CN116107159A - 一种纳米压印用拼版模版的制备方法 - Google Patents

一种纳米压印用拼版模版的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116107159A
CN116107159A CN202310114480.3A CN202310114480A CN116107159A CN 116107159 A CN116107159 A CN 116107159A CN 202310114480 A CN202310114480 A CN 202310114480A CN 116107159 A CN116107159 A CN 116107159A
Authority
CN
China
Prior art keywords
template
full
filling
templates
page
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310114480.3A
Other languages
English (en)
Inventor
胡庆文
史瑞
史瑞城
李晓军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangna Siwei Guangdong Photoelectric Technology Co ltd
Original Assignee
Guangna Siwei Guangdong Photoelectric Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangna Siwei Guangdong Photoelectric Technology Co ltd filed Critical Guangna Siwei Guangdong Photoelectric Technology Co ltd
Priority to CN202310114480.3A priority Critical patent/CN116107159A/zh
Publication of CN116107159A publication Critical patent/CN116107159A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种纳米压印用拼版模版的制备方法,包括:提供模版框架和至少两个单元模版,所述模版框架中包含至少两个子框架;所述单元模版上设有预置图案;将所述单元模版填充进所述子框架中,得到整版模版;将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。采用上述技术方案,能够实现制备大面积的纳米压印用拼版模版,能够提高制备效率,节约生产成本。

Description

一种纳米压印用拼版模版的制备方法
技术领域
本发明涉及纳米压印技术领域,尤其涉及一种纳米压印用拼版模版的制备方法。
背景技术
纳米压印技术是当前微纳加工制造的前沿关键性技术,作为一种大面积、高产率、低成本的图案复制技术,可以继续为半导体工业界按照摩尔定律缩小半导体元器件尺寸提供技术支持,因此该技术自发明以后得到极大的推广和发展。
纳米压印技术的关键要素主要是:模版制备、图形压印转移方式、关键材料应用,其中模版制备作为工艺源头尤为重要,模版主要分为母模版和子模版,母模版通常采用硅材料经过光刻工艺制程制备而来,存在加工精度要求高、耗时长、成本高、易损坏等特性。子模版通常采用高分子聚合物材料,通过热固化或紫外固化方式复制母模版图形而来,大大降低了母模版的损坏风险及生产成本。
但是在大批量生产过程中,子模版复制效率低,进而影响生产效率的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种纳米压印用拼版模版的制备方法,以制备大面积的纳米压印用拼版模版,能够提高制备效率,节约生产成本。
本发明实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法,包括:
提供模版框架和至少两个单元模版,所述模版框架中包含至少两个子框架;所述单元模版上设有预置图案;
将所述单元模版填充进所述子框架中,得到整版模版;
将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
可选的,所述单元模版的尺寸为第一尺寸,所述子框架的尺寸为第二尺寸,所述第一尺寸小于所述第二尺寸;
将所述单元模版填充进所述子框架中,得到整版模版,包括:
将所述单元模版填充进所述子框架中,得到填充模版;
在所述填充模版表面覆盖带有缝隙的片材,所述片材的缝隙与所述单元模版和所述子框架的缝隙相对应;
采用紫外线粘胶通过所述片材的缝隙填充所述单元模版和所述子框架的缝隙,并固化紫外线粘胶,得到所述整版模版。
可选的,在所述单元模版填充进所述模版框架中的子框架之前,还包括:
在所述模版框架和各所述单元模版的第一面设置吸附膜层;
将具有所述吸附膜层的所述单元模版填充进所述子框架中,得到填充模版之后,填充所述填充模版上的缝隙之前,还包括:
以所述第一面背离丝印机载物台第一侧的方式将所述填充模版吸附在丝印机载物台上,于所述填充模版上的所述吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材。
可选的,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版,包括:
提供基底并在所述基底上依次制备增粘剂和模版胶;
将所述整版模版贴合在所述模版胶上;
固化所述模版胶并剥离所述整版模版,得到拼版模版。
可选的,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版之后,还包括:
在所述拼版模版上制备抗粘层。
可选的,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版,包括:
提供基底并在所述基底上设置刻蚀胶;
将所述整版模版贴合在所述刻蚀胶上,以在所述刻蚀胶上形成刻蚀图案;
固化所述刻蚀胶并剥离所述整版模版;
通过所述刻蚀图案刻蚀所述基底,得到拼版模版。
可选的,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版,包括:
在所述整版模版的预置图案面上制备镍膜层,以将所述整版模版转印至所述镍膜层上;
在所述镍膜层表面制备电镀镍层,得到镍模版;
将所述整版模版与所述镍模版分离,得到拼版模版。
可选的,所述镍膜层的厚度为0.1-1μm,所述电镀镍层的厚度为0.25-0.3μm。
可选的,将所述单元模版填充进所述子框架中,得到填充模版之后,还包括:
在所述填充模版的预置图案面设置保护膜。
可选的,所述整版模版与所述待压印模版尺寸相同。
本发明实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法,通过提供模版框架和至少两个单元模版,并将单元模版填充进子框架中,可以得到带有预置图案的整版模版,然后将整版模版压印在待压印模版上,即可以将整版模版上的图案转移到待压印模版上,最终得到拼版模版,能够实现制备大面积的纳米压印用拼版模版,提高制备效率,节约生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种整版模版的正面示意图;
图3为本发明实施例提供的一种拼版模版的正面示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图5和图6为本发明实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备过程中对应的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种拼版模版的截面图;
图8为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图9为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图10为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图11为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图12为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图;
图13为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。如图1所示,纳米压印用拼版模版的制备方法,包括:
S101、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
示例性的,单元模版的制备工艺可以采用0.1-0.5mm厚度的含氟塑料片贴合硅模版,放置压印机腔室,升温到155-180℃,施加3.5-8MPa气压,持续1-3min之后冷却至室温,剥离出带预置图案的单元模版。
需要说明的是,预置图案可以设置在单元模版的第二面,即单元模版的第一面可以为不设有预置图案的一面。
具体的,模版框架与单元模版的材料相同,即可以通过在含氟塑料片上裁切出与单元模版尺寸相同的孔洞作为子框架。模版框架由至少两个子框架组成,本发明实施例对模版框架中子框架的个数不做具体限定。
S102、将单元模版填充进子框架中,得到整版模版。
图2为本发明实施例提供的一种整版模版的正面示意图。如图2所示,将单元模版100填充进子框架200,可以得到整版模版300。需要说明的是,将单元模版100依次填充进子框架200的过程中,需要保证单元模版100中的预置图案101在整版模版300的同一侧,得到带有预置图案101的整版模版300,以实现后续对预置图案101的转移。
需要说明的是,将单元模版填充进子框架中后,可以在具有预置图案101的一面(即第二面)设置保护膜,以实现对单元模版中的预置图案进行保护。
S103、将整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
示例性的,待压印模版可以包括基底以及模版胶。其中,基底可以是硅基底。具体的,图3为本发明实施例提供的一种拼版模版的正面示意图。参考图2和图3,将整版模版300压印在待压印模版上,即可以实现将整版模版300中的预置图案101压印在待压印模版,也就是说,可以实现图案的转移,即最终可以得到整版模版胶硅基底的拼版模版400。
可选的,整版模版与待压印模版尺寸相同。
示例性的,整版模版可以是直径为200mm圆形含氟塑料片。待压印模版中的基底也可以是直径为200mm的圆形硅基底。具体的,通过设置整版模版与待压印模版尺寸相同,可以保证整版模版中的图案完全转移到待压印模版。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过提供模版框架和至少两个单元模版,并将单元模版填充进子框架中,可以得到带有预置图案的整版模版,然后将整版模版压印在待压印模版上,即可以将整版模版上的图案转移到待压印模版上,最终得到拼版模版,能够实现制备大面积的纳米压印用拼版模版,提高制备效率,节约生产成本。
可选的,图4为本发明实施例提供的另一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。图4所示的制备方法对单元模版和子框架的尺寸以及得到整版模版的操作进行了具体说明,如图4所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S201、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
其中,单元模版的尺寸为第一尺寸,子框架的尺寸为第二尺寸,第一尺寸小于第二尺寸。
示例性的,单元模版的尺寸为第一尺寸,即第一尺寸可以是65mm*50mm。子框架的尺寸为第二尺寸,第二尺寸可以是66mm*51mm。具体的,通过设置第一尺寸小于第二尺寸,便于将单元模版填充进子框架中,此外,可以预见的是由于单元模版的尺寸小于子框架的尺寸,因此当单元模版填充进子框架后,单元模版与对应的子框架之间会存在缝隙。
S202、将单元模版填充进子框架中,得到填充模版。
示例性的,填充模版可以理解为将单元模版填充进子框架后得到的模版。可以理解的是,由于单元模版填充进子框架时存在缝隙,即填充模版上存在缝隙。
S203、在填充模版表面覆盖带有缝隙的片材,片材的缝隙与单元模版和子框架的缝隙相对应。
图5和图6为本发明实施例提供的一种纳米压印用拼版模版的制备过程中对应的结构示意图。图7为本发明实施例提供的一种拼版模版的截面图。参考图2和图5,由于第一尺寸小于第二尺寸,当单元模版100填充进子框架200时,会存在缝隙。示例性的,片材可以采用平整的模版缝隙菲林500,即带有缝隙的平整菲林片。具体的,通过将模版缝隙菲林500覆盖在填充模版上,使模版缝隙菲林500的缝隙与单元模版100和子框架200的缝隙相对应设置,如此便于对缝隙进行填充。
需要说明的是,由于填充模版由单元模版组成,并且预置图案设置可以在单元模版的第二面,即填充模版的第二面可以理解为带有预置图案的一面,第一面可以理解为不带有预置图案的一面。也就是说,带有缝隙的片材需要覆盖在填充模版不带有预置图案的一面,即可以是填充模版的第一面,以实现对缝隙的填充。
S204、采用紫外线粘胶通过片材的缝隙填充单元模版和子框架的缝隙,并固化紫外线粘胶,得到整版模版。
具体的,继续参考图2和图5,采用紫外线粘胶700填充单元模版100和子框架200的缝隙,即紫外线粘胶700会通过模版缝隙菲林500渗透到单元模版100和子框架200的缝隙中,进而可以填充缝隙。此外,模版缝隙菲林500与单元模版100和子框架200的缝隙相对应设置,一方面可以避免紫外线粘胶700外溢,保证紫外线粘胶700可以平整的填充至单元模版100和子框架200的缝隙中。另一方面,采用模版缝隙菲林500进行缝隙的填充,可以解决现有技术中采用点胶技术进行缝隙填充存在的填充不平整(即填充缝隙的胶会凸出表面)的问题,进而影响后续通过压印进行图形转印的质量。通过采用模版缝隙菲林500将紫外线粘胶700渗透进单元模版100和子框架200的缝隙中,并固化紫外线粘胶700,可以得到无拼接缝的整版模版300。
S205、将整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在填充模版表面覆盖带有缝隙的片材,片材的缝隙与单元模版和子框架的缝隙相对应并且采用紫外线粘胶通过片材的缝隙填充单元模版和子框架的缝隙,可以避免紫外线粘胶外溢,保证紫外线粘胶可以平整的填充至单元模版和子框架的缝隙中。进而通过固化紫外线粘胶,可以得到无拼接缝的整版模版。
可选的,图8为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。图8所示的制备方法对单元模版填充进所述模版框架中的子框架之前的操作进行了具体说明,如图8所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S301、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
S302、在模版框架和各单元模版的第一面设置吸附膜层。
示例性的,第一面可以是模版框架和单元模版的背面,即可以理解为单元模版不设有预置图案的一面。
示例性的,继续参考图5,吸附膜层600可以是金属膜层,本发明实施例对吸附膜层600的类型不做具体限定,能够与吸附装置1000进行吸附,进而能够将模版框架和单元模版100固定在丝印机载物台900上即可。具体的,吸附膜层600可以是能被吸附装置1000吸附的膜层。示例性的,吸附膜层600的厚度可以是1-2μm。
S303、将具有吸附膜层的单元模版填充进子框架中,得到填充模版。
S304、以第一面背离丝印机载物台第一侧的方式将填充模版吸附在丝印机载物台上,于填充模版上的吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材。
示例性的,丝印机载物台第一侧可以是丝印机载物台的下方。
具体的,继续参考图5,丝印机载物台900的第一侧设置有吸附装置1000能够与吸附膜层600进行吸附,进而使设置吸附膜层600的模版框架和单元模版100固定在丝印机载物台900上,防止在纳米压印用拼版模版制备过程中发生位移。
需要说明的是,在模版框架和各单元模版的第一面设置吸附膜层,并将具有吸附膜层的各单元模版,填充进子框架中,得到填充模版。也就是说,由于得到的填充模版的第一面带有吸附膜层,因此本实施例是在填充模版上的吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材,以便后续进行缝隙的填充。
S305、采用紫外线粘胶通过片材的缝隙填充单元模版和子框架的缝隙,并固化紫外线粘胶,得到整版模版。
S306、将整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在模版框架和单元模版的第一面设置吸附膜层,并且在丝印机载物台的第一侧设置有吸附装置,能够使吸附膜层与吸附装置相吸附,进而使模版框架和单元模版固定在丝印机载物台上,防止在制备过程中发生位移。
可选的,图9为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。图9所示的制备方法对如何得到拼版模版进行了具体说明,如图9所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S401、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
S402、将单元模版填充进子框架中,得到整版模版。
S403、提供基底并在基底上依次制备增粘剂和模版胶。
示例性的,如图6所示,基底1100可以是硅基底。具体的,采用1000-3000rpm的匀胶机,工作时间为45-60s,在基底1100上制备匀胶增粘剂1200,之后在温度为100-150℃的热板台上放置30-60s。待基底1100回温到室温后,再采用1000-3000rpm的匀胶机,匀胶时间为45-60s,在基底1100上制备模版胶1300。
S404、将整版模版贴合在模版胶上。
具体的,继续参考图6,将整版模版300贴合在模版胶1300上,可以实现整版模版300中的预置图案101压印在模版胶1300上,即实现图案的转移。
S405、固化模版胶并剥离整版模版,得到拼版模版。
具体的,将整版模版与模版胶贴合之后的样品放入压印机腔室,室温下施加1-3MPa气压,持续时间为1min,之后保持相同温度与气压的情况下打开紫外线灯照射,持续照射时间为1min,使模版胶固化,剥离整版模版后,可以得到拼版模版。
S406、在拼版模版上制备抗粘层。
具体的,如图7所示,采用1000-3000rpm的匀胶机,匀胶时间为45-60s,在拼版模版上匀胶抗粘剂,之后在温度为100-150℃的热板台上放置30-60s,即可以完成抗粘层1400的制备,通过在拼版模版上制备抗粘层1400,能够防止胶状物粘到图案或非图案区域,进而造成缺陷。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在基底上制备增粘剂可以增加模版胶与硅基底的附着力。并且通过将整版模版贴合在模版胶上,可以实现整版模版上图案的转移,通过固化模版胶并剥离整版模版,可以得到大面积的拼版模版。
可选的,图10为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。图10所示的制备方法对如何得到拼版模版进行了具体说明,如图10所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S501、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
S502、将单元模版填充进子框架中,得到整版模版。
S503、提供基底并在基底上设置刻蚀胶。
具体的,在基底上采用1000-3000rpm的匀胶机,工作时间为45-60s,在基底上匀胶刻蚀胶之后,在温度为100-150℃热板台上放置30-60s。
S504、将整版模版贴合在刻蚀胶上,以在刻蚀胶上形成刻蚀图案。
具体的,将整版模版贴合在刻蚀胶上,以在刻蚀胶上形成刻蚀图案,即可以实现将整版模版上的图案转移到刻蚀胶上。
S505、固化刻蚀胶并剥离整版模版。
将整版模版与刻蚀胶贴合之后的样品放入压印机腔室,室温下施加1-3MPa气压,持续时间为1-2min,之后保持相同温度与气压的情况下打开紫外线灯照射,持续照射时间为1min,使刻蚀胶固化,剥离整版模版后,可以得到拼版模版。
S506、通过刻蚀图案刻蚀基底,得到拼版模版。
具体的,采用刻蚀机整版1:1刻蚀基底之后清洗去残胶,制得最终拼版模版。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在基底上制备刻蚀胶,并且将整版模版贴合在刻蚀胶上,可以使刻蚀胶上形成刻蚀图案,再经过固化刻蚀胶、剥离整版模版以及通过刻蚀图案刻蚀基底,在可以得到大面积的拼版模版,提高制备效率的同时,制备工艺多样化,应用前景更加广泛。
可选的,图11为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。图11所示的制备方法对如何得到拼版模版进行了具体说明,如图11所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S601、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
S602、将单元模版填充进子框架中,得到整版模版。
S603、在整版模版的预置图案面上制备镍膜层,以将整版模版转印至镍膜层上。
具体的,将整版模版放入磁控溅射镀膜机腔室,持续沉积一层厚度为0.1-1μm的镍膜层,在整版模版的预置图案面上制备镍膜层,一方面可以实现导电功能,另一方面可以实现图案的复制,即将整版模版上的预置图案转移到镍膜层上。
S604、在镍膜层表面制备电镀镍层,得到镍模版。
具体的,在整版模版上制备镍膜层后的样品放入电镀槽,其中,电镀液可以为氨基磺酸镍,温度可以为50-60℃,pH值可以为3.9-4.5,在镍薄膜上持续电镀制得厚度为0.25-0.3mm的电镀镍层。
需要说明的是,通过在整版模版上一次制备镍膜层和电镀镍层,可以得到镍模版,即镍模版由镍膜层和电镀镍层组成。
S605、将整版模版与镍模版分离,得到拼版模版。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在整版模版上依次制备镍模版和镍膜层得到镍模版,并将整版模版与镍模版分离,可以得到大面积的拼版模版,即拼版镍模版,实现制备工艺多样化,应用前景更加广泛。
可选的,图12为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。图12所示的制备方法对如何设置保护膜进行了具体说明,如图12所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S701、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
S702、将单元模版填充进子框架中,得到填充模版。
S703、在填充模版的预置图案面设置保护膜。
具体的,继续参考图5,将单元模版填充进子框架中可以得到填充模版,在填充模版的预置图案面设置保护膜800,一方面可以防止预置图案被污染或破损,另一方面可以保证预置图案面放置在丝印机载物台上是平整的,进而便于后续进行平整匀胶。
需要说明的是,在将整版模版压印在待压印模版上时,需要先剥离保护膜,再将整版模版压印在待压印模版,即可以实现图案的转移。
S704、在填充模版表面覆盖带有缝隙的片材,片材的缝隙与单元模版和子框架的缝隙相对应。
具体地,继续参考图5,将带有保护膜800的填充模版置于丝印机载物台900上,且填充模版的保护膜800侧与丝印机载物台900接触,然后将带有缝隙的片材覆盖在填充模版远离保护膜800的一侧,且保证片材的缝隙与单元模版100和子框架200的缝隙相对应。此外,带有缝隙的片材可为带有缝隙的菲林片,通过利用菲林片的平整性有利于后续将紫外线粘胶700较好的填充进缝隙内,获得拼接缝外观良好(即无拼接痕)的拼接模版。
S705、采用紫外线粘胶通过片材的缝隙填充单元模版和子框架的缝隙,并固化紫外线粘胶。
具体地,继续参考图2和图5,在本实施例中,带有缝隙的片材可为带有缝隙的菲林片,也就是说,通过步骤S704将带有保护膜800的填充膜版置于丝印机载体物台后,再将带有缝隙的菲林片覆盖在填充模版远离保护膜800的一侧,然后通过丝印的方式将紫外线粘胶自菲林片的缝隙填充进单元模版100和子框架200之间的缝隙。通过采用在填充模版远离保护膜800的一侧覆盖片材(可为菲林片)的方式进行缝隙填充,一方面可解决直接在填充模版表面进行丝印填充可能存在表面条纹,进而影响后续压印产品的外观形貌问题;另一方面,由于菲林片具有良好的表面平整性,因此,在丝印时,胶的整体流动性较好且均匀,从而有利于获得拼接缝外观良好(即无拼接痕)的拼接模版。
S706、将整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在填充模版的预置图案面设置保护膜,可以防止在制备拼版模版的过程中图案被污染,进而保证拼版模版的质量。
可以理解的是,图13为本发明实施例提供的又一种纳米压印用拼版模版的制备方法的流程图。如图13所示,纳米压印用拼版模版的制备方法包括:
S801、提供模版框架和至少两个单元模版,模版框架中包含至少两个子框架;单元模版上设有预置图案。
S802、在模版框架和各单元模版的第一面设置吸附膜层。
继续参考图5,应当得知的是,此处所述的单元模版的第一面为非设置有预置图案的一面,也就是说,该吸附膜层600设于单元模版没有预置图案的一面。此外,示例性的,参考图5,吸附膜层600可以是金属膜层,本发明实施例对吸附膜层600的类型不做具体限定,能够与吸附装置1000进行吸附,进而能够将模版框架和单元模版100固定在丝印机载物台900上即可。在本实施例中,通过设置吸附膜层600有效保证后续在进行拼版的过程中,由单元模版和模版框架组成的填充模版能够稳固的吸附在丝印机载物台900上,进而有效保证拼版质量。
S803、将具有吸附膜层的单元模版填充进子框架中,得到填充模版。
具体是将具有吸附膜层的单元模版填充进具有吸附膜层的模版框架中的子框架内,从而形成整个背面(即单元模版没有预置图案的一面)均具有吸附膜层的填充模版。需要说明的是,在将单元模版填充进子框架中的过程中,需保证单元模版上的吸附膜层与模版框架上的吸附膜层在同一侧,从而形成整面的吸附膜层。
S804、在填充模版的预置图案面设置保护膜。
具体的,在填充模版的预置图案面设置保护膜,也就是说,在填充模版远离吸附膜层的一面设置保护膜。通过在填充模版的预置图案面设置保护膜,一方面能够在拼版过程中有效保护模版上的预置图案,防止其被污染或受到损坏,进而影响最终产品的成像效果;另一方面,有效保证填充模版放置于丝印机载物台上的平整性,有效解决因未设置保护膜而带来的不平整性引起的后续填胶效果不佳的问题,进而有利于后续形成具有良好外观的拼接模版。
S805、以第一面背离丝印机载物台第一侧的方式将填充模版吸附在丝印机载物台上,于填充模版上的吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材。
具体地,如图5所示,通过前述步骤已获得保护膜800、填充模版、吸附膜层600依次设置的中间模版,在本步骤中,以填充模版的第一面(即填充模版设有吸附膜层600的一面)背离丝印机载物台900的方式将中间模版吸附在丝印机载物台900上,然后再将带有缝隙的片材(可为带有缝隙的菲林片)500覆盖于吸附膜层600上,为后续丝印紫外线粘胶做准备。通过在填充模版的两面分别设置保护膜800和吸附膜层600,除了起到前述所说的保护预置图案和保证拼版过程中填充模版不会发生位移的作用之外,还可保证填充模版整体的平整性(即下表面通过保护膜保证平整性,上表面通过吸附膜层保证平整性),从而更加有利于后续丝印紫外线粘胶时胶填充均一性,进而更加有利于获得拼接缝外观优异(即无拼接痕)的拼接模版。
S806、采用紫外线粘胶通过片材的缝隙填充单元模版和子框架的缝隙,并固化紫外线粘胶,得到整版模版。
具体地,继续参考图5,在本实施例中,带有缝隙的片材可为带有缝隙的菲林片,也就是说,通过步骤S805将带有保护膜800的填充膜版置于丝印机载体物台900后,再将带有缝隙的菲林片覆盖在填充模版远离保护膜800的一侧后,通过丝印的方式将紫外线粘胶700通过菲林片的缝隙填充单元模版100和子框架200的缝隙,接着固化缝隙内的紫外线粘胶700,即可获得无拼接缝的整版模版300。
S807、将整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
本步骤获得拼版模版的方式与图9、图10及图11任一制备获得拼版模版的方式相同,在此不再赘述。
本发明实施例提供的纳米压印用拼版模版的制备方法,通过在模版框架和单元模版的第一面设置吸附膜层,并且在丝印机载物台的第一侧设置有吸附装置,能够使吸附膜层与吸附装置相吸附,进而使模版框架和单元模版固定在丝印机载物台上,防止在制备过程中发生位移。此外,通过在填充模版的预置图案面设置保护膜,可以防止在制备拼版模版的过程中图案被污染。并且通过在填充模版表面覆盖带有缝隙的片材,片材的缝隙与单元模版和子框架的缝隙相对应并且采用紫外线粘胶通过片材的缝隙填充单元模版和子框架的缝隙,如此一方面可以避免紫外线粘胶外溢,保证紫外线粘胶可以平整的填充至单元模版和子框架的缝隙中。另一方面,可以解决现有技术中采用点胶技术进行缝隙填充存在的填充不平整(即填充缝隙的胶会凸出表面)的问题。再通过固化紫外线粘胶,可以得到无拼接缝的整版模版。最后,将整版模版压印在待压印模版上,即可以将整版模版上的图案转移到待压印模版上,最终得到拼版模版,能够实现制备大面积的纳米压印用拼版模版,提高制备效率,节约生产成本。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种纳米压印用拼版模版的制备方法,其特征在于,包括:
提供模版框架和至少两个单元模版,所述模版框架中包含至少两个子框架;所述单元模版上设有预置图案;
将所述单元模版填充进所述子框架中,得到整版模版;
将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述单元模版的尺寸为第一尺寸,所述子框架的尺寸为第二尺寸,所述第一尺寸小于所述第二尺寸;
将所述单元模版填充进所述子框架中,得到整版模版,包括:
将所述单元模版填充进所述子框架中,得到填充模版;
在所述填充模版表面覆盖带有缝隙的片材,所述片材的缝隙与所述单元模版和所述子框架的缝隙相对应;
采用紫外线粘胶通过所述片材的缝隙填充所述单元模版和所述子框架的缝隙,并固化紫外线粘胶,得到所述整版模版。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述单元模版填充进所述模版框架中的子框架之前,还包括:
在所述模版框架和各所述单元模版的第一面设置吸附膜层;
将具有所述吸附膜层的所述单元模版填充进所述子框架中,得到填充模版之后,填充所述填充模版上的缝隙之前,还包括:
以所述第一面背离丝印机载物台第一侧的方式将所述填充模版吸附在丝印机载物台上,于所述填充模版上的所述吸附膜层表面覆盖带有缝隙的片材。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版,包括:
提供基底并在所述基底上依次制备增粘剂和模版胶;
将所述整版模版贴合在所述模版胶上;
固化所述模版胶并剥离所述整版模版,得到拼版模版。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版之后,还包括:
在所述拼版模版上制备抗粘层。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版,包括:
提供基底并在所述基底上设置刻蚀胶;
将所述整版模版贴合在所述刻蚀胶上,以在所述刻蚀胶上形成刻蚀图案;
固化所述刻蚀胶并剥离所述整版模版;
通过所述刻蚀图案刻蚀所述基底,得到拼版模版。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将所述整版模版压印在待压印模版上,得到拼版模版,包括:
在所述整版模版的预置图案面上制备镍膜层,以将所述整版模版转印至所述镍膜层上;
在所述镍膜层表面制备电镀镍层,得到镍模版;
将所述整版模版与所述镍模版分离,得到拼版模版。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述镍膜层的厚度为0.1-1μm,所述电镀镍层的厚度为0.25-0.3μm。
9.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,将所述单元模版填充进所述子框架中,得到填充模版之后,还包括:
在所述填充模版的预置图案面设置保护膜。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述整版模版与所述待压印模版尺寸相同。
CN202310114480.3A 2023-02-13 2023-02-13 一种纳米压印用拼版模版的制备方法 Pending CN116107159A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310114480.3A CN116107159A (zh) 2023-02-13 2023-02-13 一种纳米压印用拼版模版的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310114480.3A CN116107159A (zh) 2023-02-13 2023-02-13 一种纳米压印用拼版模版的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116107159A true CN116107159A (zh) 2023-05-12

Family

ID=86259527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310114480.3A Pending CN116107159A (zh) 2023-02-13 2023-02-13 一种纳米压印用拼版模版的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116107159A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103317825B (zh) 一种全息专版的uv拼版方法
JP2005183985A5 (zh)
JP2007015235A (ja) 画像形成方法及びそれを用いた画像形成装置
CN102371748B (zh) 辊模、其制造方法以及利用其制造薄膜图案的方法
CN107121890A (zh) 一种纳米压印模板及其制备方法
WO2021155736A1 (zh) 图案转印设备及方法
JP2007268714A (ja) 印刷方法および印刷装置
JP6418891B2 (ja) スクリーンマスク、スクリーンマスクの製造方法
CN102211441B (zh) 辊模、制造辊模的方法及采用辊模形成薄膜图案的方法
CN110789261A (zh) 一种激光3d全息烫印膜及其制备工艺
CN116107159A (zh) 一种纳米压印用拼版模版的制备方法
KR100787237B1 (ko) 탄성중합체 스탬프를 이용한 롤-프린트 방식의 미세접촉인쇄장치
JPH0647895A (ja) 精密印刷方法及び精密印刷装置
JP4182689B2 (ja) 凸版及びパターン形成方法
KR100837339B1 (ko) 탄성중합체 스탬프를 이용한 롤 프린트 방식의 미세접촉인쇄장치
KR100930345B1 (ko) 시트 타입의 블랭킷 시트 제조 장치
JP4117943B2 (ja) クッション性を有する印刷版の製造方法
JP3923655B2 (ja) クッション性を有する凹版
JPH11314470A (ja) クッション性を有する凹版
JPH0410933A (ja) 印刷版の製造方法
KR20150044408A (ko) 블랭킷 제조장치 및 블랭킷 제조방법
JP2005125664A (ja) 印刷用ブランケット
JP2015205452A (ja) 機能性素子の製造方法および印刷装置
JP4442166B2 (ja) 微細パターンの形成方法と液晶ディスプレイ用カラーフィルタの製造方法及び製造装置
JP7493704B2 (ja) 印刷装置及び印刷方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination