，该第一晶体管包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，第一子晶体管和第二子晶体管的有源层位于同层且相互连接；其中，第一金属层与第一有源层沿第一方向交叠形成第一子晶体管的栅极，第一金属层与第二有源层沿第一方向交叠形成第二子晶体管的栅极；沿第一方向，第二金属层与第二有源层交叠，且与第一有源层不交叠。如此，第一晶体管的垂直电场主要受栅极的控制；第二子晶体管的垂直电场除受栅极的控制外，还受第二金属层的控制，如此可有效提升第二子晶体管的开态电流，从而有利于提升第二子晶体管的响应速度，进而有利于提升显示面板整体的响应速度。

当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构示意图；

图2所示为第一晶体管中第一子晶体管和第二子晶体管的一种连接示意图；

图3所示为显示面板中所包含的第一晶体管的一种俯视图；

图4所示为显示面板图3中第一晶体管的一种AA向截面图；

图5所示为相关技术中晶体管的一种结构示意图；

图6所示为图5中晶体管的一种BB向截面图；

图7所示为第一绝缘层、有源层以及第二金属层的一种相对位置关系图；

图8所示为显示面板图3中第一晶体管的另一种AA向截面图；

图9所示为本发明实施例所提供的第一晶体管与第一电极的一种俯视结构图；

图10所示为图9中晶体管的一种DD’向截面图；

图11所示为图9中晶体管的一种CC’向截面图；

图12所示为显示面板中第一区和第二区中的第一晶体管与第一电极的一种连接关系图；

图13所示为显示面板图3中第一晶体管的另一种AA向截面图；

图14所示为相邻的两个第一晶体管的一种膜层结构图；

图15所示为相邻的两个第一晶体管的另一种膜层结构图；

图16所示为第一绝缘层、有源层以及第二金属层的另一种相对位置关系图；

图17所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构图；

图18所示为应用于液晶显示面板的一种像素驱动电路示意图；

图19所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构图；

图20所示为有机电致发光显示面板对应的一种驱动电路示意图；

图21所示为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是，本发明实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

图1所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构示意图，图2所示为第一晶体管10中第一子晶体管11和第二子晶体管12的一种连接示意图，图3所示为显示面板中所包含的第一晶体管10的一种俯视图，图4所示为显示面板图3中第一晶体管10的一种AA向截面图。

请参考图1至图4，本发明实施例提供一种显示面板100，包括衬底00和设置于衬底一侧的阵列层01，阵列层01包括第一金属层M1、有源层30和第二金属层M2，沿第一方向D1，第一金属层M1和第二金属层M2位于有源层30的两侧，第一方向D1垂直于衬底00；

阵列层01包括至少一个第一晶体管10，第一晶体管10包括串联的第一子晶体管11和第二子晶体管12，第一子晶体管11包括位于有源层30的第一有源层31，第二子晶体管12包括位于有源层30的第二有源层32，第一有源层31和第二有源层32相连；

沿第一方向D1，第一金属层M1与第一有源层31和第二有源层32均交叠，第二金属层M2与第二有源层32交叠，且与第一有源层31不交叠。

需要说明的是，图1仅以矩形结构的显示面板为例进行说明，并不对显示面板的形状进行限定，在本发明的一些其他实施例中，显示面板的形状还可体现为其他，例如圆角矩形、圆形或者其他可行的形状。图1仅对显示面板中的子像素P的排列方式进行了示意，并不对显示面板中子像素P的实际像素排布进行限定。图3仅对第一晶体管10中的相关膜层进行了示意，例如仅示出第一晶体管10的有源层30、第一金属层M1以及第二金属层M2，并未示出显示面板的其他膜层结构。图4所示实施例可看作是显示面板中第一晶体管10所在位置的一种膜层结构，主要为了体现第一晶体管10中各个膜层的相对位置关系，并不对显示面板的实际膜层数量和尺寸进行限定。

继续参考图1至图4，本发明实施例所提供的显示面板包括至少一个第一晶体管10，该第一晶体管10包括第一子晶体管11和第二子晶体管12，第一金属层M1与第一有源层31交叠形成第一子晶体管11的第一栅极G1，第一金属层M1与第二有源层32交叠形成第二子晶体管12的第二栅极G2，故第一晶体管10具有两个栅极，为双栅结构的晶体管。

图5所示为相关技术中晶体管的一种结构示意图，图6所示为图5中晶体管的一种BB向截面图，请参考图5和图6，相关技术中双栅结构的晶体管中，有源层30’为U型结构，该晶体管包括第一子晶体管11’和第二子晶体管12’，第一子晶体管11’和第二子晶体管12’的垂直电场均仅受到对应栅极所在金属层20’的控制，导致两个子晶体管的开态电流均无法进一步提升，使得此种结构的双栅晶体管的响应速度较慢，导致显示面板的整体响应速度较慢。

而本发明实施例所提供的显示面板中，请结合图2至图4，引入了第二金属层M2，沿第一方向D1，该第二金属层M2与第二有源层32交叠，并且与第一有源层31不交叠，使得第二子晶体管12的垂直电场除受到栅极的控制外，还受到第二金属层M2的控制，如此在第二有源层32朝向第一金属层M1的表面形成一个沟道，在第二有源层32朝向第二金属层M2的表面形成另一个沟道，第二子晶体管12中形成两个沟道时，可有效提升第二子晶体管12的开态电流，从而有利于提升第二子晶体管12的响应速度，进而有利于提升第一晶体管10的整体响应速度，当第一晶体管10的整体响应速度提升时，显示面板的整体响应速度也将得到有效提升。此外，第一子晶体管11的垂直电场仅受到栅极的控制，因而利用第一子晶体管11可控制第一晶体管10整体的阈值电压，确保第一晶体管10的稳定性。

继续参考图4和图7，图7所示为第一绝缘层J1、有源层30以及第二金属层M2的一种相对位置关系图，在本发明的一种可选实施方式中，沿第一方向D1，第二金属层M2位于有源层30和衬底00之间；显示面板还包括设置于第二金属层M2和有源层30之间的第一绝缘层J1，第一绝缘层J1包括远离衬底00一侧第一表面S1、第二表面S2和连接第一表面S1和第二表面S2的倾斜面S3，沿第一方向D1，第一表面S1与衬底00之间的距离小于第二表面S2与衬底00之间的距离；第一有源层31中的至少部分位于第一表面S1，第二有源层32中的至少部分位于第二表面S2，第一有源层31和第二有源层32在倾斜面S3相连。

具体而言，继续结合图4和图7，本实施例示出了将第二金属层M2和有源层30之间的第一绝缘层J1设置为异形结构的方案，具体为采用倾斜面S3来连接第一绝缘层J1中的第一表面S1和第二表面S2，以衬底00作为参照，第一绝缘层J1中的第一表面S1、第二表面S2和倾斜面S3均为第一绝缘层J1背离衬底00的表面，其中，第一表面S1为第一绝缘层J1中距离衬底00较近的表面，第二表面S2为第一绝缘层J1总距离衬底00较远的表面。在设置有源层30时，第一有源层31设置在第一表面S1和倾斜面S3，第二有源层32设置在第二表面S2和倾斜面S3，第一有源层31和第二有源层32在倾斜面S3相连。假设第一有源层31远离第二有源层32的端部与第二有源层32远离第一有源层31的端部之间的距离是固定的，若将第一有源层31和第二有源层32设置同一水平面时，比如有源层背离衬底00的表面位于同一平面时，第一有源层31和第二有源层32的总长度为一固定长度。若在第一绝缘层J1中引入倾斜面S3时，通过倾斜面S3延长了在上述有限空间内第一有源层31和第二有源层32的总长度，当有源层30的总长度变大时，第一子晶体管11和第二子晶体管12的沟道的总长度也将变大，从而避免第一子晶体管11和第二子晶体管12出现沟道长度过短的问题。当沟道过短时，短沟道的晶体管容易导体化，导致晶体管无法发挥开关的作用，同时还会增大晶体管的制作难度。故，本发明实施例通过在第一绝缘层J1中引入倾斜面S3的方式来延长有源层30的总长度的方式，有利于保证晶体管的开关性能，同时还有利于降低晶体管的制作难度。

此外，当将第一绝缘层J1设置为如图4和图7所示的包括倾斜面S3异形结构时，在有限的空间内延长了晶体管的有源层30以及沟道长度，相当于变向减小了单个第一晶体管10在显示面板所占用的空间尺寸，在相同尺寸的空间范围内，可设置更多数量的第一晶体管10，故有利于提升显示面板的像素密度。

需要说明的是，图4和图7所示实施例仅以第二金属层M2位于有源层30和衬底00之间为例进行说明，在本发明的一些其他实施例中，第一金属层M1还可位于有源层30和衬底00之间，例如请参考图8，其中，图8所示为显示面板图3中第一晶体管10的另一种AA向截面图，同样能够形成双栅结构的晶体管，而且有利于提升第一晶体管的响应速度，同样有利于提升显示面板的整体响应速度。

继续参考图4，在本发明的一种可选实施方式中，第一有源层31包括第一掺杂区A1，第二有源层32包括第二掺杂区A2，第一掺杂区A1位于第一有源层31的远离第二有源层32的一端，第二掺杂区A2位于第二有源层32的远离第一有源层31的一端；沿第一方向D1，第一金属层M1与第一表面S1、倾斜面S3和第二表面S2均交叠，且第一金属层M1与第一掺杂区A1和第二掺杂区A2均不交叠。

具体而言，本发明实施例所提供的显示面板中，在第一有源层31设置有第一掺杂区A1，在第二有源层32设置有第二掺杂区A2，第一掺杂区A1和第二掺杂区A2可看作在有源层30中掺杂了杂质离子的区域，第一有源层31和第二有源层32中设置于第一掺杂区A1和第二掺杂区A2之间的区域为非掺杂的沟道区域。其中，沿第一方向D1，第一金属层M1与第一掺杂区A1不交叠，第一金属层M1与第二掺杂区A2也不交叠，有源层30中沿第一方向D1与第一金属层M1交叠的区域可看作是第一掺杂区A1和第二掺杂区A2之间的沟道区域。第一掺杂区A1和第二掺杂区A2中的一者作为第一晶体管10的源极，另一者作为第一晶体管10的漏极，用于与显示面板中的其他走线或者器件连接，后续实施例中将对第一掺杂区A1和第二掺杂区A2的连接关系进行详细说明。

继续参考图4，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板还包括第一电极T1，第一电极T1位于第一金属层M1背离衬底的一侧，第一电极T1通过第一连接孔K1与第一掺杂区A1电连接，第二掺杂区A2与第二金属层M2电连接。

本实施例示出了显示面板中包括第一电极T1时，将第一晶体管10的第一掺杂区A1与第一电极T1电连接，将第二掺杂区A2与第二金属层M2电连接的方案。具体为，在第一金属层M1背离衬底的一侧设置有第一电极T1，第一电极T1和第一金属层M1之间由绝缘层隔离；第一金属层M1与有源层30之间同样由绝缘层隔离。在将第一电极T1与第一掺杂区A1电连接时，可在第一电极T1与第一掺杂区A1之间的绝缘层上形成第一连接孔K1，利用第一连接孔K1将第一电极T1和第一掺杂区A1电连接。同理，由于第二掺杂区A2与第二金属层M2之间由第一绝缘层J1隔离，在将第二掺杂区A2与第二金属层M2电连接时，可在第二掺杂区A2与第二金属层M2之间的第一绝缘层J1上形成连接孔，利用该连接孔将第二掺杂区A2与第二金属层M2电连接。当第一晶体管10导通时，第二掺杂区A2的信号可通过第一晶体管10传输至第一掺杂区A1，进而通过第一掺杂区A1传输至第一电极T1，从而实现了向第一电极T1提供驱动信号的功能。由于本发明实施例所提供的第一晶体管10中，第二子晶体管12与其栅极交叠形成一沟道，第二子晶体管12与第二金属层M2交叠形成另一沟道，从而有利于增大第二子晶体管12的开态电流，使得整体第一晶体管10的开态电流增大。在大电流下，第二掺杂区A2的电压可更好更快地传输至第一电极T1，因而有利于提升显示面板的响应速度。

此外，当将第一掺杂区A1与第一电极T1连接、第二掺杂区A2与第二金属层M2连接时，第一掺杂区A1相当于第一晶体管10的漏极，第二掺杂区A2相当于第一晶体管10的源极，此时，第一晶体管10的源极与漏极之间没有交叠，源极电压信号对漏极干扰较小，因而有利于减少信号间串扰，有利于提升显示面板所显示画面的品质。

图9所示为本发明实施例所提供的第一晶体管10与第一电极T1的一种俯视结构图，图10所示为图9中晶体管的一种DD’向截面图，图11所示为图9中晶体管的一种CC’向截面图。其中，图10所示实施例与图4所示实施例的区别在于，第一晶体管与第一电极的连接方式不同，图10所示实施例中，第一晶体管中的第二掺杂区A2与第一电极T1电连接，图4所示实施例中，第一晶体管中的第一掺杂区A1与第一电极T1电连接。

请参考图9、图10和图11，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板还包括第一电极T1，第一电极T1位于第一金属层M1背离衬底00的一侧，第一电极T1通过第二连接孔K2与第二掺杂区A2电连接；第一掺杂区A1通过第一桥接部50与第二金属层M2电连接。

本实施例示出了当在显示面板中引入的第一电极T1时，将第二掺杂区A2与第一电极T1电连接，并将第一掺杂区A1与第二金属层M2电连接的方案。此时，与第一电极T1连接的第二掺杂区A2对应为第一晶体管10的漏极，与第二金属层M2连接的第一掺杂区A1对应为第一晶体管10的源极。驱动信号通过第一掺杂区A1传输至第二掺杂区A2，并进一步传输至第一电极T1，从而实现对第一电极T1的驱动。本实施例中，第一电极T1层与第一金属层M1之间由绝缘层隔离，第一金属层M1与有源层30之间也由绝缘层隔离，第一电极T1和第二掺杂区A2通过贯穿上述绝缘层的第二连接孔K2形成电连接。由于有源层30的第一掺杂区A1在第一方向D1上并未与第二金属层M2交叠，因而在显示面板中引入了第一桥接部50，例如请参考图11，第一桥接部50通过一连接孔与第一掺杂区A1电连接，第一桥接部50通过另一连接孔与第二金属层M2电连接，如此，通过第一桥接部50即可实现第一掺杂区A1与第二金属层M2之间的电连接，与第一桥接部50所连接的第二金属层M2的信号可通过该第一桥接部50传输至第一掺杂区A1，进而传输至第二掺杂区A2和第一电极T1。

本实施例中，第二子晶体管12中，第一金属层M1与第一有源层31交叠形成一沟道，第二金属层M2与第一有源层31交叠形成另一沟道，双沟道的设置方式有效增大了第二子晶体管12的开态电流，第一子晶体管11传输至第二子晶体管12的信号可更加快速稳定地传输至第一电极T1，故同样有利于提升显示面板的响应速度。

继续参考图10和图11，在本发明的一种可选实施方式中，第一桥接部50与第一电极T1同层设置，均位于电极层T，第一桥接部50通过第三连接孔与第二金属层M2电连接，并通过第四连接孔K4与第一掺杂区A1电连接；第二连接孔K2、第三连接孔K3以及第四连接孔K4在同一工艺中制作形成。

具体而言，本实施示出了将连接第一掺杂区A1和第二金属层M2的第一桥接部50设置在第一电极T1所在膜层的方案，可选地，第一桥接部50与第一电极T1层采用相同的材料制作，如此，在第一电极T1所在膜层制作第一电极T1的同时，即可一并完成第一桥接部50的制作，因而有利于简化在显示面板中引入第一桥接部50时的制作流程。此外，当将第一桥接部50与第一电极T1同层设置时，还无需在显示面板中引入单独的膜层来设置第一桥接部50，复用第一电极T1所在膜层接口，因而还有利于简化显示面板整体的膜层结构。

请参考图11，当将第一桥接部50与第一电极T1同层设置时，第一桥接部50与第二金属层M2通过第三连接孔K3电连接，第一桥接部50与第一掺杂区A1通过第四连接孔K4电连接。请参考图4，第一电极T1与第二掺杂区A2之间通过第二连接孔K2电连接。在实际制作时，可采用一道光罩工艺形成第二连接孔K2、第三连接孔K3和第四连接孔K4，无需为这几种连接孔分别引入不同的光罩工艺，因而有利于简化显示面板的生产工艺，降低生产成本。

图12所示为显示面板中第一区和第二区中的第一晶体管10与第一电极T1的一种连接关系图，请参考图12，并结合图4和图10，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板还包括第一电极T1，第一电极T1位于第一金属层M1背离衬底的一侧；显示面板包括第一区Q1和第二区Q2，第一区Q1中的第一电极T1通过第一连接孔K1与第一掺杂区A1电连接，第二区Q1中的第一电极T1通过第二连接孔K2与第二掺杂区A2电连接。

需要说明的是，本实施例中提及的第一区和第二区可分别指显示面板中的某一行或者某一列子像素所对应的显示区，还可指多行多列子像素对应的显示区，比如中心显示区和外围显示区、上半部分显示区和下半部分显示区等等。本实施例仅以某行子像素对应第一区Q1，另一行子像素对应第二区Q2为例进行说明，但并不对第一区和第二区在显示面板中的实际位置进行限定。

可选地，显示面板包括数据线L1和扫描线L2，其中，第一晶体管10的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，漏极与第一电极电连接。本实施例中，部分第一晶体管10的第一掺杂区作为源极，第二掺杂区作为漏极；另一部分第一晶体管10的第一掺杂区作为漏极，第一掺杂区作为源极。

本实施例中示出了显示面板中第一区Q1和第二区Q2中的第一电极T1与第一晶体管10的连接关系不同的方案，例如，第一区Q1中对应设置的第一电极T1和第一晶体管10中，第一电极T1是与第一晶体管10的第一掺杂区A1电连接的，也就是说，第一区Q1中的第一晶体管10的第一掺杂区A1对应第一晶体管10的漏极。第二区Q2中对应设置的第一电极T1和第一晶体管10中，第一电极T1是与第一晶体管10的第二掺杂区A2电连接的，也就是说，第二区中第一晶体管10的第二掺杂区A2对应第一晶体管10的漏极。对于画面显示品质要求较高的区域可作为第一区Q1，其他显示区可作为第二区Q2。第一区Q1中，由于第一晶体管10的第一掺杂区A1作为漏极与第一电极T1电连接，沿第一方向D1，该第一掺杂区A1并未与第二金属层M2交叠，也就是说，第二金属层M2并不会与第一掺杂区A1形成耦合电容，第二金属层M2的信号并不会对第一晶体管10的漏极信号造成干扰，因而有利于提升传输至第一电极T1的信号的准确性和稳定性，因而有利于提升画面品质。

图13所示为显示面板图3中第一晶体管10的另一种AA向截面图。

请参考图13，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板还包括第一电极T1，第一电极T1位于第一金属层M1背离衬底00的一侧，第一电极T1与第一金属层M1之间设置有第二绝缘层J2，第二绝缘层J2背离衬底00的表面与衬底00平行。

具体而言的，当将第一绝缘层J1设置为具有倾斜面S3的非平面结构时，若不做特殊处理，位于第一绝缘层J1背离衬底一侧的其他绝缘层也将呈现具有倾斜面S3的非平面结构，第一电极T1也将呈现具有倾斜面S3的非平面结构。当第一电极T1为非平面结构时，若显示面板为液晶显示面板，第一电极T1为像素电极时，可能导致像素电极不同区域作用至液晶的电场不同，影响液晶的正常偏转；若显示面板为有机电致发光显示面板时，第一电极T1为发光元件70的阳极71，在阳极71之上需要形成发光材料等结构，若阳极71不平整时，同样会对显示效果造成影响。因此，本实施例将第一电极T1与第一金属层M1之间设置的第二绝缘层J2进行了改进，使第二绝缘层J2背离衬底00的表面呈平坦结构，也就是说第二绝缘层J2背离衬底00的表面体现为与衬底00平行的平面结构。如此，再在第二绝缘层J2背离衬底的表面形成第一电极T1时，第一电极T1也将体现为平坦结构，平坦结构的第一电极T1更加有利于保证显示面板的显示效果。

图14所示为相邻的两个第一晶体管10的一种膜层结构图。

请参考图14，在本发明的一种可选实施方式中，至少部分相邻的两个第一晶体管10对称设置，对称轴位于相邻两个第一晶体管10之间，且对称轴垂直于衬底_。

本实施例示出了相邻的第一晶体管10对称设置的方案，相邻的两个第一晶体管10对称设置，具体指的是，沿相邻两个第一晶体管10的排列方向，相邻的两个第一晶体管10中，两个第一掺杂区A1位于两个第二掺杂区A2之间，对称轴位于相邻的两个第一掺杂区A1之间，且垂直于衬底，也就是说，两个第一子晶体管11位于两个第二子晶体管12之间。

继续参考图14，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板还包括设置于第二金属层M2和有源层30之间的第一绝缘层J1，第一绝缘层J1包括第一表面S1、第二表面S2和连接第一表面S1和第二表面S2的倾斜面S3；第一绝缘层J1中，与对称设置的两个第一晶体管10对应的第一表面S1相连且位于同一平面，与对称设置的两个第一晶体管10对应的倾斜面S3和第一表面S1共同限定一凹槽60。

当相邻两个第一晶体管10对称设置时，以对称设置的两个第一晶体管10的第一绝缘层J1为例，第一绝缘层J1中第一表面S1、倾斜面S3和第二表面S2的排列方式为：两个第一表面S1位于最中间的位置，其中一个第一晶体管10的倾斜面S3位于该第一晶体管10的第一表面S1远离另一晶体管的第一表面S1的一侧，第二表面S2位于倾斜面S3远离第一表面S1的一侧。对称设置的两个第一表面S1相连并且位于同一平面，两个倾斜面S3相对，与两个第一表面S1共同形成一凹槽60，如此两个第一晶体管10中的第一绝缘层J1共同形成一面积较大的凹槽，面积较大的凹槽更易制作。当将第一晶体管10的第一掺杂区A1与第一电极T1电连接时，将第一掺杂区A1与第一电极T1之间的连接孔设置在面积较大的凹槽对应的区域时，更容易实现连接孔的定位，从而有利于简化显示面板的制作工艺。

图15所示为相邻的两个第一晶体管10的另一种膜层结构图。

请参考图15，在本发明的一种可选实施方式中，相邻的两个第一晶体管10中，沿两个第一晶体管10的排列方向，其中一个第一晶体管10中的第一子晶体管11位于两个第二子晶体管12之间。

本实施例示出了相邻的晶体管采用相同结构重复排列的方案，也就是说，相邻两个第一晶体管10中的子晶体管按照第二子晶体管12-第一子晶体管11-第二子晶体管12-第一子晶体管11的排布方式排列。此种实施方式中，相同结构的第一晶体管10重复排列，有利于简化显示面板的整体制作工艺。

在本发明的一种可选实施方式中，第一有源层31和第二有源层32均包括氧化物。如此，第一晶体管10中的第一子晶体管11和第二子晶体管12均体现为氧化物晶体管，上述氧化物例如包括IGZO(铟镓锌氧化物)或者IGZTO(铟镓锌锡氧化物)。氧化物晶体管禁带宽度较大，电子不易跃迁，因而漏电流较小，因此，当第一晶体管10采用氧化物晶体管时，经由第一晶体管10提供至第一电极T1的信号将更加准确与稳定，因而更加有利于提升显示面板的显示品质。

请参考图3，在本发明的一种可选实施方式中，沿第一方向D1，第一有源层31和第二有源层32在衬底的正投影为一字型。

本实施例所提及的，第一有源层31和第二有源层32在衬底的正投影为一字型，指的是第一有源层31和第二有源层32整体形成的有源层30在衬底的正投影为一字型。当将第一晶体管10中的第一有源层31设置为一字型时，相比于异形结构的有源层30而言，一字型的有源层30结构简单，更加容易制作。

继续参考图7，在本发明的一种可选实施方式中，同一第一晶体管10中，第二表面S2上的有源层30的长度为L1，倾斜面S3上的有源层30的长度为L2，第一表面S1上的有源层30的长度为L3，其中，L1+L2+L3＞1μm。

本实施例分别示出了设置在第一绝缘层J1的第一表面S1、第二表面S2和倾斜面S3上的有源层30的长度。将第一晶体管10中第一有源层31的总长度设置为小于1μm时，会导致第一晶体管10的沟道长度过小，当第一晶体管10的沟道长度过小时，沟道将出现导体化，导致第一晶体管10无法发挥开关的作用。本发明将第一晶体管10中有源层30的长度设置为大于1μm时，有利于增大第一晶体管10的沟道长度，避免第一晶体管10的沟道出现导体化的问题，从而保证第一晶体管10的开关性能。

请结合图4和图7，在本发明的一种可选实施方式中，L1+L3＞0.5μm。其中，L1＞0，L3＞0。本实施例中进一步限定了设置于第二表面S2和第一表面S1上的有源层30的长度之和，当两个表面上的有源层30的长度之和大于0.5μm时，使得第二金属层M2与有源层30具有的一定的交叠面积，形成控制第二子晶体管12的沟道，以增大第二子晶体管12的开态电流，提升第一晶体管10整体的响应速度。而且，当两个表面上的有源层30的长度之和大于0.5μm，且L1＞0，L3＞0时，还有利于保证位于第一金属层M1的栅极的一个端部位于平坦的第一表面S1，另一个端部位于平坦的第二表面S2。若栅极的端部形成在倾斜面S3上，则曝光工艺难以控制栅极层的宽度，故难以保证第一晶体管10的性能。因此，当将栅极的一个端部设置在第一表面S1、另一端部设置在第二表面S2时，确保栅极的两个端部均位于平坦的表面，在工艺上可以更好的控制栅极的宽度，从而保证第一晶体管10的整体性能。

当L1+L3＞0.5μm时，可选地，L2＞0.5μm，如此有利于保证第一晶体管10的整体沟道长度大于1μm，避免第一晶体管10可能出现沟道导体化的问题。

沿第一方向D1，第一表面S1与第二表面S2之间的距离为H，可选地，500nm≤H≤2700nm。上述H的值越大，对应的L2将越大，第一晶体管10的整体沟道长度也将更长，第一晶体管10的沟道更不容易导体化，而且显示面板上的第一晶体管10的均一性也会得到提升，有利于提升显示面板的整体亮度均一性。

图16所示为第一绝缘层J1、有源层30以及第二金属层M2的另一种相对位置关系图。

请结合图4和图16，在本发明的一种可选实施方式中，L1＞L3。当第二表面S2上的有源层30的长度L1大于第一表面S1上的有源层30的长度L3时，有利于增大第二子晶体管12中的有源层30的长度，从而有利于增大第二子晶体管12的沟道长度，如此，相当于增大了第二子晶体管12在第一晶体管10中的比重。由于第二子晶体管12具有两个沟道，同时受到第一金属层M1和第二金属层M2的控制，有利于增大第二子晶体管12的开态电流。当第二子晶体管12在第一晶体管10中的比重增大时，开态电流将得到进一步提升，从而有利于进一步提升第一晶体管10整体的开态电流，进而有利于进一步提升显示面板整体的响应速度。

请结合图4和图7，在本发明的一种可选实施方式中，L1＜L3。具体而言，本实施例示出了第二表面S2上的有源层30的长度L1小于第一表面S1上的有源层30的长度L3的方案，相当于增大了第一子晶体管11中的有源层30的长度，增大了第一晶体管10中第一子晶体管11的比重，由于第一子晶体管11中仅第一金属层M1与有源层30交叠，也就是说第一子晶体管11的沟道只受栅极的控制，因而第一子晶体管11可有效控制整个第一晶体管10的阈值电压。当增大第一子晶体管11在第一晶体管10中的比重时，可有效确保第一晶体管10的阈值电压的稳定性，进而有利于提升显示面板的整体显示稳定性。

可选地，本发明实施例所提供的第一晶体管10中，第二金属层M2的厚度为D0，其中，200nm≤D0≤900nm，第二金属层M2的膜层越厚，位于第二金属层M2的走线的电阻月底，走线的电压压降越小，越有利于改善显示面板的显示均一性。而且，第二金属层M2的膜层越厚，更加有利于提升第二金属层M2与有源层30的交叠面积，因而可更好的提升第二子晶体管12的开态电流，进而有利于提升第一晶体管10整体的开态电流。若第二金属层M2的厚度过大，例如大于900nm时，膜层应力也会增大，不利于大量生产。可选的，D0＝420nm。

图17所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构图，本实施例以显示面板为液晶面板为例进行说明。图18所示为应用于液晶显示面板的一种像素驱动电路示意图。

请参考图17，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板为液晶面板，显示面板还包括设置于第一金属层M1背离衬底一侧的像素电极T0以及与像素电极连接的像素驱动电路，像素驱动电路包括前述实施例中的第一晶体管10，第一晶体管10与像素电极T0电连接。本实施例中提及的像素电极T为本发明所提及的第一电极T1。液晶面板中的像素驱动电路可参考相关技术中的驱动电路，例如图18所示的电路，本发明实施例对此不进行具体限定，在本发明的一些其他实施例中，像素驱动电路还可包括两个或者两个以上的晶体管。

具体而言，当显示面板为液晶显示面板时，该显示面板包括相对设置的第一基板101和第二基板102以及填充在第一基板101和第二基板102之间的液晶，可选地，第一晶体管10位于第一基板101，与第一晶体管10连接的第一电极T1也位于第一基板101。显示面板还包括与第一电极T1相对设置的第二电极T2，本实施例以第二电极T2位于第二基板101为例进行说明，在本发明的一些其他实施例中，第二电极T2还可位于第一基板101。为第一电极T1和第二电极T2分别提供不同的电压时，第一电极T1和第二电极之间的电场将能够驱动液晶偏转，实现显示面板的显示功能。当将第一晶体管10应用于液晶显示面板中时，由于第一晶体管10为双栅结构的晶体管，且其中的第二子晶体管12具有两个沟道，有利于提升第一晶体管10整体的开态电流，故有利于提升液晶显示面板整体的响应速度；同时，由于第一子晶体管11具有一个沟道，仅受到栅极的控制，该第一子晶体管11可控制第一晶体管10整体的阈值电压，确保器件的稳定性。

需要说明的是，当应用于液晶显示面板的像素驱动电路包括两个晶体管时，两个晶体管的结构均可采用本发明所提供的第一晶体管10的结构，以提升显示面板的整体响应速度，同时提升器件的稳定性。

图19所示为本发明实施例所提供的显示面板的一种膜层结构图，本实施例以显示面板为有机电致发光显示面板为例进行说明。图20所示为有机电致发光显示面板对应的一种驱动电路示意图，本实施例仅以7T1C(7个晶体管和1个电容)结构的像素驱动电路为例进行说明，但并不对像素驱动电路的实际结构进行限定，在本发明的一些其他实施例中，像素驱动电路还可体现为其他结构，本发明对此并不进行限定，例如8T1C或者8T2C等等。

该像素电路包括驱动晶体管T0、6个开关晶体管以及存储电容C0，6个开关晶体管分别为晶体管T01～T06。可选地，驱动晶体管T0的栅极连接第一节点N1、第一极连接第二节点N2、第二极连接第三节点N3，发光元件70串联于第四节点N4和第二电源端PVEE之间。晶体管T01串联在第一复位端VreD1和第一节点N1之间，晶体管T02串联在数据信号线DL和第二节点N2之间；晶体管T03串联在第一节点N1和第三节点N3之间；晶体管T04串联在第二复位端Vref2和第四节点N4之间；晶体管T05串联在第一电源端PVDD和第二节点N2之间，晶体管T06串联在第三节点N3和第四节点N4之间；存储电容C0串联在第一电源端PVDD和第一节点N1之间。

可选地，继续参考图8和图11，像素电路的工作阶段包括第一复位阶段、第二复位阶段、数据写入阶段和发光阶段，在第一复位阶段，晶体管T01响应第一控制端S1的导通电平而导通，并将第一复位端VreD1的复位信号传输至第一节点N1；在第二复位阶段，晶体管T04响应第四控制端S4的导通电平而导通，并将第二复位端Vref2的复位信号传输至第四节点N4，对发光元件70的阳极301进行复位；在数据写入阶段，晶体管T02响应第二控制端S2的导通电平而导通，晶体管T03响应第三控制端S2的导通电平而导通，数据信号线DL上的数据信号传输至所述第二节点N2，第二节点N2的信号通过驱动晶体管T0传输至第三节点N3，所述第三节点N3的信号传输至第一节点N1。在发光阶段，晶体管T05和晶体管T06响应发光控制信号端Emit的信号而导通，第一电源信号线PVDD上的信号通过第一电源端传输至晶体管T05，第一驱动晶体管T0将驱动信号传输至发光元件70，驱动发光元件70发光。需要说明的是，第一复位阶段和第二复位阶段可同时进行，亦可分时进行，第一复位阶段和第二复位阶段的复位电压可相同，也可不同，本发明实施例对此不进行具体限定。当复位电压相同时，第一复位端VreD1和第二复位端Vref2可体现为同一信号端。上述像素驱动电路的工作过程也仅为举例说明，并不对本发明像素驱动电路的实际工作过程进行限定。

需要说明的是，上述像素驱动电路以及工作过程仅为示意，并不对显示面板实际包括的像素驱动电路与工作过程进行限定。

请参考图4、图19和图20，在本发明的一种可选实施方式中，显示面板包括发光元件70和与发光元件70连接的像素驱动电路，发光元件70包括阳极71、发光层72和阴极73，沿第一方向D1，发光层72位于阳极71和阴极73之间，阳极71位于发光层72朝向衬底00的一侧；像素驱动电路包括驱动晶体管T0和至少一个开关晶体管(T01～T06)，至少一个开关晶体管为第一晶体管10。本实施例中，发光元件70的阳极71可看作前述实施例提及的第一电极T1。

当将有机电致发光显示面板对应的驱动电路中的至少一个开关晶体管采用前述实施例所提及的第一晶体管10的结构时，有利于改善该晶体管在像素驱动电路中所产生的漏流的问题，从而有利于提升提供至发光元件70的信号的准确性和稳定性。而且，由于第一晶体管10为双栅结构的晶体管，且其中的第二子晶体管12具有两个沟道，有利于提升第一晶体管10整体的开态电流，故有利于提升液晶显示面板整体的响应速度；同时，由于第一子晶体管11具有一个沟道，仅受到栅极的控制，该第一子晶体管11可控制第一晶体管10整体的阈值电压，确保器件的稳定性。

上述实施例仅将与像素驱动电路中的第一节点所连接的晶体管体现为第一晶体管10为例进行说明，当将与第一节点所连接的晶体管设置为第一晶体管10时，有利于减小这些晶体管的漏流对第一节点信号的影响，故有利于提升第一节点的信号的稳定性与准确性，进而更加有利于提升提供至发光元件70的信号的准确性。

在本发明的一种可选实施方式中，上述驱动电路中，各开关晶体管均为第一晶体管10。如此，降低了像素驱动电路中各个开关晶体管的漏流问题，提升了各开关晶体管的响应速度，故有利于进一步提升显示面板的整体响应速度。

基于同一发明构思，本发明还提供一种显示装置，图21所示为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置包括本发明上述实施所提供的显示面板100。

可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置200，可以是手机、平板、电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能和触控功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明所提供的显示面板及显示装置中，阵列层包括至少一个第一晶体管，该第一晶体管包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，第一子晶体管和第二子晶体管的有源层位于同层且相互连接；其中，第一金属层与第一有源层沿第一方向交叠形成第一子晶体管的栅极，第一金属层与第二有源层沿第一方向交叠形成第二子晶体管的栅极；沿第一方向，第二金属层与第二有源层交叠，且与第一有源层不交叠。如此，第一晶体管的垂直电场主要受栅极的控制；第二子晶体管的垂直电场除受栅极的控制外，还受第二金属层的控制，如此可有效提升第二子晶体管的开态电流，从而有利于提升第二子晶体管的响应速度，进而有利于提升显示面板整体的响应速度。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (21)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底一侧的阵列层，所述阵列层包括第一金属层、有源层和第二金属层，沿第一方向，所述第一金属层和所述第二金属层位于所述有源层的两侧，所述第一方向垂直于所述衬底；

所述阵列层包括至少一个第一晶体管，所述第一晶体管包括串联的第一子晶体管和第二子晶体管，所述第一子晶体管包括位于所述有源层的第一有源层，所述第二子晶体管包括位于所述有源层的第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层相连；

沿所述第一方向，所述第一金属层与所述第一有源层和所述第二有源层均交叠，所述第二金属层与所述第二有源层交叠，且与所述第一有源层不交叠。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二金属层位于所述有源层和所述衬底之间；

所述显示面板还包括设置于所述第二金属层和所述有源层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括远离所述衬底一侧第一表面、第二表面和连接所述第一表面和所述第二表面的倾斜面，沿所述第一方向，所述第一表面与所述衬底之间的距离小于所述第二表面与所述衬底之间的距离；

所述第一有源层中的至少部分位于所述第一表面，所述第二有源层中的至少部分位于第二表面，所述第一有源层和所述第二有源层在所述倾斜面相连。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层包括第一掺杂区，所述第二有源层包括第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一有源层的远离所述第二有源层的一端，所述第二掺杂区位于所述第二有源层的远离所述第一有源层的一端；

沿所述第一方向，所述第一金属层与所述第一表面、所述倾斜面和所述第二表面均交叠，且与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区不交叠。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一电极，所述第一电极位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，所述第一电极通过第一连接孔与所述第一掺杂区电连接，所述第二掺杂区与所述第二金属层电连接。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一电极，所述第一电极位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，所述第一电极通过第二连接孔与所述第二掺杂区电连接；所述第一掺杂区通过第一桥接部与所述第二金属层电连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一桥接部与所述第一电极同层设置，所述第一桥接部通过第三连接孔与所述第二金属层电连接，并通过第四连接孔与所述第一掺杂区电连接；

所述第二连接孔、所述第三连接孔以及所述第四连接孔在同一工艺中制作形成。

7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一电极，所述第一电极位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧；

所述显示面板包括第一区和第二区，所述第一区中的所述第一电极通过第一连接孔与所述第一掺杂区电连接，所述第二区中的所述第一电极通过第二连接孔与所述第二掺杂区电连接。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一电极，所述第一电极位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第一金属层之间设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层背离所述衬底的表面与所述衬底平行。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分相邻的两个所述第一晶体管对称设置，对称轴位于相邻两个所述第一晶体管之间，且所述对称轴垂直于所述衬底_。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第二金属层和所述有源层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一表面、第二表面和连接所述第一表面和所述第二表面的倾斜面；

所述第一绝缘层中，与对称设置的两个所述第一晶体管对应的所述第一表面相连且位于同一平面，与对称设置的两个所述第一晶体管对应的所述倾斜面和所述第一表面共同限定一凹槽。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻的两个所述第一晶体管中，沿两个所述第一晶体管的排列方向，其中一个所述第一晶体管中的所述第一子晶体管位于两个所述第二子晶体管之间。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层均包括氧化物。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿第一方向，第一有源层和第二有源层在所述衬底的正投影为一字型。

14.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，同一所述第一晶体管中，所述第二表面上的所述有源层的长度为L1，所述倾斜面上的所述有源层的长度为L2，所述第一表面上的有源层的长度为L3，其中，L1+L2+L3＞1μm。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，L1+L3＞0.5μm。

16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，L1＞L3。

17.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，L1＜L3。

18.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶面板，所述显示面板还包括设置于第一金属层背离衬底一侧的像素电极以及与所述像素电极连接的像素驱动电路，像素驱动电路包括所述第一晶体管，所述第一晶体管与所述像素电极电连接。

19.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光元件和与所述发光元件连接的像素驱动电路，所述发光元件包括阳极、发光层和阴极，沿所述第一方向，所述发光层位于阳极和所述阴极之间，所述阳极位于所述发光层朝向所述衬底的一侧；所述像素驱动电路包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管，至少一个所述开关晶体管为所述第一晶体管。

20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，各所述开关晶体管均为所述第一晶体管。

21.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至20中任一所述的显示面板。

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