CN116130195A - 一种铁基非晶磁芯材料、纳米晶磁芯、导磁片及其制备方法 - Google Patents

一种铁基非晶磁芯材料、纳米晶磁芯、导磁片及其制备方法 Download PDF

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CN116130195A CN202310213962.4A CN202310213962A CN116130195A CN 116130195 A CN116130195 A CN 116130195A CN 202310213962 A CN202310213962 A CN 202310213962A CN 116130195 A CN116130195 A CN 116130195A
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Abstract

本发明公开了一种铁基非晶磁芯材料,分子式为FeaSibBcMdNbeCuf，其中a+b+c+d+e+f＝100，M为Mo、Mn、P和V中的至少一种，d或e均不超过3at％。本发明还公开了一种纳米晶磁芯、导磁片的制备方法，纳米晶磁芯由铁基非晶磁芯材料制备的磁芯经过三步热处理和磁场热处理制备而成；纳米晶导磁片由纳米晶磁芯经过受力均匀分布的碎磁工艺和多层贴合工艺制备而成。本发明还公开了由上述方法制备得到的纳米晶磁芯和导磁片。本发明选择的磁芯材料兼具高的磁导率和饱和磁感应强度，制备得到的纳米晶磁芯和导磁片的高频磁性能优异，可实现小型化生产，拓宽了电力电子器件的产品市场和应用前景。

Description

一种铁基非晶磁芯材料、纳米晶磁芯、导磁片及其制备方法
技术领域
本发明涉及磁性功能材料领域，具体涉及一种铁基非晶磁芯材料、纳米晶磁芯、导磁片及其制备方法。
背景技术
随着无线充电的快速发展，无线充电产品领域朝着高充电效率，低损耗，充电过程中发热低，充电感应距离增大的方向发展。但发展过程中也遇到了很多技术性难题，如无法有效提高充电效率、成本偏高、有效充电距离过短。想得到较高的充电效率，并且减小充电时电磁场对手机的影响，那么就要用导磁片进行电磁屏蔽。
无线充电模组主要由导磁片和充电线圈两大部分组成。导磁片的作用就是隔绝电磁波，阻止金属等材料吸收发射端设备发出的电磁波并产生反方向的磁场。在手机无线充电接收端中，如果没有导磁片，无线充电设备就无法完成近距离充电工作。
以智能手机为例，我们的手机内部会安装一个电池，当发射线圈发射出来的磁场经过电池时，电池里面的金属就会产生感应电流，通常叫做“涡流”。这个涡流会产生一个跟发射线圈产生的磁场方向相反的磁场，抵消掉发射线圈形成的磁场，使得接收线圈接收到的感应电压下降；并且该涡流会转变成热量，使得手机电池非常热，也影响了电池的充电效率。
为了实现手机的高效无线传输，通常在电力接收线圈和手机电池之间放置一个隔绝电磁波的装置，用于阻挡磁力线，避免磁力线到达电池内。原先常规的导磁片所选用的材料是高磁导率的铁氧体，但是后来研究发现，Qi充电标准中的充电频率范围在100-200kHz之间，此区间使用非晶、纳米晶材料作为导磁片的效果优于铁氧体。
虽然非晶、纳米晶导磁片相较铁氧体导磁片具有更高的磁导率，高磁感应强度，低电阻，低损耗，充电过程中的低发热量，高充电效率等特点已被广泛应用于无线充电领域，但是目前仍然需要进一步减少涡流损耗，降低充电过程中的发热量。
授权公告号为US 20070229346 B的发明专利公开了一种制造电磁导磁片的方法，该方法将电磁导体粉末与天然橡胶/人工橡胶混合制成较薄的具有良好柔韧性的电磁导磁片，但该方法只对单层电磁导磁片的制备方法进行了介绍，没有公开对电磁导磁片进行优化处理的方法。
授权公告号为CN 104011814 B的发明专利公开了一种无线充电器用磁场屏蔽片，该导磁片包括：至少一层的薄板磁性片，由分离为多个细片的非晶带材形成；保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄板磁性片的一面；双面胶带，通过设置于一侧面的第二粘结层粘结于上述薄板磁性片的另一面；上述多个细片之间的缝隙由上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充，以使上述多个细片绝缘。但该方法的弊端是保护膜影响外观和性能，导磁片厚度过大，而且无法支持大功率。
授权公告号为CN 104900383 B的发明专利公开了一种电磁导磁片的制备方法，该方法包括对磁性薄片进行热处理、双面胶粘合、裂纹化处理、浸胶处理以及烘干固化处理步骤。该方法以浸胶处理的方式对裂纹化处理后的磁性薄片进行绝缘处理，每层磁性薄片之间有由所述绝缘处理形成的防护薄膜。该方法以液体浸胶的方式将绝缘介质填充到电磁屏蔽片的裂纹中，提高了绝缘性。但该方法对电磁屏蔽片的性能提升有限，且成本较高。
随着电源技术的高频化发展，其对纳米晶导磁片的高频软磁性能要求也将越来越高。这是因为随着频率的升高，首先，磁芯材料的有效磁导率会迅速衰减，电感量也因此而下降，这样的变化不利于磁性器件的设计及其功能的实现。同时目前对纳米晶导磁片的均一稳定性和充电效率性能要求也越来越高，有必要对现有技术做进一步改进和完善。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种铁基非晶磁芯材料，该铁基非晶磁芯材料兼具低损耗特性、高磁导率，有利于提高稳定性、充电效率和电磁屏蔽性能。
一种铁基非晶磁芯材料，具有以下分子式：FeaSibBcMdNbeCuf，其中a+b+c+d+e+f＝100，所述M为元素Mo、Mn、P、V中的至少一种，其中d或e均不超过3at％。
本发明采用Fe作为铁磁性元素，选用Si和B作为非晶形成元素，选用Cu和Nb作为纳米晶形成元素，选用Mo、Mn、P或V作为改善合金性能的元素，其中Mo作为纳米晶形成元素，Mn作为反铁磁性元素能提高铁基纳米晶磁芯的高频磁性能，P作为非晶形成元素，V起到细化晶粒的作用并能改善脆性和磁场热处理的效果。
本发明通过对各原料用量进行优化，利用Fe作为基础原料，通过原子半径小的Si和B，促使形成非晶态合金，再通过Cu、Nb与其他元素之间的相互作用，使得制备的铁基纳米晶磁芯中的晶粒更加细化，磁性能更加优异。
为降低生产成本，本发明将Nb元素含量控制在3at％以下，同时本发明的原料中Mo、Mn、P或V的含量不超过3at％，在此范围内可以使得热处理温度区间最优化，同时也能够降低制备成本。采用上述元素配比范围的原料所制备的合金具有良好的高频磁性能，合金的非晶形成能力强，晶化温度区间更窄且热处理温度区间更宽，有利于获得高质量的纳米晶软磁合金或非晶软磁合金并降低制备成本。
优选地，所述的铁基非晶磁芯材料中Fe、Si、B、Nb和Cu的原子百分含量分别为72at％≤a≤78at％，5at％≤b≤15at％，4at％≤c≤10at％，0.5at％≤e≤2at％，0.1at％≤f≤1.5at％。
本发明还提供了一种由所述的铁基非晶磁芯材料制备纳米晶磁芯的方法。本方法以上述的铁基非晶磁芯材料为原料，配合改进的复合热处理工艺，分开控制纳米晶磁芯的成核和晶粒的长大过程，从而有效提升晶粒密度与结晶度，极大的提高了磁芯的磁导率，降低了损耗。
一种由所述的铁基非晶磁芯材料制备纳米晶磁芯的方法，包括以下步骤：
(1)以所述的铁基非晶磁芯材料为原料制备非晶带材，将所述非晶带材绕制成磁芯；
(2)对所述磁芯进行三步热处理，得到晶化的磁芯；
(3)将晶化的磁芯进行冷却，在冷却至非晶居里温度前对所述晶化的磁芯施加磁场进行磁场热处理；
(4)将经过磁场热处理后的磁芯冷却至室温，获得纳米晶磁芯。
优选地，所述的铁基非晶磁芯材料制备非晶带材的方法为快淬法。
优选地，所述的非晶带材的厚度为15-25μm。
优选地，步骤(2)中，所述的三步热处理的条件为：
(1)第一步热处理：在惰性气体保护或真空条件下，以1-100℃/min的升温速率升温至380-440℃，保温10-30min；
(2)第二步热处理：在惰性气体保护或真空条件下，以1-100℃/min的升温速率升温至440-480℃，保温10-100min；
(3)第三步热处理：在惰性气体保护或真空条件下，以1-100℃/min的升温速率升温至540-580℃，保温60-180min。
优选地，步骤(3)中，所述的磁场热处理的温度为360-500℃，保温时间为10-100min。
优选地，所述的磁场热处理的磁场方向垂直于样品的圆周方向，磁场强度为10-77kA/m。
本发明还提供了一种由上述制备方法制备得到的纳米晶磁芯。该纳米晶磁芯具有优异的高频磁性能，具备高的充电效率、均一的稳定性、低的磁损比。
优选地，所述的纳米晶磁芯的外径、内径和高度分别为110mm、82mm和60mm。这保证了磁芯具有相同的叠片系数和重量，以便于对不同工艺条件下制备的纳米晶磁芯的性能进行对比。
优选地，所述的纳米晶磁芯在0.5T和10kHz下的损耗小于30kW/m3。
本发明还提供了一种所述的纳米晶磁芯制备纳米晶导磁片的方法。本发明通过碎磁工艺和多层贴合工艺的定量控制，制备得到碎磁花纹均匀分布的导磁片，能同时满足不同厚度和不同磁性能的要求。
一种所述的纳米晶磁芯制备纳米晶导磁片的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)取N个所述的纳米晶磁芯的薄带，分别施加拉应力，进行覆胶，得到N个覆胶后的纳米晶薄带，所述N为大于或等于1的整数；
(2)分别将N个覆胶后的纳米晶薄带在均匀受力的条件下进行碎磁处理；
(3)将N个碎磁处理后的纳米晶薄带通过柔性胶进行多层压应力贴合，得到待模切半成品；
(4)将所述待模切半成品进行模切，得到不同结构的屏蔽片半成品；
(5)在所述屏蔽片半成品的两面贴覆超薄柔性保护胶层，获得纳米晶导磁片。
优选地，所述的多层压应力贴合为3-7层。
优选地，所述的屏蔽片半成品的结构为圆形、椭圆形或异型结构。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
(1)本发明提供的铁基非晶磁芯材料，组成成分包括Fe、Cu、Si、B、Nb，还包括Mo、Mn、P、V中的至少一种。该合金成分兼具高的高磁导率和饱和磁感应强度，有利于提高纳米晶电感抗饱和能力和阻抗特性。
(2)本发明通过碎磁工艺和多层贴合工艺的定量控制，制备得到碎磁花纹均匀分布的导磁片，能同时满足不同厚度和不同磁性能的要求。
(3)本发明通过合金元素的选择，配合改进的复合热处理工艺以及结构设计上的创新优化，得到的纳米晶磁芯和导磁片的高频磁性能优异，具有良好的高频磁导率、低损耗特性、高均一性和低磁损比，可实现小型化生产，拓宽了电力电子器件的产品市场和应用前景。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。本领域技术人员在理解本发明的技术方案基础上进行修改或等同替换，而未脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的保护范围内。
实施例1
本实施例选用的合金成分为Fe74Si13B8Nb2Cu1Mo1P1，其制备所使用的原料均为市售，其中包括工业纯铁、纯硅、纯铜、纯钼、硼铁(99％)、铌铁(99％)和磷铁(99％)。将上述合金通过快淬法制备获得厚度为18μm的非晶带材。采用自动卷绕机制备成磁芯；磁芯的外径、内径和高度分别为110mm、82mm和60mm。将上述磁芯进行复合热处理制备纳米晶磁芯，具体的复合热处理方法是：
(1)在惰性气体保护或真空条件下，对所述磁芯进行第一步热处理，所述第一步热处理的具体步骤为：以10℃/min升温速率将所述磁芯从20℃升温至420℃，并保温20min；
(2)在惰性气体保护或真空条件下，对第一步热处理后的磁芯进行第二步热处理，所述第二步热处理的具体步骤为：以10℃/min的升温速率将第一步热处理后的磁芯升温至450℃，并保温80min；
(3)在惰性气体保护或真空条件下，对第二步热处理后的磁芯进行第三步热处理，所述第三步热处理的具体步骤为：以10℃/min的升温速率为将第二步热处理后的磁芯升温至560℃，并保温110min；
(4)在惰性气体保护或真空条件下，对三步热处理晶化后的磁芯冷却至400℃进行磁场热处理，磁场方向垂直于样品的圆周方向，磁场强度为64kA/m。所述磁场热处理的具体步骤为：以10℃/min的降温速率将三步热处理后的磁芯降温至磁场热处理目标温度400℃，并保温60min；
(5)将磁场热处理后的磁芯通过炉冷或者空冷的方式冷却至室温，获得纳米晶磁芯。
实施例2
本实施例选用的合金成分为Fe74Si13B8Nb2Cu1Mn2，其制备所使用的原料均为市售，其中包括工业纯铁、纯硅、纯铜、纯锰、硼铁(99％)和铌铁(99％)；通过快淬法制备获得厚度为18μm的非晶带材。采用自动卷绕机制备成磁芯；磁芯的外径、内径和高度分别为110mm、82mm和60mm。具体的复合热处理方法是：
(1)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对所述磁芯进行第一步热处理，所述第一步热处理的具体步骤为：以10℃/min的升温速率将所述磁芯从20℃升温至420℃，并保温20min；
(2)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对第一步热处理后的磁芯进行第二步热处理，所述第二步热处理的具体步骤为：以10℃/min的升温速率将第一步热处理后的磁芯升温至450℃，并保温80min；
(3)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对第二步热处理后的磁芯进行第三步热处理，所述第三步热处理的具体步骤为：以10℃/min的升温速率将第二步热处理后的磁芯升温至560℃，并保温110min；
(4)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对三步热处理晶化后的磁芯冷却至410℃进行磁场热处理，磁场方向垂直于样品的圆周方向，磁场强度为64kA/m。所述磁场热处理的具体步骤为：以10℃/min的降温速率将三步热处理后的磁芯降温至磁场热处理目标温度410℃，并保温60min；
(5)将磁场热处理后的磁芯通过炉冷或者空冷的方式冷却至室温，获得纳米晶磁芯。
对比例1
本实施例选用的合金成分为Fe76.5Si13B8Nb1.5Cu1，其制备所使用的原料均为市售，其中包括工业纯铁、纯硅、纯铜、硼铁(99％)和铌铁(99％)；通过快淬法制备获得厚度为18μm的非晶带材。采用自动卷绕机制备成磁芯；磁芯的外径、内径和高度分别为110mm、82mm和60mm。具体的复合热处理方法是：
(1)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对所述磁芯进行第一步热处理，所述第一次热处理具体为：以10℃/min的升温速率将所述磁芯从20℃升温至420℃，并保温20min；
(2)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对第一步热处理后的磁芯进行第二步热处理，所述第二步热处理具体为：以10℃/min的升温速率将第一步热处理后的磁芯升温至450℃，并保温80min；
(3)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对第二步热处理后的磁芯进行第三步热处理，所述第三步热处理具体为：以10℃/min的升温速率将第二步热处理后的磁芯升温至560℃，并保温110min；
(4)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对三步普通热处理晶化后的磁芯冷却至400℃之间进行磁场热处理，磁场方向垂直于样品的圆周方向，磁场强度为64kA/m。所述磁场热处理具体为：以10℃/min的降温速率将三步热处理后的磁芯降温至磁场热处理目标温400℃，并保温60min；
(5)将磁场热处理后的磁芯通过炉冷或者空冷的方式冷却至室温，获得纳米晶磁芯。
对比例1和实施例1的区别之处在于选用的合金成分不同，对比例1中的合金成分不含Mo、Mn、P和V元素，将对比例1中的原料制备的纳米晶磁芯与实施例1中的原料制备的纳米晶磁芯的性能进行对比，来说明合金中添加Mo、Mn、P和V中的至少一种元素对磁芯性能的影响。
实施例3
本实施例是将实施例2中得到的纳米晶磁芯经过独特加工制备纳米晶无线充电导磁片。包括如下步骤：
(1)对实施例(2)中制备得到的纳米晶磁芯的薄带施加一定拉应力，进行覆胶，得到覆胶后的纳米晶薄带；
(2)将覆胶后的纳米晶薄带在均匀受力的条件下进行碎磁处理；
(3)将碎磁处理后的纳米晶薄带通过柔性胶进行3层压应力贴合，得到待模切半成品；
(4)将所述待模切半成品进行模切，得到圆形屏蔽片半成品；
(5)在所述圆形屏蔽片半成品的两面贴覆超薄柔性保护胶层，获得纳米晶导磁片。
实施例4
本实施例提供了一种纳米晶导磁片的制备方法，除压应力贴合为4层以外，纳米晶导磁片的其余结构及制备步骤均与实施例3相同。
实施例5
本实施例提供了一种纳米晶导磁片的制备方法，除模切形状为椭圆形以外，纳米晶导磁片的其余结构及制备步骤均与实施例3相同。
实施例6
本实施例提供了一种纳米晶导磁片的制备方法，除模切形状为异型结构以外，纳米晶导磁片的其余结构及制备步骤均与实施例3相同。
对比例2
本实施例是将实施例2中得到的纳米晶磁芯经过常规加工制备纳米晶无线充电导磁片。包括如下步骤：
(1)对实施例(2)中制备得到的纳米晶磁芯的薄带施加一定拉应力，进行覆胶，得到覆胶后的纳米晶薄带；
(2)将覆胶后的纳米晶薄带进行常规碎磁处理；
(3)将碎磁处理后的纳米晶薄带进行单层贴合，得到待模切半成品；
(4)将待模切半成品的纳米晶导磁片进行模切，得到圆形屏蔽片半成品；
(5)在所述圆形屏蔽片半成品的两面贴覆超薄柔性保护胶层，获得纳米晶导磁片。
对比例2和实施例3的不同之处在于：该导磁片的制备加工方法未采用受力均匀分布的碎磁处理，而采用常规碎磁处理，导磁片受力不够均匀。此外，该方法未采用三层贴合工艺，而采用单层贴合工艺，和实施例3中纳米晶导磁片的胶面层数和厚度不同。
试验例1
对上述实施例1、实施例2和对比例1制备的纳米晶磁芯进行磁导率测试。使用阻抗分析仪分别对上述纳米晶磁芯在0.06A/m和100kHz的条件下测试，测试结果如表1所示。
表1实施例1-2与对比例1的纳米晶磁芯在0.06A/m和100kHz下的磁导率性能
编号 磁导率
实施例1 22260
实施例2 23529
对比例1 9999
由表1可知，含Mo、Mn、P、V至少一种元素的纳米晶磁芯的高频磁导率远大于不含Mo、Mn、P、V至少一种元素的纳米晶磁芯的磁导率。这说明，合金成分中添加Mo、Mn、P、V中至少一种元素可以提高纳米晶磁芯的高频磁性能。
试验例2
对上述实施例1、实施例2、对比例1制备得到的纳米晶磁芯进行损耗测试。使用软磁交流测量装置对三个纳米晶磁芯分别在0.2T，100kHz以及0.5T，10kHz的条件下测试，测试结果见表2a和表2b。对实施例1和实施例2制备得到的纳米晶磁芯在1T，10kHz的条件下测试，测试结果见表2c。
表2a实施例1-2与对比例1中的纳米晶磁芯在Bm＝0.2T，f＝100kHz下的损耗值
编号 <![CDATA[损耗(kW/m<sup>3</sup>)]]>
实施例1 182.0
实施例2 184.2
对比例1 548.7
表2b实施例1-2与对比例1中的纳米晶磁芯在Bm＝0.5T，f＝10kHz下的损耗值
编号 <![CDATA[损耗(kW/m<sup>3</sup>)]]>
实施例1 29.9
实施例2 26.3
对比例1 110.8
表2c实施例1-2中的纳米晶磁芯在Bm＝1T，f＝10kHz下的损耗值
编号 <![CDATA[损耗(kW/m<sup>3</sup>)]]>
实施例1 167.2
实施例2 167.6
由表2a和表2b可知，实施例1和实施例2中的纳米晶磁芯在0.2T，100kHz和0.5T，10kHz条件下所测得的损耗都显著低于对比例1中的纳米晶磁芯，这表明合金成分中添加Mo、Mn、P、V中至少一种元素可以有效减少各环境条件下的损耗。实施例1和实施例2的纳米晶磁芯在0.2T，100kHz下的损耗均小于185kW/m3，在0.5T，10kHz下的损耗均小于30kW/m3，在1T，10kHz下的损耗均小于168kW/m3。
试验例3
对上述实施例1和实施例2的纳米晶磁芯进行矫顽力测试。使用直流B-H仪对实施例1和实施例2的纳米晶磁芯的矫顽力进行测试，测试结果如表3所示。
由表3可知，实施例1和实施例2中的纳米晶磁芯都具有非常小的矫顽力。这说明，含Mo、Mn、P、V至少一种元素的纳米晶磁芯具有优异的矫顽力性能，出色的软磁性能。
表3实施例1-2中的纳米晶磁芯的矫顽力性能
编号 Hc(A/m)
实施例1 1.086
实施例2 1.289
试验例4
对上述实施例3、实施例4、实施例5、实施例6和对比例2的导磁片进行磁损比测试。使用阻抗分析仪对这两种导磁片在0.06A/m和100kHz的条件下测试，测试结果如表4所示。
由表4可知，实施例3-6的导磁片在100kHz下的磁损比显著低于的对比例2中的导磁片的磁损比，这表明本发明制备方法制备的导磁片的性能显著优于常规方法制备的导磁片的性能，本发明制备方法可以显著降低导磁片的磁损比，提高导磁片的高频磁性能。这是由于常规的导磁片加工方法在碎磁处理时受力不均匀，未采用多层贴合方法，从而影响了导磁片的充电磁性能和均一稳定性。
表4实施例3-6与对比例2中的纳米晶导磁片的磁损比性能
编号 实部磁导率 虚部磁导率 磁损比
实施例3 865 44 5.12％
实施例4 849 47 5.56％
实施例5 755 44 5.80％
实施例6 755 45 5.99％
对比例2 2571 334 12.98％
综上所述，本发明通过合金元素的选择，配合改进的复合热处理工艺以及结构设计上的创新优化，得到的纳米晶磁芯和导磁片的高频磁性能优异，具有良好的高频磁导率、低损耗特性、高均一性和低磁损比，可实现小型化生产，拓宽了电力电子器件的产品市场和应用前景。
以上所述的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。

Claims (9)

1.一种铁基非晶磁芯材料，其特征在于：所述铁基非晶磁芯材料具有以下分子式：FeaSibBcMdNbeCuf，其中，a+b+c+d+e+f＝100，所述M为元素Mo、Mn、P、V中的至少一种，其中d或e均不超过3at％。
2.根据权利要求1所述的铁基非晶磁芯材料，其特征在于：所述铁基非晶磁芯材料中Fe、Si、B、Nb和Cu的原子百分含量分别为72at％≤a≤78at％，5at％≤b≤15at％，4at％≤c≤10at％，0.5at％≤e≤2at％，0.1at％≤f≤1.5at％。
3.根据权利要求1或2所述的铁基非晶磁芯材料制备纳米晶磁芯的方法，包括以下步骤：
(1)以所述的铁基非晶磁芯材料为原料制备非晶带材，将所述非晶带材绕制成磁芯；
(2)对所述磁芯进行三步热处理，得到晶化的磁芯；
(3)将晶化的磁芯进行冷却，在冷却至非晶居里温度前对所述晶化的磁芯施加磁场进行磁场热处理；
(4)将经过磁场热处理后的磁芯冷却至室温，获得纳米晶磁芯。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述的三步热处理的条件为：
(1)第一步热处理：在惰性气体保护或真空条件下，以1-100℃/min的升温速率升温至380-440℃，保温10-30min；
(2)第二步热处理：在惰性气体保护或真空条件下，以1-100℃/min的升温速率升温至440-480℃，保温10-100min；
(3)第三步热处理：在惰性气体保护或真空条件下，以1-100℃/min的升温速率升温至540-580℃，保温60-180min。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述的磁场热处理的温度为360-500℃，保温时间为10-100min，所述的磁场热处理的磁场方向垂直于样品的圆周方向，磁场强度为10-77kA/m。
6.一种由权利要求3-5中任一项所述的制备方法制备得到的纳米晶磁芯。
7.根据权利要求6所述的纳米晶磁芯制备纳米晶导磁片的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)取N个所述的纳米晶磁芯的薄带，分别施加拉应力，进行覆胶，得到N个覆胶后的纳米晶薄带，所述N为大于或等于1的整数；
(2)分别将N个覆胶后的纳米晶薄带在均匀受力的条件下进行碎磁处理；
(3)将N个碎磁处理后的纳米晶薄带通过柔性胶进行多层压应力贴合，得到待模切半成品；
(4)将所述待模切半成品进行模切，得到不同结构的屏蔽片半成品；
(5)在所述屏蔽片半成品的两面贴覆超薄柔性保护胶层，获得纳米晶导磁片。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的多层压应力贴合为3-7层，所述的屏蔽片半成品的结构为圆形、椭圆形或异型结构。
9.一种由权利要求7或权利要求8所述的制备方法制备得到的纳米晶导磁片。
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