CN116114065A - 显示模块、显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示模块、显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116114065A
CN116114065A CN202180062386.7A CN202180062386A CN116114065A CN 116114065 A CN116114065 A CN 116114065A CN 202180062386 A CN202180062386 A CN 202180062386A CN 116114065 A CN116114065 A CN 116114065A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro
pixel
voltage
substrate
packages
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180062386.7A
Other languages
English (en)
Inventor
吴宗洙
朴赏湧
李浩燮
重田哲也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN116114065A publication Critical patent/CN116114065A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/02—Composition of display devices
    • G09G2300/026—Video wall, i.e. juxtaposition of a plurality of screens to create a display screen of bigger dimensions
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0204—Compensation of DC component across the pixels in flat panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09218—Conductive traces
    • H05K2201/09227—Layout details of a plurality of traces, e.g. escape layout for Ball Grid Array [BGA] mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0017—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus with operator interface units
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0021—Side-by-side or stacked arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示模块包括多个微像素封装和电连接在一组相邻的微像素封装之间的多条电压线，其中，多个微像素封装中的每一个包括：多个无机发光元件，布置在第二衬底的上表面上；微像素控制器，布置在第二衬底上并控制多个无机发光元件；以及内部连接线，布置在第二衬底上并且将多条电压线之中的第一电压线与第二电压线电连接，第一电压线电连接到所述一组相邻的微像素封装中的第一微像素封装，并且第二电压线电连接到所述一组相邻的微像素封装中的第二微像素封装。

Description

显示模块、显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种使用无机发光元件来实现图像的显示模块、显示装置及其制造方法。
背景技术
显示装置可以被分类为其中每个像素自身发光的自发光显示器和需要单独光源的无源发光显示器。
液晶显示器(LCD)是一种无源发光显示器，并且需要被配置为从显示面板的背面供应光的背光单元、被配置为用作透射/阻挡光的开关的液晶层、被配置为将供应的光改变为期望的颜色的颜色滤波器等。因此，LCD在结构上复杂，并且在实现小厚度方面具有局限性。
另一方面，在其中每个像素通过包括每个像素的发光元件来自身发光的自发光显示器中，不需要诸如背光单元和液晶层之类的组件，并且也可以省略颜色滤波器。因此，自发光显示器在结构上简单，并且具有高设计自由度。另外，自发光显示器不仅可以实现较小的厚度，还可以实现出色的对比度、亮度和视角。
在自发光显示器之中，微型发光二极管(LED)显示器是平板显示器中的一种，并且包括均具有约100微米尺寸的多个LED。与需要背光的LCD相比，微型LED显示器可以提供更好的对比度、响应时间和能效。
此外，与需要用于保护有机材料的单独的封装层的有机发光二极管(OLED)相比，作为无机发光元件的微型LED具有更高的亮度、更高的发光效率和更长的寿命。
发明内容
技术问题
提供了一种显示模块、显示装置和制造显示模块的方法，其中，与在模块衬底上形成电源线的情况相比，通过在微像素控制器或微像素封装中形成电源线中的一些提供了具有改进电阻的电源线，并最小化电流电阻(IR)降。
技术方案
根据本发明的一方面，一种显示模块可以包括：多个像素；第一衬底；多个微像素封装，设置在第一衬底上；以及多条电压线，电连接在多个微像素封装中的在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装之间。多个微像素封装中的每一个可以包括：第二衬底；多个无机发光元件，设置在第二衬底上；微像素控制器，设置在第二衬底上并被配置为控制多个无机发光元件；以及内部连接线，设置在第二衬底中并被配置为将多条电压线中的第一电压线和多条电压线中的第二电压线电连接，第一电压线电连接到在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装中的第一微像素封装，第二电压线电连接到在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装中的第二微像素封装。
多条电压线中的每一条可以在多个微像素封装之间传输电压。
多个微像素封装中的每一个可以通过第一电压线接收电压，并且通过内部连接线将输入的电压输出到第二电压线。
内部连接线可以包括比多条电压线中的每一条电压线的电子迁移率高的电子迁移率。
多个微像素封装可以包括第一多个微像素封装和第二多个微像素封装，第一多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从电源板接收电压并通过对应的电压线将电压传输到在第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装，第二多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从在第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装接收电压。
内部连接线可以电连接到多个无机发光元件和微像素控制器，并且可以将从所述一组微像素封装中的任何一个输入的电压传输到多个无机发光元件和微像素控制器中的每一个。
内部连接线可以包括电源电压流过的第一内部连接线和参考电压流过的第二内部连接线，第一内部连接线可以电连接到微像素控制器并向其传输电源电压，并且第二内部连接线可以电连接到多个无机发光元件并向其传输参考电压。
多个像素中的每一个可以包括多个无机发光元件之中的两个或更多个无机发光元件，并且多个无机发光元件可以构成多个像素之中的两个或更多个像素。
微像素控制器可以包括第三衬底和设置在第三衬底上的至少一个薄膜晶体管。至少一个薄膜晶体管可以开关多个无机发光元件，并且向多个无机发光元件供应驱动电流。
根据本公开的一方面，一种显示装置可以包括：多个显示模块，包括多个像素；以及框架，被配置为支撑多个显示模块。多个显示模块中的每一个可以包括：第一衬底；多个微像素封装，设置在第一衬底上；以及多条电压线，电连接于在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装之间。多个微像素封装中的每一个可以包括：第二衬底；多个无机发光元件，设置在第二衬底上；微像素控制器，设置在第二衬底上并被配置为控制多个无机发光元件；以及内部连接线，设置在第二衬底中并被配置为将多条电压线中的第一电压线和多条电压线中的第二电压线电连接，第一电压线电连接到在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装中的第一微像素封装，第二电压线电连接到在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装中的第二微像素封装。
多条电压线中的每一条可以在多个微像素封装之间传输电压。
多个微像素封装中的每一个可以通过第一电压线接收电压，并且通过内部连接线将输入的电压输出到第二电压线。
内部连接线可以包括比多条电压线中的每一条电压线的电子迁移率高的电子迁移率。
多个微像素封装可以包括第一多个微像素封装和第二多个微像素封装，第一多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从电源板接收电压并通过对应的电压线将电压传输到在第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装，第二多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从在第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装接收电压。
内部连接线可以电连接到多个无机发光元件和微像素控制器，并且可以将从所述一组微像素封装中的任何一个输入的电压传输到多个无机发光元件和微像素控制器中的每一个。
有益效果
根据显示模块和显示装置，与在模块衬底上形成电源线的情况相比，通过在微像素控制器或微像素封装中形成电源线中的一些，可以提供具有改进电阻的电源线，并且可以最小化电流电阻(IR)降。
附图说明
图1是示出了根据实施例的显示模块和具有该显示模块的显示装置的示例的图。
图2是示出了根据实施例的构成显示装置的单元模块的像素的布置的示例的图。
图3是根据实施例的显示装置的图。
图4是根据实施例的显示装置中包括的显示模块的配置的图。
图5是根据实施例的显示模块中包括的显示面板的配置的图。
图6是示出了根据实施例的其中在显示装置中将信号发送到多个平铺显示模块的示例的图。
图7是根据实施例的驱动显示模块中的每个像素的方法的图。
图8是示出了根据实施例的在显示模块中被配置为控制单个子像素的像素电路的图。
图9和图10是示出了根据实施例的像素电路中驱动电流根据电源电压和参考电压的变化的曲线图。
图11是示出了根据实施例的显示模块中微像素控制器和由微像素控制器控制的像素之间的关系的图。
图12是根据实施例的显示模块中包括的微像素封装的侧面截面图。
图13是示出了根据实施例的显示模块中包括的微像素封装的上表面的图。
图14是根据实施例的显示模块中其上设置有微像素封装的模块衬底的图。
图15是示出了根据实施例的显示模块中其上设置有微像素封装的模块衬底的上表面的图。
图16是示出了根据实施例的显示模块中其上设置有微像素封装的模块衬底的电源线的图。
图17是根据实施例的显示模块中其上设置有微像素封装的模块衬底的电源线的图。
图18和图19是根据实施例的显示模块中一个微像素封装中的电源线的图。
图20是根据实施例的构成显示模块的微像素控制器和无机发光元件的布置的示例的图。
图21是示出了根据实施例的显示模块中其上设置有微像素控制器的模块衬底的电源线的图。
图22是根据实施例的显示模块中其上设置有微像素控制器的模块衬底的电源线的图。
图23是根据实施例的显示模块中一个微像素控制器中的电源线的图。
图24是示出了根据实施例的其中在显示装置中多个显示模块耦接到壳体的方法的示例的图。
图25是根据实施例的制造显示模块的方法的流程图。
图26、图27、图28、图29、图30和图31是示出了根据实施例的通过图25中所示的一些操作制造的显示模块的图。
具体实施方式
本说明书中所公开的实施例和附图中所示的组件仅是本公开的示例实施例，并且在提交本申请时可以做出能够替换本说明书的实施例和附图的各种修改。
贯穿本说明书，当一部分被称为“连接”到另一部分时，它不仅包括直接连接，还包括间接连接，并且间接连接包括通过无线通信网络的连接。
此外，本文所使用的术语用于说明实施例，而不旨在限制和/或约束所公开的实施例。如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式旨在也包括复数形式。术语“包括”、“具有”等在本文中用于指定所述特征、数字、步骤、操作、组件、部分或其组合的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、组件、部分或其组合。
此外，本文所使用的包括诸如“第一”、“第二”等序数的术语可以用于描述各种组件，但组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件彼此区分的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，第二组件可以被称为第一组件。
此外，诸如“单元”、“部分”、“块”、“构件”、“模块”之类的术语可以指代处理至少一个功能或操作的单元。例如，这些术语可以指代由软件、诸如现场可编程门阵列(FPGA)或专用集成电路(ASIC)之类的硬件组件、或软件或硬件的组合实现的至少一个过程。
在每个操作中所附的附图标记用于标识每个操作，并且该附图标记不描述操作的顺序，并且除非在上下文中明确指定，否则可以与所描述的顺序不同地执行操作。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施例。
图1是示出了根据实施例的显示模块和具有该显示模块的显示装置的示例的图。图2是示出了根据实施例的构成显示装置的单元模块的像素的布置的示例的图。
根据一个实施例的显示装置1是自发光显示装置，其中针对每个像素设置发光元件，使得每个像素可以自身发光。因此，与液晶显示器(LCD)装置不同，由于不需要诸如背光单元、液晶层等的组件，因此可以实现较小的厚度，并且由于结构简单，可以进行各种设计改变。
此外，根据实施例的显示装置1可以采用无机发光元件(例如，无机发光二极管(LED))作为设置在每个像素中的发光元件。无机发光元件具有比诸如有机发光二极管(OLED)之类的有机发光元件更快的响应速度，并且可以以低功率实现高亮度。
另外，与因为有机发光元件容易暴露于湿气和氧气并且具有差耐久性而需要封装工艺的有机发光元件相比，无机发光元件不需要封装工艺，并且具有更好的耐久性。在下文中，在以下描述的实施例中提到的无机发光元件可以指代无机LED。
根据一个实施例的显示装置1中采用的无机发光元件可以是具有约100μm的短边长度的微型LED。如上所述，通过采用微型LED，可以减小像素尺寸，并且可以在相同尺寸的屏幕内实现更高分辨率。
另外，当以微型单元的尺寸来制造LED芯片时，可以解决LED芯片由于弯曲时无机材料的特性而损坏的问题。也就是说，当将微型LED芯片被转移到柔性衬底时，即使当衬底弯曲时，LED芯片也不会损坏，使得也可以实现柔性显示装置。
采用微型LED的显示装置可以通过使用非常小的像素尺寸和薄的厚度来应用于各种领域。例如，如图1所示，通过平铺其每一个转移有多个微型LED的多个显示模块10，并且通过将多个显示模块10固定到壳体20，可以实现大面积屏幕，并且该大面积屏幕的显示装置可以用作标牌、电子广告牌等。
图1所示的XYZ轴的三维坐标系基于显示装置1，显示装置1的屏幕所位于的平面为XZ平面，并且输出图像或无机发光元件发光的方向为+Y方向。由于坐标系是基于显示装置1的，所以相同的坐标系可以应用于显示装置1平躺和显示装置1直立两种情况。
通常，显示装置1在直立状态下使用，并且用户在显示装置1的前方观看图像，使得输出图像的+Y方向被称为前侧，并且与前侧相反的方向可以被称为后侧。
此外，显示装置1通常在平躺的状态下制造。因此，显示装置1的-Y方向可以被称为向下方向，并且+Y方向可以被称为向上方向。也就是说，在以下所述的实施例中，+Y方向可以被称为向上方向或也可以被称为前侧，并且-Y方向可以被称为向下方向或也可以被称为后侧。
平板类型的显示装置1或显示模块10的除上表面和下表面之外的其他四个表面可以被称为侧表面，而不管显示装置1或显示模块10的姿势如何。
在图1的示例中，显示装置1被示出为通过包括多个显示模块来实现大面积屏幕，但显示装置1的实施例不限于此。显示装置1还可以通过包括单个显示模块10来被实现为电视机(TV)、可穿戴设备、便携式设备、用于个人计算机(PC)的监视器等。
参考图2，显示模块10可以具有M×N(其中M和N为大于或等于2的整数)阵列的二维像素结构。也就是说，显示模块10可以具有由M行和N列组成的像素阵列。换言之，显示模块10可以包括二维布置的多个像素。图2概念性地示出了像素布置，并且因此，当然，在显示模块10中，除其中布置有像素的有源区域之外，还可以定位其中不显示图像的边框区域和线路区域。
在该实施例中，当描述特定组件是二维布置的时，这可以包括对应组件布置在相同平面上的情况以及对应组件布置在彼此平行的不同平面上的情况。另外，在对应组件设置在相同平面上的情况下，所布置的组件的上端不一定必须位于相同平面上，并且所布置的组件的上端可以位于彼此平行的不同平面上。
例如，单元像素P可以包括至少三个输出不同颜色的光的子像素。例如，单元像素P可以包括分别对应于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的三个子像素SP(R)、SP(G)和SP(B)。红色子像素SP(R)可以输出红光，绿色子像素SP(G)可以输出绿光，并且蓝色子像素SP(B)可以输出蓝光。
然而，图2的像素布置仅是可以应用于根据一个实施例的显示模块10和显示装置1的示例，并且子像素可以沿Z轴方向布置，可以不布置在一行中，并且可以实现为具有不同的尺寸。为了实现多种颜色，单个像素只需要包括多个子像素，并且对每个子像素的尺寸和子像素的布置方式没有限制。
此外，单元像素P不一定由被配置为输出红光的红色子像素SP(R)、被配置为输出绿光的绿色子像素SP(G)、以及被配置为输出蓝光的蓝色子像素SP(B)组成，并且可以包括被配置为输出黄光或白光的子像素。也就是说，对从每个子像素输出的光的颜色或类型以及子像素的数量没有限制。
然而，在以下描述的实施例中，为了详细描述，将描述单元像素P包括红色子像素SP(R)、绿色子像素SP(G)和蓝色子像素SP(B)的情况作为示例。
如上所述，根据一个实施例的显示模块10和显示装置1中的每一个都是自发光显示装置，其中每个像素可以自身发光。因此，发射不同颜色的光的无机发光元件可以设置在每个子像素中。例如，红色无机发光元件可以设置在红色子像素SP(R)中，绿色无机发光元件可以设置在绿色子像素SP(G)中，并且蓝色无机发光元件可以设置在蓝色子像素SP(B)中。
因此，在该实施例中，像素P可以表示包括红色无机发光元件、绿色无机发光元件和蓝色无机发光元件的簇，并且子像素可以表示每个无机发光元件。
图3是根据实施例的显示装置的图。
参考图3，如上面参考图1所述，根据一个实施例的显示装置1可以包括多个显示模块10-1、10-2、...和10-n(其中n是大于或等于二的整数)、被配置为控制多个显示模块10的主控制器300和定时控制器500、被配置为与外部设备通信的通信器430、被配置为接收源图像的源输入部分440、被配置为输出声音的扬声器410、以及被配置为从用户接收用于控制显示装置1的命令的输入部分420。
输入部分420可以包括设置在显示装置1的一个区域中的按钮或触摸板，并且当显示面板11(图4)实现为触摸屏时，输入部分420可以包括设置在显示面板11的前表面上的触摸板。另外，输入部分420还可以包括遥控器。
输入部分420可以从用户接收用于控制显示装置1(例如，显示装置1的电源开/关、音量调整、频道调整、屏幕调整、各种设定改变等)的各种命令。
扬声器410可以设置在壳体20的一个区域中，并且还可以设置与壳体20物理分离的单独的扬声器模块。
通信器430可以通过与中继服务器或其他电子设备执行通信来发送和接收必要的数据。通信器430可以采用各种无线通信方法中的至少一种，例如，第三代(3G)、第四代(4G)、无线局域网(LAN)、Wi-Fi、蓝牙、Zigbee、Wi-Fi直连(WFD)、超宽带(UWB)、红外数据协会(IrDA)、低功耗蓝牙(BLE)、近场通信(NFC)和Z-wave。另外，通信器430可采用有线通信方法，例如，外围组件互连(PCI)、PCI快速或通用串行总线(USB)。
源输入部分440可以接收从机顶盒、USB、天线等输入的源信号。因此，源输入部分440可以包括从包括高清多媒体接口(HDMI)电缆端口、USB端口、天线等的源输入接口组中选择的至少一个。
由源输入部分440接收的源信号可以由主控制器300处理以转换为可以由显示面板11和扬声器410输出的形式。
主控制器300和定时控制器500可以包括至少一个存储器和至少一个处理器，至少一个存储器被配置为存储用于执行下述操作的程序和各种类型的数据，至少一个处理器被配置为执行所存储的程序。
主控制器300可以处理通过源输入部分440输入的源信号以生成与输入的源信号相对应的图像信号。
例如，主控制器300可以包括源解码器、缩放器、图像增强器和图形处理器。源解码器可以对以诸如运动图像专家组(MPEG)格式之类的格式压缩的源信号进行解码，并且缩放器可以通过分辨率转换来输出期望分辨率的图像数据。
图像增强器可以通过应用各种校正技术来提高图像数据的图像质量。图形处理器可以将图像数据的像素分类为RGB数据，并输出诸如用于显示面板11中的显示定时的同步信号之类的控制信号。也就是说，主控制器300可以输出对应于源信号的图像数据和控制信号。
主控制器300的上述操作仅仅是适用于显示装置1的示例，并且当然，主控制器300还可以执行其他操作，或者可以省略上述操作中的一些操作。
从主控制器300输出的图像数据和控制信号可以被发送到定时控制器500。
定时控制器500可以将从主控制器300发送的图像数据转换为可以在驱动器集成电路(IC)200(图4)中处理的格式的图像数据，并生成在显示面板11上显示图像数据所必需的各种控制信号，例如，定时控制信号。
根据一个实施例的显示装置1不需要包括多个显示模块10，但是在下面描述的实施例中，为了详细描述，将描述包括多个显示模块10的显示装置1作为示例。
图4是根据实施例的显示装置中包括的显示模块的配置的图。图5是根据实施例的显示模块中包括的显示面板的配置的图。图6是示出了根据实施例的其中在显示装置中将信号发送到多个平铺显示模块的示例的图。
参考图4，多个显示模块10-1、10-2、...和10-n中的每一个可以包括被配置为显示图像的显示面板11-1、11-2、...和11-n以及被配置为分别驱动显示面板11-1、11-2、...和11-n的驱动器IC 200-1、200-2、...和200-n。
驱动器IC 200-1、200-2、...和200-n可以基于从定时控制器500发送的图像数据和定时控制信号来生成驱动信号，使得显示面板11-1、11-2、...和11-n显示图像。
由驱动器IC 200-1、200-2、...和200-n生成的驱动信号可以包括栅极信号和数据信号，并且所生成的驱动信号被输入到显示面板11-1、11-2、...和11-n。
参考图5，显示面板11包括多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q，并且多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q中的每一个分别包括无机发光元件120-1、120-2、...和120-q以及微像素控制器130-1、130-2、...和130-q。在该实施例中，描述了设置三个或更多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q，但显示模块10的实施例不限于此。只要设置多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q(q为大于等于2的整数)，则对微像素封装100的数量没有限制。
显示面板11可以包括如上所述二维布置的多个像素，并且每个像素可以包括多个子像素以实现各种颜色。
此外，如上所述，根据一个实施例的显示装置1是自发光显示装置，其中每个像素可以自身发光。因此，无机发光元件120-1、120-2、...和120-q可以设置在每个子像素中。也就是说，多个像素中的每一个可以包括两个或更多个无机发光元件120-1、120-2、...和120-q。
无机发光元件120-1、120-2、...和120-q中的每一个可以通过有源矩阵(AM)方法或无源矩阵(PM)方法来驱动，但在下面描述的实施例中，为了详细描述，将描述无机发光元件120-1、120-2、...和120-q通过AM方法驱动的情况作为示例。
在根据一个实施例的显示模块10中，每个无机发光元件120-1、120-2、...和120-q可以分别由微像素控制器130-1、130-2、...和130-q单独控制，并且微像素控制器130-1、130-2、...和130-q可以响应于从驱动器IC 200输出的驱动信号来操作。
微像素封装100-1、100-2、...和100-q可以在显示模块10的模块衬底上按行和列布置。也就是说，微像素封装100-1、100-2、...和100-q可以具有由多个行和多个列组成的二维阵列。在这种情况下，多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q中的每一个可以电连接到设置在与其相邻的行中同时设置在相同列中的微像素封装100。
在该实施例中，当描述一些组件设置在相同列中时，这不仅可以包括组件设置在数值上完美匹配的列中的情况，还可以包括组件设置在预定误差范围内彼此匹配的列中的情况。另外，在该实施例中，当描述一些组件设置在相同行中时，不仅可以包括组件设置在数值上完美匹配的行中的情况，还可以包括组件设置在预定误差范围内彼此匹配的行中的情况。
换言之，多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q可以二维地布置在显示模块10的模块衬底(下面描述的第一衬底)上，并且多个微像素封装100-1、100-2、...和100-q中的每一个可以电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器。第一方向可以对应于例如列方向(即，Z轴方向)。
参考图6，多个显示模块10-1、10-2、...和10-n可以电连接到驱动板501。例如，显示面板11可以通过其上安装有驱动器IC 200的薄膜来连接到柔性印刷电路板(FPCB)。FPCB可以连接到驱动板501以将显示模块10电连接到驱动板501。
定时控制器500可以设置在驱动板501上。因此，驱动板501可以被称为T-con板。多个显示模块10-1、10-2、...和10-n可以从驱动板501接收图像数据、定时控制信号等。
此外，显示装置1还可以包括主板301和电源板601。上述主控制器300可以设置在主板301上，并且电源电路可以设置在电源板601上以向多个显示模块10-1、10-2、...和10-n供应电力。
电源板601可以通过FPCB来电连接到多个显示模块10-1、10-2、...和10-n，并且可以向通过FPCB连接的多个显示模块10-1、10-2、...和10-n供应电源电压VDD、参考电压VSS。
例如，从电源板601供应的电源电压VDD和参考电压VSS可以通过模块衬底的线路来施加到设置在模块衬底上的微像素封装100。从电源板601供应的电源电压VDD和参考电压VSS可以施加到布置在第一行中的微像素封装100-1、100-2、...和100-P。
此时，布置在除第一行以外的行中的微像素封装100-1、100-2、...和100-P可以接收来自前一行的微像素封装的电压，并将输入的电压传输到下一行的微像素封装。
具体地，多个微像素封装100-1、100-2、...和100-P中的每一个可以通过设置在模块衬底上的电压线来电连接到设置在相同列中并且设置在相邻行中的微像素封装。
在这种情况下，多个微像素封装100-1、100-2、...和100-P中的每一个可以包括内部连接线，该内部连接线电连接在电连接到前一行的微像素封装的电压线和电连接到下一行的微像素封装的电压线之间。
也就是说，从电源板601供应的电压VDD和VSS可以通过设置在模块衬底上并连接到前一行的微像素封装的电压线来输入到微像素封装100-1、100-2、...和100-P，并且可以通过设置在微像素封装100-1、100-2、...和100-P中的内部连接线来输出到设置在模块衬底上并连接到下一行的微像素封装的电压线。
在这种情况下，与设置在模块衬底上的电压线相比，设置在微像素封装100-1、100-2、...和100-P中的内部连接线具有改进的线路电阻，使得可以增加电子迁移率。具体地，当线路安装在微像素封装中时，与当线路安装在模块衬底上时相比，可以降低工艺难度。因此，设置在微像素封装中的内部连接线可以安装得比设置在模块衬底上的电压线粗，并且因此，可以增加电子迁移率。
换言之，多个微像素封装100-1、100-2、...和100-P中的每一个可以通过设置在模块衬底上的电压线来电连接到在第一方向上与其相邻的微像素封装，并且可以包括内部连接线，该内部连接线将电连接到在第一方向上与其相邻的微像素封装中的一个微像素封装的电压线和电连接到在第一方向上与其相邻的微像素封装中的另一微像素封装的电压线电连接。多个微像素封装100-1、100-2、...和100-P中的每一个可以通过内部连接线将从微像素封装中的与其电连接的一个微像素封装输入的电压传输到微像素封装中的与其电连接的另一微像素封装。
因此，在本公开的显示模块10中，电连接在微像素封装100-1、100-2、...和100-P之间的电压线设置在模块衬底上，并且电连接在电压线之间的内部连接线设置在微像素封装内部，使得电源线中的一些设置在微像素封装中。
在显示模块10中，与当将仅通过模块衬底上的电压线将电压供应到微像素封装100-1、100-2、...和100-P时相比，通过微像素封装100-1、100-2、...和100-P内部的内部连接线，可以降低电压通过模块衬底的具有低电子迁移率的电压线的速率，并且可以最小化电压的电流电阻(IR)降。
因此，显示模块10允许用相同电压来驱动多个微像素控制器130-1、130-2、...和130-q，而不管与电源板601的距离如何，从而防止可以根据与电源板601的距离而发生的IR降。将在下面详细描述微像素封装100-1、100-2、...和100-P之间的电压传输。
在上述示例中，多个显示模块10-1、10-2、...和10-n被描述为共享驱动板501和电源板601，但是也可以是单独的驱动板501和单独的电源板601连接到每个单独的显示模块。备选地，也可以将多个显示模块10-1、10-2、...和10-n分组，并且一个驱动板501和一个电源板601连接到每个组。
图6是示出了XY平面上的显示装置1的图，并且因此，仅示出了显示模块10-1、10-2、...和10-n的一维布置。然而，当然，如上面参考图1所述，多个显示模块10-1、10-2、...和10-n也可以二维地布置。
图7是根据实施例的驱动显示模块中的每个像素的方法的图。图8是示出了根据实施例的在显示模块中被配置为控制单个子像素的像素电路的图。图9和图10是示出了根据实施例的像素电路中驱动电流根据电源电压和参考电压的变化的曲线图。
参考图7，驱动器IC 200可以包括扫描驱动器210和数据驱动器220。扫描驱动器210可以输出用于打开/关闭子像素的栅极信号，并且数据驱动器220可以输出用于实现图像的数据信号。然而，根据各种设计变化，驱动器IC 200的一些操作可以由微像素控制器130执行。例如，扫描驱动器210的操作可以由微像素控制器130执行，并且在这种情况下，驱动器IC 200可以不包括扫描驱动器210。在下面描述的实施例中，为了详细描述，将描述驱动器IC 200包括扫描驱动器210和数据驱动器220两者的情况作为示例。
扫描驱动器210可以基于从定时控制器500发送的控制信号来生成栅极信号，并且数据驱动器220可以基于从定时控制器500发送的图像数据来生成数据信号。
微像素控制器130可以包括用于单独控制每个无机发光元件120的像素电路131，并且从扫描驱动器210输出的栅极信号和从数据驱动器220输出的数据信号可以输入到像素电路131。
例如，当将栅极电压VGATE、数据电压VDATA和电源电压VDD输入到像素电路131时，像素电路131可以输出用于驱动无机发光元件120的驱动电流CD。
从像素电路131输出的驱动电流CD可以输入到无机发光元件120，并且无机发光元件120可以由于输入的驱动电流CD而发光以实现图像。
如上所述，根据实施例，每个微像素控制器130可以电连接到定时控制器500以接收栅极信号，并且可以通过处理发送的栅极信号来控制像素电路131，从而输出驱动电流CD。在这种情况下，可以省略扫描驱动器210。
参考图8的示例，像素电路131可以包括被配置为开关或驱动无机发光元件120的薄膜晶体管TR1和TR2以及电容器CST。如上所述，无机发光元件120可以是微型LED。
例如，薄膜晶体管TR1和TR2可以包括开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2，并且开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2可以是P型金属氧化物半导体(PMOS)型晶体管。然而，显示模块10和显示装置1的实施例不限于此，并且开关晶体管TR1和驱动晶体管TR2可以是N型金属氧化物半导体(NM OS)型晶体管。
开关晶体管TR1具有连接到扫描驱动器210的栅电极、连接到数据驱动器220的源电极、以及连接到电容器CST的一端和驱动晶体管TR2的栅电极的漏电极。电源电压VDD可以施加到电容器CST的另一端。
另外，电源电压VDD可以施加到驱动晶体管TR2的源电极，并且驱动晶体管TR2的漏电极可以连接到无机发光元件120的阳极。可以将参考电压VSS供应到无机发光元件120的阴极。参考电压VSS可以是低于电源电压VDD的电压，并且可以使用地电压等作为参考电压VSS来提供接地。
上述结构的像素电路131可以如下所述进行操作。首先，当从扫描驱动器210施加栅极电压VGATE以导通开关晶体管TR1时，从数据驱动器220施加的数据电压VDATA可以被传输到电容器CST的一端和驱动晶体管TR2的栅电极。
由于电容器CST，与驱动晶体管TR2的栅极-源极电压VGS相对应的电压可以保持预定时间。驱动晶体管TR2可以将与栅极-源极电压VGS相对应的驱动电流CD施加到无机发光元件120的阳极，从而使无机发光元件120发光。
此时，当将高电平的数据电压VDATA传输到驱动晶体管TR2的栅电极时，驱动晶体管TR2的栅极-源极电压VGS降低，并且因此，可以将少量的驱动电流CD施加到无机发光元件120，使得无机发光元件120可以显示低灰阶。
另一方面，当传输低电平的数据电压VDATA时，驱动晶体管TR2的栅极-源极电压VGS升高，并且因此，可以将大量的驱动电流CD施加到无机发光元件120，使得无机发光元件120可以显示高灰阶。
然而，像素电路131的上述结构仅是适用于根据一个实施例的显示模块10的示例，并且除上面示例之外，可以将用于开关和驱动多个无机发光元件120的各种电路结构应用于显示模块10。
此外，在该实施例中，无机发光元件120的亮度控制方法不受限制。无机发光元件120的亮度可以通过诸如脉冲幅度调制(PAM)方法、脉冲宽度调制(PWM)方法、组合PAM方法和PWM方法的混合方法之类的各种方法之一来控制。
在这种情况下，如图9所示，当施加到微像素控制器130的像素电路131的电源电压VDD改变时，可以改变驱动晶体管TR2的栅极-源极电压VGS，使得供应到无机发光元件120的驱动电流CD可以改变。
另外，如图10所示，当施加到微像素控制器130的像素电路131的电源电压VDD、或施加到无机发光元件120的参考电压VSS改变时，改变驱动晶体管TR2的漏极-源极电压VDS，使得即使在饱和区中，也可以改变供应到无机发光元件120的驱动电流CD。
这样，当施加到微像素控制器130和无机发光元件120的电源电压VDD和参考电压VSS改变时，未将与输入数据电压VDATA相对应的驱动电流CD供应到无机发光元件120，并且因此，可能无法提供所需亮度，并且因此，可能发生色差效应或颜色转换。
当微像素控制器130和无机发光元件120中的每一个电连接到电源板601以接收电源电压VDD和参考电压VSS时，电源电压VDD和参考电压VSS中的每一个的幅度可以根据线路长度不同而变化。
例如，微像素控制器130距电源板601越远，线路可能越长，并且所供应的电源电压VDD的幅度可能由于由线路的自身电阻引起的IR降而降低。因此，随着距电源板601的距离增加，由微像素控制器130控制的像素的亮度可以降低。
因此，在本公开的显示装置1中，电源线中的一些可以形成在微像素封装100或微像素控制器130中，使得可以最小化供应到设置在显示模块10中的多个微像素控制器130中的每一个的电源电压VDD和参考电压VSS中的每一个的IR降。
在下文中，将更详细地描述电源线中的一些形成在微像素封装100或微像素控制器130中的情况。
图11是示出了根据实施例的显示模块中微像素控制器和由微像素控制器控制的像素之间的关系的图。
参考图11，一个微像素控制器130可以控制四个像素P1、P2、P3和P4。控制像素可以指控制构成像素的多个无机发光元件120。
为此，用于分别控制构成四个像素P1、P2、P3和P4中的每一个的无机发光元件120的多个像素电路131可以设置在微像素控制器130的微衬底132上。在下面描述的实施例中，微衬底132被称为第三衬底132，以将微衬底132与模块衬底13(图14)和封装衬底110(图12)区分开。
在这种情况下，像素电路131可以包括用于开关构成像素的多个无机发光元件120、并将驱动电流CD供应到构成像素的多个无机发光元件120的至少一个薄膜晶体管。
换言之，微像素控制器130可以包括设置在第三衬底132上的至少一个薄膜晶体管，以开关构成两个或更多个像素的多个无机发光元件120，并将驱动电流CD供应到构成两个或更多个像素的多个无机发光元件120。
然而，对可以由一个微像素控制器130控制的像素的数量没有限制，并且在下面的描述中，为了描述方便，将描述一个微像素控制器130控制四个像素P1、P2、P3和P4的情况。作为示例，一个微像素控制器130可以控制被设置为2Xn阵列或nX2阵列(其中n为大于或等于1的整数)的像素，并且在下面的描述中，将描述一个微像素控制器130控制被设置为2X2阵列的四个像素P1、P2、P3和P4的情况。
可以设置与由微像素控制器130控制的无机发光元件120的数量一样多的像素电路131，并且也可以实现一个像素电路131控制两个或更多个无机发光元件120的情况。
第三衬底132可以被实现为诸如硅衬底、玻璃衬底、塑料衬底、PCB、FPCB和空腔衬底之类的各种材料的衬底之一。由于微像素控制器130中没有诸如无机发光元件之类的热源，因此可以根据材料的耐热性来选择衬底的类型而没有限制。
形成在第三衬底132上的薄膜晶体管(TFT)可以是低温多晶硅(LTPS)TFT或氧化物TFT。此外，TFT还可以为非晶硅(a-Si)TFT或单晶TFT。然而，在该实施例中，为了详细描述，将描述TFT为LTPS TFT的情况作为示例。
如上所述，第三衬底132可以被实现为硅衬底。与玻璃衬底相比，硅衬底没有对电子迁移率的限制，并且因此，当第三衬底132被实现为硅衬底时，可以提高LTPS TFT的性能。
根据显示模块10的实施例，可以针对每个微像素控制器130单独执行电路检查，并且可以仅将通过电路检查被确定为合格产品的微像素控制器130安装在显示模块10中。因此，与将TFT电路直接安装在模块衬底(下面描述的第一衬底)上的情况相比，可以容易地检查电路，并且可以容易地替换缺陷产品。
图12是根据实施例的显示模块中包括的微像素封装的侧面截面图。图13是示出了根据实施例的显示模块中包括的微像素封装的上表面的图。图14是根据实施例的显示模块中的其上设置有微像素封装的模块衬底的图。图15是示出了根据实施例的显示模块中的其上设置有微像素封装的模块衬底的上表面的图。
参考图12，多个无机发光元件120(例如，120R、120G、120B)和至少一个微像素控制器130可以设置在一个微像素封装100中。
多个无机发光元件120可以设置在一个微像素封装100的封装衬底110的上表面上，且至少一个微像素控制器130可以设置在封装衬底110上。在下面描述的实施例中，封装衬底110被称为第二衬底110，以将封装衬底110与其他衬底区分开。
在显示模块10和显示装置1的实施例中，对一个微像素封装100中包括的微像素控制器130的数量没有限制。例如，当假设一个微像素控制器130控制四个像素时，在一个微像素封装100中，可以如图12和图13的示例设置四个像素和控制该四个像素的微像素控制器130，可以设置八个像素和控制该八个像素的两个微像素控制器130，可以设置十二个像素和控制该十二个像素的三个微像素控制器130，或可以设置十六个像素和控制该十六个像素的四个微像素控制器130。在下面的描述中，为了描述方便，将描述在一个微像素封装100中设置四个像素和控制该四个像素的一个微像素控制器130的情况作为示例。
多个无机发光元件120和至少一个微像素控制器130可以电连接到第二衬底110。
第二衬底110可以被实现为诸如硅衬底、玻璃衬底、塑料衬底、PCB、FPCB和空腔衬底之类的各种材料的衬底之一。尽管第二衬底110的类型不受限制，但是在下面描述的实施例中，为了详细描述，将描述第二衬底110被实现为玻璃衬底的情况作为示例。
在该实施例中，无机发光元件120可以具有倒装芯片结构，其中一对电极设置在与二极管的发光表面相对的表面上。
该对电极可以包括阳极和阴极。作为示例，阳极和阴极可以设置在无机发光元件120的在长度方向(纵向方向)上的两端处。
设置无机发光元件120，使得发光表面面朝上(+Y方向)，并且设置在发光表面的相对表面上的电极可以电连接到设置在第二衬底110的上表面上的上电极焊盘。
在该实施例中，当描述两个组件电连接时，这不仅可以包括两个组件之间直接焊接有电流流过的导电材料的情况，还可以包括两个组件通过单独的线路连接的情况、或在两个组件之间使用导电粘合剂的情况。对具体的连接方法没有限制，只要电流在两个连接的组件之间流动即可。
例如，在对两个组件执行焊接时，可以使用金-铟(Au-In)接合、金-锡(Au-Sn)接合、铜(Cu)柱/锡-银(SnAg)凸块接合和镍(Ni)柱/SnAg凸块接合、使用锡-银-铜(SnAgCu)、锡-铋(SnBi)或SnAg的焊球接合等。
另外，当使用导电粘合剂时，可以在两个组件之间设置诸如各向异性导电膜(ACF)和各向异性导电膏(ACP)之类的导电粘合剂，并施加压力以允许电流在施加压力的方向上流动。
如上所述，用于开关和驱动无机发光元件120的像素电路131可以设置在单独的第三衬底132上而不是第二衬底110上以构成微像素控制器130。
第三衬底132可以设置有用于与第二衬底110电连接的连接引脚，并且该连接引脚可以电连接到设置在第二衬底110上的电极焊盘。
根据显示模块10的实施例，由于诸如TFT之类的用于开关和驱动多个无机发光元件120的电路元件设置在单独的微像素控制器130中，而不是在第二衬底110上，因此除电极焊盘和线路之外的诸如TFT之类的电路元件不必形成在第二衬底110上。因此，第二衬底110可以被实现为对无机发光元件120的热具有优异耐久性的玻璃衬底，并且即使当第二衬底110被实现为玻璃衬底时，也不会影响TFT的性能。
此外，可以防止在切割第二衬底110或模块衬底(下面描述的第一衬底)以及形成线路的过程中、或者在替换无机发光元件120的过程中对电路元件的损坏，并且可以降低在制造显示模块10中的工艺难度。
此外，根据显示模块10的实施例，由于诸如TFT之类的用于开关和驱动多个无机发光元件120的电路元件设置在单独的微像素控制器130中，而不是在模块衬底(下面描述的第一衬底)上，因此可以减少将电路元件安装在模块衬底上所需的多条金属线，并且因此，可以解决由于多条金属线之间的干扰而引起的IR降的问题。换言之，在本公开的显示模块10中，与电路元件直接安装在模块衬底上的情况相比，可以减少模块衬底上的线路，使得可以解决由于线路之间的干扰而引起的IR降的问题。
参考图13，微像素控制器130可以设置在第二衬底110的上表面上，并且可以设置在要控制的像素P1、P2、P3和P4之间的空间的中心部分处。在这种情况下，微像素控制器130可以通过阳极线来电连接到要控制的每个像素P的阳极，并且可以通过阴极线来电连接到要控制的每个像素P的阴极。
然而，根据实施例，微像素控制器130可以不设置在像素P1、P2、P3和P4之间的空间的中心部分处，并且可以不受限制地设置，只要微像素控制器130电连接到要控制的像素P即可。例如，微像素控制器130可以设置在与由微像素控制器130控制的四个像素P1、P2、P3和P4中的每一个的像素区域相对应的位置处。在该实施例中，像素区域是每个像素所位于的区域，并且当显示面板11的有源区域被划分为与像素的阵列相同的阵列(MXN)时，可以将包括每个像素的区域定义为对应像素的像素区域。作为更具体的示例，微像素控制器130可以设置在其中由微像素控制器130控制的四个像素P1、P2、P3和P4的像素区域组合的一个区域(即，整个像素区域PW)中。微像素控制器130可以设置在与整个像素区域PW的中心部分相对应的位置处。
另外，微像素控制器130可以设置在第二衬底110的下表面上，而不是根据实施例的第二衬底110的上表面上，并且在这种情况下，微像素控制器130可以通过过孔线来电连接到要控制的像素P。在下文中，为了描述方便，将描述微像素控制器130设置在第二衬底110的上表面上的情况作为示例。
在这种情况下，显示模块10中包括的多个像素中的相邻像素之间的距离可以全部相同。在该实施例中，当描述某些值相同时，这不仅可以包括对应值完全相同的情况，还可以包括对应值在预定误差范围内相同的情况。
也就是说，要由一个微像素控制器130控制的像素P1、P2、P3和P4之间的像素间隔PP可以彼此相等。如图13所示，设置在一个微像素封装100中的像素P1、P2、P3和P4中的相邻像素之间的像素间隔PP可以相同。例如，在设置在第二衬底110的上表面上的像素P1、P2、P3和P4之中，第一像素P1和第二像素P2之间的间隔可以与第一像素P1和第四像素P4之间的间隔相同。
如图14和图15所示，微像素封装100可以设置在模块衬底13的上表面上。在下面描述的实施例中，模块衬底被称为第一衬底。
第一衬底13可以被实现为诸如硅衬底、玻璃衬底、塑料衬底、PC B、FPCB和空腔衬底之类的各种材料的衬底之一。由于无机发光元件120或TFT电路未直接安装在第一衬底13上，因此可以考虑制造过程的容易程度、效率、成本等来选择第一衬底13的类型。
如上所述，由于多个无机发光元件120设置在微像素封装100的第二衬底110的上表面上，所以微像素封装100可以被设置为使得第二衬底110的下表面面向第一衬底13，并且第二衬底110的上表面面朝上(+Y方向)。
另外，可以考虑显示模块10的像素间距和整个像素阵列来设置微像素封装100。例如，当显示模块10具有MXN矩阵的像素阵列，并且无机发光元件120以mXn矩阵的像素阵列设置在微像素封装100内时，M/m(＝A)个微像素封装100可以沿列方向(即，Z轴方向)设置，并且N/n(＝B)个微像素封装100可以沿行方向(即，在X轴方向上)设置。
也就是说，多个微像素封装100可以二维地布置在第一衬底13上，A个微像素封装100可以沿第一方向(例如，列方向，即，Z轴方向)设置，并且B个微像素封装100可以沿第二方向(例如，行方向，即，X轴方向)设置。
换言之，微像素封装100可以在第一衬底13的上表面上布置成多行和多列，并且显示模块10可以包括AXB(A和B是大于或等于2的整数)阵列的多个微像素封装100。
如上所述，在微像素封装100中，相对于一个像素位于上、下、左和右侧的相邻像素之间的像素间隔PP全部可以保持相等。这样的像素间隔PP也可以在显示模块10的单元中保持相等。
如图14和图15所示，可以确定微像素封装100的布置和间隔，使得即使当两个相邻像素P设置在不同微像素封装100中时，两个像素之间的像素间隔PP’可以保持等于单个微像素封装100中的像素间隔PP。
像素间隔PP可以被称为像素间距，并且在该实施例中，像素间隔PP被定义为表示从一个像素的中心到相邻像素的中心的距离。然而，由于显示模块10的实施例不限于此，因此可以将其他定义应用于像素间隔PP。
上面已经描述了设置有无机发光元件120和微像素控制器130的微像素封装100与第一衬底13之间的布置关系。在下文中，将更详细地描述电源线中的一些设置在微像素封装100中以最小化IR降的情况。
图16是示出了根据实施例的显示模块中的其上设置有微像素封装的模块衬底的电源线的图。图17是根据实施例的显示模块中的其上设置有微像素封装的模块衬底的电源线的图。图18和图19是根据实施例的显示模块中一个微像素封装中的电源线的图。
当微像素控制器130和无机发光元件120中的每一个电连接到电源板601以接收电源电压VDD和参考电压VSS时，电源电压VDD和参考电压VSS中的每一个的幅度可以根据线路长度不同而变化。
例如，微像素控制器130距电源板601越远，线路可能越长，并且所供应的电源电压VDD的幅度可能由于由线路的自身电阻引起的IR降而降低。因此，随着距电源板601的距离增加，由微像素控制器130控制的像素的亮度可以降低。
因此，在本公开的显示装置1中，电源线中的一些可以形成在微像素封装100中，使得可以最小化供应到设置在显示模块10中的多个微像素控制器130中的每一个的电源电压VDD和参考电压VSS中的每一个的IR降。
参考图16和图17，如上所述，多个微像素封装100可以在第一衬底13上布置成多行和多列。也就是说，显示模块10可以包括二维地布置成A行和B列的多个微像素封装100。
多个微像素封装100中的每一个可以接收电源电压VDD和参考电压VSS，将电源电压VDD供应到微像素控制器130，并且将参考电压VSS供应到无机发光元件120。
从电源板601供应的电源电压VDD和参考电压VSS可以通过第一衬底13的电压线15和17来施加到设置在第一衬底13上的微像素封装100。
从电源板601供应的电源电压VDD和参考电压VSS可以施加到布置在第一行1600中的微像素封装100a。
此时，布置在除第一行1600之外的行1650中的每个微像素封装100b可以从前一行的微像素封装100接收电压VDD和VSS，并将输入的电压VDD和VSS传输到下一行的微像素封装100。
也就是说，多个微像素封装100可以包括多个第一微像素封装100a和多个第二微像素封装100b，多个第一微像素封装100a布置在第一行1600中，并从电源板601接收电压VDD和VSS，多个第二微像素封装100b布置在除第一行1600之外的行1650中，并且多个第二微像素封装100b的每一个从前一行的微像素封装100接收电压VDD和VSS。
换言之，多个微像素封装100可以包括多个第一微像素封装100a和多个第二微像素封装100b，多个第一微像素封装100a中的每一个从电源板601接收电压VDD和VSS，并将电压VDD和VSS传输到在第一方向上与其相邻的微像素封装100，多个第二微像素封装100b中的每一个从在第一方向上与其相邻的微像素封装100接收电压。
图16和图17示出了位于第一衬底13的最上端的行是连接到电源板601的第一行1600，但这仅是一个实施例，并且根据实施例，对第一行1600的位置没有限制。例如，根据电源板601的连接位置，位于最下端的行或位于侧端的行可以对应于第一行1600。在下面的描述中，为了描述方便，将描述第一行1600对应于位于最上端的行的情况作为示例。
换言之，多个微像素封装100(例如，100a和100b)可以二维地布置在显示模块10的第一衬底13上，并且多个微像素封装100中的每一个可以电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器。第一方向可以对应于例如列方向，即，Z轴方向。
多个微像素封装100中的每一个可以通过设置在第一衬底13上的电压线15和17来电连接到设置在相同列中并且设置在相邻行中的微像素封装100。
在这种情况下，多个微像素封装100中的每一个可以包括内部连接线105和107，该内部连接线105和107电连接在电连接到前一行的微像素封装100的电压线15和17与电连接到下一行的微像素封装100的电压线15和17之间。如上所述，内部连接线105和107可以将多条电压线之中电连接到在第一方向上彼此相邻的微像素封装100中的一个微像素封装100的电压线15和17与电连接到在第一方向上彼此相邻的微像素封装100中的另一微像素封装100的电压线15和17进行电连接。
也就是说，电压VDD和VSS可以通过设置在第一衬底13上并连接到前一行的微像素封装100的电压线15和17来输入到微像素封装100，并且可以通过设置在微像素封装100中的内部连接线105和107来输出到设置在第一衬底13上并连接到下一行的微像素封装100的电压线15和17。
换言之，多个微像素封装100中的每一个可以通过连接到前一行的微像素封装100的电压线15和17来接收电压VDD和VSS，并通过内部连接线105和107将输入的电压VDD和VSS输出到与下一行的微像素封装100连接的电压线15和17。也就是说，多个微像素封装100中的每一个可以通过连接到在第一方向上彼此相邻的微像素封装100中的一个微像素封装100的电压线15和17来接收电压VDD和VSS，并通过内部连接线105和107将输入的电压VDD和VSS输出到与在第一方向上彼此相邻的微像素封装100中的另一微像素封装100连接的电压线15和17。
显示模块10可以包括多条电压线15和17，该多条电压线15和17设置在多个微像素封装100的每一列中，电连接在设置在相邻行中的微像素封装100之间，并在微像素封装100之间传输电压。
多条电压线15和17可以包括用于电源电压VDD的多条电源电压线15和用于参考电压VSS的多条参考电压线17。
多条电源电压线15中的每一条可以电连接在设置在相邻行中同时设置在相同列中的两个微像素封装100之间，并在两个微像素封装100之间传输电源电压VDD。
多条参考电压线17中的每一条可以电连接在设置在相邻行中同时设置在相同列中的两个微像素封装100之间，并在两个微像素封装100之间传输参考电压VSS。
多条电压线15和17可以设置在与模块衬底相对应的第一衬底13上，并且可以电连接到设置在第一衬底13的上表面上的微像素封装100。
多个微像素封装100中的每一个可以设置在第一衬底13上，并且可以电连接到电压线15和17。
多个微像素封装100中的每一个的内部连接线105和107可以分别电连接到与设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素封装100电连接的电压线15和17。另外，多个微像素封装100中的每一个的内部连接线105和107可以分别电连接到与设置在下一行中同时设置在相同列中的微像素封装100电连接的电压线15和17。
因此，内部连接线105和107可以将连接到前一行的微像素封装100的电压线15和17与连接到下一行的微像素封装100的电压线进行电连接。
内部连接线可以包括电源电压VDD流过的第一内部连接线105和参考电压VSS流过的第二内部连接线107。
结果，如图18所示，多个微像素封装100中的每一个可以通过连接到设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素封装的电源电压线15a来接收电源电压VDD，并且可以通过第一内部连接线105将输入的电源电压VDD输出到与下一行的微像素封装连接的电源电压线15b。
此时，微像素控制器130可以通过电压供应线1005来电连接到第一内部连接线105，并且可以接收电源电压VDD。也就是说，第一内部连接线105可以电连接到微像素控制器130，并且可以传输电源电压VDD。
此外，如图19所示，多个微像素封装100中的每一个可以通过连接到设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素封装的参考电压线17a来接收参考电压VSS，并且可以通过第二内部连接线107将输入的参考电压VSS输出到与下一行的微像素封装连接的参考电压线17b。
此时，多个无机发光元件120中的每一个可以通过电压供应线1007来电连接到第二内部连接线107，并且可以接收参考电压VSS。也就是说，第二内部连接线107可以电连接到多个无机发光元件120，并且可以传输参考电压VSS。
与设置在模块衬底13上的电压线15和17相比，设置在微像素封装100中的内部连接线105和107具有改进的线路电阻，并且因此可以具有高电子迁移率。具体地，当线路安装在微像素封装100中时，与当线路安装在模块衬底上时相比，可以降低工艺难度。因此，如图18和图19所示，设置在微像素封装100中的内部连接线105和107可以形成为比设置在模块衬底13上的电压线15和17粗，并且因此可以具有高电子迁移率。
因此，在本公开的显示模块10中，电连接在微像素封装100之间的电压线15和17设置在模块衬底上，并且电连接在电压线15和17之间的内部连接线105和107设置在微像素封装100内部，使得电源线中的一些设置在微像素封装100中。
在显示模块10中，与仅通过模块衬底13的电压线15和17来向微像素封装100供应电压VDD和VSS的情况相比，通过微像素封装100内部的内部连接线105和107，可以降低电压通过模块衬底13的具有低电子迁移率的电压线15和17的比率，并且可以最小化电压的IR降。
因此，显示模块10允许用相同的电压驱动多个微像素控制器130，而不管距电源板601的距离如何，从而防止可以根据距电源板601的距离而发生的IR降。由于IR降被最小化，微像素控制器130可以通过将无机发光元件120控制在恒定电压来向无机发光元件120提供预期驱动电流CD以提供预期亮度，并且因此，可以解决亮度劣化和色差效应的问题。
此外，本公开的显示模块10可以通过允许微像素封装100的输出电压被传输到下一行的微像素封装来具有比每个微像素封装100电连接到电源板601的情况更短的电压线15和17，使得可以最小化IR降。
上面已经详细描述了电源线中的一些设置在微像素封装100中以最小化IR降的情况。在下文中，将详细描述电源线中的一些设置在微像素控制器130中以最小化IR降的情况。
图20是根据实施例的构成显示模块的微像素控制器和无机发光元件的布置的示例的图。
参考图20，根据一个实施例的显示模块10可以不包括微像素封装100，并且可以包括直接设置在第一衬底13上的微像素控制器130和无机发光元件120。
均包括多个无机发光元件120的像素P可以在与显示模块10的模块衬底相对应的第一衬底13上布置成行和列。也就是说，像素P可以以M行和N列的二维阵列布置在第一衬底13的上表面上。
在这种情况下，微像素控制器130也可以在第一衬底13上布置成多行和多列。也就是说，微像素控制器130可以以由A行和B列组成的二维阵列布置在第一衬底13上。
换言之，多个微像素控制器130可以二维地布置在显示模块10的第一衬底13上，并且多个微像素控制器130中的每一个可以电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器。第一方向可以对应于例如列方向，即，Z轴方向。
例如，如图20所示，微像素控制器130可以设置在第一衬底13的上表面上，并设置在要控制的像素P1、P2、P3和P4之间的空间的中心部分处。在这种情况下，微像素控制器130可以通过阳极线来电连接到要控制的每个像素P的阳极，并且可以通过阴极线来电连接到要控制的每个像素P的阴极。
然而，根据实施例，微像素控制器130可以不设置在像素P1、P2、P3和P4之间的空间的中心部分处，并且可以不受限制地设置，只要微像素控制器130设置成行和列且每个微像素控制器130电连接到要控制的像素P即可。例如，微像素控制器130可以设置在与由微像素控制器130控制的四个像素P1、P2、P3和P4中的每一个的像素区域相对应的位置处。在该实施例中，像素区域是每个像素所位于的区域，并且当显示面板11的有源区域被划分为与像素的阵列相同的阵列(MXN)时，可以将包括每个像素的区域定义为对应像素的像素区域。作为更具体的示例，微像素控制器130可以设置在其中由微像素控制器130控制的四个像素P1、P2、P3和P4的像素区域组合的一个区域(即，整个像素区域PW)中。微像素控制器130可以设置在与整个像素区域PW的中心部分相对应的位置处。
另外，根据实施例，微像素控制器130可以设置在第一衬底13的下表面上，而不是第一衬底13的上表面上，并且在这种情况下，微像素控制器130可以通过过孔线来电连接到要控制的像素P。在下文中，为了描述方便，将描述微像素控制器130设置在第一衬底13的上表面上的情况作为示例。
在这种情况下，显示面板11中包括的多个像素中的相邻像素之间的距离可以全部相同。在该实施例中，当描述某些值相同时，这不仅可以包括对应值完全相同的情况，还可以包括对应值在预定误差范围内相同的情况。
图21是示出了根据实施例的显示模块中其上设置有微像素控制器的模块衬底的电源线的图。图22是根据实施例的显示模块中其上设置有微像素控制器的模块衬底的电源线的图。图23是根据实施例的显示模块中一个微像素控制器中的电源线的图。
在图21和图22中，如上所述，多个微像素控制器130可以在第一衬底13上布置成多行和多列。也就是说，显示模块10可以包括二维地布置成A行和B列的多个微像素控制器130。
也就是说，多个微像素控制器130可以二维地布置在第一衬底13上，A个微像素控制器130可以沿第一方向(例如，列方向，即Z轴方向)设置，并且B个微像素控制器130可以沿第二方向(例如，行方向，即X轴方向)设置。
多个微像素控制器130中的每一个可以接收电源电压VDD和参考电压VSS，将电源电压VDD供应到像素电路131，并且将参考电压VSS供应到无机发光元件120。
从电源板601供应的电源电压VDD和参考电压VSS可以通过第一衬底13的电压线15和17来施加到设置在第一衬底13上的微像素控制器130。
从电源板601供应的电源电压VDD和参考电压VSS可以施加到布置在第一行2100中的微像素控制器130a。
此时，布置在除第一行2100之外的行2150中的每个微像素控制器130b可以从前一行的微像素控制器接收电压VDD和VSS，并将输入的电压VDD和VSS传输到下一行的微像素控制器。
也就是说，多个微像素控制器130可以包括多个第一微像素控制器130a和多个第二微像素控制器130b，多个第一微像素控制器130a布置在第一行2100中并从电源板601接收电压VDD和VSS，多个第二微像素控制器130b布置在除第一行2100之外的行2150中，并且该多个第二微像素控制器130b中的每一个从前一行的微像素控制器接收电压VDD和VS S。
换言之，多个微像素控制器130可以包括多个第一微像素控制器130a和多个第二微像素控制器130b，多个第一微像素控制器130a中的每一个从电源板601接收电压VDD和VSS，并将电压VDD和VSS传输到在第一方向上与其相邻的微像素控制器，多个第二微像素控制器130b中的每一个从在第一方向上与其相邻的微像素控制器接收电压。
图21和图22示出了位于第一衬底13的最上端的行是连接到电源板601的第一行2100，但这仅是一个实施例，并且根据实施例，对第一行2100的位置没有限制。例如，根据电源板601的连接位置，位于最下端的行或位于侧端的行可以对应于第一行2100。在下面的描述中，为了描述方便，将描述第一行2100对应于位于最上端的行的情况作为示例。
多个微像素控制器130中的每一个可以通过设置在第一衬底13上的电压线15和17来电连接到设置在相同列中并且设置在相邻行中的微像素控制器。
换言之，多个微像素控制器130可以二维地布置在显示模块10的第一衬底13上，并且多个微像素控制器130中的每一个可以电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器。第一方向可以对应于例如列方向，即，Z轴方向。
在这种情况下，多个微像素控制器130中的每一个可以包括内部连接线105和107，该内部连接线105和107电连接在电连接到前一行的微像素控制器的电压线15和17与电连接到下一行的微像素控制器的电压线15和17之间。
也就是说，电压VDD和VSS可以通过设置在第一衬底13上并连接到前一行的微像素控制器的电压线15和17来输入到微像素控制器130，并且可以通过设置在微像素控制器130中的内部连接线105和107来输出到设置在第一衬底13上并连接到下一行的微像素控制器的电压线15和17。
换言之，多个微像素控制器130中的每一个可以通过连接到前一行的微像素控制器的电压线15和17来接收电压VDD和VSS，并通过内部连接线105和107将输入的电压VDD和VSS输出到与下一行的微像素控制器连接的电压线15和17。
多个微像素控制器130中的每一个可以通过设置在第一衬底13上的电压线来电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器，并且可以包括内部连接线，该内部连接线将电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器130中的一个微像素控制器130的电压线与电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器130中的另一微像素控制器130的电压线进行电连接。多个微像素控制器130中的每一个可以通过内部连接线将从微像素控制器130中的与其电连接的一个微像素控制器130输入的电压传输到微像素控制器130中的与其电连接的另一微像素控制器130。
显示模块10可以包括多条电压线15和17，该多条电压线15和17设置在多个微像素控制器130的每一列中，电连接在设置在相邻行中的微像素控制器之间，并且在微像素控制器130之间传输电压。
多条电压线15和17可以包括用于电源电压VDD的多条电源电压线15和用于参考电压VSS的多条参考电压线17。
多条电源电压线15中的每一条可以电连接在设置在相邻行中同时设置在相同列中的两个微像素控制器之间，并在两个微像素控制器之间传输电源电压VDD。
多条参考电压线17中的每一条可以电连接在设置在相邻行中同时设置在相同列中的两个微像素控制器之间，并在两个微像素控制器130之间传输参考电压VSS。
多条电压线15和17可以设置在与模块衬底相对应的第一衬底13上，并且可以电连接到设置在第一衬底13的上表面上的微像素控制器130。
多个微像素控制器130中的每一个可以设置在第一衬底13上，并且可以电连接到电压线15和17。
多个微像素控制器130中的每一个的内部连接线105和107可以分别电连接到与设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素控制器电连接的电压线15和17。另外，多个微像素控制器130中的每一个的内部连接线105和107可以分别电连接到与设置在下一行中同时设置在相同列中的微像素控制器电连接的电压线15和17。如上所述，内部连接线105和107可以将多条电压线之中电连接到在第一方向上彼此相邻的微像素控制器中的一个微像素控制器的电压线15和17与电连接到在第一方向上彼此相邻的微像素控制器中的另一微像素控制器的电压线15和17进行电连接。
因此，内部连接线105和107可以将连接到前一行的微像素控制器的电压线15和17与连接到下一行的微像素控制器的电压线进行电连接。
内部连接线105和107可以包括电源电压VDD流过的第一内部连接线105和参考电压VSS流过的第二内部连接线107。
也就是说，多个微像素控制器130中的每一个可以通过连接到在第一方向上彼此相邻的微像素控制器中的一个微像素控制器的电压线15和17来接收电压VDD和VSS，并通过内部连接线105和107将输入的输入电压VDD和VSS输出到与在第一方向上彼此相邻的微像素控制器中的另一微像素控制器连接的电压线15和17。
结果，如图23所示，多个微像素控制器130中的每一个可以通过连接到设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素控制器130的电源电压线15a来接收电源电压VDD，并且可以通过第一内部连接线105来将输入的电源电压VDD输出到与下一行的微像素控制器连接的电源电压线15b。
此外，如图23所示，多个微像素控制器130中的每一个可以通过连接到设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素控制器的参考电压线17a来接收参考电压VSS，并且可以通过第二内部连接线107来将输入的参考电压VSS输出到与下一行的微像素控制器连接的参考电压线17b。
此时，第一内部连接线105可以电连接到像素电路131(至少一个TFT)以向该像素电路131供应电源电压VDD。此外，第二内部连接线107可以电连接到阴极线以向无机发光元件120的阴极供应参考电压VSS。
与设置在模块衬底13上的电压线15和17相比，设置在微像素控制器130中的内部连接线105和107具有改进的线路电阻，并且因此可以具有高电子迁移率。具体地，当线路安装在微像素控制器130中时，与当线路安装在模块衬底上时相比，可以降低工艺难度。因此，如图23所示，设置在微像素控制器130中的内部连接线105和107可以形成为比设置在模块衬底13上的电压线15和17粗，并且因此，可以具有高电子迁移率。
因此，在本公开的显示模块10中，电连接在微像素控制器130之间的电压线15和17设置在模块衬底上，并且电连接在电压线15和17之间的内部连接线105和107设置在微像素控制器130内部，使得电源线中的一些设置在微像素控制器130中。
在显示模块10中，与仅通过模块衬底13的电压线15和17来向微像素控制器130供应电压VDD和VSS的情况相比，通过微像素控制器130内部的内部连接线105和107，可以降低电压通过模块衬底13的具有低电子迁移率的电压线15和17的比率，并且可以最小化电压的IR降。
因此，显示模块10允许用相同的电压驱动多个微像素控制器130，而不管距电源板601的距离如何，从而防止可以根据距电源板601的距离而发生的IR降。由于IR降被最小化，微像素控制器130可以通过将无机发光元件120控制在恒定电压来向无机发光元件120提供预期驱动电流CD以提供预期亮度，并且因此，可以解决亮度劣化和色差效应的问题。
此外，显示模块10可以通过允许微像素控制器130的输出电压被传输到下一行的微像素控制器来具有比每个微像素控制器130电连接到电源板601的情况更短的电压线15和17，使得可以最小化IR降。
图24是示出了根据实施例的其中在显示装置中多个显示模块耦接到壳体的方法的示例的图。
如上所述，多个显示模块10可以以二维矩阵的形式布置并固定到壳体20。参考图24的示例，可以将多个显示模块10安装在位于其下方的框架21中，并且该框架21可以具有二维网格结构，该二维网格结构具有与多个显示模块10相对应的开口部分区域。
可以在框架21中形成与显示模块10的数量一样多的开口21H，并且该开口21H可以具有与多个显示模块10相同的布置。
可以通过使用磁铁的磁力、机械结构的耦接、粘合剂的接合等方法来将多个显示模块10安装在框架21中。对将显示模块10安装在框架21中的方法没有限制。
驱动板501、主板301和电源板601可以设置在框架21下方，并且可以通过形成在框架21中的开口21H电连接到多个显示模块10中的每一个。
下盖22耦接到框架21的下部，并且下盖22可以形成显示装置1的下部外观。
在上述示例中，以显示模块10二维地布置的情况作为示例。然而，显示模块10可以一维地布置，并且在这种情况下，可以将框架21的结构转化为一维网格结构。
这样，本公开的显示装置1可以通过平铺多个显示模块10并将显示模块10固定到壳体20来实现大面积屏幕。因此，在显示装置1中，可以将用于传输电源电压VDD和参考电压VSS的电源电压线15和参考电压线17设计为比应用一个板以实现大面积屏幕的情况短，使得可以最小化与线路长度成比例产生的IR降。
图25是根据实施例的制造显示模块的方法的流程图。图26、图27、图28、图29、图30和图31是示出了根据实施例的通过图25中所示的一些操作制造的显示模块的图。
参考图25，在操作2510中，在封装衬底中形成内部连接线105和107。
封装衬底是指上述的第二衬底110，并且可以在第二衬底110内部形成内部连接线105和107。例如，可以在第二衬底110中形成诸如铜之类的金属材料层，并且通过包括诸如光敏材料的涂覆、曝光、显影等的工艺的光刻工艺和选择性地去除不必要的部分的蚀刻工艺来在第二衬底110中形成内部连接线105和107。然而，根据实施例，内部连接线105和107可以形成在第二衬底110的上表面、下表面或侧表面中。
在这种情况下，内部连接线105和107可以包括电源电压VDD流过的第一内部连接线105和参考电压VSS流过的第二内部连接线107。
图26是示出了根据实施例的其中形成有内部连接线105和107的第二衬底110的侧表面的图。
如图26所示，用于电源电压VDD的第一内部连接线105和用于参考电压VSS的第二内部连接线107可以通过上述过程形成在第二衬底110中。
尽管在图26中未示出，无机发光元件120和微像素控制器130电连接到的电极焊盘可以形成在第二衬底110上。
参考图25，在操作2520中，可以在其中形成有内部连接线的封装衬底上设置无机发光元件120和微像素控制器130。
如上所述，无机发光元件120可以是微型LED。晶片或临时衬底上的微型LED可以通过传输机构拾取和传输，并转移到第二衬底110上。此时，可以转移无机发光元件120，使得阳极和阴极面向第二衬底110的上表面。可以采用诸如使用激光的方法、使用印模的方法、使用辊的方法等的任何已知技术作为转移方法。
此外，根据连接无机发光元件120和电极焊盘的方法，可以将焊接材料或导电粘合剂设置或施加到形成在第二衬底110的上表面上的电极焊盘上。
可以在与封装衬底相对应的第二衬底110的上表面上形成微像素控制器130可以电连接到的电极焊盘。在这种情况下，微像素控制器130可以设置在电极焊盘上并电连接到第二衬底110。
微像素控制器130在其中具有用于控制第二衬底110上的无机发光元件120的像素电路131，并且其结构和操作与显示模块10的实施例中描述的结构和操作相同。
同时，在将微像素控制器130安装在第二衬底110上之前，可以单独执行电路检测，并且仅将通过电路检测被确定为合格产品的微像素控制器130安装在第二衬底110上。因此，与将TFT电路直接安装在模块衬底上的情况相比，可以容易地检查电路，并且可以容易地替换缺陷产品。
图27是示出了根据实施例的其上转移有无机发光元件120和微像素控制器130的第二衬底110的侧表面的图。通过将无机发光元件120和微像素控制器130转移到第二衬底110的设置或施加有焊接材料或导电粘合剂的上表面上，无机发光元件120的阳极和阴极以及微像素控制器130的连接引脚可以电连接到第二衬底110的电极焊盘。
在将无机发光元件120和微像素控制器130设置在第二衬底110上之前，可以在第二衬底110中形成将第一内部连接线105电连接到微像素控制器130的电压供应线1005以及将第二内部连接线107和无机发光元件120电连接的电压供应线1007。
参考图25，在操作2530中，在模块衬底上形成线路和电极焊盘。
模块衬底是指上述第一衬底13，并且线路和电极焊盘可以形成在第一衬底13的上表面和下表面上。例如，可以在第一衬底13的上表面上形成诸如铜之类的金属材料层，并且可以通过包括诸如光敏材料的涂覆、曝光和显影等的工艺的光刻工艺和选择性地去除不必要的部分的蚀刻工艺来在第一衬底13上形成线路和电极焊盘。
可以在第一衬底13的上表面上形成多条电压线15和17。多条电压线15和17可以布置成多行和多列以电连接在布置成多行和多列的微像素封装100之间，并且可以形成在其上布置有微像素封装100的封装电极焊盘19之间。
图28是示出了根据实施例的显示模块的图。例如，如图28所示，多条电压线15和17中的每一条可以形成在彼此相邻同时设置在相同列中的两个封装电极焊盘19之间。在这种情况下，多条电压线15和17可以包括用于电源电压VDD的多条电源电压线15和用于参考电压VSS的多条参考电压线17。
参考图25，在操作2540中，可以在模块衬底的上表面上设置微像素封装。
可以在与模块衬底相对应的第一衬底13的上表面上将微像素封装100可以电连接到的封装电极焊盘19布置成多行和多列。
在这种情况下，微像素封装100可以设置在封装电极焊盘19上并电连接到第一衬底13。换言之，可以通过将设置在微像素封装100中的下电极焊盘和形成在第一衬底13的上表面上的封装电极焊盘19电连接来将微像素封装100设置在第一衬底13上。例如，可以通过焊接或导电粘合剂来将下电极焊盘和封装电极焊盘19电连接。
图29是示出了根据实施例的其上设置有微像素封装100的第一衬底13的上表面的图。如图29所示，多个微像素封装100可以以包括多个行和多个列的二维阵列布置在第一衬底13的上表面上。
也就是说，多个微像素封装100可以二维地布置在第一衬底13上，A个微像素封装100可以沿第一方向(例如，列方向(即，Z轴方向))设置，并且B个微像素封装100可以沿第二方向(例如，行方向(即，X轴方向))设置。
换言之，多个微像素封装100可以二维地布置在显示模块10的模块衬底(下面描述的第一衬底)上，并且多个微像素封装100中的每一个可以电连接到在第一方向上与其相邻的微像素控制器。第一方向可以对应于例如列方向(即，Z轴方向)。
在这种情况下，多个微像素封装100中的每一个的内部连接线105和107可以电连接到与前一行的微像素封装电连接的电压线15和17以及与下一行的微像素封装电连接的电压线15和17。
因此，内部连接线105和107可以将连接到前一行的微像素封装的电压线15和17与连接到下一行的微像素封装的电压线进行电连接。
内部连接线105和107可以包括电源电压VDD流过的第一内部连接线105和参考电压VSS流过的第二内部连接线107。
换言之，多个微像素封装100中的每一个可以通过设置在模块衬底上的电压线来电连接到在第一方向上与其相邻的微像素封装，并且可以包括内部连接线，该内部连接线将电连接到在第一方向上与其相邻的微像素封装中的一个微像素封装的电压线和电连接到在第一方向上与其相邻的微像素封装中的另一微像素封装的电压线进行电连接。多个微像素封装100中的每一个可以通过内部连接线将从微像素封装中的与其电连接的一个微像素封装输入的电压传输到微像素封装中的与其电连接的另一微像素封装。
结果，多个微像素封装100中的每一个可以通过连接到设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素封装的电源电压线15a来接收电源电压VDD，并且可以通过第一内部连接线105将输入的电源电压VDD输出到与下一行的微像素封装连接的电源电压线15b。
此时，微像素控制器130可以通过电压供应线1005来电连接到第一内部连接线105，并且可以接收电源电压VDD。也就是说，第一内部连接线105可以电连接到微像素控制器130，并且可以传输电源电压VDD。
此外，多个微像素封装100中的每一个可以通过连接到设置在前一行中同时设置在相同列中的微像素封装的参考电压线17a来接收参考电压VSS，并且可以通过第二内部连接线107将输入的参考电压VSS输出到与下一行的微像素封装连接的参考电压线17b。
此时，多个无机发光元件120中的每一个可以通过电压供应线1007来电连接到第二内部连接线107，并且可以接收参考电压VSS。也就是说，第二内部连接线107可以电连接到多个无机发光元件120，并且可以传输参考电压VSS。
参考图25，在操作2550中，将驱动器IC 200连接到模块衬底。
可以通过采用诸如膜上芯片(COF)或玻璃上薄膜(FOG)接合、玻璃上芯片(COG)接合、以及带式自动接合(TAB)之类的各种接合方法之一来将驱动器IC 200电连接到第一衬底13。
图30是根据实施例的连接有驱动器IC 200的第一衬底13的图。例如，当采用COF接合时，如图30所示，驱动器IC 200安装在薄膜201上，并且其上安装有驱动器IC 200的薄膜201的一端可以电连接到第一衬底13。
例如，其上安装有驱动器IC 200的薄膜201的一端可以电连接到设置在第一衬底13的下表面上的下电极焊盘14，并且电连接到其上安装有驱动器IC 200的薄膜201的下电极焊盘14可以通过通孔线或侧表面线来连接到其上设置有微像素封装100的上部线。微像素封装100可以通过对应的上部线从驱动器IC 200接收栅极信号和数据信号。
参考图25，在操作2560中，将FPCB连接到模块衬底。
图31是根据实施例的连接有FPCB 205的第一衬底13的图。如在上述示例中，当采用COF接合时，其上安装有驱动器IC 200的薄膜201的另一端可以电连接到FPCB 205，如图31所示。
连接到其上安装有驱动器IC 200的薄膜201的FPCB 205可以电连接到驱动板501，并且可以将从驱动板501输出的定时控制信号、图像数据等发送到驱动器IC 200。
此外，第一衬底13还可以连接到FPCB以用于接收电力，并且用于供应电力的FPCB可以电连接到电源板601，并且可以将电源电压VDD或参考电压VSS供应到微像素控制器130或无机发光元件120。电源板601可以通过FPCB来电连接到第一衬底13，并且可以通过线路来电连接到布置在第一衬底13上的第一行1600的微像素封装100，以供应电源电压VDD和参考电压VSS。
根据一个实施例的制造显示模块10的方法可以包括上述所有过程，但也可以仅包括上述过程中的一些。备选地，还可以添加其他过程。
此外，在根据一个实施例的制造显示模块10的方法中，可以省略微像素封装100的制造，并且可以包括在微像素控制器130中设置电源线中的一些。
根据实施例，制造显示模块10的方法可以包括：在微像素控制器130中形成内部连接线105和107，在模块衬底13上形成电压线15和17，在模块衬底13上布置微像素控制器130和无机发光元件120，将驱动器IC 200连接到模块衬底13，以及将FPCB 205连接到模块衬底13。
所公开的实施例可以以存储可由计算机执行的指令的记录介质的形式来实现。可以以程序代码的形式存储指令，并且当由处理器执行时，该指令可以生成程序模块以执行所公开的实施例的操作。记录介质可以被实现为计算机可读记录介质。
计算机可读记录介质包括其中存储有可以由计算机读取的指令的各种记录介质。例如，可以有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、磁带、磁盘、闪存、光数据存储设备等。
上面已经描述了参考附图公开的实施例。本公开所属领域的技术人员应当理解，在不脱离本公开的技术精神和基本特征的情况下，可以实施与所公开的实施例不同的形式。所公开的实施例是说明性的，并且不应被解释为限制性的。

Claims (15)

1.一种显示模块，包括：
多个像素；
第一衬底；
多个微像素封装，设置在所述第一衬底上；以及
多条电压线，电连接在所述多个微像素封装中的在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装之间，
其中，所述多个微像素封装中的每一个包括：
第二衬底；
多个无机发光元件，设置在所述第二衬底上；
微像素控制器，设置在所述第二衬底上，并被配置为控制所述多个无机发光元件；以及
内部连接线，设置在所述第二衬底中，并被配置为将所述多条电压线中的第一电压线和所述多条电压线中的第二电压线电连接，所述第一电压线电连接到在所述第一方向上彼此相邻的所述一组微像素封装中的第一微像素封装，所述第二电压线电连接到在所述第一方向上彼此相邻的所述一组微像素封装中的第二微像素封装。
2.根据权利要求1所述的显示模块，其中，所述多条电压线中的每一条被配置为在所述多个微像素封装之间传输电压。
3.根据权利要求2所述的显示模块，其中，所述多个微像素封装中的每一个被配置为通过所述第一电压线接收电压，并通过所述内部连接线将输入的电压输出到所述第二电压线。
4.根据权利要求3所述的显示模块，其中，所述内部连接线具有比所述多条电压线中的每一条电压线的电子迁移率高的电子迁移率。
5.根据权利要求3所述的显示模块，其中，所述多个微像素封装包括第一多个微像素封装和第二多个微像素封装，所述第一多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从电源板接收电压并通过对应的电压线向在所述第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装传输电压，所述第二多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从在所述第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装接收电压。
6.根据权利要求3所述的显示模块，其中，所述内部连接线电连接到所述多个无机发光元件和所述微像素控制器，并将从所述一组微像素封装中的任何一个输入的电压传输到所述多个无机发光元件和所述微像素控制器中的每一个。
7.根据权利要求6所述的显示模块，其中，所述内部连接线包括电源电压流过的第一内部连接线和参考电压流过的第二内部连接线，
其中，所述第一内部连接线电连接到所述微像素控制器，并向所述微像素控制器传输所述电源电压，以及
所述第二内部连接线电连接到所述多个无机发光元件，并向所述多个无机发光元件传输所述参考电压。
8.根据权利要求1所述的显示模块，其中，所述多个像素中的每一个包括所述多个无机发光元件之中的至少两个无机发光元件，以及
其中，所述多个无机发光元件构成所述多个像素之中的至少两个像素。
9.根据权利要求1所述的显示模块，其中，所述微像素控制器包括第三衬底和设置在所述第三衬底上的至少一个薄膜晶体管，以及
其中，所述至少一个薄膜晶体管被配置为开关所述多个无机发光元件，并向所述多个无机发光元件供应驱动电流。
10.一种显示装置，包括：
多个显示模块，包括多个像素；以及
框架，被配置为支撑所述多个显示模块，
其中，所述多个显示模块中的每一个包括：
第一衬底；
多个微像素封装，设置在所述第一衬底上；以及
多条电压线，电连接于在第一方向上彼此相邻的一组微像素封装之间，以及
其中，所述多个微像素封装中的每一个进一步包括：
第二衬底；
多个无机发光元件，设置在所述第二衬底上；
微像素控制器，设置在所述第二衬底上，并被配置为控制所述多个无机发光元件；以及
内部连接线，设置在所述第二衬底中，并被配置为将所述多条电压线中的第一电压线和所述多条电压线中的第二电压线电连接，所述第一电压线电连接到在所述第一方向上彼此相邻的所述一组微像素封装中的第一微像素封装，所述第二电压线电连接到在所述第一方向上彼此相邻的所述一组微像素封装中的第二微像素封装。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述多条电压线中的每一条被配置为在所述一组微像素封装之间传输电压。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个微像素封装中的每一个被配置为通过所述第一电压线接收电压，并通过所述内部连接线将输入的电压输出到所述第二电压线。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述内部连接线具有比所述多条电压线中的每一条电压线的电子迁移率高的电子迁移率。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个微像素封装包括第一多个微像素封装和第二多个微像素封装，所述第一多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从电源板接收电压并通过所述第二电压线向在所述第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装传输电压，所述第二多个微像素封装中的每一个微像素封装被配置为从在所述第一方向上与该微像素封装相邻的微像素封装接收电压。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述内部连接线电连接到所述多个无机发光元件和所述微像素控制器，并被配置为将从所述一组微像素封装中的任何一个输入的电压传输到所述多个无机发光元件和所述微像素控制器中的每一个。
CN202180062386.7A 2020-11-20 2021-11-16 显示模块、显示装置及其制造方法 Pending CN116114065A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0157081 2020-11-20
KR1020200157081A KR20220069690A (ko) 2020-11-20 2020-11-20 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 그 제조방법
PCT/KR2021/016814 WO2022108307A1 (ko) 2020-11-20 2021-11-16 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116114065A true CN116114065A (zh) 2023-05-12

Family

ID=81709401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180062386.7A Pending CN116114065A (zh) 2020-11-20 2021-11-16 显示模块、显示装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220223577A1 (zh)
EP (1) EP4170637A4 (zh)
KR (1) KR20220069690A (zh)
CN (1) CN116114065A (zh)
WO (1) WO2022108307A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD978810S1 (en) * 2019-07-31 2023-02-21 Ags Llc LED matrix display

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8773336B2 (en) * 2008-09-05 2014-07-08 Ketra, Inc. Illumination devices and related systems and methods
KR20120075147A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 패키지 및 이를 구비한 엘이디패키지 어레이
KR101783451B1 (ko) * 2011-03-09 2017-10-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드를 구비한 백라이트 유닛
KR101873999B1 (ko) * 2011-07-29 2018-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
CN104979326B (zh) * 2015-07-09 2017-12-05 深圳市晶泓科技有限公司 Led发光组件、led发光面板和led显示屏
CN109087910A (zh) * 2018-08-10 2018-12-25 深圳市晶泓科技有限公司 一种led发光组件、led发光面板以及led显示屏
KR101971979B1 (ko) * 2018-11-07 2019-04-24 빛샘전자 주식회사 Led 디스플레이 장치 및 led 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
EP4170637A4 (en) 2024-01-10
US20220223577A1 (en) 2022-07-14
WO2022108307A1 (ko) 2022-05-27
EP4170637A1 (en) 2023-04-26
KR20220069690A (ko) 2022-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11776465B2 (en) Display module and display apparatus including the same
US20230253388A1 (en) Display module
US11837157B2 (en) Display module and display apparatus having the same
CN112669761B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
EP4170637A1 (en) Display module, display apparatus, and method for manufacturing same
KR20220120402A (ko) 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20220415873A1 (en) Display module and display apparatus having the same
US11837151B2 (en) Display module and display apparatus having the same
US11929012B2 (en) Display module and display apparatus having the same
US11715413B2 (en) Display module, display apparatus and method for manufacturing the same
US20230005416A1 (en) Display module and display apparatus having the same
US20230351946A1 (en) Transparent display module and transparent display apparatus
US20220149112A1 (en) Display module, display apparatus and method for manufacturing the same
US11688334B2 (en) Display apparatus and control method thereof
KR20220076107A (ko) 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20220223576A1 (en) Display apparatus
US20230387144A1 (en) Display module, display apparatus and method for manufacturing same
KR20220058220A (ko) 디스플레이 모듈 및 디스플레이 장치
KR20220061495A (ko) 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20230153891A (ko) 투명 디스플레이 모듈 및 투명 디스플레이 장치
KR20220115297A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제어방법
CN111048543A (zh) 显示模块

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination